JP2007201077A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供することである。
【解決手段】基板処理装置は、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロックおよびレジストカバー膜用処理ブロックを含む。上記の各ブロックは、それぞれの膜を形成するために処理液を塗布する塗布ユニット、膜形成後に基板Ｗの加熱処理を行う加熱ユニット、および加熱処理後に基板Ｗの冷却処理を行う冷却ユニットＣＰをそれぞれ備える。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの搬入時および搬出時に、基板Ｗに不活性ガスが吹き付けられる。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、基板はインデクサブロックから搬入され、反射防止膜用処理ブロックへと搬送される。反射防止膜用処理ブロックにおいては、所定の処理液が塗布されることにより基板上に反射防止膜が形成される。次に、基板はレジスト膜用処理ブロックへと搬送される。レジスト膜用処理ブロックにおいては、所定の処理液が塗布されることにより基板上にレジスト膜が形成される。その後、基板はインターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送され、露光装置において露光処理が施される。次に、基板は、現像処理ブロックへと搬送される。現像処理ブロックにおいては、基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成される。その後、基板はインデクサブロックへと搬送され、基板処理装置から搬出される。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

ところで、上記の基板処理装置においては、反射防止膜およびレジスト膜を塗布形成した後に、加熱プレートにおいて基板の加熱処理が行われる。この加熱処理は高温で行われるため、基板上に塗布された処理液の成分の一部が昇華する場合がある。

基板の加熱後、加熱プレート周辺の空気が排気されるが、この際、加熱プレート周辺の温度が低下し、上記の昇華物が空気中に析出する。この空気中に析出した昇華物が基板に付着し、基板を汚染する。それにより、基板の処理不良が発生することがある。

本発明の目的は、処理液の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置による露光処理前に基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に処理液を塗布する１または複数種の塗布ユニットと、少なくとも１種の塗布ユニットにおいて処理液が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットと、加熱ユニットによる加熱処理後に基板を冷却処理する冷却ユニットとを備え、冷却ユニットは、基板が載置された状態で基板を冷却する冷却プレートと、基板に不活性ガスを吹き付ける不活性ガス吐出手段とを含むものである。

本発明に係る基板処理装置においては、１または複数種の塗布ユニットにより基板に処理液が塗布される。少なくとも１種の塗布ユニットにより処理液が塗布された基板には、加熱ユニットによる加熱処理および冷却ユニットによる冷却処理が施される。

また、冷却ユニットは、基板を冷却するための冷却プレートと、基板に不活性ガスを吹き付けるための不活性ガス吐出手段とを有する。

この場合、加熱ユニットにおいて基板の加熱処理が施される際に、基板に塗布された処理液の成分の一部が加熱ユニット内で昇華し、その昇華物が基板に付着した場合でも、冷却ユニットにおいて基板に不活性ガスを吹き付けることにより、その付着物（昇華物）を取り除くことができる。それにより、基板上に塗布された処理液の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を防止することができる。

また、基板を冷却する処理と基板上の付着物を除去する処理とを一つの冷却ユニットにおいて行うことができるので、基板処理装置のフットプリントの増加およびスループットの低下を防止しつつ基板の処理不良を防止することができる。

（２）不活性ガス吐出手段は、基板の冷却処理の前後に不活性ガスを基板に吹き付けてもよい。この場合、１回の冷却処理に対して不活性ガスを２回吹き付けることができるので、基板上の付着物を確実に取り除くことができる。

（３）不活性ガス供給手段は、基板の表面に対向するように配置される第１の不活性ガス吐出部および基板の裏面に対向するように配置される第２の不活性ガス吐出部を有してもよい。

この場合、基板の表面および裏面に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板の表面および裏面の付着物を確実に取り除くことができる。

（４）冷却ユニットは、基板を冷却プレートに近接した状態と冷却プレートから離間した状態とに移行させる昇降機構をさらに含み、不活性ガス供給手段は、基板が昇降機構により冷却プレートから離間した状態で保持されているときに不活性ガスを基板に吹き付けてもよい。

この場合、基板が冷却プレートから離間した状態であるときには、基板の裏面側に不活性ガスの流路となりうる十分な空間が形成される。それにより、第１および第２の不活性ガス吐出部から吐出される不活性ガスは、効率よく基板の表面側および裏面側を流れることができる。その結果、基板上の付着物をより確実に取り除くことができる。

（５）不活性ガス供給手段は、基板の中心部から外方へ流れるように不活性ガスを吹き付けてもよい。

この場合、基板上の付着物は、不活性ガスの流れに伴い基板の中央部から外方へと移動し、飛散する。したがって、基板の中央部に付着物が残留することを防止することができる。それにより、基板の汚染を確実に防止することができる。

（６）１または複数種の塗布ユニットにより基板に塗布される処理液は、塗布ユニットの種類ごとに異なり、各塗布ユニットにおいて基板に処理液が塗布されるごとに加熱ユニットによる加熱処理および冷却処理ユニットによる冷却処理が行われてもよい。

この場合、基板に一の処理液が塗布された後、他の処理液が塗布される前に基板に不活性ガスを吹き付けることができる。したがって、加熱ユニットにおいて昇華した昇華物が基板に付着した場合でも、次行程において他の処理液が基板に塗布される前に、基板に付着した昇華物を確実に取り除くことができる。それにより、処理液の成分の昇華物による基板の汚染を確実に防止することができる。

（７）１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、処理液として感光性材料を塗布することにより基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットであってもよい。

この場合、感光性膜形成ユニットにより、基板上に感光性膜が形成される。また、感光性膜の成分が加熱ユニットにおいて昇華し、その昇華物が基板に付着しても、冷却ユニットにおいてその昇華物を取り除くことができるので、基板の汚染は防止される。

（８）１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に処理液として反射防止膜材料を塗布することにより基板上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットであってもよい。

この場合、感光性膜が形成される前に基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。それにより、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。

また、反射防止膜材料の成分が加熱ユニットにおいて昇華し、その昇華物が基板に付着しても、冷却ユニットにおいてその昇華物を取り除くことができるので、基板の汚染は防止される。

（９）１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に処理液として樹脂材料を塗布することにより基板上に感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットであってもよい。

この場合、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、保護膜により、感光性材料の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。

また、樹脂材料の成分が加熱ユニットにおいて昇華し、その昇華物が基板に付着しても、冷却ユニットにおいてその昇華物を取り除くことができるので、基板の汚染は防止される。

本発明によれば、加熱ユニットにおいて基板の加熱処理が施される際に、基板に塗布された処理液の成分の一部が加熱ユニット内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに付着した場合でも、冷却ユニットにおいて基板に不活性ガスを吹き付けることにより、その付着物（昇華物）を取り除くことができる。それにより、基板上に塗布された処理液の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を防止することができる。

また、基板を冷却する処理と基板上の付着物を除去する処理とを一つの冷却ユニットにおいて行うことができるので、基板処理装置のフットプリントの増加およびスループットの低下を防止しつつ基板の処理不良を防止することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１および後述する図２〜図６には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法（例えば、特許文献２参照）により基板Ｗに露光処理が行われる。

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。

また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の処理液を供給する供給ノズル５２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の処理液を供給する供給ノズル６２を備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の処理液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の処理液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に処理液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

第１のインターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。冷却ユニットＣＰの詳細については後述する。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３０，１３１のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。

図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。

エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。

また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。

（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいて、基板Ｗは常温まで冷却される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１の加熱ユニットＨＰに搬入する。加熱ユニットＨＰにおいては、基板Ｗに加熱処理が施される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済み基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１の加熱ユニットＨＰに搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の加熱ユニットＨＰに搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。

露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１の加熱ユニットＨＰに搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１の加熱ユニットＨＰから加熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。

上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。

なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。

なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。

また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。

これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。

（３）冷却ユニットＣＰ
次に、冷却ユニットＣＰについて図面を用いて詳細に説明する。

（３−１）構造
まず、冷却ユニットＣＰの構造について説明する。

図５は、冷却ユニットＣＰの構造の一例を示す模式的断面図である。図５に示すように、冷却ユニットＣＰは筐体５３０を備える。筐体５３０内には、温度調整プレートＰＬが設けられている。

温度調整プレートＰＬの上面には３つの球状スペーサ３１が略正三角形状に配置されるとともに、温度センサ５３２が埋設されている。この温度センサ５３２の出力は、図１のメインコントローラ５３０に入力される。

また、温度調整プレートＰＬの上面の中央部には、不活性ガス吐出口５４０が形成され、温度調整プレートＰＬの上面において、不活性ガス吐出口５４０を中心とする円周上には、環状の不活性ガス吐出部５４１が形成されている。

温度調整プレートＰＬの下面には温度調整装置５３３が設けられている。この温度調整装置５３３は、例えばペルチェ素子から構成される。ぺルチェ素子は、電流が供給されることにより一面側で吸熱し、他面側で放熱する。これにより、熱を移動させることができる。熱の移動方向は、ペルチェ素子に供給する電流の方向を切り替えることにより、切り替えることができる。このペルチェ素子を用いた温度調整装置５３３は、温度調整プレートＰＬの温度を短時間で調整することができる。

温度調整装置５３３の下面には、水冷ジャケット５３４が設けられている。水冷ジャケット５３４は、伝熱性の高い板状部材の内部に冷却水を循環させるための冷却水通路５３５が形成されている。冷却水通路５３５は、循環配管５３６を介して外部、例えば基板処理装置５００が配置される工場の冷却水供給源５３７に接続されている。

温度調整装置５３３は、温度調整プレートＰＬの温度を上昇させるときには、水冷ジャケット５３４の熱を温度調整プレートＰＬ側へ移動させ、温度調整プレートＰＬの温度を低下させるときには、温度調整プレートＰＬの熱を水冷ジャケット５３４に移動させる。

温度調整プレートＰＬ、温度調整装置５３３および水冷ジャケット５３４には、複数の貫通孔５３９が形成されている。複数の貫通孔５３９の内部には、基板Ｗの裏面を支持する昇降ピン５３８がそれぞれ設けられる。

水冷ジャケット５３２の下面には、昇降装置５９９が設けられている。昇降装置５９９は、昇降ピン５３８を上下方向に移動させる。

なお、図５においては、２つの昇降ピン５３８および２つの貫通孔５３９が示されているが、実際には、３つ以上の昇降ピン５３８および貫通孔５３９がそれぞれ設けられる。

温度調整プレートＰＬ、温度調整装置５３３、水冷ジャケット５３４および昇降装置５９９の中央部を貫通するように不活性ガス流通孔５４２が形成されている。不活性ガス流通孔５４２の上端は、上述した不活性ガス吐出口５４０を形成している。また、温度調整プレートＰＬの上部には、不活性ガス流通孔５４２と上述した環状の不活性ガス吐出部５４１とを連通する連通部５４５が形成されている。

筐体５３０の下面には、不活性ガス導入部５４３が設けられている。不活性ガス導入部５４３の内部には、不活性ガス導入孔５４４が形成されている。不活性ガス流通孔５４２の下端は、不活性ガス導入孔５４４に連通している。

不活性ガス導入部５４３には、窒素ガス等の不活性ガスを導く給気管路５４６が接続されている。給気管路５４６は、流量調整弁Ｖ１を介して窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給源（図示せず）に接続されている。

流量調整弁Ｖ１が開放されることにより、窒素ガス等の不活性ガスが、不活性ガス導入孔５４４、不活性ガス流通孔５４２および連通部５４５を介して不活性ガス吐出口５４０および不活性ガス吐出部５４１から基板Ｗの裏面に向けて吐出される。

筐体５３０内の上部には、不活性ガス供給チャンバ５５０が配設されている。不活性ガス供給チャンバ５５０は、円盤状の不活性ガス供給盤５５１および不活性ガス供給盤５５１の上面の中央部から上方に延びる円筒状の不活性ガス導入部５５２を有する。

不活性ガス供給盤５５１の下面の中央部には、不活性ガス吐出口５５３が形成され、不活性ガス供給盤５５１の下面において、不活性ガス吐出口５５３を中心とする円周上には、環状の不活性ガス吐出部５５４が形成されている。

不活性ガス供給チャンバ５５０内には、不活性ガス供給盤５５１および不活性ガス導入部５５２を貫通するように不活性ガス流通孔５５５が形成されている。不活性ガス流通孔５５５の下端は、上述した不活性ガス吐出口５５３を形成し、上端は、不活性ガス導入口５５６を形成している。また、不活性ガス供給盤５５１の下部には、不活性ガス流通孔５５５と上述した環状の不活性ガス吐出部５５４とを連通する連通部５５７が形成されている。

不活性ガス導入口５５６には、窒素ガス等の不活性ガスを導く給気管路５５８が接続されている。給気管路５５８は、流量調整弁Ｖ２を介して窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給源（図示せず）に接続されている。

流量調整弁Ｖ２が開放されることにより、窒素ガス等の不活性ガスが、不活性ガス流通孔５５５および連通部５５７を介して不活性ガス吐出口５５３および不活性ガス吐出部５５４から基板Ｗの表面に向けて吐出される。

温度調整プレートＰＬの周囲を取り囲むように、環状の排気口５６０が設けられている。排気口５６０には、排気ガスを排出する排気管路５６１が接続されている。排気管路５６１は工場の排気設備（図示せず）に接続されている。

不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から基板Ｗに吐出された不活性ガスは、排気口５６０および排気管路５６１より排気される。

なお、環状の排気口５６０の代わりに、温度調整プレートＰＬの周囲を取り囲むように複数の排気口が設けられてもよい。

（３−２）動作
次に、冷却ユニットＣＰの動作について簡単に説明する。

図５の冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗが筐体５３０内に搬入される際には、昇降ピン５３８は、上昇した位置（図５に示す位置）で基板Ｗを支持する。このとき、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が開放され、不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から基板Ｗの表面および裏面に不活性ガスが吐出される。

不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から吐出される不活性ガスは、基板Ｗと不活性ガス供給盤５５１との間の空間および基板Ｗと温度調整プレートＰＬとの間の空間を流路として、図５に矢印で示すように、基板Ｗの中心部から周縁部へと流れる。この中心部から周縁部へと流れる不活性ガスにより、基板Ｗ上の付着物は、基板Ｗの周縁部から飛散する。それにより、基板Ｗの付着物を除去することができる。

所定時間不活性ガスが吐出された後、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が閉じられ、不活性ガスの供給が停止される。不活性ガスの供給が停止されると、昇降ピン５３８が下降し、基板Ｗは、温度調整プレートＰＬの球状スペーサ３１によって支持される。

温度調整プレートＰＬの表面は、温度調整装置（図示せず）により所定の温度に制御されている。それにより、温度調整プレートＰＬの上方にわずかな隙間をもって支持された基板Ｗの温度が所定の温度に調整される。

なお、本実施の形態においては、温度調整プレートＰＬに温度センサ３２が埋設されているが、これに限定されず、他の温度計測機器、例えば放射温度計を用いて基板Ｗの温度を計測してもよい。

基板Ｗが所定の温度に調整され、冷却ユニットＣＰから搬出される際には、昇降ピン５３８が再び上昇し、基板Ｗが搬入される際と同じ位置（図５に示す）で基板を支持する。このとき、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が再び開放され、不活性ガス吐出口５４０，５５３、および不活性ガス吐出部５４１，５５４から基板Ｗの表面および裏面に不活性ガスが吐出される。それにより、基板Ｗ上の付着物が確実に除去される。

所定時間不活性ガスが吐出された後、流量調整弁Ｖ１，Ｖ２が閉じられ、不活性ガスの供給が停止される。不活性ガスの供給が停止されると、基板Ｗは、筐体５３０から搬出される。

（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について図面を用いて詳細に説明する。なお、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は同様の構成のものを用いることができる。

（４−１）構成
図６は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図６に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。

このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図６の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに、第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図６に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（４−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。

なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図６参照）の回転数が上昇するとともに、図７（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（５）本実施の形態における効果
（５−１）冷却ユニットの効果
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、冷却ユニットＣＰにおいて、基板Ｗの搬入時および搬出時に、基板Ｗに不活性ガスを吹き付けている。この場合、加熱ユニットＨＰにおいて基板Ｗの加熱処理が施される際に、反射防止膜、レジスト膜、またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに付着した場合でも、冷却ユニットＣＰにおいて、その付着物（昇華物）を取り除くことができる。

また、それぞれの膜が形成される処理ブロックごとに冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗに不活性ガスが吹き付けられるので、上記の昇華物を各処理ブロックにおいて確実に取り除くことができる。

また、冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの中心部から周縁部へと流れるように不活性ガスが吹き付けられているので、基板Ｗの付着物を効率よく取り除くことができるとともに、基板Ｗの中心部に付着物が残留することを防止することができる。

以上の結果、基板上に塗布された処理液（基板上に形成された膜）の成分の昇華物による基板の汚染を防止することができる。それにより、基板Ｗの処理不良を防止することができる。

また、基板処理装置５００における各処理工程において、基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、冷却ユニットＣＰにおいて、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。その結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、基板Ｗを冷却する処理と基板Ｗの付着物を除去する処理とを一つの冷却ユニットＣＰにおいて行うことができるので、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができるとともに、スループットの低下を防止することができる。

（５−２）露光処理後の基板の乾燥処理による効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。

また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（５−３）露光処理後の基板の洗浄処理による効果
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。

（５−４）レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。

（５−５）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

（５−６）露光処理前の基板の洗浄および乾燥処理による効果
露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

（５−７）インターフェースブロックの効果
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６がエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入出、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬入出、送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬入出、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板の搬入、および基板載置部ＰＡＳＳ１３からの基板Ｗの搬出を行い、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰからの基板Ｗの搬出、露光装置１６への基板Ｗの搬入出、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬入出、および基板載置部ＰＡＳＳ１３への基板Ｗの搬入を行っている。このように、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって効率よく基板Ｗの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。

また、インターフェースブロック１５において、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、Ｘ方向の側面の近傍にそれぞれ設けられている。この場合、インターフェースブロック１５を取り外すことなく、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のメインテナンスを基板処理装置５００の側面から容易に行うことができる。

また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２により、１つの処理ブロック内で、露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。したがって、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができる。

（５−８）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。

すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。

この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。

（５−９）載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。

上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。

特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。

（６）洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図６に示した洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図８に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、図６に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図９に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図９の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。

各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図９の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図１０は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図７（ａ）で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１０（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。

その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１０（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図６参照）の回転数が上昇するとともに、図１０（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図６の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１１に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１１の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。

この吐出口８７０ａからは、図１１の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１０の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図６に示す洗浄／乾燥処理ユニットの代わりに、図１２に示すような洗浄／乾燥処理ユニットを用いてもよい。

図１２に示す洗浄／乾燥処理ユニットが図６に示す洗浄／乾燥処理ユニットと異なるのは以下の点である。

図１２の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガスが供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図１２の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１３に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

（７）２流体ノズルを用いた洗浄／乾燥処理ユニットの例
（７−１）２流体ノズルを用いた場合の構成および動作
上記実施の形態においては、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２おいて、図６に示すような洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０を用いた場合について説明したが、洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０の一方または両方の代わりに図１４に示すような２流体ノズルを用いてもよい。

図１４は、洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズル９５０の内部構造の一例を示す縦断面図である。２流体ノズル９５０からは、気体、液体、および気体と液体との混合流体を選択的に吐出することができる。

本実施の形態の２流体ノズル９５０は外部混合型と呼ばれる。図１４に示す外部混合型の２流体ノズル９５０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。

内部本体部３１１の中心軸に沿って円筒状の液体導入部３１１ｂが形成されている。液体導入部３１１ｂには図６の洗浄処理用供給管６６３が取り付けられる。これにより、洗浄処理用供給管６６３から供給される洗浄液またはリンス液が液体導入部３１１ｂに導入される。

内部本体部３１１の下端には、液体導入部３１１ｂに連通する液体吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。

内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図６の乾燥処理用供給管６７４が取り付けられている。これにより、乾燥処理用供給管６７４から供給される不活性ガスが気体通過部３１２ｂに導入される。

気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、不活性ガスの流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。

液体吐出口３１１ａから吐出された洗浄液と気体吐出口３１２ａから吐出された不活性ガスとが２流体ノズル９５０の下端付近の外部で混合され、洗浄液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。

図１５は、図１４の２流体ノズル９５０を用いた場合の基板Ｗの洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図６で示したように、基板Ｗはスピンチャック６２１により吸着保持され、回転軸６２５の回転に伴い回転する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約５００ｒｐｍである。

この状態で、図１５（ａ）に示すように、２流体ノズル９５０から洗浄液および不活性ガスからなる霧状の混合流体が基板Ｗの上面に吐出されるとともに、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、２流体ノズル９５０から混合流体が基板Ｗの表面全体に吹き付けられ、基板Ｗの洗浄が行われる。

次いで、図１５（ｂ）に示すように、混合流体の供給が停止され、回転軸６２５の回転速度が低下するとともに、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０からリンス液が吐出される。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１０ｒｐｍである。これにより、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。また、基板Ｗを洗浄する混合流体中の洗浄液として純水を用いる場合には、リンス液の供給を行わなくてもよい。

液層Ｌが形成された後、リンス液の供給が停止される。次に、図１５（ｃ）に示すように、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０から不活性ガスが吐出される。これにより、基板Ｗの中心部の洗浄液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

その後、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１００ｒｐｍである。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するので、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除くことができる。その結果、基板Ｗが乾燥される。

なお、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除く際には、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動してもよい。これにより、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

（７−２）２流体ノズルを用いた場合の効果
図１４の２流体ノズルにおいては、２流体ノズル９５０から吐出される混合流体は洗浄液の微細な液滴を含むので、基板Ｗ表面に凹凸がある場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗに付着した汚れが剥ぎ取られる。それにより、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。また、基板Ｗ上の膜の濡れ性が低い場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗ表面の汚れが剥ぎ取られるので、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。

したがって、特に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に２流体ノズルを用いた場合には、露光処理前に加熱ユニットＨＰによって基板Ｗに熱処理が施される際に、レジスト膜またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに再付着した場合でも、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

また、不活性ガスの流量を調節することにより、基板Ｗを洗浄する際の洗浄力を容易に調節することができる。これにより、基板Ｗ上の有機膜（レジスト膜またはレジストカバー膜）が破損しやすい性質を有する場合には洗浄力を弱くすることで基板Ｗ上の有機膜の破損を防止することができる。また、基板Ｗ表面の汚れが強固な場合には洗浄力を強くすることで基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。このように、基板Ｗ上の有機膜の性質および汚れの程度に合わせて洗浄力を調節することにより、基板Ｗ上の有機膜の破損を防止しつつ、基板Ｗを確実に洗浄することができる。

また、外部混合型の２流体ノズル９５０では、混合流体は２流体ノズル９５０の外部において洗浄液と不活性ガスとが混合されることにより生成される。２流体ノズル９５０の内部においては不活性ガスと洗浄液とがそれぞれ別の流路に区分されて流通する。それにより、気体通過部３１２ｂ内に洗浄液が残留することはなく、不活性ガスを単独で２流体ノズル９５０から吐出することができる。さらに、洗浄処理用供給管６６３からリンス液を供給することにより、リンス液を２流体ノズル９５０から単独で吐出することができる。したがって、混合流体、不活性ガスおよびリンス液を２流体ノズル９５０から選択的に吐出することが可能となる。

また、２流体ノズル９５０を用いた場合においては、基板Ｗに洗浄液またはリンス液を供給するためのノズルと、基板Ｗに不活性ガスを供給するためのノズルとをそれぞれ別個に設ける必要がない。それにより、簡単な構造で基板Ｗの洗浄および乾燥を確実に行うことができる。

なお、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗにリンス液を供給してもよい。

また、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗに不活性ガスを供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗに不活性ガスを供給してもよい。

（８）他の実施の形態
レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄処理時に、レジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１６においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合には、レジストカバー膜除去ブロック１４を設けなくてよい。それにより、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。なお、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４を設けない場合には、基板Ｗの露光後ベークは、現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２１で行われる。

なお、露光装置１６において液体を用いない方法で基板Ｗの露光処理を行う場合にも、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４を設ける必要はない。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。

また、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰにおいても、冷却ユニットＣＰと同様に、基板Ｗに不活性ガスを吹き付けてもよい。この場合、基板Ｗの汚染をさらに確実に防止することができる。

また、冷却ユニットＣＰにおける不活性ガスの吹き付け方法は、上記実施の形態の例に限定されない。例えば、ファンを用いて基板Ｗに不活性ガスを吹き付けてもよく、基板Ｗ上で不活性ガスの吐出口を走査させることにより基板Ｗに不活性ガスを吹き付けてもよい。

（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶが１または複数種の塗布ユニットに相当し、温度調整プレートＰＬが冷却プレートに相当し、不活性ガス吐出口５４０，５５３および不活性ガス吐出部５４１，５５４が不活性ガス吐出手段に相当し、不活性ガス吐出口５５３および不活性ガス吐出部５５４が第１の不活性ガス吐出部に相当し、不活性ガス吐出口５４０および不活性ガス吐出部５４１が第２の不活性ガス吐出部に相当し、昇降ピン５３８および昇降装置５９９が昇降機構に相当し、レジスト膜が感光性膜に相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜が保護膜に相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 冷却ユニットの構造の一例を示す模式的断面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 洗浄処理用ノズルと乾燥処理用ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図９の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１２の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。 図１４の２流体ノズルを用いた場合の基板の洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５０ 反射防止膜用塗布処理部
６０ レジスト膜用塗布処理部
７０ 現像処理部
８０ レジストカバー膜用塗布処理部
９０ レジストカバー膜除去用処理部
１００，１０１ 反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１ レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１ 現像用熱処理部
１３０，１３１ レジストカバー膜用熱処理部
１４０，１４１ 露光後ベーク用熱処理部
５００ 基板処理装置
５４０，５５３ 不活性ガス吐出口
５４１，５５４ 不活性ガス吐出部
５４２，５５５ 不活性ガス流通孔
６５０ 洗浄処理用ノズル
６７０，７７０，８７０ 乾燥処理用ノズル
６８２ 遮断板
９５０ ２流体ノズル
ＥＥＷ エッジ露光部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却ユニット
Ｗ 基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３ 基板載置部

Claims (9)

1. 露光装置による露光処理前に基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
   基板に処理液を塗布する１または複数種の塗布ユニットと、
   少なくとも１種の塗布ユニットにおいて前記処理液が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットと、
   前記加熱ユニットによる加熱処理後に基板を冷却処理する冷却ユニットとを備え、
   前記冷却ユニットは、基板が載置された状態で基板を冷却する冷却プレートと、基板に不活性ガスを吹き付ける不活性ガス吐出手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記不活性ガス吐出手段は、基板の冷却処理の前後に前記不活性ガスを基板に吹き付けることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記不活性ガス供給手段は、基板の表面に対向するように配置される第１の不活性ガス吐出部および基板の裏面に対向するように配置される第２の不活性ガス吐出部を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記冷却ユニットは、基板を前記冷却プレートに近接した状態と前記冷却プレートから離間した状態とに移行させる昇降機構をさらに含み、
   前記不活性ガス供給手段は、基板が前記昇降機構により前記冷却プレートから離間した状態で保持されているときに前記不活性ガスを基板に吹き付けることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記不活性ガス供給手段は、基板の中心部から外方へ流れるように前記不活性ガスを吹き付けることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記１または複数種の塗布ユニットにより基板に塗布される処理液は、塗布ユニットの種類ごとに異なり、
   各塗布ユニットにおいて基板に処理液が塗布されるごとに前記加熱ユニットによる加熱処理および前記冷却処理ユニットによる冷却処理が行われることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、前記処理液として感光性材料を塗布することにより基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、前記感光性膜形成ユニットによる前記感光性膜の形成前に前記処理液として反射防止膜材料を塗布することにより基板上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットであることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記１または複数種の塗布ユニットのいずれかは、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に前記処理液として樹脂材料を塗布することにより基板上に前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットであることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。

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