JP2008066716A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＣＭＰ工程におけるディッシングを防止できると共に、半導体基板（ウェハ）を個片化する際のダイシングブレードの目詰まりを低減してチッピング不良を防止できるようにする。
【解決手段】スクライブ領域４の切断領域５に配置される第１のダミーパターン７の単位面積当たりの占有率は、非切断領域６に配置される第２のダミーパターン８の単位面積当たりの占有率よりも小さい。また、第１のダミーパターン７における少なくともダイシングブレード１９の側面と接する領域を含み且つ非切断領域６と隣接する領域の単位面積当たりの占有率は、第１のダミーパターン７における他の領域と比べて小さいか、又は第２のダミーパターン８における回路領域２と隣接する領域の単位面積当たりの占有率は、第２のダミーパターン８における他の領域と比べて小さい。
【選択図】図４

Description

本発明は、多層配線構造を有する半導体装置に関する。

一般に、多層配線構造を有する半導体装置における各配線層を形成する際には、配線層ごとに層間絶縁膜に形成された溝部に金属膜を埋め込む方法（ダマシン法）が採られる。半導体基板の全面に堆積された金属膜は、例えば化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ:ＣＭＰ）法により、溝部の内部にのみ残され、不要な金属膜は除去される。このとき、層間絶縁膜に形成される配線パターンが疎な領域は、配線パターンが密な領域と比べて、その研磨速度の違いにより配線パターンの膜厚が小さくなる。この膜厚変動を防止するため、配線パターンが疎な領域にはダミーパターンとして擬似配線パターンを配置する手法が採用されている。これにより、ＣＭＰ工程において生じるパターン隅崩れ（ディッシング）を防止することができる。

例えば、下記の特許文献１には、ＣＭＰ工程におけるディッシングを防止するため、半導体基板のスクライブ領域及び回路領域に均一なダミーパターンを設けた半導体装置が記載されている。

図３３（ａ）及び図３３（ｂ）は従来例に係る半導体装置における半導体ウェハをチップ状に分割する際の切断領域であるスクライブ領域の平面構成を示し、図３３（ｂ）は図３３（ａ）のXXXIIIｂ−XXXIIIｂ線における断面構成を示している。

図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に示すように、半導体基板１の主面には、機能素子（不図示）が形成される複数の回路領域２が互いに間隔をおいて形成されており、各回路領域２の周囲には導電性材料よりなるシールリング３が形成されている。各回路領域２同士の間には、各回路領域２を個片化する際の切断領域であるスクライブ領域４が形成されている。

半導体基板１の主面上には、第１の層間絶縁膜１１と第２の層間絶縁膜１２とが交互に積層されており、第１の層間絶縁膜１１における回路領域２には、導電性材料よりなる配線（不図示）が形成され、第２の層間絶縁膜１２には導電性材料よりなるビア（不図示）が形成されている。一方、第１の層間絶縁膜１１におけるスクライブ領域４には、導電性材料よりなり、均等に配置された孤立パターン（島状パターン）であるダミーパターン１０７が形成されている。このように、半導体基板１におけるスクライブ領域４に均等に配置されたダミーパターン１０７によって、ＣＭＰ工程におけるディッシングの防止を図っている。
特開２００４−２３５３５７号公報 特開２００６−４１２４４号公報 特開２００４−１５３０１５号公報

しかしながら、前記従来の半導体装置は、スクライブ領域４をダイシングブレードにより切断する際に、ダイシングブレードがダミーパターン１０７を構成する導電性材料を切断する。このため、ダイシングブレードの刃が導電性材料により目詰まりを起こしてしまい、ダイシングブレードの切削能力が低下して、得られる半導体チップにチッピング（欠け）が発生しやすくなるという問題がある。

一方、スクライブ領域４にダミーパターン１０７を配置しない場合は、前述したＣＭＰ工程においてディッシングが発生するという問題がある。

本発明は、前記従来の問題を解決し、ＣＭＰ工程におけるディッシングを防止しながら、半導体基板（ウェハ）を個片化する際のダイシングブレードの目詰まりを低減してチッピング不良を防止できるようにすることを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置を、スクライブ領域における切断領域のダミーパターンの占有率を切断領域の両側に位置する非切断領域のダミーパターンの占有率よりも小さくし、且つ切断領域の非切断領域側に占有率がさらに小さい領域を設けるか又は非切断領域の回路領域側に占有率がさらに小さい領域を設ける構成とする。

具体的に本発明に係る半導体装置は、半導体基板に形成された機能素子を有する回路領域と、回路領域と該回路領域と間隔をおいて形成された他の回路領域との間に位置する領域であって、切断領域と該切断領域の両側に設けられた非切断領域とからなるスクライブ領域と、半導体基板におけるスクライブ領域の上に形成された第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜における切断領域に形成された導電性材料からなる第１のダミーパターンと、第１の層間絶縁膜における非切断領域に形成された導電性材料からなる第２のダミーパターンとを備え、切断領域における第１のダミーパターンの単位面積当たりの占有率は、非切断領域における第２のダミーパターンの単位面積当たりの占有率よりも小さいことを特徴とする。

本発明の半導体装置によると、切断領域における第１のダミーパターンの単位面積当たりの占有率は、非切断領域における第２のダミーパターンの単位面積当たりの占有率よりも小さいため、複数の層間絶縁膜における切断領域と非切断領域との積層構造体としての一体性が低下して、スクライブ領域の切断領域の機械的強度が非切断領域の強度よりも小さくなる。これにより、ダイシングブレードによる個片化の際に切断領域に生じるダメージが非切断領域にまで達することを防止することができる。その上、第１のダミーパターンの占有率が第２のダミーパターンの占有率よりも小さいため、ダイシングブレードで切断される第１のダミーパターンを構成する導電性材料の切削量が少なくなる。その結果、ダイシングブレードの目詰まりが生じにくくなるので、目詰まりに起因する基板へのクラックの発生を防止できる。これとは逆に、非切断領域は、第１のダミーパターンよりも占有率（密度）が高い第２のダミーパターンによって切断領域よりも機械的強度が高くなるため、個片化の際に非切断領域に生じる応力によるダメージの発生を低減することができる。さらに、ダイシングブレード側面の目詰まりが防止されることにより、ブレードの端面を研磨することにより切削能力を回復できるので、ダイシングブレードの寿命を延ばすことができる。

本発明の半導体装置において、切断領域の幅は、スクライブ領域を切断するダイシングブレードの刃幅と同等かそれよりも大きいことが好ましい。

このようにすると、ダイシングブレードの目詰まりを確実に生じにくくすることができる。

本発明の半導体装置は、半導体基板上に、回路領域の周囲を囲むように形成された導電性材料からなるシールリングをさらに備えていることが好ましい。

本発明の半導体装置において、スクライブ領域は、回路領域の周囲に形成されており、回路領域を半導体基板から切り出す際の切りしろであることが好ましい。

本発明の半導体装置において、第１のダミーパターンのパターンピッチは、第２のダミーパターンのパターンピッチよりも大きいことが好ましい。

このようにすると、ダイシングブレードの側面の目詰まりを確実に生じにくくすることができる。

本発明の半導体装置において、第１のダミーパターンのパターンサイズは、第２のダミーパターンのパターンサイズよりも小さいことが好ましい。

このようにしても、ダイシングブレードの側面の目詰まりを確実に生じにくくすることができる。

本発明の半導体装置において、第１のダミーパターンの切断領域に占める単位面積当たりの平均占有率は１０％以上且つ２５％未満であり、第２のダミーパターンの非切断領域に占める単位面積当たりの平均占有率は２５％以上且つ９０％以下であることが好ましい。

本発明の半導体装置において、切断領域におけるダイシングブレードの側面と接する領域は、第１のダミーパターンが形成されていない第１のスペースであることが好ましい。

このようにすると、個片化の際に少なくともダイシングブレードの側面が導電性材料と接することがなくなるため、ダイシングブレードの側面の目詰まりを防止できる。その結果、基板へのクラックの発生をより効果的に防止することができる。

本発明の半導体装置において、第１のスペースの幅は、第１のダミーパターンの最小ピッチの長さ以上であることが好ましい。

このようにすると、ダイシングブレードの側面の目詰まりを確実に防止することができる。

本発明の半導体装置において、切断領域は、少なくともダイシングブレードの側面と接する領域を含み且つ非切断領域と隣接する第１の領域と、第１の領域を除く第２の領域とを有し、第１の領域における第１のダミーパターンの単位面積当たりの占有率は、第２の領域における第１のダミーパターンの単位面積当たりの占有率に比べて小さいことが好ましい。

さらには、本発明の半導体装置において、切断領域は、少なくともダイシングブレードの側面と接する領域を含み且つ非切断領域と隣接する第１の領域と、第１の領域を除く第２の領域とを有し、第１の領域には、第１のダミーパターンが形成されておらず、第２の領域にのみ第１のダミーパターンが形成されていることが好ましい。

このようにすると、ダイシングブレードの側面の目詰まりをより確実に防止することができる。

この場合に、切断領域における第２の領域は、ダイシングブレードの刃幅よりも幅が小さく、且つ、ダイシングブレードの両側面よりも内側に位置することが好ましい。

本発明の半導体装置において、非切断領域は、回路領域と隣接する第３の領域と、切断領域に隣接する第４の領域とを有し、第３の領域は、第２のダミーパターンが形成されていない第２のスペースであり、第４の領域にのみ第２のダミーパターンが形成されていることが好ましい。

このようにすると、非切断領域と回路領域との構造の一体化を断つことができる。また、非切断領域に構造的強度が小さい第２のスペースを設けることにより、基板へのクラックが発生したとしても、強度が他の部分よりも小さい第２のスペースにクラックによるダメージを逃がすことができるので、回路領域にクラックが伸展することを防止できる。

この場合に、第２のスペースの幅は、第２のダミーパターンの最小ピッチの長さ以上であることが好ましい。

また、本発明の半導体装置において、切断領域の切断方向に沿った中央部に、第１のダミーパターンが形成されていない第３のスペースが設けられていることが好ましい。

このようにすると、第３のスペースによって、ダイシングブレードにおける先端面の中央部分の目詰まりが防止され、さらに半導体基板に生じるクラックが深さ方向に延びやすくなるため、半導体基板の横方向への応力及びクラックの伝播を防止することができる。

本発明の半導体装置において、第１の層間絶縁膜は、半導体基板における回路領域の上にも形成されており、第１の層間絶縁膜には、機能素子と電気的に接続される配線が形成されていることが好ましい。

この場合に、半導体装置は、第１の層間絶縁膜の上又は下に形成された第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜に形成され、配線と電気的に接続されたビアとをさらに備えていることが好ましい。

本発明の半導体装置によると、ＣＭＰ工程で生じるディッシングを防止できると共に、半導体基板（ウェハ）を個片化する際のダイシングブレードの目詰まりを低減して、半導体基板に生じるクラックを抑制することができる。また、個片化の際に発生するダメージから回路領域を保護できると共にチッピングをも防止できるため、信頼性が高い半導体装置を実現できる。

（一実施形態）
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は第１の実施形態に係る半導体装置の平面構成を示している。

図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、ウェハ状の半導体基板１に、配線及び該配線と接続されたビアにより電気的に接続された機能素子（不図示）を有する複数の回路領域２として互いに間隔をおいて且つ行列状に形成されている。

各回路領域２は、１列又は２列以上のラインビアを含む環状のシールリング３によってそれぞれの周囲を囲まれている。ここで、ラインビアとは、例えば、第１の層間絶縁膜に形成されたライン状の配線に沿って接続されるライン状のビアをいう。

半導体基板１におけるシールリング３で囲まれた各回路領域２同士の間の領域には、半導体装置、すなわち回路領域２を半導体基板１から切り出す個片化工程の際の切りしろとなるスクライブ領域４が形成されている。

回路領域２には、配線及びビアからなる配線パターン（不図示）と配線パターンと同一の導電性材料からなるダミー配線及びダミービアからなるダミーパターン（不図示）が形成されている。スクライブ領域４には、配線パターンと同一の導電性材料からなるダミー配線及びダミービアからなるダミーパターン（不図示）が形成されている。このように、回路領域２及びスクライブ領域４にダミーパターンを設けることにより、ＣＭＰ工程で生じるディッシングの防止を図ることができる。

図２Ａに図１の回路領域２の端部と回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４とを部分的に拡大して示し、図２Ｂに図２ＡのIIｂ−IIｂ線における断面構成を示す。図２Ａにおいては、複数の第１の層間絶縁膜のうちの一の上面を表わしている。

図２Ａに示すように、スクライブ領域４はその中央部分であって、個片化工程においてダイシングブレード１９により切断される切断領域５と、該切断領域５の両側に位置し、切断されない非切断領域６とに分かれている。切断領域５には、第１のダミーパターン７が形成され、非切断領域６には第２のダミーパターン８が形成されている。ここで、スクライブ領域４における切断領域５は、少なくともダイシングブレード１９の刃と接する領域を含み、ダイシングブレード１９の刃幅と同等かそれよりも大きい幅を有している。

図２Ｂの断面図に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、半導体基板１の上面に形成され、配線及びダミー配線を含む第１の層間絶縁膜１１と、ビア及びダミービアを含む第２の層間絶縁膜１２とが交互に積層された積層構造を有している。ここで、第１の層間絶縁膜１１における切断領域５には、第１のダミーパターン７が形成され、第１の層間絶縁膜１１における非切断領域６には第２のダミーパターン８が形成されている。これに対し、第２の層間絶縁膜１２における切断領域５及び非切断領域６には、ダミーパターンは形成されていない。なお、第１の層間絶縁膜１１と第２の層間絶縁膜１２との間には、エッチング阻止膜又はキャップ膜等が形成されていてもよい。また、半導体基板１の上部又は主面上に形成される機能素子、例えばトランジスタの拡散層及びゲート電極等は省略している。

複数の第１の層間絶縁膜１１の最上層には、回路領域２とスクライブ領域４の上に互いに間隔をおき、それぞれ絶縁性材料からなる第１の保護膜１６ａ及び第２の保護膜１６ｂが順次積層されて形成されている。第２の保護膜１６ｂにおける回路領域２の上には、絶縁性材料からなる樹脂保護膜１７が形成されている。また、第１の保護膜１６ａにおけるスクライブ領域４側の端部には導電性材料からなる埋め込み膜１８が配されている。

本実施形態においては、第１のダミーパターン７の切断領域５に占める単位面積当たりの占有率は、第２のダミーパターン８の非切断領域６に占める単位面積当たりの占有率と比べて小さくしている。ここで、単位面積当たりの占有率には、複数の測定領域を測定し、得られた複数のデータの平均値である平均占有率を用いてもよい。

このように、本実施形態に係るウェハ状の半導体基板１に設けられた半導体装置は、スクライブ領域４における少なくとも切断領域５を含む領域と、該領域の両側に位置する非切断領域６とにそれぞれ配置される第１のダミーパターン７と第２のダミーパターン８との各単位面積当たりの占有率を、第２のダミーパターンと比べて第１のダミーパターンで小さくなるように設定している。その結果、スクライブ領域４において、切断領域５と非切断領域６との構造的な一体性が崩れるため、スクライブ領域４に強度分布を生じさせることができる。すなわち、非切断領域６の強度は切断領域５の強度と比べて高くなっている。これにより、個片化工程において切断領域５に生じるダメージが非切断領域６にまで及びにくくなる。

言い換えれば、本実施形態に係る半導体装置は、第１のダミーパターン７の切断領域５に対する配置を、第２のダミーパターン８の非切断領域６に対する配置よりも疎となるようにしている。例えば、第１のダミーパターン７のパターンピッチを第２のダミーパターン８より大きくなるように配置したり、第１のダミーパターン７のパターンサイズを第２のダミーパターン８より小さくなるように配置する。このように、単位面積当たりの第１のダミーパターン７を構成する導電性材料の分量を第２のダミーパターンよりも少なくすることにより、個片化工程におけるダイシングブレード１９の目詰まりを低減することができる。このため、ダイシングブレード１９の目詰まりに起因する半導体基板１へのクラック（以下、単に、基板クラックと呼ぶ。）の発生を防止することが可能となる。

これに対し、スクライブ領域４における非切断領域６は、第２のダミーパターン８が密に配置されていることにより、第１のダミーパターン７が疎に配置されている切断領域５と比べて強度が高い構造となるため、個片化工程における非切断領域６に生じる応力によるダメージの発生を低減することができる。

ダイシングブレード１９の目詰まりをより効果的に防止するには、切断領域５における第１のダミーパターン７の配置は、ＣＭＰ工程における膜厚の均一性が維持される範囲でできるだけ疎にすることが好ましい。このため、第１のダミーパターン７の切断領域５に占める単位面積当たりの平均占有率は、１０％以上且つ２５％未満とすることが好ましい。逆に、非切断領域６に生じる応力によるダメージの発生を低減するには、第２のダミーパターン８の配置はできるだけ密にすることが好ましい。このため、第２のダミーパターン８の非切断領域６に占める単位面積当たりの平均占有率は２５％以上且つ９０％以下程度とすることが好ましい。なお、第１のダミーパターン７の切断領域５に占める単位面積当たりの平均占有率は、上記の範囲に限定されるものではない。第２のダミーパターン８の非切断領域６に占める単位面積当たりの平均占有率と比べて低く、且つ、ＣＭＰ工程で生じるディッシングを防止できれば良いため、例えば５％以上且つ５０％未満であってもよい。

図３は本実施形態に係る第１のダミーパターン７のダミー密度（面積率）とチッピング量との関係を示している。ここで、横軸はパターンの面積率であり、縦軸はチッピング量である。このように、第１のダミーパターン７の面積率が小さい程、チッピング防止効果が高くなることが分かる。

なお、本実施形態においては、スクライブ領域４の幅は例えば６０μｍ〜１５０μｍ程度であり、その中央に位置する切断領域５の幅はダイシングブレード１９と同等か若干大きい程度で３０μｍ〜７０μｍ程度である。切断領域５の両側に位置する非切断領域６の幅は５μｍ〜４０μｍ程度である。

第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２には、一般にＴＥＯＳ(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)又はＦＳＧ(Fluoro-Silicate-Glass）等の絶縁性材料を用いることができる。また、各層間絶縁膜１１、１２には、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）又はポーラス状膜等の種々の低誘電率膜を用いることができる。第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２は、同一の材料を用いてもよく、また、異なる材料を用いてもよい。

図２Ｂにおいては、図示を簡略化して、第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２の各層を同等の膜厚で示しているが、第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２は同一の膜厚でもよく、また異なる膜厚でもよい。例えば、積層構造（例えば、７層構造）の下層側（例えば、１層目及び２層目）の第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２には膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の低誘電率膜を用い、上層側（例えば、６層目及び７層目）の第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２には膜厚が３００ｎｍ〜１５００ｎｍ程度のＴＥＯＳ等からなる層間絶縁膜を用いるとよい。また、中間層部分（例えば、３層目から５層目）には膜厚が２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度のＴＥＯＳ等を用いてもよい。

回路領域２及びスクライブ領域４に形成されるダミーパターンを構成するダミー配線及びダミービアは、回路領域２及びスクライブ領域４にダマシンプロセス等を用いて形成される配線パターンを構成する配線及びビアを形成する工程において、それぞれ同時に形成することができる。ここで、配線及びダミー配線並びにビア及びダミービアはそれぞれ銅又は銅合金等の導電性材料により形成できる。なお、各層間絶縁膜１１、１２の界面に、窒化チタン（ＴｉＮ）等の薄膜よりなる拡散防止用のバリア膜（不図示）を設けてもよい。

一般に最上層の第１の層間絶縁膜１１の上面に形成される第１の保護膜１６ａ及び第２の保護膜１６ｂは、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料からなるパッド部（不図示）を開口部に持つ窒化シリコン（ＳｉＮ）等により構成される。ここでは、各保護膜１６ａ、１６ｂからなる２層構造としたが、１層でもよくまた３層以上で構成してもよい。

第１の保護膜１６ａ及び第２の保護膜１６ｂの空隙部分に埋め込まれる埋め込み膜１８はＡｌ等の導電性材料により形成できる。例えば、埋め込み膜１８はパッド部を形成する工程において、該パッド部と同時に形成することができる。この構成により、個片化工程の切削時に生じるチッピング等のダメージを低減することができる。

また、少なくとも回路領域２の上面を覆う樹脂保護膜１７には、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂を用いることが好ましい。これにより、個片化された半導体装置を封止する封止樹脂材に含まれるフィラー等の外部応力に対して、回路領域２に形成された機能素子を保護することができる。

本実施形態においては、シールリング３は半導体基板１の面内方向に２重に形成されており、上述したように、ライン状（線状）の配線パターンとラインビアとを交互に積層して形成されている。このように構成されたシールリング３により、回路領域２と外部とが遮断される結果、回路領域２は水や不純物等による汚染を防止することができる。ここで、シールリング３は、回路領域２に形成される配線パターンと同一の工程において同一の材料により形成することができる。また、シールリング３は必ずしも２重に形成される必要はなく、単一又は３重以上に設けてもよい。

通常、スクライブ領域４には、アライメントマーク及び工程管理用のパターン等（不図示）が形成されており、第１のダミーパターン７及び第２のダミーパターン８は、当然のことながら、アライメントマークや工程管理用のパターン等が形成されていない領域に設けられる。また、第１のダミーパターン７及び第２のダミーパターン８は、スクライブ領域４における切断方向（切削方向）に垂直な方向の領域の一部、又は積層された各層間絶縁膜１１、１２の一部にのみ設けてもよい。ここで、アライメントマーク及び工程管理用のパターン等はなるべく切断領域５に収まるように形成されることが好ましい。

なお、本実施形態においては、第２の層間絶縁膜１２と第１の層間絶縁膜１１とを基板側から交互にそれぞれ７層分だけ積層した例を示したが、各層間絶縁膜１１、１２の層数は本実施形態に限られず、種々の構成に適用することができる。

また、図２Ａ及び図２Ｂはシールリング３及び各ダミーパターン７、８を模式的に示すに過ぎず、本発明のダミーパターン７、８は、図２Ａ及び図２Ｂ以外の種々の構成に適用可能である。

また、各回路領域２の周囲を覆うシールリング３は、本発明にとって必ずしも必須の構成要件ではない。

このことは、本実施形態に限られず、本発明の半導体装置の全般についても同様である。

（一実施形態の第１変形例）
本発明の一実施形態の第１変形例について図面を参照しながら説明する。図４は第１変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域であってシールリングを含む領域の断面構成を示している。ここで、図４において、図２Ｂに示す構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。これは、以下に示す各変形例においても同様である。

図４に示すように、第１変形例に係る半導体装置は、切断領域５における少なくともダイシングブレード１９の側面１９ａ及び先端面１９ｂと接する領域を含み且つ非切断領域６と隣接する第１の領域５ａの第１のダミーパターン７の単位面積当たりの占有率を、切断領域５の第１の領域５ａを除いた第２の領域５ｂと比べて小さくしている。すなわち、ダイシングブレード１９の側面１９ａと接する第１の領域５ａに形成された第１のダミーパターン７の配置は、第２の領域５ｂに形成された第１のダミーパターン７の配置よりも疎にされている。なお、切断領域５の第２の領域５ｂにおける第１のダミーパターン７の単位面積当たりの占有率は、非切断領域６における第２のダミーパターン８の単位面積当たりの占有率と比べて、同等かそれ以下であればよい。

この構成により、個片化工程において、少なくともダイシングブレード１９の側面１９ａと接する切断領域５の第１の領域５ａにおける第１のダミーパターン７を構成する導電性材料の分量を減らせるため、ダイシングブレード１９の側面１９ａの目詰まりを抑制できる。このため、ダイシングブレード１９の目詰まりに起因する基板クラックの発生を防止することができる。

また、ダイシングブレード１９の側面１９ａの目詰まりがほとんど生じなくなるため、ダイシングブレード１９を長期にわたって良好な状態に保つことができる。

ここでは、一例として、第１のダミーパターン７における切断領域５の第１の領域５ａに、第２の領域５ｂにおける少なくとも２ピッチ分の領域幅に対して１ピッチ分のダミーパターンが含まれる場合を示している。

（一実施形態の第２変形例）
本発明の一実施形態の第２変形例について図面を参照しながら説明する。図５は第２変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域であってシールリングを含む領域の断面構成を示している。

図５に示すように、第２変形例に係る半導体装置は、スクライブ領域４における切断領域５の非切断領域６と隣接する領域であって、少なくともダイシングブレード１９の側面１９ａと接する第１の領域５ａには、第１のダミーパターン７が形成されておらず、第１のスペース１３が設けられている。切断領域５の第１の領域５ａを除いた第２の領域５ｂには、第１のダミーパターン７が形成されており、第１のダミーパターン７の第２の領域５ｂに占める単位面積当たりの占有率は、第２のダミーパターン８の非切断領域６に占める単位面積当たりの占有率と比べて同等かそれ以下であればよい。

この構成により、個片化工程において、各層間絶縁膜１１、１２の積層体をダイシングブレード１９により切断する際に、少なくともダイシングブレード１９の側面１９ａには、第１のダミーパターン７を構成する導電性材料が接触することがない。このため、ダイシングブレード１９の側面１９ａの目詰まりを防止できるので、ダイシングブレード１９の目詰まりに起因する基板クラックの発生を防止することができる。また、ダイシングブレード１９の側面１９ａに目詰まりが生じないことから、ダイシングブレード１９の寿命を延ばすことができる。

ここで、ダイシングブレード１９の側面１９ａの目詰まりをより確実に防止するため、第１のスペース１３（第１の領域５ａ）の幅は、第１のダミーパターン７の最小ピッチの長さ以上であることが望ましい。

ここで、ダイシングブレード１９の刃幅が、第１のダミーパターン７が形成されている第２の領域５ｂの幅よりも小さい場合であっても、本変形例のように、第１のダミーパターン７と第２のダミーパターン８との間に第１のスペース１３を設けることにより、該第１のスペース１３によって、応力に対する緩和層としての効果を得ることができ、チップの内部方向へのチッピング防止の効果を得ることができる。

（一実施形態の第３変形例）
本発明の一実施形態の第３変形例について図面を参照しながら説明する。図６は第３変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域であってシールリングを含む領域の断面構成を示している。

図６に示すように、第３変形例に係る半導体装置は、スクライブ領域４における非切断領域６は、シールリング３を含む回路領域２と隣接する第３の領域６ａと、切断領域５に隣接する第４の領域６ｂとを有している。ここで、第３の領域６ａには、第２のダミーパターン８が形成されておらず、代わりに第３の領域６ａは第２のスペース１４となっており、第４の領域６ｂにのみ第２のダミーパターン８が形成されている。

この構成により、スクライブ領域４における非切断領域６と該非切断領域６と隣接するシールリング３を含む回路領域２との構造的な一体性を断つことができる。その上、第１の層間絶縁膜１１における第３の領域６ａに、導電性材料からなる第２のダミーパターン８を含まず構造的に機械強度が低い第２のスペース１４を設けることにより、個片化する際に基板クラックが発生しても、破壊されやすい第２のスペース１４にクラックによるダメージを逃がすことができるため、基板クラックがシールリング３を超えて回路領域２にまで伸展することを防止できる。

ここで、第２のスペース１４（第３の領域６ａ）の幅は、基板クラックによるダメージを逃がす領域を確保できるように、第２のダミーパターン８又はシールリング３の最小ピッチの長さ以上であることが望ましい。

なお、本発明の一実施形態及びその各変形例においては、第１のダミーパターン７及び第２のダミーパターン８を、第１の層間絶縁膜１１に形成された複数の島状の（孤立した）ダミー配線として説明したが、各ダミー配線は島状に限られず、ライン状の配線とライン状の配線又はライン状の配線と島状の配線とを組み合わせた形状であってもよい。さらには、ダミー配線に複数のダミービア又はラインビアを設ける構成であってもよい。

また、本発明に係る半導体装置は、図７に示すように、スクライブ領域４において、切断領域５の第１の領域５ａに第１のスペース１３を設けると共に、非切断領域６の第３の領域６ａに第２のスペース１４を設ける構成としてもよい。このとき、切断領域５の第２の領域５ｂにのみ第１のダミーパターン７を設けると共に、非切断領域６の第４の領域６ｂにのみ第２のダミーパターン８を設ける。このような構成により、第１のスペース１３によるダイシングブレード１９の目詰まりの防止効果と、第２のスペース１４による基板クラック等のダメージを逃がして回路領域２を保護する効果との２重の効果を得ることができる。

本変形例のように、スクライブ領域４の非切断領域６における第３の領域６ａに第２のスペース１４を設けることにより、第２のスペース１４によって、応力に対する緩和層としての効果を得ることができ、チップの内部方向へのチッピング防止の効果を得ることができる。

（一実施形態の第４変形例）
本発明の一実施形態の第４変形例について図面を参照しながら説明する。図８Ａ〜図８Ｆは第４変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域であってシールリングを含む領域の構成を示しており、図８Ａは平面図であり、図８Ｂ〜図８Ｆは断面図である。

まず、図８Ａ及びその断面図である図８Ｂに示すように、第４変形例に係る半導体装置は、スクライブ領域４における切断領域５の切断方向に沿った中央部に、第１のダミーパターン７が形成されない第３のスペース２２が設けられている。すなわち、第４変形例においては、切断領域５のうちの中央部を除く領域に第１のダミーパターン７が形成されている。

この構成により、ダイシングブレード１９の目詰まりの防止効果とチッピング防止効果を得ることができる。具体的には、第３のスペース２２によって、ダイシングブレード１９の先端面１９ｂの中央部分の目詰まりが防止され、さらに半導体基板１に生じるクラックが深さ方向に延びやすくなるため、半導体基板１の横方向への応力及びクラックの伝播を防止することができる。

図８Ｃは、第４変形例に係る切断領域５に第３のスペース２２を設ける構成を本実施形態の第１変形例と組み合わせた構成である。すなわち、図４に示す構成に対して、切断領域５の第２の領域５ｂの中央部に第３のスペース２２を設けた構成であり、それ以外の構成は図４に示す構成と同一である。

図８Ｄは第４変形例に係る構成を本実施形態の第２変形例と組み合わせた構成である。すなわち、図５に示す構成に対して、切断領域５の第２の領域５ｂの中央部に第３のスペース２２を設けた構成であり、それ以外の構成は図５に示す構成と同一である。

図８Ｅは第４変形例に係る構成を本実施形態の第３変形例と組み合わせた構成である。すなわち、図６に示す構成に対して、切断領域５の中央部に第３のスペース２２を設けた構成であり、それ以外の構成は図６に示す構成と同一である。

図８Ｆは第４変形例に係る構成を本実施形態の第３変形例の他の例と組み合わせた構成である。すなわち、図７に示す構成に対して、切断領域５の第２の領域５ｂの中央部に第３のスペース２２を設けた構成であり、それ以外の構成は図７に示す構成と同一である。

このようにしても、各変形例に係る半導体装置の効果をそれぞれに得ることができる。

（一実施形態の第５変形例）
さらには、図８Ｇ及び図８Ｈに示すように、スクライブ領域４における切断領域５には、導電性材料からなる第１のダミーパターンを形成しない構成としてもよい。この構成により、ダイシングブレード１９の目詰まりを確実に防止することができる。図８Ｇは、図２Ｂに示す構成に対して、切断領域５に第１のダミーパターン７を形成しない構成であり、それ以外の構成は図２Ｂに示す構成と同一である。また、図８Ｈは、図６に示す構成に対して、切断領域５に第１のダミーパターン７を形成しない構成であり、それ以外の構成は図６に示す構成と同一である。

（一実施形態の第６変形例）
本発明の一実施形態の第６変形例について図面を参照しながら説明する。図９は第６変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域であってシールリングを含む領域の断面構成を示している。図９は、図２Ｂに示す構成に対して、非切断領域６に第２のスペース１５を形成した構成であり、それ以外の構成は図２Ｂに示す構成と同一である。

図９に示すように、第６変形例に係る半導体装置は、スクライブ領域４の非切断領域６に、半導体基板１の主面の法線に対して斜めに並行し且つ連続的に形成された２列の第２のスペース１５を有している。具体的には、各第２のスペース１５は、それぞれの下部が切断領域５側に位置し且つそれぞれの上部が非切断領域６と隣接するシールリング３側に位置するように形成されている。

このように、第６変形例に係る半導体装置は、スクライブ領域４の非切断領域６に、導電性材料からなる第２のダミーパターン８を含まず構造的な強度が低い第２のスペース１５が設けられていることにより、個片化工程において非切断領域６の第２のスペース１５が容易に破壊される。このため、各層間絶縁膜１１、１２の膜剥離又は基板クラックを生じさせる応力を第２のスペース１５によって吸収することができる。特に、各層間絶縁膜１１、１２における切断領域５側の下部からシールリング３側の上部に向けて複数の第２のスペース１５を連続的に設けることにより、クラックが半導体基板１側に伸展しにくくなるので、基板クラックをより効果的に逃がすことができる。すなわち、個片化する際に、切断領域５を起点とする膜剥離又は基板クラックを生じさせる応力を、非切断領域６の内部に切断領域５側の下部からシールリング３側の上部に斜め方向に形成された非強化領域である第２のスペース１５に沿って上層側に効果的に逃がすことができる。

なお、第２のスペース１５は２列に限られず、１列でもよく、また３列以上を設けてもよい。

また、第６変形例においては、第２のスペース１５の形成方向をその下部が切断領域５側とし、その上部をシールリング３側となるように斜め方向に形成したが、これと逆方向に形成してもよい。具体的には、基板クラックが回路領域２に達しない程度に、第２のスペース１５の下部をシールリング３側とし、その上部を切断領域５側としてもよい。

また、第７変形例として、図１０Ａに示すように、第２のスペース１５を、非切断領域６において、その下部を広くし且つその上部がシールリング３側に向けて狭くなるように第２のダミーパターン８を配置しない構成としてもよい。また、これとは逆に、図１０Ｂに示すように、第２のスペース１５を、非切断領域６において、その上部を広くし且つその下部が切断領域５側に向けて狭くなるように第２のダミーパターン８を配置しない構成としてもよい。

第６及び第７変形例においても、第１のダミーパターン７及び第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜１１に形成された複数の島状のダミー配線に限られず、種々の構成を採ることができる。以下にその構成を示す。

図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ及び図１２Ｂは本発明の第８変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域であってシールリングを含む領域の第２のダミーパターンの構成を示している。

図１１Ａに示す、スクライブ領域４の非切断領域６に形成された第２のダミーパターン８は、それぞれがスクライブ領域４に対して垂直な方向に延びるライン状のダミー配線で構成され、該ライン状のダミー配線は第２のスペース１５によって分断されている。

図１１Ｂに示す第２のダミーパターン８は、それぞれがスクライブ領域４に対して垂直な方向に延びるライン状のダミー配線及びラインビアで構成され、該ダミー配線及びラインビアは第２のスペース１５によって分断されている。

図１２Ａに示す第２のダミーパターン８は、それぞれが島状のダミー配線又はスクライブ領域４と平行な方向（切断方向）に延びるライン状のダミー配線と島状のダミービアとで構成されており、第２のスペース１５により、ダミービアが分断されている。

図１２Ｂに示す第２のダミーパターン８は、それぞれがスクライブ領域４に対して垂直な方向に延びるライン状のダミー配線と、島状のダミービア又は切断方向に延びるラインビアとからなる網目構造を有し、該網目構造は第２のスペース５によって分断されている。なお、上下に隣接するダミービア同士は、基板面に垂直な一の直線（法線）上に載るように配置されていてもよく、また、互いにずれて配置されていてもよい。
これら以外にも、第２のダミーパターン８は、後述するような種々の構成を採ることができる。

なお、第６〜第８変形例においても、スクライブ領域４の切断領域５には第１のスペース１３を設ける共に、非切断領域６には第２のスペース１４を設ける構成とすることができる。また、切断領域５に第１のダミーパターン７を設けない構成とすることができる。

ところで、本発明の一実施形態及びその各変形例において、スクライブ領域４の切断領域５に設ける第１のダミーパターン７は、前述したようにＣＭＰ工程における膜厚の均一性を損なわない程度に配置をできるだけ疎となるようにしたほうが好ましく、また、第１の層間絶縁膜１１に形成された複数の島状のダミー配線によって形成されていることが好ましい。

以下では、チッピングによる基板クラック及び層間絶縁膜の膜剥離等のダメージを防ぐためのより効果的な第１のダミーパターンの構成について例を挙げて説明する。

（第１のダミーパターンの第１変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１変形例に係る第１のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図１３（ａ）〜図１３（ｄ）はスクライブ領域の切断領域に配置された第１変形例に係る第１のダミーパターンの平面構成を示している。

図１３（ａ）〜図１３（ｄ）に示すように、第１変形例に係る第１のダミーパターン７は、第１の層間絶縁膜に形成された複数の島状のダミー配線により形成されている。さらに、第１のダミーパターン７は、切断領域５における切断方向に垂直な方向の単位長さ当たりの占有率が、切断領域５における切断方向の単位長さ当たりの占有率よりも小さくなるように配置されている。すなわち、第１のダミーパターン７は、パターンの配置が切断方向に平行な方向と比べて垂直な方向が疎となるように形成されている。

例えば、図１３（ａ）に示す第１のダミーパターン７は、アレイ状に配置された複数の島状（平面正方形状）のダミー配線を切断方向に平行な方向と比べて垂直な方向のスペースが広くなるように配置されている。

図１３（ｂ）に示す第１のダミーパターン７は、切断方向に平行な方向と比べて垂直な方向のスペースが広くなるように配置した複数の島状のダミー配線を、切断方向に平行な方向においては直線状に配置し、切断方向に垂直な方向においては、互いに隣接するダミー配線の端面同士が一の直線上に載らないように配置している。

図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に示す第１のダミーパターン７は、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す配置パターンにおいて、各ダミー配線の平面形状を対向する２辺が切断方向と平行な方向に長い長方形状としている。

このように、第１変形例に係る第１のダミーパターン７は、配線パターンが切断方向に垂直な方向よりも平行な方向に密に配置されることにより、第１の層間絶縁膜には切断方向と平行な方向に機械的な強度が高くなる複数の壁構造が形成される。このため、壁構造同士の間に挟まれた機械的な強度が低いスペース部に沿って個片化される際のダメージを切断方向に逃がすことができる。その結果、切断方向に対して垂直な方向に生じるチッピングを抑えることができる。

ここで、図１３（ｂ）及び図１３（ｄ）に示すように、切断方向に垂直な方向に生じる応力が集中しやすいパターンの各端面が一の直線上に載らないようにすることにより、発生するダメージを切断方向により逃がしやすくすることができる。また、島状のダミー配線の平面形状は、方形に限られず、多角形状であってもよい。この場合、多角形状であっても、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に示すように、その長手方向を切断方向に一致させることよって、切断方向に密な配線パターンを得ることができる。

（第１のダミーパターンの第２変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第２変形例に係る第１のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図１４は切断領域に配置された第２変形例に係る第１のダミーパターンの切断方向に平行な方向の断面構成を示している。

図１４に示すように、複数の第１のダミーパターン７は、第１の層間絶縁膜１１にそれぞれ第２の層間絶縁膜１２を介在させて形成されている。第２変形例に係る第２のダミーパターン７は、その特徴として、切断方向に平行な方向で且つ上下に隣接する第１のダミーパターン７同士の端面は、半導体基板１の主面の一の法線と重ならないように形成されている。

このように、第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２の膜厚方向に応力が集中するパターンの端面が切断方向に平行な方向で一の直線（法線）上に載らないようにすることにより、膜剥離等の各層間絶縁膜１１、１２に生じる切削によるダメージを低減することができる。

この場合に、切断方向に垂直な方向の断面に対しては、第１の層間絶縁膜１１にそれぞれ形成された第１のダミーパターン７の端面が一の直線（法線）上に載るように配置することが好ましい。なぜなら、切断方向に垂直な方向においては、構造的に強度が低いスペース部が切断方向に垂直な方向の一の直線（法線）上に載るため、個片化の際のダイシングブレードに生じる機械的な抵抗が低減されるからである。

次に、本発明の一実施形態及びその各変形例において、第２のダミーパターン８は、非切断領域６の機械的強度を高めるためには、できるだけ配置を密にすることが好ましく、例えば島状のダミー配線には島状のビアを組み合わせたり、ライン状のダミー配線にはラインビアを組み合わせたりする等の、種々の構成を採ることができる。

なお、各層間絶縁膜１１、１２に生じる膜剥離によるチッピングをより効果的に防止するには、第２のダミーパターン８には、上下に隣接する第１の層間絶縁膜１１の間にそれぞれ設けられた第２の層間絶縁膜１２に、第１の層間絶縁膜１１に形成されたダミー配線同士を連結するダミービアを設けることが好ましい。ダミービアは、各層間絶縁膜１１、１２の楔として機能し、各層間絶縁膜１１、１２の耐剥離性を補完することができる。特に、各層間絶縁膜１１、１２に密着性が比較的に低い低誘電率材料を用いる際に有効である。

以下、チッピングによる基板クラックや各層間絶縁膜１１、１２の膜剥離をより効果的に防ぐことが可能な配置又は形状を有する第２のダミーパターンについて例を挙げて説明する。

（第２のダミーパターンの第１変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図１５（ａ）及び図１５（ｂ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、第１変形例に係る第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜に形成された複数の島状のダミー配線により形成されている。さらに、第２のダミーパターン８は、非切断領域６における切断方向に垂直な方向の単位長さ当たりの占有率が、非切断領域６における切断方向の単位長さ当たりの占有率よりも小さくなるように配置されている。すなわち、第２のダミーパターン８は、パターンの配置が切断方向に平行な方向よりも切断方向に垂直な方向が疎となるように形成されている。なお、各第２の層間絶縁膜に対して、該第２の層間絶縁膜の上下に形成された第１の層間絶縁膜に含まれるダミー配線同士を連結するダミービアを形成してもよい。

例えば、図１５（ａ）に示す第２のダミーパターン８は、アレイ状に配置された複数の島状（平面正方形状）のダミー配線を切断方向に平行な方向と比べて垂直な方向のスペース部分が広くなるように配置されている。

また、図１５（ｂ）に示す第２のダミーパターン８は、切断方向に平行な方向と比べて垂直な方向のスペースが広くなるように配置した複数の島状のダミー配線を、切断方向に平行な方向においては直線状に配置し、切断方向に垂直な方向においては、互いに隣接するダミー配線の端面同士が一の直線上に載らないように配置している。

この構成により、第２のダミーパターン８は、配線パターンが疎に配置された切断方向に垂直な方向と比べ、配線パターンが密に配置された切断方向に平行な方向の機械的な強度が切断方向の広いスペース部分によって低くなる。このため、個片化工程において各層間絶縁膜に切削により生じるダメージを切断方向に平行な方向に逃がすことができる。

ここで、図１５（ｂ）に示すように、切断方向に垂直な方向に生じる応力が集中しやすいパターンの各端面が一の直線上に載らないようにすることにより、発生するダメージを切断方向により逃がしやすくすることができる。また、各ダミー配線の平面形状を例えば長方形状とし、その長手方向を切断方向に一致させることよっても切断方向に密な配線パターンを配置することができる。

なお、本変形例に限らず以下に述べる各変形例においても同様に、第２のダミーパターン８を切断方向に垂直な方向と比べて切断方向に平行な方向に密に配置することにより、切削により生じるダメージを切断方向に平行な方向に逃がしやすくことができる。

また、本変形例及び以下に述べる各変形例において、島状のダミー配線の平面形状は、方形状に限られず、多角形状であってもよい。

（第２のダミーパターンの第２変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第２変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図１６（ａ）〜図１６（ｄ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第２変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図１６（ａ）〜図１６（ｄ）に示すように、第２変形例に係る第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜１１に形成された複数の島状（平面正方形状）のダミー配線又は切断方向に平行な方向に延びるライン状のダミー配線により形成されている。さらに、第２変形例に係る第２のダミーパターン８は、切断方向に垂直な方向において、切断領域５側の単位長さ当たりの占有率がシールリング３側の単位長さ当たりの占有率よりも小さくなるように配置されていることを特徴とする。すなわち、第２のダミーパターン８の配置が、シールリング３側と比べて切断領域５側が疎となるように形成されている。

例えば、図１６（ａ）に示す第２のダミーパターン８は、複数の島状のダミー配線を切断方向に垂直な方向の配置ピッチを、シールリング３側と比べて切断領域５側が大きくなるように配置している。図１６（ｂ）に示す第２のダミーパターン８は、切断方向に平行に延びるライン状のダミー配線の配線ピッチを、シールリング３側と比べて切断領域５側が大きくなるように配置している。また、図１６（ｃ）及び図１６（ｄ）に示すように、切断方向に対して垂直な方向の配線ピッチを変える代わりに、パターンの切断方向に対して垂直な方向の幅寸法を、シールリング３側と比べて切断領域５側が小さくなるように配置することにより、配置に疎密差を形成してもよい。

このような構成により、非切断領域６は、シールリング３側が切断領域５側と比べて構造的に機械強度が高くなるため、個片化工程において切削により生じるダメージを非切断領域６に逃がすと共に、非切断領域６に生じたダメージがシールリング３側に達することを防ぐことができる。ここで、第２のダミーパターン８は、切断領域５側からシールリング３側に向かって疎から密に段階的に形成していくと、より効果的である。

なお、図１６（ａ）及び図１６（ｃ）に示すように、第２のダミーパターン８は、切断方向に垂直な方向であって、応力が集中しやすい各端面が一の直線上に載らないように配置することにより、各層間絶縁膜に切削により生じるダメージを切断方向に逃がしやすくすることができる。また、図１６（ｂ）及び図１６（ｄ）に示すように、第２のダミーパターン８として、切断方向に平行に延びるライン状のダミー配線を用いることにより、各層間絶縁膜に切削により生じるダメージを切断方向により逃がしやすくできる。

また、本変形例に限らず以下に述べる各変形例においても同様に、第２のダミーパターン８をシールリング３側と比べて切断領域５側が疎となるように配置することにより、切削により生じるダメージを切断方向に平行な方向に逃がしやすくことができる。

また、本変形例及び以下に述べる各変形例において、ライン状のダミー配線の平面形状は、直線形状とは限らず、曲線や分岐を有していてもよい。また、幅も均一とは限らず部分的に広狭を有していてもよい。

（第２のダミーパターンの第３変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第３変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第３変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、第３変形例に係る第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜に形成された複数の島状のダミー配線を、配置の疎密が面内で不均一となるように形成されている。例えば、図１７（ａ）に示す第２のダミーパターン８は、平面形状が同一の正方形状とする複数の島状のダミー配線を配線ピッチが不均一となるように配置している。また、図１７（ｂ）に示す第２のダミーパターン８は、各配線パターン内に、平面寸法又は縦横の比が異なる方形状を持つ複数の島状のダミー配線を配置することにより、配置の疎密差を形成してもよい。

この構成により、第１の層間絶縁膜における非切断領域６の内部には、強度が異なる領域が不均一に存在するため、個片化工程において各層間絶縁膜に印加される負荷が分散されるので、各層間絶縁膜の非切断領域６にダメージを生じにくくすることができる。

（第２のダミーパターンの第４変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第４変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図１８（ａ）〜図１８（ｄ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第４変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図１８（ａ）〜図１８（ｄ）に示すように、第４変形例に係る第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜に、少なくとも切断領域５と対向する対向辺に凹部を持つ平面多角形状を有する複数の島状のダミー配線として形成されている。

すなわち、第４変形例に係る第２のダミーパターン８は、切断領域５との対向面に内角が１８０°を超える隅部を有している。応力は内角が１８０°を超える隅部に集中しやすく、従って、該隅部でダメージをトラップできるため、クラックのシールリング３側への伸展を防ぐことができる。

（第２のダミーパターンの第５変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第５変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図１９（ａ）〜図１９（ｄ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第５変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図１９（ａ）〜図１９（ｄ）に示すように、第５変形例に係る第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜に、少なくとも切断領域５と対向する対向面に凹凸形状を有し、切断方向に並行して延びる複数のライン状のダミー配線として形成されている。

従って、第５変形例に係る第２のダミーパターン８においても、切断領域５との対向面に形成された、内角が１８０°を超える隅部に応力が集中しやすいため、該隅部でダメージをトラップできるので、クラックのシールリング３側への伸展を防ぐことができる。

（第２のダミーパターンの第６変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第６変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２０（ａ）及び図２０（ｂ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第６変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、第２のダミーパターン８は、スクライブ領域の切断方向に対して垂直な方向に延びるライン状のパターンにより形成されている。

例えば、図２０（ａ）に示す第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜に形成された複数の島状のダミー配線が、切断方向と垂直な方向には互いに近接して実質的にライン状に配置され、且つ切断方向と平行な方向には相対的に広い間隔をおいて配置されている。

また、他の例として、図２０（ｂ）に示す第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜に形成されたライン状のダミー配線が、切断方向と垂直な方向に延び且つ相対的に広い間隔をおいて配置されている。

このような構成により、スクライブ領域の切断方向に対して垂直な方向に延びるように形成された導電性材料からなる第２のダミーパターン８が、切断方向に対して平行な方向に伸展するチッピングのストッパ材（チッピング停止材）となるため、個片化工程において切断方向に垂直な方向に生じるチッピングによる剥離量（欠け量）を小さくすることができる。

ここで、第２のダミーパターン８における切断削方向と平行な方向の間隔は、非切断領域６の幅の４分の１倍から２倍程度が好ましい。第２のダミーパターン８の間隔を比較的に大きく取ることにより、第２のダミーパターン８同士の間に応力が集中するのを防ぐことができるため、切断方向と垂直な方向にチッピングが伸展することを防ぐことができる。

また、第７変形例として、図２１に示すように、第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜に形成され、ストッパ材として機能する切断方向と垂直な方向に延びるライン状ダミーパターン８ａと、該ライン状ダミーパターン８ａ同士の間に形成された構造強化用で複数の島状ダミーパターン８ｂとから構成されることが好ましい。ここで、ライン状ダミーパターン８ａは、島状ダミーパターン８ｂよりも切断領域５側に突き出している方が好ましい。

また、第８変形例として、図２２に示すように、ストッパ材となるライン状ダミーパターン８ａを切断領域５側の近傍の領域にのみ形成してもよい。

なお、第７変形例及び第８変形例において、構造強化用のダミーパターンは島状とは限らず切断方向と平行なライン状でもよく、第１変形例〜第５変形例で前述した種々の変形例と組み合わせて用いてもよい。

（第２のダミーパターンの第９変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第９変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２３（ａ）及び図２３（ｂ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第９変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すように、第９変形例に係る第２のダミーパターン８は、スクライブ領域の切断方向と平行な方向に延びるライン状の第１ダミー配線と、切断方向と垂直な方向に延びるライン状の第２ダミー配線とにより形成された網目状の平面構造を有している。

このように、非切断領域６に形成される第２のダミーパターン８の平面構成を網目状とすることにより、非切断領域６の機械的な強度が向上するため、個片化工程において切削により層間絶縁膜の非切断領域に生じるダメージを低減できる。

ここで、図２３（ｂ）に示すように、第２ダミー配線の切断領域５側の端部に加わる応力集中を分散するため、第２ダミー配線は一の直線を構成しないことが好ましい。

また、切断方向と平行な方向にダメージを逃がすため、第２ダミー配線の間隔は第１ダミー配線の間隔の２倍以上であることが好ましい。

（第２のダミーパターンの第１０変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１０変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２４（ａ）及び図２４（ｂ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１０変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示すように、第１０変形例に係る第２のダミーパターン８は、スクライブ領域の切断方向に対して４５°をなす少なくとも１辺を有し、且つ切断領域５と対向する対向辺に凹部を持つ平面多角形状を有する複数の島状のダミー配線として形成されている。

この構成により、半導体基板にシリコン（Ｓｉ）を用いる場合に、該半導体基板のへき開方向である、晶帯軸の＜１１０＞方向に伸展するクラックを抑制することができる。特に、半導体基板をその晶帯軸の＜１００＞方向に切断する場合に有効である。

（第２のダミーパターンの第１１変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１１変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２５（ａ）〜図２５（ｄ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１１変形例に係る第２のダミーパターンの平面構成を示している。

図２５（ａ）〜図２５（ｄ）に示すように、第１１変形例に係る第２のダミーパターン８は、スクライブ領域の切断方向に対してそれぞれ４５°をなす複数のライン状のダミー配線として形成されている。

このような構成であっても、第１０変形例と同様に、半導体基板にシリコン（Ｓｉ）を用いる場合に、半導体基板のへき開方向である、晶帯軸の＜１１０＞方向に伸展するクラックを抑制することができ、特に、半導体基板をその晶帯軸の＜１００＞方向に切断する場合に有効である。

また、図２５（ｃ）のように、第２のダミーパターン８を一方向にのみ傾斜させたライン状パターンで構成する場合は、個片化する際のダイシングブレードの進行方向（図面では上方から下方）に傾斜させた方が、ダイシングブレードとの抵抗が少なくなるので好ましい。なお、半導体基板に対する＜１００＞方向の切断は、トランジスタ素子の能力の向上を図るため、トランジスタ素子のチャネル方向を＜１００＞方位に形成する場合等に付随して必要とされる。

また、図示はしていないが、他の変形例として、図２５（ａ）〜図２５（ｄ）に示すライン状のダミー配線に代えて、全部又は一部を切断方向と４５°をなし且つ近接してライン状に配置された複数の島状のダミー配線として形成してもよい。

また、図示はしていないが、スクライブ領域の切断方向に対してそれぞれ４５°をなすライン状のダミー配線を相対的に広い間隔で配置してもよい。このような構成によってもチッピングのストッパ材（チッピング停止材）となる。さらに、ストッパ材として機能する該ライン状ダミーパターン同士の間に構造強化用の複数の島状ダミーパターンが形成されることが好ましい。ここで、ライン状ダミーパターンは、島状ダミーパターンよりも切断領域５側に突き出している方が好ましい。

以上、本発明の一実施形態とその各変形例における第２のダミーパターンを構成する第１の層間絶縁膜に形成されたダミー配線の平面構成について説明したが、以上の例に限られず、島状のダミー配線とライン状のダミー配線とを組み合わせた構成、又は屈曲部若しくは分岐部を有するダミー配線等の種々の構成を採ることができる。

また、島状のダミー配線は、方形状又は多角形状パターンで構成されていてもよい。また、ライン状のダミー配線は、任意の箇所で２つ以上に分断されていてもよい。また、第２のダミーパターンの一部とシールリングとが一体に形成されていてもよい。また、第１の層間絶縁膜に形成されたダミー配線は、各層間絶縁膜ごとにパターンのサイズ、形状又は配線の方向が異なっていてもよい。

（第２のダミーパターンの第１２変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１２変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２６はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１２変形例に係る第２のダミーパターンの切断方向に平行な方向の断面構成を示している。

図２６に示すように、複数の第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜１１にそれぞれ第２の層間絶縁膜１２を介在させて形成されている。第１２変形例に係る第２のダミーパターン８は、その特徴として、切断方向に平行な方向で且つ上下に隣接する第２のダミーパターン８同士の端面は、半導体基板１の主面の一の法線と重ならないように形成されている。

このように、第１の層間絶縁膜１１及び第２の層間絶縁膜１２の膜厚方向に応力が集中するパターンの端面が切断方向に平行な方向で一の直線（法線）上に載らないようにすることにより、層間絶縁膜１１、１２に切削により生じる膜剥離等のダメージを低減することができる。

この場合に、切断方向に対して垂直な方向の断面に対しても、各第１の層間絶縁膜８に形成された第２のダミーパターン８の端面が直線上に載らないように配置すると、より高い効果を得ることができる。

以上、本発明の一実施形態とその各変形例における第２のダミーパターンを構成する第１の層間絶縁膜に形成されたダミー配線について説明したが、本発明に係る第２のダミーパターンは、第１の層間絶縁膜に形成されたダミー配線同士の間の任意の箇所に第２の層間絶縁膜に形成された複数のダミービア又はラインビアを設けてもよい。

以下、第２のダミーパターンにダミービア又はラインビアを設ける構成例を説明する。

（第２のダミーパターンの第１３変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１３変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２７（ａ）及び図２７（ｂ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１３変形例に係る第２のダミーパターンであって、図２７（ａ）は切断方向に垂直な方向の断面構成を示し、図２７（ｂ）は（ａ）のXXVIIｂ−XXVIIｂ線における切断方向に平行な方向の断面構成を示している。

図２７（ａ）及び図２７（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁膜１２の各層には、第２のダミーパターン８を構成するダミービアがそれぞれダミー配線と接続されるように形成されている。さらに、一の層の第２の層間絶縁膜に形成されたダミービアの中心位置と、第１の層間絶縁膜１１を介して隣接する他の層の第２の層間絶縁膜に形成されたダミービアの中心位置とが一の直線（法線）上に載らないように配置されている。

この構成により、第２の層間絶縁膜１２における応力が集中しやすいダミービア部の周辺の領域に、個片化する際の切削によるダメージを分散させることができる。

ここで、ダミービアは、シールリング３側と比べて切断領域５側が疎になるように配置することが好ましい。例えば、ダミービアのピッチをシールリング３側と比べて切断領域５側が大きくなるように配置するとよい。また、ダミービアの個数をシールリング３側と比べて切断領域５側が少なくなるように配置してもよい。このようにすると、非切断領域６は、切断領域５側と比べてシールリング３側の機械的な強度が高くなるため、個片化工程の際に生じる切削によるダメージを非切断領域６に逃がすと共に、非切断領域６に生じたダメージがシールリング３側に達することを防ぐことができる。

また、第２のダミーパターン８に設けるダミービアは、非切断領域６に対して不均一に配置することが好ましい。これにより、非切断領域６に強度が異なる領域が不均一に分布して、個片化の際の負荷が分散されるため、各層間絶縁膜１１、１２の非切断領域６に切削により生じるダメージを抑制することができる。

（第２のダミーパターンの第１４変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１４変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２８はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１４変形例に係る第２のダミーパターンの切断方向に平行な方向の断面構成を示している。

図２８に示すように、第２のダミーパターン８は、複数の第１の層間絶縁膜１１にそれぞれ形成されたライン状のダミー配線と、複数の第２の層間絶縁膜１２にそれぞれ形成されたダミービアとが断面網目状に配置されている。

ここで、網目状構造は、切断方向に対して平行な方向の断面に形成されていてもよく、また、切断方向に対して垂直な方向の断面に形成されていてもよい。また、切断方向に対して平行な方向及び垂直な方向に立体的に形成されていてもよい。さらには、切断方向に対して斜めの方向に延びるライン状のダミー配線に沿った断面に形成されていてもよい。

一般に、配線とビアとによって囲まれた領域は応力が集中しやすく、機械的強度も低いため破壊されやすい。しかしながら、第１４の変形例に係る第２のダミーパターンは、断面網目構造により機械的強度が高くなっているため、各層間絶縁膜１１、１２にクラックが生じにくい。すなわち、個片化工程において生じる応力に対する耐性が向上する。

なお、第１の層間絶縁膜１１に形成されたライン状のダミー配線は必ずしも直線状である必要はなく、全部又は一部が短冊状に分断された構成であってもよい。このように分断されて構造的に弱い箇所を意図的に設けることにより、切削により生じたダメージを吸収し、シールリング３側に達することを防ぐことができる。

ここで、一の層の第２の層間絶縁膜１２に形成された各ダミービアの中心位置は、第１の層間絶縁膜１１を介して隣接する他の層の第２の層間絶縁膜に形成されたダミービアの中心位置とが一の直線（法線）上に載らないように配置することが好ましい。このようにすると、応力が集中しやすいダミービアを第２の層間絶縁膜１２の非切断領域６に分散することができる。

また、第２のダミーパターン８における網目状の断面構造は、シールリング３側と比べて切断領域５側の網目構造が粗くなるように配置することが好ましい。このようにすると、非切断領域６は切断領域５側と比べてシールリング３側の強度が高くなるため、非切断領域６に切削により生じたダメージがシールリング３側に達することを防ぐことができる。

さらには、第２のダミーパターン８における網目の大きさが不均一となるように配置することが好ましい。これにより、非切断領域６に強度が異なる領域が不均一に分布するため、個片化の際の負荷が分散されて、各層間絶縁膜１１、１２の非切断領域６に切削により生じるダメージを抑制することができる。

（第２のダミーパターンの第１５変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１５変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図２９（ａ）〜図２９（ｃ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１５変形例に係る第２のダミーパターンであって、図２９（ａ）は切断方向に垂直な方向の断面構成を示し、図２９（ｂ）は（ａ）のXXIXｂ−XXIXｂ線における切断方向に平行な方向の断面構成を示し、図２９（ｃ）は（ａ）のXXIXｃ−XXIXｃ線における切断方向に平行な方向の断面構成を示している。

図２９（ａ）〜図２９（ｃ）に示すように、第２の層間絶縁膜１２の各層には、第２のダミーパターン８を構成するラインビアがそれぞれダミー配線と接続され且つ切断方向と平行な方向に延びるように形成されている。さらに、一の層の第２の層間絶縁膜に形成されたラインビアの中心位置と、第１の層間絶縁膜１１を介して隣接する他の層の第２の層間絶縁膜に形成されたラインビアの中心位置とが一の直線（法線）上に載らないように配置されている。

この構成により、応力が集中しやすいラインビア同士の間の領域に個片化工程の切削により生じるダメージを逃がすことができ、且つ遮蔽力が高い構造を実現できる。

ここで、ラインビア同士の間隔は、シールリング３側と比べて切断領域５側が大きくなるように配置することが好ましい。この構成により、各層間絶縁膜１１、１２において、非切断領域６が切断領域５側と比べてシールリング３側の機械的強度が向上するため、非切断領域６に生じたダメージがシールリング３側に達することを防ぐことができる。

（第２のダミーパターンの第１６変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１６変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図３０はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１６変形例に係る第２のダミーパターンの要部の構成を示している。

図３０に示すように、第２のダミーパターン８は、第１の層間絶縁膜１１に形成された複数のライン状のダミー配線と、第１の層間絶縁膜１１の上下方向に隣接する第２の層間絶縁膜１２に形成され、各ダミー配線と接続されるダミービアとから構成されている。

第１６変形例の特徴として、ライン状の各ダミー配線は互いに異なる方向に延びるように形成されていることを特徴とする。ここで、ライン状のダミー配線は、切断領域６に対して平行な方向又は垂直な方向に配置されていてもよく、また、切断領域６に対して斜めに形成されていてもよい。

このような構成により、各層間絶縁膜１１、１２に印加される応力の方向性が分散されるため、個片化工程で切削により生じたダメージが一の方向に伸展することを防ぐことができる。

（第２のダミーパターンの第１７変形例）
本発明の一実施形態及びその各変形例の第１７変形例に係る第２のダミーパターンについて図面を参照しながら説明する。図３１（ａ）〜図３１（ｃ）はスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１７変形例に係る第２のダミーパターンであって、図３１（ａ）は要部の構成を示し、図３１（ｂ）は（ａ）のXXXIｂ−XXXIｂ線における断面構成を示し、図３１（ｃ）は（ａ）のXXXIｃ−XXXIｃ線における断面構成を示している。

図３１（ａ）〜図３１（ｃ）に示すように、第２のダミーパターン８は、例えば１層目の第１の層間絶縁膜１１及び５層目の第１の層間絶縁膜１１には互いに同一方向に延びるライン状のダミー配線が形成されている。また、２層目及び４層目の第２の層間絶縁膜１２には、それぞれ１層目及び５層目のライン状のダミー配線と接続されたダミービアが形成されている。また、３層目の第１の層間絶縁膜１１には各ダミービアと接続された島状のダミー配線を形成することにより、２本のライン状のダミー配線、４つのダミービア、２つの島状のダミー配線により１つのリング構造体が形成されている。さらに、一のリング構造体の内側をくぐるように他のリング構造体が形成されている。

ここで、第１７変形例に係る第２のダミーパターン８のリング構造体は、島状のダミー配線を用いずに、ライン状のダミー配線のみで形成してもよい。また、各リング構造体を構成するライン状のダミー配線は、切断領域６に対して平行な方向又は垂直な方向に配置されていてもよく、また、切断領域６に対して斜めに形成されていてもよい。

また、図３１（ａ）〜図３１（ｃ）においては、各リング構造体を直線的に連結した梯子状パターンを示したが、これに限られず、屈曲部を持つように折り曲げて連結してもよい。

第１７変形例によると、スクライブ領域の非切断領域６に設ける第２のダミーパターン８として、互いの内側をくぐるように形成された複数のリング構造体を用いているため、個片化工程の切削によるダメージを吸収でき、且つ機械的な強度が高い構造を実現できる。

なお、互いの内側をくぐるように形成されたリング構造体同士は、ダミー配線又はダミービアにより互いに接続されずに、独立した構造体であることが望ましい。

なお、これまでに説明した第２のダミーパターンを構成する第２の層間絶縁膜に形成されるダミービアは、図示を簡略化するため、単一ビアとして記載したが、単一ビアに限られない。すなわち、ビア形成領域に密集して配置した複数個の集合ビアにより構成されていてもよい。但し、この場合は、ダミービアの配置ピッチは、集合ビアを構成する個々のビアのピッチより大きい構成とすることはいうまでもない。

また、本発明の一実施形態及びその各変形例においては、半導体基板の上部に形成される不純物拡散層の記載を省略している。

また、第１のダミーパターン及び第２のダミーパターンは、通常の配線用の導電性材料だけでなく、ゲート電極を形成する配線と同一の配線層の導電性材料をもダミーパターンとして用いることができる。また、周辺部に絶縁性材料が埋め込まれてなるＳＴＩ（shallow trench isolation）分離部が形成された活性領域をダミーとして用いることもできる。

（ＳＴＩ分離部）
本発明の一実施形態及びその各変形例のＳＴＩ分離部について図面を参照しながら説明する。図３２Ａ及び図３２Ｂは半導体基板におけるスクライブ領域の平面構成を示し、図３２Ｂは図３２ＡのXXXIIｂ−XXXIIｂ線における断面構成を示している。但し、図３２Ａにおいては、各層間絶縁膜及び各ダミーパターンを除去した状態の平面構成である。

図３２Ａ及び図３２Ｂに示すように、半導体基板１におけるスクライブ領域４の上部には、複数のＳＴＩ分離部２１が切断方向と平行な方向に形成され、形成された複数のＳＴＩ分離部２１同士の間には、複数のダミー活性領域２０が形成されている。

また、スクライブ領域４の切断領域５に形成された第１のダミーパターン７及びスクライブ領域４の非切断領域６に形成された第２のダミーパターン８の配置は、図７に示した構成と同一である。

このように、クラックの起点となりやすい複数のＳＴＩ分離部２１が切断方向と平行な方向に設けられているため、クラックの伸展方向をシールリング３側ではなく、切断方向に平行な方向に逃がすことができる。

図３２Ｂに示すように、半導体基板１における切断領域５に形成された第１のスペース１３及び非切断領域６に形成された第２のスペース１４の上部には、それぞれＳＴＩ分離部２１を設けることが好ましい。このようにすると、第１のスペース１２及び第２のスペース１４のように、機械的強度を意図的に低くした領域に基板クラックによるダメージを逃がしやすくすることができる。

以上のように、スクライブ領域４のパターンについて本発明の構成を示したが、実際のスクライブ領域４には、評価パターン又はアライメントマーク等からなるアクセサリパターンが形成される場合もある。これらのアクセサリパターンを含むウェハ状の半導体装置であっても本発明に含まれる。

また、図面を参照しながら本発明の一実施形態及びその各変形例について説明したが、本実施形態及びその変形例は本発明の例示に過ぎず、実施形態及びその変形例を組み合わせた実施形態も本発明に含まれる。また、図示した以外にも本発明の技術思想の範囲において、種々の構成を採ることができる。

本発明の半導体装置は、ＣＭＰ工程で生じるディッシングを防止できると共に、半導体基板を個片化する際のダイシングブレードの目詰まりを低減して、半導体基板に生じるクラックを抑制することができ、多層配線構造を有する半導体装置等に有用である。

本発明の一実施形態に係るウェハレベルの半導体装置を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す部分的な拡大平面図である。 図２ＡのIIｂ−IIｂ線における断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置における第１のダミーパターンの面積率とチッピング量との関係を示すグラフである。 本発明の一実施形態の第１変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第２変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第３変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第３変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第４変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 図８ＡのVIIIｂ−VIIIｂ線における断面図である。 本発明の一実施形態の第４変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第４変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第４変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第４変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第５変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第５変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第６変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第７変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第７変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第８変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第８変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第８変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 本発明の一実施形態の第８変形例の他の例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施形態及びその各変形例における切断領域に配置された第１変形例に係る第１のダミーパターンを示す平面図である。 本発明の一実施形態及びその各変形例における切断領域に配置された第２変形例に係る第１のダミーパターンの切断方向に平行な方向を示す断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第２変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第３変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第４変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第５変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第６変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第７変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第８変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第９変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１０変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１１変形例に係る第２のダミーパターンを示す平面図である。 本発明の一実施形態及びその各変形例における非切断領域に配置された第１２変形例に係る第２のダミーパターンの切断方向に平行な方向を示す断面図である。 （ａ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１３変形例に係る第２のダミーパターンの切断方向に垂直な方向を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）のXXVIIｂ−XXVIIｂ線における断面図である。 本発明の一実施形態及びその各変形例における非切断領域に配置された第１４変形例に係る第２のダミーパターンの切断方向に平行な方向を示す断面図である。 （ａ）は本発明の一実施形態及びその各変形例におけるスクライブ領域の一の非切断領域に配置された第１５変形例に係る第２のダミーパターンの切断方向に垂直な方向を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）のXXIXｂ−XXIXｂ線における断面図である。（ｃ）は（ａ）のXXIXｃ−XXIXｃ線における断面図である。 本発明の一実施形態及びその各変形例における非切断領域に配置された第１６変形例に係る第２のダミーパターンを示す要部の斜視図である。 （ａ）は本発明の一実施形態及びその各変形例における非切断領域に配置された第１７変形例に係る第２のダミーパターンを示す要部の斜視図である。（ｂ）は（ａ）のXXXIｂ−XXXIｂ線における断面図である。（ｃ）は（ａ）のXXXIｃ−XXXIｃ線における断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置及びその各変形例における半導体基板のスクライブ領域を示す平面図である。 図３２ＡのXXXIIｂ−XXXIIｂ線における断面図である。 （ａ）は従来例に係るウェハレベルの半導体装置におけるスクライブ領域を示す平面図である。（ｂ）は（ａ）のXXXIIIｂ−XXXIIIｂ線における断面図である。

符号の説明

１ 半導体基板（ウェハ）
２ 回路領域
３ シールリング
４ スクライブ領域
５ 切断領域
５ａ 第１の領域
５ｂ 第２の領域
６ 非切断領域
６ａ 第３の領域
６ｂ 第４の領域
７ 第１のダミーパターン
８ 第２のダミーパターン
８ａ ライン状ダミーパターン
８ｂ 島状ダミーパターン
１１ 第１の層間絶縁膜
１２ 第２の層間絶縁膜
１３ 第１のスペース
１４ 第２のスペース
１５ 第２のスペース
１６ａ 第１の保護膜
１６ｂ 第２の保護膜
１７ 樹脂保護膜
１８ 埋め込み膜
１９ ダイシングブレード
１９ａ 側面
１９ｂ 先端面
２０ ダミー活性領域
２１ ＳＴＩ分離部
２２ 第３のスペース

Claims (17)

1. 半導体基板に形成された機能素子を有する回路領域と、
   前記回路領域と該回路領域と間隔をおいて形成された他の回路領域との間に位置する領域であって、切断領域と該切断領域の両側に設けられた非切断領域とからなるスクライブ領域と、
   前記半導体基板における前記スクライブ領域の上に形成された第１の層間絶縁膜と、
   前記第１の層間絶縁膜における前記切断領域に形成された導電性材料からなる第１のダミーパターンと、
   前記第１の層間絶縁膜における前記非切断領域に形成された導電性材料からなる第２のダミーパターンとを備え、
   前記切断領域における前記第１のダミーパターンの単位面積当たりの占有率は、前記非切断領域における前記第２のダミーパターンの単位面積当たりの占有率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記切断領域の幅は、前記スクライブ領域を切断するダイシングブレードの刃幅と同等かそれよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２に記載の半導体装置において、
   前記半導体基板上に、前記回路領域の周囲を囲むように形成された導電性材料からなるシールリングをさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記スクライブ領域は、前記回路領域の周囲に形成されており、前記回路領域を前記半導体基板から切り出す際の切りしろであることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記第１のダミーパターンのパターンピッチは、前記第２のダミーパターンのパターンピッチよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記第１のダミーパターンのパターンサイズは、前記第２のダミーパターンのパターンサイズよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記第１のダミーパターンの前記切断領域に占める単位面積当たりの平均占有率は１０％以上且つ２５％未満であり、
   前記第２のダミーパターンの前記非切断領域に占める単位面積当たりの平均占有率は２５％以上且つ９０％以下であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
   前記切断領域におけるダイシングブレードの側面と接する領域は、前記第１のダミーパターンが形成されていない第１のスペースであることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８に記載の半導体装置において、
   前記第１のスペースの幅は、前記第１のダミーパターンの最小ピッチの長さ以上であることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
    前記切断領域は、少なくともダイシングブレードの側面と接する領域を含み且つ前記非切断領域と隣接する第１の領域と、前記第１の領域を除く第２の領域とを有し、
    前記第１の領域における前記第１のダミーパターンの単位面積当たりの占有率は、前記第２の領域における前記第１のダミーパターンの単位面積当たりの占有率に比べて小さいことを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
    前記切断領域は、少なくともダイシングブレードの側面と接する領域を含み且つ前記非切断領域と隣接する第１の領域と、前記第１の領域を除く第２の領域とを有し、
    前記第１の領域には、前記第１のダミーパターンが形成されておらず、前記第２の領域にのみ前記第１のダミーパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１０又は１１に記載の半導体装置において、
    前記切断領域における前記第２の領域は、ダイシングブレードの刃幅よりも幅が小さく、且つ、ダイシングブレードの両側面よりも内側に位置することを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１〜１２のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
    前記非切断領域は、前記回路領域と隣接する第３の領域と、前記切断領域に隣接する第４の領域とを有し、
    前記第３の領域は、前記第２のダミーパターンが形成されていない第２のスペースであり、前記第４の領域にのみ前記第２のダミーパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１３に記載の半導体装置において、
    前記第２のスペースの幅は、前記第２のダミーパターンの最小ピッチの長さ以上であることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項１〜１４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
    前記切断領域の切断方向に沿った中央部に、前記第１のダミーパターンが形成されていない第３のスペースが設けられていることを特徴とする半導体装置。
16. 請求項１〜１５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
    前記第１の層間絶縁膜は、前記半導体基板における前記回路領域の上にも形成されており、
    前記第１の層間絶縁膜には、前記機能素子と電気的に接続される配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。
17. 請求項１６に記載の半導体装置において、
    前記第１の層間絶縁膜の上又は下に形成された第２の層間絶縁膜と、
    前記第２の層間絶縁膜に形成され、前記配線と電気的に接続されたビアとをさらに備えていることを特徴とする半導体装置。

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