JP4699227B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2〜図8には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について図1〜図4を参照しながら説明する。
まず、インデクサブロック9〜レジストカバー膜除去ブロック14の動作について簡単に説明する。
次に、インターフェースブロック15の動作について詳細に説明する。
次に、塗布ユニットCOVについて図面を用いて説明する。なお、後述するように、塗布ユニットCOVにおいては、レジスト膜とレジストカバー膜の処理液との濡れ性を向上させるために、レジストカバー膜の処理液を供給する前に、レジスト膜上に所定の有機溶媒を供給している。
図5は、塗布ユニットCOVの一例を示す平面図である。図5において、塗布ユニットCOVは、基板Wに有機溶媒または処理液を供給して回転塗布する回転処理部801、各々異なる有機溶媒または処理液を吐出する複数の供給ノズル810、供給ノズル810を把持するノズル把持部820、ノズル把持部820を鉛直方向(Z軸方向)に移動させる垂直移動部831、ノズル把持部820をX軸方向に移動させるX軸水平移動部834、ノズル把持部820をY軸方向に移動させるY軸水平移動部837および複数の供給ノズル810を収納する待機部850を備えている。
次に、上記構造を有する塗布ユニットCOVの動作について図を用いて説明する。塗布ユニットCOVの動作は、図1のメインコントローラ30により制御される。図9は、メインコントローラ30の制御動作を示す概略フローチャートである。
次に、第1および第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2について図面を用いて詳細に説明する。なお、第1および第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2は同様の構成のものを用いることができる。
図10は、第1および第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の構成を説明するための図である。図10に示すように、第1および第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2は、基板Wを水平に保持するとともに、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック621を備える。
次に、上記構成を有する第1および第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第1および第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2の各構成要素の動作は、図1のメインコントロ−ラ(制御部)30により制御される。
(5−1)
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置500においては、塗布ユニットCOVにおいて、レジストカバー膜の処理液を基板Wに塗布する前に、有機溶媒を基板Wに塗布している。この場合、基板W上に有機溶媒を予め塗布することにより、レジスト膜とレジストカバー膜との濡れ性が向上する。それにより、レジストカバー膜の成膜時に、基板W上から飛散するレジストカバー膜の処理液の量を低減することができる。その結果、基板Wに塗布するレジストカバー膜の処理液の量を低減することができ、コストを低減することができる。
インターフェースブロック15の第1の洗浄/乾燥処理ユニットSD1において、露光装置16において基板Wの露光処理が行われる前に、基板Wの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理前の処理工程において雰囲気中の塵埃等が基板Wに付着しても、第1の洗浄/乾燥処理ユニットSD1において取り除くことができる。それにより、基板Wの汚染が防止され、露光装置16内の汚染を防止することができる。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
現像処理ブロック12において基板Wに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック14において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
インターフェースブロック15においては、第6のセンターロボットCR6がエッジ露光部EEWへの基板Wの搬入出、第1の洗浄/乾燥処理ユニットSD1への基板Wの搬入出、送りバッファ部SBFへの基板Wの搬入出、載置兼冷却ユニットP−CPへの基板Wの搬入、および基板載置部PASS13からの基板Wの搬出を行い、インターフェース用搬送機構IFRが載置兼冷却ユニットP−CPからの基板Wの搬出、露光装置16への基板Wの搬入出、第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD2への基板Wの搬入出、および基板載置部PASS13への基板Wの搬入を行っている。このように、第6のセンターロボットCR6およびインターフェース用搬送機構IFRによって効率よく基板Wの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。
インターフェースブロック15においては、載置兼冷却ユニットP−CPから露光装置16に基板Wを搬送する際、第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD2から基板載置部PASS13へ基板Wを搬送する際には、インターフェース用搬送機構IFRのハンドH1が用いられ、露光装置16から第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD2へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構IFRのハンドH2が用いられる。
インターフェースブロック15において、露光装置16による露光処理前の基板Wを載置する機能と、基板Wの温度を露光装置16内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットP−CPを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。
図10に示した洗浄/乾燥処理ユニットにおいては、洗浄処理用ノズル650と乾燥処理用ノズル670とが別個に設けられているが、図12に示すように、洗浄処理用ノズル650と乾燥処理用ノズル670とを一体に設けてもよい。この場合、基板Wの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
(7−1)2流体ノズルを用いた場合の構成および動作
上記実施の形態においては、第1および第2の洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2おいて、図10に示すような洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670を用いた場合について説明したが、洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670の一方または両方の代わりに図18に示すような2流体ノズルを用いてもよい。
図18の2流体ノズルにおいては、2流体ノズル950から吐出される混合流体は洗浄液の微細な液滴を含むので、基板W表面に凹凸がある場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Wに付着した汚れが剥ぎ取られる。それにより、基板W表面の汚れを確実に取り除くことができる。また、基板W上の膜の濡れ性が低い場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板W表面の汚れが剥ぎ取られるので、基板W表面の汚れを確実に取り除くことができる。
上記実施の形態においては、塗布ユニットCOVにおいて、処理液を吐出する供給ノズル810とその処理液の主溶媒を吐出する供給ノズル810とが別個に設けてられているが、図12に示した洗浄処理用ノズル650および乾燥処理用ノズル670と同様に、処理液を吐出する供給ノズル810と主溶媒を吐出する供給ノズル810とを一体的に設けてもよい。この場合、処理液を吐出する供給ノズル810と主溶媒を吐出する供給ノズル810とを別々に搬送する必要がないので、塗布ユニットCOVにおける処理時間を短縮することができる。それにより、基板処理装置500のスループットを向上させることができる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
10 反射防止膜用処理ブロック
11 レジスト膜用処理ブロック
12 現像処理ブロック
13 レジストカバー膜用処理ブロック
14 レジストカバー膜除去ブロック
15 インターフェースブロック
16 露光装置
50 反射防止膜用塗布処理部
60 レジスト膜用塗布処理部
70 現像処理部
80 レジストカバー膜用塗布処理部
90 レジストカバー膜除去用処理部
100,101 反射防止膜用熱処理部
110,111 レジスト膜用熱処理部
120,121 現像用熱処理部
130,131 レジストカバー膜用熱処理部
140,141 露光後ベーク用熱処理部
500 基板処理装置
650 洗浄処理用ノズル
670,770,870 乾燥処理用ノズル
682 遮断板
810 供給ノズル
950 2流体ノズル
EEW エッジ露光部
BARC,RES,COV 塗布ユニット
DEV 現像処理ユニット
REM 除去ユニット
SD1 第1の洗浄/乾燥処理ユニット
SD2 第2の洗浄/乾燥処理ユニット
IFR インターフェース用搬送機構
P−CP 載置兼冷却ユニット
W 基板
PASS1〜PASS13 基板載置部
Claims (5)
- 液浸露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に前記感光性膜を保護する保護膜を処理液を用いて形成する保護膜形成ユニットとを備え、
前記保護膜形成ユニットは、
各々異なる有機溶媒または保護膜の処理液を基板に供給する複数の供給手段を含み、
前記複数の供給手段のうち一の供給手段から有機溶媒を供給した後に他の供給手段から保護膜の処理液を供給することにより感光性膜上に保護膜を形成することを特徴とする基板処理装置。 - 前記一の供給手段から供給される有機溶媒の成分は、前記感光性膜形成ユニットにより形成される感光性膜の成分に応じて決定されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記一の供給手段から供給される有機溶媒は、前記他の供給手段から供給される処理液の主溶媒であることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記他の供給手段から供給される処理液の成分は、前記液浸露光装置において用いられる液体の成分に応じて決定されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 液浸露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
基板に感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜の形成後に複数の有機溶媒のうち一の有機溶媒を選択し、基板に選択された有機溶媒を供給する工程と、
前記有機溶媒の供給後に複数の保護膜の処理液のうち一の処理液を選択し、基板に選択された処理液を供給することにより感光性膜上に保護膜を形成する工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。
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