JP5247528B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びガス導入手段 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法に関する。

高密度化が進むＤＲＡＭ等の半導体装置では、ゲート絶縁膜やキャパシタ絶縁膜として、例えばハフニウム（Ｈｆ）元素やジルコニウム（Ｚｒ）元素を含む高誘電率膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）が用いられるようになってきた。例えば、１．６ｎｍのＨｆＯ_２膜は、４．５ｎｍのＳｉＯ_２膜と同程度の高い誘電率を得ることができるためである。Ｈｆ元素やＺｒ元素を含む高誘電率膜を形成する方法として、例えばＴＥＭＡＨ（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_３］_４：テトラキスメチルエチルアミノハフニウム）やＴＥＭＡＺ（Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_３］_４：テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム）等の有機系化合物（液体原料）を気化器により気化させることにより生成した気化ガスと、オゾン（Ｏ_３）ガス等の酸化ガスとを、シリコンウエハ等の基板を収容した処理室内に交互に供給するＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等が用いられるようになってきた。

ＴＥＭＡＨやＴＥＭＡＺ等の有機系化合物を用いて高誘電率膜を形成すると、気化器内に炭化物が残留したり、気化器内と処理室内とを結ぶ配管内に気化ガスの酸化物が形成されたりする場合があった。これら炭化物や酸化物は、半導体装置の製造歩留りを悪化させるパーティクル（異物）の発生要因となり得る。また、ＴＥＭＡＨやＴＥＭＡＺといった有機系化合物は、水分と反応し易い性質がある。そのため、気化器や配管を交換等した後、水分除去のために実施する気化器内や配管内のパージが不十分であったり、気化器や配管の加熱にムラがあったりすると、気化器内や配管内に残留している水分と有機系化合物とが反応してパーティクルが発生してしまう場合があった。

気化器内や配管内に生じたパーティクルの処理室内への拡散を抑制するため、従来の基板処理装置においては、気化器と処理室とを結ぶ配管にフィルタが設けられていた。しかしながら、係る構成では、フィルタを交換する際に気化器内や配管内が大気に曝されてしまい、これらの内壁に水分が付着してしまい、パーティクルの発生を招いてしまう場合があった。フィルタの交換に伴い、大気に曝される一部の配管部材等を併せて交換する方法も考えられる。しかしながら、かかる方法では、フィルタの交換作業に要する時間の増大やコストの増加が課題となる。特に、配管部材等の交換に際しては、配管周辺に設けられている加熱用ヒータ等の脱着も併せて必要となる場合があるため、フィルタの交換作業に要する時間の増大やコストの増加が課題となる。

本発明は、処理室内へのパーティクルの拡散を抑制し、フィルタの交換に要するコストを低減することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、前記ガス導入手段は、前記処理室内に配設されるガス導入ノズルと、
前記ガス導入ノズルの先端に接続され、前記処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、前記ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、前記処理ガスは、前記ガス導入ノズルから前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入され、前記ガス導入口から前記処理室内に導入されることを特徴とする基板処理装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、前記処理室から基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
さらに、本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、前記処理室から基板を搬出する工程と、を有する基板処理方法が提供される。

本発明に係る基板処理装置によれば、処理室内へのパーティクルの拡散を抑制し、フィルタの交換に要するコストを低減することが可能となる。

本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は処理炉の横断面概略図をそれぞれ示している。 本発明の一実施形態にかかる気化ガスノズル及びその周辺の部分拡大図である。 本発明の一実施形態にかかるフィルタの概略構成図である。 従来の気化ガスノズル及びその周辺の部分拡大図である。

（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１の構成例について、図１を用いて説明する。

図１に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１０１は筐体１１１を備えている。シリコン等からなるウエハ（基板）２００を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ２００を収納するウエハキャリア（基板収納容器）としてのカセット１１０が使用される。筐体１１１内側の前方（図中の右側）には、カセットステージ（基板収納容器受渡し台）１１４が設けられている。カセット１１０は、図示しない工程内搬送装置によってカセットステージ１１４上に載置され、また、カセットステージ１１４上から筐体１１１外へ搬出されるように構成されている。

カセット１１０は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させ、カセット１１０内のウエハ２００を水平姿勢とさせ、カセット１１０のウエハ出し入れ口を筐体１１１内の後方を向かせることが可能なように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収納容器載置棚）１０５が設置されている。カセット棚１０５には、複数段、複数列にて複数個のカセット１１０が保管されるように構成されている。カセット棚１０５には、後述するウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。また、カセットステージ１１４の上方には、予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。

カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置（基板収納容器搬送装置）１１８が設けられている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収納容器昇降機構）１１８ａと、カセット１１０を保持したまま水平移動可能な搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収納容器搬送機構）１１８ｂと、を備えている。これらカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連携動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、予備カセット棚１０７、移載棚１２３の間で、カセット１１０を搬送するように構成され
ている。

カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設けられている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、を備えている。なお、ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００を水平姿勢で保持するツイーザ（基板移載用治具）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連携動作により、ウエハ２００を移載棚１２３上のカセット１１０内からピックアップして後述するボート（基板支持部材）２１７へ装填（チャージング）したり、ウエハ２００をボート２１７から脱装（ディスチャージング）して移載棚１２３上のカセット１１０内へ収納したりするように構成されている。

筐体１１１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部には開口が設けられ、かかる開口は炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。なお、処理炉２０２の構成については後述する。

処理炉２０２の下方には、ボート２１７を昇降させて処理炉２０２内外へ搬送する昇降機構としてのボートエレベータ（基板支持部材昇降機構）１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が設けられている。アーム１２８上には、ボート２１７を垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が上昇したときに処理炉２０２の下端部を気密に閉塞する蓋体としてのシールキャップ２１９が水平姿勢で設けられている。主に、ウエハ移載機構１２５（ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ、ツイーザ１２５ｃ）、ボートエレベータ１１５、アーム１２８により、少なくとも１枚のウエハ２００を処理室２０１内外に搬入出する搬入出手段が構成される。

ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ２００を、水平姿勢で、かつその中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の詳細な構成については後述する。

カセット棚１０５の上方には、供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット１３４ａが設けられている。クリーンユニット１３４ａは、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。

また、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給ファンと防塵フィルタとを備えたクリーンユニット（図示せず）が設置されている。図示しない前記クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａ及びボート２１７の周囲を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるように構成されている。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０１の動作について説明する。

まず、カセット１１０が、図示しない工程内搬送装置によって、ウエハ２００が垂直姿勢となりカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、カセットステージ１１４上に載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させられる。その結果、カセット１１０内のウエハ２００は水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口は筐体１１１内の後
方を向く。

カセット１１０は、カセット搬送装置１１８によって、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡されて一時的に保管された後、カセット棚１０５又は予備カセット棚１０７から移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。

カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、ウエハ出し入れ口を通じてカセット１１０からピックアップされ、ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの連続動作によって移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載機構１２５は、カセット１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、ウエハ２００群を保持したボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）される。ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後は、ウエハ２００およびカセット１１０は、上述の手順とは逆の手順で筐体１１１の外部へ払出される。

（３）処理炉の構成
続いて、本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図面を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉２０２の概略構成図であり、（ａ）は処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は図２（ａ）に示す処理炉２０２の横断面概略図をそれぞれ示している。

（処理室）
本発明の一実施形態にかかる処理炉２０２は、反応管２０３とマニホールド２０９とを有している。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ_２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性を有する非金属材料から構成され、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状となっている。マニホールド２０９は、例えばＳＵＳ等の金属材料から構成され、上端部及び下端部が開放された円筒形状となっている。反応管２０３は、マニホールド２０９により下端部側から縦向きに支持されている。反応管２０３とマニホールド２０９とは、同心円状に配置されている。マニホールド２０９の下端部は、上述したボートエレベータ１１５が上昇した際に、シールキャップ２１９により気密に封止されるように構成されている。マニホールド２０９の下端部とシールキャップ２１９との間には、処理室２０１内を気密に封止するＯリングなどの封止部材２２０が設けられている。

反応管２０３及びマニホールド２０９の内部には、基板としてのウエハ２００が収容される処理室２０１が形成されている。処理室２０１内には、基板保持具としてのボート２１７が下方から挿入されるように構成されている。反応管２０３及びマニホールド２０９の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外径よりも大きくなるように構成されている。

ボート２１７は、複数枚（例えば７５枚から１００枚）のウエハ２００を、略水平状態で所定の隙間（基板ピッチ間隔）をもって多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、ボート２１７からの熱伝導を遮断する断熱キャップ２１８上に搭載されている。断熱キャップ２１８は、回転軸２５５により下方から支持されている。回転軸２５５は
、処理室２０１内の気密を保持しつつ、シールキャップ２１９の中心部を貫通するように設けられている。シールキャップ２１９の下方には、回転軸２５５を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７により回転軸２５５を回転させることにより、処理室２０１内の気密を保持したまま、複数のウエハ２００を搭載したボート２１７を回転させることが出来るように構成されている。

反応管２０３の外周には、反応管２０３と同心円状に加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は円筒形状であり、図３に示す保持板としてのヒータベース２０７ａに支持されることにより垂直に据え付けられている。

（気化ガス供給系）
マニホールド２０９には、気化ガスノズル２３３ａが設けられている。気化ガスノズル２３３ａは、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。気化ガスノズル２３３ａの垂直部は、反応管２０３の内壁に沿うように鉛直方向に配設されている。気化ガスノズル２３３ａの垂直部側面（筒部）には、処理室２０１内に処理ガスとしての気化ガスを導入するガス導入口としての気化ガス供給孔２４８ａが、鉛直方向に複数設けられている。気化ガス供給孔２４８ａの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。気化ガスノズル２３３ａの水平部は、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。

マニホールド２０９の側壁から突出した気化ガスノズル２３３ａの水平端部（上流側）には、処理ガスとしての気化ガスを処理室２０１内へ供給する気化ガス供給管２４０ａが接続されている。気化ガス供給管２４０ａの上流側には、気化器２６０が接続されている。気化器２６０は図示しない圧力容器を備えている。圧力容器の内部には、所定の温度雰囲気に加熱される気化空間が形成されている。気化空間内には液体原料が供給されるように構成されている。圧力容器の外周には、気化空間を加熱する図示しない通電加熱ヒータが設けられている。通電加熱ヒータにより気化空間が所定の温度雰囲気に加熱されると、気化空間内に供給された液体原料が気化されて、気化ガス（原料ガス）が生成されるように構成されている。気化ガス供給管２４０ａには開閉バルブ２４１ａが設けられている。開閉バルブ２４１ａを開けることにより、気化器２６０にて生成された気化ガスが処理室２０１内へ供給されるように構成されている。

気化器２６０の上流側には、気化器２６０の気化空間内に液体原料を供給する液体原料供給管２４０ｃと、気化器２６０の気化空間内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２４０ｆと、がそれぞれ接続されている。

液体原料供給管２４０ｃの上流側は、液体原料としてのＴＥＭＡＨやＴＥＭＡＺ等の有機系化合物を貯留する液体原料供給タンク２６６に接続されている。液体原料供給管２４０ｃの上流側端部は、液体原料供給タンク２６６内に貯留された液体原料内に浸されている。液体原料供給管２４０ｃには、上流側から順に、開閉バルブ２４３ｃ、液体流量コントローラ（ＬＭＦＣ）２４２ｃ、開閉バルブ２４１ｃが設けられている。

液体原料供給タンク２６６の上面部には、Ｈｅガス等の不活性ガスを供給する圧送ガス供給管２４０ｄが接続されている。圧送ガス供給管２４０ｄの上流側は、圧送ガスとしてのＨｅガス等の不活性ガスを供給する図示しない圧送ガス供給源に接続されている。圧送ガス供給管２４０ｄには、開閉バルブ２４１ｄが設けられている。開閉バルブ２４１ｄを開けることにより液体原料供給タンク２６６内に圧送ガスが供給され、さらに開閉バルブ２４３ｃ、開閉バルブ２４１ｃを開けることにより、液体原料供給タンク２６６内の液体原料が気化器２６０へと圧送（供給）されるように構成されている。なお、気化器２６０への液体原料の供給流量（すなわち、気化器２６０で生成され処理室２０１内へ供給され
る気化ガスの流量）は、液体流量コントローラ２４２ｃによって制御可能なように構成されている。

キャリアガス供給管２４０ｆの上流側は、キャリアガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスを供給する図示しないキャリアガス供給源に接続されている。キャリアガス供給管２４０ｆには、上流から順に、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｆ、開閉バルブ２４１ｆが設けられている。開閉バルブ２４１ｆ及び開閉バルブ２４１ａを開けることにより気化器２６０にキャリアガスが供給され、気化ガスとキャリアガスとの混合ガスが気化ガス供給管２４０ａを介して処理室２０１内に供給されるように構成されている。気化器２６０内にキャリアガスを供給することにより、気化ガスの気化器２６０からの排出及び処理室２０１内への供給を促すことが可能となる。気化器２６０へのキャリアガスの供給流量（すなわち、処理室２０１内へのキャリアガスの供給流量）は、流量コントローラ２４２ｆによって制御可能なように構成されている。なお、本実施形態においては、気化器２６０に液体原料を供給していない時（気化ガスを生成していない時）であっても、気化器２６０に常に一定量のキャリアガスを供給し続けることができるように構成されている。

主に、気化ガスノズル２３３ａ、気化ガス供給孔２４８ａ、気化ガス供給管２４０ａ、気化器２６０、開閉バルブ２４１ａ、液体原料供給管２４０ｃ、キャリアガス供給管２４０ｆ、液体原料供給タンク２６６、開閉バルブ２４３ｃ、液体流量コントローラ２４２ｃ、開閉バルブ２４１ｃ、圧送ガス供給管２４０ｄ、図示しない圧送ガス供給源、開閉バルブ２４１ｄ、図示しないキャリアガス供給源、流量コントローラ２４２ｆ、開閉バルブ２４１ｆにより、本実施形態に係る気化ガス供給系が構成される。

（反応ガス供給系）
マニホールド２０９には、反応ガスノズル２３３ｂが設けられている。反応ガスノズル２３３ｂは、垂直部と水平部とを有するＬ字形状に構成されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部は、反応管２０３の内壁を沿うように鉛直方向に配設されている。反応ガスノズル２３３ｂの垂直部側面には、反応ガス供給孔２４８ｂが鉛直方向に複数設けられている。反応ガス供給孔２４８ｂの開口径は、それぞれ下部から上部にわたって同一とされていてもよく、下部から上部にわたって徐々に大きくされていてもよい。反応ガスノズル２３３ｂの水平部は、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。

マニホールド２０９の側壁から突出した反応ガスノズル２３３ｂの水平端部（上流側）には、反応ガスを処理室２０１内へ供給する反応ガス供給管２４０ｂが接続されている。反応ガス供給系としての反応ガス供給管２４０ｂの上流側には、反応ガスとしてのオゾン（Ｏ_３）ガス（酸化ガス）を生成するオゾナイザ２７０が接続されている。反応ガス供給管２４０ｂには、上流から順に、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｂ、開閉バルブ２４１ｂが設けられている。オゾナイザ２７０には、酸素ガス供給管２４０ｅが接続されている。酸素ガス供給管２４０ｅの上流側は、酸素（Ｏ_２）ガスを供給する図示しない酸素ガス供給源に接続されている。酸素ガス供給管２４０ｅには開閉バルブ２４１ｅが設けられている。開閉バルブ２４１ｅを開けることによりオゾナイザ２７０に酸素ガスが供給され、開閉バルブ２４１ｂを開けることによりオゾナイザ２７０にて生成されオゾンガスが反応ガス供給管２４０ｂを介して処理室２０１内へ供給されるように構成されている。なお、処理室２０１内へのオゾンガスの供給流量は、流量コントローラ２４２ｂによって制御することが可能なように構成されている。

主に、反応ガスノズル２３３ｂ、反応ガス供給孔２４８ｂ、反応ガス供給管２４０ｂ、オゾナイザ２７０、流量コントローラ２４２ｂ、開閉バルブ２４１ｂ、酸素ガス供給管２４０ｅ、図示しない酸素ガス供給源、開閉バルブ２４１ｅにより、本実施形態に係る反応
ガス供給系が構成される。

（ベント管）
気化ガス供給管２４０ａにおける気化器２６０と開閉バルブ２４１ａとの間には、気化ガスベント管２４０ｉの上流側が接続されている。気化ガスベント管２４０ｉの下流側は、後述する排気管２３１の下流側（後述するＡＰＣバルブ２３１ａと真空ポンプ２３１ｂとの間）に接続されている。気化ガスベント管２４０ｉには開閉バルブ２４１ｉが設けられている。開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉを開けることにより、気化器２６０における気化ガスの生成を継続したまま、処理室２０１内への気化ガスの供給を停止することが可能なように構成されている。気化ガスを安定して生成するには所定の時間を要するが、開閉バルブ２４１ａ、開閉バルブ２４１ｉの切り替え動作によって、処理室２０１内への気化ガスの供給・停止をごく短時間で切り替えることが可能なように構成されている。

同様に、反応ガス供給管２４０ｂにおけるオゾナイザ２７０と流量コントローラ２４２ｂとの間には、反応ガスベント管２４０ｊの上流側が接続されている。反応ガスベント管２４０ｊの下流側は、排気管２３１の下流側（ＡＰＣバルブ２３１ａと真空ポンプ２３１ｂとの間）に接続されている。反応ガスベント管２４０ｊには開閉バルブ２４１ｊが設けられている。開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊを開けることにより、オゾナイザ２７０によるオゾンガスの生成を継続したまま、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を停止することが可能なように構成されている。オゾンガスを安定して生成するには所定の時間を要するが、開閉バルブ２４１ｂ、開閉バルブ２４１ｊの切り替え動作によって、処理室２０１内へのオゾンガスの供給・停止をごく短時間で切り替えることが可能なように構成されている。

（パージガス供給管）
気化ガス供給管２４０ａにおける開閉バルブ２４１ａの下流側には、第１パージガス管２４０ｇの下流側が接続されている。第１パージガス管２４０ｇには、上流側から順に、Ｎ_２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｇ、開閉バルブ２４１ｇが設けられている。開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉ及び開閉バルブ２４１ｇを開けることにより、気化ガスの生成を継続したまま処理室２０１内への気化ガスの供給を停止すると共に、処理室２０１内へのパージガスの供給を開始することが可能なように構成されている。処理室２０１内へパージガスを供給することにより、処理室２０１内からの気化ガスの排出を促すことが可能となる。

同様に、反応ガス供給管２４０ｂにおける開閉バルブ２４１ｂの下流側には、第２パージガス管２４０ｈの下流側が接続されている。第２パージガス管２４０ｈには、上流側から順に、Ｎ_２ガス等の不活性ガスを供給する図示しないパージガス供給源、流量コントローラ（ＭＦＣ）２４２ｈ、開閉バルブ２４１ｈが設けられている。開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊ及び開閉バルブ２４１ｈを開けることにより、処理室２０１内へのオゾンガスの供給を停止すると共に、オゾンガスの生成を継続したまま処理室２０１内へのパージガスの供給を開始することが可能なように構成されている。処理室２０１内へパージガスを供給することにより、処理室２０１内からのオゾンガスの排出を促すことが可能となる。

（排気系）
マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が接続されている。排気管２３１には、上流側から順に、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整器としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２３１ａ、真空排気装置としての真空ポンプ２３１ｂが設けられている。真空ポン
プ２３１ｂを作動させつつ、ＡＰＣバルブ２４２の開閉弁の開度を調整することにより、処理室２０１内を所望の圧力とすることが可能なように構成されている。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２３１ａ、真空ポンプ２３１ｂにより、本実施形態に係る排気系が構成される。

（シールキャップ）
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持しており、回転機構２６７を作動させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に垂直に配置された昇降機構としてのボートエレベータ２１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１内外に搬送することが可能となっている。

（コントローラ）
制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、ヒータ２０７、ＡＰＣバルブ２３１ａ、真空ポンプ２３１ｂ、回転機構２６７、ボートエレベータ２１５、通電加熱ヒータ２６４、開閉バルブ２４１ａ，２４１ｂ，２４２ｃ，２４３ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈ，２４１ｉ，２４１ｊ、液体流量コントローラ２４２ｃ、流量コントローラ２４２ｂ、２４２ｆ、２４２ｇ、２４２ｈ等に接続されている。コントローラ２８０により、ヒータ２０７の温度調整動作、ＡＰＣバルブ２３１ａの開閉及び圧力調整動作、真空ポンプ２３１ｂの起動・停止、回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ２１５の昇降動作、開閉バルブ２４１ａ，２４１ｂ，２４２ｃ，２４３ｃ，２４１ｄ，２４１ｅ，２４１ｆ，２４１ｇ，２４１ｈ，２４１ｉ，２４１ｊの開閉動作、液体流量コントローラ２４２ｃ、流量コントローラ２４２ｂ，２４２ｆ，２４２ｇ，２４２ｈの流量調整等の制御が行われる。

（４）ガス導入手段
続いて、気化ガスノズル２３３ａ及びその周辺の詳細構造について、図面を参照しながら説明する。図３は、本発明の一実施形態にかかる気化ガスノズル２３３ａ及びその周辺の部分拡大図であり、図４は、本発明の一実施形態にかかるフィルタの概略構成図である。

図３に示すように、気化ガスノズル２３３ａは、処理室２０１内に配設されるガス導入ノズル３２５と、ガス導入ノズル３２５の先端に接続されるガス整流ノズル３４７と、を有している。ガス導入ノズル３２５は、マニホールド２０９の側壁を水平姿勢で貫通し、気化ガスノズル２３３ａの水平部を構成している。ガス導入ノズル３２５とマニホールド２０９側壁との間にはＯリング２０９ｃが設けられており、処理室２０１内の気密が確保されるように構成されている。ガス導入ノズル３２５の上流側は、マニホールド２０９の側壁外側に突出しており、気化ガス供給管２４０ａの下流端２３９ａに設けられた繋手部２３７ａと気密に勘合している。ガス導入ノズル３２５の下流端は、処理室２０１内にて垂直上方に向けて屈曲している。ガス導入ノズル３２５の下流端には、Ｏリング３５７を介してガス整流ノズル３４７の上流端が気密に接続されている。ガス整流ノズル３４７は、ガス導入ノズル３２５の下流端外周を囲うように設けられた締込キャップ３５６を締結させることでガス導入ノズル３２５に固定される。このように、ガス導入ノズル３２５と
ガス整流ノズル３４７との接続箇所は、処理室２０１内に設けられている。ガス整流ノズル３４７は、反応管２０３の内壁に沿うように鉛直方向に配設され、気化ガスノズル２３３ａの垂直部を構成している。ガス整流ノズル３４７の上端は閉塞しており、ガス整流ノズル３４７の筒部には上述の気化ガス供給孔２４８ａが鉛直方向に複数設けられている。

ガス導入ノズル３２５の上流側と気化ガス供給管２４０ａとの外周には、これらを囲うように配管ヒータ２３８ａが設けられている。配管ヒータ２３８ａは、気化ガスの供給経路であるガス導入ノズル３２５の上流側及び気化ガス供給管２４０ａ内がそれぞれ所定温度以上になるよう加熱して、気化ガスの再液化を抑制するように構成されている。また、ガス導入ノズル３２５の屈曲部の下方には、マニホールド２０９内壁に設けられた台座２０９ｂと、台座２０９ｂに設けられたネジ孔を鉛直方向に貫通する傾き調整ネジ２０９ａと、を備えたノズル傾き調整機構が設けられている。傾き調整ネジ２０９ａの高さを調整してその上端をガス導入ノズル３２５の屈曲部に下方から当接させることで、ガス整流ノズル３４７の傾き（気化ガス供給孔２４８ａとウエハ２００との距離）を調整可能なように構成されている。

ガス整流ノズル３４７の内部であって、ガス導入ノズル３２５とガス整流ノズル３４７との接続箇所には、フィルタ３４６が設けられている。フィルタ３４６は、図４に示すように円筒状に構成された金属円筒部３４６ｂと、金属円筒部３４６ｂの上端に気密に接続された円柱状のフィルタ部材３４６ａと、を備えている。ガス整流ノズル３４７の内径は、フィルタ３４６の最大外径よりも大きく構成されている。フィルタ３４６の下端（金属円筒部３４６ｂの下端外周）は、Ｏリング３５８を介してガス整流ノズル３４７の下流端内周に気密に接続されている。なお、ガス整流ノズル３４７の内壁とフィルタ３４６の外壁との間における気化ガスの流れ抵抗を低減させるため、ガス整流ノズル３４７の内径は、フィルタ３４６の最大外径よりも３ｍｍ以上大きく構成することが好ましい。又、処理室２０１内への気化ガスの供給流量に応じて、フィルタ部材３４６ａの長さや径を調整してフィルタの表面積（又は容積）を適宜調整することが好ましい。例えば、気化ガスの供給流量を増大させる場合には、フィルタ部材３４６ａの長さや径を大きくしてフィルタの表面積（又は容積）を確保することが好ましい。

ガス整流ノズル３４７から供給された気化ガスは、フィルタ３４６の金属円筒部３４６ｂ内に供給され、フィルタ部材３４６ａ内を介してガス整流ノズル３４７内に供給された後、気化ガス供給孔２４８ａから処理室２０１内に供給されるように構成されている。この際、気化器２６０内や気化ガス供給管２４０ａ内にて発生した炭化物や酸化物が、フィルタ３４６（フィルタ部材３４６ａ）にトラップされることにより、処理室２０１内にパーティクルが拡散されることが抑制される。

フィルタ部材３４６ａに目詰まりが生じると、処理室２０１内へ供給される気化ガスの流量が低下してしまう等の場合があるため、フィルタ３４６は定期的に交換することが好ましい。本実施形態では、ガス導入ノズル３２５とガス整流ノズル３４７との接続箇所が処理室２０１内に設けられているため、フィルタ３４６の交換を処理室２０１内にて行うことが可能である。すなわち、開閉バルブ２４１ａを閉めたまま、シールキャップ２１９を降下させ、締込キャップ３５６を緩めてガス導入ノズル３２５からガス整流ノズル３４７を引き抜いてフィルタ３４６を露出させることで、処理室２０１内にてフィルタ３４６の交換が容易に行えるように構成されている。フィルタ３４６の交換を処理室２０１内にて行うことで、気化ガス供給経路内（ガス導入ノズル３２５の上流端内、気化ガス供給管２４０ａ内等）が大気に曝されてしまうことを抑制でき、これらの内壁への水分の付着を抑制でき、パーティクルの発生を抑制できる。また、フィルタ３４６の交換に伴い、気化ガス供給系を構成する配管部材等の交換や配管ヒータ２３８ａの脱着が不要となり、フィルタ３４６の交換作業に要する時間を短縮でき、交換に要するコストを低減することが可
能となる。なお、フィルタ３４６の交換作業の際に処理室２０１内を不活性ガス等でパージし続けることにより、気化ガス供給経路内への大気の侵入を更に効果的に抑制できる。

主に、気化ガスノズル２３３ａ（ガス導入ノズル３２５、ガス整流ノズル３４７、気化ガス供給孔２４８ａ、締込キャップ３５６、Ｏリング３５７，３５８）、フィルタ３４６（金属円筒部３４６ｂ、フィルタ部材３４６ａ）、繋手部２３７ａ、Ｏリング２０９ｃ、配管ヒータ２３８ａ、台座２０９ｂ、傾き調整ネジ２０９ａにより、本実施形態に係るガス導入手段が構成される。

（５）基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態に係る基板処理工程について説明する。なお、本実施形態に係る基板処理工程は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の中の１つであるＡＬＤ法を用いてウエハ２００の表面に高誘電率膜を成膜する方法であり、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。

（基板搬入工程（Ｓ１０））
まず、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）する。そして、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ２１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）する。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。基板搬入工程（Ｓ１０）においては、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを開けて、処理室２０１内にパージガスを供給し続けることが好ましい。

（減圧及び昇温工程（Ｓ２０））
続いて、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを閉め、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、処理室２０１内を真空ポンプ２３１ｂにより排気する（Ｓ２０）。この際、処理室２０１内の圧力を圧力センサ２４５で測定して、この測定された圧力に基づき、ＡＰＣバルブ２３１ａの開度をフィードバック制御する。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０７によって加熱する（Ｓ２０）。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合をフィードバック制御する。また、気化ガス供給経路であるガス導入ノズル３２５の上流側及び気化ガス供給管２４０ａ内がそれぞれ所定温度以上になるように、配管ヒータ２３８ａによって加熱する。そして、回転機構２６７によりボート２１７を回転させ、ウエハ２００を回転させる。

（成膜工程（Ｓ３０））
続いて、成膜工程（Ｓ３０）を実施する。成膜工程（Ｓ３０）では、ウエハ２００上に気化ガスを供給する工程（Ｓ３１）と、処理室２０１内をパージする工程（Ｓ３２）と、ウエハ２００上に反応ガスを供給する工程（Ｓ３３）と、処理室２０１内をパージする工程（Ｓ３４）と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返す。

気化ガスを供給する工程（Ｓ３１）では、開閉バルブ２４１ｄを開けて、液体原料供給タンク２６６内に圧送ガスを供給する。そして、開閉バルブ２４３ｃ，２４１ｃを開け、液体原料供給タンク２６６内の液体原料（ＴＥＭＡＨやＴＥＭＡＺ等の有機系化合物）を気化空間内へと圧送（供給）する。そして、通電加熱ヒータにより気化空間が所定の温度雰囲気（例えば１２０℃から１５０℃）になるように加熱し、気化空間内に供給された液体原料を気化させて気化ガス（原料ガス）を生成する。また、開閉バルブ２４１ｆを開けて気化器２６０にキャリアガスを供給する。気化ガスが安定して生成されるまでは、開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉを開けて、気化ガスとキャリアガスとの混合
ガスを気化ガスベント管２４０ｉから排出しておく。気化ガスが安定して生成されるようになったら、開閉バルブ２４１ｉを閉め、開閉バルブ２４１ａを開けて、気化ガスとキャリアガスとの混合ガスを処理室２０１内へと供給する。その結果、積層されたウエハ２００間に混合ガスが供給され、ウエハ２００の表面に気化ガスのガス分子が吸着する。混合ガスの供給を所定時間継続したら、開閉バルブ２４１ａを閉め、開閉バルブ２４１ｉを開けて、気化ガスの生成を継続したまま処理室２０１内への混合ガスの供給を停止する。

処理室２０１内をパージする工程（Ｓ３２）では、開閉バルブ２４１ｇを開けて処理室２０１内へパージガスを供給し、処理室２０１内からの気化ガスの排出を促す。処理室２０１内の雰囲気がパージガスに置換されたら、開閉バルブ２４１ｇを閉めて処理室２０１内へのパージガスの供給を停止する。

ウエハ２００上に反応ガスを供給する工程（Ｓ３３）では、開閉バルブ２４１ｅを開けてオゾナイザ２７０に酸素ガスを供給し、反応ガスとしてのオゾンガスを生成する。反応ガスが安定して生成されるまでは、開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊを開けて、反応ガスを反応ガスベント管２４０ｊから排出しておく。反応ガスが安定して生成されるようになったら、開閉バルブ２４１ｊを閉め、開閉バルブ２４１ｂを開けて、反応ガスを処理室２０１内へ供給する。その結果、積層されたウエハ２００間に反応ガスが供給され、ウエハ２００の表面に吸着している気化ガスのガス分子と反応ガスとが化学反応し、ウエハ２００の表面に１原子層から数原子層のＨｆ元素やＺｒ元素を含む高誘電率膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）が生成される。反応ガスの供給を所定時間継続したら、開閉バルブ２４１ｂを閉め、開閉バルブ２４１ｊを開けて、反応ガスの生成を継続したまま処理室２０１内への反応ガスの供給を停止する。

処理室２０１内をパージする工程（Ｓ３４）では、開閉バルブ２４１ｈを開けて処理室２０１内へパージガスを供給し、処理室２０１内からの反応ガス及び反応生成物の排出を促す。処理室２０１内の雰囲気がパージガスに置換されたら、開閉バルブ２４１ｈを閉めて処理室２０１内へのパージガスの供給を停止する。

以上、ウエハ２００上に気化ガスを供給する工程（Ｓ３１）〜処理室２０１内をパージする工程（Ｓ３４）を１サイクルとして、このサイクルを所定回数繰り返すことにより、ウエハ２００上に所望の厚さの高誘電率膜を形成したら成膜工程（Ｓ３０）を終了する。なお、成膜工程（Ｓ３０）を実施すると、気化器２６０内部に炭化物が残留する。また、気化器２６０内と処理室２０１内とを結ぶ気化ガス供給管２４０ａ内等に気化ガスの酸化物が形成される。

（昇圧工程（Ｓ４０）、基板搬出工程（Ｓ５０））
続いて、ＡＰＣバルブ２３１ａの開度を小さくし、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを開けて、処理室２０１内の圧力が大気圧になるまで処理室２０１内にパージガスを供給する（Ｓ４０）。そして、基板搬入工程（Ｓ１０）と逆の手順により、成膜済のウエハ２００を処理室２０１内から搬出する（Ｓ５０）。基板搬出工程（Ｓ５０）においては、開閉バルブ２４１ｇ、開閉バルブ２４１ｈを開けて、処理室２０１内にパージガスを供給し続けることが好ましい。

（フィルタ交換工程（Ｓ６０））
上述したように、工程Ｓ１０〜Ｓ５０を実施すると、気化器２６０内に炭化物が残留し、気化器２６０内と処理室２０１内とを結ぶ気化ガス供給管２４０ａ内等に気化ガスの酸化物が形成される。フィルタ３４６（フィルタ部材３４６ａ）は、気化器２６０内や気化ガス供給管２４０ａ内にて発生した炭化物や酸化物をトラップし、処理室２０１内にパーティクルが拡散することを抑制するが、工程Ｓ１０〜Ｓ５０を繰り返し実施すると、トラ
ップされた炭化物や酸化物によりフィルタ部材３４６ａが目詰まりし、処理室２０１内へ供給される気化ガスの流量が低下してしまう等の場合がある。そのため、本実施形態では、フィルタ３４６（フィルタ部材３４６ａ）を交換する工程（Ｓ６０）を定期的に実施する。

フィルタを交換する工程（Ｓ６０）では、まず、開閉バルブ２４１ａ，２４１ｂを閉め、シールキャップ２１９を降下させる。そして、締込キャップ３５６を緩めてガス導入ノズル３２５からガス整流ノズル３４７を引き抜き、フィルタ３４６を露出させる。そして、フィルタ３４６（或いはフィルタ部材３４６ａ）を交換し、ガス整流ノズル３４７をガス導入ノズル３２５の上端に再び勘合させ、締込キャップ３５６を締結してガス整流ノズル３４７をガス導入ノズル３２５に固定する。なお、シールキャップ２１９を降下させている間は、開閉バルブ２４１ｇを開けて、処理室２０１内、気化ガス供給管２４０ａ内、及び気化ガスノズル２３３ａ内をパージガスでパージし、処理室２０１内や気化ガス供給経路内（気化ガス供給管２４０ａ内、気化ガスノズル２３３ａ内）への大気の侵入（これらの内壁への水分の付着）を抑制する。

（６）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態によれば、ガス導入ノズル３２５とガス整流ノズル３４７との接続箇所は、処理室２０１内に設けられている。そして、フィルタ３４６は、ガス整流ノズル３４７の内部であって、ガス導入ノズル３２５とガス整流ノズル３４７との接続箇所に設けられている。すなわち、フィルタ３４６の交換を処理室２０１内にて行うことが可能である。その結果、フィルタ３４６の際に、気化ガス供給経路内（ガス導入ノズル３２５の上流端内、気化ガス供給管２４０ａ内等）が大気に曝されてしまうことを抑制でき、これらの内壁への水分の付着を抑制でき、水分と有機系化合物とが反応してパーティクルが発生することを抑制できる。また、フィルタ３４６の交換に伴い、気化ガス供給系を構成する配管部材等の交換や配管ヒータ２３８ａの脱着が不要となり、フィルタ３４６の交換作業に要する時間を短縮でき、交換に要するコストを低減することが可能となる。また、パーティクルの発生を抑制できることから、フィルタ３４６の交換頻度を長くすることが出来、基板処理コストを低減させることが出来る。

参考までに、従来の基板処理装置におけるガス導入手段周辺の構成を図５に示す。図５に示すように、従来の基板処理装置におけるフィルタ３４６’は、処理室２０１’内に設けられておらず、気化ガス供給管２４０ａ’（処理室２０１’外）に設けられていた。このため、フィルタ３４６’を交換しようとすると、気化ガス供給管２４０ａ’内や気化ガス供給ノズル２３３ａ’内が大気に曝されてしまう。その結果、フィルタ３４６’の交換に伴い、大気に曝される一部の配管部材等を併せて交換する必要が生じ、更には加熱用ヒータ２３８ａ’等の脱着もあわせて行う必要が生じることとなる。その結果、フィルタの交換作業に時間を要し、交換に要するコストが増加してしまう。これに対しフィルタ３４６を処理室２０１内に設ける本実施形態に係る基板処理装置によれば、図５に例示する基板処理装置と比較して、フィルタの交換時間は例えば１／３程度にまで短縮でき、交換コストは例えば１／２程度にまで圧縮できる。

（ｂ）本実施形態によれば、フィルタを交換する工程（Ｓ６０）にてシールキャップ２１９を降下させている間は、開閉バルブ２４１ｇを開けて、処理室２０１内、気化ガスノズル２３３ａ内をパージガスでパージする。その結果、処理室２０１内や気化ガス供給経路内（気化ガスノズル２３３ａ内，気化ガス供給管２４０ａ内）への大気の侵入を更に効果的に抑制できる。

（ｃ）本実施形態によれば、フィルタ３４６が処理室２０１内（ウエハ２００に近い場所）に設けられている。すなわち、パーティクルのトラップはウエハ２００に近い位置で行われており、フィルタ３４６の下流側における反応ガスの供給経路が可能な限り短縮されている。これにより、パーティクルの低減効果が高まる。これに対し、図５に示すような従来の基板処理装置では、処理室２０１’外にフィルタ３４６’が設けられており、フィルタ３４６’の下流側における反応ガスの供給経路が相対的に長くなっている。そのため、処理室２０１’内に拡散してしまうパーティクルの量が、本実施形態において処理室２０１内に拡散してしまうパーティクルの量よりも多くなり易い。

（ｄ）本実施形態によれば、フィルタ３４６の最大外径に対するガス整流ノズル３４７の内径を調整することで、ガス整流ノズル３４７の内壁とフィルタ３４６の外壁との間における気化ガスの流れ抵抗を低減させ、処理室２０１内へ供給する気化ガスの流量を十分確保することができる。例えば、ガス整流ノズル３４７の内径を、フィルタ３４６の最大外径よりも３ｍｍ以上大きく構成することで、処理室２０１内へ供給する気化ガスの流量を十分確保することができる。

（ｅ）本実施形態によれば、フィルタ部材３４６ａの長さや径を調整してフィルタ部材３４６ａの表面積（又は容積）を適宜調整することで、処理室２０１内へ供給する気化ガスの流量を十分確保することができる。例えば、フィルタ部材３４６ａの長さや径を大きくしてフィルタ部材３４６ａの表面積（又は容積）を大きくすることで、処理室２０１内へ供給する気化ガスの流量を十分確保することができる。また、フィルタ部材３４６ａの表面積（又は容積）を調整することで、フィルタ３４６の交換周期を調整することができる。

（ｆ）本実施形態によれば、シールキャップ２１９を降下させた状態で、締込キャップ３５６を緩めてガス導入ノズル３２５からガス整流ノズル３４７を引き抜くことで、フィルタ３４６を容易に露出させることが出来る。そのため、フィルタ３４６の汚れ状態（目詰まりの度合い）を容易に確認することができる。

＜本発明の他の実施形態＞
例えば、上述の実施形態では、気化ガスと反応ガスとをウエハ２００上へ交互に供給するＡＬＤ法を実施する場合について説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。すなわち、液体原料を気化させた気化ガスを用いる限り、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の他の方法を実施する場合にも好適に適用可能である。また、本発明は、高誘電率膜を形成する場合に限定されず、窒化膜、酸化膜、金属膜、半導体膜等の他の膜を形成する基板処理装置にも好適に適用可能である。

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

本発明の一態様によれば、
基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、
前記ガス導入手段は、
前記処理室内に配設されるガス導入ノズルと、
前記ガス導入ノズルの先端に接続され、前記処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、
前記ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、 前記処理ガスは、前記
ガス導入ノズルから前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入され、前記ガス導入口から前記処理室内に導入される基板処理装置が提供される。

好ましくは、前記ガス整流ノズルの内径は前記フィルタの外径より大きい。

また好ましくは、前記処理ガスは液体原料を気化した気化ガスである。

また好ましくは、前記処理室内に導入する前記処理ガスの導入量に応じて前記フィルタの表面積（又は容積）が設定される。

本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
少なくとも１枚の前記基板を前記処理室内外に搬入出する搬入出手段と、
少なくとも１種の処理ガスを前記処理室内に導入するガス導入手段と、を有し、
前記ガス導入手段は、
少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入ノズルと、
前記ガス導入ノズルの先端に接続され、前記処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、
前記ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有する
基板処理装置が提供される。

好ましくは、前記ガス導入ノズルと前記ガス整流ノズルとの接続箇所が前記処理室内に設けられており、前記フィルタが前記処理室内にて交換可能なように構成されている。

２００ ウエハ
２０１ 処理室
２４８ａ 気化ガス供給孔（ガス導入口）
３２５ ガス導入ノズル
３４６ フィルタ
３４６ａ フィルタ部材

Claims (5)

1. 基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段を有し、
   前記ガス導入手段は、
   前記処理室内に配設されるガス導入ノズルと、
   前記ガス導入ノズルの先端に接続され、前記処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、
   前記ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、
   前記処理ガスは、前記ガス導入ノズルから前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入され、前記ガス導入口から前記処理室内に導入される
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記ガス整流ノズルの内径は前記フィルタの外径よりも大きい請求項１記載の基板処理装置。
3. 処理室内に基板を搬入する工程と、
   前記処理室内に配設され、内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、処理ガスを前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入し、前記ガス導入口から前記処理室内に当該処理ガスを導入して基板を処理する工程と、
   前記処理室から基板を搬出する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
4. 処理室内に基板を搬入する工程と、
   前記処理室内に配設され、内部にフィルタが配置されておりガス導入口を有するガス整流ノズルが先端に接続されたガス導入ノズルから、処理ガスを前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入し、前記ガス導入口から前記処理室内に当該処理ガスを導入して基板を処理する工程と、
   前記処理室から基板を搬出する工程と、
   を有する基板処理方法。
5. 基板を収容する処理室内に少なくとも１種の処理ガスを導入するガス導入手段であって、
   前記処理室内に配設されるガス導入ノズルと、
   前記ガス導入ノズルの先端に接続され、前記処理室内に処理ガスを導入するガス導入口を有するガス整流ノズルと、
   前記ガス整流ノズルの内部に配置されたフィルタと、を有し、
   処理ガスを、前記ガス導入ノズルから前記フィルタを介して前記ガス整流ノズルへ導入し、前記ガス導入口から前記処理室内に導入するガス導入手段。