JP3250843B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型拡散・ＣＶＤ装置
等半導体製造装置の炉口部温度制御に関するものであ
る。
等半導体製造装置の炉口部温度制御に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つとして縦型拡散装
置がある。これは図３に示す様に、立設した石英製の反
応管１の周囲をヒータ２で囲み、前記反応管１の内部を
所定の温度に加熱維持し、該反応管１にウェーハ３を装
入して、反応ガスを流通させ、ウェーハの表面処理を行
うものである。
置がある。これは図３に示す様に、立設した石英製の反
応管１の周囲をヒータ２で囲み、前記反応管１の内部を
所定の温度に加熱維持し、該反応管１にウェーハ３を装
入して、反応ガスを流通させ、ウェーハの表面処理を行
うものである。
【０００３】図３中、４は前記反応管１の内部の温度分
布を均一化する均熱管であり、前記反応管１には該反応
管１の上部に連通する反応ガス供給管５より反応ガスが
供給され、該反応管１の下部に連通した排出管６より排
出される様になっている。
布を均一化する均熱管であり、前記反応管１には該反応
管１の上部に連通する反応ガス供給管５より反応ガスが
供給され、該反応管１の下部に連通した排出管６より排
出される様になっている。
【０００４】又、前記ウェーハ３はボート７に多段に保
持された状態で、前記反応管１に装入されるが、該ボー
ト７は前記反応管１の炉口部分に装入されるキャップ８
に立設されており、該キャップ８の下端部に形成された
フランジ９は、前記反応管１の下端に形成された炉口フ
ランジ１０に気密に当接して前記反応管１を気密に閉塞
する。
持された状態で、前記反応管１に装入されるが、該ボー
ト７は前記反応管１の炉口部分に装入されるキャップ８
に立設されており、該キャップ８の下端部に形成された
フランジ９は、前記反応管１の下端に形成された炉口フ
ランジ１０に気密に当接して前記反応管１を気密に閉塞
する。
【０００５】図４に於いて、該炉口部の詳細を説明す
る。
る。
【０００６】前記反応管１は、装置の筐体１１に支持さ
れ、前記炉口フランジ１０はフランジ押え１２によって
前記筐体１１に固着されている。前記キャップ８は図示
しないボート装入装置の昇降装置のボート受台１３に載
置され、固定リング１４によって該ボート受台１３に固
定されている。前記フランジ９と炉口フランジ１０との
間にはシールリング１５が設けられている。
れ、前記炉口フランジ１０はフランジ押え１２によって
前記筐体１１に固着されている。前記キャップ８は図示
しないボート装入装置の昇降装置のボート受台１３に載
置され、固定リング１４によって該ボート受台１３に固
定されている。前記フランジ９と炉口フランジ１０との
間にはシールリング１５が設けられている。
【０００７】従来、該シールリング１５の焼損、劣化を
防止する為、前記フランジ押え１２、前記ボート受台１
３に冷却水路１６，１７を形成し、該冷却水路１６，１
７に冷却水を常時流通させ、前記シールリング１５を冷
却している。
防止する為、前記フランジ押え１２、前記ボート受台１
３に冷却水路１６，１７を形成し、該冷却水路１６，１
７に冷却水を常時流通させ、前記シールリング１５を冷
却している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】縦型拡散装置に於いて
シリコンウェーハの表面に酸化被膜を形成する方法とし
て、パイロジェニック酸化が行われている。該パイロジ
ェニック酸化は水素ガスと酸素ガスを流し、縦型炉の手
前で燃焼させ、高純度の水蒸気を炉内に供給し、該高純
度の水蒸気でシリコンウェーハ表面を酸化させるもので
あり、高清浄な酸化雰囲気を容易に得られる為、超高集
積回路の製造方法として普及している。
シリコンウェーハの表面に酸化被膜を形成する方法とし
て、パイロジェニック酸化が行われている。該パイロジ
ェニック酸化は水素ガスと酸素ガスを流し、縦型炉の手
前で燃焼させ、高純度の水蒸気を炉内に供給し、該高純
度の水蒸気でシリコンウェーハ表面を酸化させるもので
あり、高清浄な酸化雰囲気を容易に得られる為、超高集
積回路の製造方法として普及している。
【０００９】この様に、パイロジェニック酸化では水蒸
気が用いられるが、近年低温プロセス化が進み、更に前
記した炉口部が冷却されている為、炉口部で結露現象を
生じ、前記フランジ９に水２７が溜まってしまう。更に
ウェーハ処理の過程で重金属等不純物の除去、不活性化
を目的として供給するハロゲンガスが前記溜り水に溶融
し、シーケンス終了後蒸発して装置内金属表面を腐食す
るという問題が発生していた。
気が用いられるが、近年低温プロセス化が進み、更に前
記した炉口部が冷却されている為、炉口部で結露現象を
生じ、前記フランジ９に水２７が溜まってしまう。更に
ウェーハ処理の過程で重金属等不純物の除去、不活性化
を目的として供給するハロゲンガスが前記溜り水に溶融
し、シーケンス終了後蒸発して装置内金属表面を腐食す
るという問題が発生していた。
【００１０】本発明は斯かる実情を鑑み、炉口部の冷却
を行いつつ而も炉口部での結露現象を防止しようとする
ものである。
を行いつつ而も炉口部での結露現象を防止しようとする
ものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、下方よりウェ
ーハが装填されたボートが装入される反応室を有し、該
反応室の下端に炉口フランジが形成され、前記ボートを
ボート受台に載置し、前記炉口フランジと前記ボート受
台との間に少なくともシール材を介し前記反応室を気密
に閉塞する半導体製造装置に於いて、前記シール材の近
傍に該シール材を冷却する冷却路を形成し、更に該冷却
路近傍に前記反応室の炉口部を加熱するヒータを設け、
前記冷却路を流通する冷却剤の温度に基づき冷却剤の流
通量及びヒータの通電状態を制御し前記シール材の冷却
状態を制御するものである。
ーハが装填されたボートが装入される反応室を有し、該
反応室の下端に炉口フランジが形成され、前記ボートを
ボート受台に載置し、前記炉口フランジと前記ボート受
台との間に少なくともシール材を介し前記反応室を気密
に閉塞する半導体製造装置に於いて、前記シール材の近
傍に該シール材を冷却する冷却路を形成し、更に該冷却
路近傍に前記反応室の炉口部を加熱するヒータを設け、
前記冷却路を流通する冷却剤の温度に基づき冷却剤の流
通量及びヒータの通電状態を制御し前記シール材の冷却
状態を制御するものである。
【００１２】
【作用】冷却剤の温度に基づき、冷却剤による冷却状態
を制御することで、更に炉口部が目標温度より低い場合
は、ヒータの通電状態を制御して加熱を行うことで、炉
口部をシール材を損傷しない温度で而も水蒸気等の結露
を防止する。
を制御することで、更に炉口部が目標温度より低い場合
は、ヒータの通電状態を制御して加熱を行うことで、炉
口部をシール材を損傷しない温度で而も水蒸気等の結露
を防止する。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１４】図１、図２中、図３、図４中で示したもの
と同一機能を有するものは同符号を付してある。
と同一機能を有するものは同符号を付してある。
【００１５】前記ボート受台１３の下面、冷却水路１７
と対応する位置にヒータ２８を設け、該ヒータ２８はヒ
ータカバーによって覆う。該ヒータ２８は制御器３０に
よって駆動され、該制御器３０は主制御器２４によって
制御される様になっており、前記フランジ９を前記ヒー
タ２８によって加熱可能とする。
と対応する位置にヒータ２８を設け、該ヒータ２８はヒ
ータカバーによって覆う。該ヒータ２８は制御器３０に
よって駆動され、該制御器３０は主制御器２４によって
制御される様になっており、前記フランジ９を前記ヒー
タ２８によって加熱可能とする。
【００１６】前記フランジ押え１２の冷却水路１６を電
磁弁１９を介して冷却水源２０に接続し、前記ボート受
台１３の冷却水路１７を電磁弁２１を介して冷却水源２
０に接続する。
磁弁１９を介して冷却水源２０に接続し、前記ボート受
台１３の冷却水路１７を電磁弁２１を介して冷却水源２
０に接続する。
【００１７】前記電磁弁１９、電磁弁２１はそれぞれ制
御器２２、制御器２３によって駆動され、該制御器２
２、制御器２３は前記主制御器２４によって制御される
様になっている。前記冷却水路１６、冷却水路１７には
それぞれ冷却水温度検出器２５，冷却水温度検出器２６
が設けられ、該冷却水温度検出器２５、冷却水温度検出
器２６からの検出信号は前記主制御器２４に入力される
様になっている。又、該主制御器２４には冷却温度を設
定する為の、設定値Ａ，Ｂが入力されている。
御器２２、制御器２３によって駆動され、該制御器２
２、制御器２３は前記主制御器２４によって制御される
様になっている。前記冷却水路１６、冷却水路１７には
それぞれ冷却水温度検出器２５，冷却水温度検出器２６
が設けられ、該冷却水温度検出器２５、冷却水温度検出
器２６からの検出信号は前記主制御器２４に入力される
様になっている。又、該主制御器２４には冷却温度を設
定する為の、設定値Ａ，Ｂが入力されている。
【００１８】前記フランジ押え１２の冷却水路１６の冷
却水温度の設定値Ａは、５０℃、前記ボート受台１３の
冷却水路１７の冷却水温度の設定値Ｂは７０℃とする。
却水温度の設定値Ａは、５０℃、前記ボート受台１３の
冷却水路１７の冷却水温度の設定値Ｂは７０℃とする。
【００１９】以下、作動を説明する。
【００２０】前記冷却水温度検出器２５、冷却水温度検
出器２６からの温度検出信号により前記主制御器２４
は、常時冷却状態を監視し、監視温度が前記設定値Ａ，
Ｂよりも低い時には、それぞれ対応する電磁弁１９，２
１を閉塞し、冷却水による抜熱量を低下させる。又、監
視温度が前記設定値Ａ，Ｂよりも高い時には、それぞれ
対応する電磁弁１９，２１を開き冷却水を流通させ、フ
ランジ押え１２、ボート受台１３の冷却を強化する。
出器２６からの温度検出信号により前記主制御器２４
は、常時冷却状態を監視し、監視温度が前記設定値Ａ，
Ｂよりも低い時には、それぞれ対応する電磁弁１９，２
１を閉塞し、冷却水による抜熱量を低下させる。又、監
視温度が前記設定値Ａ，Ｂよりも高い時には、それぞれ
対応する電磁弁１９，２１を開き冷却水を流通させ、フ
ランジ押え１２、ボート受台１３の冷却を強化する。
【００２１】而して、前記電磁弁１９，２１を開閉制御
して、冷却水の流通、停止を間欠的に行うことで、フラ
ンジ押え１２、ボート受台１３の温度が一定となる様に
冷却状態を制御する。
して、冷却水の流通、停止を間欠的に行うことで、フラ
ンジ押え１２、ボート受台１３の温度が一定となる様に
冷却状態を制御する。
【００２２】更に、前記冷却水温度検出器２５，冷却水
温度検出器２６からの検出温度が低い場合には、前記主
制御器２４より前記制御器３０に駆動信号が発せられ、
前記制御器３０が前記ヒータ２８に通電して前記ボート
受台１３、フランジ９を加熱して前記冷却水温度検出器
２５，冷却水温度検出器２６からの検出温度が前記設定
温度となる様にする。而して、検出温度が設定値より低
かった場合に、迅速な昇温が可能となる。従って、前記
シールリング１５を焼損させることなく、又炉口下部に
結露現象を生じさせることがない。
温度検出器２６からの検出温度が低い場合には、前記主
制御器２４より前記制御器３０に駆動信号が発せられ、
前記制御器３０が前記ヒータ２８に通電して前記ボート
受台１３、フランジ９を加熱して前記冷却水温度検出器
２５，冷却水温度検出器２６からの検出温度が前記設定
温度となる様にする。而して、検出温度が設定値より低
かった場合に、迅速な昇温が可能となる。従って、前記
シールリング１５を焼損させることなく、又炉口下部に
結露現象を生じさせることがない。
【００２３】更に、前記主制御器２４に上限温度設定値
Ｃを入力し、前記冷却水路１６、冷却水路１７の冷却水
が前記上限温度設定値Ｃを越えると、前記電磁弁１９、
制御器２２のＯＮ／ＯＦＦ制御を停止し、又ヒータ２８
への通電を断状態とし、冷却水を連続的に流通させ、前
記シールリング１５の焼損を防止する。
Ｃを入力し、前記冷却水路１６、冷却水路１７の冷却水
が前記上限温度設定値Ｃを越えると、前記電磁弁１９、
制御器２２のＯＮ／ＯＦＦ制御を停止し、又ヒータ２８
への通電を断状態とし、冷却水を連続的に流通させ、前
記シールリング１５の焼損を防止する。
【００２４】尚、前記設定値Ａは、実験により求めたも
のであり、５０℃±１０℃で、又前記設定値Ｂは同様に
７０℃±１０℃の範囲で有効であり、前記上限温度設定
値Ｃは１００℃前後が適当であった。
のであり、５０℃±１０℃で、又前記設定値Ｂは同様に
７０℃±１０℃の範囲で有効であり、前記上限温度設定
値Ｃは１００℃前後が適当であった。
【００２５】又、上記実施例では冷媒として水を用いた
が、水以外の冷媒を用いてよいことは勿論である。更
に、温度検出を冷却水温度より検出したが炉口フランジ
１０、フランジ９等の部材に直接熱電対を設けて温度検
出を行ってもよい。
が、水以外の冷媒を用いてよいことは勿論である。更
に、温度検出を冷却水温度より検出したが炉口フランジ
１０、フランジ９等の部材に直接熱電対を設けて温度検
出を行ってもよい。
【００２６】更に、上記実施例は縦型拡散炉について説
明したが、ＣＶＤ装置についても同様に実施可能である
ことは言う迄もない。
明したが、ＣＶＤ装置についても同様に実施可能である
ことは言う迄もない。
【００２７】ＣＶＤ装置に於けるウェーハ処理では、Ｓ
i3Ｎ4 成膜時にＮＨ4 Ｃl が生成し、該ＮＨ4 Ｃl が炉
口部に付着してパーティクルの原因となりウェーハを汚
染する。ところがこのＮＨ4 Ｃl の炉口部への付着は炉
口部が１００℃以下に冷却された場合に生ずる。従っ
て、ＣＶＤ処理を行う場合は、前記前記設定値Ａ，Ｂを
１５０℃近傍の値とし、炉口部の温度が１５０℃近傍に
なる様に温度制御する。
i3Ｎ4 成膜時にＮＨ4 Ｃl が生成し、該ＮＨ4 Ｃl が炉
口部に付着してパーティクルの原因となりウェーハを汚
染する。ところがこのＮＨ4 Ｃl の炉口部への付着は炉
口部が１００℃以下に冷却された場合に生ずる。従っ
て、ＣＶＤ処理を行う場合は、前記前記設定値Ａ，Ｂを
１５０℃近傍の値とし、炉口部の温度が１５０℃近傍に
なる様に温度制御する。
【００２８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、下記の
優れた効果を発揮する。
優れた効果を発揮する。
【００２９】 炉口部の冷却機構、加熱機構を具備し
ているので迅速な温度制御が可能である。
ているので迅速な温度制御が可能である。
【００３０】 炉口部を所定の温度、即ちシール材が
焼損する以下の温度で、而も水蒸気の結露温度以上に保
持するので炉口部に水が溜まるという不具合を解消する
ことができる。
焼損する以下の温度で、而も水蒸気の結露温度以上に保
持するので炉口部に水が溜まるという不具合を解消する
ことができる。
【００３１】 炉口部の水溜まりを防止できるので、
腐食性ガスを使用しても炉口部の腐食を防止することが
できる。
腐食性ガスを使用しても炉口部の腐食を防止することが
できる。
【００３２】 ＮＨ4 Ｃl の炉口部への付着を防止で
き、パーティクルの発生を抑制することができる。
き、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００３３】 炉口部の汚染を防止することができる
ので、清浄作業を大幅に軽減することができる。
ので、清浄作業を大幅に軽減することができる。
【００３４】 炉口部の過冷却の防止、目標温度以下
の場合の迅速な昇温が可能であることから、炉口部から
の放熱を防止し得、炉内温度分布の安定化を図ることが
できる。
の場合の迅速な昇温が可能であることから、炉口部から
の放熱を防止し得、炉内温度分布の安定化を図ることが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示す制御ブロック図であ
る。
る。
【図２】同前一実施例の炉口部を示す断面図である。
【図３】縦型拡散・ＣＶＤ装置の概略を示す立面図であ
る。
る。
【図４】従来の炉口部の断面図である。
１ 反応管 ３ ウェーハ ７ ボート ８ キャップ ９ フランジ １０ 炉口フランジ １２ フランジ押え １３ ボート受台 １５ シールリング １６ 冷却水路 １７ 冷却水路 １９ 電磁弁 ２０ 冷却水源 ２１ 電磁弁 ２８ ヒータ ３０ 制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋田 敏也 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 泉 昭一郎 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 福田 重夫 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 佐藤 武敏 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 清水 純一 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 紙谷 健一 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 宮 博信 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際 電気株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−133728（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−129329（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−31975（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−99473（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−142876（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/22
Claims (1)
- 【請求項１】 下方よりウェーハが装填されたボートが
装入される反応室を有し、該反応室の下端に炉口フラン
ジが形成され、前記ボートをボート受台に載置し、前記
炉口フランジと前記ボート受台との間に少なくともシー
ル材を介し前記反応室を気密に閉塞する半導体製造装置
に於いて、前記シール材の近傍に該シール材を冷却する
冷却路を形成し、更に該冷却路近傍に前記反応室の炉口
部を加熱するヒータを設け、前記冷却路を流通する冷却
剤の温度に基づき冷却剤の流通量及びヒータの通電状態
を制御し前記シール材の冷却状態を制御することを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18045592A JP3250843B2 (ja) | 1991-08-20 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23218591 | 1991-08-20 | ||
| JP4-5470 | 1992-01-17 | ||
| JP547092 | 1992-01-17 | ||
| JP3-232185 | 1992-01-17 | ||
| JP18045592A JP3250843B2 (ja) | 1991-08-20 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259101A JPH05259101A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3250843B2 true JP3250843B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=27276761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18045592A Expired - Lifetime JP3250843B2 (ja) | 1991-08-20 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250843B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101750633B1 (ko) | 2012-07-30 | 2017-06-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP18045592A patent/JP3250843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05259101A (ja) | 1993-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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