DE10162676A1 - Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number
DE10162676A1
DE10162676A1 DE10162676A DE10162676A DE10162676A1 DE 10162676 A1 DE10162676 A1 DE 10162676A1 DE 10162676 A DE10162676 A DE 10162676A DE 10162676 A DE10162676 A DE 10162676A DE 10162676 A1 DE10162676 A1 DE 10162676A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
system carrier
openings
semiconductor chip
plastic
rewiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10162676A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10162676B4 (de
Inventor
Juergen Zacherl
Martin Reis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10162676A priority Critical patent/DE10162676B4/de
Priority to US10/325,251 priority patent/US6933595B2/en
Publication of DE10162676A1 publication Critical patent/DE10162676A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10162676B4 publication Critical patent/DE10162676B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil (1) und einen Systemträger (20) sowie Verfahren zur Herstellung derselben. Das elektronische Bauteil (1) weist einen Halbleiterchip (2) auf, der mit seiner Oberseite (5) auf einer Umverdrahtungsplatte (3) über eine doppelseitig klebende Folie (6) fixiert ist. Die Umverdrahtungsplatte (3) weist auf ihrer Unterseite (7) Durchgangsöffnungen (8) in ihrem Randbereich auf. Diese sind mit einer Kunststoffmasse (9) gefüllt, die gleichzeitig den Halbleiterchip (2) und die Umverdrahtungsplatte (3) als mechanische Klammer (10) zusammenhält.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein elektronisch Bauteil und einen Systemträger sowie Verfahren zu deren Herstellung gemäß der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
  • Elektronische Bauteile, die im wesentlichen aus einem Halbleiterchip mit darauf angeordneter Umverdrahtungsplatte bestehen, zeigen häufig Ausfallerscheinungen in Form von Mikrorissen in den Ecken des Halbleiterchips und in Form von Verwölbungen der Umverdrahtungsplatte gegenüber der Oberseite des Halbleiterchips bei den verschiedenen Temperaturprozessen. Derartige Verwölbungen können zum vollständigen Versagen des elektronischen Bauteils führen, das gleiche gilt für die Mikrorisse in den Ecken des Halbleiterchips.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verwölben der Umverdrahtungsplatte bei den verschiedenen Temperaturprozessen und die Gefahr von Mikrorissen in den Ecken der Halbleiterchips weitgehend zu vermeiden und die Ausfallrate der elektronischen Bauteile herabzusetzen.
  • Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Zur Lösung der obigen Aufgabe wird ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte geschaffen, bei dem die Oberseite der Umverdrahtungsplatte mit der aktiven Oberseite des Halbleiterchips durch eine doppelseitig klebende Folie verbunden ist und bei dem die Umverdrahtungsplatte auf ihrer Unterseite Durchgangsöffnungen aufweist, die mit einer Kunststoffmasse aufgefüllt sind. Diese Kunststoffmasse umgibt gleichzeitig den gesamten Halbleiterchip in einhüllender Weise auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte.
  • Dabei bildet die Kunststoffmasse in den Durchgangsöffnungen der Umverdrahtungsplatte mit der Umhüllung des Halbleiterchips eine mechanische Klammer aus Kunststoff sowohl für den Halbleiterchip als auch für die Umverdrahtungsplatte. Diese mechanische Klammer aus einer Kunststoffmasse hat den Vorteil, dass Verwölbungen der Umverdrahtungsplatte auf dem Halbleiterchip behindert werden. Darüber hinaus hat die klammernde Kunststoffmasse den Vorteil, dass sich Fehlanpassungen der Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips und der Umverdrahtungsplatte nicht in der Weise auswirken können, dass Mikrorisse in den Ecken des Halbleiterchips gebildet werden. Trotz des unsymmetrischen Aufbaus von derartigen Bauteilen in Form von BOC-Gehäusen (board-on-chip-Gehäusen) kann es nicht mehr zu ungleichmäßigen mechanischen Belastungen des BOC- Gehäuses kommen. Durch die Kunststoffklammer kann sich kein erheblicher mechanischer Stress der verschiedenen Bestandteile des BOC-Gehäuses in dem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 125°C für elektronische Bauteile auf diese zerstörend auswirken.
  • Trotz des relativ unsymmetrischen Aufbaus des erfindungsgemäßen Gehäuses aus Umverdrahtungsplatte und Halbleiterchip kann durch die Klammerwirkung der Kunststoffmasse die Fehlanpassung zwischen Umverdrahtungsplatte und Halbleiterchip bei thermischer Belastung kompensiert werden.
  • Neben dieser positiven Wirkung der erfindungsgemäßen Kunststoffklammer kann mit den Einführungen der Durchgangsöffnungen der Anteil an Kunststoffmasse im Gehäuse vergrößert werden und ein Rundherum-Kantenschutz durch die Kunststoffmasse erreicht werden. Durch das Einhüllen des Chips in eine Kunststoffmasse werden nicht nur die Kanten des Halbleiterchips gesichert, sondern kann auch die Unterseite vollständig und Oberseiter des Chips teilweise, nämlich in einem Bondkanal von Kunststoffmasse umgeben sein. Darüber hinaus wird eine Schutzschicht des Halbleiterchips beispielsweise aus Polyimid durch die Klammerwirkung der Kunststoffmasse auf Druck- und nicht mehr auf Zugbelastung beansprucht. Somit können sich keine Mikrorisse in dem Halbleiterchip ausbilden. Auch die Auswirkungen der Umverdrahtungsplatte unter Temperaturbelastung ist im wesentlichen unterbunden und wird durch die erfindungsgemäße Anordnung geschwächt.
  • Somit weist das elektronische Bauteil gemäß der Erfindung folgende Vorteile auf:
    • - keine oder wesentlich geringere mechanische Belastung des Halbleiterchip,
    • - keine Verwölbung der Umverdrahtungsplatte während der Prozeßschritte mit Temperatureinfluß,
    • - geringere Feuchteaufnahme des Gehäuseaufbaus,
    • - kompletter Kantenschutz des Halbleiterchips
    • - die empfindliche Schutzschichtkante auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips ist nicht im Kontakt mit dem Klebstoff der doppelseitig klebenden Folie, sondern lediglich in Kontakt mit der Kunststoffmasse, die keine Zugbelastung auf die Schutzschichtkante auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips ausübt.
  • Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass die Kunststoffmasse eine Gehäusespritzgußmasse für elektronische Halbleiterbauteile ist. Derartige Gehäusespritzgußmassen haben den Vorteil, dass sie nach dem Druckspritzprozess von der Schmelztemperatur abkühlen und dabei stärker schrumpfen, als die Bestandteile des elektronischen Bauteils aus Halbleiterchip und Umverdrahtungsplatte. Somit wirkt auf diese im abgekühlten Zustand eine hohe Druckkraft, die beide einerseits zusammenhält, so dass ein Verwölben gegeneinander nicht auftreten kann und zusätzlich einen Druck sowohl auf die Umverdrahtungsplatte als auch auf den Halbleiterchip ausübt, so dass Zugbelastungen beider Teile im wesentlichen unterbunden werden.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Kunststoffmasse bis zu 15 Vol.% Kurzfasern auf. Diese Kurzfasern haben den Vorteil, dass sie ohne Änderungen des Moldprozesses mit der Gehäusespritzgußmasse im Druckspritzverfahren aufgebracht werden können und gleichzeitig jedoch die Festigkeit gegenüber Zugbelastung des umgebenden und den Chip einhüllenden Kunststoffes deutlich erhöhen. Mit dieser deutlichen Erhöhung ist verbunden, dass die Klammerwirkung sich voll über die Durchgangsöffnungen in der Umverdrahtungsplatte und über die kantenumhüllenden Flächen auswirken kann.
  • Eine andere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Kunststoffmasse bis zu 15 Vol.% Füllstoff aufweist. Dieser Füllstoff kann aus Keramikpartikeln bestehen und Keramikpartikel aus Aluminiumoxid, Siliciumnitrid oder Siliciumkarbid oder Mischungen derselben aufweisen. Mit diesem Füllstoff wird erreicht, dass der Kunststoff einerseits fester wird und andererseits eine erhebliche Zugbelastung aufnehmen kann, ohne dass die Klammer an empfindlichen Stellen, wie dem Übergang von Umverdrahtungsplatte zu dem Halbleiterchip, zu Bruch geht.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Kunststoffmasse ein Epoxidharz aufweist. Derartige Epoxidharze können durch ihre spezifische Zusammensetzung genau auf die Erfordernisse der Druckübertragung auf die Komponenten des elektronischen Bauteils, wie Halbleiterchip und Umverdrahtungsplatte abgestimmt werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die mit Kunststoffmasse gefüllten Durchgangsöffnungen in der Umverdrahtungsplatte im Randbereich der Umverdrahtungsplatte angeordnet, wobei teilweise der Rand des Halbleiterchips auf der Oberseite der Umverdrahtungsplatte die Durchgangsöffnungen überlappt. Mit dieser Ausführungsform der Erfindung wird erreicht, dass die oberste Schicht des Halbleiterchips, nämlich eine Isolationsschicht, in ihrem Kantenbereich von Kunststoffmasse umgeben wird. Diese Isolationsschicht kann aus einer Polyimidschicht, einer Siliciumnitridschicht oder einer Siliciumdioxidschicht bestehen. Sie soll gewährleisten, dass die Leitungen auf der Oberseite des Halbleiterchips vor Kurzschlüssen und äußeren Einflüssen geschützt werden, dass diese Schicht, die im wesentlichen aus Polyimid besteht. Durch die Überlappung des Halbleiterchips mit den Durchgangsöffnungen im Randbereich der Umverdrahtungsplatte wird erreicht, dass auf die Kanten der isolierenden Schutzschicht eine Druckeinwirkung der Kunststoffklammmer aufgebaut wird. Diese Druckeinwirkung sorgt dafür, dass die Zugbelastung, die von dem Klebstoff der doppelseitig klebenden Kunststoffolie ausgeht, kompensiert wird. Damit wird gleichzeitig erreicht, dass die Gefahr der Mikrorißbildung innerhalb des Halbleiterchips und insbesondere in seinen Ecken vermindert wird.
  • In mehreren unterschiedlichen Ausführungsformen der Erfindung kann die Klammerwirkung optimiert werden. In einer dieser Ausführungsformen weisen gegenüberliegende Randbereiche der Umverdrahtungsplatte mit Kunststoffmasse gefüllte Durchgangsöffnungen auf. Diese Durchgangsöffnungen sind im Prinzip lange Schlitze, die sich entlang der gegenüberliegenden Randbereiche erstrecken und somit eine Klammer bilden, die ein Verschieben oder Verwölben der Umverdrahtungsplatte vermeiden.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Eckbereiche der Umverdrahtungsplatte mit Kunststoffmasse gefüllte winklige Durchgangsöffnungen aufweisen. Derartige Winkel als Durchgangsöffnungen, die anschließend mit Kunststoffmasse gefüllt werden, haben den Vorteil, dass sie insbesondere die sehr empfindlichen Ecken des Halbleiterchips vor Mikrorissen schützen, indem sie thermische Spannungen kompensieren.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Erfindung ist es vorgesehen, einen Systemträger für mehrere elektronische Bauteile zu schaffen, wobei der Systemträger auf seiner Oberseite mehrere Bauteilpositionen zum Positionieren einer doppelseitig klebenden Folie und zum Anbringen jeweils eines Halbleiterchips in jeder Bauteilposition aufweist. Zusätzlich weist der Systemträger in jeder der Bauteilpositionen und dort insbesondere in den Randseiten der Bauteilpositionen Durchgangsöffnungen zum Einbringen einer mechanischen Klammer aus Kunststoff auf.
  • Derartige Durchgangsöffnungen können teilweise zylindrisch sein, das heißt es sind einfache Bohrungen durch die Umverdrahtungsplatte und damit durch den Systemträger hindurch. Der Systemträger ist damit gleichzeitig in jeder Bauteilposition der Lieferant für die Umverdrahtungsplatte, das heißt das Material des Systemträgers und der Schichtaufbau des Systemträgers entspricht dem Material und dem Schichtaufbau der Umverdrahtungsplatte, so dass die Bauteilposition des Systemträgers gleichzeitig die Umverdrahtungsplatte für jedes einzelne elektronische Bauteil darstellt.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Durchgangsöffnungen teilweise streifenförmig ausgebildet sind. Diese Streifen sind im Randbereich angeordnet und verlaufen parallel zur Kante der Bauteilpositionen und sind Durchgangsöffnungen, so dass sie von der Oberseite des Systemträgers aus mit Kunststoff befüllt werden können, der dann bis zur Unterseite des Systemträgers, auf der die Durchgangsöffnungen zu sehen sind, durchdringt.
  • Neben streifenförmigen und zylindrischen Durchgangsöffnungen sind auch teilweise winklige Durchgangsöffnungen vorgesehen, die insbesondere in den Eckbereichen der Umverdrahtungsplatte angeordnet sind. Eine derartige, Anordnung in den Eckbereichen umklammert insbesondere auch die empfindlichen Eckbereiche jedes einzelnen elektronischen Halbleiterchips sobald die Umverdrahtungsleitungen mit den entsprechenden Chips verbunden sind und eine Moldmasse von der Chipseite aus durch die Durchgangsöffnungen hindurch eingebracht worden ist.
  • Neben den eine Klammerfunktion ausübenden Durchgangsöffnungen im Randbereich jeder Bauteilposition des Systemträgers weist der Systemträger in jeder Bauteilposition als weitere Durchgangsöffnung einen Bondkanal auf. Dieser Bondkanal hat mit der spannungsentlastenden Klammerfunktion nichts zu tun, er ist vielmehr erforderlich, um die mikroskopisch kleinen Kontaktflächen des Halbleiterchips über Bondverbindungen und Umverdrahtungsleitungen auf makroskopische Außenkontaktflächen zu vergrößern. Diese Außenkontaktflächen sind auf der Umverdrahtungsplatte und deren Unterseite gleichmäßig verteilt, und zwar in Zeilen und Spalten, und liefern somit wesentlich größere Zugriffsmöglichkeiten auf die elektronische Schaltung des Halbleiterchips als die mikroskopisch kleinen Kontaktflächen unmittelbar auf dem Halbleiterchip.
  • In diesem Zusammenhang bedeutet mikroskopisch klein eine Abmessung im Mikrometerbereich, die nur noch unter einem Lichtmikroskop meßbar ist, während makroskopische Abmessungen bedeuten, dass diese bereits mit bloßem Auge erkennbar und mit einfachen Hilfsmitteln meßbar sind.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der Systemträger in jeder Bauteilposition auf seiner Unterseite Umverdrahtungsleitungen mit Bondenden und Außenkontaktflächen auf. Diese Bondenden können einerseits verlängerte Umverdrahtungsleitungen sein, die als Leitungsbrücken über den Bondkanal geführt sind und somit unmittelbar als Flachleiter auf die Kontaktflächen des Halbleiterchips bondbar sind oder diese Bondenden können auch am Rand des Bondkanals direkt enden, so dass es erforderlich wird, Bonddrähte einzusetzen, um die Bondenden mit den mikroskopisch kleinen Kontaktflächen des Halbleiterchips zu verbinden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers weist folgende Verfahrensschritte auf.
    • - Bereitstellen einer Kernplatte aus glasfaserverstärktem Kunststoff mit einer strukturierten Metallschicht, die Umverdrahtungsleitungen mit Bondenden und mit Außenkontaktflächen in mehreren Bauteilpositionen auf der Unterseite der Kernplatte aufweist,
    • - Aufbringen einer Isolationsschicht auf die Unterseite der Kernplatte unter Freilassen der Bondenden und der Außenkontaktflächen für Bondverbindungen bzw. Außenkontakte auf den Enden der Umverdrahtungsleitungen,
    • - Einbringen von Durchgangsöffnungen in jeder Bauteilposition einmal als Bondkanal und zum anderen in den Randbereichen jeder Bauteilposition zur Aufnahme einer mechanischen Klammer aus einer Kunststoffmasse.
  • Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass mit dem Systemträger bereits alle Voraussetzungen geschaffen werden, um ein erfindungsgemäßes elektronisches Bauteil an mehreren Bauteilpositionen positionieren zu können. Dabei hat dieses Verfahren den besonderen Vorteil, dass die für das erfindungsgemäße elektronische Bauteil erforderlichen Durchgangsöffnungen gleichzeitig in einem Schritt mit der Herstellung der Bondkanalöffnungen erfolgen kann. Somit sind keine zusätzlichen Verfahrensschritte erforderlich, um einen geeigneten Systemträger herzustellen.
  • Da die Oberflächen der Metallschicht nicht gleichzeitig für ein Bonden und für ein Aufbringen von Außenkontakten geeignet sind, ist in weiteren Verfahrensschritten vorgesehen, dass auf die freigelassenen Bondenden eine bondbare Beschichtung aufgebracht wird. Außerdem kann danach oder davor auf die freigelassenen Außenkontaktflächen eine Lotbeschichtung aufgebracht werden. Sowohl die bondbare Beschichtung als auch die Lotbeschichtung können vor oder auch nach dem Einbringen der Durchgangsöffnungen in dem Randbereich jeder Bauteilposition für die Kunststoffklammer und für den Bondkanal erfolgen.
  • Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass das Einbringen von Durchgangsöffnungen in jeder Bauteilposition des Systemträgers mittels Stanztechnik erfolgt. Eine derartige Stanztechnik hat sich bereits bewährt, so dass mit dieser Stanztechnik gleichzeitig und parallel viele Bauteilpositionen eines Systemträgers mit einem einzigen Stanzvorgang hergestellt werden können.
  • Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens erfolgt das Einbringen von Durchgangsöffnungen in jeder Bauteilposition des Systemträgers mittels Laserabtrag. Ein derartiger Laserabtrag ist insbesondere dann angebracht, wenn das Bonden durch Bonden von verlängerten Umverdrahtungsleitungen im Bondkanal erfolgen soll, das heißt, dass die Metallschicht auf der Umverdrahtungsplatte unmittelbar derart strukturiert ist, dass sich Leiterbahnbrücken über dem Bondkanal ausbilden, die nun durch einen Laserabtrag in schonender Weise freigelegt werden können. Dieser Laserabtrag kann gleichzeitig neben dem Bondkanal auch für die Durchgangsöffnungen im Randbereich jeder Bauteilposition des Systemträgers eingesetzt werden.
  • Das Herstellen des elektronischen Bauteils weist zusätzlich zum Herstellen eines Systemträgers noch folgende Verfahrensschritte auf.
    • - Aufbringen einer strukturierten doppelseitig klebenden Folie mit Öffnungen in jeder Bauteilposition auf die Oberseite des Systemträgers, wobei die doppelseitig klebende Folie kleiner als eine auf der Oberseite des Halbleiterchips angeordnete Schutzschicht ausgebildet ist,
    • - Aufbringen eines Halbleiterchips mit seiner aktiven Oberseite auf die doppelseitig klebende Folie,
    • - Herstellen von Bondverbindungen zwischen den Umverdrahtungsleitungen auf der Unterseite des Systemträgers und Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips im Bereich des Bondkanals in jeder Bauteilposition des Systemträgers,
    • - Aufbringen einer Kunststoffmasse zum Einhüllen des Halbleiterchips auf der Oberseite des Systemträgers und zum Auffüllen des Bondkanals sowie der Durchgangsöffnungen in den Randbereichen jeder Bauteilposition des Systemträgers,
    • - Auftrennen des Systemträgers mit mehreren Halbleiterchips, der von einer geschlossenen Kunststoffmasse bedeckt ist, in einzelne elektronische Bauteile.
  • Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass mit einer begrenzten Zahl von Verfahrensschritten neben dem Auffüllen des Bondkanals auch gleichzeitig die Klammer aus Kunststoff in den Durchgangsöffnungen jeder Bauteilposition hergestellt werden kann. Darüber hinaus hat das Verfahren den Vorteil, dass der gesamte Systemträger für alle Bauteilpositionen mit einer geschlossenen Kunststoffmasse bedeckt wird, so dass äußerst geringe Anforderungen an die Spritzgußform zu stellen sind. Erst in einem letzten oder vorletzten Verfahrensschritt wird dann der Systemträger mit Kunststoffmasse und eingebetteten Halbleiterchips und Bondverbindungen in einzelne elektronische Bauteile getrennt. Diese elektronischen Bauteil können bereits Außenkontakte aufweisen, wenn vor dem Auftrennen des Systemträgers in den einzelnen Positionen der Außenkontaktflächen der Umverdrahtungsleitungen derartige Außenkontakte in Form von Lotbällen aufgebracht wurden.
  • Wenn der Systemträger bereits Leitungsbrücken über jeden der Bondkanäle aufweist, die zu den Kontaktflächen des Halbleiterchips ausgerichtet sind, so kann beim Herstellen der Bondverbindungen ein Verfahren angewandt werden, bei dem lediglich diese Leitungsbrücken an Sollbruchstellen aufgetrennt und dann mit einem einfachen Bondschritt auf die Kontaktflächen des Halbleiterchips gepreßt werden.
  • Weist der Systemträger keine derartigen Leitungsbrücken über den Bondkanälen auf, so wird von den Bondenden aus, die mit einer bondbaren Beschichtung beschichtet sein können, ein Bonddraht gebonded und zu der Kontaktfläche auf dem Halbleiterchip geführt. Bei beiden Bondverfahren können in einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens das Thermosonicbonden, das Ultraschallbonden oder das Thermokompressionsbonden eingesetzt werden.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass mit dieser Erfindung ein Systemträger vorliegt, der es zuläßt, dass der Halbleiterchip sowohl an der Kante als auch an der Ober- und Unterseite komplett mit Kunststoffmasse umgeben ist und gleichzeitig diese Kunststoffmasse in die Umverdrahtungsplatte in jeder Bauteilposition des Systemträgers eingreift und eine Klammer bildet, welche die Umverdrahtungsplatte und den Halbleiterchip zusammenhält. Dabei wird gleichzeitig die doppelseitig klebende Folie daran gehindert, eine Zugbelastung in den Halbleiterchip über eine Schutzschicht zu induzieren, da die Kanten der obersten Schicht des Halbleiterchips, nämlich die Kanten der Schutzschicht nun von der Kunststoffmasse der Klammer aufgenommen werden.
  • Somit kann ähnlich wie beim LOC-Package (lead frame an cip) die Kunststoffmasse so ausgewählt werden, dass sie auf die Schutzschichtkante während eines Stresstestes nur einen Druck-, aber keine Zugbelastung ausübt. Außerdem kann das Design der Kunststoffmasse so gewählt werden, dass eine Verwölbung des Substrats unter einer Temperaturbelastung, wie Wärmeschritten, nicht mehr oder äußerst geschwächt stattfindet. Somit ist auch das Problem der Mikrorisse in den Ecken des Halbleiterchips aufgrund von Zugbelastung, die bisher aufgrund der Fehlanpassung zwischen Halbleiterchip und doppelseitig klebender Folie bestanden, weitgehend gelöst und die teilweise große Verwölbung des Substrats während der verschiedenen Temperaturprozesse ist unterbunden.
  • Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beigefügten Figuren näher erläutert.
  • Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich eines elektronischen Bauteils einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
  • Fig. 2 zeigt eine schematische Untersicht auf das elektronische Bauteil der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 1,
  • Fig. 3 zeigt eine schematische Untersicht auf einen Teilbereich eines Systemträgers für den Aufbau eines elektronischen Bauteils gemäß Fig. 1,
  • Fig. 4 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Teilbereichs eines Systemträgers nach dem Aufsetzen eines Halbleiterchips und dem Herstellen von Bondverbindungen,
  • Fig. 5 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Teilbereichs eines Systemträgers nach dem Aufbringen einer Kunststoffmasse,
  • Fig. 6 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Teilbereichs eines Systemträgers nach dem Aufbringen von Außenkontakten,
  • Fig. 7 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
  • Fig. 8 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils einer dritten Ausführungsform der Erfindung,
  • Fig. 9 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
  • Fig. 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich eines elektronischen Bauteils 1 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Das Bezugszeichen 2 kennzeichnet einen Halbleiterchip, auf dem bei diesem elektronischen Bauteil 1 eine Umverdrahtungsplatte 3 angeordnet ist. Die Umverdrahtungsplatte 3 wird von einer doppelseitig klebenden Folie 6 auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchip 2 unter Freilassung eines Bondkanals 23 fixiert. Die aktive Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 weist im Bereich des Bondkanals Kontaktflächen 34 auf.
  • Das Bezugszeichen 4 kennzeichnet die Oberseite der Umverdrahtungsplatte 3. Die Unterseite der Umverdrahtungsplatte 3 wird mit dem Bezugszeichen 7 gekennzeichnet. Zwischen der Unterseite 7 der Umverdrahtungsplatte 3 und der Oberseite 4 der Umverdrahtungsplatte 3 sind mehrere Schichten angeordnet. Das Bezugszeichen 27 kennzeichnet eine Kernplatte der Umverdrahtungsplatte 3. Diese Kernplatte 27 weist einen faserverstärkten Kunststoff auf. Diese Kernplatte 27 ist auf ihrer Unterseite mit einer Metallschicht 28 beschichtet, diese Metallschicht 28 ist in Umverdrahtungsleitungen 24 strukturiert. Die Umverdrahtungsleitungen 24 verbinden Bondenden 25 im Randbereich des Bondkanals 23 mit Außenkontaktflächen 26, die über die Unterseite 7 der Umverdrahtungsplatte 3 in Zeilen und Spalten verteilt sind.
  • Das Bezugszeichen 32 kennzeichnet eine Lotbeschichtung auf den Außenkontaktflächen 26 und das Bezugszeichen 31 kennzeichnet eine bondbare Beschichtung auf den Bondenden 25 der Umverdrahtungsleitungen 24. Unmittelbar auf der strukturierten Metallschicht 28 ist unter Freilassung von Bondenden 25 und von Außenkontaktflächen 26 als unterste Schicht auf der Unterseite 7 der Umverdrahtungsplatte 3 eine Isolationsschicht 29 angeordnet. Dieser Schichtaufbau der Umverdrahtungsplatte 3 aus einer Isolationsschicht 29, einer darunterliegenden strukturierten Metallschicht 28 und einer Kernplatte 27, welche diese Schichtfolge trägt, weist eine Fehlanpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Kernplatte 27 der Umverdrahtungsplatte 3 und dem Halbleitermaterial des Halbleiterchips 2 auf.
  • Um dieser Fehlanpassung entgegenwirken zu können, weist die Umverdrahtungsplatte 3 in ihren Randbereichen Durchgangsöffnungen 8 auf. Diese Durchgangsöffnungen 8 sind mit einer Kunststoffmasse 9 aufgefüllt, die gleichzeitig den Halbleiterchip 2 auf der Oberseite 4 der Umverdrahtungsplatte 3 umhüllt. Dabei bildet die Kunststoffmasse 9 eine mechanische Klammer 10 zwischen Halbleiterchip 2 und dem Randbereich der Umverdrahtungsplatte 3 aus, so dass die obenerwähnte thermische Fehlanpassung durch die Klammer 10 kompensiert wird. Um mechanisch die als Klammer 10 dienende Kunststoffmasse 9 zu verstärken, kann diese Kunststoffmasse Kurzfasern bis zu 15 Vol.% aufweisen. Die Mischung aus Kurzfasern und Kunststoffmasse kann störungsfrei in einem Arbeitsschritt vergossen werden und die Festigkeit der Klammer erheblich steigern.
  • Auf der Oberseite 4 der Umverdrahtungsplatte 3 ist unter Freilassung des Bondkanals 23 und unter Freilassung der Durchgangsöffnungen 8 die doppelseitig klebende Folie aufgebracht. Diese doppelseitig klebende Folie 6 ist dreischichtig in dieser Ausführungsform der Erfindung aufgebaut. Das Kernmaterial 44 der doppelseitig klebenden Folie 6 besteht im wesentlichen aus einem Polytetrafluorethylengewebe. Die Oberseite und die Unterseite des Polytetrafluorethylengewebes sind mit einem Klebstoff auf Epoxidbasis beschichtet, wobei die Unterseite mit der Umverdrahtungsplatte 3 adhäsiv verbunden ist und die Oberseite mit ihrem Klebstoff die aktive Oberseite des Halbleiterchips 2 fixiert. Dabei ist die doppelseitig klebende Folie 6 derart bemessen, dass sie eine oberste Schutzschicht 39 des Halbleiterchips 2 nicht vollständig bedeckt. Vielmehr bleiben die Flächen im Bereich der Kanten 40 dieser Schutzschicht frei von adhäsivem Klebstoff. Gleichzeitig sind die Durchgangsöffnungen 8 im Randbereich der Umverdrahtungsplatte 3 derart bemessen, dass der Halbleiterchip 2 mit seinem Randbereich die Durchgangsöffnungen 8 überlappt. Somit können die Kanten 40 der Schutzschicht 39vollständig mit Kunststoffmasse 9 umgeben werden. Dadurch wirkt die mechanische Klammer 10 aus Kunststoffmasse auch auf die Kanten 40 der Schutzschicht 39 und verhindert somit eine Zugbelastung durch den Klebstoff auf der Oberseite der Schutzschicht 39 und verhindert damit gleichzeitig eine Zugbelastung des darunterliegenden monokristallinen Halbleiterchips 2.
  • Der Klebstoff ist somit mit seiner Oberseite lediglich auf die aktive Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 gepreßt, aber nicht auf den Kantenbereich. Dabei wird lediglich die Oberfläche der Schutzschicht 39 aus Siliciumnitrid, Siliciumkarbid oder einem Polyimid auf die aktive Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 in den Klebstoff der doppelseitig klebenden Folie 6 eingeprägt. Die Klebstoffschicht auf der Unterseite der doppelseitig klebenden Folie 6 ist unmittelbar auf die Kernplatte 27 der Umverdrahtungsplatte 3 fixiert. Somit ermöglicht der Aufbau der Umverdrahtungsplatte 3 in Verbindung mit der Kunststoffmasse 9 eine Verringerung der Bauteilhöhe des gesamten Bauteils.
  • Bei einem symmetrischen Aufbau der Umverdrahtungsplatte 3 wäre sowohl auf der Oberseite der Kernplatte 27 als auch auf der Unterseite der Kernplatte 27 eine Isolationsschicht vorzusehen. Bei der erfindungsgemäßen Ausführungsform ist jedoch lediglich die Unterseite 7 der Umverdrahtungsplatte 3 mit einer Isolationsschicht 39 versehen. Somit wird mit dieser Ausführungsform der Erfindung ein sehr kompakter Aufbau erreicht. Ferner weist die Unterseite des Bauteils eine geschlossene Kunststoffschicht auf, so dass gegenüber vollständig verpackten elektronischen Bauteilen auch hier ein Raumgewinn zu verzeichnen ist.
  • Ein weiterer Vorteil der Ausführungsform nach Fig. 1 ist, dass die Höhen der Kunststoffmasse 9 in den Durchgangsöffnungen 8 mit der Höhe der Kunststoffmasse 41 in dem Bondkanal 23 aufeinander angepaßt werden können. Dadurch kann beim Anbringen des elektronischen Bauteils 1 auf einem übergeordneten Leiterplattensystem die Anschmelzung der Außenkontakte 30 in Form von Lötbällen 36 auf den Außenkontaktflächen 26 auf die Höhe der Kunststoffmasse 9 der Durchgangsöffnungen 8 beziehungsweise auf die Höhe der Kunststoffmasse 41 in dem Bondkanal 23 begrenzt werden.
  • Fig. 2 zeigt eine schematische Untersicht auf ein elektronisches Bauteil 1 der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 1. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in Fig. 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Die hier gezeigte Unterseite des elektronischen Bauteils 1 weist sechzig Außenkontakte 30 auf. Diese sechzig Außenkontakte 30 sind in sechs Zeilen und zehn Spalten angeordnet und lassen im Zentrum des elektronischen Bauteils 1 einen mit einer gestrichelten Linie gekennzeichneten Bondkanal 23 frei. In diesem Bondkanal 23, bei dem die aktive Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 skizziert ist, sind auf der aktiven Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 Kontaktflächen 34 angeordnet. Diese Kontaktflächen 34 sind über Bondverbindungen 33 mit den Bondenden 25 der Umverdrahtungsleitungen 24 verbunden. Die Umverdrahtungsleitungen 24 führen von den mikroskopisch kleinen Bondenden 25 zu makroskopischen Außenkontaktflächen 26, auf denen über eine Lotbeschichtung 32 Lotbälle 36 als Außenkontakte 30 fixiert sind.
  • Die in Fig. 2 gezeigten Umverdrahtungsleitungen 24 sind nur dann zu sehen, wenn die Isolationsschicht 29, die als Lötstoppschicht auf den Umverdrahtungsleitungen 24 liegt, transparent ist. Ähnliches gilt für den mit einer gestrichelten Linie begrenzten Bondkanal 23 und die darin angeordneten Kontaktflächen 34, die von einer undurchsichtigen Kunststoffmasse 41 bedeckt sind und üblicherweise nicht sichtbar sind. In der Fig. 2 sind sie nur deshalb skizziert, um die Verbindung von den Kontaktflächen 34 des Halbleiterchips 2 zu den Außenkontaktflächen 36 für die Außenkontakte 30 sichtbar zu machen.
  • Das kennzeichnende dieser Unterseite des elektronischen Bauteils 1 der ersten Ausführungsform sind die Durchgangsöffnungen 8 im Randbereich der Umverdrahtungsplatte 3, die mit der Kunststoffmasse 9 aufgefüllt sind, welche auch den Halbleiterchip 2, dessen Außenrand mit einer strichpunktierten Linie 45 markiert ist, einhüllen. Die Durchgangsöffnungen 8 in der Umverdrahtungsplatte 3 sind derart in dem Randbereich der Umverdrahtungsplatte 3 angeordnet, dass sie teilweise von dem Halbleiterchip 2 überlappt werden. Damit wird, wie oben erwähnt, erreicht, dass die auf der Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 angeordnete Schutzschicht 39 mit ihren Kanten 40 in den Wirkungsbereich der Kunststoff klammer 10, die aus der Kunststoffmasse 9 gebildet wird, hineinragt. Somit ist es möglich, die von der Klebstoffschicht der doppelseitig klebenden Folie 6 induzierte Zugspannung auf die Schutzschicht 39 und damit auf den Halbleiterchip 2 durch die Kunststoffklammer 10 zu kompensieren, so dass die Zugbelastung des Halbleiterchips 2 bei thermischer Beanspruchung vermindert ist.
  • Ferner zeigt die Untersicht auf das elektronische Bauteil in Fig. 2 eine Verbindungsöffnung 46 in der Umverdrahtungsplatte 3 von den Durchgangsöffnungen 8 in dem Randbereich der Umverdrahtungsplatte 3 zu einer Durchgangsöffnung 47 für den Bondkanal 23. Diese Verbindungsöffnung 46 ermöglicht es, dass die Kunststoffmasse 9 mit einem einzigen Spritzgußschritt auch den Bondkanal 23 auffüllt.
  • Fig. 3 zeigt eine schematische Untersicht auf einen Teilbereich eines Systemträgers 20 für den Aufbau eines elektronischen Bauteils 1 gemäß Fig. 1. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Die Unterseite dieses Teilstücks eines Systemträgers 20 zeigt mehrere Bauteilpositionen 22. Jede Bauteilposition 22 weist eine Durchgangsöffnung in ihrem Zentrum auf, die als Bondkanalöffnung 47 in jeder Bauteilposition 22 dient. Ferner weist der Systemträger 20 einen Randstreifen 48 auf, der mit äquidistant angeordneten Perforationsöffnungen 49 versehen ist. Dieser Randstreifen 48 mit seiner Perforation dient dem Weitertransport des Systemträgers 20 in den unterschiedlichen Verarbeitungsanlagen und dient gleichzeitig der Justage und der Ausrichtung des Systemträgers 20 in diesen Anlagen.
  • In den Randbereichen jeder Bauteilposition 22 sind zusätzliche Durchgangsöffnungen 8 vorgesehen, die mit Kunststoffmasse 9 auffüllbar sind und die derart dimensioniert sind, dass ein Halbleiterchip 2 diese Durchgangsöffnungen 8 teilweise überlappen kann. Außerdem ist in jeder Bauteilposition 22 eine Umverdrahtungsebene aus Umverdrahtungsleitungen 24, Bondenden 25 und Außenkontaktflächen 26 vorgesehen. Die Umverdrahtungsleitungen 24 sind von einer Isolationsschicht 29 abgedeckt.
  • Diese Isolationsschicht 29 lässt lediglich die Außenkontaktflächen 26 und die Bondenden 25 frei und wirkt als Lötstoppschicht beim Anbringen von Außenkontakten.
  • Die Bondenden 25 der Umverdrahtungsleitungen 24 können mit einer bondbaren Beschichtung 31 bedeckt sein. Ebenso kann auf den Außenkontaktflächen 26 eine Lotbeschichtung 32 angeordnet sein. Das Anbringen sowohl der Lotbeschichtung 32 als auch der bondbaren Beschichtung auf den Bondenden 25 kann parallel für sämtliche Außenkontaktflächen 26 bzw. Bondenden 25 auf dem Systemträger 20 durchgeführt werden. Üblicherweise sind die von einer Isolationsschicht 29 bedeckten Umverdrahtungsleitungen 24 nicht sichtbar, es sei denn die Isolationsschicht 29 ist durchscheinend oder transparent.
  • Mit den strichpunktierten Linien 50 werden die Trennspuren angedeutet, die beim Zerteilen des Systemträgers 20 in einzelne Umverdrahtungsplatten 3 auftreten. Üblicherweise erfolgt ein Durchtrennen entlang der Trennlinien 50 jedoch erst, nachdem das elektronische Bauteil in jeder Bauteilposition 22 vollständig aufgebaut ist, da dadurch die Verfahrensschritte zur Herstellung eines elektronischen Bauteils parallel auf dem Systemträger 20 durchgeführt werden können.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers, wie er in Fig. 3 gezeigt wird, weist mehrere Verfahrensschritte auf. Zunächst wird eine Kernplatte 27 aus glasfaserverstärktem Kunststoff mit einer strukturierten Metallschicht 28 auf ihrer Unterseite zur Verfügung gestellt. Die Umverdrahtungsleitungen 24 mit Bondenden 25 und Außenkontaktflächen 26 sind darauf in mehreren Bauteilpositionen 22 ausgebildet. Auf diese Kernplatte 27 wird unter Freilassung der Bondenden 25 und der Außenkontaktflächen 26 eine Isolationsschicht 29aufgebracht. Diese Isolationsschicht 29 kann gleichzeitig als Lötstoppschicht eingesetzt werden, um die Umverdrahtungsleitungen 24 vor einem Lot von Außenkontakten zu schützen.
  • Das Einbringen der Durchgangsöffnungen 8 für die Kunststoffklammer 10 in den Randbereichen einer jeden Bauteilposition 22 sowie der Bondkanalöffnungen 47 kann mittels Stanzen erfolgen.
  • Ein selektives Aufbringen der Isolationsschicht 29 kann mittels Drucktechnik erfolgen. Wird die Isolationsschicht 29 zunächst als geschlossene Schicht aufgebracht, so kann das Freilegen der Bondenden 25 und der Außenkontaktflächen 26 mittels selektivem Laserabtrag der Isolationsschicht 29 oder durch eine Photolithographietechnik erfolgen.
  • Fig. 4 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Teilbereichs eines Systemträgers 20 nach dem Aufsetzen eines Halbleiterchips 2 und dem Herstellen der Bondverbindungen 33. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Die Fig. 4 zeigt im Querschnitt einen Zwischenschritt vom Systemträger zum elektronischen Bauteil und verdeutlicht die Anordnung zwischen Durchgangsöffnung 8 für eine Kunststoffklammer und dem Rand des Halbleiterchips 2. Der Halbleiterchip 2 ragt mit seinem Rand und mit seiner Schutzschicht 39 insbesondere mit der Kante 40 der Schutzschicht 39 in den Bereich der Durchgangsöffnung 8 hinein. Diese Anordnung hat den Vorteil, dass beim einseitigen Vergießen des Systemträgers 20 mit Klebefolie 6 und Halbleiterchip 2 die dabei entstehende Kunststoffklammer die Kanten 40 der Schutzschicht 39ebenfalls umschließt, so dass die Zugwirkung der Klebefolie 6 auf die Oberseite 5 des Halbleiterchips 2 kompensiert wird.
  • Fig. 5 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Teilbereichs eines Systemträgers 20 nach dem Aufbringen einer Kunststoffmasse 9. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Bei dem Einbringen der Kunststoffmasse, wie es in Fig. 5 gezeigt wird, entsteht sowohl die mechanische Klammer 10 aus Kunststoff, die den Halbleiterchip umgibt, als auch die Abdeckung mit Kunststoffmasse 9 in dem Bondkanal 23. Das Vordringen der Kunststoffmasse 9, sowohl in die Durchgangsöffnungen zur Bildung der Kunststoffklammer 10 als auch in den Bereich des Bondkanals 23, wird über die in Fig. 2 gezeigte Verbindungsöffnung 46 erreicht. Die Kunststoffmasse 9 kann zur Verstärkung mit Kurzfasern versehen sein, um die Festigkeit der Kunststoffklammer 10 zu erhöhen. Derartige Kurzfasern können bis zu 15 Vol.% der Kunststoffmasse einnehmen. Eine andere Möglichkeit, die Festigkeits- und Verschleißfestigkeitseigenschaften des elektronischen Bauteils 1 zu erhöhen besteht darin, den Kunststoff mit Keramikpartikeln aufzufüllen.
  • Fig. 6 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Teilbereichs eines Systemträgers 20 nach dem Aufbringen von Außenkontakten 30. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Die Außenkontakte 30 können gleichzeitig für alle Bauteile eines Systemträgers 20 aufgebracht werden, indem Lotbälle 36auf den mit einer Lotbeschichtung 32 versehenen Außenkontaktflächen 26 aufgebracht werden. Durch Erhitzen des Systemträgers 20 können dann sämtliche Lotbälle 36 in einem Schritt zu Außenkontakten 30 aufgelötet werden.
  • Da die Kunststoffmasse 9 einseitig auf dem gesamten Systemträger unter Einhüllen der Halbleiterchips 2 aufgebracht wird, kann durch einen einzigen Trennschritt der Systemträgers 20 mit Halbleiterchips und aufgebrachten Lotaußenkontakten 30 zu einzelnen funktionsfähigen elektronischen Bauteilen 1 vereinzelt werden.
  • Fig. 7 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Der Unterschied dieser zweiten Ausführungsform nach Fig. 7 gegenüber der ersten Ausführungsform nach Fig. 1 besteht darin, dass lediglich eine einfache Klammer 10 aus Kunststoffmasse 9 in dieser Ausführungsform gebildet wird, da lediglich auf den Längsseiten des elektronischen Bauteils 1 zwei langgestreckte Durchgangsöffnungen 8 auf gegenüberliegenden Randbereichen angebracht sind. Um jedoch gleichzeitig mit der Bildung der mechanischen Klammer 10 auch den Bondkanal 23 mit Kunststoffmasse 9 zu füllen, sind auch bei dieser zweiten Ausführungsform der Erfindung Verbindungsöffnungen 46 von der Halbleiterchipseite der Umverdrahtungsplatte zur Bondkanalseite der Umverdrahtungsplatte 3 vorgesehen.
  • Fig. 8 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 einer dritten Ausführungsform der Erfindung.
  • Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Der Unterschied zu den ersten beiden Ausführungsformen liegt darin, dass in dieser Ausführungsform diagonale Klammern 10 ausgebildet werden, indem in allen vier Eckbereichen 12, 13, 14 und 15 winkelförmige Durchgangsöffnungen 16, 17, 18 und 19 vorgesehen werden. Eine derartige über die Diagonalen wirkende Klammer hat den Vorteil, dass die hoch belasteten Ecken des Halbleiterchips 2 vor Mikrorissen geschützt werden, da durch diese diagonale Klammerung Zugspannungen auf diese Eckbereiche des Halbleiterchips 2 vermieden werden. Auch bei dieser dritten Ausführungsform der Erfindung sind wieder Verbindungsöffnungen 46 vorgesehen, um mit der Herstellung der mechanischen Klammer 10 den Bondkanal 23 mit Kunststoffmasse 9 aufzufüllen.
  • Fig. 9 zeigt eine schematische Untersicht eines elektronischen Bauteils 1 einer vierten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Ein Unterschied der vierten Ausführungsform der Erfindung nach Fig. 9 besteht darin, dass eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 8 zur Ausbildung von mechanischen Klammern in den Randbereichen der Umverdrahtungsplatte 3 eingebracht sind. Dabei werden scharfe Kanten vermieden, um Kerbwirkungen auf die Kunststoffmasse 9 der zu bildenden Kunststoffklammern 10 weitestgehend zu vermeiden. Bezugszeichenliste 1 elektronisches Bauteil
    2 Halbleiterchip
    3 Umverdrahtungsplatte
    4 Oberseite der Umverdrahtungsplatte
    5 aktive Oberseite des Halbleiterchips
    6 doppelseitig klebende Folie
    7 Unterseite der Umverdrahtungsplatte
    8 Durchgangsöffnungen
    9 Kunststoffmasse
    10 mechanische Klammer
    12, 13, 14, 15 Eckbereiche der Umverdrahtungsplatte
    16, 17, 18, 19 winklige Durchgangsöffnungen
    20 Systemträger
    21 Oberseite des Systemträgers
    22 Bauteilpositionen
    23 Bondkanal
    24 Umverdrahtungsleitungen
    25 Bondenden
    26 Außenkontaktflächen
    27 Kernplatte
    28 Metallschicht
    29 Isolationsschicht
    30 Außenkontakte
    31 bondbare Beschichtung
    32 Lotbeschichtung
    33 Bondverbindungen
    34 Kontaktflächen
    35 Bonddrähte
    36 Lotbälle
    39 Schutzschicht
    40 Kanten der Schutzschicht
    41 Kunststoffmasse im Bondkanal
    44 Kernmaterial der Folie
    45 strichpunktierte Linie für den Außenrand des Halbleiterchips
    46 Verbindungsöffnung in der Umverdrahtungsplatte
    47 Bondkanalöffnung
    48 Randstreifen des Systemträgers
    49 Perforationsöffnungen des Systemträgers
    50 strichpunktierte Linie als Trennspur

Claims (27)

1. Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip (2) und einer Umverdrahtungsplatte (3), wobei die Oberseite (4) der Umverdrahtungsplatte (3) mit der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) durch eine doppelseitig klebende Folie (6) verbunden ist, und wobei die Umverdrahtungsplatte (3) auf ihrer Unterseite (7) Durchgangsöffnungen (8) aufweist, die eine den Halbleiterchip (2) auf der Oberseite (4) einhüllende Kunststoffmasse (9) aufweisen und wobei die Kunststoffmasse (9) eine mechanische Klammer (10) für Halbleiterchip (2) und Umverdrahtungsplatte (3) aufweist.
2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffmasse (9) eine Gehäusespritzgußmasse für elektronische Halbleiterbauteile ist.
3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffmasse (9) bis zu 15 Vol.% Kurzfasern aufweist.
4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffmasse (9) bis zu 15 Vol.% einen Füllstoff aufweist.
5. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff in der Kunststoffmasse (9) Keramikpartikel aufweist.
6. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 4 oder Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Füllstoff in der Kunststoffmasse (9) als Keramikpartikel Aluminiumoxid, Siliciumnitrid oder Siliciumkarbid oder Mischungen derselben aufweist.
7. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffmasse (9) ein Epoxidharz aufweist. 7.
8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kunststoffmasse (9) ein Gemisch aus Siliconkunststoff und Epoxidharz aufweist.
9. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mit Kunststoffmasse (9) gefüllten Durchgangsöffnungen (8) in der Umverdrahtungsplatte (3) im Randbereich der Umverdrahtungsplatte (3) angeordnet sind, wobei teilweise der Rand des Halbleiterchips (2) auf der Oberseite (4) der Umverdrahtungsplatte (3) die Durchgangsöffnungen (8) überlappt.
10. Elektronisches Bauteil nach einem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mit Kunststoffmasse (9) gefüllten Durchgangsöffnungen (8) bei teilweiser Überlappung des Randbereichs des auf der Oberseite (4) der Umverdrahtungsplatte (3) angeordneten Halbleiterchips (2) mit den Durchgangsöffnungen (8) streifenförmig im Randbereich der Umverdrahtungsplatte (3) angeordnet sind.
11. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwei einander gegenüberliegende Randbereiche der Umverdrahtungsplatte (3) mit Kunststoffmasse (9) gefüllte Durchgangsöffnungen (8) aufweisen.
12. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Eckbereiche (12, 13, 14, 15) der Umverdrahtungsplatte (3) mit Kunststoffmasse (9) gefüllte winklige Durchgangsöffnungen (16, 17, 18, 19) aufweisen.
13. Systemträger für mehrere elektronische Bauteile (1), wobei der Systemträger (20) auf seiner Oberseite (21) mehrere Bauteilpositionen (22) zum Positionieren einer doppelseitig klebenden Folie (6) und zum Anbringen jeweils eines Halbleiterchips (2) in jeder Bauteilposition (22) aufweist, und in Randbereichen jeder Bauteilposition (22) Durchgangsöffnungen (8) zum Einbringen einer mechanischen Klammer (10) aus Kunststoffmasse (9) aufweist.
14. Systemträger nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsöffnungen (8) teilweise zylindrische sind.
15. Systemträger nach Anspruch 13 oder Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsöffnungen (8) teilweise streifenförmig sind.
16. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsöffnungen (8) teilweise winklig und in den Eckbereichen (12, 13, 14, 15) der Umverdrahtungsplatte (3) angeordnet sind.
17. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Systemträger (20) in jeder Bauteilposition (22) als weitere Durchgangsöffnung einen Bondkanal (23) aufweist.
18. Systemträger nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Systemträger (20) in jeder Bauteilposition (22) auf seiner Unterseite (7) Umverdrahtungsleitungen (24) mit Bondenden (25) und Außenkontaktflächen (26) aufweist.
19. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers, das folgende Verfahrensschritte aufweist
- Bereitstellen einer Kernplatte (27) aus glasfaserverstärktem Kunststoff mit einer strukturierten Metallschicht (28), die Umverdrahtungsleitungen (24) mit Bondenden (25) und mit Außenkontaktflächen (26) in mehreren Bauteilpositionen (22) auf der Unterseite der Kernplatte (27) aufweist,
- Aufbringen einer Isolationsschicht (29) auf der Unterseite der Kernplatte (27) unter Freilassen der Bondenden (25) und der Außenkontaktflächen (26) für Bondverbindungen bzw. für Außenkontakte (30) auf Enden der Umverdrahtungsleitungen (24),
- Einbringen von Durchgangsöffnungen (8) in jeder Bauteilposition (22) zum einen als Bondkanal (23) und zum anderen in den Randbereichen jeder Bauteilposition (22) zur Aufnahme einer mechanischen Klammer (10) aus einer Kunststoffmasse (9).
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Freilegen der Bondenden (25) auf die Bondenden (25) eine bondbare Beschichtung (31) aufgebracht wird.
21. Verfahren nach Anspruch 19 oder Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine Lotbeschichtung (32) auf die Außenkontaktflächen (26) nach dem Freilegen der Außenkontaktflächen (26) aufgebracht wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Durchgangsöffnungen (8) in jeder Bauteilposition (22) des Systemträgers (20) mittels Stanztechnik erfolgt.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Durchgangsöffnungen (8) in jeder Bauteilposition (22) des Systemträgers (20) mittels Laserabtrag erfolgt.
24. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, das folgende Verfahrensschritte aufweist,
- Herstellen eines Systemträgers (20) nach einem der Ansprüche 19 bis 23,
- Aufbringen einer strukturierten doppelseitig klebenden Folie (6) mit Öffnungen in jeder Bauteilposition (22) auf die Oberseite des Systemträgers (20), wobei die Folie (6) in jeder Bauteilposition kleiner als eine auf der Oberseite des Halbleiterchips (2) angeordnete Schutzschicht (39) ausgebildet ist,
- Aufbringen eines Halbleiterchips (2) mit seiner aktiven Oberseite (5) auf die doppelseitig klebende Folie (6),
- Herstellen von Bondverbindungen (33) zwischen den Umverdrahtungsleitungen (24) auf der Unterseite des Systemträgers (20) und Kontaktflächen (34) auf der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) im Bereich des Bondkanals (23) in jeder Bauteilposition (22) des Systemträgers (20),
- Aufbringen einer Kunststoffmasse (9) zum Einhüllen der Halbleiterchips (2) auf der Oberseite des Systemträgers (20) und zum Auffüllen des Bondkanals (23) sowie der Durchgangsöffnungen (8) in den Randbereichen jeder Bauteilposition (22) des Systemträgers (20),
- Auftrennen des Systemträgers (20) mit mehreren Halbleiterchips (2), der einseitig von einer geschlossenen Kunststoffmasse (9) bedeckt ist, in einzelne elektronische Bauteile (1).
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen von Bondverbindungen (33) zwischen den Bondenden (25) auf der Unterseite des Systemträgers (20) und Kontaktflächen (34) auf der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) Leitungsbrücken, die den Bondkanal (23) in jeder Bauteilposition (22) überbrücken, auf die Kontaktflächen (34) gebondet werden.
26. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass zum Herstellen von Bondverbindungen (33) zwischen den Bondenden (25) auf der Unterseite des Systemträgers (20) und Kontaktflächen (34) auf der aktiven Oberseite (5) des Halbleiterchips (2) aus Bonddrähten (35) ein Thermosonicbonden, ein Ultraschallbonden oder ein Thermokompressionsbonden eingesetzt wird.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbringen von Außenkontakten (30) auf die freiliegenden Außenkontaktflächen (26) Lotbälle (36) auf die Unterseite des Systemträgers (20) aufgebracht und gelötet werden.
DE10162676A 2001-12-19 2001-12-19 Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben Expired - Fee Related DE10162676B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10162676A DE10162676B4 (de) 2001-12-19 2001-12-19 Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben
US10/325,251 US6933595B2 (en) 2001-12-19 2002-12-19 Electronic device and leadframe and methods for producing the electronic device and the leadframe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10162676A DE10162676B4 (de) 2001-12-19 2001-12-19 Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10162676A1 true DE10162676A1 (de) 2003-07-10
DE10162676B4 DE10162676B4 (de) 2005-06-02

Family

ID=7709980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10162676A Expired - Fee Related DE10162676B4 (de) 2001-12-19 2001-12-19 Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6933595B2 (de)
DE (1) DE10162676B4 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019428A1 (de) * 2004-04-19 2005-08-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Hohlraumgehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004029586A1 (de) * 2004-06-18 2006-01-12 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes Gehäusesbauelement mit einem Halbleiter-Chip
DE102004029587A1 (de) * 2004-06-18 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes BGA-Gehäuse, insbesondere FBGA-Gehäuse
DE102004029765A1 (de) * 2004-06-21 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes Die-Package mit BGA- oder BGA-ähnlichen Komponenten
DE102004058305B3 (de) * 2004-12-02 2006-05-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem eine Passivierungsschicht aufweisenden Halbleiterchip sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE102008059316A1 (de) * 2008-11-27 2010-06-02 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektronisches Bauteil in einem Gehäuse
DE112017000347B4 (de) 2017-04-21 2021-08-05 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4417202B2 (ja) * 2004-08-19 2010-02-17 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7329620B1 (en) * 2004-10-08 2008-02-12 National Semiconductor Corporation System and method for providing an integrated circuit having increased radiation hardness and reliability
EP2274162A1 (de) * 2008-04-08 2011-01-19 The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Anordnungen und verfahren zur verringerung von verwölbung und verbiegung eines flexiblen substrats während der halbleiterverarbeitung
DE102010031055B4 (de) 2010-07-07 2023-02-23 Robert Bosch Gmbh Sensormodul und Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3701310A1 (de) * 1987-01-17 1988-07-28 Bodenseewerk Geraetetech Kontaktierungsvorrichtung zur kontaktierung von oberflaechenmontierbaren integrierten schaltkreisen
US5847446A (en) * 1996-09-06 1998-12-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor chip package having chip attach pad with perimeter slots
US5849608A (en) * 1996-05-30 1998-12-15 Nec Corporation Semiconductor chip package
US6097609A (en) * 1998-12-30 2000-08-01 Intel Corporation Direct BGA socket
US6265768B1 (en) * 2000-01-31 2001-07-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip scale package
US6297543B1 (en) * 1998-12-16 2001-10-02 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Chip scale package

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5150193A (en) * 1987-05-27 1992-09-22 Hitachi, Ltd. Resin-encapsulated semiconductor device having a particular mounting structure
JPH0783036B2 (ja) * 1987-12-11 1995-09-06 三菱電機株式会社 キヤリアテープ
JPH04171969A (ja) * 1990-11-06 1992-06-19 Fujitsu Ltd 実装ｉｃチップ樹脂封止構造及び樹脂封止方法
TW330337B (en) * 1997-05-23 1998-04-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with detached die pad
US6143981A (en) * 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3701310A1 (de) * 1987-01-17 1988-07-28 Bodenseewerk Geraetetech Kontaktierungsvorrichtung zur kontaktierung von oberflaechenmontierbaren integrierten schaltkreisen
US5849608A (en) * 1996-05-30 1998-12-15 Nec Corporation Semiconductor chip package
US5847446A (en) * 1996-09-06 1998-12-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor chip package having chip attach pad with perimeter slots
US6297543B1 (en) * 1998-12-16 2001-10-02 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Chip scale package
US6097609A (en) * 1998-12-30 2000-08-01 Intel Corporation Direct BGA socket
US6265768B1 (en) * 2000-01-31 2001-07-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip scale package

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019428A1 (de) * 2004-04-19 2005-08-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Hohlraumgehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004029586A1 (de) * 2004-06-18 2006-01-12 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes Gehäusesbauelement mit einem Halbleiter-Chip
DE102004029587A1 (de) * 2004-06-18 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes BGA-Gehäuse, insbesondere FBGA-Gehäuse
DE102004029587B4 (de) * 2004-06-18 2006-05-24 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes BGA-Gehäuse, insbesondere FBGA-Gehäuse
US7256070B2 (en) 2004-06-18 2007-08-14 Infineon Technologies Ag Substrate-based housing component with a semiconductor chip
DE102004029765A1 (de) * 2004-06-21 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Substratbasiertes Die-Package mit BGA- oder BGA-ähnlichen Komponenten
DE102004058305B3 (de) * 2004-12-02 2006-05-18 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem eine Passivierungsschicht aufweisenden Halbleiterchip sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE102008059316A1 (de) * 2008-11-27 2010-06-02 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektronisches Bauteil in einem Gehäuse
DE112017000347B4 (de) 2017-04-21 2021-08-05 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US6933595B2 (en) 2005-08-23
DE10162676B4 (de) 2005-06-02
US20030111719A1 (en) 2003-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10333841B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Nutzens mit in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterbauteilpositionen und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
DE19601372B4 (de) Halbleitermodul
DE10103186B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem Halbleiter-Chip
DE3616494A1 (de) Integrierte schaltungspackung und verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungspackung
WO2006133664A1 (de) Halbleiterleistungsbauteilstapel in flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren aussenkontakten und ein verfahren zur herstellung desselben
DE10162676A1 (de) Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE10232788B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einem Systemträger, Systemträger und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
DE10127009A1 (de) Kunststoffgehäuse mit mehreren Halbleiterchips und einer Umverdrahtungsplatte sowie ein Verfahren zur Herstellung des Kunststoffgehäuses in einer Spritzgußform
DE102013103351B4 (de) Elektronikmodul
DE19752195A1 (de) Halbleiterelement mit einer Tragevorrichtung und einem Zuleitungsrahmen und einem damit verbundenen Halbleiterchip
DE10124970B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einer Halbleiterchip-Anschlußplatte, Systemträger und Verfahren zu deren Herstellung
DE10301510A1 (de) Verkleinertes Chippaket und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19821916C2 (de) Halbleitereinrichtung mit einem BGA-Substrat
DE102005023949B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Nutzens aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und einer Kunststoffgehäusemasse und ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen mittels eines Nutzens
DE4223371A1 (de) Verfahren und Platine zur Montage von Bauelementen
DE10206661A1 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip
EP1403921A2 (de) Elektronisches Bauteil mit Halbleiterchips in einem Stapel und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102007002807B4 (de) Chipanordnung
DE10133571B4 (de) Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10325029B4 (de) Substratbasiertes Chip-Package
DE4041224A1 (de) Chip-modul aus wenigstens zwei halbleiterchips
DE19861009B4 (de) Halbleitereinrichtung
DE10127010B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einem spannungsreduzierten Substrat
DE102019105123B4 (de) Halbleiteranordnung, laminierte Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE10153211A1 (de) Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 2332

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee