KR100567686B1 - 오버드라이브 방식의 비트선 감지 증폭기를 갖는 반도체메모리 디바이스 - Google Patents
오버드라이브 방식의 비트선 감지 증폭기를 갖는 반도체메모리 디바이스 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 복수의 메모리 셀과,상기 복수의 메모리 셀에 접속된 복수의 비트선쌍과,상기 복수의 비트선쌍에 접속되며, 상기 복수의 각 비트선쌍의 전위를 각각 증폭시키는 복수의 비트선 감지 증폭기와,오버드라이브 전위를 생성하는 오버드라이브 전위 생성 회로와,상기 복수의 각 비트선 감지 증폭기와 상기 오버드라이브 전위 생성 회로에 접속되며, 상기 오버드라이브 전위를 상기 비트선 감지 증폭기에 출력하는 제1 감지 증폭기 드라이버와,상기 비트선 감지 증폭기와 접지 전위에 접속되며, 상기 접지 전위를 상기 비트선 감지 증폭기에 출력하는 제2 감지 증폭기 드라이버와,상기 복수의 비트선쌍과 프리차지 전위에 접속되며, 상기 복수의 각 비트선쌍을 상기 프리차지 전위에 의해 프리차지하고 또한 각 비트선쌍의 전위를 이퀄라이즈하는 복수의 비트선 프리차지·이퀄라이즈 회로와,상기 복수의 비트선쌍에 결합되며, 상기 복수의 비트선쌍의 전위를 방전 전위로 방전하는 하나 이상의 방전 회로를 포함하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 오버드라이브 전위 생성 회로는, 상기 복수의 비트선쌍의 리스토어 전위보다도 높은 전위를 상기 오버드라이브 전위로서 생성하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 방전 전위가 접지 전위인 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 오버드라이브 전위가 상기 프리차지 전위보다도 고전위인 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 프리차지 전위를 생성하는 프리차지 전위 생성 회로를 더 포함하고, 상기 프리차지 전위 생성 회로는 상기 프리차지 전위를 조정하는 기능을 갖는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 비트선 감지 증폭기 각각이,상기 복수의 비트선쌍 중 대응하는 비트선쌍과 상기 제1 감지 증폭기 드라이버에 접속된 제1 감지 증폭기와,상기 복수의 비트선쌍 중 대응하는 비트선쌍과 상기 제2 감지 증폭기 드라이버에 접속된 제2 감지 증폭기를 포함하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제6항에 있어서,상기 제1 감지 증폭기는 2개의 PMOSFET를 포함하고, 상기 제2 감지 증폭기는 2개의 NMOSFET를 포함하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 제1 감지 증폭기 드라이버 및 상기 제2 감지 증폭기 드라이버는 거의 동일한 타이밍에서 상기 오버드라이브 전위 및 상기 접지 전위의 출력을 개시하고, 액티브 기간 후에 각각 출력을 정지하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제6항에 있어서,상기 제1 감지 증폭기 드라이버는,제1 전류 통로를 갖고, 상기 오버드라이브 전위 생성 회로와 상기 제1 감지 증폭기 사이에 상기 제1 전류 통로가 삽입된 PMOSFET를 포함하고,상기 제2 감지 증폭기 드라이버는,제2 전류 통로를 갖고, 상기 제2 감지 증폭기와 상기 접지 전위 사이에 상기 제2 전류 통로가 삽입된 NMOSFET를 포함하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제9항에 있어서,상기 PMOSFET 및 상기 NMOSFET는 거의 동일한 타이밍에서 도통하도록 제어되는 반도체 메모리 디바이스.
- 제9항에 있어서,상기 PMOSFET 및 상기 NMOSFET는, 상기 복수의 메모리 셀이 선택된 후에 도통하도록 제어되는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 방전 회로는 방전 제어 신호에 따라 제어되는 반도체 메모리 디바이스.
- 제12항에 있어서,상기 방전 제어 신호를 생성하는 방전 제어 신호 생성 회로를 더 포함하고, 상기 방전 제어 신호 생성 회로는 상기 방전 제어 신호의 활성 기간을 조정하는 기능을 갖는 반도체 메모리 디바이스.
- 제8항에 있어서,상기 제1 감지 증폭기 드라이버 및 상기 제2 감지 증폭기 드라이버로부터의 상기 오버드라이브 전위 및 상기 접지 전위의 출력이 정지된 후에, 상기 하나 이상의 방전 회로는 상기 복수의 비트선쌍의 전위를 방전 전위로 방전하는 동작을 개시하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 방전 회로는, 상기 복수의 비트선쌍 각각에 대응하여 설치된 복수의 방전 회로이며,상기 복수의 방전 회로 각각은,제1 전류 통로를 갖고, 대응하는 비트선쌍의 한쪽 비트선과 상기 방전 전위 사이에 상기 제1 전류 통로가 삽입된 제1 NMOSFET와,제2 전류 통로를 갖고, 대응하는 비트선쌍의 다른 쪽 비트선과 상기 방전 전위 사이에 상기 제2 전류 통로가 삽입된 제2 NMOSFET를 갖는 반도체 메모리 디바이스.
- 제15항에 있어서,상기 제1 및 제2 NMOSFET는, 상기 복수의 비트선쌍의 전위를 방전 전위로 방전하는 기간에 동작하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 방전 회로는, 상기 복수의 비트선쌍 각각에 대응하여 설치된 복수의 방전 회로이며,상기 복수의 방전 회로의 각각은,전류 통로를 갖고, 상기 프리차지 전위와 상기 방전 전위 사이에 상기 전류 통로가 삽입된 NMOSFET를 갖는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 하나 이상의 방전 회로는, 상기 복수의 비트선쌍 중 임의의 수의 비트선쌍마다 대응하여 설치된 복수의 방전 회로이며,상기 복수의 방전 회로는 각각,전류 통로를 갖고, 상기 프리차지 전위와 상기 방전 전위 사이에 상기 전류 통로가 삽입된 NMOSFET를 갖는 반도체 메모리 디바이스.
- 제17항 또는 제18항에 있어서,상기 NMOSFET는, 상기 복수의 비트선쌍의 전위를 방전 전위로 방전하는 기간에 동작하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제18항에 있어서,상기 프리차지 전위를 공급하는 신호선 도중에 삽입된 스위치 회로를 더 포함하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제20항에 있어서,상기 스위치 회로는, 상기 복수의 방전 회로에 의해 상기 프리차지 전위선의 방전 동작이 행해지고 있는 기간에는 비도통으로 되고, 방전 동작이 행해지고 있지 않은 기간에는 도통하도록 제어되는 반도체 메모리 디바이스.
- 제20항에 있어서,상기 스위치 회로는 NMOSFET로 이루어지는 반도체 메모리 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 비트선 프리차지·이퀄라이즈 회로는 각각,상기 프리차지 전위와 상기 복수의 비트선쌍 중 대응하는 비트선쌍에 접속되고, 대응하는 비트선쌍을 상기 프리차지 전위로 프리차지하는 프리차지 회로와,상기 복수의 비트선쌍 중 대응하는 비트선쌍에 접속되고, 대응하는 비트선쌍을 이퀄라이즈하는 이퀄라이즈 회로를 포함하는 반도체 메모리 디바이스.
- 제23항에 있어서,상기 프리차지 회로는,제1 전류 통로를 갖고, 상기 복수의 비트선쌍 중 대응하는 비트선쌍의 한쪽 비트선과 상기 프리차지 전위 사이에 상기 제1 전류 통로가 삽입된 제1 NMOSFET와,제2 전류 통로를 갖고, 상기 복수의 비트선쌍 중 대응하는 비트선쌍의 다른 쪽 비트선과 상기 프리차지 전위 사이에 상기 제2 전류 통로가 삽입된 제2 NMOSFET 를 갖는 반도체 메모리 디바이스.
- 제23항에 있어서,상기 이퀄라이즈 회로는,전류 통로를 갖고, 상기 복수의 비트선쌍 중 대응하는 비트선쌍의 한쪽 및 다른 쪽의 비트선 사이에 상기 전류 통로가 삽입된 NMOSFET를 갖는 반도체 메모리 디바이스.
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