JP2005294520A - 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 - Google Patents
塗布・現像装置及び塗布・現像方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005294520A JP2005294520A JP2004107195A JP2004107195A JP2005294520A JP 2005294520 A JP2005294520 A JP 2005294520A JP 2004107195 A JP2004107195 A JP 2004107195A JP 2004107195 A JP2004107195 A JP 2004107195A JP 2005294520 A JP2005294520 A JP 2005294520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning liquid
- cleaning
- unit
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 塗布ユニットにて基板の表面にレジストを塗布し、次いで第1の洗浄手段例えば洗浄ノズルにより基板を洗浄し、その後露光する構成とする。この場合、露光時に基板の表面に光を透過させる液層を基板の表面に形成してもレジストから溶出する成分の量が少ないので、線幅精度の高い露光処理をすることができ、結果として現像後の基板に高精度且つ面内均一性の高いレジストパターンを形成することができる。
【選択図】 図1
Description
レジストが塗布された基板の表面を露光前に洗浄液により洗浄するための第1の洗浄手段を設けたことを特徴とする。
レジストが塗布された基板の表面を露光前に洗浄液により洗浄する第1の洗浄工程と、
その後、基板の表面に光を透過する液層を形成した状態で基板の表面を露光する露光工程と、
露光された基板の表面を現像する現像工程と、を含むことを特徴とする。
(実施例1)
本例は、液浸露光する前に水洗処理した実施例である。メタルクリル系のレジスト(レジストA)の塗布→PAB処理→水洗処理(5〜10秒間)→露光→PEB処理→現像の順にウエハWを処理した。現像後にウエハWに形成されたレジストパターンの線幅を測長SEMを用いて測定した。その結果を図15に示す。なお、レジストパターンの線幅の目標値は後述する比較例と対比する際に水洗の効果を分かりやすくするため90nmとした。即ち、レジストA及び以下に述べるレジストB,Cは3種類共にメタルクリル系のレジストと呼ばれるもので、主となる樹脂成分が共通するものであるが、レジストに含まれる酸発生成分には種々のものがあり、その主成分は同じでも夫々に詳細な成分が異なったターゲット膜厚及び線幅に対して特長をもったレジストである。依ってここではこの3種類のレジスト共に狙える線幅範囲に対して共通の条件で実験を行った。
本例はレジストAに代えてメタルクリル系のレジスト(レジストB)を塗布したことを除いて実施例1と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図16に示す。
本例はレジストAに代えてメタルクリル系のレジスト(レジストC)を塗布したことを除いて実施例1と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図17に示す。
本例は、露光した後にも水洗したことを除いて実施例1と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図15に示す。
本例は、露光した後にも水洗したことを除いて実施例2と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図16に示す。
本例は、露光した後にも水洗したことを除いて実施例3と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図17に示す。
本例は露光前に水洗を行わず、露光後に水洗を行ったことを除いて実施例1と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図15に併せて示す。
本例は露光前に水洗を行わず、露光後に水洗を行ったことを除いて実施例2と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図16に併せて示す。
本例は露光前に水洗を行わず、露光後に水洗を行ったことを除いて実施例3と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図17に併せて示す。
本例は、水洗処理を行わずに、液浸露光に代えて従来のドライ雰囲気で露光を行ったことを除いて実施例1と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図15に併せて示す。
本例は、水洗処理を行わずに、液浸露光に代えて従来のドライ雰囲気で露光を行ったことを除いて実施例2と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図16に併せて示す。
本例は、水洗処理を行わずに、液浸露光に代えて従来のドライ雰囲気で露光を行ったことを除いて実施例3と同じ処理を行った例である。測定した線幅の結果を図17に併せて示す。
図14〜16の結果から明らかなように、液浸露光する前に水洗を行わなかった比較例1〜3の線幅はレジストAが92nm、レジストBが95nm、レジストCが100nmであった。これに対し液浸露光する前に水洗を行った実施例1〜3の線幅はレジストA,B,Cのいずれも約92nmであった。また液浸露光前後に水洗を行った実施例4〜6の線幅はレジストA,B,Cのいずれも実施例1〜3と略同じであった。即ち、液浸露光する前に水洗することにより、互いに種類の異なるレジストに対しても線幅精度の面内均一なレジストパターンを得られることが確認された。なお、液浸露光を行わなかった比較例4〜6の線幅の結果がレジストA,B,Cのいずれも約90nmであることから、比較例1〜3において線幅が悪くなった原因としてレジストからの溶出成分が影響したためと推察する。また比較例1〜3においてレジストA、レジストB、レジストCの順に線幅精度が悪くなっていることから、レジストの種類、詳しくは水に対する親水性の程度が異なれば溶解成分の影響が変ることが分かる。
B1 キャリア載置部
B2 処理部
B3 インターフェイス部
B4 露光部
25 加熱ユニット(PAB)
27 塗布ユニット(COT)
28 現像ユニット(DEV)
29 洗浄ユニット(SOAK)
33 加熱ユニット(PEB)
4 スピンチャック
52 洗浄液ノズル
Claims (17)
- 基板の表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、基板の表面に光を透過する液層を形成した状態で露光した後の基板を現像処理する現像ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、
レジストが塗布された基板の表面を露光前に洗浄液により洗浄するための第1の洗浄手段を設けたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記塗布ユニットは、
基板を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在な基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面にレジストを供給するレジスト供給ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の表面に洗浄液を供給し、前記第1の洗浄手段を構成する洗浄液ノズルと、を備えたことを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 前記第1の洗浄手段は、
基板が搬入出できるように構成された密閉容器と、
この密閉容器の中に設けられ、基板を水平に載置するための基板載置部と、
前記密閉容器内に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段と、
前記洗浄液を排出するための洗浄液排出手段と、を備えたことを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - レジストが塗布された基板の表面を加熱する加熱ユニットを備え、
前記第1の洗浄手段は、前記加熱ユニットに隣接して設けられていることを特徴とする請求項3記載の塗布、現像装置。 - 密閉容器内から洗浄液が排出された後、密閉容器内に乾燥ガスを通流させて基板を乾燥させる乾燥手段を備えたことを特徴とする請求項3または4記載の塗布、現像装置。
- 前記第1の洗浄手段は、
基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面に洗浄液を供給するために基板の幅方向に配列された洗浄液吐出口、及びこの洗浄液吐出口の前及び/または後に隣接して設けられ、基板上の洗浄液を吸引する洗浄液吸引口を有する洗浄液ノズルと、
洗浄液ノズルを基板保持部に対して相対的に前後方向に移動させるための手段と、を備えたことを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 前記第1の洗浄手段は、基板上の洗浄液を乾燥させるための乾燥手段を備えたことを特徴とする請求項1または6記載の塗布、現像装置。
- レジストが塗布された基板を露光装置に受け渡し、また露光された基板を受け取るためのインターフェイス部を備え、
前記第1の洗浄手段は、インターフェイス部に設けられていることを特徴とする請求項1、3、5、6または7記載の塗布、現像装置。 - 露光された基板の表面を現像前に洗浄液により洗浄するための第2の洗浄手段を更に備えたことことを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の塗布、現像装置。
- 前記第1の洗浄手段は前記第2の洗浄手段を共用することを特徴とする請求項9記載の塗布、現像装置。
- 基板の表面にレジストを塗布する塗布工程と、
レジストが塗布された基板の表面を露光前に洗浄液により洗浄する第1の洗浄工程と、
その後、基板の表面に光を透過する液層を形成した状態で基板の表面を露光する露光工程と、
露光された基板の表面を現像する現像工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記塗布工程は、基板を基板保持部に水平に保持した状態で基板の表面にレジストを供給する工程、を含み、
前記第1の洗浄工程は、前記基板保持部に基板を保持したまま、洗浄液ノズルから洗浄液を前記基板の表面に供給する工程であることを特徴とする請求項11記載の塗布、現像方法。 - 第1の洗浄工程は、基板を密閉容器内に搬入して基板を水平に載置する工程と、前記密閉容器内に洗浄液を供給して基板表面を洗浄する工程と、前記洗浄液を排出する工程と、を備えたことを特徴とする請求項11記載の塗布、現像方法。
- 洗浄液を密閉容器から排出した後、密閉容器内に乾燥ガスを通流して基板を乾燥する工程を更に含むことを特徴とする請求項13記載の塗布、現像方法。
- 第1の洗浄工程は、基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液吐出口を備えた洗浄液ノズルを基板に対して相対的に前後方向に移動させると共に、この洗浄液吐出口の前及び/または後に隣接して設けた洗浄液吸引口から基板に供給した洗浄液を吸引することを特徴とする請求項11記載の塗布、現像方法。
- 前記第1の洗浄工程の後であって、露光工程の前に基板を乾燥させる工程を含むことを特徴とする請求項11、12、13ないし15のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
- 露光された基板の表面を現像前に洗浄液により洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項11ないし16のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004107195A JP4535489B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 塗布・現像装置 |
CNB2004800426600A CN100483624C (zh) | 2004-03-31 | 2004-12-16 | 涂敷·显影方法 |
US10/590,314 US7665916B2 (en) | 2004-03-31 | 2004-12-16 | Coater/developer and coating/developing method |
PCT/JP2004/018831 WO2005101467A1 (ja) | 2004-03-31 | 2004-12-16 | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
KR1020067020543A KR100839886B1 (ko) | 2004-03-31 | 2004-12-16 | 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법 |
EP04807190.6A EP1732108B1 (en) | 2004-03-31 | 2004-12-16 | Coater/developer and coating/developing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004107195A JP4535489B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 塗布・現像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005294520A true JP2005294520A (ja) | 2005-10-20 |
JP2005294520A5 JP2005294520A5 (ja) | 2005-12-15 |
JP4535489B2 JP4535489B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=35150241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004107195A Expired - Lifetime JP4535489B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 塗布・現像装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7665916B2 (ja) |
EP (1) | EP1732108B1 (ja) |
JP (1) | JP4535489B2 (ja) |
KR (1) | KR100839886B1 (ja) |
CN (1) | CN100483624C (ja) |
WO (1) | WO2005101467A1 (ja) |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006005335A (ja) * | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
WO2006016489A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法 |
WO2006027900A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
WO2006046562A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006310723A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007081373A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ方法及びその装置 |
JP2007150071A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
JP2007214365A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
WO2007097233A1 (ja) * | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いた洗浄方法 |
JP2007256710A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液、およびこれを用いた基材の洗浄方法、並びに薬液供給装置の洗浄方法 |
JP2008071984A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 露光・現像処理方法 |
JPWO2006051909A1 (ja) * | 2004-11-11 | 2008-05-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス製造方法、及び基板 |
JP2008257087A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
JP2009033042A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び洗浄装置 |
US7497633B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-03-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7604424B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-10-20 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7609361B2 (en) | 2007-02-14 | 2009-10-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
JP2009260032A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
US7641405B2 (en) | 2007-02-15 | 2010-01-05 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus with integrated top and edge cleaning unit |
US7641404B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-05 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7658560B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-02-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7690853B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-04-06 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7722267B2 (en) | 2006-01-16 | 2010-05-25 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7726891B2 (en) | 2004-11-11 | 2010-06-01 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7766565B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-08-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system |
US7892722B2 (en) | 2004-05-17 | 2011-02-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
US8034190B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-10-11 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US8040488B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-10-18 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US8460476B2 (en) | 2005-09-14 | 2013-06-11 | Sokudo Co., Ltd | Apparatus for and method of processing substrate subjected to exposure process |
US8518494B2 (en) | 2006-02-08 | 2013-08-27 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, coating film forming method, and storage medium storing program for performing the method |
US8540824B2 (en) | 2005-09-25 | 2013-09-24 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing method |
US8585830B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-11-19 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR101339567B1 (ko) | 2006-12-18 | 2013-12-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포ㆍ현상 장치, 패턴 형성 방법 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 |
US8631809B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-01-21 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US8932672B2 (en) | 2006-02-02 | 2015-01-13 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US9703199B2 (en) | 2004-12-06 | 2017-07-11 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US10061207B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4369325B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像処理方法 |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
JP2005353763A (ja) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
US20070242248A1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device |
JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US7403260B2 (en) * | 2005-03-11 | 2008-07-22 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing system |
JP4519037B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び塗布、現像装置 |
JP4704221B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-06-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4781834B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-09-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 現像装置および現像方法 |
JP4912180B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光・現像処理方法 |
JP5013400B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-29 | 国立大学法人東北大学 | 塗布膜コーティング装置 |
JP4900117B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP5133641B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP4788785B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
JP5284294B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム |
JP5315320B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置 |
CN102527582B (zh) * | 2010-12-08 | 2016-06-15 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种用于清洗圆片的喷头及其方法 |
US20140120476A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | United Microelectronics Corp. | Method of forming a photoresist pattern |
JP6126867B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-05-10 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP6379665B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2018-08-29 | 株式会社デンソー | 車載光学センサ洗浄装置 |
US9589820B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and adjustment method |
JP7154995B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2022-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7352419B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | ノズル内部における気液界面の検出方法および基板処理装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5911628A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成法 |
JPH08314156A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Sanken Electric Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH11260686A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 露光方法 |
JP2002217267A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003076018A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Kazuyuki Sugita | 表層イメージング用レジスト組成物およびパターン形成方法 |
JP2004095705A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2005277053A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH113851A (ja) | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP3691665B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2005-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
KR100609766B1 (ko) * | 1998-07-29 | 2006-08-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
US6558053B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-05-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
TW561516B (en) | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP3958993B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004107195A patent/JP4535489B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-16 WO PCT/JP2004/018831 patent/WO2005101467A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-12-16 KR KR1020067020543A patent/KR100839886B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-16 CN CNB2004800426600A patent/CN100483624C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-16 US US10/590,314 patent/US7665916B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-16 EP EP04807190.6A patent/EP1732108B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5911628A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成法 |
JPH08314156A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Sanken Electric Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
JPH10303114A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nikon Corp | 液浸型露光装置 |
JPH11260686A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 露光方法 |
JP2002217267A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003076018A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Kazuyuki Sugita | 表層イメージング用レジスト組成物およびパターン形成方法 |
JP2004095705A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2005277053A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
Cited By (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7892722B2 (en) | 2004-05-17 | 2011-02-22 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
JP2006005335A (ja) * | 2004-05-17 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
WO2006016489A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法 |
WO2006027900A1 (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Limited | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2006080403A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
WO2006046562A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010177693A (ja) * | 2004-10-26 | 2010-08-12 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US8941808B2 (en) | 2004-10-26 | 2015-01-27 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus rinsing outer contour of substrate with immersion space |
JP2006156974A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4665712B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2011-04-06 | 株式会社ニコン | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US8040489B2 (en) | 2004-10-26 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device by immersing substrate in second liquid before immersion exposure through first liquid |
JP2006310723A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US7658560B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-02-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US8496761B2 (en) | 2004-11-10 | 2013-07-30 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7497633B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-03-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US8034190B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-10-11 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US8294873B2 (en) | 2004-11-11 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure method, device manufacturing method, and substrate |
JPWO2006051909A1 (ja) * | 2004-11-11 | 2008-05-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス製造方法、及び基板 |
JP4565270B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2010-10-20 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス製造方法 |
JP2010219555A (ja) * | 2004-11-11 | 2010-09-30 | Nikon Corp | 露光方法、デバイス製造方法、及び基板 |
US7726891B2 (en) | 2004-11-11 | 2010-06-01 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US8040488B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-10-18 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US8585830B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-11-19 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US9703199B2 (en) | 2004-12-06 | 2017-07-11 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7604424B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-10-20 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7766565B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-08-03 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system |
JP2007081373A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ方法及びその装置 |
JP4486945B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2010-06-23 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | 液浸リソグラフィ方法及びその装置 |
US8460476B2 (en) | 2005-09-14 | 2013-06-11 | Sokudo Co., Ltd | Apparatus for and method of processing substrate subjected to exposure process |
US8540824B2 (en) | 2005-09-25 | 2013-09-24 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing method |
JP4654119B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
JP2007150071A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
KR101061647B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2011-09-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 |
US10061207B2 (en) | 2005-12-02 | 2018-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7722267B2 (en) | 2006-01-16 | 2010-05-25 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7690853B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-04-06 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7641404B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-05 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US8932672B2 (en) | 2006-02-02 | 2015-01-13 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US20150086923A1 (en) * | 2006-02-02 | 2015-03-26 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing method |
US9477162B2 (en) * | 2006-02-02 | 2016-10-25 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing method |
US9214363B2 (en) | 2006-02-08 | 2015-12-15 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, coating film forming method, and storage medium storing program for performing the method |
US8518494B2 (en) | 2006-02-08 | 2013-08-27 | Tokyo Electron Limited | Coating and developing apparatus, coating film forming method, and storage medium storing program for performing the method |
JP2007214365A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
US7884062B2 (en) | 2006-02-23 | 2011-02-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning liquid for lithography and cleaning method using same |
WO2007097233A1 (ja) * | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いた洗浄方法 |
JP2007256710A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄液、およびこれを用いた基材の洗浄方法、並びに薬液供給装置の洗浄方法 |
JP2008071984A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 露光・現像処理方法 |
KR101339567B1 (ko) | 2006-12-18 | 2013-12-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포ㆍ현상 장치, 패턴 형성 방법 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 |
US7609361B2 (en) | 2007-02-14 | 2009-10-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
US7641405B2 (en) | 2007-02-15 | 2010-01-05 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus with integrated top and edge cleaning unit |
KR100935990B1 (ko) * | 2007-02-15 | 2010-01-08 | 가부시키가이샤 소쿠도 | 기판처리장치 |
JP2008257087A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
JP2009033042A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び洗浄装置 |
JP2009260032A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
US8631809B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-01-21 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US9032977B2 (en) | 2009-03-18 | 2015-05-19 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100483624C (zh) | 2009-04-29 |
KR100839886B1 (ko) | 2008-06-19 |
EP1732108A1 (en) | 2006-12-13 |
CN1926662A (zh) | 2007-03-07 |
US7665916B2 (en) | 2010-02-23 |
US20070177869A1 (en) | 2007-08-02 |
WO2005101467A1 (ja) | 2005-10-27 |
KR20060130237A (ko) | 2006-12-18 |
JP4535489B2 (ja) | 2010-09-01 |
EP1732108B1 (en) | 2013-09-25 |
EP1732108A4 (en) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4535489B2 (ja) | 塗布・現像装置 | |
JP4830523B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 | |
KR101447759B1 (ko) | 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치 | |
US8865396B2 (en) | Developing method and developing apparatus | |
JP4654120B2 (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びにコンピュータプログラム | |
US9052610B2 (en) | Coating and developing system and coating and developing method | |
JP4853536B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
TWI492281B (zh) | 塗佈、顯像裝置、顯像方法及記憶媒體 | |
WO2004109779A1 (ja) | 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置 | |
JP4912180B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP2010219168A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP2008198820A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4923936B2 (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 | |
JP4678740B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JP4780808B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP4807749B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP4733192B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JP5012393B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP3909028B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP5501086B2 (ja) | 現像処理方法 | |
JP2008091653A (ja) | 塗布・現像処理方法 | |
JP2011049353A (ja) | 塗布膜形成方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051031 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091210 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100614 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4535489 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |