JP2009505403A - シールドゲート電界効果トランジスタにおけるインターポリ絶縁膜の構造および製造方法。 - Google Patents

シールドゲート電界効果トランジスタにおけるインターポリ絶縁膜の構造および製造方法。 Download PDF

Info

Publication number
JP2009505403A
JP2009505403A JP2008526148A JP2008526148A JP2009505403A JP 2009505403 A JP2009505403 A JP 2009505403A JP 2008526148 A JP2008526148 A JP 2008526148A JP 2008526148 A JP2008526148 A JP 2008526148A JP 2009505403 A JP2009505403 A JP 2009505403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trench
insulating film
ipd
fet
shield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008526148A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5075823B2 (ja
Inventor
ロバート ヘリック
ディーン イー． プロブスト
フレッド セッション
Original Assignee
フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション filed Critical フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション
Publication of JP2009505403A publication Critical patent/JP2009505403A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5075823B2 publication Critical patent/JP5075823B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/66727—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the source electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
    • H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

シールドゲートトレンチＦＥＴは、以下のように形成される。第１の導電型のシリコン領域内にトレンチが形成される。トレンチは、シールド絶縁膜によってシリコン領域から絶縁されたシールド電極を含む。熱酸化物層およびコンフォーマルな絶縁体層からなるインターポリ絶縁膜（ＩＰＤ）がシールド電極上面に沿って形成される。少なくともトレンチ側壁上方を覆うゲート絶縁膜が形成される。ゲート電極がトレンチ内に形成される。ゲート電極は、ＩＰＤによってシールド電極から絶縁される。
【選択図】図１

Description

本発明は、概してパワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）半導体に関し、特にシールドゲートＦＥＴにおける改良されたインターポリ絶縁膜（inter-poly dielectric）（ＩＰＤ）の構造および製造方法に関する。
シールドゲートトレンチＦＥＴは、シールドされた電極がゲート−ドレイン間容量（Ｃｇｄ）を低減し、トランジスタのブレークダウン電圧を向上させるという点で有利である。図１は、従来のシールドゲートトレンチＭＯＳＦＥＴの簡略化した断面図である。トレンチ１１０は、ゲート電極１２２直下にシールド電極１１４を含んでいる。シールド電極１１４は、一般的にゲート絶縁膜１２０よりも厚いシールド絶縁膜１１２によって隣接するシリコン領域から絶縁されている。ゲートおよびシールド電極は、一般にインターポリ絶縁膜すなわちＩＰＤと称される絶縁体層１１６によって互いに分離されている。ＩＰＤ層はゲートとシールド電極間の要求電圧をサポートするために十分な質と厚さを有していなければならない。
図１の従来のシールドゲートＦＥＴは、多くの欠点を抱えている。第１に、ゲート電極１２２は、シールド電極１１４の平坦な上面に連なる鋭いボトムコーナーを有し、これらの領域において高電界を生ぜしめる。第２に、従来のＩＰＤの形成方法は、一般的にトレンチの間のメサ上に酸化物層を導入する。この酸化物層は、ゲート電極を形成した後に、いくつかのポイントにおいて除去しなければならない。この酸化物層の除去の際に、トレンチ側壁方向へのゲート酸化膜のエッチングが不可避的に起り、ゲートショートおよびゲートリークを招来する。他の公知の手法は、ＩＰＤの形成をゲート絶縁膜の形成と結合する。その結果、ＩＰＤの厚さはゲート絶縁膜の厚さのセット倍数に制限される。これは、ゲート絶縁膜およびＩＰＤを独立に最適化することを許容しない。ＩＰＤとゲート絶縁膜との間の厚さにおいて得られる最も大きい差異は、およそ３対１である（すなわち、与えられた目標ゲート絶縁膜厚に対し得られたＩＰＤ膜厚は、目標ゲート絶縁膜厚よりも３倍厚い。）
従って、改良されたＩＰＤおよびゲート絶縁膜を有するシールドゲートトレンチＦＥＴの構造およびその製造方法が必要とされる。
本発明の実施例に一致して、ＦＥＴの製造方法は以下のとおりである。第１の導電型のシリコン領域内においてトレンチが形成される。トレンチは、シールド絶縁膜によってシリコン領域から絶縁されたシールド電極を含む。熱酸化物層およびコンフォーマルな絶縁体層からなるインターポリ絶縁膜（以下ＩＰＤと称する）は、シールド電極の上面に沿って形成されている。少なくともトレンチ側壁の上方を覆うゲート絶縁膜が形成される。ゲート電極がトレンチ内に形成される。ゲート電極はＩＰＤによってシールド電極から絶縁される。
一例として、ＩＰＤは凹状の上面を有する。
他の例として、ＩＰＤの厚さのゲート絶縁膜の厚さに対する比率は３：１よりも大きい。
更に他の例としては、ゲート絶縁膜はＩＰＤ形成後に形成される。
他の例として、ＩＰＤは以下のように形成される。熱酸化物層がトレンチの側壁上方およびシールド電極の上面に沿って形成される。トレンチは、コンフォーマルな絶縁体層で満たされる。コンフォーマルな絶縁体層および熱酸化物層は部分的に除去されて、熱絶縁体層の残存部分とコンフォーマルな絶縁体層の残存部分を含むＩＰＤが形成される。
本発明の他の実施例に一致して、ＦＥＴは第１の導電型のシリコン領域内まで伸長するトレンチを含む。シールド電極は、トレンチの下方部分に延在するシールド絶縁膜によってシリコン領域から絶縁される。ゲート電極は、トレンチ内に形成され、インターポリ絶縁膜（ＩＰＤ）によってシールド電極から絶縁される。ＩＰＤはコンフォーマルな絶縁体層および熱酸化物層を含む。
一例として、ゲート電極はトレンチ側壁の上方に沿って延在するゲート絶縁膜によってシリコン領域から絶縁される。そして、ＩＰＤの厚さのゲート絶縁膜の厚さに対する比率は、３：１よりも大きい。
他の例として、ＩＰＤはその上面に沿って凹状の輪郭を有している。
さらに他の例として、ゲート電極はその底面に沿って凹状の輪郭を有している。
他の例として、コンフォーマルな絶縁体層は、その底面および側壁に沿って熱絶縁膜によって囲まれている。
他の例として、コンフォーマルな絶縁体層は、凸状の底面および凹状の上面を有している。
他の例として、シールド電極は曲面状の上面を有している。
他の例として、シリコン領域は、第１の導電型のサブストレート上に延在する第１の導電型のエピタキシャル層と、エピタキシャル層内に設けられた第２の導電型のウェル領域と、ウェル領域内に形成された第１の導電型のソース領域と、を有する。ソース領域は、トレンチ側方に位置する。
一例として、トレンチはエピタキシャル層内まで伸長し、終端している。
他の例として、トレンチはエピタキシャル層を貫通し、サブストレート内において終端するように伸張している。
以下に示す詳細な説明および添付図面は、本発明の本質および利点のさらなる理解を提供する。
発明を実施するための形態
本発明に一致して、シールドゲートＦＥＴのＩＰＤ層は、熱酸化の実施後にコンフォーマルな絶縁体層が堆積されることにより形成される。ゲート絶縁膜はその後形成され、ゲート電極の形成が後に続く。この方法は、ＩＰＤ層の形成工程をゲート絶縁膜の形成工程から分離する。これにより、これらの絶縁体層の各々が単独に最適化されることを可能とする。その結果、ゲート絶縁膜の質又は厚さを損なうことなくゲートおよびシールド電極間の要求電圧をサポートする高品質且つ厚いＩＰＤを形成することが可能となる。更に、コンフォーマルな絶縁体層がＩＰＤの上面に沿った滑らかに凹んだ輪郭（すなわち、ボウルの内部ような）をもたらすのに役立つ。換言すれば、ゲート電極に滑らかな底面形状をもたらす。これは、底面において鋭いコーナーを有するゲート電極に係る図１に示された従来構造のＦＥＴと比較して電界緩和に役立つ。
図２Ａ−２Ｌは、本発明の実施例である改良されたＩＰＤおよびゲート絶縁膜を有するシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するための典型的なプロセスシーケンスの各段階における簡略化された断面図である。図２Ａに示すように、トレンチ２０２が公知のマスキングおよびシリコンエッチ法によりシリコン領域２０４内に形成される。一例として、シリコン領域２０４は、高濃度の導電性ｎ型サブストレート上に延在する比較的ライトドープされたｎ型エピタキシャル層を含む。この実施例においては、トレンチは、設計目標に応じてエピタキシャル層内あるいはさらに深く伸長しサブストレート内において終端するようにエッチングすることができる。図２Ｂに示すように、トレンチに隣接するメサ領域の表面のみならずトレンチの側壁および底部を覆うシールド絶縁膜２０６（例えば酸化物からなる）が公知の製法により形成される。一例として、シールド酸化膜は高温ドライ酸化（例えば１１５０℃）を使用して形成される。高温は、トレンチのボトムコーナーに丸みをつけるのを助け、デバイスのブレークダウンをサポートするのに十分な１２５０Åのシールド酸化膜を形成する。
図２Ｃに示すように、ポリシリコンの層が公知のポリシリコン堆積法によりトレンチを満たすように堆積される。堆積されたポリシリコンはその後トレンチ内に埋め込まれ、その結果、シールド電極２０８が形成される。その後、シールド絶縁膜の露出した部分は例えば６５０Åにまで薄くされる。酸化物を含むシールド電極における一実施例は、シールド酸化膜を薄くするのにウェット緩衝酸化膜エッチが用いられる。シールド絶縁膜の残った露出部分２０６ａは、その後の熱酸化ステップにおいてトレンチ側壁およびメサ表面に沿った酸化物の過大な成長を阻止し、トレンチキャビティの輪郭を制御するのに役立つ。熱酸化膜の過大な成長は、その後に堆積されるコンフォーマルな絶縁体層内にボイドの形成をもたらす。一例として、シールド絶縁膜２０６の露出部分は、完全に除去されるか、代替としてシールド絶縁膜２０６全体は原型が保たれたままである。
図２Ｄに示すように、熱酸化ステップを実行し、トレンチ側壁に沿って、トレンチに隣接するメサ領域の表面上およびシールド電極２０８上に熱酸化物層２１０を形成する。熱酸化はシールド電極２０８の表面部分を有利に酸化し、その結果、曲線的な輪郭となる。この曲線的な上面は、シールド電極２０８と後に形成されるゲート電極との間の領域における電界を最小限に抑える。一例として、熱酸化物層２１０は、低温ウェット酸化に続いて高温ドライ酸化を実行することにより形成される。他の例においては、熱酸化は厚さが１０００−１５００Åの範囲の厚さを有する熱酸化物層２１０を形成する。更に他の例においては、低温熱酸化（例えば約８５０℃）が実行され、トレンチ側壁およびメサ表面上よりも厚い酸化物層がシールド電極の上面に沿って形成される。そのような実施例において、厚さの比率は１．５：１ないし２：１の範囲が望ましい。具体的な例としては、熱酸化はシールド電極の上面に沿って、約１８５０Åの厚さの熱酸化物層をもたらし、トレンチ側壁とメサ表面に沿って約１２５０Åの厚さの熱酸化物層をもたらす。
図２Ｅに示すように、コンフォーマルな絶縁体層２１２（例えば酸化物からなる）がトレンチを満たすように堆積される。一例として、コンフォーマルな絶縁体層２１２は、約５１０℃の温度、４８０Torrの圧力で準常圧化学気相成長（sub- atmospheric chemical vapor deposition (SACVD)）TEOS（tetraethylorthosilicate）/オゾンプロセスを用いて堆積される。堆積された酸化物は、空隙を形成することなく完全にトレンチを満たす。
図２Ｆに示すように、コンフォーマルな絶縁体層２１２および熱酸化物層２１０は、トレンチ内部に向けて所望の深さにまでエッチングされる。メサ表面上およびトレンチ側壁上方に沿った全ての絶縁膜は完全に除去される。そして、凹状の上面を有するインターポリ絶縁膜（ＩＰＤ）層２１４がシールド電極２０８上に残る。従って、ＩＰＤ層２１４は、熱酸化物層およびコンフォーマルな絶縁体層の積層（stack）により構成される。一例として、絶縁膜スタックの等方的なエッチバックがトレンチ内に絶縁膜スタックを埋め込む際に実行される。所望の厚さのＩＰＤを得るためにそして、トレンチ側壁に沿った酸化膜およびメサ上の酸化膜を完全に除去するために異方性プラズマドライエッチング又はウェットエッチングが実行される。ＳＡＣＶＤ酸化膜を緻密にするために、公知の緻密化ステップを実行することができる。一例として、ドライエッチおよびその後の緻密化が行われ、その後にウェットエッチが続く。
図２Ｇに示すように、トレンチ側壁、ＩＰＤ上およびトレンチに隣接するメサ領域上に延在するゲート絶縁体層２１６（例えば酸化物からなる）が公知の製法により形成される。ＩＰＤ形成は、ゲート絶縁膜形成から完全に分断されるので、ゲート絶縁膜は所望の特性を得るために単独で最適することが可能となる。図２Ｈに示すように、公知の製法により、トレンチを満たすようにポリシリコンの層が堆積され、その後エッチバックされ、トレンチ２０２内に埋め込みゲート電極２１８が形成される。
図２Ｉに示すように、メサ上に延在するゲート絶縁膜２１６の一部は、ボディ注入およびソース注入に適した厚みにまでエッチバックされる。全面的なボディ注入およびドライブインプロセスが行われ、シリコン領域２０４の上方部分に沿ったｐ型ボディ領域が形成される。その後、マスキング層（図示せず）を伴った公知のソース注入が行われ、トレンチ２０２の側方に位置するソース領域２２２が形成される。図２Ｊに示すように、プレメタル絶縁体層２２４（たとえばＢＰＳＧからなる）が公知の製法により構造体上に形成される。図２Ｋに示すように、マスキング層（図示せず）を用いてマスキング層によって位置決めされて絶縁体層２２４が部分的に除去され、ボディ領域２２０およびソース領域２２２が露出する。その後、公知のシリコンエッチ（例えばドライエッチ）が行われ、露出した表面領域にリセスを形成する。その結果、リセス形成されたシリコン領域はコンタクト開口２２６を形成する。
図２Ｌに示すように、全面な高濃度ボディ注入が行われ、ボディ領域２２０内にセルフアラインされた高濃度ｐ型ボディ領域２２８が形成される。その後、コンタクト開口のより良好なアスペクト比をもたらすため、また、高濃度ボディ領域２２８およびソース領域２２２に電気的に接続する後のステップにおいて形成されるメタル層２２６のより良好なステップカバレージをもたらすために絶縁体２２４のリフローが行われる。図２Ｌに含まれる水平方向の破線は、エピタキシャル層２０３がサブストレート２０１上に延在し、トレンチ２０２がエピタキシャル層２０３を貫通してサブストレート２０１内で終端している実施例を図示したものである。代替として、トレンチ２０２はエピタキシャル層２０３で終端していてもよい。図２Ａ−２Ｌにおける断面図によって示されたプロセスシーケンスは、単に典型例であり、各ステップが変更され、以上において示されたものとは異なる手順で実行され得る。特に、所望の特性および特徴を有するシールドゲート構造を得るための図２Ｉ−２Ｌによって示されるステップの代わりに、多くの公知のプロセスステップのいずれを使用することも可能である。
本発明の構造および方法によれば、熱成長絶縁膜およびコンフォーマルに堆積された絶縁膜の積層膜からなる改良されたＩＰＤ層を得ることができる。熱成長絶縁膜は高品質な絶縁膜を提供し、シールド電極のトップコーナーを丸くする役割を果たす。コンフォーマルに堆積された絶縁膜は（１）シールド電極の上方のギャップを満たし、（２）トレンチ側壁に沿った絶縁膜がエッチングされる際にシールド電極上の熱絶縁膜を保護するためのハードマスクとしての役割を果たし、（３）その上方にゲート電極が形成される滑らかな凹状の輪郭を形成する。シールド電極の上面およびゲート電極の底面に沿った曲線的な輪郭は、局部における電界低下という結果をもたらす。
更に、本発明によるＩＰＤの形成方法は、ゲート酸化膜の形成からＩＰＤの形成を分断することによりＩＰＤとゲート絶縁膜とを独立に最適化できる。例えば、厚くて高品質なＩＰＤと薄くて高品質なゲート絶縁膜を達成できる。一例として、ＩＰＤの厚さとゲート絶縁膜の厚さの比率を５：１にすることによって最適なトランジスタ特性を得ることができる。例えば、約２０００Å以上のＩＰＤの厚さと、少なくとも約４００Å以上のゲート絶縁膜の厚さが最適なトランジスタ特性を提供するために見出される。薄いゲート絶縁膜を形成する技術が低オン抵抗を得るために有利に使用され得る。
本発明の様々な構造および方法は、他の利点や特徴との間で低オン抵抗でありながら高阻止能力および高効率を達成するために他のシールドゲート構造のみならず１つ又はそれ以上の多くの普及した技術や、同一出願人による２００４年１２月２９日に出願され、その全体を本願に援用する出願番号11/026,276と組み合わせることが可能である。
以上において多くの特定の実施例を示し、説明したが、本発明の実施例はこれらに限定されるものではない。例えば、示され、説明された構造体のドーピング極性は逆であってもよく、そして／又は各構成要素におけるドーピング濃度は、本発明から逸脱しない範囲で変更可能であることが理解されるべきである。図２Ａ−２Ｌによって示されるプロセスシーケンスはｎチャンネルＦＥＴを形成するためのものであるが、ｐチャンネルＦＥＴを形成するためのプロセスシーケンスに変更することは、この開示を見た当業者であれば明白である。また、以上においては、通常のシリコンを用いた様々な実施例について説明したが、これらの実施例およびこれらの明白な変形例は、シリコンカーバイド、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、ダイアモンド又は他の半導体材料において実施することも可能である。更に、各断面図は一定比率ではなく、また、類似する構造体のレイアウトデザインにおいて可能な変形を限定することを意図しない。また、上記した如きＦＥＴおよびその明白な変形は、六角形又は四角形のトランジスタセルを含むストライプ構造又はセル構造で形成することができる。更に、本発明の１つ又はそれ以上の特徴は、本発明の範囲から逸脱することなく本発明の他の実施例の１つ又はそれ以上の特徴と組み合わせることとしてもよい。従って、本発明の範囲は、実施例の記載に限定されるべきではなく、以下の請求項によって定められる。
図１は、従来のシールドゲートトレンチＭＯＳＦＥＴの簡略化された断面図である。 図２Ａ−２Ｌは、本発明の実施例である改良されたインターポリ絶縁膜およびゲート絶縁膜を有するシールドゲートトレンチＦＥＴを形成するための典型的なプロセスシーケンスの各段階における簡略化された断面図である。

Claims (33)

  1. 電界効果トランジスタの製造方法であって、
    第１の導電型のシリコン領域内にシールド絶縁膜によって前記シリコン領域から絶縁されたシールド電極を有するトレンチを形成するステップと、
    前記シールド電極の上面に沿って熱酸化物層およびコンフォーマルな絶縁体層からなるインターポリ絶縁膜（以下ＩＰＤという）を形成するステップと、
    少なくともトレンチ側壁上方を覆うゲート絶縁膜を形成するステップと、
    前記ＩＰＤによってシールド電極から絶縁されたゲート電極を前記トレンチ内に形成するステップと、を含むことを特徴とする製造方法。
  2. 前記ＩＰＤは凹状の上面を有することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  3. 前記ＩＰＤの前記ゲート絶縁膜に対する厚さの比率は、３：１よりも大であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  4. 前記ゲート絶縁膜は、前記ＩＰＤ形成後に形成されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  5. 前記ＩＰＤを形成するステップは、
    前記トレンチの側壁上方に沿っておよび前記シールド電極の上面に沿って熱酸化物層を形成するステップと、
    前記トレンチをコンフォーマルな絶縁体層で満たすステップと、
    前記コンフォーマルな絶縁体層および前記熱酸化物層を部分的に除去するステップと、を含み、
    前記ＩＰＤは、前記熱酸化物層の残存部分と前記コンフォーマルな絶縁体層の残存部分とからなることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  6. 前記熱酸化物層を形成するステップは、前記トレンチの側壁に沿う部分よりも前記シールド絶縁膜の上面に沿う部分の方がより厚い熱酸化物層が形成されるように熱的にシリコンを酸化するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
  7. 前記部分的に除去するステップは、前記トレンチに隣接するシリコン表面および前記トレンチ側壁の上方に沿った全ての絶縁膜を完全に除去するステップであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
  8. 前記満たすステップは、コンフォーマルな酸化物層を堆積し、前記トレンチを満たすステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
  9. 前記部分的に除去するステップは、前記コンフォーマルな絶縁体層および前記熱酸化物層を前記トレンチ内の所望深さにまで等方的にエッチバックするステップを含み、
    前記コンフォーマルな絶縁体層の残存部分が、その底面および前記コンフォーマルな絶縁体層の残存部分の側壁に沿った前記熱酸化物層の残存部分に囲まれていることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
  10. 前記トレンチを形成するステップは、
    前記トレンチの側壁および底面を覆うシールド絶縁膜を形成するステップと、
    前記トレンチ内に埋め込まれたシールド電極を形成するステップと、
    少なくともトレンチの側壁上方に沿って前記シールド絶縁膜の薄い層が残るように前記シールド絶縁膜の露出部分を部分的に除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  11. 前記シリコン領域内に第２の導電型のウェル領域を形成するステップと、
    ソース領域が前記トレンチの側方に位置するように前記ウェル領域内にソース領域を形成するステップと、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  12. 前記ゲート電極、前記ソース領域および前記ウェル領域上に延在するプレメタル絶縁体層を形成するステップと、
    前記プレメタル絶縁体層の所定の部分を除去して前記ウェル領域の表面に対応する部分を露出させるステップと、
    前記ソース領域の側壁が露出するように露出した表面に沿って前記ウェル領域にリセスを形成するステップと、
    前記ウェル領域および前記ソース領域の露出した側壁に電気的に接続するメタル層を形成するステップと、を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
  13. 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、
    第１の導電型のシリコン領域内部に伸長するトレンチと、
    前記トレンチの下方部分に設けられてシールド絶縁膜によって前記シリコン領域から絶縁されたシールド電極と、
    前記トレンチ内に設けられてＩＰＤによって前記シールド電極から絶縁されたゲート電極と、を含み、
    前記ＩＰＤは、コンフォーマルな絶縁体層と熱酸化物層からなることを特徴とするＦＥＴ。
  14. 前記ゲート電極は、トレンチ側壁の上方に沿って延在するゲート絶縁膜によって前記シリコン領域から絶縁されており、前記ＩＰＤの厚さの前記ゲート絶縁膜の厚さに対する比率は３：１よりも大であることを特徴とする請求項１３に記載のＦＥＴ。
  15. 前記ＩＰＤはその上面に沿って凹状の輪郭を有していることを特徴とする請求項１３に記載のＦＥＴ。
  16. 前記ゲート電極は、その底面に沿って凹状の輪郭を有していることを特徴とする請求項１３に記載のＦＥＴ。
  17. 前記コンフォーマルな絶縁体層は、その底面および側壁に沿って熱絶縁膜によって囲まれていることを特徴とする請求項１３に記載のＦＥＴ。
  18. 前記コンフォーマルな絶縁体層は、凸状の底面および凹状の上面を有していることを特徴とする請求項１３に記載のＦＥＴ。
  19. 前記シールド電極は曲面状の上面を有していることを特徴とする請求項１３に記載のＦＥＴ。
  20. 前記シリコン領域は、第１の導電型のサブストレート上に延在する第１の導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層内に設けられた第２の導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に設けられた第１の導電型のソース領域とを含み、前記ソース領域は前記トレンチの側方に位置していることを特徴とする請求項１３に記載のＦＥＴ。
  21. 前記トレンチは、前記エピタキシャル層内まで伸長し終端していることを特徴とする請求項２０に記載のＦＥＴ。
  22. 前記トレンチは前記エピタキシャル層を貫通し、前記サブストレート内において終端するように伸長していることを特徴とする請求項２０に記載のＦＥＴ。
  23. 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、
    第１の導電型のシリコン領域内に伸長するトレンチと、
    前記トレンチの下方部分に設けられてシールド絶縁膜によって前記シリコン領域から絶縁されたシールド電極と、
    前記トレンチ内に設けられて、その上面に沿った凹状の輪郭を有するＩＰＤによって前記シールド電極から絶縁されたゲート電極と、を含むことを特徴とするＦＥＴ。
  24. 前記シールド電極は曲面状の上面を有していることを特徴とする請求項２３に記載のＦＥＴ。
  25. 前記シリコン領域は、第１の導電型のサブストレート上に延在する第１の導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層内に設けられた第２の導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に設けられた第１の導電型のソース領域とを含み、前記ソース流域は前記トレンチの側方に位置していることを特徴とする請求項２３に記載のＦＥＴ。
  26. 前記トレンチは前記エピタキシャル層内まで伸長し終端していることを特徴とする請求項２５に記載のＦＥＴ。
  27. 前記トレンチは前記エピタキシャル層を貫通し、前記サブストレート内において終端するように伸長していることを特徴とする請求項２５に記載のＦＥＴ。
  28. 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、
    第１の導電型のシリコン領域内部に伸長するトレンチと、
    前記トレンチの下方部分に設けられてシールド絶縁膜によって前記シリコン領域から絶縁されたシールド電極と、
    前記トレンチ内に設けられてＩＰＤによって前記シールド電極から絶縁されたゲート電極と、を含み、
    前記ＩＰＤは、その底面に沿った凸状の輪郭とその上面に沿った凹状の輪郭を有するコンフォーマルな絶縁体層を含むことを特徴とするＦＥＴ。
  29. 前記ゲート電極は、その底面に沿って凹状の輪郭を有していることを特徴とする請求項２８に記載のＦＥＴ。
  30. 前記ＩＰＤは、その底面および側壁に沿って前記コンフォーマルな絶縁体層を囲む熱絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項２８に記載のＦＥＴ。
  31. 前記シリコン領域は、第１の導電型のサブストレート上に延在する第１の導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層内に設けられた第２の導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に設けられた第１の導電型のソース領域とを含み、前記ソース流域は前記トレンチの側方に位置していることを特徴とする請求項２８に記載のＦＥＴ。
  32. 前記トレンチは前記エピタキシャル層内まで伸長し終端していることを特徴とする請求項３１に記載のＦＥＴ。
  33. 前記トレンチは前記エピタキシャル層を貫通し、前記サブストレート内において終端するように伸長していることを特徴とする請求項３１に記載のＦＥＴ。
JP2008526148A 2005-08-09 2006-08-04 シールドゲート電界効果トランジスタにおけるインターポリ絶縁膜の構造および製造方法。 Active JP5075823B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/201,400 2005-08-09
US11/201,400 US7385248B2 (en) 2005-08-09 2005-08-09 Shielded gate field effect transistor with improved inter-poly dielectric
PCT/US2006/030944 WO2007021701A2 (en) 2005-08-09 2006-08-04 Structure and method for forming inter-poly dielectric in a shielded gate field effect transistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009505403A true JP2009505403A (ja) 2009-02-05
JP5075823B2 JP5075823B2 (ja) 2012-11-21

Family

ID=37743042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008526148A Active JP5075823B2 (ja) 2005-08-09 2006-08-04 シールドゲート電界効果トランジスタにおけるインターポリ絶縁膜の構造および製造方法。

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7385248B2 (ja)
JP (1) JP5075823B2 (ja)
KR (1) KR101221242B1 (ja)
CN (2) CN101800245B (ja)
AT (1) AT504736A2 (ja)
DE (1) DE112006002077B4 (ja)
MY (1) MY141412A (ja)
TW (1) TWI417963B (ja)
WO (1) WO2007021701A2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013508984A (ja) * 2009-10-21 2013-03-07 ヴィシェイ−シリコニックス 曲線状のゲート酸化物プロファイルを有するスプリットゲート半導体素子
JP2014056913A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体装置
US9306056B2 (en) 2009-10-30 2016-04-05 Vishay-Siliconix Semiconductor device with trench-like feed-throughs
US9425305B2 (en) 2009-10-20 2016-08-23 Vishay-Siliconix Structures of and methods of fabricating split gate MIS devices
US9543412B2 (en) 2012-09-12 2017-01-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
US9577089B2 (en) 2010-03-02 2017-02-21 Vishay-Siliconix Structures and methods of fabricating dual gate devices
JP2018046253A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JPWO2017168733A1 (ja) * 2016-03-31 2018-04-05 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US10234486B2 (en) 2014-08-19 2019-03-19 Vishay/Siliconix Vertical sense devices in vertical trench MOSFET
CN111162121A (zh) * 2018-11-07 2020-05-15 三菱电机株式会社 半导体装置
US11114559B2 (en) 2011-05-18 2021-09-07 Vishay-Siliconix, LLC Semiconductor device having reduced gate charges and superior figure of merit
US11217541B2 (en) 2019-05-08 2022-01-04 Vishay-Siliconix, LLC Transistors with electrically active chip seal ring and methods of manufacture
US11218144B2 (en) 2019-09-12 2022-01-04 Vishay-Siliconix, LLC Semiconductor device with multiple independent gates

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6838722B2 (en) 2002-03-22 2005-01-04 Siliconix Incorporated Structures of and methods of fabricating trench-gated MIS devices
JP5259920B2 (ja) * 2004-08-04 2013-08-07 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100550351B1 (ko) * 2004-09-07 2006-02-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 막 형성방법 및 이를 수행하기 위한 반도체장치의 막 형성 장치
JP4955222B2 (ja) * 2005-05-20 2012-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7385248B2 (en) * 2005-08-09 2008-06-10 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate field effect transistor with improved inter-poly dielectric
DE102005041256B4 (de) * 2005-08-31 2007-12-20 Infineon Technologies Ag Trenchtransistor
US7319256B1 (en) * 2006-06-19 2008-01-15 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together
US20080272429A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Icemos Technology Corporation Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices
US8159021B2 (en) * 2008-02-20 2012-04-17 Force-Mos Technology Corporation Trench MOSFET with double epitaxial structure
US20090242973A1 (en) 2008-03-31 2009-10-01 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. Source and body contact structure for trench-dmos devices using polysilicon
US8174071B2 (en) * 2008-05-02 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High voltage LDMOS transistor
WO2009154882A2 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Maxpower Semiconductor Inc. Semiconductor power switches having trench gates
US7936009B2 (en) * 2008-07-09 2011-05-03 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with an inter-electrode dielectric having a low-k dielectric therein
EP2308095A1 (en) * 2008-07-25 2011-04-13 Nxp B.V. A trench-gate semiconductor device
US7893488B2 (en) * 2008-08-20 2011-02-22 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Charged balanced devices with shielded gate trench
US8278702B2 (en) * 2008-09-16 2012-10-02 Fairchild Semiconductor Corporation High density trench field effect transistor
US8044459B2 (en) * 2008-11-10 2011-10-25 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device with trench field plate including first and second semiconductor materials
US8304829B2 (en) 2008-12-08 2012-11-06 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics
US8174067B2 (en) 2008-12-08 2012-05-08 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics
US20100187602A1 (en) * 2009-01-29 2010-07-29 Woolsey Debra S Methods for making semiconductor devices using nitride consumption locos oxidation
US8227855B2 (en) * 2009-02-09 2012-07-24 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor devices with stable and controlled avalanche characteristics and methods of fabricating the same
US8148749B2 (en) * 2009-02-19 2012-04-03 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-shielded semiconductor device
US8143125B2 (en) * 2009-03-27 2012-03-27 Fairchild Semiconductor Corporation Structure and method for forming a salicide on the gate electrode of a trench-gate FET
US8072027B2 (en) * 2009-06-08 2011-12-06 Fairchild Semiconductor Corporation 3D channel architecture for semiconductor devices
US8049276B2 (en) * 2009-06-12 2011-11-01 Fairchild Semiconductor Corporation Reduced process sensitivity of electrode-semiconductor rectifiers
US8252647B2 (en) * 2009-08-31 2012-08-28 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Fabrication of trench DMOS device having thick bottom shielding oxide
US8072028B2 (en) * 2009-10-26 2011-12-06 Infineon Technologies Austria Ag Method and device including transistor component having a field electrode
US8247296B2 (en) 2009-12-09 2012-08-21 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming an insulated gate field effect transistor device having a shield electrode structure
US8021947B2 (en) * 2009-12-09 2011-09-20 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming an insulated gate field effect transistor device having a shield electrode structure
US8580667B2 (en) 2010-12-14 2013-11-12 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Self aligned trench MOSFET with integrated diode
CN102623501B (zh) * 2011-01-28 2015-06-03 万国半导体股份有限公司 带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管
US8610205B2 (en) 2011-03-16 2013-12-17 Fairchild Semiconductor Corporation Inter-poly dielectric in a shielded gate MOSFET device
US8680607B2 (en) * 2011-06-20 2014-03-25 Maxpower Semiconductor, Inc. Trench gated power device with multiple trench width and its fabrication process
US20130001678A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Stmicroelectronics S.R.L. High breakdown voltage semiconductor device with an insulated gate formed in a trench, and manufacturing process thereof
US8872278B2 (en) 2011-10-25 2014-10-28 Fairchild Semiconductor Corporation Integrated gate runner and field implant termination for trench devices
US8816431B2 (en) * 2012-03-09 2014-08-26 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate MOSFET device with a funnel-shaped trench
CN103367144A (zh) * 2012-03-26 2013-10-23 马克斯半导体股份有限公司 沟槽式井区电场屏蔽功率mosfet结构及制作方法
KR101893615B1 (ko) * 2012-06-15 2018-08-31 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법
TWI512841B (zh) 2012-07-13 2015-12-11 Ubiq Semiconductor Corp 溝槽式閘極金氧半場效電晶體的製造方法
TWI470790B (zh) 2012-07-13 2015-01-21 Ubiq Semiconductor Corp 溝渠式閘極金氧半場效電晶體
CN103632950B (zh) * 2012-08-20 2016-02-10 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沟槽型双层栅mos中的多晶硅之间的氮化膜形成方法
CN103632949B (zh) * 2012-08-28 2016-06-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沟槽型双层栅mos的多晶硅间的热氧介质层的形成方法
JP6056292B2 (ja) 2012-09-12 2017-01-11 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US9000497B2 (en) * 2012-09-14 2015-04-07 Renesas Electronics Corporation Trench MOSFET having an independent coupled element in a trench
CN103855017B (zh) * 2012-12-03 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 形成沟槽型双层栅mos结构两层多晶硅横向隔离的方法
US9087911B2 (en) 2013-06-06 2015-07-21 United Silicon Carbide, Inc. Trench shield connected JFET
TWI528424B (zh) * 2013-08-05 2016-04-01 台灣茂矽電子股份有限公司 於金氧半場效電晶體形成遮蔽閘之方法
KR20150030799A (ko) 2013-09-12 2015-03-23 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR102156130B1 (ko) 2014-04-10 2020-09-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 형성 방법
US9257622B2 (en) * 2014-04-14 2016-02-09 Jin-Ywan Lin Light-emitting structure
CN105789043B (zh) * 2014-12-25 2019-03-12 华润微电子（重庆）有限公司 沟槽型半导体器件及其制作方法
US10396215B2 (en) 2015-03-10 2019-08-27 United Silicon Carbide, Inc. Trench vertical JFET with improved threshold voltage control
JP6472776B2 (ja) 2016-02-01 2019-02-20 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
CN105895516B (zh) * 2016-04-29 2018-08-31 深圳尚阳通科技有限公司 具有屏蔽栅的沟槽栅mosfet的制造方法
TWI577010B (zh) * 2016-05-18 2017-04-01 杰力科技股份有限公司 功率金氧半導體場效電晶體
TWI643253B (zh) * 2016-05-18 2018-12-01 杰力科技股份有限公司 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法
TWI615889B (zh) * 2016-05-18 2018-02-21 杰力科技股份有限公司 功率金氧半導體場效電晶體的製造方法
US10600871B2 (en) 2016-05-23 2020-03-24 General Electric Company Electric field shielding in silicon carbide metal-oxide-semiconductor (MOS) device cells using body region extensions
TWI663725B (zh) 2017-04-26 2019-06-21 國立清華大學 溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構
CN109216449B (zh) * 2017-06-30 2021-07-30 帅群微电子股份有限公司 沟槽式功率半导体元件及其制造方法
US10153357B1 (en) 2017-08-28 2018-12-11 Nxp Usa, Inc. Superjunction power semiconductor device and method for forming
CN107871787B (zh) * 2017-10-11 2021-10-12 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种制造沟槽mosfet的方法
TW201926470A (zh) * 2017-12-06 2019-07-01 力祥半導體股份有限公司 溝槽式閘極金氧半場效電晶體
CN108389800A (zh) * 2018-01-31 2018-08-10 华润微电子（重庆）有限公司 屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法
US10714574B2 (en) * 2018-05-08 2020-07-14 Ipower Semiconductor Shielded trench devices
JP6970068B2 (ja) 2018-09-14 2021-11-24 株式会社東芝 半導体装置
CN111613674A (zh) * 2019-02-25 2020-09-01 恒泰柯半导体（上海）有限公司 深沟道mosfet
CN111863617A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 帅群微电子股份有限公司 沟槽式功率半导体组件及其制造方法
US10811502B1 (en) * 2019-05-30 2020-10-20 Nxp Usa, Inc. Method of manufacture of super-junction power semiconductor device
CN110335895A (zh) * 2019-07-31 2019-10-15 上海昱率科技有限公司 功率器件及其制造方法
CN110896026A (zh) * 2019-11-22 2020-03-20 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 沟槽型mosfet结构及其制造方法
CN112864018B (zh) * 2019-11-28 2022-07-19 华润微电子（重庆）有限公司 沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法
CN111276394B (zh) * 2020-02-18 2022-09-23 捷捷微电(上海)科技有限公司 一种分离栅mosfet的制作方法
DE102020205706A1 (de) 2020-05-06 2021-11-11 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines defektarmen Übergangs
CN113327858B (zh) * 2020-07-15 2024-02-06 上海积塔半导体有限公司 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法
CN111681963B (zh) * 2020-08-11 2020-11-20 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法
US11848378B2 (en) * 2020-08-13 2023-12-19 Stmicroelectronics Pte Ltd Split-gate trench power MOSFET with self-aligned poly-to-poly isolation
US11810970B2 (en) * 2021-02-05 2023-11-07 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device
EP4057359A1 (en) 2021-03-08 2022-09-14 Nexperia B.V. Semiconductor device comprising mutually separated trench structures
KR102500888B1 (ko) 2021-05-31 2023-02-17 주식회사 키파운드리 분할 게이트 전력 모스펫 및 제조 방법
CN114678275A (zh) * 2021-12-29 2022-06-28 杭州芯迈半导体技术有限公司 分离栅mosfet及其制造方法
CN114242578B (zh) * 2022-02-21 2022-06-17 威海银创微电子技术有限公司 SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法、装置及介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002016152A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2005183547A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3404295A (en) 1964-11-30 1968-10-01 Motorola Inc High frequency and voltage transistor with added region for punch-through protection
US3412297A (en) 1965-12-16 1968-11-19 United Aircraft Corp Mos field-effect transistor with a onemicron vertical channel
US3497777A (en) 1967-06-13 1970-02-24 Stanislas Teszner Multichannel field-effect semi-conductor device
US3564356A (en) 1968-10-24 1971-02-16 Tektronix Inc High voltage integrated circuit transistor
US3660697A (en) 1970-02-16 1972-05-02 Bell Telephone Labor Inc Monolithic semiconductor apparatus adapted for sequential charge transfer
US4003072A (en) 1972-04-20 1977-01-11 Sony Corporation Semiconductor device with high voltage breakdown resistance
US4011105A (en) 1975-09-15 1977-03-08 Mos Technology, Inc. Field inversion control for n-channel device integrated circuits
US4337474A (en) 1978-08-31 1982-06-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US4698653A (en) 1979-10-09 1987-10-06 Cardwell Jr Walter T Semiconductor devices controlled by depletion regions
US4638344A (en) 1979-10-09 1987-01-20 Cardwell Jr Walter T Junction field-effect transistor controlled by merged depletion regions
US4345265A (en) 1980-04-14 1982-08-17 Supertex, Inc. MOS Power transistor with improved high-voltage capability
US4868624A (en) 1980-05-09 1989-09-19 Regents Of The University Of Minnesota Channel collector transistor
US4300150A (en) 1980-06-16 1981-11-10 North American Philips Corporation Lateral double-diffused MOS transistor device
US4326332A (en) 1980-07-28 1982-04-27 International Business Machines Corp. Method of making a high density V-MOS memory array
EP0051693B1 (de) 1980-11-12 1985-06-19 Ibm Deutschland Gmbh Elektrisch umschaltbarer Festwertspeicher
US4324038A (en) 1980-11-24 1982-04-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of fabricating MOS field effect transistors
US4969028A (en) 1980-12-02 1990-11-06 General Electric Company Gate enhanced rectifier
GB2089119A (en) 1980-12-10 1982-06-16 Philips Electronic Associated High voltage semiconductor devices
US4974059A (en) 1982-12-21 1990-11-27 International Rectifier Corporation Semiconductor high-power mosfet device
JPS6016420A (ja) 1983-07-08 1985-01-28 Mitsubishi Electric Corp 選択的エピタキシヤル成長方法
US4639761A (en) 1983-12-16 1987-01-27 North American Philips Corporation Combined bipolar-field effect transistor resurf devices
US4568958A (en) 1984-01-03 1986-02-04 General Electric Company Inversion-mode insulated-gate gallium arsenide field-effect transistors
FR2566179B1 (fr) 1984-06-14 1986-08-22 Commissariat Energie Atomique Procede d'autopositionnement d'un oxyde de champ localise par rapport a une tranchee d'isolement
US5208657A (en) 1984-08-31 1993-05-04 Texas Instruments Incorporated DRAM Cell with trench capacitor and vertical channel in substrate
US4824793A (en) 1984-09-27 1989-04-25 Texas Instruments Incorporated Method of making DRAM cell with trench capacitor
US4673962A (en) 1985-03-21 1987-06-16 Texas Instruments Incorporated Vertical DRAM cell and method
US4774556A (en) 1985-07-25 1988-09-27 Nippondenso Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device
US5262336A (en) 1986-03-21 1993-11-16 Advanced Power Technology, Inc. IGBT process to produce platinum lifetime control
US4767722A (en) 1986-03-24 1988-08-30 Siliconix Incorporated Method for making planar vertical channel DMOS structures
US5034785A (en) 1986-03-24 1991-07-23 Siliconix Incorporated Planar vertical channel DMOS structure
US4716126A (en) 1986-06-05 1987-12-29 Siliconix Incorporated Fabrication of double diffused metal oxide semiconductor transistor
US4746630A (en) 1986-09-17 1988-05-24 Hewlett-Packard Company Method for producing recessed field oxide with improved sidewall characteristics
US4941026A (en) 1986-12-05 1990-07-10 General Electric Company Semiconductor devices exhibiting minimum on-resistance
JP2577330B2 (ja) 1986-12-11 1997-01-29 新技術事業団 両面ゲ−ト静電誘導サイリスタの製造方法
US5105243A (en) 1987-02-26 1992-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Conductivity-modulation metal oxide field effect transistor with single gate structure
US4821095A (en) 1987-03-12 1989-04-11 General Electric Company Insulated gate semiconductor device with extra short grid and method of fabrication
EP0308509B1 (en) 1987-03-25 1993-09-15 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Hydraulic clutch pressure control apparatus
US4745079A (en) 1987-03-30 1988-05-17 Motorola, Inc. Method for fabricating MOS transistors having gates with different work functions
US4801986A (en) 1987-04-03 1989-01-31 General Electric Company Vertical double diffused metal oxide semiconductor VDMOS device with increased safe operating area and method
US4823176A (en) 1987-04-03 1989-04-18 General Electric Company Vertical double diffused metal oxide semiconductor (VDMOS) device including high voltage junction exhibiting increased safe operating area
US5164325A (en) 1987-10-08 1992-11-17 Siliconix Incorporated Method of making a vertical current flow field effect transistor
US4893160A (en) 1987-11-13 1990-01-09 Siliconix Incorporated Method for increasing the performance of trenched devices and the resulting structure
US4914058A (en) 1987-12-29 1990-04-03 Siliconix Incorporated Grooved DMOS process with varying gate dielectric thickness
EP0332822A1 (de) 1988-02-22 1989-09-20 Asea Brown Boveri Ag Feldeffektgesteuertes, bipolares Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu seiner Herstellung
US4967245A (en) 1988-03-14 1990-10-30 Siliconix Incorporated Trench power MOSFET device
US5283201A (en) 1988-05-17 1994-02-01 Advanced Power Technology, Inc. High density power device fabrication process
KR0173111B1 (ko) 1988-06-02 1999-02-01 야마무라 가쯔미 트렌치 게이트 mos fet
US4961100A (en) 1988-06-20 1990-10-02 General Electric Company Bidirectional field effect semiconductor device and circuit
JPH0216763A (ja) 1988-07-05 1990-01-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4853345A (en) 1988-08-22 1989-08-01 Delco Electronics Corporation Process for manufacture of a vertical DMOS transistor
US5268311A (en) 1988-09-01 1993-12-07 International Business Machines Corporation Method for forming a thin dielectric layer on a substrate
US5156989A (en) 1988-11-08 1992-10-20 Siliconix, Incorporated Complementary, isolated DMOS IC technology
US5346834A (en) 1988-11-21 1994-09-13 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device
US5072266A (en) 1988-12-27 1991-12-10 Siliconix Incorporated Trench DMOS power transistor with field-shaping body profile and three-dimensional geometry
US5111253A (en) 1989-05-09 1992-05-05 General Electric Company Multicellular FET having a Schottky diode merged therewith
US4992390A (en) 1989-07-06 1991-02-12 General Electric Company Trench gate structure with thick bottom oxide
EP0450082B1 (en) 1989-08-31 2004-04-28 Denso Corporation Insulated gate bipolar transistor
US5248894A (en) 1989-10-03 1993-09-28 Harris Corporation Self-aligned channel stop for trench-isolated island
US5134448A (en) 1990-01-29 1992-07-28 Motorola, Inc. MOSFET with substrate source contact
US5242845A (en) 1990-06-13 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of production of vertical MOS transistor
US5071782A (en) 1990-06-28 1991-12-10 Texas Instruments Incorporated Vertical memory cell array and method of fabrication
US5079608A (en) 1990-11-06 1992-01-07 Harris Corporation Power MOSFET transistor circuit with active clamp
EP0487022B1 (en) 1990-11-23 1997-04-23 Texas Instruments Incorporated A method of simultaneously fabricating an insulated gate-field-effect transistor and a bipolar transistor
US5065273A (en) 1990-12-04 1991-11-12 International Business Machines Corporation High capacity DRAM trench capacitor and methods of fabricating same
US5168331A (en) 1991-01-31 1992-12-01 Siliconix Incorporated Power metal-oxide-semiconductor field effect transistor
JP2825004B2 (ja) 1991-02-08 1998-11-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 側壁電荷結合撮像素子及びその製造方法
CN1019720B (zh) 1991-03-19 1992-12-30 电子科技大学 半导体功率器件
US5164802A (en) 1991-03-20 1992-11-17 Harris Corporation Power vdmosfet with schottky on lightly doped drain of lateral driver fet
US5250450A (en) 1991-04-08 1993-10-05 Micron Technology, Inc. Insulated-gate vertical field-effect transistor with high current drive and minimum overlap capacitance
JP2603886B2 (ja) 1991-05-09 1997-04-23 日本電信電話株式会社 薄層ｓｏｉ型絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法
US5219793A (en) 1991-06-03 1993-06-15 Motorola Inc. Method for forming pitch independent contacts and a semiconductor device having the same
KR940006702B1 (ko) 1991-06-14 1994-07-25 금성일렉트론 주식회사 모스패트의 제조방법
US5298761A (en) 1991-06-17 1994-03-29 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure process
JP2570022B2 (ja) 1991-09-20 1997-01-08 株式会社日立製作所 定電圧ダイオード及びそれを用いた電力変換装置並びに定電圧ダイオードの製造方法
JPH0613627A (ja) 1991-10-08 1994-01-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5300452A (en) 1991-12-18 1994-04-05 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device
US5366914A (en) 1992-01-29 1994-11-22 Nec Corporation Vertical power MOSFET structure having reduced cell area
JPH06196723A (ja) 1992-04-28 1994-07-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US5233215A (en) 1992-06-08 1993-08-03 North Carolina State University At Raleigh Silicon carbide power MOSFET with floating field ring and floating field plate
US5430324A (en) 1992-07-23 1995-07-04 Siliconix, Incorporated High voltage transistor having edge termination utilizing trench technology
US5910669A (en) 1992-07-24 1999-06-08 Siliconix Incorporated Field effect Trench transistor having lightly doped epitaxial region on the surface portion thereof
US5281548A (en) 1992-07-28 1994-01-25 Micron Technology, Inc. Plug-based floating gate memory
US5294824A (en) 1992-07-31 1994-03-15 Motorola, Inc. High voltage transistor having reduced on-resistance
US5300447A (en) 1992-09-29 1994-04-05 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing a minimum scaled transistor
US5275965A (en) 1992-11-25 1994-01-04 Micron Semiconductor, Inc. Trench isolation using gated sidewalls
US5326711A (en) 1993-01-04 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated High performance high voltage vertical transistor and method of fabrication
US5418376A (en) 1993-03-02 1995-05-23 Toyo Denki Seizo Kabushiki Kaisha Static induction semiconductor device with a distributed main electrode structure and static induction semiconductor device with a static induction main electrode shorted structure
US5341011A (en) 1993-03-15 1994-08-23 Siliconix Incorporated Short channel trenched DMOS transistor
DE4309764C2 (de) 1993-03-25 1997-01-30 Siemens Ag Leistungs-MOSFET
KR960012585B1 (en) * 1993-06-25 1996-09-23 Samsung Electronics Co Ltd Transistor structure and the method for manufacturing the same
US5371396A (en) 1993-07-02 1994-12-06 Thunderbird Technologies, Inc. Field effect transistor having polycrystalline silicon gate junction
US5365102A (en) 1993-07-06 1994-11-15 North Carolina State University Schottky barrier rectifier with MOS trench
BE1007283A3 (nl) 1993-07-12 1995-05-09 Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting met een most voorzien van een extended draingebied voor hoge spanningen.
JPH07122749A (ja) 1993-09-01 1995-05-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3400846B2 (ja) 1994-01-20 2003-04-28 三菱電機株式会社 トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造方法
JPH07235672A (ja) * 1994-02-21 1995-09-05 Mitsubishi Electric Corp 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
US5429977A (en) 1994-03-11 1995-07-04 Industrial Technology Research Institute Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell
US5434435A (en) 1994-05-04 1995-07-18 North Carolina State University Trench gate lateral MOSFET
DE4417150C2 (de) * 1994-05-17 1996-03-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit selbstverstärkenden dynamischen MOS-Transistorspeicherzellen
US5405794A (en) 1994-06-14 1995-04-11 Philips Electronics North America Corporation Method of producing VDMOS device of increased power density
US5424231A (en) 1994-08-09 1995-06-13 United Microelectronics Corp. Method for manufacturing a VDMOS transistor
US5583368A (en) * 1994-08-11 1996-12-10 International Business Machines Corporation Stacked devices
US5674766A (en) * 1994-12-30 1997-10-07 Siliconix Incorporated Method of making a trench MOSFET with multi-resistivity drain to provide low on-resistance by varying dopant concentration in epitaxial layer
US5597765A (en) * 1995-01-10 1997-01-28 Siliconix Incorporated Method for making termination structure for power MOSFET
JP3325736B2 (ja) * 1995-02-09 2002-09-17 三菱電機株式会社 絶縁ゲート型半導体装置
JP3291957B2 (ja) * 1995-02-17 2002-06-17 富士電機株式会社 縦型トレンチｍｉｓｆｅｔおよびその製造方法
US5595927A (en) * 1995-03-17 1997-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for making self-aligned source/drain mask ROM memory cell using trench etched channel
US5592005A (en) * 1995-03-31 1997-01-07 Siliconix Incorporated Punch-through field effect transistor
US5554552A (en) * 1995-04-03 1996-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company PN junction floating gate EEPROM, flash EPROM device and method of manufacture thereof
US5744372A (en) * 1995-04-12 1998-04-28 National Semiconductor Corporation Fabrication of complementary field-effect transistors each having multi-part channel
JPH08306914A (ja) * 1995-04-27 1996-11-22 Nippondenso Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5705409A (en) * 1995-09-28 1998-01-06 Motorola Inc. Method for forming trench transistor structure
US5879971A (en) * 1995-09-28 1999-03-09 Motorola Inc. Trench random access memory cell and method of formation
US5616945A (en) * 1995-10-13 1997-04-01 Siliconix Incorporated Multiple gated MOSFET for use in DC-DC converter
US6037632A (en) * 1995-11-06 2000-03-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
DE59711481D1 (de) * 1996-02-05 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
US5895951A (en) * 1996-04-05 1999-04-20 Megamos Corporation MOSFET structure and fabrication process implemented by forming deep and narrow doping regions through doping trenches
US5719409A (en) * 1996-06-06 1998-02-17 Cree Research, Inc. Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor
JP2891205B2 (ja) * 1996-10-21 1999-05-17 日本電気株式会社 半導体集積回路の製造方法
US6207994B1 (en) * 1996-11-05 2001-03-27 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor with multi-layer conduction region
US6168983B1 (en) * 1996-11-05 2001-01-02 Power Integrations, Inc. Method of making a high-voltage transistor with multiple lateral conduction layers
US6011298A (en) * 1996-12-31 2000-01-04 Stmicroelectronics, Inc. High voltage termination with buried field-shaping region
JP3938964B2 (ja) * 1997-02-10 2007-06-27 三菱電機株式会社 高耐圧半導体装置およびその製造方法
US5877528A (en) * 1997-03-03 1999-03-02 Megamos Corporation Structure to provide effective channel-stop in termination areas for trenched power transistors
KR100225409B1 (ko) * 1997-03-27 1999-10-15 김덕중 트렌치 디-모오스 및 그의 제조 방법
US5879994A (en) * 1997-04-15 1999-03-09 National Semiconductor Corporation Self-aligned method of fabricating terrace gate DMOS transistor
US6037628A (en) * 1997-06-30 2000-03-14 Intersil Corporation Semiconductor structures with trench contacts
JP3502531B2 (ja) * 1997-08-28 2004-03-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
DE19740195C2 (de) * 1997-09-12 1999-12-02 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Metall-Halbleiterübergang mit niedrigem Sperrstrom
US6337499B1 (en) * 1997-11-03 2002-01-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor component
US5949104A (en) * 1998-02-07 1999-09-07 Xemod, Inc. Source connection structure for lateral RF MOS devices
US5897343A (en) * 1998-03-30 1999-04-27 Motorola, Inc. Method of making a power switching trench MOSFET having aligned source regions
US5945724A (en) * 1998-04-09 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Trench isolation region for semiconductor device
US6048772A (en) * 1998-05-04 2000-04-11 Xemod, Inc. Method for fabricating a lateral RF MOS device with an non-diffusion source-backside connection
DE19820223C1 (de) * 1998-05-06 1999-11-04 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Epitaxieschicht mit lateral veränderlicher Dotierung
US6015727A (en) * 1998-06-08 2000-01-18 Wanlass; Frank M. Damascene formation of borderless contact MOS transistors
DE19848828C2 (de) * 1998-10-22 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit kleiner Durchlaßspannung und hoher Sperrfähigkeit
US6194741B1 (en) * 1998-11-03 2001-02-27 International Rectifier Corp. MOSgated trench type power semiconductor with silicon carbide substrate and increased gate breakdown voltage and reduced on-resistance
DE19854915C2 (de) * 1998-11-27 2002-09-05 Infineon Technologies Ag MOS-Feldeffekttransistor mit Hilfselektrode
US6351018B1 (en) * 1999-02-26 2002-02-26 Fairchild Semiconductor Corporation Monolithically integrated trench MOSFET and Schottky diode
US6204097B1 (en) * 1999-03-01 2001-03-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device and method of manufacture
US6188105B1 (en) * 1999-04-01 2001-02-13 Intersil Corporation High density MOS-gated power device and process for forming same
TW425701B (en) * 1999-04-27 2001-03-11 Taiwan Semiconductor Mfg Manufacturing method of stack-type capacitor
US6198127B1 (en) * 1999-05-19 2001-03-06 Intersil Corporation MOS-gated power device having extended trench and doping zone and process for forming same
US6191447B1 (en) * 1999-05-28 2001-02-20 Micro-Ohm Corporation Power semiconductor devices that utilize tapered trench-based insulating regions to improve electric field profiles in highly doped drift region mesas and methods of forming same
JP3851744B2 (ja) * 1999-06-28 2006-11-29 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
GB9917099D0 (en) * 1999-07-22 1999-09-22 Koninkl Philips Electronics Nv Cellular trench-gate field-effect transistors
JP3971062B2 (ja) * 1999-07-29 2007-09-05 株式会社東芝 高耐圧半導体装置
JP2001085685A (ja) * 1999-09-13 2001-03-30 Shindengen Electric Mfg Co Ltd トランジスタ
US20030060013A1 (en) * 1999-09-24 2003-03-27 Bruce D. Marchant Method of manufacturing trench field effect transistors with trenched heavy body
US6461918B1 (en) * 1999-12-20 2002-10-08 Fairchild Semiconductor Corporation Power MOS device with improved gate charge performance
US6285060B1 (en) * 1999-12-30 2001-09-04 Siliconix Incorporated Barrier accumulation-mode MOSFET
US6346469B1 (en) * 2000-01-03 2002-02-12 Motorola, Inc. Semiconductor device and a process for forming the semiconductor device
US6479352B2 (en) * 2000-06-02 2002-11-12 General Semiconductor, Inc. Method of fabricating high voltage power MOSFET having low on-resistance
US6627949B2 (en) * 2000-06-02 2003-09-30 General Semiconductor, Inc. High voltage power MOSFET having low on-resistance
EP1170803A3 (en) * 2000-06-08 2002-10-09 Siliconix Incorporated Trench gate MOSFET and method of making the same
JP4528460B2 (ja) 2000-06-30 2010-08-18 株式会社東芝 半導体素子
US6921939B2 (en) * 2000-07-20 2005-07-26 Fairchild Semiconductor Corporation Power MOSFET and method for forming same using a self-aligned body implant
US6362112B1 (en) * 2000-11-08 2002-03-26 Fabtech, Inc. Single step etched moat
US6608350B2 (en) * 2000-12-07 2003-08-19 International Rectifier Corporation High voltage vertical conduction superjunction semiconductor device
US6677641B2 (en) 2001-10-17 2004-01-13 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor structure with improved smaller forward voltage loss and higher blocking capability
US7345342B2 (en) * 2001-01-30 2008-03-18 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
US6870220B2 (en) * 2002-08-23 2005-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Method and apparatus for improved MOS gating to reduce miller capacitance and switching losses
TW543146B (en) 2001-03-09 2003-07-21 Fairchild Semiconductor Ultra dense trench-gated power device with the reduced drain-source feedback capacitance and miller charge
TWI248136B (en) * 2002-03-19 2006-01-21 Infineon Technologies Ag Method for fabricating a transistor arrangement having trench transistor cells having a field electrode
TW573344B (en) * 2002-05-24 2004-01-21 Nanya Technology Corp Separated gate flash memory and its manufacturing method
DE10324754B4 (de) * 2003-05-30 2018-11-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement
TWI227540B (en) * 2003-06-10 2005-02-01 Mosel Vitelic Inc Method for forming rounding corner in the trench
DE10350684B4 (de) 2003-10-30 2008-08-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Leistungstransistoranordnung und mit diesem Verfahren hergestellte Leistungstransistoranordnung
DE10353387B4 (de) 2003-11-14 2008-07-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Leistungstransistoranordnung und Leistungstransistoranordnung
TWI400757B (zh) * 2005-06-29 2013-07-01 Fairchild Semiconductor 形成遮蔽閘極場效應電晶體之方法
US7238586B2 (en) * 2005-07-21 2007-07-03 United Microelectronics Corp. Seamless trench fill method utilizing sub-atmospheric pressure chemical vapor deposition technique
US7385248B2 (en) * 2005-08-09 2008-06-10 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate field effect transistor with improved inter-poly dielectric

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002016152A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2005183547A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9425305B2 (en) 2009-10-20 2016-08-23 Vishay-Siliconix Structures of and methods of fabricating split gate MIS devices
US9419129B2 (en) 2009-10-21 2016-08-16 Vishay-Siliconix Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile
US9893168B2 (en) 2009-10-21 2018-02-13 Vishay-Siliconix Split gate semiconductor device with curved gate oxide profile
JP2013508984A (ja) * 2009-10-21 2013-03-07 ヴィシェイ−シリコニックス 曲線状のゲート酸化物プロファイルを有するスプリットゲート半導体素子
US9306056B2 (en) 2009-10-30 2016-04-05 Vishay-Siliconix Semiconductor device with trench-like feed-throughs
US10032901B2 (en) 2009-10-30 2018-07-24 Vishay-Siliconix Semiconductor device with trench-like feed-throughs
US10453953B2 (en) 2010-03-02 2019-10-22 Vishay-Siliconix Structures and methods of fabricating dual gate devices
US9577089B2 (en) 2010-03-02 2017-02-21 Vishay-Siliconix Structures and methods of fabricating dual gate devices
US11114559B2 (en) 2011-05-18 2021-09-07 Vishay-Siliconix, LLC Semiconductor device having reduced gate charges and superior figure of merit
JP2014056913A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体装置
US9543412B2 (en) 2012-09-12 2017-01-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
US9679986B2 (en) 2012-09-12 2017-06-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide semiconductor device
US10527654B2 (en) 2014-08-19 2020-01-07 Vishay SIliconix, LLC Vertical sense devices in vertical trench MOSFET
US10444262B2 (en) 2014-08-19 2019-10-15 Vishay-Siliconix Vertical sense devices in vertical trench MOSFET
US10234486B2 (en) 2014-08-19 2019-03-19 Vishay/Siliconix Vertical sense devices in vertical trench MOSFET
JPWO2017168733A1 (ja) * 2016-03-31 2018-04-05 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2018046253A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
CN111162121A (zh) * 2018-11-07 2020-05-15 三菱电机株式会社 半导体装置
JP2020077727A (ja) * 2018-11-07 2020-05-21 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7061954B2 (ja) 2018-11-07 2022-05-02 三菱電機株式会社 半導体装置
CN111162121B (zh) * 2018-11-07 2024-02-02 三菱电机株式会社 半导体装置
US11217541B2 (en) 2019-05-08 2022-01-04 Vishay-Siliconix, LLC Transistors with electrically active chip seal ring and methods of manufacture
US11218144B2 (en) 2019-09-12 2022-01-04 Vishay-Siliconix, LLC Semiconductor device with multiple independent gates

Also Published As

Publication number Publication date
CN101800245B (zh) 2013-03-27
TWI417963B (zh) 2013-12-01
DE112006002077T5 (de) 2008-07-03
JP5075823B2 (ja) 2012-11-21
US7385248B2 (en) 2008-06-10
WO2007021701A3 (en) 2007-09-13
US20070037327A1 (en) 2007-02-15
KR101221242B1 (ko) 2013-01-11
TW200715416A (en) 2007-04-16
MY141412A (en) 2010-04-30
US7598144B2 (en) 2009-10-06
CN101238581B (zh) 2010-04-14
AT504736A2 (de) 2008-07-15
WO2007021701A2 (en) 2007-02-22
US20080090339A1 (en) 2008-04-17
DE112006002077B4 (de) 2020-01-02
CN101238581A (zh) 2008-08-06
CN101800245A (zh) 2010-08-11
KR20080035686A (ko) 2008-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5075823B2 (ja) シールドゲート電界効果トランジスタにおけるインターポリ絶縁膜の構造および製造方法。
US8610205B2 (en) Inter-poly dielectric in a shielded gate MOSFET device
US7553740B2 (en) Structure and method for forming a minimum pitch trench-gate FET with heavy body region
JP5118270B2 (ja) 埋め込みゲートを有するｍｏｓゲート装置
US6437386B1 (en) Method for creating thick oxide on the bottom surface of a trench structure in silicon
KR101255401B1 (ko) 실드 게이트 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 구조 및방법
US7045859B2 (en) Trench fet with self aligned source and contact
US7001804B2 (en) Method of producing active semiconductor layers of different thicknesses in an SOI wafer
US7704808B2 (en) Methods of forming semiconductor-on-insulating (SOI) field effect transistors with body contacts
US8125044B2 (en) Semiconductor structure having a unidirectional and a bidirectional device and method of manufacture
US6921699B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device with a trench termination
US20150221734A1 (en) Thicker bottom oxide for reduced miller capacitance in trench metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet)
US7919801B2 (en) RF power transistor structure and a method of forming the same
JP2008546189A (ja) トレンチゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2004064063A (ja) 高電圧縦型ｄｍｏｓトランジスタ及びその製造方法
US8133783B2 (en) Semiconductor device having different structures formed simultaneously
CN110993690A (zh) 沟槽型mosfet器件及其制造方法
JP2009026809A (ja) 半導体装置とその製造方法
KR102444384B1 (ko) 트렌치 파워 mosfet 및 그 제조방법
US20230187267A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090723

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120321

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120322

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120620

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120807

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5075823

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250