JP2007214365A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を防止できる基板処理装置を提供することである。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を備える。インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。インターフェースブロック１５は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷを含む。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて、露光処理前に基板Ｗの裏面が洗浄される。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板の裏面が汚染する場合がある。その場合、汚染物質により基板の裏面に凹凸が生じて、基板が不安定な状態となる。そのため、液体を用いない一般的な方法により露光処理を行うと、露光装置のレンズの焦点が基板上のレジスト膜の表面から外れるデフォーカスが発生することがある。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。

一方、上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いて基板の露光処理を行う場合においては、基板の裏面が汚染していると、基板の裏面に付着した汚染物質が露光装置内の液体に混入する。それにより、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。

本発明の目的は、基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を防止できる基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板の表面に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットを含むものである。

本発明に係る基板処理装置においては、処理部において基板に所定の処理が行われ、受け渡し部により処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。

処理部においては、感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜が形成される。また、処理部および受け渡し部の少なくとも一方において、裏面洗浄ユニットにより基板の裏面が洗浄される。

この場合、裏面洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄することにより、露光処理前の基板の裏面に付着した汚染物質を取り除くことができる。その結果、基板の裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、寸法不良および形状不良等のパターン不良を防止することができる。

また、基板の裏面に付着する汚染物質が露光処理前に取り除かれることにより、露光処理時に基板Ｗの状態が安定する。そのため、露光処理時のデフォーカスによるパターン不良を防止することができる。

（２）裏面洗浄ユニットは、基板の裏面を洗浄する基板洗浄手段と、基板洗浄手段による基板の裏面の洗浄前および洗浄後に基板を水平軸の周りに反転させる反転手段とを含んでもよい。

この場合、反転手段により基板が水平軸の周りに反転された後に、基板洗浄手段により基板の裏面が洗浄される。それにより、基板の裏面の洗浄が容易となる。また、基板の裏面の洗浄後に反転手段により基板が水平軸の周りに反転される。それにより、裏面洗浄ユニットへの基板の搬入時と同じ状態で裏面洗浄ユニットから基板を搬出することができるので、次の工程で基板を反転させることなく基板に処理を行うことができる。

（３）裏面洗浄ユニットは、ブラシを用いて基板の裏面を洗浄してもよい。

この場合、汚染物質が基板の裏面に強固に付着していても、その汚染物質をブラシにより物理的に剥ぎ取ることができる。それにより、基板の裏面を確実に洗浄することができる。

（４）裏面洗浄ユニットは、基板の裏面の洗浄後に基板の乾燥を行ってもよい。

この場合、洗浄後の基板に雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

（５）処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができるとともに、基板上のパターン不良を防止することができる。

また、裏面洗浄ユニットにおいて、液体を用いて基板の裏面を洗浄しても、その液体が感光性膜に直接接触することが防止される。それにより、感光性膜の成分が溶出することが防止される。したがって、パターン不良の発生を防止することができる。

（６）処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理前に基板の表面を洗浄する洗浄処理ユニットを含んでもよい。

この場合、洗浄処理ユニットにおいて、露光処理前の基板の表面が洗浄される。それにより、露光処理前の処理工程において基板の表面に付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができる。

（７）裏面洗浄ユニットは、洗浄処理ユニットによる基板の表面の洗浄後に、基板の裏面を洗浄してもよい。

この場合、洗浄処理ユニットにおいて、基板の裏面が汚染されたとしても、裏面洗浄ユニットによりその汚染物質を取り除くことができる。それにより、基板の裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染および露光処理時のデフォーカスを防止することができる。

（８）裏面洗浄ユニットは、洗浄処理ユニットとして機能してもよい。

この場合、裏面洗浄ユニットにおいて、基板の表面および裏面の両方が洗浄される。それにより、裏面洗浄ユニットと洗浄処理ユニットとの間での搬送工程が不要となるので、スループットを向上させることができる。

また、洗浄処理ユニットを裏面洗浄ユニットと別個に設ける必要がないので、基板処理装置の低コスト化および小型化が可能となる。

（９）処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理後に基板を乾燥する乾燥処理ユニットを含んでもよい。

この場合、露光処理後の基板は、乾燥処理ユニットにおいて乾燥された後に処理部へと搬送される。それにより、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。

また、基板が乾燥されることにより、露光処理時に基板に付着した液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。それにより、基板の処理不良を防止することができる。

（１０）裏面洗浄ユニット、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、受け渡し部に配置され、受け渡し部は、基板が一時的に載置される載置部と、処理部、洗浄処理ユニット、裏面洗浄処理ユニットおよび載置部の間で基板を搬送する第１の搬送ユニットと、載置部、露光装置および乾燥処理ユニットの間で基板を搬送する第２の搬送ユニットとさらに含んでもよい。

この場合、処理部において基板に所定の処理が施された後、基板は、受け渡し部の第１の搬送ユニットにより、洗浄処理ユニットまたは裏面洗浄ユニットへ搬送され、基板の表面または裏面が洗浄される。その後、基板は、第１の搬送ユニットにより裏面洗浄ユニットまたは洗浄処理ユニットへと搬送され、基板の裏面または表面が洗浄される。その後、基板は、第１の搬送ユニットにより載置部へと搬送される。次に、基板は、第２の搬送ユニットにより載置部から露光装置へと搬送される。露光装置において基板に露光処理が施された後、基板は、第２の搬送ユニットにより乾燥処理ユニットへと搬送される。乾燥処理ユニットにおいて、基板が乾燥された後、基板は第２の搬送ユニットにより載置部へと搬送される。その後、基板は、第１の搬送ユニットにより、載置部から処理部へと搬送される。

このように、露光装置に搬送する直前に基板の表面および裏面を洗浄することができる。そのため、露光装置内の汚染および露光処理時のデフォーカスを確実に防止することができる。

また、露光処理の直後に基板を乾燥させることができる。それにより、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを確実に防止することができる。また、露光処理時に基板に付着した液体に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。

（１１）処理部、受け渡し部および露光装置は第１の方向に並設され、受け渡し部は、第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に少なくとも１つの側面を有し、乾燥処理ユニットは、受け渡し部内において１つの側面側に配置されてもよい。

この場合、乾燥処理ユニットは、受け渡し部において、処理部および露光装置と接していない１つの側面側に配置されるので、当該１つの側面から乾燥処理ユニットのメインテナンスを容易に行うことができる。

（１２）受け渡し部は、第２の方向において１つの側面に対向する他の側面を有し、洗浄処理ユニットは、受け渡し部内において他の側面側に配置されてもよい。

この場合、洗浄処理ユニットは、受け渡し部において、処理部および露光装置と接していない他の側面側に配置されるので、当該他の側面から洗浄処理ユニットのメインテナンスを容易に行うことができる。

（１３）第２の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、露光装置による露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥後の基板を搬送する際には第１の保持手段により基板を保持し、露光処理後の基板を露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送する際には第２の保持手段により基板を保持してもよい。

この場合、第１の保持手段は、露光処理前の基板を搬送する際に用いられ、第２の保持手段は、露光処理後の基板を搬送する際に用いられる。それにより、露光装置において基板に液体が付着しても、第１の保持手段に液体が付着することがない。したがって、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。

（１４）第２の保持手段は第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。

この場合、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下したとしても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。それにより、露光処理前の基板に液体が付着することが確実に防止される。

本発明によれば、裏面洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄することにより、露光処理前の基板の裏面に付着した汚染物質を取り除くことができる。その結果、基板の裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、寸法不良および形状不良等のパターン不良を防止することができる。

また、基板の裏面に付着する汚染物質が露光処理前に取り除かれることにより、露光処理時に基板Ｗの状態が安定する。そのため、露光処理時のデフォーカスによるパターン不良を防止することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（Ａ）本実施の形態
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１および後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１５は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および裏面洗浄処理ユニットＲＳＷは、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行う。

なお、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗの表面を洗浄し、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷは、基板Ｗの裏面を洗浄する。ここで、基板Ｗの表面とは、各処理ブロックにより、種々の膜が形成される面をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。以下、基板Ｗの表面の洗浄処理を基板Ｗの表面洗浄処理といい、基板Ｗの裏面の洗浄処理を基板Ｗの裏面洗浄処理という。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２ならびに裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの詳細は後述する。

また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３０，１３１のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。

図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。

エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。

また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。

（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。

露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。

上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの表面洗浄処理および乾燥処理が行われる。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、表面洗浄処理および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬入する。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理が行われる。

ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから裏面洗浄処理および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。

なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの表面洗浄処理および乾燥処理が行われる。

第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において表面洗浄処理および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。

なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

（３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について図面を用いて詳細に説明する。なお、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は同様の構成のものを用いることができる。

（３−１）構成
図５は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図５に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの裏面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。

このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図５の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに、第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図５に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（３−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの表面に吐出される。これにより、基板Ｗの表面洗浄処理が行われる。

なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの表面洗浄処理においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。

なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗへの洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図６（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図５参照）の回転数が上昇するとともに、図６（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、基板Ｗの表面洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（４）裏面洗浄処理ユニット
次に、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの詳細について説明する。

（４−１）構成
図７は、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの構成を説明するための図である。

図７に示すように、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷは、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック７２１を備える。図５に示した第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、スピンチャック６２１が基板Ｗの裏面を吸着保持するが、図７の裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、スピンチャック７２１が基板Ｗの端面を複数の保持ピン７２２により保持する。スピンチャック７２１は、チャック回転駆動機構７３６によって回転される回転軸７２５の上端に固定されている。

スピンチャック７２１の外方には、アーム駆動装置７１０が設けられている。アーム駆動装置７１０には、回動軸７１１が接続されている。回動軸７１１には、アーム７１２が水平方向に延びるように連結され、アーム７１２の先端には、ブラッシング装置７１３が取り付けられている。ブラッシング装置７１３は、下方に向くブラシ７１４、およびそのブラシ７１４を回転させるブラッシングモータ７１５を有する。

アーム駆動装置７１０により回動軸７１１が回転するとともにアーム７１２が回動し、ブラッシング装置７１３がスピンチャック７２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。また、アーム駆動装置７１０により回動軸７１１およびアーム７１２が上下動し、ブラッシング装置７１３のブラシ７１４が基板Ｗに近づく方向または離れる方向に移動する。

また、スピンチャック７２１の外方には、基板反転装置７６０が設けられている。基板反転装置７６０は昇降用駆動装置７６１を備える。昇降用駆動装置７６１には、昇降軸７６２が設けられており、昇降軸７６２の上端には、チャック開閉装置７６３が取り付けられている。チャック開閉装置７６３には、基板Ｗを保持するための１対のチャック７６４，７６５が取り付けられている。

昇降用駆動装置７６１により昇降軸７６２が上下方向に移動する。それに伴い、チャック７６４，７６５が、スピンチャック７２１上の基板Ｗと同じ高さの位置（以下、基板保持位置と呼ぶ）とスピンチャック７２１の上方の位置（以下、基板反転位置と呼ぶ）との間で上下方向に移動する。基板反転装置７６０は、基板反転位置で基板Ｗを１８０°反転させることができる。基板反転装置７６０の詳細については後述する。

スピンチャック７２１の外方の斜め上方には、洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２が設けられている。これらの洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２は、基板反転装置７６０の上下動を妨げないように配置されている。洗浄液供給ノズル７５１は、洗浄液供給管７５３およびバルブＶｄを介して洗浄液供給源Ｒ１に接続されている。不活性ガス供給ノズル７５２は、不活性ガス供給管７５４およびバルブＶｅを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。

バルブＶｄの開閉を制御することにより、洗浄液供給管７５３に供給する洗浄液の供給量を調整することができる。洗浄液供給ノズル７５１には、洗浄液が、洗浄液供給管７５３を通して洗浄液供給源Ｒ１から供給される。それにより、基板Ｗ上へ洗浄液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。

バルブＶｅの開閉を制御することにより、不活性ガス供給管７５４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。不活性ガス供給ノズル７５２には、不活性ガスが、不活性ガス供給管７５４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗ上へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。

スピンチャック７２１に保持された基板Ｗは、処理カップ７２３内に収容される。処理カップ７２３の内側には、筒状の仕切壁７３３が設けられている。また、スピンチャック７２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた洗浄液を排液するための排液空間７３１が形成されている。さらに、排液空間７３１を取り囲むように、処理カップ７２３と仕切壁７３３との間に、基板Ｗの裏面洗浄処理に用いられた洗浄液を回収するための回収液空間７３２が形成されている。

排液空間７３１には、排液処理装置（図示せず）へ洗浄液を導くための排液管７３４が接続され、回収液空間７３２には、回収処理装置（図示せず）へ洗浄液を導くための回収管７３５が接続されている。

処理カップ７２３の上方には、基板Ｗからの洗浄液が外方へ飛散することを防止するためのガード７２４が設けられている。このガード７２４は、回転軸７２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード７２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝７４１が環状に形成されている。

また、ガード７２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部７４２が形成されている。回収液案内部７４２の上端付近には、処理カップ７２３の仕切壁７３３を受け入れるための仕切壁収納溝７４３が形成されている。

このガード７２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構によりガード７２４が上下動する。

ここで、回収液案内部７４２がスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する状態（図７に示すガード７２４の状態）では、基板Ｗから外方へ飛散した洗浄液が回収液案内部７４２により回収液空間７３２に導かれ、回収管７３５を通して回収される。以下、このようなガード７２４の位置を回収位置と呼ぶ。

また、排液案内溝７４１がスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する状態では、基板Ｗから外方へ飛散した洗浄液が排液案内溝７４１により排液空間７３１に導かれ、排液管７３４を通して排液される。以下、このようなガードの位置を排液位置と呼ぶ。

また、スピンチャック７２１上の基板Ｗの搬入または搬出等が行われる際には、ガード７２４の上端部の高さがスピンチャック７２１に保持された基板Ｗの高さよりも低くなる状態になる。以下、このようなガードの位置を搬入搬出位置と呼ぶ。

なお、本実施の形態では、搬入搬出位置と排液位置との間でガード７２４が上下動する。

（４−１−ａ）基板反転装置の詳細
ここで、基板反転装置７６０のチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５の詳細について説明する。図８（ａ）は、図７に示すチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５の上面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示すチャック開閉装置７６３およびチャック７６４，７６５のＡ−Ａ線断面図である。

図８（ａ）に示すように、チャック７６４，７６５は、基板Ｗの端面に沿った略円弧形状を有し、基板Ｗを挟んで互いに対称に配置されるとともに、図８（ｂ）に示すように、上下方向に僅かにずれて配置されている。また、チャック７６４の一面（図８（ｂ）においては下面）から突出するように２つの支持部材７６８が設けられており、チャック７６５の一面（図８（ｂ）においては上面）から突出するように２つの支持部材７６８が設けられている。支持部材７６８は、円錐台形状の支持部７６８ａおよび逆円錐台形状の支持部７６８ｂが一体的に形成されたものである。支持部７６８ａ，７６８ｂの間には溝が形成され、この溝により基板Ｗの端面が保持される。なお、支持部材７６８は例えばフッ素樹脂からなる。

チャック７６４，７６５は、支持体７６６，７６７を介してそれぞれチャック開閉装置７６３に接続されている。チャック開閉装置７６３によりチャック７６４，７６５が互いに近づく方向および離れる方向（図８（ａ）の矢印Ｍ１参照）に移動する。以下、チャック７６４，７６５が最大限離れた状態を開状態と呼ぶ。

また、チャック開閉装置７６３は、図示しないモータを有し、水平方向に延びる軸心Ｊ１を中心としてチャック７６４，７６５を１８０°回転させることができる。

（４−２）動作
次に、上記構成を有する裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの処理動作について説明する。なお、以下に説明する裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード７２４が上述した搬入搬出位置まで移動するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６が基板Ｗをスピンチャック７２１上に載置する。このとき、基板Ｗは、表面が上方を向く状態である。

続いて、開状態のチャック７６４，７６５が上述の基板保持位置まで下降する。次に、チャック７６４，７６５がチャック開閉装置７６３により互いに近づく方向に移動する。それにより、チャック７６４，７６５の支持部材７６８が基板Ｗの端面に当接し、基板Ｗがチャック７６４，７６５により保持される。

続いて、チャック７６４，７６５が上述の基板反転位置まで上昇する。そこで、チャック開閉装置７６３によりチャック７６４，７６５が１８０°回転される。それにより、基板Ｗが反転され、基板Ｗの裏面が上方を向く状態になる。

次に、チャック７６４，７６５が上記状態を保ちつつ基板保持位置まで下降する。続いて、チャック７６４，７６５が開状態となる。それにより、基板Ｗは、裏面が上方を向く状態でスピンチャック７２１上に載置される。続いて、保持ピン７２２により基板Ｗの端面が保持される。一方、チャック７６４，７６５は基板Ｗの上方へ退避する。

次に、ガード７２４が上述した排液位置まで移動するとともに、回転軸７２５が回転する。回転軸７２５の回転に伴ってスピンチャック７２１に保持されている基板Ｗが回転する。また、このとき、ブラシ７１４が基板Ｗの中心部上方に移動する。

続いて、洗浄液供給ノズル７５１から洗浄液が基板Ｗの裏面に吐出されるとともに、ブラシ７１４が回転しつつ下降し、基板Ｗの裏面に当接する。これにより、基板Ｗの裏面がブラシ７１４により洗浄される。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止されるとともに、ブラシ７１４が基板Ｗの外方に移動する。次に、回転軸７２５の回転数が上昇する。それにより、基板Ｗ上の洗浄液が遠心力により除去される。

次に、不活性ガス供給ノズル７５２から不活性ガスが基板Ｗの裏面に吐出される。これにより、基板Ｗの裏面が確実に乾燥される。所定時間経過後、不活性ガスの供給が停止され、回転軸７２５の回転が停止する。また、ガード７２４が搬入搬出位置に移動する。

続いて、スピンチャック７２１による基板Ｗの保持が解除されるとともに、基板反転装置７６０のチャック７６４，７６５により基板Ｗが保持され、上記と同様に、基板反転位置において基板Ｗが再度反転される。それにより、基板Ｗは、表面が上方を向いた状態となる。

そして、基板Ｗがスピンチャック７２１上に載置され、図１の第６のセンターロボットＣＲ６により裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから搬出される。これにより、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおける基板Ｗの裏面洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理が終了する。なお、裏面洗浄処理および乾燥処理中におけるガード７２４の位置は、洗浄液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、ブラシ７１４により基板Ｗの裏面を洗浄した後に、基板Ｗの裏面にリンス液を供給してもよい。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。この場合、洗浄液がリンス液により洗い流されるので、基板Ｗ上に洗浄液が残留することをより確実に防止することができる。

また、本実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて、洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２が固定されているが、図５に示した第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と同様に、モータにより回動するアームに取り付けられてもよい。その場合、洗浄液の吐出領域または不活性ガスの吐出領域を容易に調整することができる。そのため、基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理を効果的に行うことができる。例えば、基板Ｗの裏面を乾燥させる際に、不活性ガス供給ノズル７５２を基板Ｗの中心部上方から基板Ｗの周縁部上方へと移動させることにより、基板Ｗの裏面全体に不活性ガスを吹き付けることができ、基板Ｗの裏面上の洗浄液をより効果的に除去することができる。

また、本実施の形態においては、ブラシ７１４を用いて基板Ｗの裏面洗浄処理を行うが、高圧噴射ノズル、超音波ノズルまたは後述する２流体ノズル等の他の方法により基板Ｗの裏面洗浄処理を行ってもよい。

また、本実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗの乾燥処理を行うが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を行ってもよい。

また、本実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおける基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理の前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの表面洗浄処理および乾燥処理を行うが、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて基板Ｗの表面および裏面の両方の洗浄処理および乾燥処理を行ってもよい。

この場合、エッジ露光部ＥＥＷ（図４）において基板Ｗの周縁部に露光処理が施された後、第６のセンターロボットＣＲ６により基板Ｗが裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬入される。裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、スピンチャック７２１上に載置された基板Ｗに対して、まず、表面洗浄処理および乾燥処理を行う。その後、上記のように、基板反転装置７６０により基板Ｗを反転させ、基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理を行う。

このように、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて基板Ｗの表面および裏面の両方の洗浄処理を行うことにより、第６のセンターロボットＣＲ６による第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への搬入搬出工程が削減されるので、スループットを向上することができる。

なお、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて基板Ｗの表面洗浄処理を行う場合、基板Ｗの表面に形成された膜の損傷を防止するため、高圧噴射ノズル、超音波ノズルまたは２流体ノズル等により、非接触で基板Ｗの表面を洗浄してもよい。

また、本実施の形態では、基板反転装置７６０により基板Ｗを反転させて基板Ｗの裏面洗浄処理を行うが、基板Ｗの下方から基板Ｗに向けて洗浄液を吐出するノズル、または基板Ｗの下方から基板Ｗに当接するブラシを設けて、基板Ｗを反転させずに基板Ｗの裏面洗浄処理を行ってもよい。

（５）本実施の形態における効果
（５−１）裏面洗浄処理ユニットによる効果
本実施の形態では、インターフェースブロック１５の裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて、露光処理前に基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。それにより、露光処理前の基板Ｗの裏面に付着した汚染物質を取り除くことができる。その結果、基板Ｗの裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、寸法不良および形状不良等のパターン不良を防止することができる。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における基板Ｗの表面洗浄処理の後に、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおける基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。ここで、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの裏面を吸着式のスピンチャック６２１により保持するため、スピンチャック６２１が汚染していると、その汚染物が基板Ｗの裏面に転写するおそれがある。

それに対して、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、基板Ｗの端面を端面保持式のスピンチャック７２１により保持するため、基板Ｗの裏面が汚染することがない。また、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷから露光装置１６までの間の工程には、吸着式のスピンチャックにより基板Ｗの裏面を保持することがない。したがって、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における基板Ｗの洗浄処理の後に、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて基板Ｗの裏面を洗浄することにより、基板Ｗの裏面が清浄な状態で、基板Ｗの露光処理を行うことができる。

また、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいては、基板Ｗの裏面洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、裏面洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が除去されるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

（５−２）露光処理後の基板の乾燥処理による効果
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。

また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（５−３）露光処理後の基板の洗浄処理による効果
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの表面洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。

（５−４）レジストカバー膜の塗布処理の効果
レジストカバー膜用処理ブロック１３においては、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤおよび裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて、露光処理前の基板Ｗの表面および裏面洗浄処理を行う際に、洗浄液またはリンス液が基板Ｗ上のレジスト膜に直接接触しない。そのため、基板Ｗの表面洗浄処理時および裏面洗浄処理時に、レジストの成分が溶出することが防止される。それにより、露光処理による露光パターンに欠陥が生じることが防止される。

（５−５）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

（５−６）露光処理前の基板の洗浄処理および乾燥処理による効果
露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの表面洗浄処理が行われる。この表面洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの表面洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われ、表面洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれる。

それにより、表面洗浄処理後の基板Ｗが第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送される際に、インターフェースブロック１５内に洗浄液またはリンス液が落下することが防止される。また、第６のセンターロボットＣＲ６に洗浄液またはリンス液が付着することが防止される。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。

それにより、表面洗浄処理後の基板Ｗが第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から裏面洗浄処理ユニットＲＳＷに搬送される際に、インターフェースブロック１５内に洗浄液またはリンス液が落下することが確実に防止される。また、第６のセンターロボットＣＲ６に洗浄液またはリンス液が付着することが確実に防止される。

（５−７）インターフェースブロックの効果
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６がエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入出、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬入出、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷへの基板Ｗの搬入出、送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬入出、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板の搬入、および基板載置部ＰＡＳＳ１３からの基板Ｗの搬出を行い、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰからの基板Ｗの搬出、露光装置１６への基板Ｗの搬入出、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬入出、および基板載置部ＰＡＳＳ１３への基板Ｗの搬入を行っている。このように、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって効率よく基板Ｗの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。

また、インターフェースブロック１５において、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、Ｘ方向の側面の近傍にそれぞれ設けられている。この場合、インターフェースブロック１５を取り外すことなく、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のメインテナンスを基板処理装置５００の側面から容易に行うことができる。

また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２により、１つの処理ブロック内で、露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。したがって、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができる。

（５−８）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。

すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。

この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

（５−９）載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。

上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。

特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。

（６）洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図５に示した洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図９に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、図５に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図１０に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図１０の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。

各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図１０の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図１１は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図６（ａ）で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１１（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。

その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１１（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図５参照）の回転数が上昇するとともに、図１１（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図５の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１２に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１２の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。

この吐出口８７０ａからは、図１２の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１１の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図５に示す洗浄／乾燥処理ユニットの代わりに、図１３に示すような洗浄／乾燥処理ユニットを用いてもよい。

図１３に示す洗浄／乾燥処理ユニットが図５に示す洗浄／乾燥処理ユニットと異なるのは以下の点である。

図１３の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガスが供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図１３の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１４に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

（７）２流体ノズルを用いた洗浄／乾燥処理ユニットの例
（７−１）２流体ノズルを用いた場合の構成および動作
上記実施の形態においては、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、図５に示すような洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０を用いた場合について説明したが、洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０の一方または両方の代わりに図１５に示すような２流体ノズルを用いてもよい。

図１５は、洗浄処理および乾燥処理に用いられる２流体ノズル９５０の内部構造の一例を示す縦断面図である。２流体ノズル９５０からは、気体、液体、および気体と液体との混合流体を選択的に吐出することができる。

本実施の形態の２流体ノズル９５０は外部混合型と呼ばれる。図１５に示す外部混合型の２流体ノズル９５０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。

内部本体部３１１の中心軸に沿って円筒状の液体導入部３１１ｂが形成されている。液体導入部３１１ｂには図５の洗浄処理用供給管６６３が取り付けられる。これにより、洗浄処理用供給管６６３から供給される洗浄液またはリンス液が液体導入部３１１ｂに導入される。

内部本体部３１１の下端には、液体導入部３１１ｂに連通する液体吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。

内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図５の乾燥処理用供給管６７４が取り付けられている。これにより、乾燥処理用供給管６７４から供給される不活性ガスが気体通過部３１２ｂに導入される。

気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、不活性ガスの流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。

液体吐出口３１１ａから吐出された洗浄液と気体吐出口３１２ａから吐出された不活性ガスとが２流体ノズル９５０の下端付近の外部で混合され、洗浄液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。

図１６は、図１５の２流体ノズル９５０を用いた場合の基板Ｗの表面洗浄処理および乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図５で示したように、基板Ｗはスピンチャック６２１により吸着保持され、回転軸６２５の回転に伴い回転する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約５００ｒｐｍである。

この状態で、図１６（ａ）に示すように、２流体ノズル９５０から洗浄液および不活性ガスからなる霧状の混合流体が基板Ｗの上面に吐出されるとともに、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、２流体ノズル９５０から混合流体が基板Ｗの表面全体に吹き付けられ、基板Ｗの洗浄が行われる。

次いで、図１６（ｂ）に示すように、混合流体の供給が停止され、回転軸６２５の回転速度が低下するとともに、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０からリンス液が吐出される。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１０ｒｐｍである。これにより、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。また、基板Ｗを洗浄する混合流体中の洗浄液として純水を用いる場合には、リンス液の供給を行わなくてもよい。

液層Ｌが形成された後、リンス液の供給が停止される。次に、図１６（ｃ）に示すように、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０から不活性ガスが吐出される。これにより、基板Ｗの中心部の洗浄液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

その後、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１００ｒｐｍである。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するので、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除くことができる。その結果、基板Ｗが乾燥される。

なお、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除く際には、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動してもよい。これにより、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

（７−２）２流体ノズルを用いた場合の効果
図１５の２流体ノズルにおいては、２流体ノズル９５０から吐出される混合流体は洗浄液の微細な液滴を含むので、基板Ｗ表面に凹凸がある場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗに付着した汚れが剥ぎ取られる。それにより、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。また、基板Ｗ上の膜の濡れ性が低い場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗ表面の汚れが剥ぎ取られるので、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。

したがって、特に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に２流体ノズルを用いた場合には、露光処理前に加熱ユニットＨＰによって基板Ｗに熱処理が施される際に、レジスト膜またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに再付着した場合でも、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

また、不活性ガスの流量を調節することにより、基板Ｗを洗浄する際の洗浄力を容易に調節することができる。これにより、基板Ｗ上の有機膜（レジスト膜またはレジストカバー膜）が破損しやすい性質を有する場合には洗浄力を弱くすることで基板Ｗ上の有機膜の破損を防止することができる。また、基板Ｗ表面の汚れが強固な場合には洗浄力を強くすることで基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。このように、基板Ｗ上の有機膜の性質および汚れの程度に合わせて洗浄力を調節することにより、基板Ｗ上の有機膜の破損を防止しつつ、基板Ｗを確実に洗浄することができる。

また、外部混合型の２流体ノズル９５０では、混合流体は２流体ノズル９５０の外部において洗浄液と不活性ガスとが混合されることにより生成される。２流体ノズル９５０の内部においては不活性ガスと洗浄液とがそれぞれ別の流路に区分されて流通する。それにより、気体通過部３１２ｂ内に洗浄液が残留することはなく、不活性ガスを単独で２流体ノズル９５０から吐出することができる。さらに、洗浄処理用供給管６６３からリンス液を供給することにより、リンス液を２流体ノズル９５０から単独で吐出することができる。したがって、混合流体、不活性ガスおよびリンス液を２流体ノズル９５０から選択的に吐出することが可能となる。

また、２流体ノズル９５０を用いた場合においては、基板Ｗに洗浄液またはリンス液を供給するためのノズルと、基板Ｗに不活性ガスを供給するためのノズルとをそれぞれ別個に設ける必要がない。それにより、簡単な構造で基板Ｗの洗浄および乾燥を確実に行うことができる。

なお、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗにリンス液を供給してもよい。

また、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗに不活性ガスを供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗに不活性ガスを供給してもよい。

（Ｂ）他の実施の形態
上記実施の形態では、基板Ｗの露光処理前において、基板Ｗの表面洗浄処理および乾燥処理の後、基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理を行うが、これに限らず、基板Ｗの裏面洗浄処理および乾燥処理の後、基板Ｗの表面洗浄処理および乾燥処理を行ってもよい。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷ、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。

また、上記実施の形態では、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２ならびに裏面洗浄処理ユニットＲＳＷがインターフェースブロック１５内に配置されるが、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２ならびに裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの少なくとも１つが図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２ならびに裏面洗浄処理ユニットＲＳＷの少なくとも１つを含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。

また、上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う従来の露光装置を外部装置として設けてもよい。

この場合、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにおいて露光処理前の基板Ｗの裏面に付着する汚染物質が取り除かれるので、露光処理時に基板Ｗの状態が安定する。それにより、露光処理におけるデフォーカスを防止することができる。

なお、従来の露光装置を外部装置として設ける場合、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は設けなくてもよい。

（Ｃ）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部に相当し、インターフェースブロック１５が受け渡し部に相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、裏面洗浄処理ユニットＲＳＷが裏面洗浄ユニットに相当する。

また、ブラッシング装置７１３、スピンチャック７２１、回転軸７２５、洗浄液供給ノズル７５１および不活性ガス供給ノズル７５２が基板洗浄手段に相当し、基板反転装置７６０が反転手段に相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄処理ユニットに相当し、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が乾燥処理ユニットに相当し、第６のセンターロボットＣＲ６が第１の搬送ユニットに相当し、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが第２の搬送ユニットに相当し、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄処理ユニットに相当し、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が乾燥処理ユニットに相当し、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が載置部に相当し、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｘ方向が第２の方向に相当し、ハンドＨ１が第１の保持手段に相当し、ハンドＨ２が第２の保持手段に相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 裏面洗浄処理ユニットの構成を説明するための図である。 チャック開閉装置およびチャックの詳細を示す図である。 洗浄処理用ノズルと乾燥処理用ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図１０の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１３の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 洗浄処理および乾燥処理に用いられる２流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。 図１５の２流体ノズルを用いた場合の基板の洗浄処理および乾燥処理方法を説明するための図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５０ 反射防止膜用塗布処理部
６０ レジスト膜用塗布処理部
７０ 現像処理部
８０ レジストカバー膜用塗布処理部
９０ レジストカバー膜除去用処理部
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１ 現像用熱処理部
１３０，１３１ レジストカバー膜用熱処理部
１４０，１４１ 露光後ベーク用熱処理部
５００ 基板処理装置
６５０ 洗浄処理用ノズル
６７０，７７０，８７０ 乾燥処理用ノズル
６８２ 遮断板
７１３ ブラッシング装置
７１４ ブラシ
７２１ スピンチャック
７２５ 回転軸
７５１ 洗浄液供給ノズル
７５２ 不活性ガス供給ノズル
９５０ ２流体ノズル
ＥＥＷ エッジ露光部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＲＥＭ 除去ユニット
ＲＳＷ 裏面洗浄処理ユニット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却ユニット
Ｗ 基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３ 基板載置部

Claims (14)

1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板の表面に処理を行うための処理部と、
   前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
   前記処理部は、
   基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
   前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
   前記露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットを含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記裏面洗浄ユニットは、
   基板の裏面を洗浄する基板洗浄手段と、
   前記基板洗浄手段による基板の裏面の洗浄前および洗浄後に基板を水平軸の周りに反転させる反転手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記裏面洗浄ユニットは、ブラシを用いて基板の裏面を洗浄することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記裏面洗浄ユニットは、基板の裏面の洗浄後に基板の乾燥を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記処理部は、
   前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、前記露光装置による露光処理前に前記基板の表面を洗浄する洗浄処理ユニットを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記裏面洗浄ユニットは、前記洗浄処理ユニットによる前記基板の表面の洗浄後に、基板の裏面を洗浄することを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記裏面洗浄ユニットは、前記洗浄処理ユニットとして機能することを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置。
9. 前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、前記露光装置による露光処理後に基板を乾燥する乾燥処理ユニットを含むことを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記裏面洗浄ユニット、前記乾燥処理ユニットおよび前記洗浄処理ユニットは、前記受け渡し部に配置され、
    前記受け渡し部は、
    基板が一時的に載置される載置部と、
    前記処理部、前記洗浄処理ユニット、前記裏面洗浄処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第１の搬送ユニットと、
    前記載置部、前記露光装置および前記乾燥処理ユニットの間で基板を搬送する第２の搬送ユニットとさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記処理部、前記受け渡し部および前記露光装置は第１の方向に並設され、
    前記受け渡し部は、前記第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に少なくとも１つの側面を有し、
    前記乾燥処理ユニットは、前記受け渡し部内において前記１つの側面側に配置されることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記受け渡し部は、前記第２の方向において前記１つの側面に対向する他の側面を有し、
    前記洗浄処理ユニットは、前記受け渡し部内において前記他の側面側に配置されることを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
13. 前記第２の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、
    前記露光装置による露光処理前および前記乾燥処理ユニットによる乾燥後の基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、
    前記露光処理後の基板を前記露光装置から前記乾燥処理ユニットへ搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 前記第２の保持手段は前記第１の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項１３記載の基板処理装置。

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