JP2009135397A

JP2009135397A - 半導体装置

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Publication number: JP2009135397A
Application number: JP2008087906A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Takemura; 康司竹村; Takahiro Kumakawa; 隆博隈川; Yoshihiro Matsushima; 芳宏松島
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2007-10-31
Filing date: 2008-03-28
Publication date: 2009-06-18
Also published as: CN101425517A

Abstract

【課題】半導体ウェハをチップに分割する際、スクライブ領域においてレーザグルービング工法を用いた場合、拡散層までレーザ光が透過すると、拡散層に設置した拡散層導電膜にレーザ光が吸収され、導電膜の溶解及び体積膨張により、拡散層導電膜上の広い範囲で層間膜の膜剥がれの発生を防止する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上に、配線が形成された第１の層間絶縁膜６と、配線と電気的に接続されるビアが形成された第２の層間絶縁膜７とが交互に積層され、配線又はビアと電気的に接続される機能素子を有する複数の回路領域２と、該回路領域２の周囲に形成され、回路領域２を半導体基板１から切り出す際の切りしろであるスクライブ領域４とが形成されている。スクライブ領域４には、導電性材料からなる第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３が形成されている。
【選択図】図７

Description

本発明は、多層配線構造を有する半導体装置に関する。

一般に、多層配線構造を有する半導体装置の配線層を形成する際には、配線層ごとに層間絶縁膜に形成された溝部に金属膜を埋め込む方法（ダマシン法）が採用されている。ダマシン法は、溝部が形成された半導体基板の全面に金属膜を堆積し、例えば化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法により、溝部の内部にのみ金属膜を残し、不要な金属膜を除去する。このダマシン法に伴うＣＭＰ法は、層間絶縁膜に形成される配線パターン等により研磨速度に差異が生じる。すなわち、層間絶縁膜に形成される配線パターン等が疎な領域は、配線パターン等が密な領域に比べて、研磨速度が速くなるため、膜厚が小さくなる。この研磨速度の違いから生じる配線膜厚の変動を防止することは、最終的な配線膜厚の変動を抑制するために重要である。そのため、配線パターン等が疎な領域にダミーパターンとして擬似配線パターンを配置する手法が採用されている。これにより、ＣＭＰ工程において生じるパターン隅崩れ（ディッシング）を防止することができる。

例えば、特許文献１には、ＣＭＰ工程におけるディッシングを防止するため、半導体基板のスクライブ領域及び回路領域に均一なダミーパターンを設けた半導体装置が記載されている。

図２３は、従来の半導体装置における半導体ウェハをチップ状に分割するための切断領域であるスクライブ領域を示す図であり、図２３（ａ）は左右に回路領域が配置されたスクライブ領域の平面構成であり、スクライブ領域を構成する複数の第１の層間絶縁膜のうちの１つの上面を示している。図２３（ｂ）は図２３（ａ）のXVIｂ-XVIｂ線における断面構成であり、層間絶縁膜の上に形成される保護膜等が形成された断面を示している。

図２３（ａ）に示すように、半導体基板１の主面には、機能素子（図示せず）が形成される複数の回路領域２が互いに間隔をおいて形成されており、各回路領域２の周囲には導電性材料よりなるシールリング３が形成されている。互いに隣り合う回路領域２のそれぞれに形成されたシールリング３に挟まれる領域は、各回路領域２を個片化する際の切断領域であるスクライブ領域４が形成されている。

また、図２３（ｂ）に示すように、半導体基板１の主面上には、第１の層間絶縁膜６と第２の層間絶縁膜７とが交互に積層されており、回路領域２の第１の層間絶縁膜６には、導電性材料よりなる配線（図示せず）が形成され、回路領域２の第２の層間絶縁膜７には導電性材料よりなるビア（図示せず）が形成されている。一方、スクライブ領域４の第１の層間絶縁膜６には、導電性材料よりなり、均等に配置された孤立パターン（島状パターン）であるダミーパターン３０が形成されている。このように、スクライブ領域４には、均等に配置されたダミーパターン３０が形成されることによって、ＣＭＰ工程におけるディッシングの防止が図られている。

また、ダイシング工程において発生するチッピングを防止する方法として、特許文献４に、半導体ウェハ上のダイシングラインの両側に間隔をおいてレーザ照射光を当て、膜剥れ防止溝を形成する工程が記載されている。
特開２００４−２３５３５７号公報特開２００６−４１２４４号公報特開２００４−１５３０１５号公報特開２００７−４８９９５号公報

しかしながら、前記従来の半導体装置では、ディッシング防止のためにダミーパターンを形成すること及びレーザ照射光を用いて膜剥れ防止溝を形成する工程についてそれぞれ言及されているものの、スクライブ領域に形成する拡散層導電膜、配線ダミーパターンの配置及びレーザグルービング工法の関係については、特に言及されていない。レーザグルービング工法を用いた場合、拡散層までレーザ光が透過すると、拡散層に設置した拡散層導電膜にレーザ光が吸収され、拡散層導電膜の溶解及び体積の膨張が起こり、拡散層導電膜の上の広い範囲で層間膜の膜剥がれが発生することになる。この剥離は、この段階でチップ内部への水分浸入等の問題があるだけでなく、レーザグルービング後のダイシング工程において、チッピングの起点となり、品質及び信頼性が低下する懸念となる。

本発明は、前記従来の問題に鑑み、半導体基板（ウェハ）をレーザグルービング工法を用いて個片化する際のチッピングにより不良の発生を防止することを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置を、スクライブ領域のうちダイシング工程等でレーザ光が照射される領域に、拡散層導電膜を形成しない、又は、スクライブ領域に拡散層導電膜が存在する場合、層間絶縁膜にダミーパターンを配置して拡散層にレーザ光が照射されない構成とする。

具体的に、本発明に係る第１の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、半導体基板の上に積層された層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられた配線パターン及びビアパターンとからなる半導体装置を対象とし、半導体基板に形成された複数の回路領域と、回路領域の周囲に形成され、各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、拡散層導電膜は、スクライブ領域のうちの少なくともレーザ光が照射される領域に形成されていないことを特徴とする。

本発明の第１の半導体装置によると、スクライブ領域のレーザグルービング工程によるレーザ光が照射される領域に拡散導電膜が形成されていないため、拡散層導電膜にレーザ光が吸収された際に、拡散層導電膜の溶解及び体積の膨張が起こり、層間絶縁膜の膜剥がれが発生することを防止できる。このため、レーザ光が照射されることによる半導体装置の品質及び信頼性の低下を防止することができる。

本発明の第１の半導体装置において、拡散層導電膜は、スクライブ領域の全体にわたって形成されていないことが好ましい。

本発明の第１の半導体装置において、スクライブ領域には配線パターン及びビアパターンが形成されていないことが好ましい。

このようにすると、レーザ光が照射されるスクライブ領域にレーザ光を吸収する材料が存在しないため、レーザ光による均一な層間絶縁膜の溶解を実施することができるので、層間膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

本発明の第１の半導体装置において、スクライブ領域は、該スクライブ領域の中心線近傍領域を除く領域に、配線パターン又はビアパターンが形成されており、スクライブ領域に形成される配線パターン又はビアパターンが中心線近傍領域を跨ぐ距離は、層間絶縁膜のうち上層側ほど大きいことが好ましい。

このようにすると、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光が照射されるスクライブ領域には、拡散層導電膜及び配線パターン及びビアパターン等の導電性部材が形成されていないため、スクライブ領域にレーザ光を吸収する材料が存在しない。このため、レーザ光による均一な層間絶縁膜の溶解を実施することができるので、層間膜の膜剥がれの発生を防止することができる。また、レーザ光が照射されるスクライブ領域を除く領域には、配線パターン又はビアパターンが形成されているため、ＣＭＰ工程において生じるディッシングを防止することができる。

本発明に係る第２の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられた配線パターン及びビアパターンとからなる半導体装置を対象とし、半導体基板に形成された複数の回路領域と、回路領域の周囲に形成され、各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、スクライブ領域は、平面的にみて、スクライブ領域のうちの少なくともレーザ光が照射される領域が、複数の層間絶縁膜に形成されたそれぞれの配線パターン及びビアパターンのいずれか一方によって覆われていることを特徴とする。

本発明の第２の半導体装置によると、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光が、まず配線パターン又はビアパターンに吸収されることになり、レーザ光が配線パターン又はビアパターンに吸収されることに伴って熱が発生するため、層間絶縁膜の溶解が起こる。このことは、層間絶縁膜層における上層側の位置で溶解が発生し、溶解部が昇華除去されて、順次拡大されるため、スクライブ領域の広い範囲で、レーザ光による均一な溶解すなわち層間絶縁膜層の除去を実施することができる。このため、レーザ光が照射されるスクライブ領域に拡散層導電膜が形成されていたとしても、拡散層導電膜の上の層間絶縁膜に形成された配線パターン又はビアパターンによって、レーザ光が遮蔽されるので、レーザ光が照射されることによる半導体装置の品質及び信頼性の低下を防止することができる。

本発明の第２の半導体装置において、スクライブ領域は、平面的にみて、複数の層間絶縁膜に形成されたそれぞれの配線パターン又はビアパターンによって、スクライブ領域の全体が覆われていることが好ましい。

本発明の第２の半導体装置において、スクライブ領域には、拡散層導電膜が形成されていてもよい。

このようにすると、レーザグルービング工程を行う際のレーザ光は、拡散層導電膜の上の層間絶縁膜に形成された配線パターン又はビアパターンに吸収され、レーザ光が配線パターン又はビアパターンによって遮蔽される。このため、拡散層導電膜にレーザ光が吸収されて拡散層導電膜の溶解及び体積膨張が起こり、層間絶縁膜が膜剥がれを起こすことを防止できる。従って、レーザ光が照射されることによる半導体装置の品質及び信頼性の低下を防止することができる。

本発明の第２の半導体装置において、スクライブ領域に形成された複数の層間絶縁膜に配置されたそれぞれの配線パターン同士は、平面的にみて、少なくとも配線パターンの端部が互いに重なり合っていることが好ましい。

このようにすると、配線パターンを構成する導電性材料を減少させることができるため、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光のレーザ光量を相対的に少なくすることができるので、安定稼動が可能となる。

また、本発明の第２の半導体装置において、スクライブ領域に形成された複数の層間絶縁膜に配置されたそれぞれの配線パターン同士は、平面的にみて、配線パターンの端部が一致していることが好ましい。

このようにすると、配線パターンを構成する導電性材料をさらに減少させることができるため、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光のレーザ光量を相対的に少なくすることができるので、安定稼動が可能となる。

本発明の第２の半導体装置において、スクライブ領域に形成された配線パターンは、複数の層間絶縁膜のうち上層から２以上の層間絶縁膜に形成されていることが好ましい。

このようにすると、配線パターンを構成する導電性材料を減少させることができるため、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光のレーザ光量を相対的に少なくすることができるので、安定稼動が可能となる。層間絶縁膜の下層側では導電性材料の溶解が発生しないためスクライブ領域の広い範囲で、レーザ光による均一な溶解すなわち層間絶縁膜層の除去を実施することができる。

本発明の第２の半導体装置において、スクライブ領域に形成された配線パターンは、複数の層間絶縁膜のうち下層から２以上の層間絶縁膜に形成されていることが好ましい。

このようにすると、層間絶縁膜の上層側に配線パターンを形成するよりも細かい配線パターンを形成することができるため、レーザ光による発熱及び溶解反応をより均一に発生させることができる。このため、スクライブ領域の広い範囲で、レーザ光による均一な溶解すなわち層間絶縁膜層の除去を実施することができる。

本発明の第３の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、半導体基板上に積層され、配線パターンを有する層間絶縁膜とからなる半導体装置を対象とし、半導体基板に形成された複数の回路領域と、回路領域の周囲に形成され、各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、スクライブ領域は、少なくともレーザ光が照射される領域に、平板状の前記配線パターンが形成されていることを特徴とする。

本発明の第３の半導体装置によると、平板状の配線パターンによって、レーザグルービング工程を行う際に照射されるレーザ光を確実に吸収することができる。レーザ光によって、層間絶縁膜層の上層側より溶解反応が進み、順次下層側へ進むため、上層の層間絶縁膜が除去されることになる。このため、スクライブ領域の広い範囲で、レーザ光による均一な溶解すなわち層間絶縁膜層の除去を実施することができる。このため、レーザ光が照射されるスクライブ領域に拡散層導電膜が形成されていたとしても、拡散層導電膜の上の層間絶縁膜に形成された配線パターンによって、レーザ光が遮蔽されるので、レーザ光が照射されることによる半導体装置の品質及び信頼性の低下を防止することができる。

本発明の第４の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、半導体基板上に積層された層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられた配線パターン及びビアパターンとからなる半導体装置を対象とし、半導体基板に形成された複数の回路領域と、回路領域の周囲に形成され、各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、スクライブ領域は、平面的にみて、スクライブ領域のうちの少なくともレーザ光が照射される領域が、複数の層間絶縁膜に形成されたそれぞれの配線パターン及びビアパターンによって覆われていることを特徴とする。

本発明の第４の半導体装置によると、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光が、まず配線パターン及びビアパターンに吸収されることになり、レーザ光が配線パターン及びビアパターンに吸収されることに伴って熱が発生するため、層間絶縁膜の溶解が起こる。このことは、層間絶縁膜層における上層側の位置で溶解が発生し、溶解部が昇華除去されて、順次拡大されるため、スクライブ領域の広い範囲で、レーザ光による均一な溶解すなわち層間絶縁膜層の除去を実施することができる。このため、層間絶縁膜に形成された配線パターン及びビアパターンによって、レーザ光が遮蔽されるので、レーザ光が照射されることによる半導体装置の品質及び信頼性の低下を防止することができる。

本発明の第４の半導体装置において、配線パターン及びビアパターンは、複数の層間絶縁膜に形成され、平面的にみて、スクライブ領域の全体を覆っていることが好ましい。

本発明の第４の半導体装置において、配線パターンは、スクライブ領域の全体に形成され、ビアパターンは、スクライブ領域の中心線近傍領域における上層のみに形成されていることが好ましい。

このようにすると、膜厚の厚い層間絶縁膜の上層に配線パターン及びビアパターンが形成されるため、レーザ光による層間絶縁膜の溶解が上層側から下層へと順次拡大されるため、層間絶縁膜を均一に溶解させ除去することができる。

本発明の第４の半導体装置において、スクライブ領域には、拡散層導電膜が形成されていてもよい。

このようにすると、レーザグルービング工程を行う際のレーザ光は、拡散層導電膜の上の層間絶縁膜に形成された配線パターン及びビアパターンに吸収され、レーザ光が配線パターン及びビアパターンによって遮蔽される。このため、拡散層導電膜にレーザ光が吸収されて拡散層導電膜の溶解及び体積膨張が起こり、層間絶縁膜が膜剥がれを起こすことを防止できる。従って、レーザ光が照射されることによる半導体装置の品質及び信頼性の低下を防止することができる。

本発明の第４の半導体装置において、配線パターン及びビアパターンは、互いに接続されていることが好ましい。

本発明に係る半導体装置によると、半導体基板（ウェハ）をレーザグルービング工法を用いて個片化する際にレーザ光による均一な層間膜の除去を実施できるためチッピングにより不良の発生を防止することができる。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。

図１は第１の実施形態に係るウェハレベルの半導体装置の平面構成を示している。

図１に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置は、ウェハ状の半導体基板１に、配線と該配線に接続されたビアとにより電気的に接続された機能素子（図示せず）を有する複数の回路領域２が互いに間隔をおいて且つ行列状に形成されている。各回路領域２は、１列以上のラインビアを含む環状のシールリング３によってそれぞれの周囲を囲まれている。ここで、ラインビアとは、例えば、第１の層間絶縁膜に形成されたライン状の配線に沿って接続されるライン状のビアをいう。第１の実施形態においては、２列のラインビアが形成されている。さらに、互いに隣り合う回路領域同士の間、すなわち、シールリング３の外周には、回路領域２を半導体装置１から切り出す個片化工程の際の切りしろとなるスクライブ領域４が形成されている。

図２は互いに隣り合う回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を部分的に拡大した平面構成を示し、図３は図２のIII−III線における断面構成を示している。図２においては、スクライブ領域４を構成する複数の第１の層間絶縁膜のうちの１つの上面を表わしている。

図２に示すように、スクライブ領域４は、互いに隣り合う回路領域２同士の間に形成されている。すなわち、スクライブ領域４はそれぞれの回路領域２の周囲に形成されたシールリング３の外周に配置されている。個片化工程において、スクライブ領域４における、互いに隣り合う回路領域２同士の中央部に配置されたブレードダイシング領域５が切断されることになる。

また、図３に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板１の上に第１の層間絶縁膜６と第２の層間絶縁膜７とが交互に積層された積層構造を有している。図３に示す回路領域２は、その一部のみ示しているため図示されていないが、回路領域２の第１の層間絶縁膜６は配線及びダミー配線を含み、回路領域２の第２の層間絶縁膜７はビア及びダミービアを含み、配線及びビアからなる配線パターンと、配線パターンと同一の導電性材料からなるダミー配線及びダミービアからなるダミーパターンとが形成されている。第１の実施形態においては、スクライブ領域４に拡散層導電膜が形成されておらず、且つ、スクライブ領域４の第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７に、配線パターンと同一の導電性材料からなるダミー配線及びダミービアからなるダミーパターンが形成されていない。

また、複数の層からなる層間絶縁膜の最上層の上には、それぞれ絶縁性材料からなる第１の保護膜８ａ及び第２の保護膜８ｂが順次積層されて形成されている。第１の保護膜８ａ及び第２の保護膜８ｂは、回路領域２とスクライブ領域４との間で分断されており、回路領域２に形成された第１の保護膜８の端部には導電性材料からなる埋め込み膜９が形成されている。また、回路領域２に形成された第２の保護膜８ｂの上には、絶縁性材料からなる樹脂保護膜１０が形成されている。なお、図示は省略するが、第１の層間絶縁膜６と第２の層間絶縁膜７との間には、エッチング阻止膜又はキャップ膜等が形成されていてもよい。

また、図３に示すように、個片化工程において、レーザグルービング処理を行うレーザ光１１は、互いに隣り合う回路領域２同士に挟まれたスクライブ領域４の中央部であるブレードダイシング領域５を照射する。

このように、第１の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板１と層間絶縁膜との間に拡散層導電膜が形成されておらず、また、スクライブ領域４に配線及びビアも形成されていない。このような拡散層導電膜、配線及びビア等の導電性部材が形成されていない第１の実施形態に係る半導体装置のスクライブ領域４にレーザグルービング処理を行い切断する。

図４は、拡散層導電膜、配線及びビア等が形成されていないスクライブ領域４にレーザグルービング処理を実施した断面構成を示している。

図４に示すように、第１の実施形態に係るスクライブ領域４にはレーザ光１１を吸収する材料からなる拡散層導電膜等の導電性部材が存在しないため、スクライブ領域４の広い範囲で、複数の第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７に対してレーザ光１１による均一な溶解を実施することができる。このため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。また、スクライブ領域４に適切な長さの時間でレーザ光１１を照射することによって、半導体基板１に形成されたスクライブ領域４の表面に溝を形成することができる。すなわち、ブレードダイシング領域５に層間絶縁膜が存在しない領域が形成される。このようにすると、その後のブレードダイシング領域５に対してブレードダイシングを実施する際に、チッピングが発生しやすい第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７が除去されているため、単一材料の半導体基板１のみを切削すればよいので、チッピング不良が起きる可能性を非常に低くすることができる。したがって、回路領域２を半導体基板１から切り出す個片化工程で生じるチッピング不良を防止することができる。

なお、第１の実施形態においては、スクライブ領域４の幅は例えば６０μｍ〜１５０μｍ程度であり、その中央に位置するブレードダイシング領域５の幅はダイシングブレードと同等か若干大きい程度で例えば３０μｍ〜７０μｍ程度である。

また、絶縁性材料からなる第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７には、一般にＴＥＯＳ(Tetra Ethyl Ortho Silicate)又はＦＳＧ(Fluoro Silicate Glass）等を用いることができる。また、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の材料は、ＴＥＯＳ又はＦＳＧ等の絶縁性材料に代えて、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）又はポーラス状膜等の種々の低誘電率膜を用いてもよい。第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７は、同一の材料を用いてもよく、また、異なる材料を用いてもよい。

また、図３及び４においては、図示を簡略化して、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の全ての層を同等の膜厚で示しているが、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７は同一の膜厚でもよく、また異なる膜厚であってもよい。例えば、積層構造の下層側すなわち半導体基板１に近接する第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７には膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の低誘電率膜を用い、上層側に近接する側の第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７には膜厚が３００ｎｍ〜１５００ｎｍ程度のＴＥＯＳ等からなる層間絶縁膜を用いてもよい。また、中間層部分には膜厚が２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度のＴＥＯＳ等からなる層間絶縁膜を用いてもよい。

なお、第１の実施形態においてはスクライブ領域４における層間絶縁膜が複数の層から形成されているが、これに代えて、図５に示すように、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７が１層ずつ形成された層間絶縁膜であっても良い。

回路領域２に形成されるダミーパターンを構成するダミー配線及びダミービアは、回路領域２にダマシン法等を用いて、配線パターンを構成する配線及びビアを形成する工程において、同時に形成することができる。ここで、配線及びダミー配線並びにビア及びダミービアはそれぞれ銅又は銅合金等の導電性材料により形成できる。なお、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の界面に、窒化チタン（ＴｉＮ）等の薄膜よりなる拡散防止用のバリア膜（図示せず）を設けてもよい。

一般に最上層の第１の層間絶縁膜６の上面に形成される第１の保護膜８ａ及び第２の保護膜８ｂは、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料からなるパッド部（図示せず）を開口部に持つ窒化シリコン（ＳｉＮ）等により構成される。ここでは、各保護膜８ａ、８ｂからなる２層構造としたが、１層でもよくまた３層以上で構成してもよい。また、回路領域２に形成された第１の保護膜８ａの端部に形成され、第１の保護膜８ａ及び第２の保護膜８ｂの空隙部分に埋め込まれる埋め込み膜９はＡｌ等の導電性材料により形成できる。例えば、埋め込み膜９はパッド部を形成する工程において、該パッド部と同時に形成することができる。この構成により、個片化工程の切削時に生じるチッピング等のダメージを低減することができる。

第１の実施形態においては、シールリング３は半導体基板１の回路領域２の外周に２重に形成されており、上述したように、ライン状（線状）の配線パターンとラインビアとを交互に積層して形成されている。このように構成されたシールリング３により、回路領域２と外部とが遮断される結果、回路領域２は水や不純物等による汚染を防止することができる。ここで、シールリング３は、回路領域２に形成される配線パターンと同一の工程において同一の材料により形成することができる。また、シールリング３は必ずしも２重に形成される必要はなく、単一又は３重以上に設けてもよい。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に示す実施例及び変形例において、第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。第２の実施形態は、スクライブ領域４にダミー配線又はダミービアからなるダミーパターンを形成する構成である。

図６は互いに隣り合う回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を部分的に拡大した平面構成を示している。図６（ａ）は、複数の第１の層間絶縁膜６のうち配線パターンからなる第１のダミーパターン１２が形成された第１の層間絶縁膜６を示しており、図６（ｂ）は複数の第１の層間絶縁膜６のうち配線パターンからなる第２のダミーパターン１３が形成された第１の層間絶縁膜６を示している。また、図７は図６（ａ）及び図６（ｂ）のVI−VI線における断面構成を示している。

図６（ａ）、図６（ｂ）及び図７に示すように、第１の層間絶縁膜６に形成された第１のダミーパターン１２は、配線パターンと同一の導電性材料が格子状に配置され、第２のダミーパターン１３は、第１のダミーパターン１２を反転させた位置に導電性材料が配置されている。このとき、スクライブ領域４、特にブレードダイシング領域５は、平面的にみて、ダミーパターンが配置されない部分がないように、配置されているが、拡散層導電膜は配置されていない。このように、第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とを配置することにより、レーザグルービング時のレーザ光１１が導電性材料によって遮蔽されるように配置されるため、半導体基板１におけるスクライブ領域４が導電性材料によって覆われる。なお、導電性材料としては、銅、アルミニウム又はタングステン等が用いられる。

図８は、第２の実施形態において、スクライブ領域４にレーザグルービング処理を実施した断面構成を示している。

図８に示すように、スクライブ領域４に適切な長さの時間でレーザ光１１を照射することによって、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７を溶解し、さらに、半導体基板１の表面に溝を形成することができる。

このような構成とすることにより、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光１１が、まず第１のダミーパターン１２又は第２のダミーパターン１３に吸収されることになり、レーザ光１１がダミーパターンに吸収されることに伴って熱が発生するため、層間絶縁膜の溶解が起こる。このことは、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７における上層側の位置で溶解が発生し、溶解部が昇華除去されて、順次拡大されるため、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このように、層間絶縁膜の膜剥がれを防止したレーザグルービングを実行することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

その後、第１の実施形態と同様に、ブレードダイシング領域５に対してブレードダイシングを実施する際に、スクライブ領域４内のブレードダイシング領域５においては、チッピングが発生しやすい第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７が除去されているため、単一材料の半導体基板１のみを切削すればよいので、チッピング不良が起きる可能性を非常に低くすることができる。したがって、回路領域２を半導体基板１から切り出す個片化工程で生じるチッピング不良を防止することができる。

なお、第２の実施形態においては、第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３は、配線パターンにより形成しているが、ビアパターンにより形成してもよい。

なお、スクライブ領域４に形成される第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３を構成するダミー配線又はダミービアは、回路領域２にダマシンプロセス等を用いて配線パターン又はビアパターンを形成する工程と同時に同一材料を用いて形成することができる。

また、第２の実施形態においては、第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３は、ダミー配線又はダミービアがそれぞれ行列状に配置するように形成しているが、スクライブ領域４を覆うように形成されていれば行列状の配置でなくてもよい。

また、２つ以上のダミーパターンを組み合わせてスクライブ領域４を覆うように形成すればよい。

また、第２の実施形態においては、第１の層間絶縁膜６のみにダミーパターンを形成したが、第２の層間絶縁膜７にダミーパターンを形成してもよい。

（第２の実施形態の第１変形例）
本発明の第２の実施形態の第１変形例について図面を参照しながら説明する。第２の実施形態の第１変形例は、半導体基板１と層間絶縁膜との間に拡散層導電膜１４が形成されていることを特徴とする。

図９は第２の実施形態の第１変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、図３及び図７と同様に回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図９に示すように、第１変形例に係る半導体装置は、第２の実施形態の構成に加えて、スクライブ領域４における半導体基板１と層間絶縁膜との間に拡散層導電膜１４が形成されている。ここで、拡散層導電膜１４の材料としては、ポリシリコン、タングステン又はニッケル化合物等を用いることができる。

このように、拡散層導電膜１４が形成されていても、第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とが、半導体基板１におけるスクライブ領域４を覆う構成であるため、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光１１が、まず第１のダミーパターン１２又は第２のダミーパターン１３に吸収されることになり、レーザ光１１がダミーパターンに吸収されることに伴って熱が発生するため、層間絶縁膜の溶解が起こる。このことは、第２の実施形態と同様であり、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７における上層側の位置で溶解が発生し、溶解部が昇華除去されて、順次拡大されるため、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このように、拡散層導電膜１４にレーザ光１１が照射されるよりも前に層間絶縁膜の溶解及び除去が起きているため、拡散層導電膜１４の溶解により層間絶縁膜が影響を受けることはないため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

その後、第１の実施形態と同様に、ブレードダイシング領域５に対してブレードダイシングを実施する際に、チッピングが発生しやすい第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７が除去されているため、単一材料の半導体基板１のみを切削すればよいので、チッピング不良が起きる可能性を非常に低くすることができる。したがって、回路領域２を半導体基板１から切り出す個片化工程で生じるチッピング不良を防止することができる。

（第２の実施形態の第２変形例）
本発明の第２の実施形態の第２変形例について図面を参照しながら説明する。

図１０は第２の実施形態の第２変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図１０に示すように、第２変形例に係る半導体装置は、第２の実施形態と同様に第１の層間絶縁膜６に第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３が形成されるが、第１のダミーパターン１２が形成された第１の層間絶縁膜６と、第２のダミーパターン１３が形成された第１の層間絶縁膜６との間にダミーパターンが形成されない第１の層間絶縁膜６が配置された構成である。このような構成であっても、第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とによって、半導体基板１におけるスクライブ領域４を覆っており、第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３のどちらもが配置されない部分がないように配置されている。

なお、半導体基板１と層間絶縁膜との間に拡散層導電膜が形成されていたとしても第２の実施形態の第１変形例と同様に、拡散層導電膜にレーザ光１１が照射されるよりも前に層間絶縁膜の溶解及び除去が起きているため、拡散層導電膜の溶解により層間絶縁膜が膜剥がれ等の影響を受けることはない。

なお、第２変形例においては、第１のダミーパターンが形成された第１の層間絶縁膜６と第２のダミーパターンが形成された第１の層間絶縁膜との間にダミーパターンが形成されていない第１の層間絶縁膜が形成されるような構成を図示したが、このような構成に限定されることはない。すなわち、２つ以上のダミーパターンを組み合わせることによってスクライブ領域４を覆うように形成すればよく、第２の層間絶縁膜に形成されたダミーパターンを含んでスクライブ領域４を覆うように形成してもよい。

また、ダミーパターンを形成する層間絶縁膜は、回路領域２に形成する配線パターン又はビアパターンに合わせて、適宜選択すればよい。

（第２の実施形態の第３変形例）
本発明の第２の実施形態の第３変形例について図面を参照しながら説明する。

図１１は第２の実施形態の第３変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図１１に示すように、第３変形例に係る半導体装置は、第１の層間絶縁膜６に形成された第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とがエッジ部分でのみ重なるように形成され、第２変形例と同様にダミーパターンが形成されない第１の層間絶縁膜６が含まれた構成である。

このような構成とすることにより、平面的にみてスクライブ領域４をダミーパターンによって覆うと共に、スクライブ領域４に形成されるダミーパターンの総量を減少させることができるため、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光１１のレーザ光量を相対的に少なくすることができるので、安定稼動が可能となる。このようにすると、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

なお、第２の実施形態の第３変形例において、第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とがエッジ部分でのみ重なる構成としたが、エッジ部分が一致する構成としても同様の効果を得ることができる。

なお、第２の実施形態と同様に、第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３とは異なるダミーパターンを用いてもよく、ダミーパターンを形成する際にパターンのエッジ部が互いに重なるように配置してスクライブ領域４を覆うように形成すれば、２つ以上のダミーパターンを組み合わせてもよい。また、第２の層間絶縁膜７にダミーパターンを形成して第１の層間絶縁膜６に形成したダミーパターンと組み合わせてもよい。

（第２の実施形態の第４変形例）
本発明の第２の実施形態の第４変形例について図面を参照しながら説明する。

図１２は第２の実施形態の第４変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図１２に示すように、第４変形例に係る半導体装置は、第１の層間絶縁膜６に形成された第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とのエッジ部分をずらして重ならないように形成し、第２変形例と同様にダミーパターンが形成されない第１の層間絶縁膜６を含んだ構成である。

このような構成とすることにより、平面的にみてスクライブ領域４は、一対の第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とによりほぼ覆われ、他の一対の第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３とを重ね合わせることによって、スクライブ領域を覆うことができる。このため、スクライブ領域４に形成されるダミーパターンの総量を減少させることができるため、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光１１のレーザ光量を相対的に少なくすることができるので、安定稼動が可能となる。また、このような構成であっても、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このように、層間絶縁膜の膜剥がれを防止したレーザグルービングを実行することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

なお、図１２に図示した構成に限定されないことは、これまでに説明した第２の実施形態及びその変形例と同様である。

（第２の実施形態の第５変形例）
本発明の第２の実施形態の第５変形例について図面を参照しながら説明する。

図１３は第２の実施形態の第５変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図１３に示すように、第５変形例に係る半導体装置は、半導体基板１の上に形成された複数の第１の層間絶縁膜６のうち、上層の２層に第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３が形成されていることを特徴とする。

このような構成とすることにより、スクライブ領域４に形成されるダミーパターンの総量をさらに減少させても、平面的にみてスクライブ領域４をダミーパターンで覆うことができるため、レーザグルービング工程を行う際にレーザ光１１のレーザ光量を相対的に少なくすることができるので、安定稼動が可能となる。また、半導体基板１の上に形成された第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７のうち下層側にはダミーパターンが形成されないため、ダミーメタルの溶解が発生しない。したがって、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このように、層間絶縁膜の膜剥がれを防止したレーザグルービングを実行することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

その後、第１の実施形態と同様に、ブレードダイシング領域５に対してブレードダイシングを実施する。スクライブ領域４内のブレードダイシング領域５においては、チッピングが発生しやすい第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７が除去されているため、単一材料の半導体基板１のみを切削すればよいので、チッピング不良が起きる可能性を非常に低くすることができる。したがって、回路領域２を半導体基板１から切り出す個片化工程で生じるチッピング不良を防止することができる。

（第２の実施形態の第６変形例）
本発明の第２の実施形態の第６変形例について図面を参照しながら説明する。

図１４は第２の実施形態の第６変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図１４に示すように、第６変形例に係る半導体装置は、半導体基板１の上に形成された複数の第１の層間絶縁膜６のうち、下層側の第１の層間絶縁膜６であり、通常回路形成に用いられるファイン層に第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３が形成されていることを特徴とする。

このような構成とすることにより、第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３を上層側に形成するよりも細かい配置となるようにして、スクライブ領域４を覆うように形成することができるため、レーザ光１１による発熱及び溶解反応をより均一に発生させることができる。このため、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このように、層間絶縁膜の膜剥がれを防止したレーザグルービングを実行することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

なお、第２の実施形態の第６変形例においては、第１の層間絶縁膜のうちファイン層に相当する下層側の４層に第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３を形成したが、これに限定されることはなく、下層側の２層のみに第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３を形成してもよく、また、第１のダミーパターン１２と第２のダミーパターン１３を形成した第１の層間絶縁膜６の間にダミーパターンが形成されない第１の層間絶縁膜６が形成されていてもよい。

（第２の実施形態の第７変形例）
本発明の第２の実施形態の第７変形例について図面を参照しながら説明する。

図１５は第２の実施形態の第７変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図１５に示すように、第７変形例に係る半導体装置は、半導体基板１の上に形成された複数の第１の層間絶縁膜６のスクライブ領域４において、ブレードダイシング領域５を除くシールリング３に近接した部分、すなわち、ブレードダイシング領域５を挟んだ両側に第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３が形成された構成であり、ブレードダイシング領域５を含むダミーパターンが形成されない領域は、上層側の第１の層間絶縁膜６ほど大きいことを特徴とする。

このような構成とすることにより、スクライブ領域４のレーザ光１１による溶解は、レーザ光１１を照射する部分の第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７にレーザ光１１を吸収する材料がほとんど存在しない。また、レーザ光１１による発熱反応の解放方向が半導体基板１と反対側であるため、半導体基板１を傷つけないレーザグルービングが実現できる。

したがって、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このように、層間絶縁膜の膜剥がれを防止したレーザグルービングを実行することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

なお、第２の実施形態の第７変形例においてはスクライブ領域４におけるブレードダイシング領域５を避けて第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３を形成したが、この構成に限定されることはなく、複数のダミーパターン又は平板状のダミーパターンを用いて、ブレードダイシング領域５を除くスクライブ領域４を覆えばよい。

また、第２の実施形態の第７変形例においてはスクライブ領域４における層間絶縁膜が複数の層から形成されているが、これに代えて、図１６に示すように、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７が１層ずつ形成された層間絶縁膜であっても良い。

（第２の実施形態の第８変形例）
本発明の第２の実施形態の第８変形例について図面を参照しながら説明する。

図１７は第２の実施形態の第８変形例に係る半導体装置の断面構成を示しており、回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４を示している。

図１７に示すように、第８変形例に係る半導体装置は、半導体基板１の上に形成された複数の第１の層間絶縁膜６のうち上層側に形成された第１の層間絶縁膜６に、レーザグルービング領域５全体を覆う第３のダミーパターン１５が形成されていることを特徴とする。

このような構成とすることにより、レーザグルービング工程で照射されるレーザ光１１を第１の層間絶縁膜６に形成された第３のダミーパターン１５で確実に遮断することができる。レーザ光１１によって、第１の層間絶縁膜６の上層側より第３のダミーパターン１５の溶解反応が進み、順次下層側へ進むため、半導体基板１と層間絶縁膜との間に形成された拡散層導電膜にレーザ光１１が到達する時には、上層の層間絶縁膜が除去されていることになる。このため、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができる。このように、層間絶縁膜の膜剥がれを防止したレーザグルービングを実行することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

なお、第８変形例では、第１の層間絶縁膜６の上層側の５層に第３のダミーパターン１５を形成したが、５層に限定されることはなく、また、上層側に第３のダミーパターン１５を形成しない第１の層間絶縁膜があり、連続した層に形成されていなくてもよい。また、第２の層間絶縁膜７に形成されていてもよい。

また、第２の実施形態の第８変形例においてはスクライブ領域４における層間絶縁膜が複数の層から形成されているが、これに代えて、図１８に示すように、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７が１層ずつ形成された層間絶縁膜であっても良い。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に示す実施例において、第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。第３の実施形態は、スクライブ領域４にダミービア１６からなるダミーパターンを形成する構成である。

図１９は第３の実施形態に係る半導体装置を示しており、互いに隣り合う回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４の断面構成を示している。

図１９に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置は、複数の層間絶縁膜６に形成された複数のダミービア１６からなるダミーパターンが形成されており、平面的にみて、スクライブ領域４、特にブレードダイシング領域５にダミービア１６が形成されていない部分がないようにダミーパターンが形成されている。

このように、平面的にみて、スクライブ領域４が覆われるようにダミービア１６を形成すると、スクライブ領域４がダミービア１６を構成する導電性材料によって覆われるため、レーザグルービング時のレーザ光１１が導電性材料によって遮蔽される。従って、レーザグルービング工程を行う際に、レーザ光１１が複数の層からなるダミーパターンに吸収されることになり、レーザ光１１がダミーパターンに吸収されることに伴って熱が発生するため、層間絶縁膜の溶解が起こる。なお、導電性材料としては、銅、アルミニウム又はタングステン等が用いられる。

層間絶縁膜が溶解することは、第２の実施形態と同様であり、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７における上層側の位置で溶解が発生し、溶解部が昇華除去されて、順次拡大するため、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

ダミービア１６からダミーパターンを形成すると、配線パターンからダミーパターンを形成する場合と比較して、配線の厚さよりもビアの高さの方が小さいため、ダミーパターンを細かく形成することができるので均一性を向上させることができる。ダミービア１６からなるダミーパターンは、レーザ光の照射時に熱伝導の均一性を向上させることができるため、効率よくレーザグルービング工程を実施することができる。

なお、スクライブ領域４に形成されるダミーパターンを構成するダミービア１６は、回路領域２にダマシンプロセス等を用いてビアパターンを形成する工程と同時に同一材料を用いて形成することができる。

また、第３の実施形態においては、第１の層間絶縁膜６のみにダミービア１６を形成したが、第２の層間絶縁膜７にダミービア１６を形成してもよい。

なお、第２の実施形態の第１変形例のように、図示は省略するが、半導体基板と層間絶縁膜との間に拡散層導電膜が形成されていてもよい。レーザグルービング時に拡散層導電膜にレーザ光が照射されるよりも前に層間絶縁膜の溶解及び除去が起きているため、拡散層導電膜の溶解により層間絶縁膜が影響を受けることはない。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に示す実施例において、第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付すことにより説明を省略する。第４の実施形態は、スクライブ領域４にダミー配線及びダミービアからなるダミーパターンを形成する構成である。

図２０は第４の実施形態に係る半導体装置を示しており、互いに隣り合う回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４の断面構成を示している。

図２０に示すように、第４の実施形態に係る半導体装置は、複数の層間絶縁膜６及び複数の層間絶縁膜７にダミー配線１７及びダミービア１６からなるダミーパターンが形成されており、ダミー配線１７同士はダミービア１６によって接続されている。また、平面的にみて、スクライブ領域４、特にブレードダイシング領域５にダミーパターンが形成されていない部分がないようにダミー配線１７及びダミービア１６が形成されている。

このように、平面的にみて、スクライブ領域４が覆われるようにダミー配線１７及びダミービア１６を形成すると、スクライブ領域４がダミー配線１７及びダミービア１６を構成する導電性材料によって覆われるため、レーザグルービング時のレーザ光１１が導電性材料によって遮蔽される。従って、レーザグルービング工程を行う際に、レーザ光１１がダミー配線１７及びダミービア１６に吸収されることになり、レーザ光１１がダミー配線１７及びダミービア１６に吸収されることに伴って熱が発生するため、層間絶縁膜の溶解を容易に起こすことができる。なお、導電性材料としては、銅、アルミニウム又はタングステン等が用いられる。

層間絶縁膜が溶解することは、第２の実施形態と同様であり、第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７における上層側の位置で溶解が発生し、溶解部が昇華除去されて、順次拡大されるため、スクライブ領域４の広い範囲で、レーザ光１１による均一な溶解すなわち第１の層間絶縁膜６及び第２の層間絶縁膜７の除去を実施することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

また、ダミー配線１７とダミービア１６とが接続された構成であるため、熱伝導性が良い。このため、レーザ光１１による層間絶縁膜の溶解性が向上して、溶解部の均質化を図ることができる。

なお、スクライブ領域４に形成されるダミー配線１７及びダミービア１６は、回路領域２にダマシンプロセス等を用いて配線パターン及びビアパターンを形成する工程と同時に同一材料を用いて形成することができる。

（第４の実施形態の第１変形例）
本発明の第４の実施形態の第１変形例について、図面を参照しながら説明する。第４の実施形態の第１変形例は、スクライブ領域４のうち特にブレードダイシング領域５にダミー配線１７及びダミービア１６からなるダミーパターンが形成されていることを特徴とする。

図２１は第４の実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示しており、互いに隣り合う回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４の断面構成を示している。

図２１に示すように、第４の実施形態の第１変形例に係る半導体装置は、スクライブ領域４全体にダミー配線が形成され、スクライブ領域４におけるブレードダイシング領域５でダミー配線１７同士をダミービア１６によって接続するように形成された構成である。

このような構成とすることにより、レーザ光１１により溶解されるスクライブ領域４、特にブレードダイシング領域５は、導電性材料からなるダミー配線１７及びダミービア１６が形成されているため、熱伝導性が良い。従って、レーザ光１１による層間絶縁膜の溶解性が向上するため、溶解部の均質化を図ることができる。また、レーザ光１１による均一な層間絶縁膜の除去を実施することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。また、スクライブ領域にダミーパターンが形成されることによるブレードダイシング時の影響を抑制することができる。

なお、第４の実施形態の第１変形例も第２の実施形態の第１変形例のように、図示は省略するが、半導体基板と層間絶縁膜との間に拡散層導電膜が形成されていてもよい。レーザグルービング時に拡散層導電膜にレーザ光が照射されるよりも前に層間絶縁膜の溶解及び除去が起きているため、拡散層導電膜の溶解により層間絶縁膜が影響を受けることはない。

また、第４の実施形態の第１変形例においては、スクライブ領域４の全体にダミー配線１７を形成し、ブレードダイシング領域５でダミー配線１７同士をダミービア１６によって接続するように形成したが、これに代えて、スクライブ領域４の全体にダミービア１６を形成し、ブレードダイシング領域５にダミー配線１７を形成してダミービア１６によって接続してもよい。すなわち、ブレードダイシング領域５においてダミー配線１７及びダミービア１６を形成して、平面的にみて、ダミー配線１７又はダミービア１６の形成されない領域がないようにし、且つダミー配線１７とダミービア１６とを接続していれば、同様の効果を得ることができる。

（第４の実施形態の第２変形例）
本発明の第４の実施形態の第２変形例について、図面を参照しながら説明する。第４の実施形態の第２変形例は、スクライブ領域４のうち特にブレードダイシング領域５における層間絶縁膜の上層にダミー配線１７及びダミービア１６からなるダミーパターンが形成されていることを特徴とする。

図２２は第４の実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示しており、互いに隣り合う回路領域２同士の間に設けられたスクライブ領域４の断面構成を示している。

図２２に示すように、第４の実施形態の第２変形例に係る半導体装置は、スクライブ領域４全体にダミー配線が形成され、スクライブ領域４内のブレードダイシング領域５における層間絶縁膜の上層でダミー配線１７同士をダミービア１６によって接続するように形成された構成である。

このような構成とすることにより、レーザ光１１により溶解されるスクライブ領域４、特にブレードダイシング領域５における層間絶縁膜の上層には、導電性材料からなるダミー配線１７及びダミービア１６が形成されているため、熱伝導性が良い。図示は簡略化しているが、層間絶縁膜は、一般的に上層ほど膜厚であるため、ブレードダイシング領域５における上層にダミー配線１７及びダミービア１６を形成すれば、レーザ光１１による層間絶縁膜の溶解は、上層から下層へと順次拡大するため、スクライブ領域４の広い範囲で、層間絶縁膜を均一に溶解することができる。従って、レーザ光１１による層間絶縁膜の溶解性が向上するため、溶解部の均質化を図ることができる。また、レーザ光１１による均一な層間絶縁膜の除去を実施することができるため、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止することができる。

なお、第４の実施形態の第２変形例も第２の実施形態の第１変形例のように、図示は省略するが、半導体基板と層間絶縁膜との間に拡散層導電膜が形成されていてもよい。レーザグルービング時に拡散層導電膜にレーザ光が照射されるよりも前に層間絶縁膜の溶解及び除去が起きているため、拡散層導電膜の溶解により層間絶縁膜が影響を受けることはない。

また、第４の実施形態の第２変形例においては、スクライブ領域４の全体にダミー配線１７を形成し、ブレードダイシング領域５における層間絶縁膜の上層でダミー配線１７同士をダミービア１６によって接続するように形成したが、これに代えて、スクライブ領域４の全体にダミービア１６を形成し、ブレードダイシング領域５における上層にダミー配線１７を形成してダミービア１６によって接続してもよい。すなわち、ブレードダイシング領域５の上層にダミー配線１７及びダミービア１６を形成して、平面的にみて、ダミー配線１７又はダミービア１６の形成されない領域がないようにし、且つダミー配線１７とダミービア１６とを接続していれば、同様の効果を得ることができる。

本発明に係る半導体装置は、スクライブ領域の広い範囲で、レーザグルービングによる均一な層間膜の除去、層間膜の膜剥がれの防止、及びダイシング時の層間膜の膜剥がれの防止ができ、多層配線構造を有する半導体装置等に有用である。

本発明の第１実施形態に係るウェハレベルの半導体装置の平面図である。本発明の第１実施形態に係る半導体装置のスクライブ領域を示す平面図である。図２のIII−III線における断面図である。本発明の第１実施形態に係る半導体装置におけるスクライブ領域にレーザグルービング処理を実施した断面図である。本発明の第１の実施形態に係る半導体装置のスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す平面図であり、（ａ）は第１のダミーパターンが形成された第１の層間絶縁膜を示し、（ｂ）は第２のダミーパターンが形成された第１の層間絶縁膜を示す平面図である。図６のVI−VI線における断面図である。本発明の第２の実施形態に係る半導体装置におけるスクライブ領域にレーザフルービング処理を実施した断面図である。本発明の第２の実施形態の第１変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第２変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第３変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第４変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第５変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第６変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第７変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第７変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第８変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第２の実施形態の第８変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第３の実施形態に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第４の実施形態に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第４の実施形態の第１変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。本発明の第４の実施形態の第２変形例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す断面図である。（ａ）は従来例に係る半導体装置におけるスクライブ領域を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のXVIｂ−XVIｂ線における断面図である。

符号の説明

１半導体基板
２回路領域
３シールリング
４スクライブ領域
５ブレードダイシング領域
６第１の層間絶縁膜
７第２の層間絶縁膜
８ａ第１の保護膜
８ｂ第２の保護膜
９埋め込み膜
１０樹脂保護膜
１１レーザ光
１２第１のダミーパターン
１３第２のダミーパターン
１４拡散層導電膜
１５第３のダミーパターン
１６ダミービア
１７ダミー配線

Claims

半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、
前記半導体基板の上に積層された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられた配線パターン及びビアパターンとからなる半導体装置であって、
前記半導体基板に形成された複数の回路領域と、
前記回路領域の周囲に形成され、前記各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、
前記拡散層導電膜は、前記スクライブ領域のうちの少なくともレーザ光が照射される領域に形成されていないことを特徴とする半導体装置。
前記拡散層導電膜は、前記スクライブ領域の全体にわたって形成されていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域には前記配線パターン及びビアパターンが形成されていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域は、該スクライブ領域の中心線近傍領域を除く領域に、前記配線パターン又は前記ビアパターンが形成されており、前記スクライブ領域に形成される前記配線パターン又は前記ビアパターンが前記中心線近傍領域を跨ぐ距離は、前記層間絶縁膜のうち上層側ほど大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、
前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられた配線パターン及びビアパターンとからなる半導体装置であって、
前記半導体基板に形成された複数の回路領域と、
前記回路領域の周囲に形成され、前記各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、
前記スクライブ領域は、平面的にみて、前記スクライブ領域のうちの少なくともレーザ光が照射される領域が、複数の前記層間絶縁膜に形成されたそれぞれの前記配線パターン及び前記ビアパターンのいずれか一方によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
前記スクライブ領域は、平面的にみて、複数の前記層間絶縁膜に形成されたそれぞれの前記配線パターン又は前記ビアパターンによって、前記スクライブ領域の全体が覆われていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域には、前記拡散層導電膜が形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域に形成された複数の前記層間絶縁膜に配置されたそれぞれの前記配線パターン同士は、平面的にみて、少なくとも前記配線パターンの端部が互いに重なり合っていることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域に形成された複数の前記層間絶縁膜に配置されたそれぞれの前記配線パターン同士は、平面的にみて、前記配線パターンの端部が一致していることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域に形成された前記配線パターンは、複数の前記層間絶縁膜のうち上層から２以上の前記層間絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項５から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域に形成された前記配線パターンは、複数の前記層間絶縁膜のうち下層から２以上の前記層間絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項５から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、
前記半導体基板上に積層され、配線パターンを有する層間絶縁膜とからなる半導体装置であって、
前記半導体基板に形成された複数の回路領域と、
前記回路領域の周囲に形成され、前記各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、
前記スクライブ領域は、少なくともレーザ光が照射される領域に、平板状の前記配線パターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた拡散層導電膜と、
前記半導体基板上に積層された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられた配線パターン及びビアパターンとからなる半導体装置であって、
前記半導体基板に形成された複数の回路領域と、
前記回路領域の周囲に形成され、前記各回路領域を分離するスクライブ領域とを備え、
前記スクライブ領域は、平面的にみて、前記スクライブ領域のうちの少なくともレーザ光が照射される領域が、複数の前記層間絶縁膜に形成されたそれぞれの前記配線パターン及びビアパターンによって覆われていることを特徴とする半導体装置。
前記配線パターン及びビアパターンは、複数の前記層間絶縁膜に形成され、平面的にみて、前記スクライブ領域の全体を覆っていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
前記配線パターンは、前記スクライブ領域の全体に形成され、
前記ビアパターンは、前記スクライブ領域の中心線近傍領域における上層のみに形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
前記スクライブ領域には、前記拡散層導電膜が形成されていることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記配線パターン及びビアパターンは、互いに接続されていることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の半導体装置。