JP2003249429A - 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置 - Google Patents

塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置

Info

Publication number
JP2003249429A
JP2003249429A JP2002046587A JP2002046587A JP2003249429A JP 2003249429 A JP2003249429 A JP 2003249429A JP 2002046587 A JP2002046587 A JP 2002046587A JP 2002046587 A JP2002046587 A JP 2002046587A JP 2003249429 A JP2003249429 A JP 2003249429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coating
processing
unit
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002046587A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4311520B2 (ja
Inventor
Yukihiko Inagaki
幸彦 稲垣
Masakazu Sanada
雅和 真田
Yoshihisa Yamada
芳久 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2002046587A priority Critical patent/JP4311520B2/ja
Priority to US10/125,229 priority patent/US6558053B2/en
Publication of JP2003249429A publication Critical patent/JP2003249429A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4311520B2 publication Critical patent/JP4311520B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の塗布処理を精度よく行うとともに、外
部処理装置との間で基板処理を効率よく行う塗布処理装
置およびこれを用いた基板処理装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 基板Wの表面に対して塗布処理を行う塗
布処理を塗布専用ユニット16で、基板Wの裏面に付着
した塗布液(フォトレジスト液)などの汚れを洗浄除去
する洗浄処理(バックリンス処理)をリンス専用ユニッ
ト17でそれぞれ行わせ、リンス専用ユニット17に配
設されたスピンチャックの径を塗布専用ユニット16に
配設されたスピンチャックの径よりも小さく構成したの
で、塗布専用ユニット16に配設されたスピンチャック
に吸着支持される領域のうち、リンス専用ユニット17
に配設されたスピンチャックに吸着支持される領域の分
だけ、汚れを洗浄除去することができ、除去能力を向上
させることができる。その結果、基板Wの塗布処理を精
度よく行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板などの基板にフォトレジスト液
などの塗布液を基板上に供給して、基板に対して塗布処
理を行う塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばフォトレジスト液などの塗
布液を基板上に供給して、基板に対して塗布処理を行う
塗布処理装置として、例えば、塗布液を塗布用のシート
に一旦塗布形成した後に、そのシートを基板に貼り合わ
せることで塗布液を基板上に供給し、貼り合わされたシ
ートと基板とを熱処理した後にシートを基板から剥離す
ることでシートに塗布形成された塗布膜を基板に転写す
る熱転写式の塗布処理装置や、静止させた基板上をスリ
ットノズルが走査(スキャン)しながら塗布液を吐出し
て基板上に供給するスキャン式の塗布処理装置や、基板
を高速回転させながら塗布液を基板の中心付近に供給
し、基板の遠心力により基板の中心から全面にわたって
塗布液を薄膜形成する塗布処理装置(スピンコータ)な
どがある。
【0003】塗布液がフォトレジスト液の場合でのフォ
トリソグラフィ工程を例に採って説明すると、フォトリ
ソグラフィ工程は、フォトレジスト液を基板上に供給
してフォトレジスト膜を基板に塗布形成(塗布処理)
し、塗布形成されたその基板に対して露光処理を行
い、さらに露光処理後の基板を現像(現像処理)す
る、一連の処理からなる。
【0004】通常、の塗布処理およびの現像処理
は、塗布処理装置を用いた同一の基板処理装置で行わ
れ、の露光処理は、基板処理装置に連設された外部処
理装置である露光装置で行われる。また、上述した基板
処理装置と露光処理装置との間での基板の受け渡しは、
基板処理装置側に配設されたインターフェイスを介して
行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、の塗布処理が行われた基板に対して
露光装置で露光処理を行う場合に、露光不良(ディフォ
ーカス)が起こるという問題がある。
【0006】つまり、露光装置のレンズから基板の表面
までの高さが基板の位置によってバラツキがある場合、
その高さが変化しレンズの焦点深度を超えて焦点がボケ
ることがある。その結果、露光不良が発生し、露光処理
によって得られたパターンの線幅の均一性に悪影響を及
ぼす。従来、このような露光不良は、基板の表面に付着
した粒子(パーティクル)や、基板に塗布形成されたフ
ォトレジスト膜の不均一化に起因すると考えられてい
る。そこで、塗布処理の前に基板の表面を洗浄する、あ
るいはスピンコータの場合においてフォトレジスト膜を
均一にするために基板の回転速度を調節することなどが
行われている。しかしながら、このように表面洗浄のみ
を行っても露光不良が根本的には解決しなかった。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板の塗布処理を精度よく行うととも
に、外部処理装置との間で基板処理を効率よく行う塗布
処理装置およびこれを用いた基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見
を得た。すなわち、これまで基板の露光不良の原因が基
板の表面のみにあると考えられていたのに対して発想を
変えて、基板の裏面についても露光不良の原因があると
の仮定の下で、様々な実験を行った。その結果、基板の
裏面には、基板の表面に塗布液を供給する際に基板の裏
面に廻りこんだ不要な塗布液や、露光処理の前工程で基
板の裏面を吸着式のバキュームチャックなどで保持する
際の保持の跡、あるいはパーティクルなどの汚れなどが
付着しており、これらの汚れを洗浄除去することにより
露光不良が低減することが確認された。基板の裏面に付
着した汚れの洗浄除去における公知の技術として、例え
ば、裏面側にあるノズルから洗浄液を吐出して基板の裏
面の汚れを洗浄除去するバックリンスなどがある。しか
しながら、塗布処理と上述したバックリンスのような洗
浄処理とは、一連して行われており、このような一連の
処理において基板の裏面の汚れを洗浄除去するには限度
がある。また、先に処理された基板に付着した汚れが、
基板を載置する載置台に付着して、その汚れが後続で処
理すべき基板にまで付着することもある。その一方で、
基板処理装置、特に塗布処理装置の載置台を定期的に清
掃することで基板の裏面に付着する汚れの除去能力を向
上させることも考えられるが、周辺機器を移動させるな
どして時間がかかってしまう。してみれば、後続する露
光処理における露光不良を低減させるためには、塗布処
理と基板の裏面の汚れを洗浄除去する洗浄処理とをそれ
ぞれ分けて行うのがよい。このような知見に基づく本発
明は、次のような構成をとる。
【0009】すなわち、請求項1に記載の発明は、基板
上に塗布液を供給する第1の処理部と、この第1の処理
部で処理された基板に洗浄液を供給する第2の処理部と
を備える塗布処理装置であって、前記第1の処理部は、
基板の裏面を第1の支持領域で支持しつつ、水平姿勢で
基板を保持する第1の基板保持手段と、この第1の基板
保持手段に保持される基板の表面に塗布液を供給する塗
布液供給手段とを備え、前記第2の処理部は、前記第1
の支持領域とは異なる第2の支持領域を支持しつつ、水
平姿勢で基板を保持する第2の基板保持手段と、この第
2の基板保持手段に保持される基板の裏面において、前
記第1の支持領域の一部または全部を洗浄するように洗
浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えることを特徴と
するものである。
【0010】〔作用・効果〕請求項1に記載の発明によ
れば、塗布液供給手段から基板の表面に塗布液を供給し
て、基板の表面に対して塗布処理を行う塗布処理と、基
板の裏面に付着した汚れを洗浄除去するために、洗浄液
供給手段から基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄処理と
を、第1および第2の処理部に分けて、第1の処理部に
塗布処理、第2の処理部に洗浄処理をそれぞれ行わせる
ようにしている。さらに、基板の裏面を第1の支持領域
で支持しつつ、水平姿勢で基板を保持する第1の基板保
持部を、第1の処理部側に、第1の支持領域とは異なる
第2の支持領域を支持しつつ、水平姿勢で基板を保持す
る第2の基板保持部を、第2の処理部側にそれぞれ備え
ている。そして、第2の基板保持手段に保持される基板
の裏面において、第1の支持領域の一部または全部を洗
浄するように洗浄液を供給しているので、基板の裏面に
付着する汚れの除去能力を向上させることができる。そ
の結果、基板の塗布処理を精度よく行うことができる。
【0011】また、第2の基板保持手段が第1の支持領
域とは異なる第2の支持領域を支持する手法として、例
えば第1の基板保持手段を、基板の裏面の中心付近を支
持することで基板を水平姿勢に保持するように構成する
とともに、第2の基板保持手段を、基板の端縁を支持す
ることで基板を水平姿勢に保持するように構成する(請
求項2に記載の発明)手法、または第1の基板保持手段
を、基板の裏面の中心付近を含む第1の支持領域で支持
することで基板を保持するように構成するとともに、第
2の基板保持手段を、基板の裏面の中心付近を含む第2
の支持領域で支持することで基板を保持するように構成
する(請求項3に記載の発明)手法などがある。
【0012】また、基板の裏面の中心付近を支持するに
は、具体的には、第1の基板保持手段を、基板の裏面の
中心付近を吸着支持することで基板を水平姿勢に保持す
るバキュームチャックで構成する(請求項4に記載の発
明)ことが挙げられる。
【0013】後者の手法(請求項3に記載の発明)とし
て、例えば、第2の処理部が第1の支持領域とは異なる
第2の支持領域を支持するように、第1および第2の支
持領域が、ともに基板の裏面の中心付近を含みつつ、支
持領域を互いにずらす手法や、例えば、第2の支持領域
の面積が、第1の支持領域の面積よりも小さくなるよう
に、第1および第2の基板保持手段をそれぞれ構成する
(請求項5に記載の発明)手法などがある。
【0014】請求項5に記載の発明として、具体的に
は、第1および第2の基板保持手段を、基板の裏面の中
心付近を吸着支持することで基板を水平姿勢に保持する
バキュームチャックでそれぞれ構成し、第2の基板保持
手段を構成するバキュームチャックの径を、第1の基板
保持手段を構成するバキュームチャックの径よりも小さ
く構成する(請求項6に記載の発明)ことが挙げられ
る。
【0015】その他の手法(請求項1に記載の発明)と
して、例えば、中心付近,端縁以外の複数箇所(例えば
3箇所)を第1または第2の支持領域として、第1また
は第2の基板保持手段がそれらの複数箇所を支持する手
法や、例えば、第1および第2の処理部間で基板を表裏
反転させて基板を載せかえる移載手段を備え、移載手段
によって基板の表裏反転を行うことで、第2の基板保持
手段は、第1の支持領域とは異なる第2の支持領域を支
持しつつ、水平姿勢で基板を保持する(請求項7に記載
の発明)手法などが挙げられる。
【0016】なお、基板に付着する汚れを洗浄除去する
のは、上述した裏面のみならず、例えば、基板の表面の
端縁に付着した汚れを洗浄除去する場合や、基板の裏面
の端縁に付着した汚れを洗浄除去する場合などのように
基板の端縁を洗浄除去する端縁洗浄処理(例えばエッジ
リンス)がある。本発明に係る塗布処理装置において、
これらの端縁洗浄処理を第1の処理部で行わせてもよい
し、第2の処理部で行わせてもよい。例えば、基板の端
縁を洗浄する端縁洗浄手段を、第1の処理部または第2
の処理部のいずれかに少なくとも備える(請求項8に記
載の発明)。
【0017】上述した請求項8に記載の発明の場合、下
記のように構成するのが好ましい。すなわち、端縁洗浄
手段を第1の処理部に備えるとともに、基板の端縁を支
持して、第1の処理部と第2の処理部との間で基板を搬
送する第1の搬送手段を備え、第1の処理部で基板の表
面に対して塗布処理を行うとともに、基板の端縁を洗浄
する端縁洗浄処理を行い、塗布処理および端縁洗浄処理
が行われたその基板を、第1の搬送手段によって第1の
処理部から第2の処理部へ搬送し、第1の搬送手段によ
って搬送されたその基板について、第2の処理部で基板
の裏面における第1の支持領域の一部または全部を洗浄
する洗浄処理を行う(請求項9に記載の発明)。
【0018】請求項9に記載の発明によれば、基板の端
縁を支持して第1の処理部と第2の処理部との間で基板
を搬送する第1の搬送手段のような搬送手段の場合にお
いて有用である。すなわち、第1の処理部で基板の表面
に対して塗布処理を行うとともに、基板の端縁を洗浄す
る端縁洗浄処理を先に行っているので、第1の搬送手段
が基板の端縁を支持して第2の処理部へ搬送する段階に
おいては、基板の端縁には汚れが付着していない。従っ
て、基板の端縁に付着した汚れを洗浄除去する端縁洗浄
処理を第1の処理部で行わずに第2の処理部に搬送する
場合には、基板の端縁に付着した汚れが第1の搬送手段
にまで付着するのみならず、第1の搬送手段を介して第
2の処理部にまで汚れによる悪影響を与えるが、請求項
9に記載の発明の場合には、第1の搬送手段への汚染お
よび第2の処理部への悪影響を低減させることができ
る。
【0019】また、本発明に係る塗布処理装置を用いて
基板処理装置を構成することもできる。請求項10に記
載の基板処理装置は、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項10に記載の発明は、請求項1から請求項9
のいずれかに記載の塗布処理装置を用いた基板処理装置
であって、基板上に塗布液を供給する第1の処理部と、
この第1の処理部で処理された基板に洗浄液を供給する
第2の処理部と、前記第1および第2の処理部を含む、
基板処理をそれぞれ行う複数の処理部間で、基板を搬送
する第2の搬送手段とを備えるとともに、前記第1の処
理部は、基板の裏面を第1の支持領域で支持しつつ、水
平姿勢で基板を保持する第1の基板保持手段と、この第
1の基板保持手段に保持される基板の表面に塗布液を供
給する塗布液供給手段とを備え、前記第2の処理部は、
前記第1の支持領域とは異なる第2の支持領域を支持し
つつ、水平姿勢で基板を保持する第2の基板保持手段
と、この第2の基板保持手段に保持される基板の裏面に
おいて、前記第1の支持領域の一部または全部を洗浄す
るように洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えるこ
とを特徴とするものである。
【0020】〔作用・効果〕請求項10に記載の発明に
よれば、第1および第2の処理部を含む、基板処理をそ
れぞれ行う複数の処理部間で、基板を搬送する第2の搬
送手段を備えているので、塗布処理や基板の裏面に付着
した汚れの洗浄除去を行う洗浄処理を含む一連の基板処
理を効率よく行うことができる。
【0021】また、請求項11に記載の基板処理装置
は、次のような構成をとる。すなわち、請求項11に記
載の発明は、請求項1から請求項9のいずれかに記載の
塗布処理装置を用いた基板処理装置であって、基板上に
塗布液を供給する第1の処理部と、この第1の処理部で
処理された基板に洗浄液を供給する第2の処理部と、前
記第1および第2の処理部を含む、基板処理をそれぞれ
行う複数の処理部間で、基板を搬送する第2の搬送手段
と、前記基板処理装置に連設される外部処理装置と、前
記処理部・外部処理装置間で基板の受け渡しを中継する
インターフェイスとを備えるとともに、前記第1の処理
部は、基板の裏面を第1の支持領域で支持しつつ、水平
姿勢で基板を保持する第1の基板保持手段と、この第1
の基板保持手段に保持される基板の表面に塗布液を供給
する塗布液供給手段とを備え、前記第2の処理部は、前
記第1の支持領域とは異なる第2の支持領域を支持しつ
つ、水平姿勢で基板を保持する第2の基板保持手段と、
この第2の基板保持手段に保持される基板の裏面におい
て、前記第1の支持領域の一部または全部を洗浄するよ
うに洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えることを
特徴とするものである。
【0022】〔作用・効果〕請求項11に記載の発明に
よれば、基板処理装置に連設される外部処理装置と、処
理部・外部処理装置間で基板の受け渡しを中継するイン
ターフェイスとを備えることで、インターフェイスを介
して、塗布処理装置において塗布処理が精度よく行われ
た基板を外部処理装置に搬送することができる。その結
果、基板の塗布処理が精度よく行われていることから、
外部処理装置との間で基板処理を効率よく行うことがで
きる。
【0023】上述した外部処理装置が、塗布処理が行わ
れた基板に対して露光処理を行う露光装置である場合
(請求項12に記載の発明)、下記のような効果を奏す
る。すなわち、基板の裏面に関する塗布液の除去能力の
向上により、塗布処理装置において基板の塗布処理が精
度よく行われていることから、基板の裏面に付着した汚
れによる露光不良を、従来と比較して低減させることが
できる。
【0024】なお、本明細書は、基板の端面に付着した
汚れを効率よく除去するために、上記知見に基づいて創
作された、本発明とは別の塗布処理装置を開示してい
る。
【0025】(1)基板上に塗布液を供給する第3の処
理部と、この第3の処理部で処理された基板に洗浄液を
供給する第2の処理部とを備える塗布処理装置であっ
て、前記第3の処理部は、基板の端面を支持しつつ、水
平姿勢で基板を保持する第3の基板保持手段と、この第
3の基板保持手段に保持される基板の表面に塗布液を供
給する塗布液供給手段とを備え、第2の処理部は、前記
第3の基板保持手段によって支持される基板の端面とは
異なる領域を支持しつつ、水平姿勢で基板を保持する第
2の基板保持手段と、この第2の基板保持手段に保持さ
れる基板において、第3の基板保持手段によって支持さ
れる基板の端面を少なくとも洗浄するように洗浄液を供
給する洗浄液供給手段とを備えることを特徴とする塗布
処理装置。
【0026】〔作用・効果〕本発明(請求項1から請求
項9に記載の発明)の場合には、基板の裏面に付着した
汚れについては、洗浄除去することができるが、洗浄液
が基板の裏面のみで、端面にまで廻りこまない場合が生
じる可能性があって、基板の端面に付着した汚れについ
て、洗浄除去することができない場合が発生する。そこ
で、本発明において基板の裏面を基板の端面に置き換え
れば、つまり、上記の発明のように構成すれば、基板の
端面に付着した汚れについても洗浄除去することができ
る。なお、本明細書中の『基板の端面』とは、水平面で
ある表面および裏面にまたがる垂直面、すなわち基板の
側面を示し、『基板の端縁』とは基板の端面を含む、基
板の表面および裏面の端部を示す。
【0027】
【発明の実施の形態】〔第1実施例〕以下、図面を参照
して本発明の第1実施例を説明する。図1は、第1実施
例に係る塗布処理装置を用いた基板処理装置の要部の平
面ブロック図であり、図2は、塗布処理装置の塗布専用
ユニットの概略側面図であり、図3は、塗布処理装置の
リンス専用ユニットの概略側面図である。また、第1実
施例および後述する第2,第3実施例では、フォトリソ
グラフィ工程において、基板を高速回転させながら塗布
液を基板の中心付近に供給し、基板の遠心力により基板
の中心から全面にわたって塗布液を薄膜形成するスピン
コータを用いた基板処理装置を例に採って説明する。
【0028】第1実施例に係る基板処理装置は、図1に
示すように、カセット載置台1とインデクサ2と処理ブ
ロック3とインターフェイス4とから構成されている。
インターフェイス4は、第1実施例に係る基板処理装置
と別体の装置とを連結するように構成されている。第1
実施例の場合には、インターフェイス4は、塗布処理お
よび現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を
行う露光装置(例えば、ステップ露光を行うステッパな
ど)とを連結するように構成されている。露光装置(図
示省略)は、本発明における外部処理装置に相当する。
【0029】カセット載置台1は、図1に示すように、
未処理の複数枚(例えば25枚)の基板Wを収納したカ
セット(図示省略)を投入する投入部5と、処理済の基
板Wを収納したカセットを払い出す払出部6とを備えて
いる。投入部5には、カセットを載置する投入用の載置
台5a,5bが、払出部6には、カセットを載置する払
出用の載置台6a,6bが、それぞれ配設されている。
【0030】インデクサ2(以下、適宜『ID』と略記
する)には、インデクサ2の長手方向に沿って基板Wを
搬送するID用搬送機構7が配設されている。ID用搬
送機構7は、図1中の矢印RAの方向に回転可能、矢印
RBの方向に移動可能に構成された基台7aと、回転半
径方向である矢印RCの方向に伸縮可能に構成されたア
ーム7bとから構成されている。このアーム7bは、基
板Wの裏面を支持することで基板Wを搬送するように構
成されている。さらに、基台7aは、昇降可能に構成さ
れている。このように構成されたID用搬送機構7は、
カセット載置台1の投入部5および払出部6と、処理ブ
ロック3との間で基板Wを搬送する。
【0031】処理ブロック3は、図1に示すように、処
理用搬送経路8,2つの塗布処理用の熱処理部9,塗布
処理部10,2つの現像処理用の熱処理部11,現像処
理部12,処理用搬送機構13,塗布用搬送経路14,
および塗布用搬送機構15から構成されている。処理用
搬送経路8を挟んで、2つの塗布処理用の熱処理部9,
塗布処理部10が処理用搬送経路8の一方側に配設され
るとともに、2つの現像処理用の熱処理部11,現像処
理部12が処理用搬送経路8の他方側に配設されてい
る。また、2つの塗布処理用の熱処理部9のうち、一方
の熱処理部9はインデクサ2側に配設されるとともに、
他方の熱処理部9はインターフェイス4側に配設され
る。同様に、2つの現像処理用の熱処理部11のうち、
一方の熱処理部11はインデクサ2側に配設されるとと
もに、他方の熱処理部11はインターフェイス4側に配
設される。塗布処理部10は、本発明における塗布処理
装置に相当する。
【0032】処理用搬送機構13は、ID用搬送機構7
と同じく、図1中の矢印RDの方向に回転可能、矢印R
Eの方向に移動可能に構成された基台13aと、回転半
径方向である矢印RFの方向に伸縮可能に構成されたア
ーム13bとから構成されている。このアーム13b
は、基板Wの端縁を支持することで基板Wを搬送するよ
うに構成されている。さらに、基台13aは、昇降可能
に構成されている。このように構成された処理用搬送機
構13は、処理用搬送経路8の長手方向に沿って、2つ
の塗布処理用の熱処理部9,塗布処理部10,2つの現
像処理用の熱処理部11,および現像処理部12の間で
基板Wを搬送する。処理用搬送機構13は、本発明にお
ける第2の搬送手段に相当する。
【0033】塗布用搬送機構15は、塗布用搬送経路1
4の長手方向に沿って、塗布処理部10の塗布専用ユニ
ット16およびリンス専用ユニット17間で基板Wを搬
送する。塗布用搬送機構15は、処理用搬送機構13と
同じ構成をしているので、具体的構成の説明を省略す
る。塗布用搬送機構15は、本発明における第1の搬送
手段に、塗布専用ユニット16は、本発明における第1
の処理部に、リンス専用ユニット17は、本発明におけ
る第2の処理部にそれぞれ相当する。
【0034】インターフェイス4(以下、適宜『IF』
と略記する)には、インターフェイス4の長手方向に沿
って基板Wを搬送するIF用搬送機構18が配設されて
いる。IF用搬送機構18は、処理ブロック3と、露光
装置との間で基板Wを搬送する。IF用搬送機構18
は、ID用搬送機構7と同じ構成をしているので、具体
的構成の説明を省略する。
【0035】塗布処理用の熱処理部9とインデクサ2と
の間で基板Wの受け渡しを行うために載置するPass
を、インデクサ2側に配設されている熱処理部9に、塗
布処理用の熱処理部9とインターフェイス4との間で基
板Wの受け渡しを行うために載置するPassを、イン
ターフェイス4側に配設されている熱処理部9にそれぞ
れ備えるように構成されている。また、基板Wを加熱し
てベーク処理(以下、『HP』と呼ぶ)をそれぞれ行う
ためのHP(図示省略)、および加熱された基板を冷却
して常温に保つ(以下、『CP』と呼ぶ)を行うための
CP(図示省略)が、Pass,HP,CPの順に上か
ら積層配置されている。現像処理用の熱処理部11につ
いても、塗布処理用の熱処理部9と同じく、Pass,
CP,HPの順に上から積層配置されているとともに、
各々のPassをインデクサ2側およびインターフェイ
ス4側の熱処理部11にそれぞれ備えている。なお、上
述のHP,CPの他に、基板Wとフォトレジスト膜との
密着性を向上させるためのアドヒージョン処理(Adhesi
on)(以下、『AHL』と呼ぶ)を行う処理部を備えて
もよい。
【0036】続いて、塗布専用ユニット16の具体的構
成について、図2の側面図を参照して説明する。塗布専
用ユニット16は、図2に示すように、基板Wの中心付
近を吸着支持して基板Wを水平姿勢に保持するスピンチ
ャック19、フォトレジスト液Pを吐出して、水平姿勢
に保持された基板Wの表面にフォトレジスト液Pを供給
する塗布用ノズル20、洗浄液としてリンス液Rを吐出
して、リンス液Rを吐出して、基板Wの端縁にリンス液
Rを供給するエッジリンスノズル21、供給されたこれ
らのフォトレジスト液Pおよびリンス液Rが飛散するの
を防止する飛散防止カップ22、飛散防止カップ22を
洗浄するカップリンスノズル23、および供給されたこ
れらのフォトレジスト液Pおよびリンス液Rを排出させ
る整流板24から構成されている。スピンチャック19
は、本発明における第1の基板保持手段(、さらには、
バキュームチャック)に、塗布用ノズル20は、本発明
における塗布液供給手段に、エッジリンスノズル21
は、本発明における端縁洗浄手段にそれぞれ相当する。
なお、基板Wの端縁を洗浄除去する端縁除去処理につい
ては、基板Wの表面の端縁に付着した汚れを洗浄除去す
る場合と、基板Wの裏面の端縁に付着した汚れを洗浄除
去する場合との2通りがある。
【0037】また、スピンチャック19は、基板Wを吸
着支持することで保持する機能を備えるとともに、基板
Wを水平面内に回転させる機能をも備える。また、塗布
専用ユニット16は、基板Wの表面に対して塗布処理を
行う機能を備える。
【0038】続いて、リンス専用ユニット17の具体的
構成について、図3の側面図を参照して説明する。リン
ス専用ユニット17は、塗布専用ユニット16と同様の
飛散防止カップ22および整流板24から構成されてい
るとともに、スピンチャック25、および水平姿勢に保
持された基板Wの裏面にリンス液Rを供給するバックリ
ンスノズル26から構成されている。スピンチャック2
5は、本発明における第2の基板保持手段(、さらに
は、バキュームチャック)に、バックリンスノズル26
は、本発明における洗浄液供給手段にそれぞれ相当す
る。
【0039】また、リンス専用ユニット17のスピンチ
ャック25は、塗布専用ユニット16のスピンチャック
19による基板Wの回転よりも低速で基板Wを回転させ
る。また、リンス専用ユニット17は、基板Wの裏面に
付着したフォトレジスト液Pや塗布専用ユニット16の
スピンチャック19で基板Wを保持する際の保持の跡、
あるいはパーティクルなどの汚れを洗浄除去する機能を
備える。
【0040】塗布専用ユニット16のスピンチャック1
9の径(直径)を2・r1とし、リンス専用ユニット1
7のスピンチャック25の径(直径)を2・r2とする
と、リンス専用ユニット17のスピンチャック25の径
2・r2は、塗布専用ユニット16のスピンチャック1
9の径2・r1よりも小さく構成されている。また、こ
れによりリンス専用ユニット17のスピンチャック25
に吸着支持される面積S2(=π×r2 2)は、塗布専用
ユニット16のスピンチャック19に吸着支持される面
積S1(=π×r1 2)よりも小さくなる。スピンチャッ
ク19に吸着支持される面積S1は、本発明における第
1の支持領域に、スピンチャック25に吸着支持される
面積S2は、本発明における第2の支持領域にそれぞれ
相当する。
【0041】リンス専用ユニット17のスピンチャック
25に吸着支持される領域(面積S 2の部分)は、塗布
専用ユニット16のスピンチャック19に吸着支持され
る領域(面積S1の部分)よりも小さいので、塗布専用
ユニット16のスピンチャック19に吸着支持される全
領域について、リンス専用ユニット17のバックリンス
ノズル26が、フォトレジスト液Pを除去することはで
きないものの、塗布専用ユニット16のスピンチャック
19に吸着支持される領域のうちの一部である面積(S
1-S2)の部分だけフォトレジスト液Pを除去すること
ができる。
【0042】なお、スピンチャック25の径2・r2
大きさは、特に限定されないが、スピンチャック25に
よる基板の保持能力や、基板の回転能力に支障がない限
り、より広い領域についてフォトレジスト液Pを除去す
ることができるように径2・r2を小さくするのが好ま
しい。第1実施例では、上述したようにスピンチャック
25は、スピンチャック19による基板Wの回転よりも
低速で基板Wを回転させているので、リンス専用ユニッ
ト17の径2・r2を、塗布専用ユニット16の径2・
1よりも小さくしても、支障はない。また、バックリ
ンスの際に基板Wを回転させずに、バックリンスノズル
26を基板Wに対して走査する場合には、径2・r2
より小さくすることができる。
【0043】続いて、一連の基板処理について、図4の
フローチャートを参照して説明する。
【0044】(ステップS1)インデクサでの搬送 未処理の複数枚の基板Wを収納したカセット(図示省
略)を、カセット載置台1の投入部5の載置台5aまた
は5bに載置して投入する。投入されたカセットから1
枚の基板Wを取り出すために、ID用搬送機構7の基台
7aをカセットの位置にまで移動させて、アーム7bを
矢印RCの方向に前進させる。カセット内の1枚の基板
Wの裏面を前進されたアーム7bが支持することで基板
Wを保持する。その後、基板Wを保持した状態でアーム
7bを矢印RCの方向に後退させる。
【0045】(ステップS2)Passでの受け渡し 塗布処理用の熱処理部9に基板Wを渡すために、インデ
クサ2側に配設されている熱処理部9のPassに基板
Wを載置する。具体的に説明すると、インデクサ2の長
手方向に沿って、ID用搬送機構7の基台7aをPas
sの位置にまで移動させる。そして、アーム8eを前進
させて、基板Wを載置する。
【0046】Passに載置された基板Wは、必要に応
じて、ID用搬送機構7または処理用搬送機構13を介
して、Passの下に積層されているHPあるいはCP
の位置にまで下降されて、基板Wを加熱するHP(ベー
ク)処理、あるいは加熱された基板Wを冷却して常温に
保つためにCP処理が行われる。第1実施例では、HP
およびCP処理が行われずに、処理用搬送機構13を介
して、塗布処理部10の塗布専用ユニット16に搬送さ
れる。なお、基板Wとフォトレジスト膜との密着性を向
上させるために、塗布処理前にAHL処理を行ってもよ
い。
【0047】(ステップS3)塗布処理 Passに載置された基板Wを、処理用搬送機構13が
塗布専用ユニット16に搬送するために、処理用搬送機
構13の基台13aをPassの位置にまで移動させ
て、アーム13bを矢印RFの方向に前進させる。載置
された基板Wの端縁を前進されたアーム13bが支持す
ることで基板Wを保持する。その後、基板Wを保持した
状態でアーム13bを矢印RFの方向に後退させる。そ
して、処理用搬送経路8の長手方向に沿って、処理用搬
送機構13の基台13aを塗布専用ユニット16の位置
にまで移動させる。そして、基台13aごとアーム13
bを下降させて、塗布専用ユニット16のスピンチャッ
ク19に基板Wを載置する。
【0048】スピンチャック19は、基板Wの中心付近
を吸着支持して基板Wを水平姿勢に保持し、水平姿勢に
基板Wを保持した状態でアーム13bは基板Wの保持を
解除する。そして、基板Wを水平面内に回転させる。基
板Wが回転した状態で、塗布用ノズル20はフォトレジ
スト液Pを吐出して、基板Wの表面の中心付近にフォト
レジスト液Pを供給する。すると、基板Wの遠心力によ
り基板Wの中心から全面にわたってフォトレジスト液P
が薄膜形成される。また、基板Wの端縁に付着した汚れ
を洗浄除去するために、エッジリンスノズル21はリン
ス液Rを吐出して、基板Wの端縁にリンス液Rを供給す
る。また、飛散防止カップ22を洗浄するために、カッ
プリンスノズル23はリンス液Rを吐出する。
【0049】(ステップS4)塗布用搬送機構の搬送 基板Wの表面にフォトレジスト液Pによるフォトレジス
ト膜が形成され、基板Wの端縁に付着した汚れが洗浄除
去されると、スピンチャック12は基板Wの水平面内の
回転を停止させる。その一方で、塗布用搬送機構15の
基台15aを塗布専用ユニット16の位置にまで移動さ
せて、基台15aごとアーム15bを下降させる。塗布
専用ユニット16のスピンチャック12上で停止した基
板Wの端縁を下降されたアーム15bが支持することで
基板Wを保持する。その後、アーム15bが基板Wを保
持した状態でスピンチャック19は基板Wの吸着支持を
解除する。そして、基台15aごとアーム15bを上昇
させて、塗布用搬送経路14の長手方向に沿って、塗布
用搬送機構15の基台15aをリンス専用ユニット17
の位置にまで移動させる。そして、基台15aごとアー
ム15bを下降させて、リンス専用ユニット17のスピ
ンチャック25に基板Wを載置する。
【0050】(ステップS5)バックリンス処理 スピンチャック25は、基板Wの中心付近を吸着支持し
て基板Wを水平姿勢に保持し、水平姿勢に基板Wを保持
した状態でアーム15bは基板Wの保持を解除する。そ
して、基板Wを水平面内に回転させる。ステップS5で
は、ステップS4での回転よりも低速で回転させる。基
板Wが回転した状態で、バックリンスノズル26はリン
ス液Rを吐出して、基板Wの裏面にリンス液Rを供給す
る。すると、基板Wの裏面に付着した汚れがリンス液R
により洗浄除去される。
【0051】(ステップS6)HP処理 基板Wの裏面に付着した汚れが洗浄除去されると、スピ
ンチャック25は基板Wの水平面内の回転を停止させ
る。その一方で、処理用搬送機構13の基台13aをリ
ンス専用ユニット17の位置にまで移動させて、基台1
3aごとアーム13bを下降させる、リンス専用ユニッ
ト17のスピンチャック25上で停止した基板Wの端縁
を下降されたアーム13bが支持することで基板Wを保
持する。その後、アーム13bが基板Wを保持した状態
でスピンチャック25は基板Wの吸着支持を解除する。
そして、基台13aごとアーム13bを上昇させて、処
理用搬送経路8の長手方向に沿って、処理用搬送機構1
3の基台13aをインターフェイス4側に配設されてい
る塗布処理用の熱処理部9のHPの位置にまで移動させ
る。そして、アーム13bを前進させて、熱処理部9の
HPに基板を載置する。HPに載置された基板Wに対し
て、基板Wを加熱するHP(ベーク)処理が行われる。
【0052】(ステップS7)CP処理 HP処理が終了すると、HPに載置された基板Wは、処
理用搬送機構13を介して、HPの下に積層されている
CPの位置にまで下降されて、HP処理によって加熱さ
れた基板Wを冷却して常温に保つためにCP処理が行わ
れる。
【0053】(ステップS8)Passでの受け渡し CP処理が終了すると、インターフェイス4に基板Wを
渡すために、CPの上に積層されているPassに基板
Wを載置する。具体的に説明すると、処理用搬送機構1
3の基台13aをCPの位置にまで移動させると、アー
ム13bを前進させる。載置された基板Wの端縁を前進
されたアーム13bが支持することで基板Wを保持す
る。その後、基板Wを保持した状態でアーム13bを後
退させる。基台13aごとアーム13bをPassの位
置にまで上昇させて、アーム13bを前進させる。そし
て、Passに基板Wを載置する。
【0054】なお、第1実施例では、CP処理の後、P
assに載置してから、塗布処理用の熱処理部9とイン
ターフェイス4との間での基板Wの受け渡しを行った
が、塗布処理用の熱処理部9のCPを介して、塗布処理
用の熱処理部9とインターフェイス4との間での基板W
の受け渡しを行ってもよい。
【0055】(ステップS9)インターフェイスでの搬
送 Passに載置された基板Wを、IF用搬送機構18
が、インターフェイス4を中継して、外部処理装置であ
る露光装置(図示省略)にまで搬送するために、IF用
搬送機構18の基台18aをPassの位置にまで移動
させて、アーム18bを前進させる。載置された基板W
の裏面を前進されたアーム18bが支持することで、基
板Wを保持する、その後、基板Wを保持した状態でアー
ム18bを後退させる。インターフェイス4の長手方向
に沿って、基台18aを露光装置の搬入口にまで移動さ
せる。
【0056】(ステップS10)露光処理 そして、アーム18bを前進させて、露光装置に基板W
を搬入させる。露光装置に搬入された基板Wに対して、
基板Wの露光処理が行われる。
【0057】(ステップS11)インターフェイスでの
搬送 露光処理が終了すると、露光装置から基板Wを搬出する
ために、IF用搬送機構18の基台18aを露光装置の
搬出口にまで移動させて、アーム18bを前進させる。
搬出口の基板Wの裏面を前進されたアーム18bが支持
することで基板Wを保持する。その後、基板Wを保持し
た状態でアーム18bを後退させる。
【0058】(ステップS12)Passでの受け渡し 現像処理用の熱処理部11に基板Wを渡すために、イン
ターフェイス4側に配設されている熱処理部11のPa
ssに基板Wを載置する。具体的に説明すると、インタ
ーフェイス4の長手方向に沿って、IF用搬送機構18
の基台18aをPassの位置にまで移動させる。そし
て、アーム18eを前進させて、基板Wを載置する。な
お、後述する現像処理の前に、必要に応じて、Pass
に積層されているHPあるいはCPの位置にまで基板W
を搬送して、HPまたはCP処理を行ってもよい。
【0059】(ステップS13)現像処理 Passに載置された基板Wを、処理用搬送機構13が
現像処理部12に搬送するために、処理用搬送機構13
の基台13aをPassの位置にまで移動させて、アー
ム13bを前進させる。載置された基板Wの端縁を前進
されたアーム13bが支持することで基板Wを保持す
る。その後、基板Wを保持した状態でアーム13bを後
退させる。そして、処理用搬送経路8の長手方向に沿っ
て、処理用搬送機構13の基台13aを現像処理部12
の位置にまで移動させる。そして、基台13aごとアー
ム13dを下降させて、現像処理部12のスピンチャッ
ク(図示省略)に基板Wを載置する。
【0060】ステップS3の塗布処理と同じく、スピン
チャックによって基板Wを水平姿勢に吸着支持した状態
で水平面内に回転させながら、現像液を基板Wの表面に
供給して現像処理を行う。
【0061】(ステップS14)Passでの受け渡し 現像処理が終了すると、インデクサ2に基板Wを渡すた
めに、インデクサ2側に配設されている熱処理部11の
Passに基板Wを載置する。具体的に説明すると、処
理用搬送経路8の長手方向に沿って、処理用搬送機構1
3の基台13aをPassの位置にまで移動させる。そ
して、アーム13eを前進させて、基板Wを載置する。
【0062】(ステップS15)インデクサでの搬送 Passに載置された基板Wを、ID用搬送機構7がカ
セット載置台1の払出部6の載置台6aまたは6bに搬
送するために、ID用搬送機構7の基台7aをPass
の位置にまで移動させて、アーム7bを前進させる。載
置された基板Wの裏面を前進されたアーム7bが支持す
ることで、基板Wを保持する、その後、基板Wを保持し
た状態でアーム7bを後退させる。そして、インデクサ
2の長手方向に沿って、ID用搬送機構7の基台7aを
カセットの位置にまで移動させて、アーム7bを前進さ
せる。カセットに処理済の基板Wを収納した後にアーム
7bを後退させる。カセット内に所定枚数だけ処理済の
基板Wが収納されると、カセットは、払出部6から払い
出されて、一連の基板処理が終了する。
【0063】上述の構成を有する第1実施例に係る基板
処理装置は、以下の効果を奏する。すなわち、ステップ
S3において塗布用ノズル20から基板Wの表面に塗布
液であるフォトレジスト液Pを供給して、基板Wの表面
に対して塗布処理を行う塗布処理と、基板Wの裏面に付
着した汚れを洗浄除去するために、ステップS5におい
てバックリンスノズル26から基板Wの裏面に洗浄液で
あるリンス液Rを供給するバックリンス処理とを、塗布
専用ユニット16およびリンス専用ユニット17に分け
て、塗布専用ユニット16に塗布処理、リンス専用ユニ
ット17にバックリンス処理をそれぞれ行わせるように
している。さらに、基板Wの裏面の中心付近を吸着支持
することで基板Wを水平姿勢に保持するスピンチャック
19を、塗布専用ユニット16側に、スピンチャック1
6と同じく、基板Wの裏面の中心付近を吸着支持するこ
とで基板Wを水平姿勢に保持するスピンチャック25
を、リンス専用ユニット17側にそれぞれ備えている。
また、スピンチャック25は、スピンチャック16によ
って支持される面積S1とは異なる面積S2を支持してい
る。そして、スピンチャック25に保持される基板Wの
裏面において、スピンチャック19が基板Wを支持する
面積S1の一部である面積(S1-S2)を洗浄するように
リンス液Rを供給しているので、基板Wの裏面に付着す
る汚れの除去能力を向上させることができる。その結
果、基板Wの塗布処理を精度よく行うことができる。
【0064】また、スピンチャック25が、スピンチャ
ック16によって支持される面積S 1とは異なる面積S2
を支持するのに、第1実施例では、リンス専用ユニット
17のスピンチャック25の径2・r2を、塗布専用ユ
ニット16のスピンチャック19の径2・r1よりも小
さく構成する。
【0065】これによって、スピンチャック25に吸着
支持される面積S2(=π×r2 2)が、塗布専用ユニッ
ト16のスピンチャック19に吸着支持される面積S1
(=π×r1 2)よりも小さくなる。従って、リンス専用
ユニット17のスピンチャック25に吸着支持される領
域(面積S2の部分)は、塗布専用ユニット16のスピ
ンチャック19に吸着支持される領域(面積S1の部
分)よりも小さいので、塗布専用ユニット16のスピン
チャック19に吸着支持される全領域について、リンス
専用ユニット17のバックリンスノズル26によって、
汚れを除去することはできないものの、塗布専用ユニッ
ト16のスピンチャック19に吸着支持される領域のう
ちの一部である面積(S1-S2)の部分だけ汚れを除去
することができる。
【0066】また、第1実施例では、基板Wの端縁にリ
ンス液Rを供給して、基板の端縁に付着した汚れを除去
するエッジリンスノズル21を、塗布専用ユニット16
に備えるとともに、基板Wの端縁を支持して、塗布専用
ユニット16とリンス専用ユニット17との間で基板W
を搬送する塗布用搬送機構15を備え、ステップS3に
おいて塗布専用ユニット16で基板Wの表面に対して塗
布処理を行うとともに、基板Wの端縁に付着した汚れを
洗浄除去するエッジリンス処理を行い、塗布処理および
バックリンス処理が行われたその基板Wを、ステップS
4において塗布用搬送機構15によって塗布専用ユニッ
ト16からリンス専用ユニット17へ搬送し、塗布用搬
送機構15によって搬送された基板Wについて、ステッ
プS5においてリンス専用ユニット17で基板Wの裏面
に付着した汚れを洗浄除去するバックリンス処理を行
う。
【0067】これによって、ステップS3において塗布
専用ユニット16で基板Wの表面に対して塗布処理を行
うとともに、基板Wの端縁に付着した汚れを洗浄除去す
るエッジリンス処理を先に行っているので、塗布用搬送
機構15が基板Wの端縁を支持してリンス専用ユニット
17へ搬送するステップS4の段階においては、基板W
の端縁には汚れが付着していない。従って、基板Wの端
縁に付着した汚れを洗浄除去するエッジリンス処理を塗
布専用ユニット16で行わずにリンス専用ユニット17
に搬送する場合には、基板Wの端縁に付着した汚れが塗
布用搬送機構15にまで付着するのみならず、塗布用搬
送機構15を介してリンス専用ユニット17にまで汚れ
による悪影響を与えるが、第1実施例の場合には、塗布
用搬送機構15への汚染およびリンス専用ユニット17
への悪影響を低減させることができる。
【0068】このような塗布専用ユニット16およびリ
ンス専用ユニット17を有する塗布処理部10を用いた
基板処理装置によれば、塗布専用ユニット16およびリ
ンス専用ユニット17を含む、基板処理をそれぞれ行う
複数の処理部(熱処理部9,11、塗布処理部10、現
像処理部12)間で、基板Wを搬送する処理用搬送機構
13を備えているので、塗布処理や基板Wの裏面に付着
した汚れの洗浄除去を行う洗浄処理を含む一連の基板処
理を効率よく行うことができる。
【0069】また、第1実施例では、上述した処理部
と、基板処理装置に連設される、本発明の外部処理装置
に相当する露光装置との間で基板Wの受け渡しを中継す
るインターフェイス4を備えることで、インターフェイ
ス4を介して、塗布処理部10において塗布処理が精度
よく行われた基板WをステップS9において露光装置に
搬送することができる。その結果、基板Wの塗布処理が
精度よく行われていることから、露光装置との間で基板
処理を効率よく行うことができる。また、基板Wの裏面
に付着したフォトレジスト液Pによる露光不良を、従来
と比較して低減させることができる。
【0070】〔第2実施例〕次に、本発明の第2実施例
を説明する。なお、第1実施例装置と共通する箇所につ
いては同符号を付して、その説明を省略する。第2実施
例に係る基板処理装置は、図1の平面ブロック図に示す
第1実施例装置と同じであり、第2実施例に係る塗布専
用ユニット16は、図2の具体的構成を示す側面図に示
す第1実施例に係る塗布専用ユニット16と同じであ
る。また、第2実施例に係る塗布専用ユニット16のス
ピンチャック19は、本発明における第1の基板保持手
段に相当する。
【0071】続いて、リンス専用ユニット17の具体的
構成について、図5の側面図を参照して説明する。リン
ス専用ユニット17は、第1実施例と同様の飛散防止カ
ップ22およびバックリンスノズル26から構成されて
いるとともに、基板Wの端縁を支持して基板Wを水平姿
勢にそれぞれ保持する複数個のメカチャック27、メカ
チャック27を立設してメカチャック27に支持された
基板Wを水平面内に回転させる回転台28、および基板
Wの裏面に直接的に接触しながらスクラブ洗浄すること
で裏面に付着したフォトレジスト液Pを除去するブラシ
29から構成されている。また、2本のバックリンスノ
ズル26が、ブラシ29の周りにそれぞれ配設されてい
る。メカチャック27は、本発明における第2の基板保
持手段に相当する。
【0072】第2実施例の場合には、第1実施例と相違
して、塗布専用ユニット16のスピンチャック19は基
板Wの裏面の中心付近を吸着支持し、リンス専用ユニッ
ト17のメカチャック27は基板Wの端縁を支持してい
る。従って、塗布専用ユニット16のスピンチャック1
9に吸着支持される領域(面積S1の部分)と、リンス
専用ユニット17のメカチャック27に支持される領域
(端縁部分)とは異なるので、スピンチャック19に吸
着支持される全領域(面積S1の部分)について、リン
ス専用ユニット17のバックリンスノズル26およびブ
ラシ29によって、基板Wの裏面に付着した汚れを除去
することができる。
【0073】なお、一連の基板処理については第1実施
例と同じなので、その説明を省略する。
【0074】〔第3実施例〕次に、本発明の第3実施例
を説明する。なお、第1,第2実施例装置と共通する箇
所については同符号を付して、その説明を省略する。塗
布専用ユニット16を第2実施例に係るリンス専用ユニ
ット17に兼用させ、塗布用搬送機構15の替わりに基
板Wを表裏反転させて基板Wを載せかえる移載機構30
を備えることを除き、第3実施例に係る基板処理装置
は、図1の平面ブロック図に示す第1,第2実施例装置
と同じである。移載機構30は、本発明における移載手
段に相当する。
【0075】続いて、リンス専用ユニット17および移
載機構30の具体的構成について、図6の側面図を参照
して説明する。リンス専用ユニット17は、第2実施例
と同様の飛散防止カップ22、バックリンスノズル2
6、複数個のメカチャック27、回転台28、およびブ
ラシ29から構成されている。リンス専用ユニット17
の上方には移載機構30が配設されている。その他に
も、第3実施例では図示を省略する塗布用ノズル20が
配設されており、この塗布用ノズル20によって塗布処
理を行う。
【0076】この移載機構30は、アーム30a、基板
Wの端縁を把持することで基板Wをそれぞれ保持し、軸
心周りの矢印RGの方向にそれぞれ回転させる2つの保
持軸30b、アーム30aを軸心周りの矢印RHの方向
に回転させ、矢印RIの方向に昇降させるアーム支持軸
30cから構成されている。2つの保持軸30bのう
ち、一方の保持軸30bは、アーム30aの両腕の一方
に配設されており、他方の保持軸30bは、アーム30
aの両腕の他方に配設されている。また、各々の保持軸
30bの軸心周りの回転が同方向に、かつ同時に行われ
るように保持軸30bは構成されている。
【0077】塗布処理直後からバックリンス処理を行う
際に基板Wを表裏反転させて基板Wを載せかえる様子
を、図7〜図10を参照して説明する。第1実施例でも
述べたようにステップS3で塗布処理が終了すると、図
7に示すように、移載機構30のアーム支持軸30cを
矢印RIの方向に下降させ、アーム30aおよび保持軸
30bを下降させる。このとき、メカチャック27と各
々の保持軸30bとが衝突しないようにする。各々の保
持軸30bが基板Wの端縁を把持するようにそれぞれを
左右に動かした後に、メカチャック27の基板Wの保持
を解除する。
【0078】解除後、図8に示すように、移載機構30
のアーム支持軸30cを矢印RIの方向に上昇させ、ア
ーム30a、保持軸30b、および保持軸30bによっ
て基板Wの端縁を把持されて保持された基板Wを上昇さ
せる。
【0079】所定の高さまで基板Wを上昇させた後、図
9に示すように、2つの保持軸30bを矢印RGの方向
に同時に180°回転させるとともに、アーム支持軸3
0cを矢印RHの方向に所定角度だけ回転させる。保持
軸30bの180°回転により基板Wの表裏が反転す
る。
【0080】表裏反転後、図10に示すように、移載機
構30のアーム支持軸30cを矢印RIの方向に下降さ
せ、アーム30a、保持軸30b、および基板Wを下降
させる。下降した基板Wの端縁をメカチャック27が再
度支持して、基板Wを保持する。メカチャック27によ
る基板Wの保持後、各々の保持軸30bを左右にそれぞ
れ動かして基板Wの保持を解除する。解除後、バックリ
ンス処理を開始する。
【0081】アーム支持軸30cの回転、および保持軸
30bによる基板Wの表裏回転によって、塗布処理時の
メカチャック27は、バックリンス処理時のメカチャッ
ク27によって支持される領域とは異なる領域を支持す
ることになる。これによって、塗布処理時のメカチャッ
ク27が支持する領域と、バックリンス処理時のメカチ
ャック27が支持する領域とは異なるので、第2実施例
と同じく、塗布処理時のメカチャック27に吸着支持さ
れる全領域について、リンス専用ユニット17のバック
リンスノズル26およびブラシ29によって、汚れを除
去することができる。
【0082】なお、塗布用搬送機構15への汚染および
リンス専用ユニット17への悪影響を低減させるため
に、リンス専用ユニット17に基板の端縁に付着した汚
れを除去するエッジリンスノズル21を備えてもよい。
また、リンス専用ユニット17に、飛散防止カップ22
を洗浄するカップリンスノズル23を備えてもよい。
【0083】また、第3実施例では、塗布専用ユニット
16を第2実施例に係るリンス専用ユニット17に兼用
させたが、第1実施例のように塗布専用ユニット16と
リンス専用ユニット17とを個別に分け、第1実施例に
係る塗布用搬送機構15に基板Wの表裏反転の機能をも
備えて構成してもよいし、リンス専用ユニット17を第
1実施例に係る塗布専用ユニット16に兼用させ、塗布
専用ユニット16の上方に移載機構30を配設して、塗
布処理直後からバックリンス処理を行う際に移載機構3
0で基板Wの表裏を反転させてもよい。つまり、本発明
における第1および第2の処理部による処理を、同一の
ユニット(チャンバ)で行ってもよいし、個別のユニッ
トにそれぞれ分け、各々のユニットで第1および第2の
処理部による処理を行ってもよい。
【0084】本発明は、上記実施形態に限られることは
なく、下記のように変形実施することができる。
【0085】(1)上述した第1〜第3実施例では、塗
布液としてフォトレジスト液を例に採ったが、本発明は
ポリイミド樹脂やSOG(spin on glass)などの塗布
にも適用することができる。また、現像などの塗布にも
適用することができ、第1実施例に係る現像処理部12
を現像塗布専用とリンス専用とに分け、現像塗布専用を
第1実施例に係る塗布専用ユニット16に、リンス専用
を第1実施例に係るリンス専用ユニット17にそれぞれ
適用させてもよい。
【0086】(2)上述した第1〜第3実施例では、基
板処理装置は、インターフェイス4を介して、本発明に
おける外部処理装置に相当する露光装置(図示省略)に
連結されていたが、基板処理装置に連設される外部処理
装置であれば、露光装置に限定されない。また、外部処
理装置を連設せずに、塗布処理装置を用いた基板処理装
置のみについても本発明を適用することができる。
【0087】(3)上述した第1〜第3実施例では、基
板を回転させることで基板に薄膜形成して基板に対して
塗布処理を行ったが、例えば、静止させた基板上にスリ
ットノズルなどを走査させることにより、塗布処理を行
ってもよいし、塗布液を塗布用のシートに一旦塗布形成
した後に、そのシートを基板に貼り合わせることで塗布
液を基板上に供給し、貼り合わされたシートと基板とを
熱処理した後にシートを基板から剥離することでシート
に塗布形成された塗布膜を基板に転写して塗布処理を行
ってもよい。
【0088】(4)上述した第1〜第3実施例では、基
板Wの端縁に付着したフォトレジスト液Pや、基板Wを
保持する際の保持の跡、あるいはパーティクルなどの塗
布液を除去するエッジリンスノズル21を、塗布専用ユ
ニット16に備えたが、エッジリンスノズル21をリン
ス専用ユニット17にも備えてもよいし、エッジリンス
ノズル21を塗布専用ユニット16またはリンス専用ユ
ニット17のいずれかに備えてもよい。ただ、塗布専用
ユニット16・リンス専用ユニット17間を搬送する塗
布用搬送機構15への悪影響を鑑みれば、先に処理する
塗布専用ユニット16にエッジリンスノズル21を少な
くとも備える方が好ましい。また、エッジリンスノズル
21を必ずしも備える必要はないが、汚れによる塗布用
搬送機構15、およびリンス専用ユニット17への悪影
響を鑑みれば、エッジリンスノズル21を備えるのが好
ましい。
【0089】(5)上述した第1〜第3実施例では、基
板を水平姿勢に保持する、本発明における第1および第
2の基板保持手段は、基板Wの裏面の中心付近を支持す
るスピンチャックや、基板Wの端縁を支持するメカチャ
ックであったが、スピンチャックやメカチャックに限定
されない。例えば、中心付近,端縁以外の複数箇所(例
えば3箇所)を支持するように第1および第2の基板保
持手段を構成してもよい。また、第1および第2の基板
保持手段のいずれか一方の手段を、中心付近,端縁以外
の複数箇所を支持するように構成し、他方の手段を上述
したスピンチャックやメカチャックなどで構成してもよ
い。ただ、基板を回転させることで塗布液を基板に薄膜
形成する場合には、基板を高速回転させることが通常の
手法であることから、基板の高速回転に耐え得る第1の
基板保持手段(例えば第1実施例の場合にはスピンチャ
ック19)で構成するのが好ましい。
【0090】(6)上述した第1〜第2実施例では、基
板Wの中心付近を吸着支持しつつ、基板Wを水平面内に
回転させるスピンチャック19で、本発明におけるバキ
ュームチャックを構成したが、基板Wの中心付近を吸着
支持する手段は、スピンチャックに限定されず、基板W
を水平面内に回転させずに静止させたまま、基板Wの中
心付近を吸着支持させるバキュームチャックも含まれ
る。変形例(2)でも述べたような、静止させた基板W
上にスリットノズルなどを走査させるスキャン式の塗布
処理装置の場合において、基板Wを水平面内に回転させ
ないバキュームチャックは、特に有用である。
【0091】(7)上述した第1実施例では、リンス専
用ユニット17のスピンチャック25の径を、塗布専用
ユニット16のスピンチャック19の径よりも小さく構
成することで、バックリンス処理時において基板が支持
される面積が、塗布処理時において基板が支持される面
積よりも小さくなるようにしたが、例えば塗布専用ユニ
ット16およびリンス専用ユニット17にメカチャック
をそれぞれ備え、リンス専用ユニット17のメカチャッ
クが支持する基板の面積を、塗布専用ユニット16のメ
カチャックが支持する基板の面積よりも小さく構成する
ことで、バックリンス処理時において基板が支持される
面積が、塗布処理時において基板が支持される面積より
も小さくなるようにしてもよい。
【0092】(8)上述した第1実施例では、スピンチ
ャック25に吸着支持される面積S 2(=π×r2 2
(本発明における第2の支持領域)を、塗布専用ユニッ
ト16のスピンチャック19に吸着支持される面積S1
(=π×r1 2)(本発明における第1の支持領域)より
も小さくすることで、本発明における第2の基板保持手
段であるスピンチャック25が、本発明における第1の
基板保持手段であるスピンチャック19によって支持さ
れる第1の支持領域S1とは異なる第2の支持領域S2
支持するように第1および第2の基板保持手段をそれぞ
れ構成したが、第1および第2の支持領域が基板Wの裏
面の中心付近を含む場合において、基板Wの裏面の中心
付近を含みつつ、第1および第2の支持領域を互いにず
らすことで、第1の基板保持手段によって支持される第
1の支持領域とは異なる第2の支持領域を第2の基板保
持手段が支持するように第1および第2の基板保持手段
をそれぞれ構成してもよい。
【0093】(9)上述した第1〜第3実施例では、本
発明における第1の基板保持手段は基板の裏面を支持し
て、基板の裏面の付着した汚れを効率よく行うものであ
ったが、基板の端面を支持して、基板の端面に付着した
汚れを効率よく行うために、下記のように構成してもよ
い。すなわち、基板の端面を把持するメカチャック(図
示省略)を、例えば第1実施例の塗布専用ユニット16
のスピンチャック19の替わりに塗布専用ユニット16
に備え、リンス専用ユニット17のバックリンスノズル
26が基板Wの裏面および端面にリンス液Rを供給する
ようにバックリンスノズル26を構成してもよい。この
場合、基板の端面に付着した汚れを効率よく行うことが
できる。なお、塗布専用ユニット16は、本発明におけ
る第3の処理部に、基板の端面を把持するメカチャック
は、本発明における第3の基板保持手段に相当する。
【0094】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板の表面に対して塗布処理を行う塗布処理
を第1の処理部で、基板の裏面に付着した汚れを洗浄除
去する洗浄処理を第2の処理部でそれぞれ行わせ、水平
姿勢で基板を保持する第1および第2の基板保持手段を
第1および第2の処理部に備え、第1の基板保持手段に
よって支持される第1の支持領域とは異なる第2の支持
領域を、第2の基板保持手段が支持するように構成した
ので、塗布液の除去能力を向上させることができる。そ
の結果、基板の塗布処理を精度よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1,第2実施例に係る塗布処理装置を用いた
基板処理装置の要部の平面ブロック図である。
【図2】第1,第2実施例に係る塗布専用ユニットの具
体的構成を示す側面図である。
【図3】第1実施例に係るリンス専用ユニットの具体的
構成を示す側面図である。
【図4】一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図5】第2実施例に係るリンス専用ユニットの具体的
構成を示す側面図である。
【図6】第3実施例に係るリンス専用ユニットおよび移
載機構の具体的構成を示す側面図である。
【図7】塗布処理直後からバックリンス処理を行う際に
基板を表裏反転させて基板を載せかえる様子を示した側
面図である。
【図8】塗布処理直後からバックリンス処理を行う際に
基板を表裏反転させて基板を載せかえる様子を示した側
面図である。
【図9】塗布処理直後からバックリンス処理を行う際に
基板を表裏反転させて基板を載せかえる様子を示した側
面図である。
【図10】塗布処理直後からバックリンス処理を行う際
に基板を表裏反転させて基板を載せかえる様子を示した
側面図である。
【符号の説明】
2 … インデクサ 4 … インターフェイス 10 … 塗布処理部 13 … 処理用搬送機構 15 … 塗布用搬送機構 16 … 塗布専用ユニット 17 … リンス専用ユニット 19,25 … スピンチャック 20 … 塗布用ノズル 21 … エッジリンスノズル 26 … バックリンスノズル P … フォトレジスト液 R … リンス液 W … 基板 S1,S2 … 面積
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真田 雅和 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 山田 芳久 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2H025 AB14 AB16 EA05 4F042 AA02 AA06 BA08 CC04 CC09 DF09 DF25 DF32 EB01 EB09 5F046 JA15 LA02 LA05

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に塗布液を供給する第1の処理部
    と、この第1の処理部で処理された基板に洗浄液を供給
    する第2の処理部とを備える塗布処理装置であって、 前記第1の処理部は、 基板の裏面を第1の支持領域で支持しつつ、水平姿勢で
    基板を保持する第1の基板保持手段と、 この第1の基板保持手段に保持される基板の表面に塗布
    液を供給する塗布液供給手段とを備え、 前記第2の処理部は、 前記第1の支持領域とは異なる第2の支持領域を支持し
    つつ、水平姿勢で基板を保持する第2の基板保持手段
    と、 この第2の基板保持手段に保持される基板の裏面におい
    て、前記第1の支持領域の一部または全部を洗浄するよ
    うに洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えることを
    特徴とする塗布処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記第1の基板保持手段を、基板の裏面の中心付近を支
    持することで基板を水平姿勢に保持するように構成する
    とともに、 前記第2の基板保持手段を、基板の端縁を支持すること
    で基板を水平姿勢に保持するように構成することを特徴
    とする塗布処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記第1の基板保持手段を、基板の裏面の中心付近を含
    む第1の支持領域で支持することで基板を保持するよう
    に構成するとともに、 前記第2の基板保持手段を、基板の裏面の中心付近を含
    む第2の支持領域で支持することで基板を保持するよう
    に構成することを特徴とする塗布処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
    の塗布処理装置において、 前記第1の基板保持手段を、基板の裏面の中心付近を吸
    着支持することで基板を水平姿勢に保持するバキューム
    チャックで構成することを特徴とする塗布処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項3に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記第2の支持領域の面積が、前記第1の支持領域の面
    積よりも小さくなるように、第1および第2の基板保持
    手段をそれぞれ構成することを特徴とする塗布処理装
    置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記第1および第2の基板保持手段を、基板の裏面の中
    心付近を吸着支持することで基板を水平姿勢に保持する
    バキュームチャックでそれぞれ構成し、 第2の基板保持手段を構成するバキュームチャックの径
    が、第1の基板保持手段を構成するバキュームチャック
    の径よりも小さく構成されていることを特徴とする塗布
    処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
    の塗布処理装置において、 前記第1および第2の処理部間で基板を表裏反転させて
    基板を載せかえる移載手段を備え、 前記移載手段によって基板の表裏反転を行うことで、前
    記第2の基板保持手段は、前記第1の支持領域とは異な
    る第2の支持領域を支持しつつ、水平姿勢で基板を保持
    することを特徴とする塗布処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項1から請求項7のいずれかに記載
    の塗布処理装置において、 基板の端縁を洗浄する端縁洗浄手段を、前記第1の処理
    部または第2の処理部のいずれかに少なくとも備えるこ
    とを特徴とする塗布処理装置。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載の塗布処理装置におい
    て、 前記端縁洗浄手段を前記第1の処理部に備えるととも
    に、 基板の端縁を支持して、前記第1の処理部と第2の処理
    部との間で基板を搬送する第1の搬送手段を備え、 第1の処理部で基板の表面に対して塗布処理を行うとと
    もに、基板の端縁を洗浄する端縁洗浄処理を行い、 前記塗布処理および端縁洗浄処理が行われたその基板
    を、前記第1の搬送手段によって第1の処理部から第2
    の処理部へ搬送し、 前記第1の搬送手段によって搬送されたその基板につい
    て、前記第2の処理部で基板の裏面における第1の支持
    領域の一部または全部を洗浄する洗浄処理を行うことを
    特徴とする塗布処理装置。
  10. 【請求項10】 請求項1から請求項9のいずれかに記
    載の塗布処理装置を用いた基板処理装置であって、 基板上に塗布液を供給する第1の処理部と、この第1の
    処理部で処理された基板に洗浄液を供給する第2の処理
    部と、前記第1および第2の処理部を含む、基板処理を
    それぞれ行う複数の処理部間で、基板を搬送する第2の
    搬送手段とを備えるとともに、 前記第1の処理部は、 基板の裏面を第1の支持領域で支持しつつ、水平姿勢で
    基板を保持する第1の基板保持手段と、 この第1の基板保持手段に保持される基板の表面に塗布
    液を供給する塗布液供給手段とを備え、 前記第2の処理部は、 前記第1の支持領域とは異なる第2の支持領域を支持し
    つつ、水平姿勢で基板を保持する第2の基板保持手段
    と、 この第2の基板保持手段に保持される基板の裏面におい
    て、前記第1の支持領域の一部または全部を洗浄するよ
    うに洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えることを
    特徴とする基板処理装置。
  11. 【請求項11】 請求項1から請求項9のいずれかに記
    載の塗布処理装置を用いた基板処理装置であって、 基板上に塗布液を供給する第1の処理部と、この第1の
    処理部で処理された基板に洗浄液を供給する第2の処理
    部と、前記第1および第2の処理部を含む、基板処理を
    それぞれ行う複数の処理部間で、基板を搬送する第2の
    搬送手段と、前記基板処理装置に連設される外部処理装
    置と、前記処理部・外部処理装置間で基板の受け渡しを
    中継するインターフェイスとを備えるとともに、 前記第1の処理部は、 基板の裏面を第1の支持領域で支持しつつ、水平姿勢で
    基板を保持する第1の基板保持手段と、 この第1の基板保持手段に保持される基板の表面に塗布
    液を供給する塗布液供給手段とを備え、 前記第2の処理部は、 前記第1の支持領域とは異なる第2の支持領域を支持し
    つつ、水平姿勢で基板を保持する第2の基板保持手段
    と、 この第2の基板保持手段に保持される基板の裏面におい
    て、前記第1の支持領域の一部または全部を洗浄するよ
    うに洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えることを
    特徴とする基板処理装置。
  12. 【請求項12】 請求項11に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記外部処理装置は、塗布処理が行われた基板に対して
    露光処理を行う露光装置であることを特徴とする基板処
    理装置。
JP2002046587A 2001-04-19 2002-02-22 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置 Expired - Fee Related JP4311520B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002046587A JP4311520B2 (ja) 2002-02-22 2002-02-22 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
US10/125,229 US6558053B2 (en) 2001-04-19 2002-04-18 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002046587A JP4311520B2 (ja) 2002-02-22 2002-02-22 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003249429A true JP2003249429A (ja) 2003-09-05
JP4311520B2 JP4311520B2 (ja) 2009-08-12

Family

ID=28659936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002046587A Expired - Fee Related JP4311520B2 (ja) 2001-04-19 2002-02-22 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4311520B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005659A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007214365A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2008198882A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US9050635B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN114558754A (zh) * 2020-11-27 2022-05-31 中国科学院微电子研究所 涂胶模块、半导体制造设备以及晶圆清洗方法
CN114899132A (zh) * 2022-07-12 2022-08-12 太原市立科致业科技有限公司 一种智能电子检测仪加工用半导体晶圆清理设备

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005659A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4522329B2 (ja) * 2005-06-24 2010-08-11 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP2007214365A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2008198882A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US9050635B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US9050634B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN114558754A (zh) * 2020-11-27 2022-05-31 中国科学院微电子研究所 涂胶模块、半导体制造设备以及晶圆清洗方法
CN114899132A (zh) * 2022-07-12 2022-08-12 太原市立科致业科技有限公司 一种智能电子检测仪加工用半导体晶圆清理设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP4311520B2 (ja) 2009-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8286293B2 (en) Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
TWI421974B (zh) 基板保持旋轉裝置,具備該裝置之基板洗淨裝置及基板處理裝置
TWI267129B (en) Coating and developing apparatus, exposure apparatus and resist pattern forming method
JP3694641B2 (ja) 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法
JP2009071235A (ja) 基板処理装置
JP6992131B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
US6881264B2 (en) Configuration and a method for reducing contamination with particles on a substrate in a process tool
KR19980018527A (ko) 처리장치
JP2006049757A (ja) 基板処理方法
JP3649048B2 (ja) レジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置
JP2003045788A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP4311520B2 (ja) 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP3958572B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20080196658A1 (en) Substrate processing apparatus including a substrate reversing region
JPH10275766A (ja) 基板処理装置
JP3963732B2 (ja) 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP3766177B2 (ja) 基板処理装置および基板洗浄装置
JP5183994B2 (ja) 基板処理装置
JP3686241B2 (ja) 処理方法及び処理装置
JP2003303762A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016043297A (ja) 塗布装置、接合システム、塗布方法、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体
TW200409182A (en) Solution treatment unit
JP3007009B2 (ja) 回転式基板処理装置
JP3164739B2 (ja) 塗布膜形成方法及びその装置
JPH1147675A (ja) 塗布装置及びその方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050830

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070605

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080819

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090507

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090507

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130522

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130522

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140522

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees