JP4320694B2 - 多重露光描画装置および多重露光式描画方法 - Google Patents

多重露光描画装置および多重露光式描画方法 Download PDF

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    • G03F7/2057Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はマトリクス状に配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描画面上に所定のパターンを描画する描画装置および描画方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
上述したような描画装置は一般的には適当な被描画体の表面に微細なパターンや文字等の記号を光学的に描画するために使用される。代表的な使用例としては、フォトリゾグラフィ(photolithography)の手法によりプリント回路基板を製造する際の回路パターンの描画が挙げられ、この場合には被描画体はフォトマスク用感光フィルム或いは基板上のフォトレジスト層である。
【0003】
近年、回路パターンの設計プロセスから描画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシステム化され、描画装置はそのような統合システムの一翼を担っている。統合システムには、描画装置の他に、回路パターンを設計するためのCAD(Computer Aided Design)ステーション、このCADステーションで得られた回路パターンのベクタデータを編集するCAM(Computer Aided Manufacturing)ステーション等が設けられる。CADステーションで作成されたベクタデータ或いはCAMステーションで編集されたベクタデータは描画装置に転送され、そこでラスタデータに変換された後にビットマップメモリに格納される。
【0004】
露光ユニットの一タイプとして、例えばDMD(Digital Micromirror Device)或いはLCD(Liquid Crystal Display)アレイ等から構成されるものが知られている。周知のように、DMDの反射面には、マイクロミラーがマトリクス状に配置され、個々のマイクロミラーの反射方向が独立して制御されるようになっており、このためDMDの反射面の全体に導入された光束は個々のマイクロミラーによる反射光束として分割されるようになっており、このため各マイクロミラーは変調素子として機能する。また、LCDアレイにおいては、一対の透明基板間に液晶が封入され、その双方の透明基板には互いに整合させられた多数対の微細な透明電極がマトリクス状に配置され、個々の一対の透明電極に電圧を印加するか否かにより光束の透過および非透過が制御されるようになっており、このため各一対の透明電極が変調素子として機能する。
【0005】
描画装置には被描画体の感光特性に応じた適当な光源、例えば超高圧水銀灯、キセノンランプ、フラッシュランプ、LED(Light Emitting Diode)、レーザ等が設けられ、また露光ユニットには結像光学系が組み込まれる。光源から射出した光束は照明光学系を通して露光ユニットに導入させられ、露光ユニットの個々の変調素子はそこに入射した光束を回路パターンのラスタデータに従って変調し、これにより回路パターンが被描画体上に露光されて光学的に描画される。この場合、描画される回路パターンの画素のサイズは変調素子のサイズに対応したものとなり、例えば、上述した結像光学系の倍率が等倍であるとき、描画回路パターンの画素のサイズと変調素子のサイズとは実質的に等しくなる。
【0006】
通常、被描画体に描画されるべき回路パターンの描画面積は露光ユニットによる露光面積よりも遥かに大きく、このため被描画体上に回路パターンの全体を描画するためには、被描画体を露光ユニットで走査することが必要となる。即ち、被描画体に対して露光ユニットを相対的に移動させつつ回路パターンを部分的に描画してその全体の回路パターンを得ることが必要となる。そこで、従来では、描画装置には、例えば所定の走査方向に沿って移動可能な描画テーブルが設けられ、この描画テーブルの移動経路の上方に露光ユニットが固定位置に配置される。描画テーブル上には被描画体が所定の位置に位置決めされ、描画テーブルを走査方向に沿って間欠的に移動させつつ回路パターンを部分的に順次描画して継ぎ足すことにより、全体の回路パターンが得られることになる。このような露光方式についてはステップ・アンド・リピート(Step & Repeat)方式と呼ばれる。
【0007】
また、別のタイプの露光ユニットとして、例えばレーザビーム走査光学系から構成されるものも知られている。このようなタイプの露光ユニットを用いる描画装置にあっては、被描画体の移動方向を横切る方向にレーザビームを偏向させて該レーザビームでもって被描画体を走査すると共に該走査レーザビームを一ライン分の描画データ(ラスタデータ)でもって順次変調させることによって、所望の回路パターンの描画が行われる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
以上で述べたような従来の描画装置のいずれのタイプのものにあっては、回路パターンの描画解像度は個々の描画装置で予め決められた画素サイズ(ドットサイズ)によって決まる。即ち、マトリクス状に配列された変調素子から成る露光ユニットを持つ描画装置にあっては、回路パターンの描画解像度は個々の変調素子サイズ即ち画素サイズによって決まり、またレーザビーム走査光学系を持つ描画装置にあっては、走査レーザビームのビーム径即ち画素サイズによって決まる。
【0009】
かくして、従来では、CADステーション或いはCAMステーションで回路パターンを設計する際の画素サイズはその回路パターンを描画すべき個々の描画装置によって予め決められた画素サイズに一致させることが必要である。換言すれば、CADステーション或いはCAMステーションでの回路パターンの設計の自由度を高めるためには、種々の画素サイズに対応できる描画装置が用意されなければならないし、種々の画素サイズに対応できる描画装置を用意できなければ、CADステーション或いはCAMステーションでの回路パターンの設計の自由度が制限されるということになる。
【0010】
また、実際には基板の描画すべき位置が個々に違っていたり、基板自体に伸縮や歪みが僅かに生じることがあるため、従来では回路パターンを回転させて描画する必要があるときには基板あるいは光学系を相対回転させたり、また回路パターンの平行移動やスケーリング(拡大および縮小)が必要なときには、専用のハードウェアを別途に設けて実現していた。従って、部品点数も多くなるため、制御が複雑になるだけでなく故障し易くなる一因にもなっていた。また、本来直線として描画されるべき箇所が座標変換により斜線や曲線として描画される場合には、画素サイズに起因する段差が生じて滑らかな線が描けないという問題も生じる。
【0011】
従って、本発明の目的は、マトリクス状に配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描画面上に所定のパターンを描画する描画方法および描画装置であって、パターンデータの画素サイズがどのような大きさのものであっても、またパターンデータに回転、平行移動またはスケーリングが必要となった場合であっても、そのパターンデータに基づいて所定のパターンを適正に描画し得るようになった新規な多重露光描画装置および多重露光描画方法を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多重露光描画装置は、マトリクス状に配列された多数の変調素子を持つ少なくとも1つの露光ユニットを用いて、多重露光により所定パターンを描画面上に描画する多重露光描画装置であって、所定パターンのラスタデータを保持する第1メモリ手段と、描画面に対する個々の変調素子の相対位置を示す第1座標データを保持する第2メモリ手段と、描画面に対する露光ユニットの相対位置を示す第2座標データを保持する第3メモリ手段と、第1座標データおよび第2座標データの少なくとも何れか一方に必要に応じて所定の座標変換を施す座標変換処理手段と、第1座標データと第2座標データとを加算し、両者の和に基づいてラスタデータの画素サイズに応じたアドレスデータを算出する演算手段と、第1メモリ手段からアドレスデータに対応するラスタデータを読み出して、露光ユニットの個々の変調素子に与えるべき露光データを生成する露光データ生成手段とを備え、座標変換処理手段によって第1座標データおよび第2座標データの少なくとも何れか一方に所定の座標変換が施されることにより、所定パターンに所定の座標変換の逆変換を施して得られるパターンを描画面に描画することを最大の特徴としている。このような構成により、ラスタデータそのものを座標変換させることなく、ラスタデータを与えるべき変調素子を変更することによって実質的に回路パターンを座標変換して描画することができる。
【0013】
座標変換は、具体的には回転変換、拡大変換、縮小変換、平行移動変換を含む。また、座標変換が回転変換であった場合には、座標変換処理手段によって第1座標データまたは第2座標データの何れか一方の座標データが所定回転角度だけ回転変換されるとともに、他方の座標データが所定回転角度に応じて補正される。
【0014】
上記多重露光描画装置は、さらに好ましくは露光ユニットのマトリクス状に配置された変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列方向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニットを描画面に対して相対的に移動させる移動手段と、露光ユニットの変調素子によって描画面上に得られる単位露光領域のサイズの整数倍の距離Aに該サイズより小さい距離aを加えた距離(A+a)だけ露光ユニットが該描画面上に対して相対的に移動する度毎に該露光ユニットの変調素子を所定のパターンデータに基づいて選択的に露光作動させる露光手段とを備える。、パターンデータの画素サイズがどのような大きさのものであっても、そのパターンデータに基づいて所定のパターンを適正に描画し得る。
【0015】
また、本発明に係る多重露光描画方法は、マトリクス状に配列された多数の変調素子を持つ少なくとも1つの露光ユニットを用いて所定パターンを多重露光により描画する多重露光描画方法であって、所定パターンのラスタデータを第1メモリ手段に保持する第1ステップと、描画面に対する個々の変調素子の相対位置を示す第1座標データを第2メモリ手段に保持する第2ステップと、描画面に対する露光ユニットの相対位置を示す第2座標データを第3メモリ手段に保持する第3ステップと、第1座標データおよび第2座標データの少なくとも何れか一方に必要に応じて所定の座標変換を施す第4ステップと、第1座標データと第2座標データとを加算し、両者の和に基づいてラスタデータの画素サイズに応じたアドレスデータを算出する第5ステップと、第1メモリ手段からアドレスデータに対応するラスタデータを読み出して、露光ユニットの個々の変調素子に与えるべき露光データを生成する第6ステップと、読み出されたラスタデータに基づいて各変調素子を駆動制御する第5ステップとを備え、第1座標データおよび第2座標データの少なくとも何れか一方に所定の座標変換が施されることにより、所定パターンに所定の座標変換の逆変換を施して得られるパターンが描画面に描画されることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して、本発明による多重露光描画装置の一実施形態について説明する。
【0017】
図1には、本発明による多重露光描画装置の第1実施形態が斜視図として概略的に示される。この多重露光描画装置はプリント回路基板を製造するための基板上に形成されたフォトレジスト層に回路パターンを直接描画するように構成されている。
【0018】
図1に示すように、多重露光描画装置10は床面上に据え付けられる基台12を備える。基台12上には一対のガイドレール14が平行に敷設され、さらにそれらガイドレール14上には描画テーブル16が搭載される。この描画テーブル16は図示されない適当な駆動機構、例えばボール螺子等をステッピングモータ等のモータにより駆動させられ、これにより一対のガイドレール14に沿ってそれらの長手方向であるX方向に相対移動する。描画テーブル16上には被描画体30としてフォトレジスト層を持つ基板が設置され、このとき被描画体30は図示されない適当なクランプ手段によって描画テーブル16上に適宜固定される。
【0019】
基台12上には一対のガイドレール14を跨ぐようにゲート状構造体18が固設され、このゲート状構造体18の上面には複数の露光ユニットが描画テーブル16の移動方向(X方向)に対して直角なY方向に2列に配列される。第1列目に配された8個の露光ユニットを図の左側から順に符号2001、2003、2005、2007、2009、2011、2013および2015で示し、その後方に配された第2列目の7個の露光ユニットを図の左側から符号2002、2004、2006、2008、2010、2012および2014で示している。
【0020】
第1列目の露光ユニット2001、2003、2005、2007、2009、2011、2013および2015と、第2列目の露光ユニット2002、2004、2006、2008、2010、2012および2014とは所謂千鳥状に配置される。即ち、隣り合う2つの露光ユニット間の距離は、全て1つの露光ユニットの幅に略等しく設定され、第2列目の露光ユニット2002、2004、2006、2008、2010、2012および2014の配列ピッチは第1列目の露光ユニット2001、2003、2005、2007、2009、2011、2013および2015の配列ピッチに対して半ピッチだけずらされている。
【0021】
本実施形態では、15個の露光ユニット2001〜2015はそれぞれDMDユニットとして構成されており、各露光ユニットの反射面は例えば1024×1280のマトリクス状に配列された1310720個のマイクロミラーから形成される。各露光ユニット2001〜2015は、X方向に沿って1024個、Y方向に沿って1280個のマイクロミラーがマトリクス状に配列されるように設置される。
【0022】
ゲート状構造体18の上面の適当な箇所、例えば第1露光ユニット2001の図中左方には光源装置22が設けられる。この光源装置22には図示しない複数のLED(Light Emitting Diode)が含まれ、これらLEDから発した光は集光されて平行光束として光源装置22の射出口から射出される。光源装置22にはLEDの他、レーザ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプおよびフラッシュランプ等を用いてもよい。
【0023】
光源装置22の射出口には15本の光ファイバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル24は15個の露光ユニット2001〜2015のそれぞれに対して延設され、これにより光源装置22から各露光ユニット2001〜2015へ照明光が導入される。各露光ユニット2001〜2015は、光源装置22からの照明光を描くべき回路パターンに応じて変調し、図の下方即ちゲート状構造体18の内側を進む描画テーブル16上の被描画体30に向かって出射する。これにより、被描画体30の上面に形成されたフォトレジスト層において照明光が照射された部分だけが感光する。照明光の強度は被描画体30のフォトレジスト層の感度に応じて調整される。
【0024】
図2には、第1露光ユニット2001の主要構成が概念的に図示されている。他の14個の露光ユニット2002〜2015は第1露光ユニット2001と同じ構成および機能を有しており、ここでは説明を省略する。第1露光ユニット2001には、照明光学系26および結像光学系28が組み込まれ、両者の間の光路上にはDMD素子27が設けられる。このDMD素子27は、例えばウェハ上にアルミスパッタリングで作りこまれた、反射率の高い一辺長さCの正方形マイクロミラーを静電界作用により動作させるデバイスであり、このマイクロミラーはシリコンメモリチップの上に1024×1280のマトリクス状に1310720個敷き詰められている。それぞれのマイクロミラーは、対角線を中心に回転傾斜することができ、安定した2つの姿勢に位置決めできる。
【0025】
照明光学系26は凸レンズ26Aおよびコリメートレンズ26Bを含み、凸レンズ26Aは光源22から延設された光ファイバケーブル24と光学的に結合される。このような照明光学系26により、光ファイバケーブル24から射出した光束は第1露光ユニット2001のDMD素子27の反射面全体を照明するような平行光束LBに成形される。結像光学系28には2つの凸レンズ28Aおよび28Cと、2つの凸レンズ28Aおよび28C間に配されるリフレクタ28Bとが含まれ、この結像光学系28の倍率は例えば等倍(倍率1)に設定される。
【0026】
第1露光ユニット2001に含まれる個々のマイクロミラーはそれぞれに入射した光束を結像光学系28に向けて反射させる第1の反射位置(以下、露光位置と記載する)と該光束を結像光学系28から逸らすように反射させる第2の反射位置(以下、非露光位置と記載する)との間で回動変位するように動作させられる。任意のマイクロミラーM(m,n)(1≦m≦1024,1≦n≦1280)が露光位置に位置決めされると、そこに入射したスポット光は一点鎖線LB1で示されるように結像光学系28に向かって反射され、同マイクロミラーM(m,n)が非露光位置に位置決めされると、スポット光は一点鎖線LB2で示されるように光吸収版29に向かって反射されて結像光学系28から逸らされる。
【0027】
マイクロミラーM(m,n)から反射されたスポット光LB1は、結像光学系28によって描画テーブル16上に設置された被描画体30の描画面32上に導かれる。例えば、第1露光ユニット2001に含まれる個々のマイクロミラーM(m,n)のサイズがC×Cであるとすると、結像光学系28の倍率は等倍であるから、マイクロミラーM(m,n)の反射面は描画面32上のC×Cの露光領域U(m,n)として結像される。Cは例えば20μmである。
【0028】
なお、1つのマイクロミラーM(m,n)によって得られるC×Cの露光領域は以下の記載では単位露光領域U(m,n)として言及され、全てのマイクロミラーM(1,1)〜M(1024,1280)によって得られる(C×1024)×(C×1280)の露光領域は、全面露光領域Ua01として言及される。
【0029】
図2の左上隅のマイクロミラーM(1,1)に対応する単位露光領域U(1,1)は全面露光領域Ua01の左下隅に位置し、左下隅のマイクロミラーM(1024,1)に対応する単位露光領域U(1024,1)は全面露光領域Ua01の左上隅に位置する。また、右上隅のマイクロミラーM(1,1280)に対応する単位露光領域U(1,1280)は全面露光領域Ua01の右下隅に位置し、右下隅のマイクロミラーM(1024,1280)に対応する単位露光領域U(1024,1280)は全面露光領域Ua01の右上隅に位置する。
【0030】
第1露光ユニット2001では、個々のマイクロミラーM(m,n)は通常は非露光位置に位置決めされているが、露光時には非露光位置から露光位置に回動変位させられる。マイクロミラーM(m,n)の非露光位置から露光位置への回動変位の制御については、後述するように回路パターンのラスタデータに基づいて行われる。なお、結像光学系28から逸らされたスポット光LB2は描画面32に到達しないように光吸収板29によって吸収される。
【0031】
第1露光ユニット2001に含まれる1310720個の全てのマイクロミラーが露光位置に置かれたときは、全マイクロミラーから反射された全スポット光が結像光学系28に入射させられ、描画面32上には第1露光ユニット2001による全面露光領域Ua01が得られる。全面露光領域Ua01のサイズについては、単位露光領域U(m,n)の一辺の長さCが20μmであれば、25.6mm(=1024×20μm)×20.48mm(=1280×20μm)となり、そこに含まれる総画素数は勿論1024×1280個となる。
【0032】
図3(a)〜(c)を参照して、多重露光描画装置における描画処理について説明する。図3(a)〜(c)は描画処理の経時変化を段階的に示す図であり、被描画体30の描画面32の平面図である。以下の説明の便宜上、描画面32を含む平面上にはX−Y直交座標系が定義される。破線で囲まれた長方形の領域は、15個の露光ユニット2001〜2015のそれぞれによってX−Y平面上で得られる全面露光領域Ua01〜Ua15である。第1列の全面露光領域Ua01、Ua03、Ua05、Ua07、Ua09、Ua11、Ua13およびUa15はその図中下辺がY軸に一致するように配置させられ、第2列の全面露光領域Ua02、Ua04、Ua06、Ua08、Ua10、Ua12およびUa14はその図中下辺がY軸から負側に距離Sだけ離れた直線に一致するように配される。
【0033】
X−Y直交座標系のX軸は露光ユニット2001〜2015の配列方向に対して直角とされ、このため各露光ユニット2001〜2015内のそれぞれ1310720(1024×1280)個のマイクロミラーもX−Y直交座標系のX軸およびY軸に沿ってマトリクス状に配列される。
【0034】
図3では、X−Y直交座標系の座標原点は第1列目の第1露光ユニット2001によって得られる全面露光領域Ua01の図中左下角に一致しているように図示されているが、正確には、座標原点は第1露光ユニット2001のY軸に沿う第1ラインのマイクロミラーのうちの先頭のマイクロミラーM(1,1)によって得られる単位露光領域U(1,1)の中心に位置する。上述したように、本実施形態では単位露光領域のサイズは20μm×20μmであるので、Y軸は第1露光ユニット20による全面露光領域Ua01の境界から10μmだけ内側に進入したものとなっている。換言すれば、第1列目の8つの露光ユニット2001、2003、2005、2007、2009、2011、2013および2015のそれぞれの第1ラインに含まれる1280個のマイクロミラーM(1,n)(1≦n≦1280)の全ての中心がY軸上に位置する。
【0035】
描画面32は、描画テーブル16によって図中矢印ARで示される方向、即ちX軸の負側であってかつX軸から角度αだけ傾斜した方向に移動させられる。従って、描画テーブル14が矢印ARの方向に向かって移動するにつれ、全面露光領域Ua01〜Ua15は描画面32に対してX軸の正の方向に相対移動すると同時に、Y軸に沿ってその負側に所定距離だけ相対的にシフトすることになる。なお、図3では描画面32の移動方向がX軸に対して傾斜させられているが、描画面32の移動方向をX軸に対して平行として、露光ユニット2001〜2015の配列方向をY軸に対して傾斜させるようにしてもよい。なお、後の記載から明らかなように、角度αはきわめて小さな角度とされるが、図3では誇張して示されている。
【0036】
露光方式としては、描画テーブル16を走査方向に沿って間欠的に移動させる動作と、描画テーブル16の停止時に回路パターンを部分的に順次描画する動作とを交互に繰り返すことにより、各描画領域を継ぎ足して全体の回路パターンを得るステップ・アンド・リピート(Step & Repeat)方式を採用してもよいし、描画テーブル16を一定速度で移動させつつ同時に描画動作を行う方式であってもよい。本実施形態では説明を容易にするためにステップ・アンド・リピート方式を採用する。
【0037】
多重露光描画装置10による描画作動時、描画テーブル16はX軸に沿ってその負側に間欠的に移動させられ、これにより描画面32は露光ユニット2001〜2015の個々のマイクロミラーからの反射光束でもって走査され得る。描画面32の移動中、先ず、第1列目の露光ユニット2001、2003、2005、2007、2009、2011、2013および2015を露光作動させて8つの全面露光領域Ua01、Ua03、Ua05、Ua07、Ua09、Ua11、Ua13およびUa15を描画面32上に形成した後に、所定のタイミングだけ遅れて第2列目の露光ユニット2002、2004、2006、2008、2010、2012および2014を露光動作させて7つの全面露光領域Ua02、Ua04、Ua06、Ua08、Ua10、Ua12およびUa14を描画面32上に形成することにより、8つの全面露光領域Ua01、Ua03、Ua05、Ua07、Ua09、Ua11、Ua13およびUa15と7つの全面露光領域Ua02、Ua04、Ua06、Ua08、Ua10、Ua12およびUa14とを描画面32上でY軸方向に沿って整列させることが可能である。かくして、15個の露光ユニット2001〜2015による描画面32上での回路パターンの描画が可能となる。
【0038】
多重露光描画装置10では、描画テーブル16を所定の移動間隔で間欠的に移動させつつ、回路パターンのラスタデータに従って回路パターンを多重露光により描画する描画方法が採用される。以下に、このような多重露光描画方法の原理について説明する。
【0039】
図4の(a)〜(c)には、第1露光ユニット2001によって描画面32上に投影される全面露光領域Ua01の一部が経時的に示され、この全面露光領域Ua01は各マイクロミラーM(m,n)から得られる単位露光領域U(m,n)から成る。ここで、パラメータmは第1露光ユニット2001のX軸方向に沿うライン番号を示し、パラメータnは第1露光ユニット2001のY軸方向に沿う行番号を示し、本実施形態では1≦m≦1024および1≦n≦1280となる。
【0040】
要するに、単位露光領域U(1,1)、U(1,2)、U(1,3)、U(1,4)、U(1,5)、…、U(1,1280)は第1露光ユニット2001のY軸に沿う第1ラインの1280個のマイクロミラーM(1,1)〜M(1,1280)から得られるものであり、単位露光領域U(2,1)、U(2,2)、U(2,3)、U(2,4)、U(2,5)、…、U(2,1280)は第1露光ユニット2001のY軸に沿う第2ラインの1280個のマイクロミラーM(2,1)〜M(2,1280)から得られるものであり、単位露光領域U(3,1)、U(3,2)、U(3,3)、U(3,4)、U(3,5)、…、U(3,1280)は第1露光ユニット2001のY軸に沿う第3ラインのマイクロミラーM(3,1)〜M(3,1280)から得られるものである。
【0041】
例えば、露光1回当たりの移動距離が単位露光領域の1つ分のサイズCの整数倍である距離A(例えばA=4C)と距離a(0≦a<C)との和である場合について説明すると、描画テーブル16がX軸の負側に移動させられる、即ち第1露光ユニット2001が描画テーブル16に対してX軸の正側に向かって相対移動し、単位露光領域Ua01が描画面32上の描画開始位置に到達すると、そこで一旦停止させられて第1露光ユニット2001の第1ラインの1280個のマイクロミラーM(1,1)〜M(1,1280)が所定の回路パターンのラスタデータに従って動作させられて第1回目の露光が行われる。このときの描画面32の相対位置を第1回目露光位置と定義する。
【0042】
第1回目の露光が終了すると、第1露光ユニット2001は再びX軸に沿ってその正側に相対移動し、その単位露光領域Ua01の移動量が(A+a)となったとき、第1露光ユニット2001は第2回目露光位置に到達したと判断されて停止され、第1露光ユニット2001の第1〜第5ラインのマイクロミラーM(1,1)〜M(5,1280)が所定の回路パターンのラスタデータに従って動作させられて第2回目の露光が行われる。
【0043】
第2回目の露光が終了すると、第1露光ユニット2001は更にX軸に沿ってその正側に移動量(A+a)だけ移動させられて第3回目露光位置で停止され、第1露光ユニット2001の第1〜第9ラインのマイクロミラーM(1,1)〜M(9,1280)が所定の回路パターンのラスタデータに従って動作させられて第3回目の露光が行われる。
【0044】
このように第1露光ユニット2001がX軸に沿ってその正側に移動量(A+a)だけ移動させられる度毎に停止されて露光作動が繰り返され、描画面32は多数回に渡って多重露光されることになる。
【0045】
上述したように、描画面32はX軸に対して微少角αだけ傾斜して移動するため、第1露光ユニット2001はX軸に沿ってその正側に移動量(A+a)だけ移動させられる度毎に単位露光領域U(m,n)はY軸に沿ってその負側に所定距離だけ相対的にシフトすることになる。
【0046】
図5は、被描画体30をX軸に対して傾斜させつつ順次移動させたときの単位露光領域U(m,n)の変位を経時的に示す図である。図5を参照すると、第1回目露光位置での全面露光領域Ua01の一部が破線で示され、第2回目露光位置での全面露光領域Ua01の一部が一点鎖線で示され、第3回目露光位置での全面露光領域Ua01の一部が実線で示され、各単位露光領域U(m,n)のY軸の負側に沿う移動距離がbで示されている。
【0047】
第1回目露光位置において第1露光ユニット2001の第1ラインのマイクロミラーM(1,1)〜M(1,1280)によって得られる単位露光領域U(1,1)、U(1,2)、…U(1,1280)に注目すると、これら単位露光領域U(1,1)、U(1,2)、…U(1,1280)に対して、第2回目露光位置における第1露光ユニット2001の第5ラインのマイクロミラーM(5,1)〜M(5,1280)によって得られる単位露光領域U(5,1)、U(5,2)、…U(5,1280)がX軸およびY軸に沿ってそれぞれ(+a)および(−b)だけずれて互いに重なり合い、さらに第3回目露光位置においては第1露光ユニット2001の第9ラインのマイクロミラーM(9,1)〜M(9,1280)によって得られる単位露光領域U(9,1)、U(9,2)、…U(9,1280)は、X軸方向およびY軸方向にそれぞれ(+2a)および(−2b)だけずれて互いに重なり合うことになる。なお、図5では、3つの互いに重なり合う単位露光領域U(1,1)、U(5,1)およびU(9,1)がそれぞれ破線、一点鎖線および実線の引出し線で例示的に示されている。
【0048】
ここで各単位露光領域U(m,n)の相対位置をその中心である露光点CN(m,n)で代表して示すと、第2回目露光位置における露光点CN(5,1)は、第1回目露光位置における露光点CN(1,1)から(+a,−b)だけ離れており、第3回目露光位置における露光点CN(9,1)は、第1回目露光位置における露光点CN(1,1)から(+2a,−2b)だけ離れて存在することになる。なお、各ラインにおける互いに隣接した露光点間の距離は単位露光領域U(m,n)のサイズC(=20μm)に一致する。
【0049】
上述したように、移動距離が、単位露光領域U(m,n)の一辺長さCの4倍と距離aとの和とされるとき、距離aおよびbを適当に選ぶことにより、個々の単位露光領域U(m,n)と同じ大きさの面積C×C内に露光点を均一に分布させることができる。
【0050】
例えば、図6に示すように、単位露光領域U(m,n)と同じ大きさの面積C×C(=20μm×20μm)内に256個の露光点を分布させるためには、X軸およびY軸に沿ってそれぞれ256個の単位露光領域の中心を16個ずつ配列させればよいことになり、距離aおよびbは以下の計算式によって定められる。
a=C/16 =20μm/16 =1.25μm
b=C/256=20μm/256=0.078125μm
【0051】
なお、言うまでもないが、距離bを0.078125μmに設定するということは、描画テーブル16がX軸の負側に距離(A+a=81.25μm)だけ移動したとき、個々の単位露光領域U(m,n)がY軸の負側に0.078125μmだけシフトするように描画テーブル16の傾斜角度αを設定するということに他ならない。
【0052】
図6において、参照符号CN(1,1)で示される露光点が例えば第1回目露光位置における第1露光ユニット2001の第1ラインの先頭のマイクロミラーM(1,1)によって得られる単位露光領域U(1,1)のものであるとすると、先の記載から明らかなように、露光点CN(5,1)は第2回目露光位置における第1露光ユニット2001の第5ラインの先頭のマイクロミラーM(5,1)によって得られる単位露光領域U(5,1)のものであり、露光点CN(9,1)は第3回目露光位置における第1露光ユニット2001の第9ラインの先頭のマイクロミラーM(9,1)によって得られる単位露光領域U(9,1)のものとなる。
【0053】
さらに、露光点CN(1,1)から距離(+16a,−16b)だけ離れた露光点CN(61,1)は、第16回目露光位置における第61ラインの先頭のマイクロミラーM(61,1)によって得られる単位露光領域U(61,1)の中心であり、露光点CN(1,1)から距離(0,−a)だけ離れた露光点CN(65,1)は第17回目露光位置における第65ラインの先頭のマイクロミラーM(65,1)によって得られる単位露光領域U(65,1)の中心である。同様に、露光点CN(1,1)から距離(0,−15a)だけ離れた露光点CN(961,1)は第241回目露光位置における第961ラインの先頭のマイクロミラーM(961,1)によって得られる単位露光領域U(961,1)の中心であり、露光点CN(1,1)から距離(15a,−16a)だけ離れた露光点CN(1021,1)は第256回目露光位置における第1021ラインの先頭のマイクロミラーM(1021,1)によって得られる単位露光領域U(1021,1)の中心である。
【0054】
かくして、15個の露光ユニット2001〜2015に対して描画テーブル16が上述した条件下でX軸の負側に間欠的に移動させられると、それら露光ユニット2001〜2015の個々のマイクロミラーM(m,n)よって得られる単位露光領域U(m,n)の中心、即ち露光点CN(m,n)がX軸およびY軸のそれぞれに沿ってピッチaおよびbで描画面32の全体にわたって配列されることになる。個々の単位画素領域と同じ大きさの領域C×C(20μm×20μm)内には256個の露光点が均一に分布させられる。
【0055】
なお、露光ユニット2001〜2015における個々の露光点を描画面32の全体にわたって更に高密度に分布させることももちろん可能であり、例えば、20μm×20μmの面積内に512個の単位露光領域の中心を均一に配列させる場合には、距離Aは単位露光領域のサイズCの2倍(40μm)に設定され、距離aおよびbはそれぞれ1.25μm/2、0.078125μm/2に設定される。
【0056】
また、図6に示す例では16個の露光点はY軸に沿って平行に配列されているが、距離aおよびbの値を僅かに変化させることによって、露光点をY軸に沿って斜めに配列させることも可能である。
【0057】
このように本実施形態の多重露光描画装置10においては、回路パターンのラスタデータに基づいて回路パターンの描画が行われるとき、該回路パターンデータの画素サイズがどのようなサイズであっても、その回路パターンを描画することが可能である。換言すれば、多重露光描画装置10側には、描画されるべき回路パターンに対する画素の概念は存在しないといえる。
【0058】
例えば、ラスタデータの画素サイズが20μm×20μmに設定されている場合には、任意の1ビットデータに“1”が与えられると、露光作動時にその1ビットデータに対応する一画素領域(20μm×20μm)に含まれる個々の露光点CN(m,n)に対応したマイクロミラーM(m,n)が該1ビットデータによって動作されて非露光位置から露光位置に回動させられ、これによりかかる一画素領域(20μm×20μm)が総計256回にわたって多重露光を受けることになる。
【0059】
また、別の例として、ラスタデータの画素サイズが10μm×10μmに設定されている場合には、任意の1ビットデータに“1”が与えられると、露光作動時にその1ビットデータに対応する一画素領域(10μm×10μm)に含まれる個々の露光点CN(m,n)に対応したマイクロミラーM(m,n)が該1ビットデータによって動作されて非露光位置から露光位置に回動させられ、これによりかかる一画素領域(10μm×10μm)が総計64回にわたって多重露光を受けることになる。
【0060】
なお、露光時間、即ち個々のマイクロミラーM(m,n)が露光位置に留められる時間については、描画面32における一画素領域内での露光回数、被描画体30(本実施形態では、フォトレジスト層)の感度、光源装置22の光強度等に基づいて決められ、これにより各一画素露光領域について所望の露光量が得られるように設定される。
【0061】
上述したように、本実施形態の多重露光描画装置10には、従来設定されるべき画素サイズというものが存在しない。従って、後述するように回路パターンを座標変換して描画する場合、例えば直線を斜線や曲線として描く場合であっても、画素サイズに起因する段差が生じることは無く、常に滑らかな線が描ける。
【0062】
図7は多重露光描画装置10の制御ブロック図である。同図に示すように、多重露光描画装置10にはマイクロコンピュータから構成されるシステムコントロール回路34が設けられる。即ち、システムコントロール回路34は中央演算処理ユニット(CPU)、種々のルーチンを実行するためのプログラムや定数等を格納する読出し専用メモリ(ROM)、演算データ等を一時的に格納する書込み/読出し自在なメモリ(RAM)、および入出力インターフェース(I/O)から成り、多重露光描画装置10の作動全般を制御する。
【0063】
描画テーブル16は、駆動モータ36によってX軸方向に沿って駆動させられる。この駆動モータ36は例えばステッピングモータとして構成され、その駆動制御は駆動回路38から出力される駆動パルスに従って行われる。描画テーブル16と駆動モータ36との間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構が介在させられるが、そのような駆動機構については図7では破線矢印で象徴的に示されている。
【0064】
駆動回路38は描画テーブル制御回路40の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路40は描画テーブル16に設けられた描画テーブル位置検出センサ42に接続される。描画テーブル位置検出センサ42は描画テーブル16の移動経路に沿って設置されたリニアスケール44からの光信号を検出して描画テーブル16のX軸方向に沿うその位置を検出するものである。なお、図7では、リニアスケール44からの光信号の検出が破線矢印で象徴的に示されている。
【0065】
描画テーブル16の移動中、描画テーブル位置検出センサ42はリニアスケール44から一連の光信号を順次検出して一連の検出信号(パルス)として描画テーブル制御回路40に対して出力する。描画テーブル制御回路40では、そこに入力された一連の検出信号が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御クロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路40からは一連の制御クロックパルスが駆動回路38に対して出力され、駆動回路38ではその一連の制御クロックパルスに従って駆動モータ36に対する駆動パルスが作成される。要するに、リニアスケール44の精度に応じた正確さで描画テーブル16をX軸方向に沿って移動させることができる。なお、このような描画テーブル16の移動制御自体は周知のものである。
【0066】
図7に示すように、描画テーブル制御回路40はシステムコントロール回路34に接続され、これにより描画テーブル制御回路40はシステムコントロール回路34の制御下で行われる。一方、描画テーブル位置検出センサ42から出力される一連の検出信号(パルス)は描画テーブル制御回路40を介してシステムコントロール回路34にも入力され、これによりシステムコントロール回路34では描画テーブル16のX軸に沿う移動位置を常に監視することができる。
【0067】
システムコントロール回路34はLAN(Local Area Network)を介してCADステーション或いはCAMステーションに接続され、CADステーション或いはCAMステーションからはそこで作成処理された回路パターンのベクタデータがシステムコントロール回路34に転送される。システムコントロール回路34にはデータ格納手段としてハードディスク装置46が接続され、CADステーション或いはCAMステーションから回路パターンのベクタデータがシステムコントロール回路34に転送されると、システムコントロール回路34は回路パターンのベクタデータを一旦ハードディスク装置46に書き込んで格納する。また、システムコントロール回路34には外部入力装置としてキーボード48が接続され、このキーボード48を介して種々の指令信号や種々のデータ等がシステムコントロール回路34に入力される。
【0068】
ラスタ変換回路50はシステムコントロール回路34の制御下で動作させられる。描画作動に先立って、ハードディスク装置46から回路パターンのベクタデータが読み出されてラスタ変換回路50に出力され、このベクタデータはラスタ変換回路50によってラスタデータに変換され、このラスタデータはビットマップメモリ52に書き込まれる。要するに、ビットマップメモリ52には回路パターンデータとして0または1で表されたビットデータとして格納される。ラスタ変換回路50でのデータ変換処理およびビットマップメモリ52でのデータ書込みについてはキーボード48を介して入力される指令信号により行われる。
【0069】
読出しアドレス制御回路58は各露光ユニットに与えるべきビットデータをビットマップメモリ52から露光作動毎に読み出し、露光データとして露光データメモリ54に格納する。露光データは個々の露光ユニット2001〜2015のマイクロミラーを露光位置または非露光位置に位置決めさせるためのビットデータである。読出しアドレス制御回路58から一連の読出しアドレスデータが露光データメモリ54に対して出力されると、その読出しアドレスデータに従って露光データメモリ54からは所定のビットデータがDMD駆動回路56に対して出力され、DMD駆動回路56はそのビットデータに基づいて露光ユニット2001〜2015をそれぞれ独立して作動し、これにより各露光ユニットの個々のマイクロミラーは選択的に露光作動を行うことになる。露光データは露光ユニット2001〜2015による露光作動が繰り返される度毎に書き換えられる。なお、読出しアドレスデータおよび露光データについては後で詳しく説明する。
【0070】
なお、図7では、個々のマイクロミラーの露光作動が破線矢印で象徴的に図示されている。また、図7では図の複雑化を避けるために露光ユニットは1つしか示されていないが、実際には15個(2001〜2015)存在し、DMD駆動回路56によってそれぞれ駆動されることは言うまでもない。
【0071】
図8には、露光データメモリ54上に展開された回路パターンデータ(ラスタデータ)の一部分が模式的に示されている。同図に示すライン番号Lは描画面32上に描画されるべき回路パターンのY軸に沿う描画ライン番号に対応し、各ラインには1280×15個のビットデータが含まれる。同図に示すように、個々のビットデータは“B”で示され、この“B”には描画されるべき回路パターンに従って“1”か“0”のうちのいずれかの値が与えられる。
【0072】
本発明によれば、回路パターンデータ(ラスタデータ)の画素サイズ、即ち個々のビットデータ“B”のサイズについてはその回路パターンの設計段階で種々の大きさを与えることが可能である。例えば、ビットデータ“B”のサイズが10μm×10μmであれば、描画面32上に描かれるべき描画ラインの幅も10μmとなり、ビットデータ“B”のサイズが20μm×20μmであれば、描画ラインの幅も20μmとなり、ビットデータ“B”のサイズが30μm×30μmであれば、描画ラインの幅も30μmとなる。
【0073】
図8に示すように、各ラインに含まれる1280×15個のビットデータは1280ビット毎に第1番目ないし第15番目のグループに分けられる。第1列目の8つの露光ユニット2001、2003、2005、2007、2009、2011、2013および2015のそれぞれの露光作動については奇数番目のグループのビットデータに従って行われ、第2列目の7つの露光ユニット2002、2004、2006、2008、2010、2012および2014のそれぞれの露光作動については偶数番目のグループのビットデータに従って行われる。
【0074】
各グループの個々のビットデータ“B”に対しては、図9に模式的に示すようなアドレスデータ[Lx,Ry]が与えられる。アドレスデータ成分Lxはライン番号L(図8)を示し、アドレスデータ成分Ryは各グループの最上ビットからの数えて何ビット目に当たるかを表す。例えば、アドレスデータ[000001,0001]は各グループのライン番号1の最上位ビットのビットデータ“B”を表し、アドレスデータ[000003,0001]は各グループのライン番号3の最上位ビットのビットデータ“B”を表し、またアドレスデータ[000001,1278]は各グループのライン番号1の最上位ビットから数えて1278番目のビットデータ“B”を表し、アドレスデータ[000003,1278]は各グループのライン番号3の最上位ビットから数えて1278番目のビットデータ“B”を表し、更にアドレスデータ[000001,1280]は各グループのライン番号1の最下位ビットのビットデータ“B”を表し、アドレスデータ[000003,1280]は各グループのライン番号3の最下位ビットのビットデータ“B”を表す。
【0075】
図10は、図7に示す読み出しアドレス制御回路58の構成をさらに詳細に示すブロック図である。読出しアドレス制御回路58には、15個の露光ユニット2001〜2015にそれぞれ対応した制御回路が設けられているが、ここでは第1露光ユニット2001に対応した第1制御回路580のみを示し、残り14個の制御回路については省略する。
【0076】
第1制御回路580には露光点座標データメモリ582(第2メモリ手段)が設けられ、この露光点座標データメモリ582には1024×1280のマトリクス状に配列されたマイクロミラーM(m,n)に対応する1310720個の露光点CN(m,n)の座標データが格納される。この露光点座標データ(第1座標データ)は、第1ラインの先頭のマイクロミラーM(1,1)に対応する露光点CN(1,1)を原点とする2次元直交座標系で表され、その座標系の2軸はそれぞれX軸およびY軸に平行である。この露光点座標データは描画面32全体の描画が行われる毎にシステムコントロール回路34から与えられ、更新される。
【0077】
第1制御回路580のカウンタ581及び583には、システムコントロール回路34から基本制御クロックパルスCLK1および露光クロックパルスE_CLKがそれぞれ入力され、その出力は露光点座標データメモリ582および露光データメモリ54に入力される。
【0078】
基本制御クロックパルスCLK1は、1310720個の各マイクロミラーを順次作動させるタイミングを制御するパルスであり、露光クロックパルスE_CLKは第1露光ユニット2001の露光開始タイミングを制御するパルスである。露光クロックパルスE_CLKの周期はクロックパルスCLK1の周期の1310720倍以上とされる。
【0079】
カウンタ581は基本制御クロックパルスCLK1のパルス数をカウントし、そのカウント値を出力する。このカウント値は露光クロックパルスE_CLKの入力毎に初期値0にリセットされる。従って、カウンタ581からの出力は露光点座標データメモリ582または露光データメモリ54から各マイクロミラーに与えるべきビットデータの読み出す順番を示すアドレスデータに相当する。
【0080】
また第1制御回路580には露光位置データメモリ584(第3メモリ手段)が設けられ、この露光位置データメモリ584には露光作動毎に変化する第1露光ユニット2001の描画面32に対する相対位置データ(以下、露光位置データと記載する)、具体的には第1ラインの先頭のマイクロミラーM(1,1)に対応する露光点CN(1,1)の座標データが格納される。露光位置データ(第2座標データ)は描画毎にシステムコントロール回路34から与えられ、更新される。
【0081】
第1制御回路580のカウンタ583には、システムコントロール回路34から露光クロックパルスE_CLKが入力されており、パルス数がカウントされる。カウント値は露光位置データメモリ584から露光位置データを読み出すアドレスデータとして露光位置データメモリ584に出力される。
【0082】
露光点座標データメモリ582はクロックパルスCLK1に同期してアドレス変更される毎に加算器586に順次露光点座標データを出力し、露光位置データメモリ584はクロックパルスE_CLKに同期してアドレスが変更される毎に加算器586に露光位置データを出力する。加算器586では個々の露光点座標データに現在の露光位置データを加算し、両者の和をピクセル処理回路588に出力する。露光位置データおよび露光点座標データはμm単位で表された値であるため、ピクセル処理回路588では描画すべきラスタデータの画素サイズPSに基づいたデータに変換する。このデータがビットマップメモリ52からラスタデータを読み出す際の読出しアドレスデータ[Lx,Ry]となる。
【0083】
本実施形態の多重露光描画装置10においては、被描画体30が描画テーブル16上に位置決めされた際の位置ずれや、被描画体30自体の僅かな伸縮や歪みに応じて回路パターンを座標変換して描画することができる。
【0084】
図11を参照して座標変換の原理を説明する。図11(a)には描画すべき回路パターン、例えば「A」の字が示されている。破線で示すように被描画体30が正確に位置決めされ、かつ伸縮や歪みが無ければこの回路パターン「A」はそのまま描画できる。しかし、図11(b)に示すように、被描画体30がθだけ時計回り方向に回転して置かれた場合には、そのまま回路パターン「A」を描画すると被描画体30には−θだけ回転した回路パターン「A」が描画されることになる。そのため、描画テーブル16と共に被描画体30を−θだけ相対回転させて図11(a)のように位置決めし直すか、図11(b)の破線で示すように回路パターンをθだけ相対回転させるべく座標変換を施す必要がある。本実施形態では、描画テーブル16はX軸方向にのみ移動する構成であり、後者の手法を採用している。
【0085】
具体的には、露光させるべきマイクロミラーの位置を変更する。例えば図11(b)に示すように、回路パターン「A」を構成する画素P1を露光するためには所定位置のマイクロミラーが対応しているが、そのときにθだけ回転させた画素P1’に対応するマイクロミラーを露光作動させればよい。言い換えると、画素P1’に対応するマイクロミラーに与えるべき回路パターンデータは、画素P1’の位置から−θだけ相対回転した画素P1のデータということになる。従って、マイクロミラーの中心である露光点の座標に−θだけ回転させる回転変換を施し、回転変換された露光点に対応するビットデータを読み出してそのビットデータに基づいて露光作動させれば、実質的に回路パターンをθ回転させることができる。
【0086】
このように、回転変換した露光点に対応するビットデータを読み出すことにより、描かれる回路パターンは露光点の回転とは逆の方向に相対回転することになる。従って、実際に回転させたい方向と逆の方向に露光点を回転させればよい、ことになる。これは、上記回転変換だけでなく、拡大、縮小および平行移動についても同様のことがいえる。即ち、回路パターンを拡大する場合には露光点の座標変換では縮小すればよく、回路パターンを縮小する場合には露光点の座標変換では拡大すればよい。平行移動については、移動させたい方向と反対の方向に露光点を移動させればよい。このように、露光点を座標変換すると、回路パターンにその座標変換の逆変換を施して得られるパターンを描画面に描画することができる。
【0087】
なお、この座標変換はシステムコントロール回路34によって描画毎に逐次行われ、露光点座標データとして露光点座標データメモリ582に出力される。露光データメモリ54には実質的に座標変換された回路パターンのビットデータが保持されることになり、これにより描画面に座標変換された回路パターンを描くことができる。
【0088】
このように、本実施形態においては、回路パターンのラスタデータを読み出すための読出しアドレスを制御することによって座標変換を行っており、ビットマップメモリ52内のラスタデータには何ら座標変換を施す必要がない。従って、スケーリング等の専用のハードウェアを用いることなく、また描画テーブル16を回転させたり光学系を駆動させるための機構を必要としないので、制御を簡単にすることができる。
【0089】
以下に露光ユニット2001の個々のマイクロミラーM(m,n)と各露光位置でのビットデータ“B”との関係について説明する。
【0090】
露光ユニット2001が露光開始位置即ち第1回目露光位置に置かれている場合にその任意のマイクロミラーによって得られる単位露光領域U(m,n)の露光点CN(m,n)のXY座標P[x(m),y(n)](1≦m≦1024,1≦n≦1280)については以下のように表される。尚、Cは単位露光領域のサイズであり、Xp(m)およびYp(n)は露光点座標データである。
x(m)=Xp(m)=(m−1)C
y(n)=Yp(n)=(n−1)C
【0091】
ここで、回転変換が必要な場合には、露光点座標データXp(m)およびYp(n)は以下のように座標変換させられる。ここでの回転変換は回路パターンを−θだけ相対回転させる場合に適用される。なお、Xp(m)’およびYp(n)’は座標変換後の露光点座標データである。
Xp(m)’=Xp(m)・cosθ−Yp(n)・sinθ
Yp(n)’=Xp(m)・sinθ+Yp(n)・cosθ
【0092】
また、拡大変換または縮小変換が必要な場合には、以下のように座標変換させられる。なお、βは倍率である。
Xp(m)’=Xp(m)・β
Yp(n)’=Xp(m)・β
【0093】
またさらに平行移動変換が必要な場合には、以下のように座標変換させられる。なお、XγはX方向に関する平行移動量であり、YγはY方向に関する平行移動量である。
Xp(m)’=Xp(m)+Xγ
Yp(n)’=Xp(m)+Yγ
【0094】
露光ユニット2001が第1回目露光位置からX軸方向に距離(A+a)ずつ順次移動させられて第i回目露光位置まで到達したとすると、そのときの露光位置データXs(i)およびYs(i)は以下のように表される。ここで、“i”は露光回数であり、bは前述したように、X軸方向に(A+a)だけ移動した際のY方向の移動量である。
Xs(i)=(A+a)(i−1) …(1)
Ys(i)=b(i−1) …(2)
【0095】
ここで注目すべきことは、露光点の回転変換があった場合にはその回転によって生じた露光位置の変化を加味しなければならないことである。そこで、回転変換があった場合には以下の(3)式が(2)式の変わりに用いられる。
Ys(i)=b(i−1)+(A+a)(i−1)tanθ …(3)
【0096】
従って、露光ユニット2001が第i回目露光位置まで到達したときの座標P[x (m),y(n)]のX成分x(m)およびY成分y(n)は以下の式で示される。
x(m)=Xs(i)+Xp(m)’ …(4)
y(n)=Ys(i)+Yp(n)’ …(5)
【0097】
第i回目露光位置において、任意のマイクロミラーによって得られる単位露光領域(U(m,n))の露光点CN(m,n)の座標P[x(m),y(n)]が或る一画素領域内に含まれるとき、その一画素領域に対応するビットデータ“B”のアドレス[Lx,Ry]は上述の2つの(4)式および(5)式の演算結果を用いて以下の式で表せる。
x=INT[x(m)/PS]+1 … (6)
y=INT[y(n)/PS]+1 … (7)
ここで、一般的に、除算e/fが行われるとき、演算子INT[e/f]は除算e/fの商を表し、0≦e<fのとき、INT[e/f]=0として定義される。また、“PS”はビットデータ“B”のサイズを表す。
【0098】
かくして、第i回目露光位置では、座標P[x(m),y(n)]に対応したマイクロミラーは上述の(6)式および(7)式の演算結果によって決まるアドレス[Lx,Ry]のビットデータ“B”に従って動作されることになる。
【0099】
上述の(4)式の演算結果、即ち座標P[x(m),y(n)]のX成分の演算結果が以下の関係となったとき、
x(m)<0
座標P[x(m),y(n)]は未だ描画面32上の描画領域に侵入していないことになる。従って、この場合には、座標P[x(m),y(n)]に対応したマイクロミラーを動作すべきビットデータは存在しないことになり、このとき該マイクロミラーはダミーデータ“0”に従って動作させられる。
【0100】
また、上述の(5)式の演算結果y(n)、即ち座標P[x(m),y(n)]のY成分の演算結果が以下の関係となったとき、
y(n)<0
座標P[x(m),y(n)]は描画領域のY軸に沿う負側の境界線を越えることになる。従って、この場合にも、座標P[x(m),y(n)]に対応したマイクロミラーを動作すべきビットデータは存在しないことになり、このとき該マイクロミラーはダミーデータ“0”に従って動作させられる。
【0101】
第1列目のその他の露光ユニット2003〜2015に含まれる任意のマイクロミラーを露光動作時にどのビットデータ“B”によって動作させるべきかも上述の場合と同様な態様で確定することが可能であるが、しかしその場合には、上述の演算時に露光ユニット2003、2005、〜2015の各々が露光ユニット2001よりも座標原点からY軸に沿って正側に離れていることが考慮されなければならない。また、第2列目の露光ユニット2002、2004、〜2014のそれぞれの任意のマイクロミラーを各露光動作時にどのビットデータ“B”によって動作させるべきかも上述の場合と同様な態様で確定することが可能であるが、しかしその場合には、上述の演算時に露光ユニット2002、2004、〜2014の各々が露光ユニット2001よりも座標原点からX軸に沿って負側にしかもY軸に沿って正側に離れていることが考慮されなければならない。
【0102】
なお、本実施形態においては、第1座標データである露光点座標データXp(m)およびYp(n)に座標変換を施しているが、第2座標データである露光位置データXs(i)およびYs(i)に座標変換を施しても同様の結果が得られる。また、本実施形態のように一方の露光点座標データXp(m)およびYp(n)を回転変換した場合には、他方の露光位置データYs(i)を回転角度θに応じて補正している((3)式参照)が、露光位置データXs(i)およびYs(i)を回転変換した場合では露光点座標データXp(m)およびYp(n)を回転角度θに応じて補正する必要がある。
【0103】
図12を参照すると、システムコントロール回路34で実行される描画ルーチンのフローチャートが示され、この描画ルーチンの実行は多重露光描画装置の電源スイッチ(図示されない)をオンすることにより開始される。
【0104】
ステップS1901では、キーボード48上に割り当てられた描画開始キーが操作されたか否かが判断される。なお、描画開始キーの操作前には、回路パターンデータ(ベクタデータ)からラスタデータへの変換処理が行われていてビットマップメモリ52には回路パターンデータ(ラスタデータ)が既に展開され、また描画ルーチンの実行に必要な種々のデータ、例えば距離A、距離a、描画時間および描画テーブル16の移動速度等のデータについてはキーボード48を介して入力されてシステムコントロール回路34のRAMに既に格納されているものとする。
【0105】
ステップS1901で描画開始キーの操作が確認されると、ステップS1902に進み、そこで駆動モータ36が始動されて描画テーブル16がその原点位置からX軸の負側に向かって所定の速度で移動させられる。換言すれば、露光ユニット2001〜2015が描画テーブル16に対してX軸の正側に移動することとなる。なお、ここでは、描画テーブル16上には被描画体が所定位置に設置されていて、その被描画体の描画面上の描画開始位置は描画テーブル16の原点位置でX−Y座標系に対して特定されているものとされる。
【0106】
ステップS1903では、フラグFが“0”に初期化され、またカウンタiが“1”に初期化される。フラグFは第1列目の露光ユニット2001、2003、…2015が描画テーブル16に置かれた被描画体30の描画面32の描画開始位置(即ち、第1回目露光位置)に到達したか否かを指示するためのフラグであり、第1列目の露光ユニット2001、2003、…2015が第1回目露光位置に到達したことが確認されると、フラグFは“0”から“1”に書き換えられる。また、カウンタiは描画装置によって行われる露光作動の回数をカウントするものであり、従ってカウンタiには初期値として“1”が設定される。
【0107】
フラグFおよびカウンタiの初期化後、ステップS1904に進み、そこで第1回目露光作動時にビットマップメモリ52から読み出されるべきビットデータ“B”のアドレスデータを作成するための読出しアドレス作成ルーチンがサブルーチンとして実行される。
【0108】
ステップS1905では、フラグFが“0”であるか否かが判断される。現初期段階では、F=0であるから、ステップS1906に進み、そこで第1列目の露光ユニット2001、2003、…2015が描画開始位置即ち第1回目露光位置に到達したか否かが監視される。第1回目露光位置への第1列目の露光ユニット2001、2003、…2015の到達が確認されると、ステップS1907に進み、そこでフラグFが“0”から“1”に書き換えられる。次いで、ステップS1908に進み、そこで駆動モータ36の駆動が止められて描画テーブル16の移動が停止される。
【0109】
ステップS1909では、読出しアドレス作成処理の実行(ステップS1904)によって作成されたアドレスデータ[Lx,Ry]が読出しアドレス制御回路58からビットマップメモリ52に対して出力され、これによりビットマップメモリ52からは所定のビットデータ“B”が読み出されてDMD駆動回路56に対して出力され、かくして露光ユニット2001〜2015による第1回目露光作動がその読出しビットデータ“B”に従って行われる。
【0110】
なお、第1回目露光作動では、第1列目の露光ユニット2001、2003、…2015のY軸に沿う第2ライン以降のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の中心は描画面32上の描画領域に未だ侵入していないので、第1列目の露光ユニット2001、2003、…2015のY軸に沿う第1ラインのマイクロミラーだけが動作させられ、その第2ライン以降のマイクロミラーはダミーデータ“0”に従って動作させられるだけである。また、この時点では、第2列目の露光ユニット(2002、2004、…2014)は描画開始位置に到達していないので、第2列目の各露光ユニット(2002、2004、…2014)の個々のマイクロミラーもダミーデータ“0”に従って動作させられるだけであり、第2列目の露光ユニット(2002、2004、…2014)による露光作動も実質的には行われることはない。
【0111】
ステップS1910では、所定の露光時間が経過したか否かが監視され、所定の露光時間の経過が確認されると、ステップS1911に進み、そこで露光ユニット2001、2003、…2015による露光作動が停止される。次いで、ステップS1912に進み、露光ユニット2001〜2015による回路パターンの描画が完了したか否かが判断される。
【0112】
勿論、この時点では、回路パターンの描画は未だ完了されていないので、ステップS1913に進み、そこで描画テーブル16が再びX軸の負側に向かって移動させられる。次いで、ステップS1914では、そこでカウンタiのカウント数が“1”だけインクレメントされ、露光ユニット2001〜2015による第2回目露光作動に備え、その後ステップS1904に戻る。
【0113】
ステップS1904では、再び読出しアドレス作成処理が実行され、このとき第2回目露光作動時にビットマップメモリ52から読み出されるべきビットデータ“B”のアドレスデータが作成される。次いで、ステップS1905に進み、そこでフラグFが“0”であるか否かが判断される。現時点では、F=1であるので、ステップS1905からステップS1915に進み、そこで描画テーブル16が距離(A+a)だけ移動したか否かが監視される。描画テーブル16の移動距離が距離(A+a)に到達したことが確認されると、ステップS1908に進み、そこで駆動モータ36の駆動が止められて描画テーブル16の移動が停止され、続いてステップS1909で露光ユニット2001〜2015による第2回目露光作動が読出しビットデータ“B”に従って行われる。
【0114】
要するに、ステップS1912で露光ユニット2001〜2015による回路パターンの描画が完了したことが確認されるまで、描画テーブル16が距離(A+a)だけ移動する度毎に、露光ユニット2001〜2015による露光作動が順次繰り返される。
【0115】
ステップS1912で露光ユニット2001〜2015による回路パターンの描画が完了したことが確認されると、ステップS1912からステップS1916に進み、そこで駆動モータ36が逆駆動させられて描画テーブル16はその原点位置に向かって戻される。次いで、ステップS1917では、描画テーブル16が原点位置に到達したか否かが監視され、描画テーブル16の原点位置への到達が確認されると、駆動モータ36の駆動が停止されて、本ルーチンの実行が終了する。
【0116】
上述した実施形態では、描画作動時、描画テーブル16が露光位置に到達する度毎に停止され、その停止位置で露光ユニット2001〜2015による露光作動が行われている。しかしながら、描画作動時、描画テーブル16を間欠的に移動させることなく連続的に一定速度で移動させつつ、所定の条件下で露光ユニット2001〜2015による露光作動を行うことも可能である。詳述すると、描画テーブル16が距離(A+a)だけ移動する度毎に露光ユニット2001〜2015による露光作動が開始されることは上述の実施形態と同じであるが、しかし露光時間については、描画テーブル16が各露光ユニットの個々のマイクロミラーによって得られる単位露光領域のサイズ(20μm)より小さい距離dを移動する間の時間とされる。
【0117】
このように露光時間を設定すれば、上述の場合と同様な態様で回路パターンの描画を行うことができるだけでなく、回路パターンの描画に必要とされる描画時間も短縮することもできる。また、描画作動時、描画テーブル16を連続的に一定速度で移動させる別の利点として、描画テーブル16の駆動系が故障し難いということも挙げられる。
【0118】
【発明の効果】
以上の記載から明らかなように、本発明にあっては、パターンデータがどのような大きさの画素サイズを持っていても、所定のパターンを適正に描画することができるので、本発明による多重露光装置を1台だけ用意するだけでCADステーション或いはCAMステーションでの回路パターンの設計の自由度を大巾に高めることができる。
【0119】
また、本発明による多重露光装置にあっては、パターンデータの読出しアドレスを制御することにより回路パターンの座標変換を行っており、座標変換のための専用ハードウェアを設けることなく、容易に座標変換できる。特に、斜線や曲線を描く場合に画素サイズに起因する段差が生じることは無く、常に滑らかな線が描けるので、座標変換により水平線が斜線になった場合であっても高精度に回路パターンを描画できる。
【0120】
また、本発明により得られる特徴的な作用効果の1つとして、露光ユニット内の変調素子の幾つかが正常に機能しなくなったとしても、画素欠陥を生じさせることなくパターンの描画を適正に行い得るという点も挙げられる。というのは、描画パターン領域は複数回の露光作動にわたる多重露光によって得られるので、そのうちの数回程度の露光作動が正常に行われなかったとしても、その描画パターン領域の総露光量は十分に得られるからである。
【0121】
本発明による多重露光方式から得られる別の作用効果として、個々の露光ユニットに組み込まれる結像光学系に起因する露光むらがあったとしても、その露光むらの影響は多重露光のために小さくされるという点も挙げられる。
【0122】
本発明による多重露光方法から得られる更に別の作用効果として、光源装置の出力が低くても、多重露光のために十分な露光量が確保し得るので、光源装置を安価に構成し得る点も挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による多重露光描画装置の概略斜視図である。
【図2】本発明による多重露光描画装置で用いる露光ユニットの機能を説明するための概略概念図である。
【図3】図1に示す多重露光描画装置の描画テーブル上の被描画体の描画面および各露光ユニットによる露光領域を説明するための平面図である。
【図4】本発明による多重露光描画装置により実行される多重露光描画方法の原理を説明するための模式図であって、X−Y座標系のX軸に沿う複数の露光位置に露光ユニットを順次移動させた状態を経時的に示す図である。
【図5】図4と同様な模式図であって、X−Y座標系のX軸に沿う複数の露光位置に露光ユニットを順次移動させた際に該露光ユニットがY軸に沿って所定距離だけ変位する状態を経時的に示す図である。
【図6】本発明の多重露光方法に従って露光ユニットを複数の露光位置に順次移動させた際に該露光ユニットの所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の中心が所定領域内にどのように分布するかを示す説明図である。
【図7】本発明による多重露光式描画装置のブロック図である。
【図8】本発明による多重露光描画装置で描画すべき回路パターンのラスタデータの一部を露光データメモリ上に展開した状態で示す模式図である。
【図9】図8に示すビットデータの一部とその読出しアドレスデータとの関係を示す模式図である。
【図10】図7に示す読出しアドレス制御回路の内部を詳細に示すブロック図である。
【図11】本実施形態における座標変換の原理を概念的に示す平面図である。
【図12】本発明による多重露光式描画装置で実行される描画ルーチンのフローチャートである。
【符号の説明】
10 多重露光描画装置
16 描画テーブル
2001、…2015 露光ユニット
27 DMD素子
M(1,1)、…M(1024,1280) マイクロミラー(変調素子)
30 被描画体
32 描画面
34 システムコントロール回路(座標変換処理手段)
52 ビットマップメモリ(第1メモリ手段)
58 読出しアドレス制御回路(露光データ生成手段)
56 DMD駆動回路
582 露光点座標データメモリ(第2メモリ手段)
584 露光位置データメモリ(第3メモリ手段)
586 加算器(演算手段)
588 ピクセル処理回路(演算手段)

Claims (5)

  1. マトリクス状に配列された多数の変調素子を持つ少なくとも1つの露光ユニットを用いて、多重露光により所定パターンを被描画体の描画面上に描画する多重露光描画装置であって、
    所定パターンのラスタデータを保持する第1メモリ手段と、
    前記描画面に対する個々の前記変調素子の単位露光領域の相対位置を示す第1座標データを保持する第2メモリ手段と、
    前記描画面に対する前記露光ユニットの全面露光領域の相対位置を示す第2座標データを保持する第3メモリ手段と、
    前記第1座標データおよび前記第2座標データの少なくとも前記第1座標データに対し、回転変換、あるいは拡大および縮小変換、もしくは平行移動変換による座標変換を施す座標変換処理手段と、
    前記回転変換、または拡大および縮小変換、あるいは平行移動変換によって座標変換された前記第1座標データに応じたラスタデータを前記第1メモリ手段から読み出して、前記露光ユニットの個々の前記変調素子に与えるべき露光データを生成する露光データ生成手段とを備え、
    前記座標変換処理手段によって少なくとも前記第1座標データに前記回転変換、あるいは拡大および縮小変換、もしくは平行移動変換が施されることにより、前記所定パターンに前記回転変換、あるいは拡大および縮小変換、もしくは平行移動変換の逆変換を施して得られるパターンを前記描画面に描画することを特徴とする多重露光描画装置。
  2. 前記露光ユニットのマトリクス状に配置された変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも該配列方向に対して所定の角度だけ傾斜させて該露光ユニットを前記描画面に対して相対的に移動させる移動手段と、前記単位露光領域のサイズの整数倍の距離Aに該サイズより小さい距離aを加えた距離(A+a)だけ前記露光ユニットが該描画面上に対して相対的に移動する度毎に該露光ユニットの変調素子を所定のパターンデータに基づいて選択的に露光作動させる露光手段とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の多重露光描画装置。
  3. 前記座標変換処理手段が、前記第1座標データおよび前記第2座標データに対して前記回転変換による座標変換を施すことを特徴とする請求項に記載の多重露光描画装置。
  4. 前記座標変換処理手段によって前記第1座標データまたは前記第2座標データの何れか一方の座標データが所定回転角度だけ回転変換されるとともに、他方の座標データが前記所定回転角度に応じて補正されることを特徴とする請求項に記載の多重露光描画装置。
  5. マトリクス状に配列された多数の変調素子を持つ少なくとも1つの露光ユニットを用いて所定パターンを多重露光により描画する多重露光描画方法であって、
    所定パターンのラスタデータを第1メモリ手段に保持する第1ステップと、
    被描画体の描画面に対する個々の前記変調素子の単位露光領域の相対位置を示す第1座標データを第2メモリ手段に保持する第2ステップと、
    前記描画面に対する前記露光ユニットの全面露光領域の相対位置を示す第2座標データを第3メモリ手段に保持する第3ステップと、
    前記第1座標データおよび前記第2座標データの少なくとも前記第1座標データに対し、回転変換、あるいは拡大および縮小変換、もしくは平行移動変換による座標変換を施す第4ステップと、
    前記回転変換、または拡大および縮小変換、あるいは平行移動変換によって座標変換された前記第1座標データに応じたラスタデータを前記第1メモリ手段から読み出して、前記露光ユニットの個々の前記変調素子に与えるべき露光データを生成する第ステップと、
    読み出された前記ラスタデータに基づいて各変調素子を駆動制御する第ステップとを備え、
    前記第1座標データおよび前記第2座標データの少なくとも前記第1座標データ前記回転変換、あるいは拡大および縮小変換、もしくは平行移動変換が施されることにより、前記所定パターンに前記回転変換、あるいは拡大および縮小変換、もしくは平行移動変換の逆変換を施して得られるパターンが前記描画面に描画されることを特徴とする多重露光描画方法。
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