JP6995902B2 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに基板処理プログラム - Google Patents
基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに基板処理プログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6995902B2 JP6995902B2 JP2020030713A JP2020030713A JP6995902B2 JP 6995902 B2 JP6995902 B2 JP 6995902B2 JP 2020030713 A JP2020030713 A JP 2020030713A JP 2020030713 A JP2020030713 A JP 2020030713A JP 6995902 B2 JP6995902 B2 JP 6995902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heating
- processing
- chamber
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
さらに、本開示は、移載室で基板支持具に移載した基板を加熱室に搬送して加熱するステップと、加熱した基板を加熱室に連通する移載室を通して処理室に搬送するステップと、処理室で加熱した基板を処理するステップとを含む基板処理プログラムを含む。
本実施形態に係る半導体製造装置は、半導体装置(デバイス)の製造方法における製造工程の一工程として熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置(以下、基板処理システムと称する)1として構成されている。図1に示すように、基板処理システム1は、基板10を処理するもので、IOステージ61、大気搬送室1200、ロードロック室1300、真空搬送室170、基板処理装置101で主に構成される。
基板処理システム1の手前には、IOステージ(ロードポート)61が設置されている。IOステージ61上には格納容器としてのポッド62が複数搭載可能に構成される。ポッド62はシリコン(Si)基板などの基板10を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド62内には、基板(ウエハ)10がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。なお、ポッド62内には、基板10が最大で25枚格納されている。
ロードロック室1300は大気搬送室1200に隣接する。ロードロック室1300を構成する筐体1310が有する面のうち、大気搬送室1200とは異なる面には、後述するように、真空搬送室170が配置される。ロードロック室1300は、大気搬送室1200の圧力と真空搬送室170の圧力に合わせて筐体1310内の圧力が変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。
基板処理システム1は、負圧下で基板10が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室(トランスファモジュール)170を備えている。真空搬送室170の各辺には、ロードロック室1300及び基板10を処理する基板処理装置101が連結されている。真空搬送室170の略中央部には、負圧下で基板10を移載(搬送)する真空搬送ロボットとしての移載機30がフランジ35を基部として設置されている。
基板処理装置101は、鉛直方向に延びた円筒形状の第1反応管110と、この第1反応管の内側に配置された第2反応管120で構成される反応管と、第1反応管110の外周に設置された第1加熱手段(炉体)としてのヒータ100を備える。反応管を構成する第1反応管110と第2反応管120とは、例えば石英やSiC等の材料で形成される。第1反応管110の内部は、外気に対して図示していない手段により気密にシールされる第2反応管120の内部は、処理室115を形成する。ここで、第1反応管110は、外筒,外管,アウターチューブとも呼ぶ。また、第2反応管120は、内筒,内管,インナーチューブとも呼ぶ。なお、ここでは、反応管を、第1反応管110と第2反応管120とで、構成した例を示すが、これに限るものでは無い。例えば、反応管を第1反応管110だけで構成しても、本開示の技術を適用することができる。
基板支持具としてのボート200は、断熱部150を介して支持ロッド160に支持されている。ボート200は、複数の円板201で仕切られた空間で支柱202に取り付けられた基板支持部203に基板10を載置することにより、複数枚、例えば5枚の基板10を垂直方向に多段に支持する。ボート200は、例えば石英やSiC等の材料で形成される。断熱部150とボート200とにより基板保持体が構成される。基板処理の際、ボート200は、図2に示すように、第2反応管120の内部に収納される。なお、ここでは、ボート200に5枚の基板10を支持した例を示すが、これに限るもので無い。例えば、基板10を5~50枚程度、支持可能にボート200を構成しても良い。なお、円板201はセパレータとも呼ぶ。
断熱部150は、上下方向の熱の伝導或いは伝達が小さくなるような構造を有する。また、断熱部150の内部に空洞を有する様に構成しても良い。なお、図に示す様に、断熱部150の下面には穴151を形成しても良い。この穴151を設けたことにより、断熱部150の内部と外部とに圧力差が生じないようにし、断熱部150の壁面厚くしなくてもよいようにしてある。
なお、断熱部150内には、キャップヒーター152を設けても良い。
チャンバ180は第2反応管120の下部に設置され、収納室300として移載室330と加熱室320を備えている。移載室330は、基板10をボート200に載置(搭載)や、取り出しが行われる空間として構成される。加熱室320は、ボート200に載置された基板10を加熱する空間として構成される。チャンバ180の下部には、支持ロッド160に支持された断熱部150が収納されている。
加熱室320は、ボート200や、後述の加熱部321によって、基板10を加熱する空間であり、移載室330の下方に設けられる。加熱室320には、図1~図6に示す様に、赤外線を透過する窓(例えば石英)310が形成されていても良い。この窓の外部には、長手方向を上下方向にそろえた複数のランプヒータで構成される加熱部321が設置されていても良い。なお、ここでは、加熱部321として、ランプヒータを用いる例を示すが、加熱部321の構成はこれに限るものでは無い。例えば、抵抗加熱ヒータであっても良い。また、図7、図8に示す様に、加熱部321と、窓310が無い構成としても良い。加熱部321や窓310を設けなくても、加熱されたボート200によって、基板10を加熱することが可能である。
移載室330においては、移載機30を用いて基板搬入口331を介してボート200に搭載された基板10をボート200から取り出し、新たな基板10をボート200に載置する。なお、基板搬入口331には、移載室330と、チャンバ180との間を隔離するゲートバルブ(GV)332が設けられている。
次に、上述の基板処理装置を用いて半導体装置(半導体デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜であって、例えばシリコン含有膜としてのシリコン酸化(SiO)膜を成膜する例について図2,図3,図10等を参照して説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置101を構成する各部の動作はコントローラ260により制御される。
まず、ヒータ100によって、処理室115内や、ボート200が成膜工程S204の所定温度に加熱される。この時ボート200は、図2に示す処理位置に配置した状態で行われる。所定温度に達した後、処理室115の内部が所望の圧力(真空度)となるように図示していない真空ポンプによって排気管140から真空排気する。なお、ヒータ100による処理室115内の加熱や、処理室115内の排気は、少なくとも基板10に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
続いて、基板搬入工程S201が行われる。基板搬入工程では、少なくとも、基板載置工程S201aと第1基板加熱工程S201bが行われる。
ここでは、基板載置工程S201aと第1基板加熱工程S201bとが並行して行われることとなる。
まず、基板載置工程S201aについて説明する。ボート200に基板10を載置、基板10が載置されたボート200を処理室に配置させる工程が行われる。具体的には、図2の状態から、ボート200の最も下側に設けられた、基板支持部203が、移載室330内に挿入された状態とする。1ピッチ(一つの基板が載置される基板支持部203)が移載室330内に挿入された状態とも呼ぶ。このとき、ボート200の大部分は、ヒータ100と対向し、加熱された状態となっている。この状態で、移載室330の基板搬入口331を介して移載機30からボート200の基板支持部203に基板10を載置する。これを、ボート200の基板支持部203の1ピッチ分下降(ボートダウン)させながら繰り返し行って、ボート200のすべての段の基板支持部203に基板10を載置する。なお、この動作は、ボートエレベータ40で支持ロッド160を移動させて行われる。
次に、第1基板加熱工程S201bについて、図3を用いて説明する。第1の基板加熱工程S201bは、上述の基板載置工程S201aで、ボート200に載置された基板10から順に行われることとなる。図3に示す様に、下から1ピッチ目に載置された基板10は、少なくとも、加熱されたボート200によって加熱される。この様に、基板10が加熱される工程を第1基板加熱工程S201bと呼ぶ。なお、このとき、ボート200に載置された基板10の昇温速度(昇温レート)を向上させるには、加熱部321を予めON状態として、加熱部321によって、基板10を加熱する様に構成する。第1基板加熱工程S201bは、ボート200のすべての段の基板支持部203に基板10が載置されるまで継続する。この工程において、基板10は、例えば、200~450℃程度の範囲の温度帯まで加熱される。
なお、ボート200を上昇させる前に、図10の破線で示す様に、第2基板加熱工程S202を行わせても良い。この工程は、例えば、基板10の昇温が遅い場合に行われる。第2基板加熱工程S202では、図4に示す状態で、所定時間待機させて、基板10を所定温度まで加熱させる工程である。例えば、基板10は、200~450℃程度の範囲の温度帯まで加熱される。
続いて、図示していないガス供給系統からノズル130を介して第2反応管120の内部に原料ガスを供給し、第2反応管120と第1反応管110との上側の隙間121及び下側の開口部122を通って、排気管140から図示していない排気ポンプにより外部に排気する。
基板10の表面に所望の厚さの薄膜が形成された後、雰囲気調整工程S204が行われる。図示していないガス供給系統からノズル130を介して第2反応管120の内部にN2ガスを供給し、排気管140から図示していない排気ポンプにより外部に排気することにより、処理室115内を不活性ガスでパージし、処理室115内に残留するガスや副生成物を処理室115内から除去する。
続いて、上述の成膜工程S203を未処理の新しい基板10に対して、繰り返し行わせるか否かの判定工程S205が行われる。未処理の基板10がある場合は、YES(Y)判定として、基板入れ替え工程S206aと第1加熱工程S206bが行われる。未処理の基板10が無い場合は、No(N)判定として、基板搬出工程S207が行われる。
その後、ボートエレベータ40を駆動して支持ロッド160を下降させ、図3に示すように、表面に所定の厚さの薄膜が形成された基板10を搭載したボート200を収納室300に搬送する。
基板搬出工程S207は、新しい基板10が無い場合に行われる。基板搬出工程S207の動作は、基板入れ替え工程S206aで、新しい基板10を載置しない様に構成される。
この様にして、本実施例の基板処理工程が行われる。
実施例1においては、加熱部321として複数のランプヒータを加熱室320の長手方向にそろえて配列した例を示したが、本変形例では、図5に示すように、リング状のランプヒータ322を、加熱室320の外周に沿って加熱室320の長手方向に複数配置する構成とした。実施例1と同じ構成部品については同じ番号を付して、重複した説明を避ける。
[変形例2]
第2の変形例として、図6に示すように、加熱室320を複数のブロックに分けて、各ブロックごとに加熱する温度を異ならせるように構成した。図6に示した例では、加熱室320を3つのブロック323-1,323-2,323-3に分けた例を示している。
第3の変形例として、図8に示す構成がある。図8は、チャンバ180の高さを他の図の構成よりも短くした構成である。具体的には、ボート200を、収納室300の下端まで移動させた時に、ボート200の最上部の基板支持部203が、基板搬入口331と面する様に構成している。この様に構成することにより、ボート200の上下方向のストローク長さを短くすることが可能となり、ボート200(基板10)の搬送時間を短縮することが可能となる。
[付記1]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、基板支持具にセパレータが設けられている基板処理装置。
[付記2]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、前記移載室の前記基板の面に対して垂直方向の長さは、前記加熱室の前記基板の面に対して垂直方向の長さよりも短く構成されている基板処理装置。
[付記3]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、前記加熱室の前記基板の面に対して垂直方向の長さは、少なくとも、前記基板支持具の前記基板載置領域の長さとなる様に構成されている基板処理装置。
[付記4]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、ボートダウンと、処理後の複数の基板と処理前の複数の基板との入れ替えを並行して行い、載置された処理前の基板を、順次加熱室で加熱する様に、加熱室の加熱部と、ボート昇降機構を制御する制御部を有する基板処理装置。
[付記5]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、ボートダウンと、処理後の複数の基板と処理前の複数の基板との入れ替えを並行して行い、載置された処理前の基板を、一括で加熱する様に、加熱室の加熱部と、ボート昇降機構を制御する制御部を有する基板処理装置。
[付記6]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、前記加熱室による加熱を継続してボートダウン、ボートローディングを行う基板処理装置。
[付記7]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、前記処理室側のヒータによる加熱を継続してボートダウン、ボートローディングを行う基板処理装置。
[付記8]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、移載室・加熱室・反応室は連通し、真空雰囲気に構成される基板処理装置。
[付記9]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、予備加熱の前(ボートのアンロードの前)から、ランプをONとし、加熱室を加熱する基板処理装置。
[付記10]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、加熱室にSiC部材を設けて加熱室をホットウォールの様に構成した基板処理装置。
[付記11]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、ボートアンローディング時に、反応室下部のヒータの制御を切り替える基板処理装置。
[付記12]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、ボートアンローディング時に、反応室下部のヒータを制御して、反応室下部のヒータの電力を固定又は減少させる基板処理装置。
[付記13]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、複数枚の基板の入れ替え終了後、ボートの回転を始める基板処理装置。
[付記14]
基板を処理する処理室と、処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載室と、前記移載室の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱室とを有し、ティーチングずれ抑制のため、加熱室は冷却する基板処理装置。
10・・・基板
30・・・移載機
40・・・ボートエレベータ
100・・・ヒータ
101・・・基板処理装置
110・・・第1反応管
120・・・第2反応管
130・・・ノズル
160・・・支持ロッド
170・・・真空搬送室
180・・・チャンバ
200・・・ボート
310・・・窓
320・・・加熱室
321・・・加熱部
330・・・移載室
331・・・基板搬入口。
Claims (20)
- 基板を処理する処理室と、
処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載空間と、
前記移載空間の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱空間と、
前記加熱空間に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板支持具を昇降させる昇降機構を有し、
前記基板支持具の下降と、処理後の基板と処理前の基板との入れ替えを交互に行い、載置された前記処理前の基板を、順次、前記加熱空間で加熱する様に、前記加熱部と、前記昇降機構とを制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記移載空間の前記基板の面に対して垂直方向の長さは、前記加熱空間の前記基板の面に対して垂直方向の長さよりも短く構成される
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記加熱空間の前記基板の面に対して垂直方向の長さは、少なくとも、前記基板支持具の前記基板を載置する領域の長さとなる様に構成される
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載空間と、
前記移載空間の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱空間と、
前記加熱空間に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板支持具を昇降させる昇降機構を有し、
前記基板支持具の下降と、複数の処理後の基板と複数の処理前の基板との入れ替えを交互に行い、載置された前記複数の処理前の基板を一括で加熱する様に、前記加熱部と、前記昇降機構とを制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載空間と、
前記移載空間の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱空間と、
前記加熱空間に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板支持具を昇降させる昇降機構と、前記処理室を加熱し、複数のゾーンを有するヒータと、を有し、
前記基板支持具を下降させた時に、前記ヒータの前記複数のゾーンの内、下部のゾーンに設けられたヒータの制御を切り替える様に前記昇降機構と前記ヒータを制御可能に構成された制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、前記基板支持具を下降させた時に、前記ヒータの前記複数のゾーンの内、下部のゾーンに設けられたヒータへの電力を固定又は減少させるように前記ヒータを制御可能に構成される
請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記基板支持具を回転させる回転機構と、
前記基板支持具への前記基板の入れ替え終了後、前記基板支持具の回転を始める様に前記回転機構を制御可能に構成される制御部と、
を有する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載空間と、
前記移載空間の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱空間と、
前記加熱空間に設けられ、前記基板を加熱する第1の加熱部と、
前記移載空間に設けられ、前記基板支持具の上部側を加熱する第2の加熱部と、を有する基板処理装置。 - 前記基板支持具への前記基板の入れ替え終了後に、前記第1の加熱部と前記第2の加熱部とをONにするよう制御可能に構成された制御部と、
を有する請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記移載空間と前記加熱空間と前記処理室は連通し、それぞれの空間を真空排気する排気部と、
を有する請求項1乃至9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
処理室の下方に連通し、前記処理室内に配置される基板支持具に前記基板を移載する移載空間と、
前記移載空間の下方に連通し、前記基板支持具と前記基板を加熱する加熱空間と、
前記加熱空間を構成する壁に設けられたSiC部材と、
を有する基板処理装置。 - 前記加熱空間は、冷却部を有する
請求項1乃至11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載する工程と、
(b)前記移載空間の下方に連通する加熱空間に設けられた加熱部で前記基板を加熱する工程と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて処理する工程と、
(d)前記(c)の後、前記基板支持具を下降させて、処理後の基板と処理前の基板との入れ替えを交互に行い、載置された前記処理前の基板を、順次、前記加熱空間で加熱する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載する工程と、
(b)前記移載空間の下方に連通する加熱空間に設けられた加熱部で前記基板を加熱する工程と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて、複数のゾーンを有するヒータで加熱し、処理する工程と、
(d)前記(c)の後、前記基板支持具を下降させた時に、前記ヒータの前記複数のゾーンの内、下部のゾーンに設けられたヒータの制御を切り替える工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載する工程と、
(b)前記移載空間の下方に連通する加熱空間に設けられた第一の加熱部と、前記移載空間で加熱する第2の加熱部とで前記基板を加熱する工程と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載する工程と、
(b)前記移載空間の下方に連通し、SiC部材を含む壁で構成された加熱空間にて、前記基板を加熱する工程と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載させる手順と、
(b)前記移載空間の下方に連通する加熱空間に設けられた加熱部で前記基板を加熱させる手順と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて処理させる手順と、
(d)前記(c)の後、前記基板支持具を下降させて、処理後の基板と処理前の基板との入れ替えを交互に行い、載置された前記処理前の基板を、順次、前記加熱空間で加熱する手順と
をコンピュータによって基板処理装置に実行させる基板処理プログラム。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載する手順と、
(b)前記移載空間の下方に連通する加熱空間に設けられた加熱部で前記基板を加熱する手順と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて、複数のゾーンを有するヒータで加熱し、処理する手順と、
(d)前記(c)の後、前記基板支持具を下降させた時に、前記ヒータの前記複数のゾーンの内、下部のゾーンに設けられたヒータの制御を切り替える手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させる基板処理プログラム。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載する手順と、
(b)前記移載空間の下方に連通する加熱空間に設けられた第一の加熱部でと、前記移載空間で加熱する第2の加熱部とで前記基板を加熱する手順と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて処理する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させる基板処理プログラム。 - (a)処理室の下方に連通する移載空間で、前記処理室内に配置される基板支持具に基板を移載する手順と、
(b)前記移載空間の下方に連通し、SiC部材を含む壁で構成された加熱空間にて、前記基板を加熱する手順と、
(c)前記(b)の後、前記基板を前記処理室に移動させて処理する工程と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させる基板処理プログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200032614A KR102375496B1 (ko) | 2019-03-22 | 2020-03-17 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법, 그리고 기판 처리 프로그램 |
US16/821,272 US11538716B2 (en) | 2019-03-22 | 2020-03-17 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
TW109109105A TWI770478B (zh) | 2019-03-22 | 2020-03-19 | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、記錄媒體及基板處理程式 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019055549 | 2019-03-22 | ||
JP2019055549 | 2019-03-22 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020161808A JP2020161808A (ja) | 2020-10-01 |
JP2020161808A5 JP2020161808A5 (ja) | 2020-11-12 |
JP6995902B2 true JP6995902B2 (ja) | 2022-01-17 |
Family
ID=72564078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020030713A Active JP6995902B2 (ja) | 2019-03-22 | 2020-02-26 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに基板処理プログラム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6995902B2 (ja) |
CN (1) | CN111725094B (ja) |
TW (1) | TWI770478B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023047499A1 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250781A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2003100736A (ja) | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05218176A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 熱処理方法及び被処理体の移載方法 |
JP3440685B2 (ja) * | 1996-04-11 | 2003-08-25 | ソニー株式会社 | ウエハ処理装置および処理方法 |
JP2013197232A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体。 |
KR101750633B1 (ko) * | 2012-07-30 | 2017-06-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
JP2014232816A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 |
KR101685095B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2016-12-09 | 주식회사 유진테크 | 기판 버퍼링 장치, 기판처리설비, 및 기판처리방법 |
CN107924825B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-12-24 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
JP6568127B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2019-08-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
-
2020
- 2020-02-26 JP JP2020030713A patent/JP6995902B2/ja active Active
- 2020-03-13 CN CN202010176554.2A patent/CN111725094B/zh active Active
- 2020-03-19 TW TW109109105A patent/TWI770478B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250781A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2003100736A (ja) | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020161808A (ja) | 2020-10-01 |
CN111725094B (zh) | 2024-04-09 |
TW202041706A (zh) | 2020-11-16 |
CN111725094A (zh) | 2020-09-29 |
TWI770478B (zh) | 2022-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4174837B2 (ja) | 縦型熱処理炉 | |
KR102375496B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법, 그리고 기판 처리 프로그램 | |
KR101291957B1 (ko) | 성막 장치, 그 운전 방법 및 상기 방법의 실행을 위한 기억 매체 | |
WO2017163376A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP2018206847A (ja) | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 | |
US20220170160A1 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium | |
TWI761758B (zh) | 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
JP6995902B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに基板処理プログラム | |
TWI792051B (zh) | 基板處理裝置、昇降機構、半導體裝置之製造方法及程式 | |
WO2021181685A1 (ja) | 基板処理装置、加熱装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6795675B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP6680895B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
WO2023047499A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
KR100350612B1 (ko) | 이중수직형열처리로(爐) | |
JP2006253448A (ja) | 基板処理装置 | |
CN116779468A (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 | |
JP2007234937A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6995902 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |