JP6328153B2 - シフトレジスタ、表示装置、ゲート駆動回路及び駆動方法 - Google Patents

シフトレジスタ、表示装置、ゲート駆動回路及び駆動方法 Download PDF

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Description

本発明は、液晶表示分野に関し、特に、シフトレジスタ、表示装置、ゲート駆動回路及び駆動方法に関する。
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイTFT−LCDにおいて、一つのフレーム画面を表示する基本原理は、データ駆動によって各行の画素が必要とする信号を順にトップダウンのように出力し、ゲート駆動が順にトップダウンのように画素の各行に所定の幅の矩形波を入力して選択導通することである。従来の製造方法では、ゲート駆動ICとデータ駆動ICをCOG(chip on glass)工程でガラス基板に接着する。小型サイズの薄膜トランジスタ液晶ディスプレイは、解像度が高い場合、ゲート駆動とデータ駆動の出力が多く、駆動ICの長さが大きくなって、駆動ICのモジュール化の接着工程によくない。現在、ゲート駆動回路の設計によって、現在のプロセスにいずれの工程もコストも増加することなく、アレイ基板工程でガラス基板にゲート駆動ICを製作する。図1は基本のゲート駆動回路のシフトレジスタユニット回路の原理を示す。しかし、該回路の動作周期が長く、閾値電圧にドリフト問題があって、制御信号は回路を良好に制御することができない。
本発明の解決しようとする技術問題は、回路の動作周期を減少して、閾値電圧のドリフト問題を改善し、制御信号による回路に対する制御をさらに実現できるシフトレジスタ、表示装置、ゲート駆動回路及び駆動方法を提供することである。
上記の技術問題を解決するために、本発明の一つの形態によっては、シフトレジスタを提供し、前記シフトレジスタは複数の段のシフトレジスト回路を含み、前記複数の段のシフトレジスト回路の第N段のシフトレジスト回路は、
プルアップ回路に対してプリチャージするためのプリチャージ回路と、
プリチャージされた後、出力端にハイレベルを出力させるプルアップ回路と、
出力端がハイレベルを出力した後、前記第N段のシフトレジスト回路をリセットするリセット回路と、
前記第N段のシフトレジスト回路がリセットされた後、第N段のシフトレジスト回路の出力レベルをホールドするホールド回路と
を含み、
前記プリチャージ回路は、制御端と入力端が前段のシフトレジスト回路の出力端に接続され、出力端が前記リセット回路の入力端に接続され、
前記プルアップ回路は、入力端が第1の制御信号端子に接続され、
前記リセット回路は、制御端が後段のシフトレジスト回路の出力端に接続され、出力端が接地され、
前記ホールド回路は、前記プリチャージ回路の出力端と、前記リセット回路の入力端と、前記プルアップ回路の制御端と、前記プルアップ回路の出力端とに接続され、第1の制御端が前記第1の制御信号端子に接続され、第2の制御端が前記第2の制御信号端子に接続され、
前記ホールド回路には、ゲートが前記第1の制御信号端子に接続され、ソースとドレインが互いに接続された第8のトランジスタが設置されている。
さらに、前記ホールド回路が、第8のトランジスタが設置された第1のホールド回路と、第2のホールド回路とを含む。
さらに、前記第1のホールド回路は、ゲートが前記プルアップ回路の制御端に接続されドレインが接地される第5のトランジスタと、制御端が前記ホールド回路の第1の制御端であり、ソースとドレインが前記第5のトランジスタのソースに接続される第8のトランジスタとを含み、
前記第2のホールド回路は、ゲートが前記ホールド回路の第2の制御端でありソースが第6のトランジスタのソースと前記プルアップ回路の出力端とに接続されドレインが接地される第4のトランジスタと、ゲートが第7のトランジスタのゲートに接続されドレインが接地される前記第6のトランジスタと、ソースが前記プリチャージ回路の出力端と前記リセット回路の入力端と前記プルアップ回路の制御端とに接続されドレインが接地される前記第7のトランジスタとを含み、
前記第1のホールド回路と第2のホールド回路は、第8のトランジスタのソースとドレイン、前記第5のトランジスタのソース、前記第6のトランジスタのゲート、前記第7のトランジスタのゲートを接続するプルダウンノードによって接続される。
さらに、前記第1のホールド回路が、ゲートが前記プルアップ回路の制御端に接続され、ドレインが接地された第5のトランジスタと、制御端が前記ホールド回路の第1の制御端であり、ソースとドレインが前記第5のトランジスタのソースに接続される第8のトランジスタとを含み、
前記第2のホールド回路は、ゲートが前記ホールド回路の第2の制御端であり、ソースが第7のトランジスタのソース及び前記プルアップ回路の出力端に接続され、ドレインが接地される第4のトランジスタと、ゲートが前記第7のトランジスタのゲートに接続され、ソースが前記プリチャージ回路の出力端と前記リセット回路の入力端と前記プルアップ回路の制御端とに接続され、ドレインが前記第7のトランジスタのソースに接続される第6のトランジスタと、ドレインが接地される前記第7のトランジスタとを含み、
前記第1のホールド回路と第2のホールド回路はプルダウンノードによって接続され、前記プルダウンノードは、第8のトランジスタのソースとドレイン、前記第5のトランジスタのソース、第6のトランジスタのゲート、前記第7のトランジスタのゲートに接続される。
さらに、前記プリチャージ回路は、ゲートが制御端であり、ソースが入力端であり、ドレインが出力端である第1のトランジスタを含む。
さらに、前記リセット回路は、ゲートが制御端であり、ソースが入力端であり、ドレインが出力端である第2のトランジスタを含む。
さらに、前記プルアップ回路は、ゲートが制御端でありソースが入力端であり、ドレインが出力端である第3のトランジスタと、一端が前記第3のトランジスタのゲートに接続され他端が前記第3のトランジスタのドレインに接続されるキャパシタとを含む。
本発明の他方によっては、ゲート駆動回路を提供し、前記ゲート駆動回路は上記のシフトレジスタを含む。
本発明の他方によっては、表示装置を提供し、前記表示装置は上記のゲート駆動回路を含む。
本発明の他方によっては、ゲート駆動方法を提供し、前記ゲート駆動方法は、
S1,プリチャージ回路がプルアップ回路に充電する、
S2,プルアップ回路がシフトレジスト回路のレベルをプルアップさせ、シフトレジスト回路がハイレベルを出力する、
S3、リセット回路がシフトレジスト回路をリセットさせる、
S4、シフトレジスト回路がリセットされた後、ホールド回路がシフトレジスト回路の出力レベルをホールドする、
を含み、
前記ステップS4で、ホールド回路における第8のトランジスタの等価容量は第8のトランジスタのオン又はオフによって変化し、第8のトランジスタがオンされる場合の等価容量は第8のトランジスタがオフされる場合の等価容量より大きいゲート駆動方法。
本発明の実施例に係るシフトレジスタ、表示装置、ゲート駆動回路及び駆動方法は、シフトレジストを実現するだけではなく、回路の動作周期を減少して、電圧のドリフト問題を改善し、ソース・ドレインが短絡されたトランジスタで、制御信号によるプルダウンノードに対する制御を実現して、プルダウンノードを第1の制御信号がハイレベルである場合急速にプルアップさせ、第1の制御信号がローレベルである場合にプルダウンの幅が減少して、制御信号による回路に対する制御をさらによく実現できる。
従来技術であるGOA回路のシフトレジスタユニット回路の原理図である。 本発明の実施例のシフトレジスタ回路の原理図である。 本発明の実施例1のシフトレジスタユニット回路の原理図である。 本発明の実施例のシフトレジスタユニット回路のタイミングチャージである。 本発明の実施例のシフトレジスタ回路のタイミングチャージである。 本発明の実施例2のシフトレジスタユニット回路の原理図である。 本発明の実施例のゲート駆動方法のフローチャートである。
以下に、図面と実施例を組み合わせて、さらに本発明の具体の実施形態を詳しく説明する。以下の実施例は本発明の原理を説明するためのものではあるが、本発明の範囲を限定するものではない。
実施例1
本発明の実施例に係るシフトレジスタは複数段のシフトレジスタ回路を含む。図2に示すように、当図において、SR0〜SRnはn段のシフトレジスタ回路の各段であり、GL0〜GLnはn段のシフトレジスタ回路の出力端であり、STVが開始信号であり、各段のシフトレジスタは、前段の出力を開始信号STVとし、後段の出力をリセット信号RSTとし、ダブルクロックCKとCKBによって動作して、トップダウンのゲート駆動スキャン出力を実現する。
図3に示すように、前記の複数段のシフトレジスタ回路の第N段のシフトレジスタ回路は、
プルアップ回路に対してプリチャージするプリチャージ回路1と、
プリチャージされた後、出力端OUTPUTにハイレベルを出力させるプルアップ回路2と、
出力端OUTPUTがハイレベルを出力した後、前記第N段のシフトレジスト回路をリセットするリセット回路3と、
前記第N段のシフトレジスト回路がリセットされた後、第N段のシフトレジスト回路の出力レベルをホールドするホールド回路と
を含み、
Nが1以上の自然数である。
プリチャージ回路1は、制御端と入力端が前段のシフトレジスタ回路の出力端N−1_OUTに接続され、出力端が前記リセット回路3の出力端に接続され、
プルアップ回路2は、入力端が第1の制御信号端子CKに接続され、
リセット回路3は、制御端が後段のシフトレジスト回路の出力端N+1_OUTに接続され、出力端が接地され、
前記ホールド回路は、プリチャージ回路1の出力端と、リセット回路3の入力端と、プルアップ回路2の制御端と、プルアップ回路2の出力端とに接続され、第1の制御端が前記第1の制御信号端子CKに接続され、第2の制御端が前記第2の制御信号端子CKBに接続され、
前記ホールド回路には、ゲートが前記第1の制御信号端子に接続され、ソースとドレインが互いに接続された第8のトランジスタM8が設置される。
前記ホールド回路は第8のトランジスタM8が設置された第1のホールド回路4Aと、第2のホールド回路4Bを含む。
第1のホールド回路4Aは、ゲートがプルアップ回路2の制御端に接続されドレインが接地される第5のトランジスタM5と、制御端がホールド回路の第1の制御端であり、ソースとドレインが第5のトランジスタのソースに接続される第8のトランジスタM8とを含み、
第2のホールド回路4Bは、ゲートが前記ホールド回路の第2の制御端でありソースが第6のトランジスタM6のソースとプルアップ回路2の出力端とに接続されドレインが接地される第4のトランジスタM4と、ゲートが第7のトランジスタM7のゲートに接続されドレインが接地される第6のトランジスタM6と、ソースがプリチャージ回路1の出力端と前記リセット回路3の入力端とプルアップ回路2の制御端とに接続されドレインが接地される第7のトランジスタM7とを含み、
第1のホールド回路4Aと第2のホールド回路4Bは、第8のトランジスタM8のソースとドレイン、第5のトランジスタM5のソース、第6のトランジスタM6のゲート、第7のトランジスタM7のゲートを接続するプルダウンノードPDによって接続される。
当該図で、PUがプルアップノードであり、PDがプルダウンノードであり、第1の制御信号端子CKと第2の制御信号端子CKBに入力される信号が差動入力であるダブルクロック信号である。
例示された実施例において、プリチャージ回路1は、ゲートが制御端であり、ソースが入力端であり、ドレインが出力端である第1のトランジスタM1を含む。
リセット回路3は、ゲートが制御端であり、ソースが入力端であり、ドレインが出力端である第2のトランジスタM2を含む。
プルアップ回路2は、ゲートが制御端でありソースが入力端であり、ドレインが出力端である第3のトランジスタM3と、一端が第3のトランジスタM3のゲートに接続され他端が第3のトランジスタM3のドレインに接続されるキャパシタC1とを含む。
さらに、上記のトランジスタ(第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ、第5のトランジスタ、第6のトランジスタ、第7のトランジスタ、第8のトランジスタ)は薄膜トランジスタである。
具体的には、図4に示すように、本発明の実施例1のシフトレジスタは、第1のクロック信号期間で、第1の制御信号端子CKがローレベルを出力し、第2の制御信号端子CKBがハイレベルを出力し、前段のシフトレジスト回路出力N−1_OUTがハイレベルであり、後段のシフトレジスト回路出力N+1_OUTがローレベルである。トランジスタM2、M6、M7、M8がオフされ、トランジスタM1、M4はオンされる。前段のシフトレジスト回路出力N−1_OUTはトランジスタM1を介してトランジスタM3のゲートにプリチャージして、プルアップノードPUの電圧を高くさせる。第2の制御信号端子CKはローレベルであると共に、プルアップノードPUはプルダウンノードPDの電圧がローになれるように、プルダウンノードPDを引き下げ、トランジスタM3のゲートであるプルアップノードPUがプリチャージする(Pre−charging)状態を維持するように、トランジスタM6、M7いずれもオフされ、出力端OUTPUT電圧がローレベルを維持する。
第2のクロック信号期間で、回路がプリチャージした(Pre−charging)後、第1の制御信号端子CKの出力がハイレベルであり、第2の制御信号端子CKBの出力がローレベルであり、前段のシフトレジスト回路出力N−1_OUTがローレベルであり、後段のシフトレジスト回路出力N+1_OUTがローレベルである。トランジスタM1、M2、M4がオフされる。キャパシタC1の昇圧(boost)作用によってプルアップノードPUが引き上げされ、トランジスタM3がオンされ、出力端OUTPUTが高電圧信号を出力する。トランジスタM8のソース・ドレインが短絡されてコンデンサに等価し、プルダウンノードPDのレベルを第1の制御信号端子CKの信号の変化に結合させ、その時プルアップノードPUがハイレベルであり、トランジスタM5がオンされ、トランジスタM8、M5の幅・長比がプルダウンノードPDのレベルを低くさせ、トランジスタM7、M8がオフされる。その期間のトランジスタM8の等価コンデンサの容量はトランジスタがオンされる時の等価容量である。プルアップノードPUがハイレベルを維持し、出力端OUTPUTの出力がハイレベルを維持して、前段のシフトレジスト回路出力N−1_OUT信号をシフトする。
第3のクロック信号期間で、前段のシフトレジスト回路出力N−1_OUTがローレベルであり、第1の制御信号端子CKがローレベルであり、第2の制御信号端子CKBがハイレベルであり、後段のシフトレジスト回路出力N+1_OUTがハイレベルである。トランジスタM1がオフされ、トランジスタM2、M4がオンされる。プルアップノードPUと出力端OUTPUTがローレベルに変化する。
第4のクロック信号期間で、前段のシフトレジスト回路出力N−1_OUTがローレベルであり、後段のシフトレジスト回路出力N+1_OUTがローレベルであり、第1の制御信号端子CKがハイレベルであり、第2の制御信号端子CKBがローレベルである。トランジスタM1、M2、M4がオフされ、プルアップノードPUがローレベルであることによって、トランジスタM3、M5がオフされる。トランジスタM8のソース・ドレインが短絡されてコンデンサに等価し、第1の制御信号端子CKがハイレベルであり、プルダウンノードPDがトランジスタM8を介して第1の制御信号端子CKのハイレベルと結合して、トランジスタM6、M7をオンさせることによって、プルアップノードPUと出力端OUTPUTがローレベルまでプルダウンされる。その期間、トランジスタM8の等価容量はトランジスタがオンされる時の等価容量であり、容量はトランジスタがオフされる時の等価容量より大きい。
第5のクロック信号期間で、前段のシフトレジスト回路出力N−1_OUTがローレベルであり、後段のシフトレジスト回路出力N+1_OUTがローレベルであり、第1の制御信号端子CKがローレベルであり、第2の制御信号端子CKBがハイレベルである。トランジスタM1、M2がオフされ、プルアップノードPUがローレベルであることによって、トランジスタM3、M5がオフされる。トランジスタM4がオンされて、出力端OUTPUTがローレベルまでプルダウンされる。トランジスタM8のソース・ドレインが短絡されてコンデンサに等価し、第1の制御信号端子CKがローレベルであり、プルダウンノードPDがトランジスタM8を介して第1の制御信号端子CKのローレベルと結合し、その期間のトランジスタM8の等価容量の容量はトランジスタがオフされる時の等価容量であり、容量はトランジスタがオンされる時の等価容量より小さい。
図5は本発明の実施例のシフトレジスタ回路のシーケンス図であり、ここで、STVが開始信号であり、GL0〜GLnがn段のシフトレジスト回路の出力端である。
本発明の実施例のシフトレジスタが回路の動作周期を減少し、閾値電圧のドリフト問題を改善し、ソース・ドレインが短絡されたトランジスタで、制御信号のプルダウンノードに対する制御を実現して、プルダウンノードを第1の制御信号がハイレベルである時急速に上昇させ、第1の制御信号がローレベルである時プルダウンの幅が減少して、制御信号による回路に対する制御をさらによく実現できる。
実施例2
本発明の実施例のシフトレジスタは図6に示すようであり、その特徴が実施例1と基本的に同じであって、実施例1との違い点は、第1のホールド回路4Aが、ゲートがプルアップ回路の制御端に接続され、ドレインが接地された第5のトランジスタM5と、制御端が前記ホールド回路の第1の制御端であり、ソースとドレインが第5のトランジスタM5のソースに接続される第8のトランジスタM8とを含み、
第2のホールド回路4Bは、ゲートが前記ホールド回路の第2の制御端であり、ソースが第7のトランジスタM7のソース及びプルアップ回路2の出力端に接続され、ドレインが接地される第4のトランジスタM4と、ゲートが第7のトランジスタM7のゲートと接続され、ソースがプリチャージ回路1の出力端とリセット回路3の入力端とプルアップ回路2の制御端とに接続され、ドレインが第7のトランジスタM7のソースに接続される第6のトランジスタM6と、ドレインが接地される第7のトランジスタM7とを含み、
第1のホールド回路4Aと第2のホールド回路4BはプルダウンノードPDによって接続され、プルダウンノードPDは、第8のトランジスタのソースとドレイン、第5のトランジスタのソース、第6のトランジスタのゲート、第7のトランジスタのゲートに接続されることである。
ソース・ドレインが短絡されたトランジスタで容量結合の効果を実現して、本発明の実施例の方案はいろいろあることができる。例えば、プリチャージ回路Pre−chargingとリセット回路Resetモジュールの設計でGOA両方向走査を実現し、設計することでプルアップノードPUと出力端OUTPUTを前段または後段のシフトレジスタの出力までプルダウンし、或いは本発明の技術の四つのクロック回路を採用し、本発明のソース・ドレインが短絡されたトランジスタで容量結合の効果を実現する技術方案を使用すれば、いずれも本発明の保護の範囲に入る。
本発明の実施例のゲート駆動回路は前記シフトレジスタを含む。
本発明の実施例の表示装置は前記ゲート駆動回路を含む。
図7は本発明の例示的な実施例のゲート駆動方法のフローチャートを示す。図7に示すように、該方法の操作プロセスは、以下のようである。
ステップS1で、プリチャージ回路がプルアップ回路に充電し、
ステップS2で、プルアップ回路がシフトレジスト回路のレベルをプルアップさせ、シフトレジスト回路がハイレベルを出力し、
ステップS3で、リセット回路がシフトレジスト回路をリセットさせ、
ステップS4で、シフトレジスタ回路がリセットされた後、ホールド回路はシフトレジスト回路の出力レベルをホールドする。
ステップS4で、ホールド回路における第8のトランジスタの等価容量は第8のトランジスタのオン又はオフによって変化し、第8のトランジスタがオンされる場合の等価容量は第8のトランジスタがオフされる場合の等価容量より大きい。
以上の実施形態は本発明を説明するためにのみ用いられ、本発明を限定するためのものではなく、当業者については、本発明の精神及び趣旨から逸脱しない場合、様々な変化及び変形をすることができる。従って、等価の技術案はいずれも本発明の範囲に入り、本発明の特許保護範囲は請求の範囲に限定される。
M1 第1のトランジスタ
M2 第2のトランジスタ
M3 第3のトランジスタ
M4 第4のトランジスタ
M5 第5のトランジスタ
M6 第6のトランジスタ
M7 第7のトランジスタ
M8 第8のトランジスタ
PD プルダウンノード
PU プルアップノード
Reset リセット回路
RST リセット信号
STV 開始信号

Claims (9)

  1. シフトレジスタであって、複数の段のシフトレジスト回路を含み、前記複数の段のシフトレジスト回路の第N段のシフトレジスト回路は、
    プルアップ回路にプリチャージするためのプリチャージ回路と、
    プリチャージされた後、出力端にハイレベルを出力させるプルアップ回路と、
    出力端がハイレベルを出力した後、前記第N段のシフトレジスト回路をリセットするリセット回路と、
    前記第N段のシフトレジスト回路がリセットされた後、第N段のシフトレジスト回路の出力レベルをホールドするホールド回路と
    を含み、
    前記プリチャージ回路は、制御端と入力端が前段のシフトレジスト回路の出力端に接続され、出力端が前記リセット回路の入力端に接続され、
    前記プルアップ回路は、入力端が第1の制御信号端子に接続され、
    前記リセット回路は、制御端が後段のシフトレジスト回路の出力端に接続され、出力端が接地され、
    前記ホールド回路は、前記プリチャージ回路の出力端と、前記リセット回路の入力端と、プルアップ回路の制御端と、プルアップ回路の出力端とに接続され、第1の制御端が前記第1の制御信号端子に接続され、第2の制御端が第2の制御信号端子に接続され、
    前記ホールド回路は、第1のホールド回路と、第2のホールド回路とを含み、
    前記第1のホールド回路は、ゲートが前記プルアップ回路の制御端に接続され、ドレインが接地される第5のトランジスタと、ゲートが前記ホールド回路の第1の制御端であり、ソースとドレインが前記第5のトランジスタのソース及びプルダウンノードに接続される第8のトランジスタと、を含み、
    前記第1のホールド回路と第2のホールド回路は、前記プルダウンノードによって接続され、
    前記第5のトランジスタと前記第8のトランジスタのいずれもオンされる場合、前記第5のトランジスタと前記第8のトランジスタの・長比によって前記プルダウンノードを低くさせるシフトレジスタ。
  2. 前記第2のホールド回路は、ゲートが前記ホールド回路の第2の制御端でありソースが第6のトランジスタのソースと前記プルアップ回路の出力端とに接続されドレインが接地される第4のトランジスタと、ゲートが第7のトランジスタのゲートに接続されドレインが接地される第6のトランジスタと、ソースが前記プリチャージ回路の出力端と前記リセット回路の入力端と前記プルアップ回路の制御端とに接続されドレインが接地される前記第7のトランジスタとを含み、
    前記プルダウンノードは、さらに前記第6のトランジスタのゲート、前記第7のトランジスタのゲートに接続される請求項1に記載のシフトレジスタ。
  3. 前記第2のホールド回路は、ゲートが前記ホールド回路の第2の制御端であり、ソースが第7のトランジスタのソース及び前記プルアップ回路の出力端に接続され、ドレインが接地される第4のトランジスタと、ゲートが前記第7のトランジスタのゲートと接続され、ソースが前記プリチャージ回路の出力端と前記リセット回路の入力端と前記プルアップ回路の制御端とに接続され、ドレインが前記第7のトランジスタのソースに接続される第6のトランジスタと、ドレインが接地される前記第7のトランジスタとを含み、
    前記プルダウンノードは、さらに前記第6のトランジスタのゲート、前記第7のトランジスタのゲートに接続される請求項1に記載のシフトレジスタ。
  4. 前記プリチャージ回路は、ゲートが制御端であり、ソースが入力端であり、ドレインが出力端である第1のトランジスタを含む請求項1〜3のいずれかに記載のシフトレジスタ。
  5. 前記リセット回路は、ゲートが制御端であり、ソースが入力端であり、ドレインが出力端である第2のトランジスタを含む請求項1〜3のいずれかに記載のシフトレジスタ。
  6. プルアップ回路は、ゲートが制御端でありソースが入力端であり、ドレインが出力端である第3のトランジスタと、一端が前記第3のトランジスタのゲートに接続され他端が前記第3のトランジスタのドレインに接続されるキャパシタとを含む請求項1〜3のいずれかに記載のシフトレジスタ。
  7. ゲート駆動回路であって、
    請求項1〜6のいずれかに記載のシフトレジスタを含むゲート駆動回路。
  8. 表示装置であって、
    請求項7に記載のゲート駆動回路を含む表示装置。
  9. 請求項1に記載のシフトレジスタによるゲート駆動方法であって、以下のステップを含み、
    プリチャージ回路がプルアップ回路に充電し(S1)、
    プルアップ回路がシフトレジスト回路のレベルをプルアップさせ、シフトレジスト回路がハイレベルを出力し(S2)、
    リセット回路がシフトレジスト回路をリセットさせ(S3)、
    シフトレジスト回路がリセットされた後、ホールド回路がシフトレジスト回路の出力レベルをホールドし(S4)、
    前記ステップS4で、ホールド回路における第8のトランジスタの等価容量は前記第8のトランジスタのオン又はオフによって変化し、前記第8のトランジスタがオンされる場合の等価容量は前記第8のトランジスタがオフされる場合の等価容量より大きいゲート駆動方法。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI514365B (zh) * 2014-04-10 2015-12-21 Au Optronics Corp 閘極驅動電路及移位暫存器
TWI517134B (zh) * 2014-05-06 2016-01-11 友達光電股份有限公司 掃描電路與移位暫存器
EP3151225A4 (en) * 2014-05-28 2018-01-24 Kolonauto Co., Ltd Shift circuit, shift resistor, and display device
CN104537970B (zh) * 2014-11-27 2017-03-15 上海天马微电子有限公司 栅极驱动单元、栅极驱动电路及驱动方法、显示装置
CN104575429A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 合肥京东方光电科技有限公司 移位寄存器单元及驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
CN104835442B (zh) 2015-05-28 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
CN105741740B (zh) * 2016-04-27 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 Goa单元及其驱动方法、goa电路、显示装置
CN106023914A (zh) * 2016-05-16 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其操作方法
KR101882435B1 (ko) 2016-10-05 2018-08-24 실리콘 디스플레이 (주) 시프트 레지스터
KR102490159B1 (ko) * 2016-10-31 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로와 이를 이용한 인셀 터치 센서를 갖는 표시장치
CN106548740A (zh) * 2016-12-02 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存电路及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN106409211B (zh) * 2016-12-12 2019-06-07 上海天马微电子有限公司 一种栅极驱动电路、阵列基板和显示装置
CN108630155B (zh) 2017-03-24 2019-12-31 合肥鑫晟光电科技有限公司 复位电路、移位寄存器单元、栅极驱动电路、显示装置以及驱动方法
CN108665860B (zh) * 2017-03-30 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 一种goa单元及其驱动方法、goa驱动电路、显示装置
TWI606435B (zh) * 2017-04-06 2017-11-21 敦泰電子股份有限公司 閘極線驅動電路及包含其之顯示裝置
TWI625710B (zh) * 2017-04-28 2018-06-01 友達光電股份有限公司 閘極驅動電路與採用其之顯示裝置
CN106920526B (zh) * 2017-05-04 2020-02-14 合肥鑫晟光电科技有限公司 移位寄存器及其驱动方法和栅极驱动电路
CN107123403B (zh) * 2017-05-27 2018-08-28 惠科股份有限公司 移位暂存电路及其应用的显示面板
CN107248401B (zh) * 2017-08-08 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 Goa电路及其驱动方法、显示装置
CN109859698A (zh) * 2018-08-21 2019-06-07 信利半导体有限公司 一种goa驱动电路
CN111937067B (zh) * 2018-11-14 2022-04-22 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
TWI684974B (zh) * 2018-12-27 2020-02-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN109584832B (zh) * 2019-01-18 2020-10-27 重庆京东方光电科技有限公司 一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
CN110111831B (zh) * 2019-04-24 2021-08-06 厦门天马微电子有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
CN111951715B (zh) * 2019-04-30 2024-03-29 上海和辉光电股份有限公司 像素电路、驱动方法及显示器
CN111627404B (zh) 2020-06-09 2021-11-23 武汉华星光电技术有限公司 一种goa电路、显示面板和显示装置
CN111754938B (zh) 2020-07-24 2023-11-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN114187879B (zh) * 2021-12-31 2023-04-25 长沙惠科光电有限公司 显示面板的驱动电路、阵列基板和显示面板

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI229442B (en) * 2002-10-25 2005-03-11 Au Optronics Corp Capacitor in a pixel structure
US7319452B2 (en) 2003-03-25 2008-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register and display device having the same
KR100970269B1 (ko) * 2003-10-20 2010-07-16 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터와, 이를 갖는 스캔 구동 회로 및 표시장치
US7486269B2 (en) * 2003-07-09 2009-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register, scan driving circuit and display apparatus having the same
JP4895538B2 (ja) * 2004-06-30 2012-03-14 三星電子株式会社 シフトレジスタ、それを有する表示装置、及び、そのシフトレジスタの駆動方法
US7868320B2 (en) * 2005-05-31 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101143004B1 (ko) * 2005-06-13 2012-05-11 삼성전자주식회사 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
CN1899202A (zh) * 2005-11-08 2007-01-24 乐金电子(天津)电器有限公司 洗碗机的自动排水防止结构
JP2007242129A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
JP5079350B2 (ja) * 2006-04-25 2012-11-21 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路
KR101300038B1 (ko) * 2006-08-08 2013-08-29 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101240655B1 (ko) * 2006-09-29 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 구동 장치
KR101393635B1 (ko) * 2007-06-04 2014-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101471553B1 (ko) * 2008-08-14 2014-12-10 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로 및 이를 갖는 표시 장치
KR101536218B1 (ko) * 2008-12-26 2015-07-13 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로, 이를 갖는 표시 장치 및 이 게이트 구동회로의 제조 방법
KR101520807B1 (ko) * 2009-01-05 2015-05-18 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치
KR101022092B1 (ko) * 2009-01-12 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101543281B1 (ko) 2009-02-19 2015-08-11 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 구비한 표시 장치
JP5253275B2 (ja) * 2009-04-03 2013-07-31 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー コンデンサマイクの増幅回路
CN101625841A (zh) * 2009-07-29 2010-01-13 友达光电股份有限公司 液晶显示器及其移位寄存装置
KR101752834B1 (ko) * 2009-12-29 2017-07-03 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치
CN102467891B (zh) * 2010-10-29 2013-10-09 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动装置及液晶显示器
CN102930812B (zh) * 2012-10-09 2015-08-19 北京京东方光电科技有限公司 移位寄存器、栅线集成驱动电路、阵列基板及显示器
CN102945650B (zh) * 2012-10-30 2015-04-22 合肥京东方光电科技有限公司 一种移位寄存器及阵列基板栅极驱动装置

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