JP2006041244A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置100には、半導体基板(不図示)上に、配線124が形成された第一の層間絶縁膜120と、ビア126が形成された第二の層間絶縁膜122とを含む多層配線構造が形成されている。半導体装置100は、配線124およびビア126が形成された回路領域110と、回路領域110を隔離するシールリングが形成されたシールリング領域112と、シールリング領域112の外周に形成された外周領域114とを含む。外周領域114において、第二の層間絶縁膜122中に、金属材料により構成されたダミービア136が形成される。
【選択図】 図2
Description
ここでは、半導体ウェハ上に形成された複数の回路素子のうちの一の素子形成領域を示す。ダイシングライン116で区切られた素子形成領域は、回路領域110と、その周囲に形成されたシールリング領域112と、さらにその周囲に形成された外周領域114とを有する。回路領域110には内部回路が形成される。回路領域110にもビアが形成されているが、ここでは記載を省略している。各素子形成領域は、ダイシングライン116に沿ってダイシングされる。これにより、半導体チップが形成される。
半導体装置100は、半導体基板(不図示)上に第一の層間絶縁膜120と第二の層間絶縁膜122が交互に積層された構造を有する。実際には、第一の層間絶縁膜120と第二の層間絶縁膜122との間には、エッチング阻止膜やキャップ膜等が形成されるが、ここでは記載を省略している。
ダミービア136は、たとえば図5(a)に示すように、断面が長方形のダミービア136が、隣接するダミービア136間で長軸方向が交互に異なるように配置することができる。また、ダミービア136は、図5(b)に示すように、ランダムに配置することもできる。このような配置とすることにより、第二の層間絶縁膜122に印加される力が分散され、第二の層間絶縁膜122の強度を高く保つことができる。
110 回路領域
112 シールリング領域
114 外周領域
116 ダイシングライン
120 第一の層間絶縁膜
122 第二の層間絶縁膜
124 配線
126 ビア
128 ダミー配線
130 シールリング配線
132 シールリングビア
134 ダミー配線
136 ダミービア
Claims (8)
- 半導体基板上に、配線が形成された第一の層間絶縁膜と、ビアが形成された第二の層間絶縁膜とを含む多層配線構造が形成された半導体装置であって、
前記配線および前記ビアが形成された回路領域と、前記回路領域を隔離するために前記回路領域を囲うように設けられるシールリングが形成されたシールリング領域と、前記シールリング領域の外周に形成された外周領域とを含み、
前記外周領域において、前記第二の層間絶縁膜中に、金属材料により構成されたダミービアが形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第一の層間絶縁膜および前記第二の層間絶縁膜の比誘電率が3.5以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記外周領域において、前記第一の層間絶縁膜中に形成されたダミー配線をさらに含み、
前記ダミービアは、前記ダミー配線と接続して設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記外周領域において、前記ダミービアが形成された前記第二の層間絶縁膜の上下に配置された前記第一の層間絶縁膜にそれぞれ形成されたダミー配線をさらに含み、
前記ダミービアは、上方および下方において、前記ダミー配線とそれぞれ接続して設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4いずれかに記載の半導体装置において、
前記ダミービアは、前記外周領域の角部に設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記第二の層間絶縁膜中において、前記外周領域の角部における金属材料の存在割合が、他の領域における金属材料の存在割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5または6に記載の半導体装置において、
前記第二の層間絶縁膜中において、前記外周領域の角部における金属材料の存在割合が、前記外周領域の他の領域における金属材料の存在割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至7いずれかに記載の半導体装置において、
前記ダミービアは、面内方向の断面積が、1μm2以下となるように構成されたことを特徴とする半導体装置。
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