DE3750589T2 - Verpackung für Halbleiterelemente. - Google Patents

Verpackung für Halbleiterelemente.

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Description

  • Die Erfindung betrifft das Verpacken Halbleiter-Bauelementen in geeigneten Behältern.
  • Es ist nun üblich, daß Halbleiter-Bauelemente, wie in Harz eingeschlossene IC-Chips für Transportzwecke in einen geeigneten Behälter verpackt werden. Verschiedene Arten von Bausteinen sind bekannt, wie Bausteine mit kleinen Abmessungen (SOP = Small Outline Package), Viereck-Flachbausteine (QFP = Quad Flat Package), Chip-Kunststoffträger mit Zuleitungen (PLCC = Plastic Leaded Chip Carrier) und ähnliche bekannte Bausteine. Als allgemeiner Hintergrund ist die Verpackung von Halbleiterbauelementen in "IC Packaging Technique" erörtert, veröffentlicht von Kogyo Chosaki K.K., 15. Januar 1980, S. 135-156.
  • Mit zunehmender Größe von Halbleiter-Bauelementen besteht die Tendenz, daß die effektive Festigkeit der Elemente abnimmt. Ferner können große Schwierigkeiten auftreten, wenn Wasserdampf in ein Element eintritt. Wenn ein Halbleiter- Bauelement auf ein Montagesubstrat wie eine gedruckte Leiterplatte in Oberflächenmontage aufgebracht wird, wird dem Element zu verschiedenen Zeitpunkten beim Aufschmelzlöten Wärme zugeführt. Wasserdampf, der in Kontakt mit dem Halbleiter-Bauelement innerhalb der Bausteine kommt, kann das Element zerstören, wenn Wärme zugeführt wird, weswegen es wichtig ist, daß das Element so trocken wie möglich ist, bevor der Montagevorgang ausgeführt wird. Diese Schwierigkeit ist dann besonders brennend, wenn das Element ein harzumkapseltes Halbleiterteil enthält.
  • Um mit dieser Schwierigkeit fertig zu werden, war es üblich, die Bausteine bei z. B. 125ºC für eine geeignete Zeitspanne, die 16 bis 24 Stunden betragen kann, auszuheizen, bevor dem Element Wärme zum Befestigen desselben an einem Montagesubstrat zugeführt wird. Jedoch ist dieses Verfahren ineffizient, da ein geeigneter Ofen vorgesehen werden muß, um die Bausteine auszuheizen und da die Zeit, während der die Bausteine ausgeheizt werden müssen, lang ist.
  • Die Erfinder bei der vorliegenden Anmeldung haben herausgefunden, daß der Wasserdampf, der Schäden an einem Halbleiter-Bauelement hervorrufen kann, hauptsächlich von Wasserdampf in der Luft herrührt, die im Zeitraum ab der Fertigstellung des Halbleiter-Bauelements (normalerweise der Zeitpunkt, zu dem das Bauelement in Harz eingeschlossen wird) bis zum Zeitpunkt, zu dem der Baustein auf einem geeigneten Substrat montiert wird, in den Baustein eindringt. Der Grund für Wasserdampf am Element ist hauptsächlich Kondensation innerhalb des Bausteins.
  • Die Japanische Patentoffenlegung Nr. 178877/1986 von Otsuka et al offenbart als Alternativen das Anordnen eines Entwässerungsmittels innerhalb eines Magazins für Standard-Halbleiterbauelemente oder das Abdecken einer Schale zum Aufnehmen der Halbleiterelemente innerhalb eines Behälters aus einer Vinylplatte. Die in diesem Dokument offenbarten Anordnungen nehmen einen langen Weg zum Verringern von Wasserdampf, jedoch überwinden sie die Schwierigkeit nicht vollständig, insbesondere dann, wenn die Größe der Bausteine verringert ist.
  • Daher sucht die Erfindung danach, einen Weg zum Verringern oder Ausschließen von Wasserdampf innerhalb eines Bausteins mit einem oder mehreren Halbleiterelementen zu schaffen, um demgemäß eine anschließende Beschädigung des Elements aufgrund dieses Dampfs zu verhindern.
  • Gemäß einer ersten Erscheinungsform der Erfindung ist ein Verfahren zum Verpacken mindestens eines Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage geschaffen, mit den folgenden Schritten:
  • a) Vergießen eines Halbleiterchips und der inneren Abschnitte von Zuleitungen, die elektrisch mit dem Chip verbunden sind, mit einem Harz, um ein Halbleiter-Bauelement für Oberflächenmontage herzustellen;
  • b) Wärmehärten des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage;
  • c) abgedichtetes Unterbringen, nachdem das Wärmehärten abgeschlossen ist, des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage in einem wasserdampfdichten Beutelteil aus einem mehrschichtigen Film vor dem Einlassen von Wasserdampf zum Halbleiter-Bauelement für Oberflächenmontage.
  • Die Erfindung kann eine Anzahl anderer Merkmale beinhalten. Erstens kann das wasserdampfdichte Beutelteil (der Behälter) ein Trocknungsmittel wie ein Entwässerungsmittel enthalten. Auf diese Weise beseitigt das Trocknungsmittel den Wasserdampf aus der Luft innerhalb des Bausteins und verhindert so, daß der Wasserdampf am Halbleiter-Bauelement kondensiert. Das Entwässerungsmittel kann an der Innenfläche des Behälters angebracht sein und/oder es kann näher am Halbleiter-Bauelement (den Bauelementen) liegen.
  • Zweitens kann das Material des Behältern ein Mehrschichtfilm sein, der mindestens eine Metallfolie aufweist. Die Metallfolie verfügt über eine geringere Wasserdampfdurchlässigkeit als organische Filme wie Kunststoffilme und kann daher das Hindurchdringen von Wasserdampf durch das Material des Behälters verhindern. Ferner kann die Metallschicht der Ausbildung feiner Löcher innerhalb des Behältermaterials entgegenwirken. Eine leitende Schicht kann ebenfalls im Mehrschichtfilm des Behälters vorhanden sein, und diese wird normalerweise durch eine oder mehrere zusätzliche Kunststoffschichten zu schützen sein.
  • Drittens kann die Erfindung eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung innerhalb des Behälters schaffen, um anzuzeigen, ob eine übermäßige Menge an Wasserdampf in den Baustein eingetreten ist, der dadurch in Kontakt mit dem Halbleiter-Bauelement kommen könnte. Die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung ist vorzugsweise an der Innenfläche des Behälters selbst angebracht und sie ist durch das Behältermaterial hindurch erkennbar. Dies kann unter Verwendung eines durchsichtigen Behälters erfolgen oder es kann, wenn der Behälter z. B. aus einem Mehrschichtfilm mit einer Metallfolie besteht, wie vorstehend erörtert, ein durchsichtiges Fenster in einem ansonsten undurchsichtigen Behälter enthalten sein.
  • Eine der vorstehenden Lösungen hinsichtlich der Schwierigkeit mit Wasserdampf, oder mehrere kann für einen Behälter für ein einzelnes Halbleiter-Bauelement vorgesehen sein. Jedoch ist es üblicher, daß die Erfindung auf die Verpackung mehrerer Halbleiter-Bauelemente angewandt wird, normalerweise zumindest 10. Dann werden die Halbleiter-Bauelemente an oder in einem oder mehreren geeigneten Trägerteilen aufbewahrt, die dann innerhalb des Behälters eingeschlossen werden.
  • Bei der Erfindung können viele verschiedene Trägerteile verwendet werden. Z.B. kann das Trägerteil ein geeignetes rohrförmiges Magazin zum Aufbewahren einer Anzahl von in einer Linie angeordneten Halbleiter-Bauelementen sein. Alternativ kann das Trägerteil eine Schale zum Aufbewahren der Halbleiterelemente in Form einer Anordnung sein. Es ist auch möglich, einen bandähnlichen Träger als Trägerteil zu verwenden, in welchem Fall das bandähnliche Teil im Behälter untergebracht werden kann, wenn es auf eine Haspel gewickelt wird. Die Halbleiter-Bauelemente sind voneinander beabstandet an das Band geklebt.
  • Ferner ist es möglich, mehrere derartige Trägerteile innerhalb eines Innenkastens aus z. B. Papier anzuordnen, der dann in den Behälter eingeschlossen wird. Tatsächlich kann diese Verpackung ferner dazu verwendet werden, eine Anordnung derartiger Behälter zu verstellen, die dann in einem Außenkasten aus z. B. Karton für den Transport aufgenommen werden.
  • Um einen solchen Baustein herzustellen, wird das Halbleiter- Bauelement (werden die Halbleiter-Bauelemente) geeignet positioniert, z. B. auf oder in einem Trägerteil, je nachdem, wie es zweckmäßig ist, und dann in einen den Behälter bildenden Film eingeschlossen. Um den Behälter zu versiegeln, kann Druckversiegelung für Luftdichtheit vorgenommen werden und es kann eine Ultraschallwelle oder Wärme zugeführt werden, um zu bewirken, daß ein Verkleben erfolgt. Selbstverständlich ist es wichtig, daß der Behälter keinerlei hygroskopisches Material neben den Halbleiter-Bauelementen und dem Trocknungsmittel (Entwässerungsmittel), wo es verwendet wird, enthält.
  • Die Luft in der Verpackung kann teilweise entfernt werden, um die Menge von in ihr enthaltenem Wasserdampf zu verringern. Ferner wird, wenn die Verpackung einen Innenkasten enthält, der mehrere Trägerteile für Halbleiter-Bauelemente enthält, das Material des Behälters in Kontakt mit der Oberfläche des Kastens gebracht. Dies ist z. B. dann nützlich, wenn es die Verwendung eines durchsichtigen Behälters ermöglicht, daß Information auf der Oberfläche des Kastens leicht gelesen werden kann. Es erleichtert auch die anschließende Aufbewahrung der Verpackung z. B. in einem Außenkasten.
  • Eine andere Möglichkeit zum Verringern von Wasserdampf ist es, die Luft innerhalb der Verpackung durch ein geeignetes Trocknungsgas zu ersetzen.
  • Eine weitere Entwicklung ergibt sich, wenn es erwünscht ist, zu überprüfen, ob keine feinen Löcher oder andere Defekte im Behälter sind, die das anschließende Eindringen von Wasserdampf erlauben könnten. Z.B. kann ein Gas in den Behälter gepumpt werden, damit das Vorhandensein feiner Löcher durch das Ausmaß der Aufweitung des Beutels oder sein anschließendes Zusammenfallen ermittelt werden kann.
  • So kann die Erfindung ein wirksames Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen schaffen. Es ist zuverlässig, erlaubt hohe Packungsdichte und macht den Transport der Halbleiter-Bauelemente sowohl einfach als auch sicher. Es ist insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, für harzvergossene Elektronikkomponenten geeignet, insbesondere solche, bei denen die elektronischen Bauelemente mit einer dünnen Harzeinkapselung abgedichtet sind, die durch Wasserdampf leicht beschädigt werden kann. Z.B. kann sie auf Halbleiter-Bauelemente für Oberflächenmontage angewandt werden.
  • Sie verringert oder beseitigt das Erfordernis eines Ausheizens der Halbleiter-Bauelemente, selbst wenn sie für eine lange Zeitspanne aufbewahrt wurden. Ferner kann unter Verwendung der Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung die Menge von Wasserdampf, die durch die Halbleiter-Bauelemente absorbiert wurde, leicht erkannt werden, um eine Auswahl derjenigen Elemente zu ermöglichen, die einer geeigneten Behandlung, z. B. einer Trocknung, bedürfen, bevor sie verwendet werden können. Im allgemeinen beseitigt bei der Erfindung die Verwendung eines Trocknungsmittels wie eines Entwässerungsmittels den Wasserdampf innerhalb des Behälters wirkungsvoll und verhindert so selbst bei tiefen Temperaturen Kondensation.
  • Die Erfindung ist für automatische Verpackungstechniken geeignet.
  • Bevor Ausführungsbeispiele der Erfindung im einzelnen beschrieben werden, werden spezielle Anordnungen unter Verwendung der Erfindung beschrieben.
  • Bei einer ersten Anordnung werden Halbleiter-Bauelemente vom Typ für Oberflächenmontage, die in einem Magazin aufbewahrt werden, in eine Innenbox eingesetzt, ein Entwässerungsmittel wie Silicagel wird in die Innenbox eingesetzt und die Innenbox wird dann in einen durchsichtigen Kunststoffbeutel gesetzt. Der Beutel weist als Trägerschicht eine solche aus Polyester mit einer Dampfdurchlässigkeit von bis zu z. B. 2,0/m²·24 Stunden auf, und er verfügt über einen spezifischen Oberflächenwiderstand von 10&sup6; Ohm an der Außenseite und bis zu 10¹¹ Ohm an der Innenseite und der offene Teil des Beutels wird nach dem Entfernen der Luft heißversiegelt.
  • Bei dieser Anordnung ist der Baustein für Oberflächenmontage im Innenkasten untergebracht und der gegen Wasserdampf abdichtende Beutel außerhalb des Kastens ist durch Entlüftung und eine Heißversiegelung vollständig abgedichtet. Demgemäß sind die Elemente von Einflüssen durch externen Wasserdampf frei. Daher tritt selbst nach einem Aufschmelzlöten kein Grenzflächenabschälen und Reißen die Bauelemente auf.
  • Das Erfordernis für einen mühseligen Ausheizvorgang ist beseitigt. Da bei dieser Anordnung für die Trägerschicht des Kunststoffbeutels ein Polyester mit einer Dampfdurchlässigkeit von bis zu 2,0 g/m²·24 Stunden verwendet wird, ist die Dichtheit gegen Wasserdampf hoch und es ist eine Heißversiegelung möglich, so daß die Wirkung des Absperrens eines Eindringens der Außenluft hoch ist. Der spezifische Oberflächenwiderstand des Beutels beträgt bis zu 10¹¹ Ohm an seiner Innenseite und bis zu 10&sup6; an seiner Außenseite, um irgendwelche Ladungen zu verhindern. Ferner kann zwischen dem Magazin und einer Wand des Innenkastens Silicagel angeordnet werden, um Wasserdampf zu absorbieren, so daß der Baustein für Oberflächenmontage durch den äußeren Wasserdampf nicht stark beeinflußt wird.
  • Selbstverständlich ist es auch möglich, mehrere derartige Magazine im Innenkasten anzuordnen bevor der Kasten im Beutel eingeschlossen wird.
  • Bei einer anderen Anordnung kann eine Verpackung mit einer Anzahl (z. B. ungefähr 10) harzvergossener Halbleiterteilen, die in einem Kunststoffmagazin untergebracht sind, dessen Außenteil durch einen wasserdampfdichten Film luftdicht verschlossen ist, vorliegen.
  • Eine andere Anordnung weist einen Außenkasten aus Karton, mehrere (zumindest fünf bis sechs) Verpackungsbeutel aus einem wasserdampfdichten Film, die luftdicht verschlossen sind, und mehrere Innenkästen aus Papier auf, die in jedem Verpackungsbeutel untergebracht sind. Mehrere Trägerteile wie rohrähnliche Magazine zum Aufnehmen der Halbleiter-Bauelemente sind jeweils in den Innenkästen untergebracht und eine Anzahl harzvergossener Halbleiterteile vom Typ für Oberflächenmontage mit integrierten Schaltungen sind jeweils in den Magazinen untergebracht. Ein Entwässerungsmittel kann in jedem der Innenkästen oder im Verpackungsbeutel enthalten sein.
  • Alternativ oder zusätzlich kann eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung im Beutel untergebracht sein. Normalerweise ist die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung an einer Innenfläche des Beutels befestigt, so daß sie durch diesen hindurch erkennbar ist, und das Entwässerungsmittel kann ebenfalls an einer Innenfläche des Beutels oder in den Innenkästen befestigt sein.
  • Die Magazine können dicht nebeneinander angeordnet sein, wobei ihre Enden benachbart liegen, da es dies erlaubt, daß die Größe der Verpackung minimiert ist.
  • Bei einer anderen Anordnung kann die Verpackung ein rohrähnliches Magazin aufweisen, das eine Reihe aus mehreren (zumindest fünf bis sechs) z. B. harzvergossener Halbleiter-Bauelemente enthält. Dann ist eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung so am Magazin vorhanden, daß sie von außerhalb der Verpackung erkennbar ist.
  • Bei einer anderen Anordnung ist zumindest ein harzvergossenes Halbleiter-Bauelement in einem Verpackungsbeutel aus einem wasserdampfdichten Film verpackt, der luftdicht versiegelt ist. Ein Trocknungsteil ist innerhalb des Verpackungsbeutels so untergebracht oder ausgebildet, daß es von außen her erkennbar ist.
  • Wie vorstehend angegeben, kann die Erfindung nicht nur auf die Verpackung großer Anzahlen von Halbleiter-Bauelementen angewandt werden, sondern auch auf die Verpackung einzelner Elemente. Eine Anordnung, die dies nutzt, ist eine luftdichte Verpackung für harzvergossene Halbleiter-Bauelemente, mit einem Trägerband aus einer ersten wasserdampfdichten Kunststoffolie mit Aussparungen zum Aufnehmen von Halbleiter-Bauelementen. Mehrere harzvergossene Halbleiter-Bauelemente können dann in den Aussparungen untergebracht werden und eine zweite wasserdampfdichte Kunststoffolie, die die Oberfläche der Aussparungen abdeckt, wird in solcher Weise dicht angebracht, daß sie den Innenraum jeder Aussparung luftdicht hält. Ein Trocknungsmittel (Entwässerungsmittel) kann in jeder Aussparung vorhanden sein.
  • Nachdem die Halbleiter-Bauelemente untergebracht wurden, wobei die harzvergossenen Halbleiter-Bauelemente in einem wasserdampfdichten Beutel eingeschlossen sind, damit sie keinen Wasserdampf absorbieren, können die Elemente dem Beutel entnommen werden und auf einem Leitersubstrat angeordnet werden. Die Zuleitungen der harzvergossenen Bauelemente können dann mit den Leitungen auf dem Leitersubstrat verlötet werden, wobei die harzvergossenen Teile der Bauelemente einen Wärmeschock erfahren.
  • Daher ist gemäß einer zweiten Erscheinungsform der Erfindung ein Verfahren zum Montieren mindestens eines Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage auf einem Montagesubstrat geschaffen, mit den folgenden Schritten:
  • - Bereitstellen eines wasserdampfdichten Beutelteils, Einschweißen des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage und eines Entwässerungsmittels darin, wobei das wasserdampfdichte Beutelteil aus einem mehrschichtigen Film besteht;
  • - anschließendes Entnehmen des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage aus dem wasserdampfdichten Beutelteil; und
  • - Montieren des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage auf dem Montagesubstrat durch Erhitzen des Halbleiter- Bauelements;
  • - wobei ein Zerstören des Halbleiter-Bauelements dadurch verhindert wird, daß dieses Halbleiter-Bauelement bald nach dem Öffnen des wasserdampfdichten Beutelteils und nach seinem Entnehmen auf dem Montagesubstrat montiert wird.
  • Auch ist gemäß einer dritten Erscheinungsform der Erfindung ein Verfahren zum Montieren mindestens eines Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage auf einem Montagesubstrat geschaffen, mit den folgenden Schritten:
  • - Bereitstellen eines wasserdampfdichten Beutelteils, Einschweißen des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage und eines Entwässerungsmittels darin, wobei das wasserdampfdichte Beutelteil aus einem mehrschichtigen Film besteht;
  • - anschließendes Entnehmen des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage aus dem wasserdampfdichten Beutelteil;
  • - Erfassen der Feuchtigkeit innerhalb des wasserdampfdichten Beutelteils; und
  • - Montieren des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage auf dem Montagesubstrat durch Erhitzen des Halbleiter- Bauelements.
  • Vor dem Einschließen in den Behälter (Beutel) können die harzvergossenen Halbleiterteile durch dichtes Einschließen eines Halbleiterchips und der Innenleitungen durch ein Harz hergestellt werden. Dann kann auf das sich ergebende harzvergossene Teil eine Tintenmarkierung aufgebracht werden und das nach dem Markieren insgesamt vorliegende harzvergossene Teil wird hoher Temperatur ausgesetzt, um die Tinte wärmezuhärten. Die Elemente (Teile) werden dann nach der Fertigstellung luftdicht verschlossen, bevor sie Wasserdampf absorbieren können.
  • So können bei der Herstellung eines Halbleiterspeicher-Bauelements Zuleitungen über eine der Hauptebenen eines Chips an Halteteilen eines Halbleiterchips befestigt werden, die aus derselben Metallfolie wie die Leitungen bestehen. Dann werden flache Kontaktflecke an der andern Hauptebene des Chips über einen Bonddraht mit Innenleitungen verbunden und der Chip wird mit einem organischen Harz beschichtet, was eine Verringerung von Defekten durch α-Teilchen in mindestens demjenigen Bereich der anderen Hauptebene des Chips verringert, in dem Speicherzellen ausgebildet sind. So wird durch Eingießen des Chips, der Drähte, der Chiphalteteile und der Innenleitungen in ein Harz ein harzvergossenes Element hergestellt, von dem mehrere Leitungen vorstehen. Das harzvergossene Element wird in einem wasserdampfdichten Beutel verpackt, damit es keinen Wasserdampf absorbiert.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nun beispielhaft im einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen:
  • Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer Verpackung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist;
  • Fig. 2 eine perspektivische Darstellung eines Innenkastens beim vorstehend genannten ersten Ausführungsbeispiel ist;
  • Fig. 3 eine perspektivische Darstellung ist, die ein Beispiel für ein Magazin zeigt;
  • Fig. 4 ein Querschnitt durch einen Endteil des Magazins ist;
  • Fig. 5 ein Beispiel für einen Beutel zeigt, der als Behälter bei der Erfindung verwendet werden kann;
  • Fig. 6 eine perspektivische Darstellung ist, die das Aussehen und den Aufbau einer transparenten, wasserdampfdichten Verpackung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
  • Fig. 7 ein vergrößerter Querschnitt entlang der Linie II-II in Fig. 6 ist, der die Anordnung einer Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung zeigt, die an der Innenfläche eines transparenten, beutelähnlichen, wasserdampfdichten Behälters angebracht ist;
  • Fig. 8 eine teilgeschnittene perspektivische Ansicht ist, die die Struktur des in Fig. 6 dargestellten transparenten, beutelähnlichen Behälters zeigt;
  • Fig. 9 eine perspektivische Darstellung ist, die das Aussehen und den Aufbau einer transparenten, wasserdampfdichten Verpackung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
  • Fig. 10 ein vergrößerter Querschnitt entlang der Linie II-II in Fig. 9 ist, der eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung zeigt, die an der Innenseitenfläche des Behälters der Verpackung angebracht ist;
  • Fig. 11 eine teilgeschnittene perspektivische Darstellung ist, die die Struktur eines Films zeigt, der den in Fig. 9 dargestellten wasserdampfdichten Verpackungsbehälter bildet;
  • Fig. 12 bis 17 Querschnitte sind, die das Aussehen harzvergossener Halbleiterteile zeigen, bei denen das erste bis dritte Ausführungsbeispiel der Erfindung angewandt werden können;
  • Fig. 18 bis 21 Beispiele von Trägerteilen zeigen, wie sie jeweils beim ersten bis dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet werden können;
  • Fig. 22 eine erläuternde Darstellung ist, die ein Verpackungsverfahren im einzelnen veranschaulicht, das für das erste bis dritte Ausführungsbeispiel der Erfindung nützlich ist;
  • Fig. 23 ein Querschnitt durch ein Speicher-IC-Bauelement ist, das auf diejenige Weise verpackt werden kann, wie sie unter Bezugnahme auf das erste bis dritte Ausführungsbeispiel der Erfindung erörtert wurde;
  • Fig. 24 eine schematische Darstellung ist, die die Montage derartiger Bauelemente an einem Substrat zeigt; und
  • Fig. 25 eine schematische Darstellung zu einem Tauchlötverfahren für ein solches Bauelement ist.
    • Ausführungsbeispiel 1
  • Das erste Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft das Verpacken einer großen Anzahl von Halbleiter-Bauelementen, und es wird unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 5 beschrieben.
  • Mehrere Magazine 2 sind in einem Innenkasten 1 aus Papier untergebracht, wie in Fig. 2 dargestellt. Ein Beispiel für ein solches Magazin ist in Fig. 3 dargestellt. Jedes Magazin 2 enthält mehrere (z. B. fünf) Halbleiter-Bauelemente 3 für Oberflächenmontage, und am Ende des Magazins 2 ist ein Stopfen 4 angebracht, um zu verhindern, daß das Endelement 3 aus dem Magazin 2 hervorsteht.
  • Zwischen die Wand des Innenkastens 1 und die Seitenflächen des Magazins 2 ist ein Entwässerungsmittel wie Silicagel 5 eingesetzt, wie in Fig. 2 dargestellt. Vorzugsweise ist das Silicagel 5 auch in die Enden des Magazins eingesetzt, in jedem Fall, um Wasserdampf zu absorbieren. Der Flansch 7 eines Deckels 6 ist nach innen umgelegt und der Deckel 6 ist verschlossen. Wenn eine Verpackung 3 durch Anheben des Deckels 6 herausgenommen wird, kann die Innenfläche des Deckels 6 externem Wasserdampf ausgesetzt sein. Aus diesem Grund ist es ratsam, Silicagel an der Innenseite des Deckels anzuordnen.
  • Der Kasten 1 wird in einen Beutel 8, wie den in Fig. 5 dargestellten, eingesetzt und nach einem Entlüften wird der offene Teil 9 des Beutels 8 heißversiegelt.
  • Der Beutel 8 besteht aus einem transparenten, elektrisch leitenden Film unter Verwendung eines Polyesters mit einer Wasserdampfdurchlässigkeit von bis zu 2,0 g/m²·24 Stunden als Trägerfolie.
  • Es ist geschickt, wenn der Beutel 8 transparent ist, da dann auf die Erzeugnisse aufgeschriebene Information, wie für die Menge, die Herstellosnummer usw. auf die Oberfläche des Kastens 1 aufgebracht werden kann.
  • Ein Beispiel für einen Film, der dazu geeignet ist, den leitenden Beutel 8 zu bilden, ist ein Laminatfilm, der dadurch hergestellt wird, daß Polyethylen mit einem eingekneteten Antistatikmittel, ein Polyesterfilm, eine leitende Schicht mit Kohlenstoff und ein Acrylharz-Schutzfilm in der genannten Reihenfolge von der Innenseite her aufeinanderlaminiert werden. Das Laminat kann ferner mit einem Vinylidenchloridfilm beschichtet sein. Um eine Aufladung eines ICs oder mehrerer innerhalb der Verpackung 8 zu verhindern, beträgt der spezifische Oberflächenwiderstand des leitenden Beutels 8 bis zu 10&sup6; Ohm an der Außenfläche und bis zu 10¹¹ Ohm an der Innenfläche.
  • Auf die Oberfläche des Beutels 8 können Warnhinweise aufgedruckt sein, die den Benutzer darauf hinweisen, daß die Bauelemente nach dem Öffnen des Beutels schnell verwendet werden sollten und daß der Beutel in einer Umgebung geringer Feuchtigkeit aufbewahrt werden sollte, oder es kann ein Etikett 10, das derartige Warnhinweise trägt, auf den Beutel 8 aufgeklebt sein.
  • Demgemäß werden die Bauelemente 3 für Oberflächenmontage im wasserdampfdichten Beutel 8 aufbewahrt und sie werden durch Entlüftung und die Heißversiegelung 9 vollständig abgedichtet gehalten. Da das Silicagel 5 den Wasserdampf an der Außenseite der Magazine 2 absorbiert und die Elemente 3 durch keinen externen Wasserdampf beeinflußt werden, wird ein Ausheizen der Verpackung oder der Elemente vor der Verwendung überflüssig und es kann verhindert werden, daß selbst nach einem Aufschmelzlöten ein Grenzflächenabschälen oder Rißbildung an den Elementen auftreten.
  • Andere Entwässerungsmittel können beim vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel anstelle von Silicagel verwendet werden.
    • Ausführungsbeispiel 2
  • Es wird nun ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 6 bis 8 beschrieben.
  • Fig. 6 ist eine perspektivische Darstellung, die das Aussehen und die Struktur einer durchsichtigen Verpackung gemäß diesem Ausführungsbeispiel zeigen.
  • Wie in Fig. 6 dargestellt, besteht die Verpackung bei diesem Ausführungsbeispiel aus einem transparenten, wasserdampfdichten Film 11. Mehrere elektronische Komponenten 12 wie Halbleiter-Bauelemente für Oberflächenmontage sind in einem Trägerteil oder mehreren, z. B. Behältern 13 in Form rohrförmiger Magazine untergebracht und die Behälter 13 sind in einem Innenkasten 14 untergebracht. Ferner ist der Innenkasten 14 im Film 11 eingeschlossen, dessen Enden 11A, 11B versiegelt sind, um einen Beutel 17 zu bilden. Wenn die wasserdampfdichte Verpackung hergestellt wird, wird eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 zum Erkennen der Fechtigkeit innerhalb des Beutels 17 an der Innenfläche des Films 11 an einer Position angebracht, an der die Anzeigeeinrichtung 15 von außen erkannt werden kann.
  • Beispiele für diese Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 sind die folgenden:
  • (i) Auf die Innenfläche des Films 11 kann unter Verwendung einer Tinte, die ein Material enthält, das seine Farbe ändert, wenn es Wasserdampf ausgesetzt wird, wie Kobaltchlorid, ein Warnhinweis aufgedruckt werden. Dieser gedruckte Warnhinweis dient dann als Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15. Z.B. kann der Warnhinweis wie folgt lauten: "Wenn sich die Farbe dieses Warnhinweises von blau auf schwachviolett ändert, sind die Halbleiter-Bauelemente dem Beutel zu entnehmen und für 24 Stunden bei 125ºC auszuheizen".
  • (ii) Wie in den Fig. 6 und 7 dargestellt, kann eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung (feuchtigkeitsanzeigendes Etikett) 15 durch einen Kleber 16 mit Belüftungslöchern 16A, um ein Erkennen von der Außenseite des Beutels 17 her zu ermöglichen, an die Innenseite des Films 11 angeklebt sein. Dieses Feuchtigkeitserkennungsetikett wird z. B. dadurch hergestellt, daß aus einem Faserbrei hergestelltes Papier ein Material absorbiert, das in Anwesenheit von Feuchtigkeit seine Farbe ändert, wie Kobaltchlorid.
  • (iii) Die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung (Feuchtigkeitserkennungsetikett) 15 kann an den Innenkasten 14 innerhalb des Beutels 17 angeklebt sein oder es kann ein Warnhinweis darauf unter Verwendung eines Materials aufgedruckt sein, das seine Farbe ändert, wenn es Wasserdampf ausgesetzt wird, wie Kobaltchlorid.
  • Übrigens besteht dann, wenn die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung (Feuchtigkeitserkennungsetikett) 15 an den Film 11 oder den Innenkasten 14 angeklebt ist, kein Bedarf dafür, einen getrennten Warnhinweis aufzudrucken.
  • Nachfolgend wird die Struktur des Films 11 unter Bezugnahme auf Fig. 8 erörtert. In Fig. 8 ist eine Polyethylenschicht 18 dargestellt, in die ein Antistatikmittel eingeknetet ist.
  • Es handelt sich um die innerste Schicht des Films 11. Die Polyethylenschicht 18 kann z. B. 63 um dick sein und sie verhindert Reibungsladungen, erlaubt ein Heißversiegeln des Beutels 17, bestimmt die Leichtigkeit des Öffnens des Beutels 17 usw. Auf der Polyethylenschicht 18 befindet sich eine Polyesterfilmschicht 19 zum Abdichten von feinen Löchern, und auf der Polyesterfilmschicht 19 ist eine Polyesterfilmschicht 20 mit einer Sperrschicht vorhanden, um das Eindringen von Wasserdampf zu verhindern. Die Sperrschicht 20 wird z. B. dadurch hergestellt, daß ein Vinylidenchloridfilm auf einen 14 um dicken Polyesterfilm aufgeschichtet wird. Eine Polyesterfilmschicht 21 (mit 12 um Dicke) ist auf der Sperrschicht 20 vorhanden, und eine 1 um dicke leitende Schicht 22 aus z. B. Kohlenstoff ist im Polyesterfilm 21 vorhanden. Der Polyesterfilm 21 verstärkt die mechanische Festigkeit und die dielektrische Beständigkeit des Films 11, während die durch Kohlenstoff leitend gemachte Schicht 22 den Aufbau von Ladungen verhindert. Die durch Kohlenstoff leitend gemachte Schicht 22 verschlechtert sich mit der Zeit nicht und weist keinerlei Feuchtigkeitsabhängigkeit auf. Das Material der Schutzschicht 23 schützt die durch Kohlenstoff leitend gemachte Schicht 22 und verhindert demgemäß die Ausbildung staubförmiger Kohlenstoffflocken. Sie verfügt über hohe Abriebfestigkeit und Bedruckbarkeit.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren unter Verwendung der Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 im Beutel 17 kurz erläutert.
  • Zunächst ist die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 an der Innenseite des Films 11 an einer Position angebracht, an der sie von der Außenseite des Beutels 17 her erkennbar ist, wie in Fig. 7 dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der Film 11 durchsichtig.
  • Mehrere Behälter 13, die mehrere elektronische Komponenten 12 (Halbleiter-Bauelemente) enthalten, wie Halbleiterbauteile für Oberflächenmontage, werden in den Innenkasten 14 eingesetzt, dann wird der Kasten 14 vom Film 11 umschlossen und die Enden 11A und 11B des Films werden versiegelt, um eine wasserdampfdichte Verpackung (den Beutel 17) herzustellen.
  • Wenn sich die Farbe der Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 von blau nach schwachviolett verändert hat, wenn die elektronischen Komponenten 12 zu verwenden sind, sollten diese Komponenten 12 dem Beutel 17 entnommen werden, für 24 Stunden bei 125ºC ausgeheizt werden und anschließend unter Verwendung von Aufschmelzlöten, Aufschmelzen mit einer Infrarotlampe oder in der Dampfphase, montiert werden.
  • Wie es ersichtlich ist, bedeutet die Tatsache, daß die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 von der Außenseite des Beutels 17 her erkennbar ist, daß der Feuchtigkeitszustand innerhalb des Beutels 17 von der Außenseite her erkannt werden kann. Demgemäß ist die Behandlung der wasserdampfdichten Beutel 17 einfach.
  • Dieses Ausführungsbeispiel kann auf die Verpackung irgendwelcher elektronischer Komponenten, die durch Feuchtigkeit beeinträchtigt werden, angewandt werden, zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Halbleiterteilen für Oberflächenmontage.
    • Ausführungsbeispiel 3
  • Es wird nun ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 9 bis 11 beschrieben, bei dem der die Halbleiter-Bauelemente einschließende Behälter mit Ausnahme eines Fensters undurchsichtig ist. Viele Merkmale dieses Ausführungsbeispiels sind dieselben wie beim zweiten Ausführungsbeispiel und es werden dieselben Bezugszahlen dort verwendet, wo dies geeignet ist.
  • Wie in Fig. 9 dargestellt, besteht der wasserdampfdichte Behälter (Beutel) bei diesem Ausführungsbeispiel aus einem undurchsichtigen Film 31. Mehrere elektronische Komponenten 12 (Halbleiter-Bauelemente) wie Halbleiterteile für Oberflächenmontage sind in Trägerteile, z. B. Behälter 13, eingesetzt, und die Behälter 13 sind dann in einem Innenkasten 14 untergebracht. Nach dem Einschließen des Innenkastens 14 im Film 31 werden die Enden 32A und 32B des Films zum Erzielen von Dichtheit gegen Wasserdampf verschweißt. An der Innenseite des Films 31 ist eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 zum Erkennen der Innenfeuchtigkeit des wasserdampfdichten Beutels 17 an einer Position vorhanden, an der sie von der Außenseite durch ein durchsichtiges Fenster 33 im Film 31 hindurch erkennbar ist. Diese Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 kann ähnlich derjenigen sein, die beim zweiten Ausführungsbeispiel verwendet wird.
  • Wie in den Fig. 9 und 10 dargestellt, sind Randteile der Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung (Feuchtigkeitserkennungsetikett) 15 durch einen Kleber direkt an die Innenseite des durchsichtigen Fensters 33 im undurchsichtigen Film 31 geklebt, damit die Anzeigeeinrichtung von der Außenseite des Beutels 17 durch das Fenster 33 hindurch erkannt werden kann. Dieses Feuchtigkeitserkennungsetikett kann z. B. dadurch hergestellt werden, daß ein aus Faserbrei hergestelltes Papier ein Material absorbiert, das seine Farbe aufgrund von Feuchtigkeit ändert, wie Kobaltchlorid. Es ist auch möglich, daß man dafür sorgt, daß derjenige Teil der Oberfläche des Kastens 14, der dem Fenster 33 entspricht, ein derartiges Material absorbiert.
  • Der Teil 34 des Films 31, der das durchsichtige Fenster 33 bildet, kann eine Laminatfolie aufweisen, wie in Fig. 8 dargestellt.
  • Andererseits bestehen die anderen Teile des Films 31 aus einer undurchsichtigen Folie mit einem Aluminiumfilm, wie in Fig. 11 dargestellt.
  • In Fig. 11 ist eine Polyethylenschicht 36 dargestellt, in die ein Antistatikmittel eingeknetet ist und die die innerste Schicht des Beutels 17 darstellt. Die Polyethylenschicht 36 ist z. B. 60 um dick und sie verhindert Reibungsladungen, erlaubt ein Heißverschweißen des Beutels 17, bestimmt die Leichtigkeit des Öffnens des Beutels 17 und dergleichen.
  • Eine Aluminiumfolie 35 mit hoher Wasserdampfdichtheit ist auf dieser Polyethylenschicht 36 ausgebreitet. Da Aluminium ein Metall ist, ist seine Wasserdampfdurchlässigkeit viel geringer als diejenige organischer Filme und es kann das Eindringen von Wasserdampf wirkungsvoll verhindern. Diese Aluminiumfolie hat z. B. eine Dicke von ungefähr 10 um. Ferner ist auf der Aluminiumfolie 35 eine Polyesterfilmschicht 39 von z. B. 20 um Dicke mit hoher Formbarkeit in der Wärme vorhanden. Auf dem Polyethylenfilm befindet sich eine Polyesterfilmschicht 38 (mit einer Dicke von 12 um) mit hoher mechanischer Festigkeit und hoher Haltespannung, und eine 1 um dicke leitende Schicht 17 aus Kohlenstoff befindet sich auf der Polyesterfilmschicht 38. Ferner existiert eine Schutzschicht 40 aus einem Acryl auf der durch Kohlenstoff leitend gemachten Schicht 37. Die Polyesterfilmschicht 38 verstärkt die mechanische Festigkeit und den dielektrischen Widerstand des Films 31. Die durch Kohlenstoff leitend gemachte Schicht 37 verschlechtert sich im Lauf der Zeit nicht und zeigt keine Feuchtigkeitsabhängigkeit. Das Material der Schutzschicht 40 schützt die durch Kohlenstoff leitend gemachte Schicht 37 und verhindert die Ausbildung staubförmiger Kohlenstoffflocken. Sie verfügt über hohe Abriebfestigkeit und hohe Bedruckbarkeit.
  • Das Verwendungsverfahren betreffend die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 im wasserdampfdichten Verpackungsbeutel 17 dieses Ausführungsbeispiels ist dasselbe wie beim zweiten Ausführungsbeispiel.
  • Wie ersichtlich, ist bei diesem Ausführungsbeispiel die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung 15 zum Erkennen der Innenfeuchtigkeit im undurchsichtigen Beutel 17 an einem Fenster angebracht, so daß sie von der Außenseite her erkennbar ist. Demgemäß kann der Feuchtigkeitszustand im Beutel 17 von der Außenseite her erkannt werden und dann kann dessen Handhabung leichtgemacht werden. Da der Film 31 nicht zerrissen werden muß, ist nach dem Erkennen kein Umverpacken erforderlich.
  • Es wird nun die Herstellung eines Halbleiter-Bauelements wie eines DRAMs beschrieben. Ein derartiges Element kann auf eine Weise verpackt werden, wie sie für eines der vorstehend erörterten drei Ausführungsbeispiele beschrieben wurde.
  • Da die Struktur und die Prozesse für einen Halbleiterchip (DRAM, Logik-IC) als Hauptbestandteil von Halbleiterbauteilen (Bauelemente mit integrierten Schaltungen, elektronische Bauelemente), um die es bei der vorliegenden Erfindung geht, im US-Patent Nr. 4,612,565 (US-Seriennr. 783,531, eingereicht am 03. Oktober 1985) und Nr. 4,625,227 (US-Seriennr. 744,151, am 13. Juni 1985 eingereicht) behandelt sind, erfolgt die Beschreibung unter teilweiser Beziehung auf diese Literaturstellen.
  • Nachdem ein Waferschritt abgeschlossen ist, wird ein Wafer unter Verwendung einer rotierenden Klinge in jeweilige Chips unterteilt. Die Herstellschritte vor und nach dem Waferschritt sind in "Electric Integrated Circuits", John Allison, 1975, McGraw Hill Book Company, S. 5-10, insbesondere in Fig. 1.3 (S. 7) beschrieben. Was die Zerteiltechnik betrifft, siehe das US-Patent Nr. 4,016,855 (US-Seriennr. 608,733, eingereicht am 28. August 1975).
  • Danach wird jeder Chip durch Druckbonden an einem Leiterrahmen befestigt. Für Einzelheiten zum Druckbonden für verschiedene Chiparten siehe DE-A-31 16 406, JP-A-58-134452, JP-A-61-218139, JP-A-61-218150, US-Patentanmeldung mit der Seriennr. 898,534 (eingereicht am 21. August 1986), JP-A- 60-257160, JP-A-61-32452 und JP-A-61-7849.
  • Danach werden jeder flache Kontaktfleck an jedem Scheibchen und der innere Zuleitungsanschluß des Leiterrahmens durch Bonddrähte (mit ungefähr 30 um Dicke) aus Cu, Al, Au oder dergleichen miteinander verbunden. Neben den oben angegebenen verschiedenen US-Patenten und Patentanmeldungen siehe zu Einzelheiten zu dieser Bondtechnik auch US-Patent Nr. 4,564,734 (US-Seriennr. 476,268, eingereicht am 17. März 1983), US-Patent Nr. 4,301,464 (US-Seriennr. 55,070, eingereicht am 05. Juli 1979), US-Patentanmeldungs-Seriennr. 898,535 (eingereicht am 21. August 1986) und GB-A-2157607.
  • Ferner wird auf dem Chip nach dem Abschließen des Bondvorgangs eine ungefähr 20 bis 200 um dicke Schicht aus Polyimid hoher Reinheit oder eine Schicht aus Siliconharz durch Vergießen hergestellt, um irgendwelche Fehler durch Fremdkörpereinwirkung, hier durch u-Strahlen zu verhindern. Zu Einzelheiten betreffend den Harzüberzug siehe die US-Patentanmeldung mit der Seriennr. 256,110. Ein Überziehen mit Harz zum Verhindern eines Fehlers durch Fremdkörpereinwirkung, hier durch α-Strahlung, kann während des Waferprozesses ausgeführt werden. Dabei liegt die geeignete Dicke zwischen ungefähr 10 um und ungefähr 80 um und der Harzüberzug wird durch eine Kombination aus einer Schleuderbeschichtung mit Photolithographie auf solche Weise ausgeführt, daß zumindest das Netz der Speicherzellen abgedeckt wird.
  • Nachdem der Drahtbondvorgang abgeschlossen ist, wird der Leiterrahmen durch Spritzpressen in ein Epoxidharzmaterial eingegossen. Was die Vergießtechnik betrifft, siehe die oben angegebenen verschiedenen US-Patente und Patentanmeldungen, wie auch "VLSI Technology", S.M. Sze, 1983, McGraw-Hill Book Company, S. 574-581.
  • Nachdem das Vergießen abgeschlossen ist, wird der Leiterrahmen aus der Gießform genommen, und nachdem irgendwelche Grate an der Zuleitung vollständig entfernt sind, werden irgendwelche Gußnähte an der Zuleitung vollständig entfernt, die überflüssigen Teile des Leiterrahmens werden abgeschnitten, das vergossene Teil wird vom Rahmen abgeschnitten und Zuleitungen werden in gewünschte Form gebracht.
  • Nach diesen Schritten werden die Erzeugnisse ausgewählt und es erfolgt ein Markieren der genehmigten Erzeugnisse. Dieser Markierungsschritt kann vor dem Zerschneiden der Zuleitungen erfolgen. Anders gesagt, wird Sn oder dergleichen auf die Oberfläche des freigelegten Leiterrahmens nach dem Harzvergießen durch Elektroplattieren aufgetragen. Danach werden das in Harz vergossene Teil und die freiliegende Oberfläche des Leiterrahmens gereinigt (mit Wasser gewaschen), um die daran anhaftende Plattierlösung zu entfernen und nach dem Trocknen werden sie in ein automatisches Markiergerät gegeben, um die Markierung aufzutragen.
  • Bei diesem Markiervorgang werden Markierungen, die die Art der Erzeugnisse, die Klassifizierung und dergleichen wiedergeben, gleichzeitig auf das in Harz eingegossene Teil, wie MOS-Halbleiter-Bauelemente, durch Offsetmarkierung unter Verwendung einer rotierenden Trommel (Übertragungstrommel) oder durch direkte Reliefmarkierung aufgebracht, während der Leiterrahmen, an dem mehrere Halbleiter-Bauelemente befestigt sind, in vorgegebener Richtung verstellt wird. Dabei entsteht statische Elektrizität zwischen der Übertragungstrommel oder dem Relief sowie dem in Harz eingegossenen Teil, da jedoch der Rahmen insgesamt auf demselben Potential gehalten wird, beeinflußt die statische Elektrizität das Innere der Halbleiterscheibe nicht, sondern sie wird auf Masse abgeleitet. Danach werden die aufgedruckten Markierungen durch einen Ultraviolett- oder Infrarottrockner oder durch einfache Wärmebehandlung ausgeheizt oder getrocknet und fest mit dem in Harz eingegossenen Teil verbunden.
  • Danach wird jedes Halbleiter-Bauelement durch Stanzen, Schneiden und Biegen abgetrennt und jede Zuleitung jedes MOS-Halbleiter-Bauelements oder dergleichen wird gleichzeitig eine unabhängige Zuleitung. Die Zuleitungen werden auf derselben Seite L-förmig umgebogen und so wird ein MOS-Halbleiter-Bauelement oder dergleichen vom Dual-in-line-Typ fertiggestellt, das frei von dielektrischen Durchschlägen ist.
  • Wie vorstehend beschrieben, erfolgt das Ausheizen (Markierungsausheizen) für 3 bis 5 Stunden bei 150ºC, wenn die Markierung aus Tinte besteht. Wenn eine Lasermarkierung verwendet wird, ist dagegen ein Ausheizen zum Trocknen von Tinte nicht speziell erforderlich. Betreffend Einzelheiten zum Lasermarkieren siehe EP-A-0 157 008.
  • Nachdem das Ausheizen abgeschlossen ist, werden die in Harz eingegossenen elektronischen Bauelemente (wie Bauelemente mit integrierten Schaltungen, Halbleiter-Bauelemente) in den bei den vorstehenden zwei Ausführungsbeispielen dargestellten wasserdampfdichten Beutel eingesetzt, und zwar entweder direkt oder über ein geeignetes Hilfsteil (Magazin, Schale, Band, Haspel usw.), was innerhalb weniger Tage und innerhalb weniger Stunden nach der Fertigstellung erfolgt, zusammen mit einem Entwässerungsmittel wie Silicagel, und dann erfolgt luftdichtes Verschweißen.
  • Danach werden die in Harz eingegossenen Bauelemente in eine Versandkartonschachtel oder dergleichen für das Versenden verpackt, während sie im Beutel verschweißt sind.
  • Diese Halbleiter-Bauelemente können dem wasserdampfdichten Beutel unmittelbar vor der Montage entnommen werden. Bei gewöhnlicher Umgebung werden sie innerhalb zwei oder drei Tagen oder innerhalb weniger Stunden vor der Verwendung entnommen. Die Erfinder haben herausgefunden, daß sie dann, wenn sie der Außenluft für mehr als eine Woche ausgesetzt sind, den Wasserdampf in der Außenluft im wesentlichen vollständig absorbieren. Verschiedene Aufschmelzlötprozesse werden zum Montieren der Halbleiter-Bauelemente verwendet.
  • Die Erfindung kann auch auf andere Halbleiterkomponenten angewandt werden. Beispiele für diese werden nun beschrieben.
  • Fig. 12 zeigt ein Element, das als "Möwenflügel" und allgemein als "Baustein mit kleiner Abmessung (SOP = Small Outline Package)" bezeichnet wird.
  • Fig. 13 zeigt ein Element für Oberflächenmontage, das als "flacher Kunststoffbaustein (FPP = Flat Plastic Package)" oder als "Viereck-Flachbaustein (QFP = Quad Flat Package)" bezeichnet wird. Ferner zeigt Fig. 14 ein Element zur Verwendung insbesondere in einem Halbleiterspeicher oder dergleichen, das als "Baustein mit kleiner Abmessung und J-Umbiegung (SOJ)" bezeichnet wird. Fig. 15 zeigt ein Element, das als "Kunststoff-Chipträger mit Zuleitungen (PLCC = Plastic Leaded Chip Carrier)" bezeichnet wird und für Bauelemente für Oberflächenmontage mit hoher Dichte verwendet wird. Fig. 16 zeigt ein Bauelement, das zum Typ mit stumpfen Zuleitungen gehört und als "Minigruppenbaustein (MSP)" bezeichnet wird.
  • Abweichend vom vorstehend angegebenen Element ist das in Fig. 17 dargestellte Element vom Typ, bei dem Zuleitungen in die Löcher eines Substrats eingepaßt werden. Daher ist es vom Einsetztyp; es wird allgemein als "Dual-in-line-Baustein (DIP = Dual In-Line Package)" bezeichnet.
  • In den vorstehend beschriebenen Fig. 12 bis 17 ist ein Halbleiterchip 42 unter Verwendung einer Ag-Paste 43 an einem Halter wie Fahnen oder Inseln aus einer dünnen Metallfolie befestigt. Die flachen Bondkontaktflächen auf dem Chip und die Innenzuleitungen, auf denen eine Ag-Fleckplattierschicht 44 ausgebildet ist, werden einem Kugel- und Keilbonden mit Kapillarwirkung durch einen Au-Draht 45 (30 um Durchmesser) oder dergleichen unterzogen. Die Zuleitungen 46 werden durch Ausstanzen aus einer 42-Legierung oder einem Kupferlegierungsfilm hergestellt. Sie werden durch ein Epoxidharz 41 spritzvergossen.
  • Eine große Anzahl in Harz eingegossener Bauelemente wird in verschiedenen Trägerteilen untergebracht und dann abhängig von ihren Anwendungen luftdicht eingeschweißt.
  • Die Trägerteile werden nun erläutert.
  • Fig. 18 zeigt ein Magazin 54 und die in Harz eingegossenen Bauelemente (Transistoren, ICs, LSIs usw.) die im Magazin 54 untergebracht sind. In Harz eingegossene Bauelemente 53 vom Typ MSP sind vertikal innerhalb des Magazins 54 aufeinandergestapelt und ein Unterstopfen 52 aus Polyethylen und ein Hauptstopfen aus hartem Nitrilkautschuk sind in das Ende des Magazins eingesetzt. Der Hauptkörper des Magazins besteht aus Kohlenstoff enthaltendem harten Polystyrol oder aus elektrisch leitendem weichen Vinylchlorid.
  • Fig. 19 zeigt eine Schale 55, die ein Trägerteil bildet. Die Schale besteht aus Vinylchlorid, das eine Antistatikbehandlung erfahren hat, und die in Harz eingegossenen Bauelemente 53 sind in quadratische Aussparungen 56 eingesetzt, die in Feldform ausgerichtet sind. In diesem Fall ist es möglich, direkt Silicagel oder dergleichen in jeder Aussparung 56 unterzubringen und die Oberfläche luftdicht durch eine wasserdampfdichte Folie zu verschließen. Im allgemeinen werden die Schalen, nachdem sie aufeinandergestapelt sind, in einen Innenkasten aus Papier eingesetzt und dann in den wasserdampfdichten Beutel eingeschweißt.
  • Fig. 20 zeigt ein Trägerteil, das ein sogenanntes System mit "Band und Haspel" ist. Die in Harz eingegossenen Bauelemente 53 werden in einer Linie über ein Klebeband 58 auf einem Trägerband 57 gehalten, das auf einer Haspel 59 aufgewickelt ist. Nachdem das Trägerband 57 auf die Haspel 59 aufgewickelt wurde, werden die Haspeln Stück für Stück luftdicht in den wasserdampfdichten Beutel eingeschweißt.
  • Fig. 21 zeigt einen anderen Typ dieses Systems mit Band und Haspel. In diesem Fall sind die in Harz eingegossenen Bauelemente 53 in quadratischen Aussparungen 56 untergebracht, die entlang einer Linie auf dem Trägerband 57 ausgebildet sind, und ihre Oberfläche ist durch ein Abdeckband 60 heißversiegelt. Das Band wird in diesem Zustand auf die Haspel aufgewickelt und diese wird wasserdampfdicht auf dieselbe Weise eingeschweißt, wie oben angegeben. Auch in diesem Fall kann die äußere, wasserdampfdichte Folie dadurch beseitigt werden, daß das Abdeckband 60 in die in den Fig. 3 oder 11 dargestellte wasserdampfdichte Folie abgewandelt wird und Silicagel oder dergleichen in jede Aussparung 56 eingebracht wird.
  • Übrigens kann auf JP-A-62-16378 zu Einzelheiten betreffend die Herstellung des Magazins und dergleichen Bezug genommen werden.
  • Fig. 22 zeigt ein Beispiel einer Versandverpackung für in Harz eingegossene Bauelemente 53 (Bauelemente vom Einstecktyp oder für Oberflächenmontage). Eine Anzahl von in Harz eingegossener Bauelemente 53 sind in einer Linie innerhalb eines rohrförmigen Magazins 2 untergebracht und sie werden durch einen Verschlußstift 64 und ein Verschlußfüllmaterial 4 fest zusammengehalten. Eine vorgegebene Anzahl von Magazinen werden in einem Innenkasten 1 mit geringer Hygroskopizität untergebracht, der aus Papier oder Folie besteht und innerhalb eines Beutels untergebracht wird, der aus einer wasserdampfdichten Folie besteht, wie der in den Fig. 8 oder 11 dargestellten. Der Innendruck des Beutels ist etwas kleiner als der der Außenluft und es erfolgt eine Evakuierung, damit der wasserdampfdichte Beutel im wesentlichen in dichten Kontakt mit der Außenfläche des Innenkastens kommt, und dann erfolgt ein luftdichtes Verschweißen durch Unterdrucksetzen oder Erhitzen. In diesem Fall können die Innenkästen leicht in einem Außenkasten untergebracht werden und der Lagerraum wird klein.
  • Andererseits kann das Vorhandensein irgendwelcher kleiner Löcher leicht dadurch erkannt werden, daß trockenes N&sub2;, das etwas unter Druck gesetzt wird, in den Beutel eingefüllt wird, um einen Spalt zwischen der wasserdampfdichten Folie und dem Innenkasten zu gewährleisten.
  • Obwohl die vorstehende Beschreibung hauptsächlich beispielhaft von einem Magazin handelt, kann das Verpacken im wesentlichen auf dieselbe Weise wie vorstehend angegeben im Fall einer Schale und bei dem Band und der Haspel erfolgen. Darüber hinaus kann ein in Harz eingegossenes IC oder mehrere direkt in den wasserdampfdichten Beutel eingesetzt werden.
  • Es ist auch möglich, das Trägerteil direkt in den wasserdampfdichten Beutel einzusetzen und zu versiegeln, ohne einen Innenkasten zu verwenden. Obwohl das Entwässerungsmittel in einen Papierbeutel oder dergleichen eingegeben und dann im Innenkasten untergebracht wird, kann es an einer geeigneten luftdichten Position untergebracht werden, wie in einer Aussparung im Magazin oder im Trägerband. Z.B. kann das Entwässerungsmittel auf die Innenfläche der wasserdampfdichten Folie aufgetragen und dort verteilt werden.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird eine vorgegebene Anzahl wasserdampfdichter Beutel, die luftdicht verschweißt wurden, in einem Außenkasten 61 aus Karton untergebracht und durch ein Klebeband 62 verschlossen. Nachdem der Kasten durch Bänder 63 zusammengebunden wurde, wird er versandt.
  • Was andere luftdichte Verschweißverfahren betrifft, sind insbesondere das Verfahren unter Verwendung einer Schale, siehe die vorstehend genannte Literaturstelle der Japanischen Offenlegung Nr. 178877/1986 bekannt.
  • Die Beziehung zwischen der Querschnittsstruktur eines Speicher-IC-Bauelements und einem Baustein bei der Erfindung wird nun erläutert. Hier wird beispielhaft ein Baustein vom SOP-Typ beschrieben.
  • In Fig. 23 ist eine sehr große Anzahl (ungefähr 1.000.000) FETs, die einen DRAM bilden, auf der oberen Hauptebene eines Si-Substrats 71 ausgebildet. Auf dem Si-Substrat sind diese Bauelemente bildende Feldoxidfilme, Isolierfilme (anorganische Filme) 72 aus Zwischenzustands-PSG (Phosphorsilicatglas) und dergleichen ausgebildet. Eine Anzahl flacher Bondkontaktflecke 75 sind ferner darauf ausgebildet.
  • Andererseits ist das Si-Substrat 71 an seiner unteren Hauptebene mit Inseln oder Fahnen 78 über eine Ag-Paste 77 verbunden. Die Größe dieses Chips 71 beträgt ungefähr 10 mm · 5 mm · 0,4 mm (Höhe · Breite · Dicke). Die Zuleitung 80 besteht aus derselben 42-Legierung wie die Inseln und eine teilweise Ag-Plattierung 79 ist im Innenzuleitungsabschnitt angeordnet. Nachdem am Spalt zwischen dem Innenende einer Zuleitung 80 und einem flachen Bondkontaktfleck durch einen Au-Draht mit einem Durchmesser von 30 um ein Bondvorgang mit Kugel und Keil erfolgt, wird im wesentlichen an der gesamten Oberfläche des Chips über den vorstehend genannten Teilen ein Polyimidharz 73 durch Vergießen ausgebildet. Danach wird die Struktur durch ein Epoxidharz 76 in einer Leiterrahmeneinheit spritzvergossen. An den Zuleitungsteilen, die über das geformte Harz 76 überstehen, wird eine Lötplattierung 81 ausgeführt.
  • Dabei sind der Zuleitungsteil aus der Legierung 42 und der Inselbereich 0,15 mm dick, das Formharz auf der Oberfläche des Bausteins hat ungefähr 1 mm Dicke, der Polyimidfilm ist ungefähr 0,1 mm dick, die Ag-Paste ist ungefähr 50 um dick und die Unterseite des Formharzes ist ungefähr 1 mm dick.
  • Beim Baustein, der auf solche Weise durch dünnes Harz abgedichtet ist, erfolgt, wenn der Gehalt absorbierten Wasserdampfs groß ist, eine Verdampfung und Expansion des Dampfs zunächst an der Unterseite der Fahne 78, und zwar beim drastischen Erwärmen beim Löten und Vergießen. Anschließend tritt ein Abschälen zwischen dem Harz und dem Metall auf und der Baustein quillt. Die Erfinder haben herausgefunden, daß dann, wenn das Harz zu diesem Zeitpunkt nicht der sich ergebenden Spannung widerstehen kann, Bausteinrisse entstehen.
  • Nachfolgend wird ein Oberflächenmontageprozeß skizziert.
  • Erwünschte Verdrahtungsleitungen werden auf einem Substrat aus glasfaserverstärktem Epoxidharz oder dergleichen durch einen Cu-Film oder dergleichen ausgebildet und eine Lötmittelpaste wird durch Siebdruck oder dergleichen an Lötabschnitten (Auflageflächen) auf dem Substrat ausgebildet.
  • Dann werden die in Harz eingegossenen Bauelemente durch ein Vakuumspannfutter oder eine ähnliche Einrichtung auf der Lötmittelpaste angebracht und das Lötmittel in der Paste wird aufgeschmolzen, um einen Lötvorgang durch ein Aufschmelzlötverfahren auszuführen, wie durch Dampfphasenaufschmelzen, Aufheizen in einem Ofen, Infrarotaufschmelzen und dergleichen.
  • Fig. 24 zeigt den Montagezustand. In der Zeichnung repräsentiert die Bezugszahl 91 ein in Harz eingegossenes Bauelement vom SOJ-Typ, 92 ist ein in Harz eingegossenes Bauelement vom SOP-Typ und 93 ist ein in Harz eingegossenes Bauelement vom MSP-Typ. Die Bezugszahl 94 repräsentiert das Leitersubstrat und 95 ist das Lötmittel, das aufgeschmolzen oder durch Eintauchen aufgebracht wurde.
  • Fig. 25 veranschaulicht das Tauchlötverfahren. Wie in Fig. 25(a) dargestellt, wird ein in Harz eingegossenes Bauelement 93 vom MSP-Typ auf solche Weise befestigt, daß seine Zuleitungen durch einen Kleber 96 auf einer durch Siebdruck aufgebrachten Lötmittelpaste auf dem Substrat 94 angeordnet werden. Anschließend erfolgt ein Eintauchen nach unten in einen Lötmittelfluß 98, wie in Fig. 25(b) dargestellt, und dann wird auf solche Weise abgekühlt, daß der in Fig. 25(c) dargestellte Zustand erhalten wird.

Claims (35)

1. Verfahren zum Verpacken mindestens eines Halbleiter- Bauelements für Oberflächenmontage, mit den folgenden Schritten:
a) Vergießen eines Halbleiterchips (42) und der inneren Abschnitte von Zuleitungen (46), die elektrisch mit dem Chip verbunden sind, mit einem Harz (41), um ein Halbleiter-Bauelement (12) für Oberflächenmontage herzustellen;
b) Wärmehärten des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage (12);
c) abgedichtetes Unterbringen, nachdem das Wärmehärten abgeschlossen ist, des Halbleiter-Bauelements für Oberflächenmontage in einem wasserdampfdichten Beutelteil (8) aus einem mehrschichtigen Film (11) vor dem Einlassen von Wasserdampf zum Halbleiter-Bauelement für Oberflächenmontage (12).
2. Verpackungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Entwässerungsmittel (5) abgedichtet innerhalb des wasserdampfdichten Beutelteils (8) untergebracht wird.
3. Verpackungsverfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem eine Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung (15) zum Erkennen von Feuchtigkeit innerhalb des Beutelteils (8) dicht innerhalb des wasserdampfdichten Beutelteils (8) untergebracht ist.
4. Verpackungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem eine Schicht des mehrschichtigen Films (11) des wasserdampfdichten Beutelteils ein Film (20) aus Polyvinylidenchlorid ist.
5. verpackungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem die innerste Schicht des mehrschichtigen Films (11) des wasserdampfdichten Beutelteils ein Polyethylenfilm (18) ist.
6. Verpackungsverfahren nach Anspruch 5, bei dem das wasserdampfdichte Beutelteil (8) dadurch abgedichtet wird, daß der Polyethylenfilm (18) verschmolzen wird.
7. Verpackungsverfahren nach Anspruch 6, bei dem das wasserdampfdichte Beutelteil (8) durch Anwenden von Wärme auf den Polyethylenfilm (18) preßversiegelt wird.
8. Verpackungsverfahren nach Anspruch 6, bei dem das wasserdampfdichte Beutelteil (8) dadurch preßversiegelt wird, daß eine Ultraschallwelle auf den Polyethylenfilm (18) angewandt wird.
9. Verpackungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das wasserdampfdichte Beutelteil (8) luftdicht versiegelt wird.
10. Verpackungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem eine Schicht des mehrschichtigen Films (11) des wasserdampfdichten Beutelteils (8) eine Schicht (18) ist, die innere Ladungen verhindert.
11. Verpackungsverfahren nach Anspruch 10, bei dem die innere Ladungen verhindernde Schicht (18) eine mit einem Antistatikmittel vermischte Polyethylenschicht ist.
12. Verpackungsverfahren nach Anspruch 10, bei dem das Halbleiter-Bauelement für Oberflächenmontage (12) in einem Transporthilfsmittel (13/55) untergebracht wird.
13. Verpackungsverfahren nach Anspruch 12, bei dem das Transporthilfsmittel ein Magazin (13) ist.
14. Verpackungsverfahren nach Anspruch 12, bei dem das Transporthilfsmittel eine Schale (55) ist.
15. Verpackungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem eine Schicht des mehrschichtigen Films (11) des wasserdampfdichten Beutelteils (8) eine Außenladungen verhindernde Schicht (21) ist.
16. Verpackungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der mehrschichtige Film (11) des wasserdampfdichten Beutelteils (8) über eine Sperrschicht (20) zum besseren Verhindern des Eindringens von Wasserdampf verfügt.
17. Verpackungsverfahren nach Anspruch 16, bei dem der mehrschichtige Film (11) des wasserdampfdichten Beutelteils (8) über zwei Ladungen verhindernde Schichten verfügt, wobei die eine Ladungen verhindernde Schicht innerhalb der Sperrschicht (20) liegt und die andere der Ladungen verhindernde Schicht außerhalb der Sperrschicht liegt.
18. Verpackungsverfahren nach einem der Ansprüche 16 oder 17, bei dem die Sperrschicht (20) aus Vinylidenchlorid besteht.
19. Verpackungsverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 16 oder 17, bei dem die Sperrschicht (20) aus Aluminium besteht.
20. Verpackungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, das ferner folgendes aufweist:
- Unterbringen des wasserdampfdichten Beutelteils (8) in einem Außenkasten (7) nach dem Einschweißen des Halbleiter- Bauelements (12) für Oberflächenmontage im wasserdampfdichten Beutelteil (8).
21. Verfahren zum Montieren mindestens eines Halbleiter- Bauelements (12) für Oberflächenmontage auf einem Montagesubstrat (94) mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines wasserdampfdichten Beutelteils (8), Einschweißen des Halbleiter-Bauelements (12) für Oberflächenmontage und eines Entwässerungsmittels (5) darin, wobei das wasserdampfdichte Beutelteil (8) aus einem mehrschichtigen Film (11) besteht;
- anschließendes Entnehmen des Halbleiter-Bauelements (12) für Oberflächenmontage aus dem wasserdampfdichten Beutelteil (8); und
- Montieren des Halbleiter-Bauelements (12) für Oberflächenmontage auf dem Montagesubstrat (94) durch Erhitzen des Halbleiter-Bauelements;
- wobei ein Zerstören des Halbleiter-Bauelements (12) dadurch verhindert wird, daß dieses Halbleiter-Bauelement (12) bald nach dem Öffnen des wasserdampfdichten Beutelteils (8) und nach seinem Entnehmen auf dem Montagesubstrat (94) montiert wird.
22. Verfahren zum Montieren mindestens eines Halbleiter- Bauelements (12) für Oberflächenmontage auf einem Montagesubstrat (94) mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines wasserdampfdichten Beutelteils (8), Einschweißen des Halbleiter-Bauelements (12) für Oberflächenmontage und eines Entwässerungsmittels (5) darin, wobei das wasserdampfdichte Beutelteil (8) aus einem mehrschichtigen Film (11) besteht;
- anschließendes Entnehmen des Halbleiter-Bauelements (12) für Oberflächenmontage aus dem wasserdampfdichten Beutelteil (8); und
- Erfassen der Feuchtigkeit innerhalb des wasserdampfdichten Beutelteils (8); und
- Montieren des Halbleiter-Bauelements (12) für Oberflächenmontage auf dem Montagesubstrat (94) durch Erhitzen des Halbleiter-Bauelements.
23. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 22, ferner mit dem Schritt des Ausheizens des Halbleiter-Bauelements (12) vor seiner Montage auf dem Montagesubstrat (94), wenn die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung eine Feuchtigkeit über einer vorgegebenen Feuchtigkeit zeigt.
24. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 22, bei dem die Montage bald nach dem Entnehmen des Halbleiter-Bauelements (12) ausgeführt wird, wenn die Feuchtigkeitsanzeigeeinrichtung eine geringere als eine vorgegebene Feuchtigkeit aufweist.
25. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 21 oder Anspruch 24, bei dem das Halbleiter-Bauelement (12) innerhalb einer Woche nach seinem Entnehmen aus dem wasserdampfdichten Beutelteil (8) auf dem Montagesubstrat (94) montiert wird.
26. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 25, bei dem das Halbleiter-Bauelement (12) innerhalb von zwei bis drei Tagen nach seinem Entnehmen aus dem wasserdampfdichten Beutelteil (8) auf dem Montagesubstrat (94) montiert wird.
27. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 26, bei dem das Halbleiter-Bauelement (12) innerhalb einiger weniger Stunden nach seinem Entnehmen aus dem wasserdampfdichten Beutelteil (8) auf dem Montagesubstrat (94) montiert wird.
28. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 21 bis 27, bei dem das Halbleiter-Bauelement (12) durch Aufschmelzlöten auf dem Montagesubstrat (94) montiert wird.
29. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 28, bei dem das Aufschmelzlöten durch Infrarotaufschmelzen erfolgt.
30. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 28, bei dem das Aufschmelzlöten ein Dampfphasenaufschmelzen ist.
31. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 28, bei dem das Aufschmelzlöten dadurch vorgenommen wird, daß das Halbleiter-Bauelement (12) und das Montagesubstrat (94) in einem Heizofen angeordnet werden.
32. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 21 bis 31, bei dem der mehrschichtige Film (11) über eine Sperrschicht (20) zum Verhindern des Eindringens von Wasserdampf verfügt.
33. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 32, bei dem das wasserdampfdichte Beutelteil (8) über zwei Ladungen verhindernde Schichten (18, 21) verfügt, wobei die eine der Ladungen verhindernden Schichten (18, 21) innerhalb der Sperrschicht (20) liegt und die andere der Ladungen verhindernden Schichten (18, 21) außerhalb der Sperrschicht (20) liegt.
34. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 32 oder Anspruch 33, bei dem die Sperrschicht (20) aus Vinylidenchlorid besteht.
35. Montageverfahren für ein Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 32 oder Anspruch 33, bei dem die Sperrschicht (20) aus Aluminium besteht.
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