JP4832201B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
しかしながら、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、基板は、液体が付着した状態で露光装置から搬出される。そのため、上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いた露光装置を外部装置として設ける場合、露光装置から搬出された基板に付着している液体が基板処理装置内に落下し、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良が発生するおそれがある。
また、露光処理後の基板に液体が付着していると、その基板に塵埃等が付着しやすくなるとともに、基板に付着する液体が基板上に形成されている膜に対して悪影響を与える場合がある。これらに起因して基板の処理不良が発生するおそれがある。
本発明の目的は、露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置を提供することである。
（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、乾燥処理ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、基板保持手段に保持された基板上に液層を形成する液層形成手段と、回転駆動手段により基板が回転される状態で、液層形成手段により基板上に形成された液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを含み、回転駆動手段は、液層形成手段による液層の形成時に基板を第１の回転速度で回転させ、液層形成手段による液層の形成後に基板の回転速度を第２の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、気体吐出手段は、第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第３の回転速度で回転する基板上の液層に気体を吐出するものである。
この基板処理装置においては、処理部において基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。露光装置による露光処理前または露光処理後には、乾燥処理ユニットにより基板の乾燥処理が行われる。
乾燥処理ユニットにおいては、液層形成手段により基板上に液層が形成される。そして、回転駆動手段により基板が回転される状態で、気体吐出手段により基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、基板上に液体が付着していても、その液体は、基板上に形成される液層とともに遠心力により基板の外方へ移動し、取り除かれる。
液層の形成時には回転駆動手段により基板が第１の回転速度で回転される。それにより、基板が水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層を基板上に均一に形成することができる。
液層の形成後には、回転駆動手段により基板の回転速度が段階的または連続的に上昇する。それにより、液層の周縁部に働く外方への遠心力が増加する。一方、液層の中心部には遠心力に対する張力が働き、液層は外方に飛散することなく基板上で保持される。
基板の回転速度が上昇する過程で、基板の回転速度が第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第３の回転速度であるときに、気体吐出手段により基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層に働く張力が消滅し、遠心力により液層が基板の外方に向かって移動する。この場合、液層は複数の領域に分離せずに、表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。そのため、基板上における微小液滴の形成が抑制され、基板上の液層を確実に取り除くことができる。
このような乾燥処理が露光処理後の基板に行われる場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。
また、基板に乾燥処理が施されることにより、露光処理時に基板に付着した液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。また、基板に付着した液体が基板上に形成された膜に対して悪影響を与えることが防止される。これらにより、基板の処理不良が防止される。
一方、乾燥処理が露光処理前の基板に行われる場合、基板上に液層が形成されることにより、露光処理前の処理工程で基板に付着した塵埃等を露光処理の直前に取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができ、基板の処理不良を確実に防止することができる。
（２）回転駆動手段は、液層形成手段による液層の形成後であって気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第４の回転速度に所定時間維持してもよい。
この場合、液層が基板上の全域に広がるとともに、液層が基板上に安定に保持される。それにより、気体吐出手段による気体の吐出前に液層が基板の外方に飛散することが確実に防止されるとともに、気体の吐出時に、確実に円環形状を保持した状態で液層を一体的に基板の外方へ移動させることができる。
（３）乾燥処理ユニットは、液層形成手段により基板上に形成された液層の厚さを検出する層厚検出器と、層厚検出器により検出された液層の厚さに基づいて回転駆動手段による基板の回転速度および気体吐出手段による気体の吐出タイミングを制御する制御部とをさらに含んでもよい。
この場合、液層の中心部が十分に薄くなりかつ遠心力により液層が複数の領域に分離しない状態で気体を吐出することができるので、液層の中心部に働く張力を確実に消滅させ、円環形状を保持した状態で液層を一体的に基板の外方へ移動させることができる。それにより、基板上の液層を確実に取り除くことができる。
（４）乾燥処理ユニットは、露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行ってもよい。
この場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。
また、基板に乾燥処理が施されることにより、露光処理時に基板に付着した液体に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止される。それにより、基板の処理不良を防止することができる。
（５）処理部は、基板の現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含み、乾燥処理ユニットは、露光装置による露光処理後であって現像処理ユニットによる現像処理前に基板の乾燥処理を行ってもよい。
この場合、現像処理ユニットよる現像処理前に基板の乾燥処理が行われるため、露光処理時において基板に液体が付着しても、その液体により露光パターンが変形することを防止することができる。それにより、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
（６）乾燥処理ユニットは、露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行ってもよい。
この場合、基板上に液層が形成されることにより、露光処理前の処理工程で基板に付着した塵埃等を露光処理の直前に取り除くことができる。その結果、露光装置内の汚染を防止することができ、基板の処理不良を確実に防止することができる。
（７）処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットとをさらに含み、乾燥処理ユニットは、感光性膜および保護膜の形成後であって露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行ってもよい。
この場合、乾燥処理時において、基板上に形成された感光性膜および保護膜の成分の一部が液層中に溶出する。そのため、露光装置において基板が液体と接触しても、基板上の感光性膜および保護膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。したがって、露光装置内の汚染を防止することができる。
本発明によれば、露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
（３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について図面を用いて詳細に説明する。なお、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は同様の構成のものを用いることができる。
（３−１）構成
図５は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図５に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に液供給ノズル６５０が設けられている。
第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、液供給ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図５の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
液供給ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）または有機系の液体などが用いられる。
また、洗浄液またはリンス液として、露光装置１６において露光処理の際に用いられる液浸液を使用してもよい。液浸液の例としては、純水、高屈折率を有するグリセロール、高屈折率の微粒子（例えば、アルミニウム酸化物）と純水とを混合した混合液および有機系の液体等が挙げられる。液浸液の他の例としては、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水等が挙げられる。
スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に不活性ガス供給ノズル６７０が設けられている。
第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに、第２のアーム６７３が回動し、不活性ガス供給ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
不活性ガス供給ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。なお、不活性ガスの代わりに、エアー（空気）等の他の気体が不活性ガス供給ノズル６７０に供給されてもよい。
基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、液供給ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、液供給ノズル６５０は所定の位置に退避される。
また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、不活性ガス供給ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、不活性ガス供給ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図５に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
（３−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、液供給ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、液供給ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。その後、回転軸６２５の回転に伴う遠心力によりリンス液が基板Ｗから取り除かれ、基板Ｗが乾燥される。基板Ｗの乾燥処理の詳細については後述する。
その後、不活性ガス供給ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。そして、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
なお、上記実施の形態においては、液供給ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に液供給ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。また、液供給ノズル６５０としては、ストレートノズルまたはスリットノズル等の種々のノズルを用いることができる。
また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、その洗浄液を用いて後述の乾燥処理を行ってもよい。
また、基板Ｗの汚染が軽微な場合、洗浄液を用いた洗浄を行わなくてもよい。この場合、以下に示すようなリンス液を用いた乾燥処理を行うことで基板Ｗ上の汚染物を十分に取り除くことができる。
（３−３）基板の乾燥処理の詳細
以下、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における基板Ｗの乾燥処理について詳細に説明する。
通常、遠心力を利用して基板Ｗの乾燥を行う場合、基板Ｗ上にリンス液の微小な液滴が残留することがある。これは、微小な液滴にはその質量に応じた小さな遠心力しか働かないので、基板Ｗから引き離すことが困難となるためである。また、基板Ｗの中心部近傍に微小な液滴が付着している場合には、液滴に働く遠心力がさらに小さくなるので、取り除くことがさらに困難となる。基板Ｗ上のレジストカバー膜の疎水性が高い場合には、このような液滴が特に形成されやすい。
本実施の形態では、基板Ｗを乾燥する際に微小な液滴の残留が防止され、基板Ｗ上のリンス液を確実に取り除くことができる。以下、図６〜図８を用いて詳細を説明する。
図６は基板Ｗの乾燥処理を段階的に示す図であり、図７は基板Ｗの乾燥処理時におけるリンス液の移動を説明するための図である。図８は回転軸６２５の回転速度を時系列で示す図である。
上記のように、基板Ｗの洗浄処理後、リンス液により基板Ｗの上の洗浄液が洗い流される。その後、回転軸６２５（図５）の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、リンス液の供給および回転軸６２５の回転を一旦停止してから再度回転軸６２５を低回転速度で回転させて基板Ｗ上に液層Ｌを形成してもよく、または、回転軸６２５の回転を停止した状態で基板Ｗ上に液層Ｌを形成してもよい。
次に、リンス液の供給が停止されるとともに液供給ノズル６５０が所定の位置に退避し、次いで、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、液層Ｌの中心部に働く遠心力は周縁部に働く遠心力に比べて小さい。そのため、液層Ｌの中心部には、周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が働く。それにより、液層Ｌは外方に飛散することなく基板上で保持される。回転速度の上昇により、遠心力が張力よりもやや大きくなることにより、液層Ｌは、図６（ｂ）に示すように、周縁部の厚みが厚くなるとともに中心部の厚みが薄くなった状態で基板Ｗ上に保持される。
次に、不活性ガス供給ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動し、図６（ｃ）に示すように、不活性ガス供給ノズル６７０から液層Ｌの中心部に向けて不活性ガスが吐出され、液層Ｌの中心部にホール（孔）Ｈが形成される。それにより、液層Ｌの周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が消滅する。また、不活性ガスの吐出とともに回転軸６２５の回転速度がさらに上昇する。それにより、図６（ｄ）および図６（ｅ）に示すように、液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。
このとき、液層Ｌは、図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、複数の領域に分離されずに、表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板Ｗの外方へ移動する。それにより、リンス液の微小液滴の形成が抑制され、基板Ｗ上の液体を確実に取り除くことができる。
ここで、基板Ｗの乾燥処理時における回転軸６２５の回転速度について詳細に説明する。
図８に示すように、期間Ｔ１には、回転速度Ｓ１で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ１は、例えば１０ｒｐｍである。この期間Ｔ１内において、基板Ｗ上にリンス液が供給される。この場合、基板Ｗが水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層Ｌを基板Ｗ上に均一に形成することができる。なお、基板Ｗ上の全域に均一に液層Ｌを形成することができるのであれば、期間Ｔ１においては回転軸６２５の回転を停止してもよい。
次に、期間Ｔ２には、回転速度Ｓ１よりも高い回転速度Ｓ２で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ２は、例えば１０〜１００ｒｐｍである。それにより、液層Ｌが基板Ｗ上の全域に広がるとともに、表面張力により基板Ｗ上に保持される。
次に、期間Ｔ３には、回転速度Ｓ２よりも高い回転速度Ｓ３で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ３は、例えば２００〜１０００ｒｐｍである。期間Ｔ２から期間Ｔ３に移行する際に、基板Ｗに不活性ガスが吐出される。この場合、円環形状を保持した状態で液層Ｌを一体的に基板Ｗの外方へ移動させることができる。
なお、不活性ガスの吐出のタイミングは、期間Ｔ２から期間Ｔ３へ移行する直前でもよく、期間Ｔ３へ移行した直後でもよい。また、不活性ガスの吐出時間は、例えば０．５〜８ｓｅｃである。すなわち、液層ＬにホールＨ（図６）が形成されるだけの短時間のみ不活性ガスが吐出されてもよく、または基板Ｗ上から液層Ｌが取り除かれるまで継続的に不活性ガスが吐出されてもよい。
なお、上記の回転軸６２５の回転速度は、基板Ｗ上のレジストカバー膜の疎水性、またはリンス液の濡れ性（例えば、接触角）等に応じて適宜変更してもよい。例えば、レジストカバー膜の疎水性が高い場合には、液層Ｌが複数の領域に分離して液滴が形成されやすくなるため、回転軸６２５の回転速度をより低く設定することが好ましい。
また、本実施の形態では、図８に示すように、回転軸６２５の回転速度が、回転速度Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の３段階で上昇するが、これに限らず、２段階または４段階以上で上昇してもよく、あるいは、段階的ではなく連続的に上昇してもよい。
（４）本実施の形態の効果
（４−１）露光処理後の基板の乾燥処理による効果
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。
また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。また、基板Ｗに付着した液体が、基板Ｗ上の膜（反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜）に対して悪影響を与えることが防止される。これらにより、基板Ｗの処理不良を防止することができる。
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗ上にリンス液の液層Ｌを形成し、液層Ｌを複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で一体的に基板Ｗの外方に移動させることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。
これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
また、複雑な装置および機構等を設けることなく、回転軸６２５の回転速度の調整および不活性ガスの吐出タイミングの調整によって、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるため、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の大型化および装置コストの増大を抑制することができる。
（４−２）露光処理後の基板の洗浄処理による効果
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
（４−３）レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１６において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
（４−４）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
（４−５）露光処理前の基板の洗浄および乾燥処理による効果
露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
また、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれることにより、露光処理前に洗浄液またはリンス液が基板Ｗ上のレジストカバー膜またはレジスト膜に染み込むことが防止される。それにより、露光処理時における解像性能の劣化を防止することができる。
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗ上に液層Ｌを形成し、その液層Ｌを複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で一体的に基板Ｗの外方に移動させることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。
（４−６）インターフェースブロックの効果
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６がエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入出、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬入出、送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬入出、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板の搬入、および基板載置部ＰＡＳＳ１３からの基板Ｗの搬出を行い、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰからの基板Ｗの搬出、露光装置１６への基板Ｗの搬入出、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬入出、および基板載置部ＰＡＳＳ１３への基板Ｗの搬入を行っている。このように、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって効率よく基板Ｗの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。
また、インターフェースブロック１５において、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、Ｘ方向の側面の近傍にそれぞれ設けられている。この場合、インターフェースブロック１５を取り外すことなく、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のメインテナンスを基板処理装置５００の側面から容易に行うことができる。
また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２により、１つの処理ブロック内で、露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。したがって、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができる。
（４−７）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
（４−８）載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。
上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。
特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。
（５）洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図５に示した洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、液供給ノズル６５０と不活性ガス供給ノズル６７０とが別個に設けられているが、図９に示すように、液供給ノズル６５０と不活性ガス供給ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に液供給ノズル６５０および不活性ガス供給ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
また、図１０に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２内に、基板Ｗ上の液層Ｌの厚さを検出するための層厚センサ６８０を設けてもよい。なお、層厚センサ６８０は、投光部６８０ａおよび受光部６８０ｂを含む。
図１０の第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、基板Ｗの乾燥処理時に、層厚センサ６８０により基板Ｗ上に形成された液層Ｌの中心部近傍の厚さが検出され、その厚さに変化に応じて不活性ガスの吐出のタイミングおよび回転軸６２５の上昇のタイミングが調整される。
具体的には、基板Ｗ上に液層Ｌが形成された後、回転軸６２５が低回転速度Ｓ２（図８参照）で回転している際に、層厚センサ６８０により検出される液層Ｌの中心部近傍の厚さが予め設定されたしきい値よりも小さくなると、液層Ｌに向けて不活性ガスが吐出されるとともに、回転軸６２５の回転速度が上昇する。
この場合、液層Ｌの中心部が十分に薄くなりかつ遠心力により液層Ｌが複数の領域に分離しない状態で不活性ガスを吐出することができるので、液層Ｌの中心部にホールＨを確実に形成し、円環形状を保持した状態で液層Ｌを一体的に基板Ｗの外方へ移動させることができる。これらにより、基板Ｗ上のリンス液を確実に取り除くことができる。なお、これらの動作の制御は、図１のメインコントローラ３０により行われる。
また、レジストカバー膜の疎水性およびリンス液の濡れ性（例えば、接触角）等の物性値を予めデータベース化しておき、その物性値に応じて最適な不活性ガスの吐出タイミングおよび最適な回転軸６２５の回転速度を適宜自動的に算出し、その算出値に基づいて各部の制御が行われてもよい。
（６）２流体ノズルを用いた洗浄／乾燥処理ユニットの例
（６−１）２流体ノズルを用いた場合の構成および動作
上記実施の形態においては、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２おいて、図５に示すような液供給ノズル６５０および不活性ガス供給ノズル６７０を用いた場合について説明したが、液供給ノズル６５０および不活性ガス供給ノズル６７０の一方または両方の代わりに図１１に示すような２流体ノズルを用いてもよい。
図１１は、洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズル９５０の内部構造の一例を示す縦断面図である。２流体ノズル９５０からは、気体、液体、および気体と液体との混合流体を選択的に吐出することができる。
本実施の形態の２流体ノズル９５０は外部混合型と呼ばれる。図１１に示す外部混合型の２流体ノズル９５０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。
内部本体部３１１の中心軸に沿って円筒状の液体導入部３１１ｂが形成されている。液体導入部３１１ｂには図５の洗浄処理用供給管６６３が取り付けられる。これにより、洗浄処理用供給管６６３から供給される洗浄液またはリンス液が液体導入部３１１ｂに導入される。
内部本体部３１１の下端には、液体導入部３１１ｂに連通する液体吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。
内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図５の乾燥処理用供給管６７４が取り付けられている。これにより、乾燥処理用供給管６７４から供給される不活性ガスが気体通過部３１２ｂに導入される。
気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、不活性ガスの流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。
液体吐出口３１１ａから吐出された洗浄液と気体吐出口３１２ａから吐出された不活性ガスとが２流体ノズル９５０の下端付近の外部で混合され、洗浄液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。
図１２は、図１１の２流体ノズル９５０を用いた場合の基板Ｗの洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。
まず、図５で示したように、基板Ｗはスピンチャック６２１により吸着保持され、回転軸６２５の回転に伴い回転する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約５００ｒｐｍである。
この状態で、図１２（ａ）に示すように、２流体ノズル９５０から洗浄液および不活性ガスからなる霧状の混合流体が基板Ｗの上面に吐出されるとともに、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、２流体ノズル９５０から混合流体が基板Ｗの表面全体に吹き付けられ、基板Ｗの洗浄が行われる。
次いで、図１２（ｂ）に示すように、混合流体の供給が停止され、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０からリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。また、基板Ｗを洗浄する混合流体中の洗浄液として純水を用いる場合には、その洗浄液を用いて液層Ｌを形成してもよい。
液層Ｌが形成された後、リンス液の供給が停止される。次に、図１２（ｃ）に示すように、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０から不活性ガスが吐出される。なお、回転軸６２５の回転速度の調整および不活性ガスの吐出タイミングの調整は、上記の液供給ノズル６５０および不活性ガス供給ノズル６７０を用いた場合と同様に行われる（図６〜図８参照）。
それにより、液層Ｌが複数の領域に分離することなく円環形状を保持した状態で一体的に基板Ｗの外方に移動する。そのため、リンス液の微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。
（６−２）２流体ノズルを用いた場合の効果
図１１の２流体ノズルにおいては、２流体ノズル９５０から吐出される混合流体は洗浄液の微細な液滴を含むので、基板Ｗ表面に凹凸がある場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗに付着した汚れが剥ぎ取られる。それにより、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。また、基板Ｗ上の膜の濡れ性が低い場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗ表面の汚れが剥ぎ取られるので、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。
したがって、特に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に２流体ノズルを用いた場合には、露光処理前に加熱ユニットＨＰによって基板Ｗに熱処理が施される際に、レジスト膜またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに再付着した場合でも、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
また、不活性ガスの流量を調節することにより、基板Ｗを洗浄する際の洗浄力を容易に調節することができる。これにより、基板Ｗ上の有機膜（レジスト膜またはレジストカバー膜）が破損しやすい性質を有する場合には洗浄力を弱くすることで基板Ｗ上の有機膜の破損を防止することができる。また、基板Ｗ表面の汚れが強固な場合には洗浄力を強くすることで基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。このように、基板Ｗ上の有機膜の性質および汚れの程度に合わせて洗浄力を調節することにより、基板Ｗ上の有機膜の破損を防止しつつ、基板Ｗを確実に洗浄することができる。
また、外部混合型の２流体ノズル９５０では、混合流体は２流体ノズル９５０の外部において洗浄液と不活性ガスとが混合されることにより生成される。２流体ノズル９５０の内部においては不活性ガスと洗浄液とがそれぞれ別の流路に区分されて流通する。それにより、気体通過部３１２ｂ内に洗浄液が残留することはなく、不活性ガスを単独で２流体ノズル９５０から吐出することができる。さらに、洗浄処理用供給管６６３からリンス液を供給することにより、リンス液を２流体ノズル９５０から単独で吐出することができる。したがって、混合流体、不活性ガスおよびリンス液を２流体ノズル９５０から選択的に吐出することが可能となる。
また、２流体ノズル９５０を用いた場合においては、基板Ｗに洗浄液またはリンス液を供給するためのノズルと、基板Ｗに不活性ガスを供給するためのノズルとをそれぞれ別個に設ける必要がない。それにより、簡単な構造で基板Ｗの洗浄および乾燥を確実に行うことができる。
なお、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗにリンス液を供給してもよい。
また、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗに不活性ガスを供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗに不活性ガスを供給してもよい。
（７）他の実施の形態
レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄処理時に、レジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１６においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を防止することができる。
また、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合には、レジストカバー膜除去ブロック１４を設けなくてよい。それにより、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。なお、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４を設けない場合には、基板Ｗの露光後ベークは、現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２１で行われる。
また、上記実施の形態では、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部に相当し、インターフェースブロック１５が受け渡し部に相当し、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が乾燥処理ユニットに相当する。
また、スピンチャック６２１が基板保持手段に相当し、回転軸６２５が回転駆動手段に相当し、液供給ノズル６５０が液層形成手段に相当し、不活性ガス供給ノズル６７０が気体吐出手段に相当し、回転速度Ｓ１が第１の回転速度に相当し、回転速度Ｓ３が第２の回転速度に相当し、回転速度Ｓ２が第３および第４の回転速度に相当し、層厚センサ６８０が層厚検出器に相当し、メインコントローラ３０が制御部に相当する。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 基板の乾燥処理の詳細を説明するための図である。 基板の乾燥処理の詳細を説明するための図である。 回転軸の回転速度を時系列で示す図である。 液供給ノズルと不活性ガス供給ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。 洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。 図１１の２流体ノズルを用いた場合の基板の洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。
符号の説明
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５０ 反射防止膜用塗布処理部
６０ レジスト膜用塗布処理部
７０ 現像処理部
８０ レジストカバー膜用塗布処理部
９０ レジストカバー膜除去用処理部
５００ 基板処理装置
６２１ スピンチャック
６２５ 回転軸
６５０ 液供給ノズル
６７０ 不活性ガス供給ノズル
６８０ 層厚センサ
９５０ ２流体ノズル
ＥＥＷ エッジ露光部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＲＥＭ 除去ユニット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却ユニット
Ｗ 基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３ 基板載置部

Claims (7)

  1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
    基板に処理を行うための処理部と、
    前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
    基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、
    前記乾燥処理ユニットは、
    基板を略水平に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板上に液層を形成する液層形成手段と、
    前記回転駆動手段により基板が回転される状態で、前記液層形成手段により基板上に形成された液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを含み、
    前記回転駆動手段は、前記液層形成手段による液層の形成時に基板を第１の回転速度で回転させ、前記液層形成手段による液層の形成後に基板の回転速度を第２の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、
    前記気体吐出手段は、前記第１の回転速度よりも高く前記第２の回転速度よりも低い第３の回転速度で回転する基板上の液層に気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記回転駆動手段は、前記液層形成手段による液層の形成後であって前記気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を前記第１の回転速度よりも高く前記第２の回転速度よりも低い第４の回転速度に所定時間維持することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記乾燥処理ユニットは、
    前記液層形成手段により基板上に形成された液層の厚さを検出する層厚検出器と、
    前記層厚検出器により検出された液層の厚さに基づいて前記回転駆動手段による基板の回転速度および前記気体吐出手段による気体の吐出タイミングを制御する制御部とをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記乾燥処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記処理部は、基板の現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含み、
    前記乾燥処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後であって前記現像処理ユニットによる現像処理前に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
  6. 前記乾燥処理ユニットは、前記露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
  7. 前記処理部は、
    基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
    前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットとをさらに含み、
    前記乾燥処理ユニットは、前記感光性膜および前記保護膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
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