KR100586557B1 - 센스앰프 오버드라이빙 회로 및 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 제 1 인에이블 신호에 응답하여 내부전압단으로부터의 내부전압을 센스앰프에 공급하는 제 1 전압 구동부와;셀 블럭의 선택을 위한 블럭 선택신호와, 상기 제 1 인에이블신호가 인에이블된 후 소정시간 동안 인에이블되는 제 2 인에이블신호를 논리연산하여 출력하는 논리부와;상기 논리부로부터의 신호에 응답하여 외부전압을 상기 내부전압단으로 공급하는 제 2 전압 구동부를 포함하여 구성되는 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전압 구동부는 상기 블럭 선택신호와 제 2 인에이블신호가 모두 인에이블되는 경우에 턴-온되는 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 논리부는 상기 블럭 선택신호와 제 2 인에이블신호를 부정논리곱 연산하여 출력하는 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 제 3항에 있어서,상기 제 2 전압 구동부는 PMOS 소자인 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 논리부는 상기 블럭 선택신호와 제 2 인에이블신호를 논리곱 연산하여 출력하는 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 제 5항에 있어서,상기 제 2 전압 구동부는 NMOS 소자인 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 인에이블 신호는 센스앰프의 동작을 제어하는 센스앰프 인에이블신호인 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 인에이블 신호는 센스앰프의 오버드라이빙 여부를 제어하는 센스앰프 오버드라이빙 신호인 센스앰프 오버드라이빙 회로.
- 센스앰프의 구동시 내부전압의 급격한 하강을 방지하기 위하여 각 센스앰프를 소정구간 동안 외부전압 레벨로 오버드라이빙하는 복수의 센스앰프 오버드라이빙 회로를 포함하는 반도체 장치에 있어서,상기 각각의 센스앰프 오버드라이빙 회로는제 1 인에이블 신호에 응답하여 내부전압단으로부터의 내부전압을 적어도 하나 이상의 센스앰프에 공급하는 제 1 전압 구동부와;각 셀 블럭을 선택하기 위한 블럭 선택신호와, 상기 제 1 인에이블신호가 인에이블된 후 소정시간 동안 인에이블되는 제 2 인에이블신호를 논리연산하여 출력하는 논리부와;상기 논리부로부터의 신호에 응답하여 외부전압을 상기 내부전압단으로 공급하는 제 2 전압 구동부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 2 전압 구동부는 상기 블럭 선택신호와 제 2 인에이블신호가 모두 인에이블되는 경우에 턴-온되는 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 논리부는 상기 블럭 선택신호와 제 2 인에이블신호를 부정논리곱 연산하여 출력하는 반도체 장치.
- 제 11항에 있어서,상기 제 2 전압 구동부는 PMOS 소자인 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 논리부는 상기 블럭 선택신호와 제 2 인에이블신호를 논리곱 연산하여 출력하는 반도체 장치.
- 제 13항에 있어서,상기 제 2 전압 구동부는 NMOS 소자인 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 인에이블 신호는 센스앰프의 동작을 제어하는 센스앰프 인에이블신호인 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 2 인에이블 신호는 센스앰프의 오버드라이빙 여부를 제어하는 센스앰프 오버드라이빙 신호인 반도체 장치.
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