JP2015062254A - 気化装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
気化装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015062254A JP2015062254A JP2014248060A JP2014248060A JP2015062254A JP 2015062254 A JP2015062254 A JP 2015062254A JP 2014248060 A JP2014248060 A JP 2014248060A JP 2014248060 A JP2014248060 A JP 2014248060A JP 2015062254 A JP2015062254 A JP 2015062254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vaporization
- gas
- temperature
- vaporizer
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 199
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 174
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 139
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 81
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 58
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 56
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 246
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 157
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 59
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 32
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 9
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 238000005373 pervaporation Methods 0.000 description 6
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
- H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
- H01L21/02323—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen
- H01L21/02326—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of oxygen into a nitride layer, e.g. changing SiN to SiON
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
過酸化水素及び水を含む処理液を気化容器内に滴下する処理液滴下部と、前記気化容器を加熱する加熱部と、前記気化容器の温度を測定する熱電対と、前記熱電対により測定された温度に基づいて、前記処理液滴下部から滴下された処理液が前記気化容器内表面に到達すると同時に気化するように前記加熱部を制御する温度制御部と、前記処理液が気化して発生した気化ガスを前記気化容器内から排出する排気口と、を備える気化装置が提供される。
以下に、第1実施形態について説明する。
まず、本実施形態に係る基板処理装置の構成について、主に図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面で示している。図2は、本実施形態に係る基板処理装置が備える処理炉202の縦断面概略図である。基板処理装置では、例えば、半導体装置を製造するための一工程が行われる。
図1に示すように、処理炉202は処理容器としての反応管203を備えている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には、処理室201が形成され、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
基板の処理空間となる基板処理室201は、反応管203とシールキャップ219で構成される。
基板保持部としてのボート217は、複数枚のウエハ200を多段に保持できるように構成されている。ボート217は、複数枚のウエハ200を保持する複数本の支柱217aを備えている。支柱217aは例えば3本備えられている。複数本の支柱217aはそれぞれ、底板217bと天板217cとの間に架設されている。複数枚のウエハ200が、支柱217aに水平姿勢でかつ、互いに中心を揃えた状態で整列されて菅軸方向に多段に保持されている。天板217cは、ボート217に保持されるウエハ200の最大外径よりも大きくなるように形成されている。
反応容器203の下方には、ボート217を昇降させて反応管203の内外へ搬送する昇降部としてのボートエレベータが設けられている。ボートエレベータには、ボートエレベータによりボート217が上昇された際に炉口を封止するシールキャップ219が設けられている。
反応管203の外側には、反応管203の側壁面を囲う同心円状に、反応管203内のウエハ200を加熱する第1の加熱部207が設けられている。第1の加熱部207は、ヒータベース206により支持されて設けられている。図2に示すように、第1の加熱部207は第1〜第4のヒータユニット207a〜207dを備えている。第1〜第4のヒータユニット207a〜207dはそれぞれ、反応管203内でのウエハ200の積層方向に沿って設けられている。
図1に示すように、反応管203内へ処理ガスとしての気化原料を供給するガス供給部としてのガス供給管233が反応管203の外側に設けられている。気化原料は、沸点が50〜200℃の原料が用いられる。本実施形態では、水蒸気(H2O)を用いた例を示す。
MFC241a、241b、241cや、バルブ242a、242b、242cには、ガス流量制御部283が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングで制御するように構成されている。
なお、水素ガス供給源240a、酸素ガス供給源240b、不活性ガス供給管232c、開閉バルブ242c、MFC241c、不活性ガス供給源240c等の構成を、ガス供給部に含めて考えても良い。
反応管203の下方には、基板処理室201内のガスを排気するガス排気管231の一端が接続されている。ガス排気管231の他端は、真空ポンプ246a(排気装置)にAPC(Auto Pressure Controller)バルブ255を介して接続されている。基板処理室201内は、真空ポンプ246で発生する負圧によって排気される。なお、APCバルブ255は、弁の開閉により基板処理室201の排気および排気停止を行うことができる開閉弁である。また、弁開度の調整により圧力を調整することができる圧力調整弁でもある。
また、圧力検出器としての圧力センサ223がAPCバルブ255の上流側に設けられている。このようにして、基板処理室201内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう、真空排気するように構成されている。APCバルブ255により基板処理室201および圧力センサ223には、圧力制御部284(図3参照)が電気的に接続されており、圧力制御部284は、圧力センサ223により検出された圧力に基づいて、APCバルブ255により基板処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう、所望のタイミングで制御するように構成されている。
発明者等は、研究開発する過程で、従来の約300〜400℃以上の処理プロセスでは、起こりえなかった問題を見出した。即ち、室温〜300℃程度の処理では、処理ガスとしての気化原料が反応管203内で気化原料の沸点より低い温度に冷却されて液化してしまう問題を見出した。この液化は、反応管203であって、ボート217の下部と断熱体218とガス排気管231が設けられる周囲で多く発生することが研究の末、判明した。更に、この液化は、断熱体218よりも下部や、ウエハ200から離間した位置で発生することを発見した。
図6aに液化防止ヒータ280の1形態を示す。図6aに示すように、液化防止ヒータ280には、ランプヒータ282が反応管203の全周を覆うように設けられている。また、ランプヒータ282の周りには、断熱材286が設けられている。ランプヒータ282を全周に設けることにより、反応管203下部全体を均一に加熱することができる。また、断熱材286により、ランプヒータ282の熱効率を向上させることができ、使用電力を低下させるとともに、反応管203の外部にある、他の機器や制御装置への熱影響を低下させることができる。断熱材286は、例えば、アルミナ製クロス等が用いられる。
図6bに液化防止ヒータ280の他の形態を示す。図6bに示すように、液化防止ヒータ280には、分割された分割ランプヒータ283a,283b,283c、283d,283e,283e,283fが設けられている。図6bに示すように、ランプヒータを分割して設けることによって、反応管203下部であって、加熱され易い箇所と加熱され難い所への熱供給量を調整することができ、所望の場所を均一に加熱することができる。
例えば、ランプヒータ282で全周を加熱した場合、ボート217の支柱217aによって、断熱体218に影が形成されてしまい、均一に加熱することが困難になる。分割ランプヒータ283a〜283fを支柱217aと対向しない位置に設けることによって、断熱体218に影を形成することなく、均一に加熱することができる。
更に、発明者等は、ランプヒータ282による気化原料の加熱効率向上方法について、鋭意研究開発した。その結果、ランプヒータ282から放射される光の波長を調整することで、加熱効率を向上させられることが判明した。
液化防止ヒータ280は、図1に示すように、断熱体218の上端よりも下側に設けることが好ましい。断熱体218によって、反応管203の下部、排気管231との接続部、ガス供給管233との接続部などが第1の加熱部207から断熱され、温度が低い状態となっている。故に、反応管203の下部や、排気管231との接続部、ガス供給管233との接続部の周辺で反応管203内に供給した処理ガスが液化しやすい雰囲気となっている。液化防止ヒータ280を、断熱体218の上端よりも下側に設けることにより、この液化を抑制することができる。
図6a、図6b、図7に示すように、ガス排気管231には、ガス排気管を加熱する排気加熱部としての、エキゾーストチューブヒータ284が設けられている。エキゾーストチューブヒータ284は、ガス排気管231の内部に、結露が生じないように、所望の温度に制御されている。例えば、50℃〜300℃に制御される。
図6a、図6b、図7に示すように、ガス供給管233と反応管203の間には、供給加熱部としてのインレットチューブヒータ285が設けられている。インレットチューブヒータ285は、ガス供給管233の内部に、結露が生じないように、所望の温度に制御されている。例えば、50℃〜300℃に制御される。
図6a、図6bに示すように、ランプヒータ282と、エキゾーストチューブヒータ284と、インレットチューブヒータ285の温度を液化防止温度になるように制御する、液化防止制御部としての液化防止制御装置287が設けられている。
基板処理装置内の空きスペースや、基板処理装置が複数台設けられる半導体装置工場内の空きスペースは狭いため、このように、ガス供給管233とガス排気管231を同じ側に設けることにより、ガス供給管233とガス排気管231と液化防止ヒータ280のメンテナンスを容易に行うことができる。
図3に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程として実施される基板処理工程について、図8を用いて説明する。かかる工程は、上述の基板処理装置により実施される。本実施形態では、かかる基板処理工程の一例として、処理ガスとして過酸化水素水を気化させた気化ガスを用い、基板としてのウエハ200上に形成されたシリコン(Si)含有膜をシリコン酸化膜に改質する(酸化する)工程(改質処理工程)を行う場合について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、図1や図3に示す、コントローラ121により制御されている。
まず、予め指定された枚数のウエハ200をボート217に装填(ウエハチャージ)する。複数枚のウエハ200を保持したボート217を、ボートエレベータによって持ち上げて反応管203内(処理室201内)に搬入(ボートロード)する。この状態で、処理炉202の開口部である炉口はシールキャップ219によりシールされた状態となる。
反応管203内が所望の圧力(例えば、96000〜102500Pa)となるように真空ポンプ246a又は真空ポンプ246bの少なくともいずれかによって真空排気する。具体的には、100000Pa程度にする。この際、反応管203内の圧力は、圧力センサ223で測定し、この測定した圧力に基づきAPCバルブ242の開度又はバルブ240の開閉をフィードバック制御する(圧力調整)。
ウエハ200を加熱して所望とする温度に達し、ボート217が所望とする回転速度に到達したら、水蒸気発生器260で水蒸気を発生させ、基板処理室201内へ供給するとともに、不活性ガス供給源240cから不活性ガスである窒素ガスを基板処理室201内へ供給する。こうして、基板処理室201内の圧力を6000〜60000Pa、水蒸気の分圧を600〜60000Pa(水分濃度を10〜100%)にする。この温度と圧力の状態で、5〜120分間、ウエハ200に対して熱処理を行う。具体的には、例え
ば、基板処理室201内の温度を約200℃とし、圧力を53200Pa、水蒸気の分圧を45800Pa(水分濃度を86%)とし、30分間、熱処理を行う。この水蒸気雰囲気、かつ減圧雰囲気における熱処理により、ウエハ200に塗布されたシリコン含有材が酸化される。
改質処理工程(S30)が終了した後、バルブ255を開けて反応管203内を真空排気し、反応管203内に残留している水蒸気を排気する。すなわち、バルブ242a,242b,242cを閉じ、バルブ255を開け、基板処理室201を排気しつつ、不活性ガス供給管232cからガス供給ノズル302を介して反応管203内に、パージガスとしてのN2ガス(不活性ガス)を、マスフローコントローラ241cにより流量制御しながら供給する。パージガスとしては、例えば窒素(N2)ガス等の不活性ガスや、例えばHeガス、Neガス、Arガス等の希ガスを用いることができる。これにより、反応管203内の残留ガスの排出を促すことができる。
パージ工程(S40)が終了した後、バルブ255又はAPCバルブ246aを調整し、反応管203内の圧力を大気圧に復帰させつつ、ウエハ200を所定の温度(例えば室温程度)に降温させる。具体的には、バルブ241cを開けたままとし、反応管203内に不活性ガスであるN2ガスを供給しつつ、反応管203内の圧力を大気圧に昇圧させる。そして、第1の加熱部207及び第2の加熱部280への供給電力を制御して、ウエハ200の温度を降温させる。
その後、ボートエレベータによりシールキャップ219を下降させて反応管203の下端を開口するとともに、処理済みウエハ200がボート217に保持された状態で反応管203の下端から反応管203(処理室201)の外部へ搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済みウエハ200はボート217より取り出され(ウエハディスチャージ)、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
上記の改質処理工程S30が終わった後、基板処理室201内の温度を、600℃〜1100℃に上昇させる。また、水蒸気発生器260から水蒸気を基板処理室201内へ供給するとともに、不活性ガス供給源240cから不活性ガスである窒素ガスを基板処理室201内へ供給する。こうして、基板処理室201内の圧力を6000〜60000Pa、水蒸気の分圧を600〜60000Pa(水分濃度を10〜100%)にする。具体的には、本実施例では、基板処理室201内の温度を、120分間の間に、上記改質処理工程の温度から800℃に上昇させる。なお、圧力・温度調整工程S70の昇温開始からは、ランプヒータ282や、インレットチューブヒータ285、エキゾーストチューブヒータ284はOFFにする。この際、各ヒータを、同時にOFFにしても良いし、別々のタイミングでOFFにするようにしても良い。例えば、ガス供給管233内と、ガス排気管231内には、アニール処理中もガスが流れるため、ON状態に保持、ランプヒータ282だけOFFにする。
この温度と圧力の状態で5〜120分間、保持することで、ウエハ200にアニール処理を行う。具体的には、本実施例では、温度が約800℃、圧力53200Pa、水蒸気の分圧45800Pa(水分濃度86%)で、30分間、熱処理を行う。
アニール処理工程S80が終わった後は、上述と同じパージ工程S40が行われる。
パージ工程終了後、ウエハが取り出し可能な温度になるまで降温される。
上記のような搬出工程によってウエハ200が基板処理室201から搬出される。
第1実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
気化原料が液化した場合に、液体が、基板処理室201内の部材表面に存在する異物を吸収し、その異物を吸収した液体が再度蒸発し、ウエハ200に付着することによって異物が発生することがある。本実施例によれば、気化原料の液化を防止できるので、基板に付着する異物の量を低減することができる。
以下に、第2実施形態について説明する。
まず、本実施形態に係る基板処理装置の構成について、図11と図12を用いて説明する。図11は、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面図で示している。図12は、本実施形態に係る過水蒸気化装置の縦断面図を示している。
図11に示すように、ガス供給管233には、過水蒸気発生装置307が接続されている。過水蒸気発生装置307には、上流側から、過酸化水素水源240d、液体流量コントローラ241d、バルブ242dが過水液供給管232dを介して接続されている。過水蒸気発生装置307には、液体流量コントローラ241dで流量が調整された過水液が、供給可能になっている。
図12に、過水蒸気発生装置307の構成を示す。
過水蒸気発生装置307は、原料液を加熱された部材に滴下することで原料液を気化する滴下法を用いている。過水蒸気発生装置307は、過水液を供給する液体供給部としての滴下ノズル300と、加熱される部材としての気化容器302と、気化容器302で構成される気化空間301と、気化容器302を加熱する加熱部としての気化器ヒータ303と、気化された原料液を反応室へ排気する排気口304と、気化容器302の温度を測定する熱電対305と、熱電対305により測定された温度に基づいて、気化器ヒータ303の温度を制御する温度制御コントローラ400と、滴下ノズル300に原料液を供給する薬液供給配管307とで構成されている。気化容器302は、滴下された原料液が気化容器に到達すると同時に気化するように気化器ヒータ303により加熱されている。また、気化器ヒータ303による気化容器302の加熱効率を向上させることや、過水蒸気発生装置307と他のユニットとの断熱可能な断熱材306が設けられている。気化容器302は、原料液との反応を防止するために、石英や炭化シリコンなどで構成されている。気化容器302は、滴下された原料液の温度や、気化熱により温度が低下する。よって、温度低下を防止するために、熱伝導率が高い炭化シリコンを用いることが有効である。
次に、第2実施形態に係る基板処理工程について、図13を用いて説明する。図13に示すように、第2実施形態に係る基板処理工程の内、基板搬入工程S10は第1実施形態の工程と同じであるため省略する。
反応管203内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246a又は真空ポンプ246bの少なくともいずれかによって真空排気する。この際、反応管203内の圧力は、圧力センサで測定し、この測定した圧力に基づきAPCバルブ242の開度又はバルブ240の開閉をフィードバック制御する(圧力調整)。
ウエハ200を加熱して所望とする温度に達し、ボート217が所望とする回転速度に到達したら、液体原料供給管232dから過酸化水素水を過水蒸気発生装置307への供給を開始する。すなわち、バルブ242dを開け、液体流量コントローラ241dを介して、過酸化水素水源240dから過水蒸気発生装置307内に、過酸化水素水を供給する。
改質処理工程(S220)が終了した後、APCバルブ255を閉じ、バルブ240を開けて反応管203内を真空排気し、反応管203内に残留している過酸化水素水の気化ガスを排気する。すなわち、バルブ242dを閉じ、バルブ232cを開け、不活性ガス供給管232cから液体原料供給ノズル230を介して反応管203内に、パージガスとしてのN2ガス(不活性ガス)を、マスフローコントローラ241cにより流量制御しながら供給する。パージガスとしては、例えば窒素(N2)ガス等の不活性ガスや、例えばHeガス、Neガス、Arガス等の希ガスを用いることができる。これにより、反応管203内の残留ガスの排出を促すことができる。また、ガス供給ノズル401内をN 2 ガスが通過することで、ガス供給ノズル401内に残留する過水ガスを押し出して除去することもできる。このとき、APCバルブ255の開度及びバルブ240の開閉を調整し、真空ポンプ246aから排気してもよい。
パージ工程(S230)が終了した後、バルブ240又はAPCバルブ255の少なくともいずれかを開け、反応管203内の圧力を大気圧に復帰させつつ、ウエハ200を所定の温度(例えば室温程度)に降温させる。具体的には、バルブ235cを開けたままとし、反応管203内に不活性ガスであるN2ガスを供給しつつ、反応管203内の圧力を大気圧に昇圧させる。そして、第1の加熱部207への供給電力を制御して、ウエハ200の温度を降温させる。
その後、ボートエレベータによりシールキャップ219を下降させて反応管203の下端を開口するとともに、処理済みウエハ200がボート217に保持された状態で反応管203の下端から反応管203(処理室201)の外部へ搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済みウエハ200はボート217より取り出され(ウエハディスチャージ)、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
第2実施形態によれば、第1実施形態に係る効果に加えて以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
以下に、第3実施形態について説明する。
まず、第3実施形態に係る基板処理装置の構成について、図14と図15を用いて説明する。図14は、第3実施形態に係る基板処理装置の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面で示している。図15は、第3実施形態に係る基板処理装置が備える処理炉202の縦断面概略図である。
図14に示すように、反応管203と第1の加熱部207との間には、液体原料供給ノズル501が設けられている。液体原料供給ノズル501は、例えば熱伝導率の低い石英等により形成されている。液体原料供給ノズル501は二重管構造を有していてもよい。液体原料供給ノズル501は、反応管203の外壁の側部に沿って配設されている。液体原料供給ノズル501の上端(下流端)は、反応管203の頂部(上端開口)に気密に設けられている。反応管203の上端開口に位置する液体原料供給ノズル501には、供給孔502が上流側から下流側にわたって複数設けられている(図15参照)。供給孔502は、反応管203内に供給された液体原料を反応管203内に収容されたボート217の天板217cに向かって噴射させるように形成されている。
続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程として実施される基板処理工程について、図16を用いて説明する。改質処理工程S320以外の工程は、第2実施例や第1実施例と同じなので説明を省略する。
ウエハ200を加熱して所望とする温度に達し、ボート217が所望とする回転速度に到達したら、液体原料供給管289aから液体原料である過酸化水素水の反応管203内への供給を開始する。すなわち、バルブ295c,295d,295eを閉じ、バルブ295bを開け、圧送ガス供給源298bから液体原料供給タンク293内に、圧送ガスをマスフローコントローラ299bにより流量制御しながら供給し、さらにバルブ295a及びバルブ297を開け、液体原料供給タンク293内に貯留されている過酸化水素水を、液体流量コントローラ294により流量制御しながら、液体原料供給管289aからセパレータ296及び液体原料供給ノズル501を介して反応管203内に供給する。圧送ガスとしては、例えば窒素(N2)ガス等の不活性ガスや、Heガス、Neガス、Arガス等の希ガスを用いることができる。
第3実施形態によれば、第1実施形態に係る効果と第2実施形態に係る効果に加えて、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
以下に、好ましい形態について付記する。
一態様によれば、
基板を処理する反応管と、
前記反応管内の前記基板に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記反応管内を排気する排気部と、
前記反応管内の前記基板を加熱する第1の加熱部と、
前記反応管の前記排気部接続部周辺に設けられた第2の加熱部と、
前記ガス供給部から処理ガスを供給する際に、前記第2の加熱部の温度を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
付記1の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部の温度は前記処理ガスが液化しない液化防止温度に保つように制御する。
付記2の基板処理装置であって、好ましくは、
前記液化防止温度は、50〜300℃である。
付記1〜3のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記処理ガスは、水素と酸素を含んでいる。
付記1〜4のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記処理ガスは、水分子を含んでいる。
付記1〜5のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、前記反応管の炉口部周辺に設けられている。
付記1〜6のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記反応管の炉口部には断熱体が設けられ、前記第2の加熱部は当該断熱体の上端よりも下側に設けられている。
付記1〜7のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、放射型加熱部である。
付記8に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記放射型加熱部は、前記炉口部の内壁表面を加熱する。
付記1〜9のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、0.7μm〜250μmの波長をピークとする光を放射する。
付記1〜10のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、1.3μm〜200μmの波長をピークとする光を放射する。
付記1〜11のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、2μm〜20μmの波長をピークとする光を放射する。
付記1〜12のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、2μm〜4.5μmの中波長赤外線をピークとする光を放射する。
付記1〜13のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、赤外線を放射するランプヒータである。
付記1〜14のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、前記反応管の前記排気部が接続されている部分の周囲に設けられている。
付記1〜15のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部は、前記反応管の前記排気部が接続されている部分の周囲であって、分割された状態で設けられている。
付記1〜16のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記反応管内に、熱伝導性セラミック若しくは、熱伝導性セラミックを被覆した非金属材料などの熱伝導部材を有する。
付記17の基板処理装置であって、好ましくは、
前記熱伝導部材は、前記反応管の底に設けられている。
付記17と付記18のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記熱伝導部材の熱伝導率は、5W/mKである。
付記1〜19のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部周辺であって、前記反応管のガス供給口には、インレットチューブヒータが設けられている。
付記1〜20のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部の周辺であって、前記反応管のガス排気口には、エキゾーストチューブヒータが設けられている。
付記20と付記21のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部と前記インレットチューブヒータと前記エキゾーストチューブヒータの液化防止温度の制御を、それぞれ独立又は一括して制御する。
付記22の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2の加熱部と前記インレットチューブヒータと前記エキゾーストチューブヒータを、少なくとも前記ガス供給部が処理ガスを供給している間、
ONにしていること。
他の態様によれば、
基板を処理する反応管と、
前記反応管内の前記基板に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記反応管内を排気する排気部と、
前記反応管内の前記基板を加熱する第1の加熱部と、
前記反応管の前記排気部接続部周辺に設けられた第2の加熱部と、
前記ガス供給部から処理ガスを供給する際に、前記第2の加熱部の温度を制御する制御部と、
を有する半導体装置の製造装置が提供される。
更に他の態様によれば、
基板を反応管に搬入する工程と、
前記反応管に設けられた第1の加熱部が前記基板を加熱する加熱工程と、
排気部が前記反応管内を排気する排気工程と、
前記基板表面に処理ガスを供給する供給ステップと、
前記反応管であって前記排気部が接続される周辺に設けられた第2の加熱部の温度を制御する温度制御ステップと、
を有するガス供給工程と、
を有する基板処理方法が提供される。
前記付記25の基板処理方法であって、好ましくは、
前記温度制御ステップでは、前記処理ガスが液化しない蒸発温度に保つように制御される。
前記付記25と付記26のいずれかの基板処理方法であって、好ましくは、
前記処理ガスは、水(H2O)分子と過酸化水素(H2O2)分子のいずれか又は両方を有する。
更に他の態様によれば、
基板を反応管に搬入する工程と、
前記反応管に設けられた第1の加熱部が前記基板を加熱する加熱工程と、
排気部が前記反応管内を排気する排気工程と、
前記基板表面に処理ガスを供給する供給ステップと、
前記反応管であって前記排気部が接続される周辺に設けられた第2の加熱部の温度を制御する温度制御ステップと、
を有するガス供給工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
更に他の態様によれば、
反応管に設けられた第1の加熱部が基板を加熱させる加熱手順と、
排気部が前記反応管内を排気させる排気手順と、
前記基板表面に処理ガスを供給させる供給ステップと、
前記反応管であって前記排気部が接続される周辺に設けられた第2の加熱部の温度を制御させる温度制御ステップと、
を有するガス供給手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
更に他の態様によれば、
反応管に設けられた第1の加熱部が基板を加熱させる加熱手順と、
排気部が前記反応管内を排気させる排気手順と、
前記基板表面に処理ガスを供給させる供給ステップと、
前記反応管であって前記排気部が接続される周辺に設けられた第2の加熱部の温度を制御させる温度制御ステップと、
を有するガス供給手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納された記録媒体が提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する反応管の当該基板よりも排気口側に設けられ、
前記排気口側を前記基板の温度よりも高温に加熱する加熱ユニットが提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する反応管と、
前記反応管内の前記基板に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記反応管内を排気する排気部と、
前記基板を加熱する第1の加熱部と、
前記反応管の前記排気部の接続部周辺に設けられた第2の加熱部と、
前記ガス供給部から処理ガスを供給する際に、前記第2の加熱部の温度を前記第1の加熱部の温度よりも高い温度に制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
更に他の態様によれば、
基板を収容する処理容器と、
前記基板に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器を閉塞する蓋体と、
前記蓋体上に設けられた熱伝導体と、
前記熱伝導体を加熱する熱伝導体加熱部と、
を有する基板処理装置が提供される。
付記33に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記熱伝導体加熱部の温度は、前記処理ガスが液化しない液化防止温度に保つように前記熱伝導体加熱部を制御する制御部を有する。
付記33に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記熱伝導体加熱部は、前記処理容器の炉口部周辺に設けられている。
付記33に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記熱伝導体加熱部は、前記処理容器の炉口部に設けられた断熱体の上端よりも下側に設けられている。
付記33に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記熱伝導体加熱部は、放射型加熱部である。
更に他の態様によれば、
基板を収容する処理容器を閉塞する蓋体に設けられ、
前記蓋体付近に設けられた熱伝導体加熱部により加熱される熱伝導体が提供される。
201 基板処理装置
203 反応管
207 第1の加熱部
209 第3の加熱部
217 ボート
231 ガス排気管
232d 液体原料供給管
233 ガス供給管
280 第2の加熱部
282 ランプヒータ
283 エキゾーストチューブヒータ
284 インレットチューブヒータ
285 熱伝導部
401 ガス供給ノズル
402 ガス供給孔
121 コントローラ
Claims (10)
- 過酸化水素及び水を含む処理液を気化容器内に滴下するよう構成される処理液滴下ノズルと、
前記気化容器を加熱する加熱部と、
前記気化容器の温度を測定する熱電対と、
前記熱電対により測定された温度に基づいて、前記処理液滴下ノズルから滴下された前記処理液が前記気化容器内表面に到達すると同時に気化するように前記加熱部を制御するよう構成される温度制御部と、
前記処理液が気化して発生した気化ガスを前記気化容器内から排出する排気口と、
を備える気化装置。 - 前記処理液滴下ノズルと前記気化容器は、前記処理液が前記気化容器の底部に滴下されるように構成される、請求項1記載の気化装置。
- 前記熱電対は、前記処理容器の底部であって前記処理液が滴下される部分に設けられる、請求項2記載の気化装置。
- 前記温度制御部は、前記気化容器の温度が150℃〜170℃となるように前記加熱部を制御するよう構成される、請求項1乃至3のいずれかに記載の気化装置。
- 前記気化容器は石英又は炭化シリコンにより構成されている、請求項1乃至3のいずれかに記載の気化装置。
- 前記処理液滴下ノズルへ前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部から供給される前記処理液の流量を制御するよう構成される流量制御部と、
を備える、請求項1乃至3のいずれかに記載の気化装置。 - 基板を処理する反応室と、
気化ガスを発生させる気化装置であって、
過酸化水素及び水を含む処理液を気化容器内に滴下するよう構成される処理液滴下ノズルと、
前記気化容器を加熱する加熱部と、
前記気化容器の温度を測定する熱電対と、
前記熱電対により測定された温度に基づいて、前記処理液滴下ノズルから滴下された前記処理液が前記気化容器内表面に到達すると同時に気化するように前記加熱部を制御するよう構成される温度制御部と、
前記処理液が気化して発生した気化ガスを前記気化容器内から排出する排気口、を有する気化装置と、
前記気化装置に前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記気化装置の排気口から排出される前記気化ガスを前記反応室に供給する気化ガス供給部と、
を備える基板処理装置。 - 前記処理液供給部から供給される前記処理液の流量を制御するように構成される流量制御部を備える、請求項7記載の基板処理装置。
- 前記気化ガス供給部を介して前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を備える、請求項7又は8記載の基板処理装置。
- 基板を処理する反応室と、
気化ガスを発生させる気化装置であって、
過酸化水素及び水を含む処理液を気化容器内に滴下するよう構成される処理液滴下ノズルと、
前記気化容器を加熱する加熱部と、
前記気化容器の温度を測定する熱電対と、
前記熱電対により測定された温度に基づいて、前記処理液滴下ノズルから滴下された前記処理液が前記気化容器内表面に到達すると同時に気化するように前記加熱部を制御するよう構成される温度制御部と、
前記処理液が気化して発生した気化ガスを前記気化容器内から排出する排気口、を有する気化装置と、
前記気化装置に前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記気化装置の排気口から排出される前記気化ガスを前記反応室に供給する気化ガス供給部と、
を備える基板処理装置において、
前記処理液供給部から前記気化装置に前記処理液を供給する工程と、
前記気化装置に供給された前記処理液が気化して発生した前記気化ガスを前記気化ガス供給部から前記反応室内の基板に供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014248060A JP5778846B2 (ja) | 2012-07-30 | 2014-12-08 | 気化装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012168390 | 2012-07-30 | ||
JP2012168390 | 2012-07-30 | ||
JP2014248060A JP5778846B2 (ja) | 2012-07-30 | 2014-12-08 | 気化装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014528118A Division JP5792390B2 (ja) | 2012-07-30 | 2013-07-26 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015062254A true JP2015062254A (ja) | 2015-04-02 |
JP5778846B2 JP5778846B2 (ja) | 2015-09-16 |
Family
ID=50027897
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014528118A Active JP5792390B2 (ja) | 2012-07-30 | 2013-07-26 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2014248060A Active JP5778846B2 (ja) | 2012-07-30 | 2014-12-08 | 気化装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2014248026A Active JP5778845B2 (ja) | 2012-07-30 | 2014-12-08 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム。 |
JP2015154389A Pending JP2015233157A (ja) | 2012-07-30 | 2015-08-04 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び記録媒体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014528118A Active JP5792390B2 (ja) | 2012-07-30 | 2013-07-26 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014248026A Active JP5778845B2 (ja) | 2012-07-30 | 2014-12-08 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム。 |
JP2015154389A Pending JP2015233157A (ja) | 2012-07-30 | 2015-08-04 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び記録媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9816182B2 (ja) |
JP (4) | JP5792390B2 (ja) |
KR (1) | KR101750633B1 (ja) |
CN (1) | CN104520975B (ja) |
TW (1) | TWI554641B (ja) |
WO (1) | WO2014021220A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101891659B1 (ko) * | 2016-10-14 | 2018-08-24 | (주)피앤테크 | 전력 반도체용 초고온 열처리 공정 장비 개발에 대한 단열 플레이트가 구비되는 튜브 매립형 소성로 |
WO2023026412A1 (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 株式会社Kokusai Electric | 基板支持具、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101750633B1 (ko) * | 2012-07-30 | 2017-06-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
US10343907B2 (en) * | 2014-03-28 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for delivering hydrogen peroxide to a semiconductor processing chamber |
JP6507592B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2019-05-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および電子部品押圧装置 |
JP5968996B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2016-08-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
WO2016135876A1 (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ヒータおよび半導体装置の製造方法 |
JP6523119B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6417052B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-10-31 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6606595B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-11-13 | 株式会社Kokusai Electric | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2017183603A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東芝メモリ株式会社 | エピタキシャル成長装置 |
JP6609054B2 (ja) | 2016-08-10 | 2019-11-20 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、金属部材および半導体装置の製造方法 |
JP6594931B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2019-10-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、監視プログラム及び半導体装置の製造方法 |
CN106637145A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-10 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于hvpe设备工艺参数的智能修正调控*** |
US10981345B2 (en) * | 2017-02-23 | 2021-04-20 | Himile Mechanical Science And Technology (Shandong) Co., Ltd | Method and apparatus for cleaning workpiece, and method and apparatus for cleaning (pore-free) tire segment mold |
JP6846964B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
JP6947914B2 (ja) * | 2017-08-18 | 2021-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高圧高温下のアニールチャンバ |
CN111095524B (zh) | 2017-09-12 | 2023-10-03 | 应用材料公司 | 用于使用保护阻挡物层制造半导体结构的设备和方法 |
KR20230144106A (ko) | 2017-11-11 | 2023-10-13 | 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 | 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템 |
KR20200075892A (ko) | 2017-11-17 | 2020-06-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 처리 시스템을 위한 컨덴서 시스템 |
CN107829150B (zh) * | 2017-12-13 | 2020-05-15 | 诸暨企航企业管理咨询有限公司 | 一种方便进出料的蚕茧蒸煮装置 |
JP6995143B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
CN111902929A (zh) | 2018-03-09 | 2020-11-06 | 应用材料公司 | 用于含金属材料的高压退火处理 |
JP7023147B2 (ja) * | 2018-03-13 | 2022-02-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 断熱構造体及び縦型熱処理装置 |
JP6752249B2 (ja) | 2018-03-27 | 2020-09-09 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US11230766B2 (en) * | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
JP7055075B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
JP7134020B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | バルブ装置、処理装置、および制御方法 |
US10998205B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
JP6752332B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-09-09 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11538716B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-12-27 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
JP6995902B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2022-01-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに基板処理プログラム |
KR102552458B1 (ko) * | 2019-07-31 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 지지구 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP7055173B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2022-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理プログラム |
JP7026086B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2022-02-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の洗浄方法 |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
JP2021166238A (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び熱処理装置 |
JP7361005B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2023-10-13 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板保持具、半導体装置の製造方法、及び、プログラム |
CN113457869B (zh) * | 2021-09-01 | 2021-11-16 | 苏州好博医疗器械股份有限公司 | 一种蒸汽喷射设备的喷头保护装置 |
WO2024062663A1 (ja) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ガス供給ユニット、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06349747A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-22 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH07221088A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JPH08186103A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜の堆積装置 |
JP2000096242A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-04 | Shimadzu Corp | 液体材料気化装置 |
JP2001230246A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 半導体の熱酸化方法および熱酸化装置 |
JP2007100207A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Lintec Co Ltd | 低温度で液体原料を気化させることのできる液体原料の気化方法および該方法を用いた気化器 |
WO2009101953A1 (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Ulvac, Inc. | 蒸気発生装置、蒸着装置 |
WO2011040067A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
Family Cites Families (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4062318A (en) * | 1976-11-19 | 1977-12-13 | Rca Corporation | Apparatus for chemical vapor deposition |
US4401689A (en) * | 1980-01-31 | 1983-08-30 | Rca Corporation | Radiation heated reactor process for chemical vapor deposition on substrates |
JPS61191015A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体の気相成長方法及びその装置 |
US4963423A (en) * | 1987-10-08 | 1990-10-16 | Anelva Corporation | Method for forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means |
JPH0286123A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Toshiba Corp | 半導体熱処理装置 |
US5324920A (en) * | 1990-10-18 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Sagami Limited | Heat treatment apparatus |
US5318633A (en) * | 1991-03-07 | 1994-06-07 | Tokyo Electron Sagami Limited | Heat treating apparatus |
JP3250843B2 (ja) * | 1991-08-20 | 2002-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
JPH05136093A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-06-01 | Ramuko Kk | プラズマリアクター |
JP3230836B2 (ja) * | 1992-04-09 | 2001-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3125199B2 (ja) * | 1993-03-18 | 2001-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
US5387803A (en) * | 1993-06-16 | 1995-02-07 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Piezo-optical pressure sensitive switch with porous material |
JPH0864532A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Kokusai Electric Co Ltd | 減圧cvd装置 |
JPH0888192A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Touyoko Kagaku Kk | 縦型高速熱処理装置 |
JP3498811B2 (ja) * | 1994-10-20 | 2004-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3493530B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2004-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3423131B2 (ja) | 1995-11-20 | 2003-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理装置 |
JP3110316B2 (ja) * | 1996-07-25 | 2000-11-20 | 日本電気株式会社 | 外部燃焼酸化装置 |
US6005225A (en) * | 1997-03-28 | 1999-12-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus |
US20030049372A1 (en) * | 1997-08-11 | 2003-03-13 | Cook Robert C. | High rate deposition at low pressures in a small batch reactor |
US6352593B1 (en) * | 1997-08-11 | 2002-03-05 | Torrex Equipment Corp. | Mini-batch process chamber |
JPH11354516A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Sony Corp | シリコン酸化膜形成装置及びシリコン酸化膜形成方法 |
US6255231B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for forming a gate oxide layer |
US6310328B1 (en) * | 1998-12-10 | 2001-10-30 | Mattson Technologies, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
US6475284B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-11-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas dispersion head |
JP3598032B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2004-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット |
TW546399B (en) * | 2000-02-15 | 2003-08-11 | Macronix Int Co Ltd | Vertical low-pressure chemical vapor deposition furnace |
KR100560867B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2006-03-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 산화방법 및 산화시스템 |
TW578214B (en) * | 2000-05-29 | 2004-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Method of forming oxynitride film or the like and system for carrying out the same |
CA2349147A1 (en) * | 2000-05-29 | 2001-11-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Manufacture of optical waveguide substrate |
JP2001351871A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Asm Japan Kk | 半導体製造装置 |
JP2003068665A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アンチモン拡散炉およびアンチモン拡散方法 |
JP3973477B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2007-09-12 | シャープ株式会社 | 画像表示装置 |
US20070243317A1 (en) * | 2002-07-15 | 2007-10-18 | Du Bois Dale R | Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber |
JP4110244B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2008-07-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素系耐熱多孔質構造材及びその製造方法 |
JP2004152845A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP3965167B2 (ja) * | 2003-07-04 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US20050121145A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-06-09 | Du Bois Dale R. | Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors |
TW200525636A (en) * | 2003-11-20 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Oxidation method and oxidation system for workpieces |
JP4586544B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
JP4609098B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2011-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
JP5032982B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2012-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
WO2007013355A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100950681B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2010-03-31 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 기판의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조방법 |
WO2007099786A1 (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2007226092A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 光学素子の製造方法及びプロジェクタの製造方法並びに光学素子及びプロジェクタ |
JP4438850B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、このクリーニング方法及び記憶媒体 |
US7605095B2 (en) * | 2007-02-14 | 2009-10-20 | Tokyo Electron Limited | Heat processing method and apparatus for semiconductor process |
JP5176423B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 石英製品のベーク方法及び記憶媒体 |
JP5128874B2 (ja) * | 2007-08-16 | 2013-01-23 | 株式会社リコー | 縦型熱処理装置 |
JP2009132961A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP5610679B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-10-22 | 栗田工業株式会社 | 液体加熱器および液体加熱方法 |
JP5102744B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-12-19 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ルツボ製造用モールド |
JP5102179B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 熱伝導性組成物およびその製造方法 |
JP2010140947A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5518499B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2014-06-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 |
JP5247528B2 (ja) | 2009-02-23 | 2013-07-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びガス導入手段 |
JP4944228B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2012-05-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US8068524B1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-11-29 | Pranalytica, Inc. | Submounts for Semiconductor Lasers |
JP5477955B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-04-23 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置および半導体装置の製造方法 |
US8882284B2 (en) * | 2010-03-03 | 2014-11-11 | Cree, Inc. | LED lamp or bulb with remote phosphor and diffuser configuration with enhanced scattering properties |
US9057511B2 (en) * | 2010-03-03 | 2015-06-16 | Cree, Inc. | High efficiency solid state lamp and bulb |
JP2011216862A (ja) | 2010-03-16 | 2011-10-27 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
KR101313262B1 (ko) * | 2010-07-12 | 2013-09-30 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법 |
JP5562188B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101559022B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2015-10-08 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 기판 열처리 기구 |
US9018567B2 (en) * | 2011-07-13 | 2015-04-28 | Asm International N.V. | Wafer processing apparatus with heated, rotating substrate support |
CN103828076B (zh) * | 2011-08-01 | 2017-07-07 | 四国计测工业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6038043B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6125846B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-05-10 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP5967845B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-08-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
KR101750633B1 (ko) * | 2012-07-30 | 2017-06-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
JP6199019B2 (ja) * | 2012-10-09 | 2017-09-20 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 精密鋳造用鋳型の製造方法 |
US20150364667A1 (en) * | 2013-01-18 | 2015-12-17 | United Technologies Corporation | Combined ceramic matrix composite and thermoelectric structure for electric power generation |
KR20150119293A (ko) * | 2013-03-26 | 2015-10-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
WO2014183028A2 (en) * | 2013-05-10 | 2014-11-13 | Timofeeva Elena V | Rechargeable nanoelectrofuel electrodes and devices for high energy density flow batteries |
JP2014225574A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 住友電気工業株式会社 | キャパシタおよびその充放電方法 |
JP6068633B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び炉口蓋体 |
US10273395B2 (en) * | 2013-06-26 | 2019-04-30 | Lg Electronics Inc. | Heat discharging sheet and method for manufacturing the same |
WO2015030239A1 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | 日本碍子株式会社 | 熱ダイオード |
JP2016033107A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 相分離ガラス膜の製造方法、多孔質ガラス膜の製造方法、ガラス部材、撮像装置 |
US20160141866A1 (en) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | Novum Industria Llc | Fins And Foams Heat Exchangers With Phase Change For Cryogenic Thermal Energy Storage And Fault Current Limiters |
JP6777388B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2020-10-28 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池 |
-
2013
- 2013-07-26 KR KR1020157002480A patent/KR101750633B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-26 JP JP2014528118A patent/JP5792390B2/ja active Active
- 2013-07-26 WO PCT/JP2013/070341 patent/WO2014021220A1/ja active Application Filing
- 2013-07-26 CN CN201380040677.1A patent/CN104520975B/zh active Active
- 2013-07-30 TW TW102127259A patent/TWI554641B/zh active
-
2014
- 2014-12-08 JP JP2014248060A patent/JP5778846B2/ja active Active
- 2014-12-08 JP JP2014248026A patent/JP5778845B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-29 US US14/608,937 patent/US9816182B2/en active Active
- 2015-08-04 JP JP2015154389A patent/JP2015233157A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06349747A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-22 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 薄膜形成方法 |
JPH07221088A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JPH08186103A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜の堆積装置 |
JP2000096242A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-04 | Shimadzu Corp | 液体材料気化装置 |
JP2001230246A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 半導体の熱酸化方法および熱酸化装置 |
JP2007100207A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Lintec Co Ltd | 低温度で液体原料を気化させることのできる液体原料の気化方法および該方法を用いた気化器 |
WO2009101953A1 (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Ulvac, Inc. | 蒸気発生装置、蒸着装置 |
WO2011040067A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | シーケーディ株式会社 | 液体気化システム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101891659B1 (ko) * | 2016-10-14 | 2018-08-24 | (주)피앤테크 | 전력 반도체용 초고온 열처리 공정 장비 개발에 대한 단열 플레이트가 구비되는 튜브 매립형 소성로 |
WO2023026412A1 (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 株式会社Kokusai Electric | 基板支持具、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5778845B2 (ja) | 2015-09-16 |
JP2015097270A (ja) | 2015-05-21 |
JP5792390B2 (ja) | 2015-10-14 |
TWI554641B (zh) | 2016-10-21 |
WO2014021220A1 (ja) | 2014-02-06 |
CN104520975A (zh) | 2015-04-15 |
US9816182B2 (en) | 2017-11-14 |
JP2015233157A (ja) | 2015-12-24 |
TW201425638A (zh) | 2014-07-01 |
JP5778846B2 (ja) | 2015-09-16 |
KR20150031453A (ko) | 2015-03-24 |
CN104520975B (zh) | 2018-07-31 |
US20150140835A1 (en) | 2015-05-21 |
KR101750633B1 (ko) | 2017-06-23 |
JPWO2014021220A1 (ja) | 2016-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5778846B2 (ja) | 気化装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6417052B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP6038043B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP6457104B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
US9587313B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium | |
WO2014157210A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体 | |
JP6038288B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP6151789B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
WO2019180906A1 (ja) | 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
WO2016199193A1 (ja) | 気化装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20150128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5778846 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |