JP2011014603A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板2の表面側に配線層4やCu配線層13が配置され、樹脂膜10、15により被覆される。半導体装置1の側面18、19は、半導体装置1の表面20と垂直面となり、その側面からは、樹脂膜10、15や位置精度確認マーク14が露出する。この構造により、シリコン基板2の研磨屑22は、若干、半導体装置1の側面18、19に付着するが、その表面20に付着することはなく、研磨屑22を介して電気的にリークすることはない。
【選択図】図1
Description
5 シールリング層
10 樹脂膜
13 Cu配線層
14 位置精度確認マーク
15 樹脂膜
Claims (7)
- 少なくとも基板の一主面側が樹脂層により被覆され、前記樹脂層表面側に電極が形成され、前記基板の一主面と他の主面との間に位置する側面がスクライブ面となる半導体装置において、
前記側面には、少なくとも前記樹脂層及び前記基板が露出し、前記側面に露出する樹脂層は、前記樹脂層表面に対して垂直な平坦面となることを特徴とする半導体装置。 - 前記側面には、前記スクライブ面の位置精度を確認する位置精度確認マークが露出し、前記基板は、前記他の主面側から研磨され、前記研磨により発生する研磨屑の一部が、前記側面に付着することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板上には一環状にシールリング層が形成され、前記位置精度確認マークは、前記シールリング層の上方から前記側面の間に配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記位置精度確認マークは階段形状であり、前記スクラブ面に応じて前記側面から露出する面積が異なることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 半導体ウエハを準備し、前記半導体ウエハの複数の素子形成領域に対し半導体素子を形成し、前記半導体ウエハの一主面側に樹脂層を形成した後、前記樹脂層表面側に電極を形成する工程と、
前記半導体ウエハのスクライブ領域に沿って前記樹脂層から前記半導体ウエハに到達する溝を形成した後、前記樹脂層表面側に保護テープを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウエハの他の主面側から少なくとも前記溝の形成領域まで前記半導体ウエハを研磨し、前記素子形成領域毎に前記半導体ウエハを個片化し半導体装置を形成する工程とを有し、
前記溝の側面からは前記樹脂層が露出し、前記保護テープを構成する粘着層の一部は、前記露出した樹脂層と当接するように前記溝内に入り込んだ状態にて、前記半導体ウエハを研磨する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂層内に少なくとも前記スクライブ領域に配置される位置精度確認マークを形成する工程とを有し、
前記溝を形成する際に前記溝側面から前記位置精度確認マークを露出させ、前記個片化した半導体装置から露出する前記位置精度確認マークを確認し、前記半導体装置のスクライブ面の適否を判定することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記樹脂層は、スピンコート法により形成され、前記スクライブ領域を含む前記半導体ウエハの一主面上全面に形成されることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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