JP2000353657A - 露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置 - Google Patents
露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数台の露光装置を用いた場合においても、
露光装置間に生じる非線形誤差による影響を可能な限り
小さくすることのできる、露光方法、露光装置およびそ
の露光装置を用いて製造された半導体装置を提供する。 【解決手段】 露光パターンを有するレチクルを含む第
１露光装置を用いて、半導体基板上のレジスト膜に第１
パターンを形成する（Ｓ１０）。上記レチクルと同じ露
光パターンを有するレチクルを含む第２露光装置を用い
て、第１パターンを有するレジスト膜に第２パターンを
形成する（Ｓ２０）。上記第１パターンと上記第２パタ
ーンとから得られるパターン間の誤差情報に基づいて、
第２露光装置の非線形誤差に対する第１露光装置の非線
形誤差を求める（Ｓ３０）。上記補正データ算出ステッ
プ（Ｓ３０）によって得られた情報に基づいて、第２露
光装置の非線形誤差を第１露光装置の非線形誤差と同じ
にする（Ｓ４０）。
露光装置間に生じる非線形誤差による影響を可能な限り
小さくすることのできる、露光方法、露光装置およびそ
の露光装置を用いて製造された半導体装置を提供する。 【解決手段】 露光パターンを有するレチクルを含む第
１露光装置を用いて、半導体基板上のレジスト膜に第１
パターンを形成する（Ｓ１０）。上記レチクルと同じ露
光パターンを有するレチクルを含む第２露光装置を用い
て、第１パターンを有するレジスト膜に第２パターンを
形成する（Ｓ２０）。上記第１パターンと上記第２パタ
ーンとから得られるパターン間の誤差情報に基づいて、
第２露光装置の非線形誤差に対する第１露光装置の非線
形誤差を求める（Ｓ３０）。上記補正データ算出ステッ
プ（Ｓ３０）によって得られた情報に基づいて、第２露
光装置の非線形誤差を第１露光装置の非線形誤差と同じ
にする（Ｓ４０）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、露光方法、露光
装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置
に関し、より特定的には、複数台の露光装置を用いたと
きに発生する、重ね合わせ誤差であるステージマッチン
グ誤差の低減を可能とする露光装置およびその露光方法
を用いて製造された半導体装置に関する。
装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置
に関し、より特定的には、複数台の露光装置を用いたと
きに発生する、重ね合わせ誤差であるステージマッチン
グ誤差の低減を可能とする露光装置およびその露光方法
を用いて製造された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造に用いられ
る露光装置として、ステッパと呼ばれる装置が知られて
いる。このステッパは、投影レンズの下方において半導
体ウェハをＸ−Ｙ方向にステップ移動させながら、レチ
クルに形成されている露光パターン像を投影レンズで縮
小して、１枚の半導体ウェハ上の各ショット領域に順次
露光していくものである。
る露光装置として、ステッパと呼ばれる装置が知られて
いる。このステッパは、投影レンズの下方において半導
体ウェハをＸ−Ｙ方向にステップ移動させながら、レチ
クルに形成されている露光パターン像を投影レンズで縮
小して、１枚の半導体ウェハ上の各ショット領域に順次
露光していくものである。
【０００３】このステッパには、重ね合わせ精度を向上
させるために、従来からさまざまな方法が採用されてい
る。この重ね合わせ精度を向上させる方法として、たと
えば特開昭６１−４４４２９号公報に開示されるアライ
メント方法が挙げられる。
させるために、従来からさまざまな方法が採用されてい
る。この重ね合わせ精度を向上させる方法として、たと
えば特開昭６１−４４４２９号公報に開示されるアライ
メント方法が挙げられる。
【０００４】以下、図９を参照して、上記特開昭６１−
４４４２９号公報に開示されたアライメント方法につい
て説明する。図９は、上記特開昭６１−４４４２９号公
報に開示された、ＥＧＡ（エンハンスグローバルアライ
メント）方法を用いた露光シーケンスを概略的に示すフ
ロー図である。
４４４２９号公報に開示されたアライメント方法につい
て説明する。図９は、上記特開昭６１−４４４２９号公
報に開示された、ＥＧＡ（エンハンスグローバルアライ
メント）方法を用いた露光シーケンスを概略的に示すフ
ロー図である。
【０００５】図９を参照して、半導体ウェハのオリエン
テーションフラットを用いて、半導体ウェハのプリアラ
イメントを行なう（ステップＤ１０）。
テーションフラットを用いて、半導体ウェハのプリアラ
イメントを行なう（ステップＤ１０）。
【０００６】次に、各ショット領域に形成されたＷＧＡ
（ウェハグローバルアライメント）マークを用いて、半
導体ウェハの回転補正を行なう（ステップＤ１１）。
（ウェハグローバルアライメント）マークを用いて、半
導体ウェハの回転補正を行なう（ステップＤ１１）。
【０００７】次に、半導体ウェハを細緻した上はステー
ジをチップ配列の設計値に基づいて移動させ、誤差検出
用として予め選択された複数のショット領域について、
ＬＳＡ（レーザステップアライメント）光学系により、
その焼き付けパターンのＬＳＡアライメントマーク位置
を検出する（実測値）。同時に、レーザ干渉計によっ
て、上はステージの位置を検出する（設計値）。
ジをチップ配列の設計値に基づいて移動させ、誤差検出
用として予め選択された複数のショット領域について、
ＬＳＡ（レーザステップアライメント）光学系により、
その焼き付けパターンのＬＳＡアライメントマーク位置
を検出する（実測値）。同時に、レーザ干渉計によっ
て、上はステージの位置を検出する（設計値）。
【０００８】これら実測値および設計値の検出値によっ
て、半導体ウェハ上の焼き付けパターンとレチクルパタ
ーン像との重ね合わせ誤差を検出する（ステップＤ１
２）。
て、半導体ウェハ上の焼き付けパターンとレチクルパタ
ーン像との重ね合わせ誤差を検出する（ステップＤ１
２）。
【０００９】次に、上記設計値と実測値とから最小二乗
法により誤差パラメータを決定する。具体的には、各シ
ョット領域における重ね合わせ誤差と上記ウェハステー
ジの位置座標（焼き付けパターンの座標）からの偏差を
求める。この偏差の平均値を補正値（誤差パラメータ）
として算出する（ステップＤ１３）。
法により誤差パラメータを決定する。具体的には、各シ
ョット領域における重ね合わせ誤差と上記ウェハステー
ジの位置座標（焼き付けパターンの座標）からの偏差を
求める。この偏差の平均値を補正値（誤差パラメータ）
として算出する（ステップＤ１３）。
【００１０】この誤差パラメータと設計値とから、各シ
ョット領域における回転誤差、直行誤差、ベースライン
誤差およびスケーリング誤差が補正されたチップの配列
マップを作成する（ステップＤ１４）。
ョット領域における回転誤差、直行誤差、ベースライン
誤差およびスケーリング誤差が補正されたチップの配列
マップを作成する（ステップＤ１４）。
【００１１】次に、このチップの配列マップに従って、
ステップアンドリピート方式により、ウェハステージの
位置決めを行なう（ステップＤ１５）。その後、各ショ
ット領域に露光を行なう（ステップＤ１６）。
ステップアンドリピート方式により、ウェハステージの
位置決めを行なう（ステップＤ１５）。その後、各ショ
ット領域に露光を行なう（ステップＤ１６）。
【００１２】上述したＥＧＡ法を用いた露光方法におい
ては、補正値（誤差パラメータ）としては、上記のよう
に、ベースライン補正、回転補正、直行度補正およびス
ケーリング補正の４つが挙げられる。この４つの補正値
を用いて、より精度よく重ね合わせることにより、露光
パターンを得ることが可能となる。
ては、補正値（誤差パラメータ）としては、上記のよう
に、ベースライン補正、回転補正、直行度補正およびス
ケーリング補正の４つが挙げられる。この４つの補正値
を用いて、より精度よく重ね合わせることにより、露光
パターンを得ることが可能となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記４つの補
正値を用いたＥＧＡ方法に基づく露光方法においては、
補正する誤差は半導体ウェハをウェハステージに載置す
るときに生じる線形誤差であり、１台の露光装置で第１
露光、第２露光を行なうのであれば、露光装置の干渉ミ
ラーの歪に関する誤差、ステージの走行の癖などの露光
装置固有の非線形誤差は相殺されるために問題にならな
い。
正値を用いたＥＧＡ方法に基づく露光方法においては、
補正する誤差は半導体ウェハをウェハステージに載置す
るときに生じる線形誤差であり、１台の露光装置で第１
露光、第２露光を行なうのであれば、露光装置の干渉ミ
ラーの歪に関する誤差、ステージの走行の癖などの露光
装置固有の非線形誤差は相殺されるために問題にならな
い。
【００１４】しかし、複数台の露光装置を用いて露光を
行なった場合、各露光装置の非線形誤差は露光装置ごと
に異なる。したがって、この非線形誤差を各露光装置の
間で相殺することができず、重ね合わせ精度が劣化して
しまうという問題が発生する。
行なった場合、各露光装置の非線形誤差は露光装置ごと
に異なる。したがって、この非線形誤差を各露光装置の
間で相殺することができず、重ね合わせ精度が劣化して
しまうという問題が発生する。
【００１５】したがって、この発明は上記問題を解決す
るためになされたものであり、複数台の露光装置を用い
た場合においても、露光装置間に生じる非線形誤差によ
る影響を可能な限り小さくすることのできる、露光方
法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半
導体装置を提供することにある。
るためになされたものであり、複数台の露光装置を用い
た場合においても、露光装置間に生じる非線形誤差によ
る影響を可能な限り小さくすることのできる、露光方
法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半
導体装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた露光
装置および露光方法においては、半導体装置の製造に用
いられる露光装置および露光方法であって、他の露光装
置の非線形誤差と自己の露光装置の非線形誤差とを同じ
にするための補正ステップを有している。
装置および露光方法においては、半導体装置の製造に用
いられる露光装置および露光方法であって、他の露光装
置の非線形誤差と自己の露光装置の非線形誤差とを同じ
にするための補正ステップを有している。
【００１７】このように、補正ステップを有することに
より、複数台の露光装置を用いた場合においても、露光
装置間に生じる非線形誤差による影響を可能な限り小さ
くすることが可能になる。
より、複数台の露光装置を用いた場合においても、露光
装置間に生じる非線形誤差による影響を可能な限り小さ
くすることが可能になる。
【００１８】その結果、複数台の露光装置を用いた場合
の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能になる。
また、１台の露光装置に集中した露光装置の稼動を回避
すること、他の露光装置の不稼動を回避すること、露光
装置の故障による製品開発の遅れを防止すること、工場
展開における露光装置導入時に大幅なコスト削減および
それに伴う半導体装置の製造コストの低減を図ることが
可能になる。
の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能になる。
また、１台の露光装置に集中した露光装置の稼動を回避
すること、他の露光装置の不稼動を回避すること、露光
装置の故障による製品開発の遅れを防止すること、工場
展開における露光装置導入時に大幅なコスト削減および
それに伴う半導体装置の製造コストの低減を図ることが
可能になる。
【００１９】上記発明をより好ましい状態で実現するた
めに、上記補正ステップは、所定の露光パターンを有す
るレチクルを含む上記他の露光装置を用いて、半導体基
板上のレジスト膜に所定の第１パターンを形成する第１
露光ステップと、同じ露光パターンを有する上記レチク
ルを含む上記自己の露光装置を用いて、上記第１パター
ンを有する上記レジスト膜に第２パターンを形成する第
２露光ステップと、上記第１パターンと上記第２パター
ンとから得られるパターン間の誤差情報に基づいて、自
己の露光装置の非線形誤差に対する他の露光装置の線形
誤差を求める補正データ算出ステップと、上記補正デー
タ算出手段によって得られた情報に基づいて、自己の露
光装置の非線形誤差を他の露光装置の非線形誤差と同じ
にするための非線形誤差補正ステップを含んでいる。
めに、上記補正ステップは、所定の露光パターンを有す
るレチクルを含む上記他の露光装置を用いて、半導体基
板上のレジスト膜に所定の第１パターンを形成する第１
露光ステップと、同じ露光パターンを有する上記レチク
ルを含む上記自己の露光装置を用いて、上記第１パター
ンを有する上記レジスト膜に第２パターンを形成する第
２露光ステップと、上記第１パターンと上記第２パター
ンとから得られるパターン間の誤差情報に基づいて、自
己の露光装置の非線形誤差に対する他の露光装置の線形
誤差を求める補正データ算出ステップと、上記補正デー
タ算出手段によって得られた情報に基づいて、自己の露
光装置の非線形誤差を他の露光装置の非線形誤差と同じ
にするための非線形誤差補正ステップを含んでいる。
【００２０】また上記補正ステップを高精度に求めるた
めに、上記第１露光ステップは、上記シリコンウェハ上
のレジスト膜にｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整数）に配置される
マトリックス状のショット領域のそれぞれに第１パター
ンを露光する第１ショット領域露光ステップを有し、上
記第２露光ステップは、ｍ×ｎ個の上記ショット領域の
それぞれに第２パターンを露光する第２ショット領域露
光ステップを有し、上記補正データ算出ステップは、選
択された複数の上記ショット領域に形成された上記第１
パターンと上記第２パターンとのずれ量を求め、各ショ
ット領域の上記ずれ量の平均化を行なう平均化手段を有
している。
めに、上記第１露光ステップは、上記シリコンウェハ上
のレジスト膜にｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整数）に配置される
マトリックス状のショット領域のそれぞれに第１パター
ンを露光する第１ショット領域露光ステップを有し、上
記第２露光ステップは、ｍ×ｎ個の上記ショット領域の
それぞれに第２パターンを露光する第２ショット領域露
光ステップを有し、上記補正データ算出ステップは、選
択された複数の上記ショット領域に形成された上記第１
パターンと上記第２パターンとのずれ量を求め、各ショ
ット領域の上記ずれ量の平均化を行なう平均化手段を有
している。
【００２１】さらに、上記補正ステップを高率よく求め
るため、上記平均化ステップは、ｍ×ｎ個の上記ショッ
ト領域のうち、略中央の４つのショット領域を選択して
いる。
るため、上記平均化ステップは、ｍ×ｎ個の上記ショッ
ト領域のうち、略中央の４つのショット領域を選択して
いる。
【００２２】また、上記補正ステップをさらに高精度に
求めるために、少なくとも１０枚以上の上記半導体基板
のそれぞれのｍ×ｎ個の上記ショット領域に上記第１パ
ターンと上記第２パターンとが形成される。
求めるために、少なくとも１０枚以上の上記半導体基板
のそれぞれのｍ×ｎ個の上記ショット領域に上記第１パ
ターンと上記第２パターンとが形成される。
【００２３】この発明に基づいた半導体装置において
は、少なくとも２以上の露光装置を用いて製造される半
導体装置であって、１の露光装置の非線形誤差と他の露
光装置の非線形誤差とを同じにするための補正ステップ
を有する露光装置を用いて製造される。
は、少なくとも２以上の露光装置を用いて製造される半
導体装置であって、１の露光装置の非線形誤差と他の露
光装置の非線形誤差とを同じにするための補正ステップ
を有する露光装置を用いて製造される。
【００２４】この半導体装置においては、補正ステップ
を有することにより、複数台の露光装置を用いた場合に
おいても、露光装置間に生じる非線形誤差による影響を
可能な限り小さくすることが可能になる。
を有することにより、複数台の露光装置を用いた場合に
おいても、露光装置間に生じる非線形誤差による影響を
可能な限り小さくすることが可能になる。
【００２５】その結果、複数台の露光装置を用いた場合
の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能になる。
また、１台の露光装置に集中した露光装置の稼動を回
避、および、他の露光装置の不稼動を回避すること、露
光装置の故障による製品開発の遅れを防止すること、工
場展開における露光装置導入時に大幅なコスト削減およ
びそれに伴う半導体装置の製造コストの低減を図ること
が可能になる。
の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能になる。
また、１台の露光装置に集中した露光装置の稼動を回
避、および、他の露光装置の不稼動を回避すること、露
光装置の故障による製品開発の遅れを防止すること、工
場展開における露光装置導入時に大幅なコスト削減およ
びそれに伴う半導体装置の製造コストの低減を図ること
が可能になる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、この発明に基づく実施の形
態における、露光装置、露光方法およびその露光装置を
用いて製造された半導体装置について、図を参照しなが
ら説明する。
態における、露光装置、露光方法およびその露光装置を
用いて製造された半導体装置について、図を参照しなが
ら説明する。
【００２７】まず、この実施の形態における露光装置お
よび露光方法は、半導体装置の製造工程において、複数
台の露光装置を用いた場合においても、露光装置間に生
じる非線形誤差による影響を可能な限り小さくすること
を可能にしている。
よび露光方法は、半導体装置の製造工程において、複数
台の露光装置を用いた場合においても、露光装置間に生
じる非線形誤差による影響を可能な限り小さくすること
を可能にしている。
【００２８】ここで、半導体装置の製造工程に用いられ
る露光装置は、線形誤差と非線形誤差とを有している。
線形誤差とは、ベースライン誤差、回転誤差、直行度誤
差、スケーリング誤差等の半導体ウェハを露光装置に載
置するときに生じる誤差のことをいう。また、非線形誤
差とは、干渉ミラーの歪に関する誤差、ステージの走行
癖による誤差などの露光装置固有の誤差のことをいう。
る露光装置は、線形誤差と非線形誤差とを有している。
線形誤差とは、ベースライン誤差、回転誤差、直行度誤
差、スケーリング誤差等の半導体ウェハを露光装置に載
置するときに生じる誤差のことをいう。また、非線形誤
差とは、干渉ミラーの歪に関する誤差、ステージの走行
癖による誤差などの露光装置固有の誤差のことをいう。
【００２９】複数台の露光装置を用いて、順次露光工程
を実施した場合、線形誤差については、各露光装置ごと
に補正することができる。しかし、非線形誤差について
は、露光装置固有の誤差であるため、露光工程を経るご
とにこの非線形誤差が露光パターンに含まれるいわゆる
ステージマッチング誤差が生じることになる。そこで、
本実施の形態においては、複数台の露光装置の非線形誤
差を同じにするための補正ステップを有することを特徴
としている。
を実施した場合、線形誤差については、各露光装置ごと
に補正することができる。しかし、非線形誤差について
は、露光装置固有の誤差であるため、露光工程を経るご
とにこの非線形誤差が露光パターンに含まれるいわゆる
ステージマッチング誤差が生じることになる。そこで、
本実施の形態においては、複数台の露光装置の非線形誤
差を同じにするための補正ステップを有することを特徴
としている。
【００３０】たとえば、第１露光装置および第２露光装
置の２台の露光装置を考えた場合、第１露光装置は固有
の非線形誤差ａを有し、第２露光装置は固有の非線形誤
差ｂを有している。第１露光装置および第２露光装置の
非線形誤差を同じにするためには、第２露光装置の非線
形誤差ｂを第１露光装置の非線形誤差ａに一致させる補
正方法、第２露光装置の非線形誤差ｂと第１露光装置の
非線形誤差ａとを所定の非線形誤差ｄとなるように両者
を調整する補正方法（非線形誤差ｂおよび非線形誤差ａ
の両方を非線形誤差ｄとする）が考えられるが、一例と
して前者の、第２露光装置の非線形誤差ｂを第１露光装
置の非線形誤差ａに一致させる補正ステップについて、
図１を参照して説明する。
置の２台の露光装置を考えた場合、第１露光装置は固有
の非線形誤差ａを有し、第２露光装置は固有の非線形誤
差ｂを有している。第１露光装置および第２露光装置の
非線形誤差を同じにするためには、第２露光装置の非線
形誤差ｂを第１露光装置の非線形誤差ａに一致させる補
正方法、第２露光装置の非線形誤差ｂと第１露光装置の
非線形誤差ａとを所定の非線形誤差ｄとなるように両者
を調整する補正方法（非線形誤差ｂおよび非線形誤差ａ
の両方を非線形誤差ｄとする）が考えられるが、一例と
して前者の、第２露光装置の非線形誤差ｂを第１露光装
置の非線形誤差ａに一致させる補正ステップについて、
図１を参照して説明する。
【００３１】「補正ステップ」第１露光ステップ（Ｓ１
０）として、所定の露光パターンを有するレチクルを含
む第１露光装置（他の露光装置）を用いて、半導体基板
上のレジスト膜に所定の第１パターンを形成する。
０）として、所定の露光パターンを有するレチクルを含
む第１露光装置（他の露光装置）を用いて、半導体基板
上のレジスト膜に所定の第１パターンを形成する。
【００３２】第２露光ステップ（Ｓ２０）として、上記
レチクルと同じ露光パターンを有するレチクルを含む第
２露光装置（自己の露光装置）を用いて、第１パターン
を有するレジスト膜に第２パターンを重ねて形成する。
レチクルと同じ露光パターンを有するレチクルを含む第
２露光装置（自己の露光装置）を用いて、第１パターン
を有するレジスト膜に第２パターンを重ねて形成する。
【００３３】補正データ算出ステップ（Ｓ３０）とし
て、上記第１パターンと上記第２パターンとから得られ
るパターン間の誤差情報に基づいて、第２露光装置の非
線形誤差に対する第１露光装置の非線形誤差に対する第
１露光装置の非線形誤差である補正データを求める。
て、上記第１パターンと上記第２パターンとから得られ
るパターン間の誤差情報に基づいて、第２露光装置の非
線形誤差に対する第１露光装置の非線形誤差に対する第
１露光装置の非線形誤差である補正データを求める。
【００３４】たとえば、図２に示すように、基準ライン
Ｌ１に対して、第１露光装置を用いて露光された基準ラ
インをＬ２とした場合、第１露光装置の非線形誤差は、
基準ラインＬ１に対する基準ラインＬ２のずれ量を非線
形誤差ａとして表わすことができる。
Ｌ１に対して、第１露光装置を用いて露光された基準ラ
インをＬ２とした場合、第１露光装置の非線形誤差は、
基準ラインＬ１に対する基準ラインＬ２のずれ量を非線
形誤差ａとして表わすことができる。
【００３５】同様に、第２露光装置を用いて露光された
基準ラインをＬ３とした場合、第２露光装置の非線形誤
差は、基準ラインＬ１に対する基準ラインＬ３のずれ量
を非線形誤差ｂとして表わすことができる。なお、説明
の便宜上、第１露光装置および第２露光装置の線形誤差
は補正されているものとする。
基準ラインをＬ３とした場合、第２露光装置の非線形誤
差は、基準ラインＬ１に対する基準ラインＬ３のずれ量
を非線形誤差ｂとして表わすことができる。なお、説明
の便宜上、第１露光装置および第２露光装置の線形誤差
は補正されているものとする。
【００３６】以上のようにして得られた第１露光装置の
非線形誤差ａおよび第２露光装置の非線形誤差ｂから、
第２露光装置の非線形誤差に対する第１露光装置の非線
形誤差である補正データとして、非線形誤差ｃを得るこ
とができる。
非線形誤差ａおよび第２露光装置の非線形誤差ｂから、
第２露光装置の非線形誤差に対する第１露光装置の非線
形誤差である補正データとして、非線形誤差ｃを得るこ
とができる。
【００３７】次に、非線形誤差補正ステップ（Ｓ４０）
として、上記補正データ算出ステップ（Ｓ３０）によっ
て得られた情報（非線形誤差ｃ）に基づいて、第２露光
装置の非線形誤差を第１露光装置の非線形誤差と同じに
する。たとえば、第２露光装置の非線形誤差ｂから非線
形誤差ｃを引算することにより、第２露光装置の非線形
誤差ｂを、第１露光装置の非線形誤差と同じ非線形誤差
ａとすることが可能になる。
として、上記補正データ算出ステップ（Ｓ３０）によっ
て得られた情報（非線形誤差ｃ）に基づいて、第２露光
装置の非線形誤差を第１露光装置の非線形誤差と同じに
する。たとえば、第２露光装置の非線形誤差ｂから非線
形誤差ｃを引算することにより、第２露光装置の非線形
誤差ｂを、第１露光装置の非線形誤差と同じ非線形誤差
ａとすることが可能になる。
【００３８】「具体的な実施例」次に、上記Ｓ１０〜Ｓ
４０に示す補正ステップの具体的な実施例について、図
３〜図７を参照して説明する。
４０に示す補正ステップの具体的な実施例について、図
３〜図７を参照して説明する。
【００３９】（ステップ１）まず、図３に示すように、
第１露光装置を用いて、ショット領域１ａが１０行１１
列のマトリックス状に配列されたマーク配列１に従って
所定のパターンを露光する場合について説明する。
第１露光装置を用いて、ショット領域１ａが１０行１１
列のマトリックス状に配列されたマーク配列１に従って
所定のパターンを露光する場合について説明する。
【００４０】第１露光装置に装着されるレチクルマスク
に設けられる露光パターン２は、図４に示すように、ボ
ックス・イン・ボックスタイプの露光パターン２ａ〜２
ｄを有している。
に設けられる露光パターン２は、図４に示すように、ボ
ックス・イン・ボックスタイプの露光パターン２ａ〜２
ｄを有している。
【００４１】図３に示すマーク配列１（ショット領域１
ａの大きさは、開発されるべき半導体装置のショットサ
イズの２分の１とする。）に従って、順次、図４に示す
露光パターンによるレチクルマスクが装着された第１露
光装置を用いて露光する。
ａの大きさは、開発されるべき半導体装置のショットサ
イズの２分の１とする。）に従って、順次、図４に示す
露光パターンによるレチクルマスクが装着された第１露
光装置を用いて露光する。
【００４２】半導体ウェハの製作手順は、通常のフォト
グラフィ技術が用いられ、シリコンウェハにレジスト膜
が塗付され、上記のマーク配列１に従った第１露光が実
施される。その後、レジスト膜の現像を行ない、マーク
配列１に従った所定の第１パターンを有するレジスト膜
が形成される（図７中、ステップ１）。
グラフィ技術が用いられ、シリコンウェハにレジスト膜
が塗付され、上記のマーク配列１に従った第１露光が実
施される。その後、レジスト膜の現像を行ない、マーク
配列１に従った所定の第１パターンを有するレジスト膜
が形成される（図７中、ステップ１）。
【００４３】なお、上記ショット領域１ａは、１０行１
１列に限定されるものではなく、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整
数）のマトリックス状に配列される。また、好ましくは
ショット領域１ａは、１ｍｍ×１ｍｍのショット領域を
有し、１８行１８列程度までが好ましい。
１列に限定されるものではなく、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整
数）のマトリックス状に配列される。また、好ましくは
ショット領域１ａは、１ｍｍ×１ｍｍのショット領域を
有し、１８行１８列程度までが好ましい。
【００４４】（ステップ２）次に、第２露光装置を用い
て、上記第１パターンが形成されたレジスト膜を有する
シリコンウェハに対して、一般的に使用されている重ね
合わせ精度を行なう。具体的には、シリコンウェハの上
記第１パターンが形成されたレジスト膜から露光用検査
マークを検出し、所定の解析方法を用いて露光用検査マ
ークの配列ケースを求める。
て、上記第１パターンが形成されたレジスト膜を有する
シリコンウェハに対して、一般的に使用されている重ね
合わせ精度を行なう。具体的には、シリコンウェハの上
記第１パターンが形成されたレジスト膜から露光用検査
マークを検出し、所定の解析方法を用いて露光用検査マ
ークの配列ケースを求める。
【００４５】次に、この配列ケースに基づいて、上記と
同じボックス・イン・ボックスタイプの露光パターン２
ａ〜２ｄを有するレチクルマスク２を用いて、両者の露
光用検査マークが重なるようにオフセットをかける。オ
フセットは、露光パターン２ｂと露光パターン２ａおよ
び露光パターン２ｄと露光パターン２ｃが、それぞれ重
なるように制御する。
同じボックス・イン・ボックスタイプの露光パターン２
ａ〜２ｄを有するレチクルマスク２を用いて、両者の露
光用検査マークが重なるようにオフセットをかける。オ
フセットは、露光パターン２ｂと露光パターン２ａおよ
び露光パターン２ｄと露光パターン２ｃが、それぞれ重
なるように制御する。
【００４６】次に、ステップ１と同様に、すべてのショ
ット領域１ａに第２露光を行ない、その後レジスト膜の
現像を行なう。これにより、第１パターンに第２パター
ンが重ねられたレジスト膜が形成される（図７中、ステ
ップ２）。これにより、シリコンウェハの上には、図５
に示すパターンを有するレジスト膜５が形成される。
ット領域１ａに第２露光を行ない、その後レジスト膜の
現像を行なう。これにより、第１パターンに第２パター
ンが重ねられたレジスト膜が形成される（図７中、ステ
ップ２）。これにより、シリコンウェハの上には、図５
に示すパターンを有するレジスト膜５が形成される。
【００４７】レジスト膜５に形成されるパターンは、露
光パターン２ａに対応するパターン５ａ、露光パターン
２ｂに対応するパターン５ｂ、露光パターン２ｃに対応
するパターン５ｃ、露光パターン２ｄに対応するパター
ン５ｄ、露光パターン２ｂと露光パターン２ａが重ね合
わされて形成されたパターン５１、および露光パターン
２ｄと露光パターン２ｃが重ね合わされて形成されたパ
ターン５２とを含む。
光パターン２ａに対応するパターン５ａ、露光パターン
２ｂに対応するパターン５ｂ、露光パターン２ｃに対応
するパターン５ｃ、露光パターン２ｄに対応するパター
ン５ｄ、露光パターン２ｂと露光パターン２ａが重ね合
わされて形成されたパターン５１、および露光パターン
２ｄと露光パターン２ｃが重ね合わされて形成されたパ
ターン５２とを含む。
【００４８】次に、上記ステップ１およびステップ２の
露光を最低１０枚のシリコンウェハに対して行ない、デ
ータを得るためのシリコンウェハを１０枚作製する。こ
こでシリコンウェハの枚数は得られるデータの信頼性を
上げるためのものである。測定データのばらつきに対応
し、使用する第１露光装置および第２露光装置の動作の
安定性等が悪い場合には、シリコンウェハ枚数をさらに
増加して対応することが可能となる。
露光を最低１０枚のシリコンウェハに対して行ない、デ
ータを得るためのシリコンウェハを１０枚作製する。こ
こでシリコンウェハの枚数は得られるデータの信頼性を
上げるためのものである。測定データのばらつきに対応
し、使用する第１露光装置および第２露光装置の動作の
安定性等が悪い場合には、シリコンウェハ枚数をさらに
増加して対応することが可能となる。
【００４９】（ステップ３）次に、図５を参照して、重
ね合わせ露光が実施されたレジスト膜５に形成されたパ
ターン５２を用いて、第１パターンおよび第２パターン
のずれ量を、重ね合わせ検査装置を用いて測定する。測
定は、図６に示すマーク配列の中から、中央４ポイント
Ｃ１〜Ｃ４のショット領域１ａにおけるずれ量（パター
ン間誤差情報）を求める。このずれ量の測定を、１０枚
のシリコンウェハに対して実施する（図７中、ステップ
３）。
ね合わせ露光が実施されたレジスト膜５に形成されたパ
ターン５２を用いて、第１パターンおよび第２パターン
のずれ量を、重ね合わせ検査装置を用いて測定する。測
定は、図６に示すマーク配列の中から、中央４ポイント
Ｃ１〜Ｃ４のショット領域１ａにおけるずれ量（パター
ン間誤差情報）を求める。このずれ量の測定を、１０枚
のシリコンウェハに対して実施する（図７中、ステップ
３）。
【００５０】（ステップ４）次に、上記測定されたずれ
量（パターン間誤差情報）を加工し、補正データを算出
する。
量（パターン間誤差情報）を加工し、補正データを算出
する。
【００５１】具体的には、第１に、上記のようにして得
られた、中央４ポイントＣ１〜Ｃ４のショット領域１ａ
におけるずれ量のデータの平均値を、１０枚のシリコン
ウェハごとに求める。第２に、一般的な解析手法を用い
て、各シリコンウェハごとに得られた上記ずれ量のデー
タの平均値から線形誤差を除去し、各シリコンウェハご
とのずれ量（ショットデータ）を算出する。
られた、中央４ポイントＣ１〜Ｃ４のショット領域１ａ
におけるずれ量のデータの平均値を、１０枚のシリコン
ウェハごとに求める。第２に、一般的な解析手法を用い
て、各シリコンウェハごとに得られた上記ずれ量のデー
タの平均値から線形誤差を除去し、各シリコンウェハご
とのずれ量（ショットデータ）を算出する。
【００５２】第３に、１０枚のシリコンウェハから得ら
れた各ずれ量（ショットデータ）の信頼性を向上させる
ために、３倍のＳ．Ｔ．Ｄ．の判定を行なう。これによ
り、測定された１０枚のシリコンウェハのそれぞれのず
れ量（ショットデータ）の妥当性を検証する。ずれ量
（ショットデータ）として採用されるべき規格は、３倍
のＳ．Ｔ．Ｄ．（標準偏差）で５ｎｍ以下とする（同じ
露光装置の場合の重ね合わせ精度の１０％を目安とす
る）。
れた各ずれ量（ショットデータ）の信頼性を向上させる
ために、３倍のＳ．Ｔ．Ｄ．の判定を行なう。これによ
り、測定された１０枚のシリコンウェハのそれぞれのず
れ量（ショットデータ）の妥当性を検証する。ずれ量
（ショットデータ）として採用されるべき規格は、３倍
のＳ．Ｔ．Ｄ．（標準偏差）で５ｎｍ以下とする（同じ
露光装置の場合の重ね合わせ精度の１０％を目安とす
る）。
【００５３】第４に、１０枚のシリコンウェハから得ら
れたずれ量（ショットデータ）の平均値を導出し、第２
露光装置の非線形誤差に対する第１露光装置の非線形誤
差である補正データを求める（図７中、ステップ４）。
れたずれ量（ショットデータ）の平均値を導出し、第２
露光装置の非線形誤差に対する第１露光装置の非線形誤
差である補正データを求める（図７中、ステップ４）。
【００５４】以上により、第２露光装置に対する第１露
光装置の非線形誤差である補正データが得られ、第２露
光装置のステージポジションに対応した補正データの整
備が完了する。上記によって得られた補正データはコン
ピュータに蓄積され、データベース化される（図７中、
ステップ５）。次に上記補正データに基づいた、第２露
光装置における、線形誤差を含むマーク配列に非線形誤
差のマーク配列を加えたマーク配列の決定手順について
図８を参照して説明する。
光装置の非線形誤差である補正データが得られ、第２露
光装置のステージポジションに対応した補正データの整
備が完了する。上記によって得られた補正データはコン
ピュータに蓄積され、データベース化される（図７中、
ステップ５）。次に上記補正データに基づいた、第２露
光装置における、線形誤差を含むマーク配列に非線形誤
差のマーク配列を加えたマーク配列の決定手順について
図８を参照して説明する。
【００５５】（第１露光装置による処理）第１露光装置
を用いて、レジスト膜が成膜されたシリコンウェハに露
光処理が施され、第１パターンが形成されたレジスト膜
を有する半導体ウェハが形成される。その後、このシリ
コンウェハが、第２露光装置で処理される。
を用いて、レジスト膜が成膜されたシリコンウェハに露
光処理が施され、第１パターンが形成されたレジスト膜
を有する半導体ウェハが形成される。その後、このシリ
コンウェハが、第２露光装置で処理される。
【００５６】（第２露光装置による処理）第１露光装置
により処理されたシリコンウェハ、第２露光装置におい
て、第１露光装置により形成されたショット配列が検査
される。その後、第２露光装置により形成される第２パ
ターンを、第１パターンに重ね合わせるため線形誤差を
導出する。
により処理されたシリコンウェハ、第２露光装置におい
て、第１露光装置により形成されたショット配列が検査
される。その後、第２露光装置により形成される第２パ
ターンを、第１パターンに重ね合わせるため線形誤差を
導出する。
【００５７】次に、第１露光装置および第２露光装置に
よって組合された情報を、コンピュータに転送する。第
１露光装置および第２露光装置の組合せに基づいて、予
め用意されているショット配列誤差データ（補正デー
タ）をコンピュータで選択し、先に決定された線形誤差
を含むショット配列と組合せる。これにより、第２露光
装置における線形誤差に非線形誤差を加えたショット配
列が最終決定される。
よって組合された情報を、コンピュータに転送する。第
１露光装置および第２露光装置の組合せに基づいて、予
め用意されているショット配列誤差データ（補正デー
タ）をコンピュータで選択し、先に決定された線形誤差
を含むショット配列と組合せる。これにより、第２露光
装置における線形誤差に非線形誤差を加えたショット配
列が最終決定される。
【００５８】このように、上記シーケンスを用いること
により、第２露光装置の非線形誤差が第１露光装置の非
線形誤差と同じになり、位置ずれの要因であるステージ
マッチング誤差の要因を取除くことが可能となる。
により、第２露光装置の非線形誤差が第１露光装置の非
線形誤差と同じになり、位置ずれの要因であるステージ
マッチング誤差の要因を取除くことが可能となる。
【００５９】その結果、複数台の露光装置を用いた場合
の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能になる。
また、少なくとも２以上の露光装置を用いて製造される
半導体装置においては、１台の露光装置に集中した露光
装置の稼動の回避、他の露光装置の不稼動を回避するこ
と、露光装置の故障による製品開発の遅れを防止するこ
と、工場展開における露光装置導入時に大幅なコスト削
減およびそれに伴う半導体装置の製造コストの低減を図
ることが可能になる。
の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能になる。
また、少なくとも２以上の露光装置を用いて製造される
半導体装置においては、１台の露光装置に集中した露光
装置の稼動の回避、他の露光装置の不稼動を回避するこ
と、露光装置の故障による製品開発の遅れを防止するこ
と、工場展開における露光装置導入時に大幅なコスト削
減およびそれに伴う半導体装置の製造コストの低減を図
ることが可能になる。
【００６０】なお、上記実施の形態においては、第１露
光装置および第２露光装置の非線形誤差を同じにする方
法として、第２露光装置の非線形誤差ｂを第１露光装置
の非線形誤差ａに一致させる補正方法について述べてい
るが、その他の方法として、第２露光装置の非線形誤差
ｂと第１露光装置の非線形誤差ａとを、所定の線形誤差
ｄとなるように両者を調節する補正方法を採用すること
も可能である。
光装置および第２露光装置の非線形誤差を同じにする方
法として、第２露光装置の非線形誤差ｂを第１露光装置
の非線形誤差ａに一致させる補正方法について述べてい
るが、その他の方法として、第２露光装置の非線形誤差
ｂと第１露光装置の非線形誤差ａとを、所定の線形誤差
ｄとなるように両者を調節する補正方法を採用すること
も可能である。
【００６１】したがって、今回開示された各実施の形態
はすべての点で例示であって制限的なものではないと考
えられる。本発明の技術的範囲は、上記した説明ではな
く特許請求の範囲によって確定され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
はすべての点で例示であって制限的なものではないと考
えられる。本発明の技術的範囲は、上記した説明ではな
く特許請求の範囲によって確定され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【００６２】
【発明の効果】この発明に基づいた露光方法、露光装置
およびその露光装置を用いた半導体装置によれば、他の
露光装置の非線形誤差と自己の露光装置の非線形誤差と
を同じにするための補正ステップを有することにより、
複数台の露光装置を用いた場合においても、露光装置間
に生じる非線形誤差による影響を可能な限り小さくする
ことが可能になる。その結果、複数台の露光装置を用い
た場合の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能に
なる。
およびその露光装置を用いた半導体装置によれば、他の
露光装置の非線形誤差と自己の露光装置の非線形誤差と
を同じにするための補正ステップを有することにより、
複数台の露光装置を用いた場合においても、露光装置間
に生じる非線形誤差による影響を可能な限り小さくする
ことが可能になる。その結果、複数台の露光装置を用い
た場合の重ね合わせ精度の劣化を防止することが可能に
なる。
【図１】 この発明に基づいた実施の形態における補正
ステップを示すフロー図である。
ステップを示すフロー図である。
【図２】 非線形誤差の誤差補正を説明するための模式
図である。
図である。
【図３】 この発明に基づいた実施の形態におけるマー
ク配列を示す平面図である。
ク配列を示す平面図である。
【図４】 この発明に基づいた実施の形態におけるレチ
クルマスクに形成されるパターンの平面図である。
クルマスクに形成されるパターンの平面図である。
【図５】 この発明に基づいた実施の形態におけるレジ
ストパターンの平面図である。
ストパターンの平面図である。
【図６】 この発明に基づいた実施の形態におけるマー
ク配列の中央４ポイントを示す平面図である。
ク配列の中央４ポイントを示す平面図である。
【図７】 この発明に基づいた実施の形態における評価
方法を説明するための第１フロー図である。
方法を説明するための第１フロー図である。
【図８】 この発明に基づいた実施の形態における評価
方法を説明するための第２フロー図である。
方法を説明するための第２フロー図である。
【図９】 特開昭６１−４４４２９号公報に開示された
ＥＧＡ方法を用いた露光シーケンスを示すフロー図であ
る。
ＥＧＡ方法を用いた露光シーケンスを示すフロー図であ
る。
１ マーク配列、１ａ ショット領域、２，２ａ，２
ｂ，２ｃ 露光パターン、５ レジスト膜、５ａ，５
ｂ，５ｃ，５ｄ パターン。
ｂ，２ｃ 露光パターン、５ レジスト膜、５ａ，５
ｂ，５ｃ，５ｄ パターン。
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体装置の製造に用いられる露光装置
であって、 他の露光装置の非線形誤差と自己の露光装置の非線形誤
差とを同じにするための補正手段を有する、露光装置。 - 【請求項２】 前記補正手段は、 所定の露光パターンを有するレチクルを含む前記他の露
光装置を用いて、半導体基板上のレジスト膜に所定の第
１パターンを形成する第１露光手段と、 同じ露光パターンを有する前記レチクルを含む前記自己
の露光装置を用いて、前記第１パターンを有する前記レ
ジスト膜に第２パターンを形成する第２露光手段と、 前記第１パターンと前記第２パターンとから得られるパ
ターン間の誤差情報に基づいて、自己の露光装置の非線
形誤差に対する他の露光装置の線形誤差を求める補正デ
ータ算出手段と、 前記補正データ算出手段によって得られた情報に基づい
て、自己の露光装置の非線形誤差を他の露光装置の非線
形誤差と同じにするための非線形誤差補正手段と、を含
む、請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記第１露光手段は、前記シリコンウェ
ハ上のレジスト膜にｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整数）に区画さ
れるマトリックス状のショット領域のそれぞれに第１パ
ターンを露光する第１ショット領域露光手段を有し、 前記第２露光手段は、ｍ×ｎ個の前記ショット領域のそ
れぞれに第２パターンを露光する第２ショット領域露光
手段を有し、 前記補正データ算出手段は、選択された複数の前記ショ
ット領域に形成された前記第１パターンと前記第２パタ
ーンとのずれ量を求め、各ショット領域の前記ずれ量の
平均化を行なう平均化手段を有する、請求項２に記載の
露光装置。 - 【請求項４】 前記平均化手段は、ｍ×ｎ個の前記ショ
ット領域のうち、ほぼ中央の４つのショット領域を選択
する、請求項３に記載の露光装置。 - 【請求項５】 半導体装置の製造に用いる露光方法であ
って、 他の露光装置の非線形誤差と自己の露光装置の非線形誤
差とを同じにするための補正ステップを有する、露光方
法。 - 【請求項６】 前記補正ステップは、 所定の露光パターンを有するレチクルを含む前記他の露
光装置を用いて、半導体基板上のレジスト膜に所定の第
１パターンを形成する第１露光ステップと、 同じ露光パターンを有する前記レチクルを含む前記自己
の露光装置を用いて、前記第１パターンを有する前記レ
ジスト膜に第２パターンを形成する第２露光ステップ
と、 前記第１パターンと前記第２パターンとから得られるパ
ターン間の誤差情報に基づいて、自己の露光装置の非線
形誤差に対する他の露光装置の非線形誤差を求める補正
データ算出ステップと、 前記補正データ算出ステップによって得られた情報に基
づいて、自己の露光装置の非線形誤差を他の露光装置の
非線形誤差と同じにするための非線形誤差補正ステップ
と、を含む、請求項５に記載の露光方法。 - 【請求項７】 前記第１露光ステップは、前記シリコン
ウェハ上のレジスト膜にｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整数）に区
画されるマトリックス状のショット領域のそれぞれに第
１パターンを露光する第１ショット領域露光ステップを
有し、 前記第２露光ステップは、ｍ×ｎ個の前記ショット領域
のそれぞれに第２パターンを露光する第２ショット領域
露光ステップを有し、 前記補正データ算出ステップは、選択された複数の前記
ショット領域に形成された前記第１パターンと前記第２
パターンとのずれ量を求め、各ショット領域の前記ずれ
量の平均化を行なう平均化ステップを有する、請求項６
に記載の露光方法。 - 【請求項８】 前記平均化ステップは、ｍ×ｎ個の前記
ショット領域のうち、ほぼ中央の４つのショット領域を
選択する、請求項７に記載の露光方法。 - 【請求項９】 少なくとも１０枚以上の前記シリコンウ
ェハのそれぞれのｍ×ｎ個の前記ショット領域に前記第
１パターンと前記第２パターンとが形成される、請求項
７または８に記載の露光方法。 - 【請求項１０】 少なくとも２以上の露光装置を用いて
製造される半導体装置であって、 １の露光装置の非線形誤差と他の露光装置の非線形誤差
とを同じにするための補正手段を有する露光装置を用い
て製造されることを特徴とする、半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11166303A JP2000353657A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置 |
| US09/398,818 US6239858B1 (en) | 1999-06-14 | 1999-09-20 | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus |
| TW089106698A TW478034B (en) | 1999-06-14 | 2000-04-11 | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11166303A JP2000353657A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353657A true JP2000353657A (ja) | 2000-12-19 |
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|---|---|---|---|
| JP11166303A Withdrawn JP2000353657A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | 露光方法、露光装置およびその露光装置を用いて製造された半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6239858B1 (ja) |
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| TW (1) | TW478034B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186372A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Asml Netherlands Bv | モデル・パラメータを使用して自動プロセス補正を行うための方法及びシステム、並びにこのような方法及びシステムを使用したリソグラフィ機器 |
| JP2013058520A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法 |
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