CN102668066B - 散热设备及散热设备的制造方法 - Google Patents

散热设备及散热设备的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的特征在于，具有：多片散热片（4）；散热片支撑底座（1），其一面上安装有发热元件（9），另一面上形成有多条平行的散热片槽（2）；以及规定高度的凸起（3），其位于上述散热片槽（2）中，用于安装至少一片散热片（4），而且从槽的底面露出，通过上述凸起（3）的上部按压散热片（4）的一侧面，从而将上述散热片（4）的另一侧面按压在上述散热片槽（2）的侧面上，将上述散热片（4）固定在上述凸起（3）的上部与散热片槽（2）的侧面之间。

Description

散热设备及散热设备的制造方法
技术领域
本发明涉及一种在以功率转换装置为首的各种装置中使用的对发热元件进行冷却的散热设备及其制造方法，特别是其中利用树脂进行密封的散热设备及散热设备的制造方法。
背景技术
当前，作为冷却发热元件的散热设备，通常广泛使用散热器。该散热器大体划分为利用压铸成型或挤出成型将散热片和散热片支撑底座一体化的散热器，以及将散热片和散热片支撑底座单独构成并进行组合而成的散热器。对于后者，通过将散热片和散热片支撑底座单独构成，从而可以放宽在挤出成型或压铸成型时所需的对模具强度的制约等，可以缩小相邻的散热片间的散热片间距、或使散热片的长度增加。因此，与前者相比，通过半导体装置的设置面积的小型化、或者使发热元件小型化，从而对低成本化具有效果。
另外，作为在将散热片和散热片支撑底座单独构成并进行组合的散热器中，将散热片和散热片支撑底座进行嵌合的方法，可举出铆接加工方法。关于这点，例如在专利文献1中公开了如下散热设备：在散热片支撑底座的平面上预先形成多条平行的槽，从上方将散热片的侧缘部嵌合到上述槽中，将铆接工具的前端抵接在形成于上述多条槽之间的其它多条槽上，由此，对与上述散热片的侧缘部嵌合的槽按压而使其变窄。
另外，在专利文献2中公开了如下技术：将散热片支撑底座的槽形成为随着从其开口部朝向底部而扩宽的锥形形状，在槽底部的两侧倒圆角，由此，在将散热片向槽中铆接时，散热片变形为沿槽形状扩宽的锥形形状，从而压接固定在槽中。
专利文献1：日本特开2001-102786号公报（第3页、图8）
专利文献2：日本特开2002-299864号公报（第4页、图1、图6）
发明内容
但是，在上述专利文献1所示的技术中，因为散热片支撑底座的槽的底部沿着冲刀（press cutter）向扩宽方向变形，所以散热片易于与槽开口部接触，但很难与槽底部接触。其结果，产生下述课题，即，因为散热片与槽之间容易产生间隙，所以散热片和散热片支撑底座之间的热阻增加，散热效果降低。
此外，由于为了使1片散热片嵌合在散热片支撑底座上，需要利用铆接工具使散热片用的槽和铆接工具用槽两个位置的槽扩宽，所以铆接工具的负荷增加。其结果，为了增加压力负荷，需要模架（frame）或电动机较大的冲压装置，因此产生下述课题，即，用于将散热片向散热片支撑底座铆接的设备变大，另外，该设备费用增加。
另外，在上述专利文献2的技术中，需要使散热片支撑底座的槽形成为随着从其开口部朝向底部而扩宽的锥形形状，在槽底部的两侧倒圆角。另外，在将散热片铆接在上述槽中时，将压入刀头（冲刀）按压散热片，仅利用上述槽的形状而使散热片的形状变化。因此，产生下述课题，即，用于保证散热片和槽之间的高密合度的、对按压散热片的压力进行的精度控制很难，由于上述压力误差的原因而使热阻增加，散热效果降低。
本发明就是鉴于上述课题而提出的，其提供一种散热设备及散热设备的制造方法，其通过消除散热片的侧表面与散热片支撑底座之间的间隙而增加接触面积，从而可以降低散热片与散热片支撑底座之间的热阻，提高散热效果；而且，可以使在将散热片向散热片支撑底座铆接时的冲压负荷降低。
本发明涉及的散热设备具有：多片散热片；以及散热片支撑底座，其一面安装有发热元件，另一面上形成有多条平行的散热片槽和凸起，该散热片槽用于安装上述散热片，该凸起从该散热片槽的底面以规定高度露出，用于固定上述散热片，通过使上述凸起的上部按压上述散热片的一侧面，从而将上述散热片的另一侧面按压在上述散热片槽的侧面上，将上述散热片固定在上述凸起的上部和上述散热片槽的侧面之间，该散热设备的特征在于，上述凸起及上述散热片槽形成为，分别沿上述散热片槽的长度方向分割为多个，并且彼此在上述散热片槽的长度方向上具有相同长度，并成对地配置。
发明的效果
根据如上所述的本发明涉及的散热设备及其安装方法，通过使上述凸起朝向散热片侧倾倒，按压上述散热片的一侧面，从而将上述散热片的另一侧面按压在上述散热片槽的侧面上，由此，可以消除散热片的侧面与散热片槽之间的间隙。其结果，因为能够确保散热片与散热片槽之间的接触面积较大，所以可以降低散热片与散热片支撑底座之间的热阻，提高散热效果。
此外，通过上述凸起及上述散热片槽形成为，分别沿上述散热片槽的长度方向分割为多个，并且彼此在上述散热片槽的长度方向上具有相同长度，并成对地配置，从而即使在周围温度极低的环境下，也可以减少上述散热片槽及上述凸起各自的膨胀收缩量，可以确保上述散热片与上述散热片槽的侧面之间的接触面、以及上述散热片与上述凸起的上部之间的接触面处的接触面积较大。
附图说明
图1是使用了本发明的散热设备的半导体装置的俯视图。
图2是使用了本发明的散热设备的半导体装置中的图1的A-A间的剖面图。
图3是本发明的实施方式1中的散热设备的正视图。
图4是本发明的实施方式1中的散热片支撑底座、散热片槽及第1凸起的斜视图。
图5是本发明的实施方式1中的图3（a）的B-B间的剖面图。
图6是本发明的实施方式1中的图3（a）的C-C间的剖面图。
图7是表示本发明的实施方式1中的利用冲刀使第1凸起倾倒的工序的图。
图8是本发明的实施方式2中的散热设备的正视图。
图9是本发明的实施方式2中的第2凸起的斜视图。
图10是本发明的实施方式2中的图8（a）的B-B间的剖面图。
图11是本发明的实施方式2中的图8（a）的C-C间的剖面图。
图12是表示本发明的实施方式2中的利用冲刀使第2凸起的形成为两叉状的前端部扩幅的工序的图。
图13是本发明的实施方式3中的图3（a）的B-B间的剖面图。
图14是本发明的实施方式3中的图3（a）的C-C间的剖面图。
图15是本发明的实施方式4中的图8（a）的B-B间的剖面图。
图16是表示本发明的实施方式4中的散热设备的正视图的一部分的图。
图17是使用了本发明的散热设备的半导体装置的斜视图。
图18是使用了本发明的散热设备的半导体装置的俯视图。
图19是使用了本发明的散热设备的半导体装置中的图18的D-D间的剖面图。
标号的说明
1  散热片支撑底座
2  散热片槽
3  第1凸起
4  散热片
5  冲刀
9  发热元件
11 第2凸起
12 第3凸起
具体实施方式
本实施方式涉及一种散热设备，其用于将例如功率转换装置所使用的发热元件发出的热量进行高效地散热。在这里，作为发热元件，例如可以举出功率转换装置中的将交流转换为直流的变流器部的二极管；直流转换为交流的逆变器部的双极晶体管；作为开关元件的IGBT、MOSFET、或者GTO等。此外，本发明并不由本实施方式所限定。
图1是使用了示出本实施方式的散热设备而构成的半导体装置的俯视图，图2是图1的A-A间的剖面图。在图2中，散热片支撑底座1的一面经由绝缘树脂片10与引线框架7接合，引线框架7与散热片支撑底座1电气绝缘。上述引线框架7利用金属线与发热元件9软钎焊接合。另外，为了使发热元件9高效散热，引线框架7、散热片支撑底座1及散热片4由铜、铝等高导热率的材料形成。
此外，模塑树脂6覆盖发热元件9、引线框架7及金属线8，将上述各部件与半导体装置的外部之间电气绝缘。另外，为了兼具有绝缘性和高传导性，在绝缘树脂片10中，在环氧树脂中混合有硅或氮化硼颗粒等填充物。此外，优选绝缘树脂片10的线膨胀系数小于散热片支撑底座1的线性热膨胀系数。
另外，在散热片支撑底座1的另一面上形成多条平行的散热片槽2，在上述散热片槽2中安装有散热片4。
实施方式1
图3是实施方式1中的散热设备的正视图。其中，图3（a）是表示在散热片支撑底座1上形成的多条平行的散热片槽2中，相对于一条散热片槽2安装有一片散热片4的状态的图。另外，从散热片槽2的底面露出具有规定高度的第1凸起3。在此，第1凸起3的高度构成为低于散热片槽2的上端部。因此，即使将散热片4在相对于散热片槽2的高度方向倾斜的状态下***，也不会与散热片槽2和第1凸起3产生干涉，在散热设备的制造工序中，散热片4的***变得容易。
另外，图3（b）是表示通过冲压加工使第1凸起3向散热片4侧倾倒，将散热片4铆接在第1凸起3的上部与散热片槽2的侧面之间的状态的图。此外，图4是散热片支撑底座1、散热片槽2及第1凸起3的斜视图。在本实施方式1中，散热片槽2形成为长方体状。另外，凸起3从散热片槽2的底部开始以长方体状形成。
图5是图3（a）的B-B间的剖面图，图6是图3（a）的C-C间的剖面图。如这两个图所示，在本实施方式1中，第1凸起3的长度方向上的长度及散热片槽2的长度方向上的长度与散热片支撑底座1的槽长度方向上的长度相等。
作为本实施方式1中的散热设备的制造方法，优选利用下述所示的工序进行制造。即，首先进行如下工序：利用压铸成型或挤出成型而同时在散热片支撑底座1的一面上形成多条平行的散热片槽2、以及在各条散热片槽2内形成第1凸起3。其次进行针对一条散热片槽2安装一片散热片4的工序。然后，进行下述工序，从而将散热片4固定在散热片槽2的侧面和第1凸起3的上部之间，即：通过将冲刀5***散热片槽2的侧面中的未安装散热片4一侧的侧面、以及第1凸起3之间，并由冲压机对冲刀5施加负荷，从而使第1凸起3向散热片4侧倾倒，使第1凸起3的上部按压散热片4的一侧面而铆接散热片。
图7是表示在上述工序中利用冲刀5使第1凸起3倾倒的工序的图。在此，优选使冲刀5的前端部形状如图7所示，形成为随着接近其前端部而冲刀5的宽度变窄，以易于***第1凸起3与散热片槽2之间。另外，优选将冲刀5的前端部进行局部平坦化，以使得冲刀5不易弯折，而且增加冲刀角度。如上所述，优选冲刀5的形状形成为随着接近其前端部而冲刀5的宽度变窄的梯形。
如图7（a）所示，在散热片槽2的侧面中的未安装散热片4一侧的侧面和第1凸起3之间***冲刀5（或铆接工具），使第1凸起3向散热片4侧倾倒。具体而言，如图7（b）所示，向散热片槽2的侧面中未安装散热片4侧的侧面与第1凸起3之间***冲刀5，然后由冲压机进行冲压。在此，由于作为第1凸起3的材质而使用铜、铝等可塑性高的金属，所以通过由上述冲压机进行冲压，使第1凸起3变形，基于冲刀5的前端的形状而向散热片4侧倾倒。然后，冲刀5的前端部与散热片槽2的下端部抵接而停止。如上所述，由于第1凸起3的上部将散热片4向散热片槽2的侧面按压，所以如图7（b）所示，散热片4被铆接在上述第1凸起3的上部与散热片槽2的侧面之间。
如上所述，可以得到散热片4与散热片槽2的侧面之间的密合性良好的散热片安装构造。其结果，因为可以确保散热片4与散热片槽2之间的接触面积较大，所以可以降低散热片与散热片支撑底座之间的热阻，提高散热效果。
另外，对冲刀5的前端的形状及冲刀的行程量预先进行了确定，以可以在此时如图7（c）所示，第1凸起3的上部成为在维持散热片4的竖直性的同时咬入散热片4侧面的状态，在散热片4的侧面形成凹陷13。如上所述，可以通过冲刀5的行程量而容易地控制第1凸起3的倾倒量。此外，通过对上述散热片4的侧面进行肉眼确认等，可以容易地判断是否正常地进行了冲压加工。
在此，在使第1凸起3倾倒时，施加在冲刀5上的负荷成为冲刀5前进方向上的分力、和垂直方向即对第1凸起3和散热片槽2之间进行扩幅的方向上的分力之和。此时，在冲刀5的前端部相对于冲刀5前进方向的角度为钝角（即，冲刀5前进的方向的分力＜垂直方向的分力）的情况下，已知通常第1凸起3并不从与散热片支撑底座1的分界面开始倾倒，而是例如从第1凸起3的前端部开始朝向散热片4侧变形，即纵向弯曲变形。在第1凸起3纵向弯曲变形的情况下，由于散热片槽2与第1凸起3之间的扩幅量变小，所以有可能无法正常地铆接散热片4。
因此，第1凸起3的形状也可以形成为从其上部越接近下部其宽度越大的梯形。这样，在冲刀5***散热片槽2时，即使在冲刀5的位置从散热片槽2和第1凸起3之间略微偏离的情况下，也可以防止第1凸起3纵向弯曲变形。其结果，可以确保散热片槽2和第1凸起3之间的扩幅量，可以正常地铆接散热片4。
如上所述，根据本实施方式1，通过在散热片槽2的侧面中的未安装散热片4侧的侧面和第1凸起3之间***冲刀5（或铆接工具），使第1凸起3向散热片4侧倾倒，从而将散热片4铆接在上述第1凸起3的上部和散热片槽2的侧面之间。由此，可以得到散热片4与散热片槽2的侧面之间的密合性良好的散热片安装构造。其结果，由于可以确保上述散热片与上述散热片槽之间的接触面积较大，所以可以降低散热片与散热片支撑底座之间的热阻，提高散热效果。
实施方式2
图8是本发明的实施方式2中的散热设备的正视图。此外，对于与图3相同的结构，标注相同的标号，省略其说明。与实施方式1的不同点在于，针对一条散热片槽安装两片散热片、以及凸起的形状。
图8（a）是表示在散热片支撑底座1上形成的多条平行的散热片槽2中，针对一条散热片槽2安装有两片散热片4的状态的图。另外，从散热片槽2的大致中央部的底面露出具有规定高度的两叉状的第2凸起11。在此，使第2凸起11的高度构成为低于散热片槽2的上端部这一点，与实施方式1相同。
另外，图8（b）是表示通过冲压加工使第2凸起11的形成为两叉状的前端部的凹部扩幅，将散热片4铆接在第2凸起11的上部和散热片槽2的侧面之间的状态的图。此外，图9是第2凸起11的斜视图。在图9中，示出了将第2凸起11的以两叉状形成的前端部分各自的形状形成为，从第2凸起11的上部开始越接近下部其宽度越大的梯形的状态。但是，也可以与实施方式1的情况相同地，第2凸起11的以两叉状形成的前端部分各自的形状形成为长方形。
图10表示图8（a）的B-B间的剖面图，图11表示图8（a）的C-C间的剖面图。此外，对于与图5及图6相同的结构，标注相同的标号，省略其说明。如这两个图所示，在本实施方式2中，第2凸起11及散热片槽2各自的槽长度方向上的长度，与散热片支撑底座1的槽长度方向上的长度相同。
作为本实施方式2中的散热设备的制造方法，优选利用下述所示的工序进行制造。即，首先进行如下工序：在散热片支撑底座1的一面上形成多条平行的散热片槽2，同时在各条散热片槽2内以前端部成型为两叉状的方式形成第2凸起11。在此，上述散热片支撑底座1、散热片槽2及第2凸起11都与实施方式1相同地，通过压铸成型或挤出成型而形成。其次进行针对一条散热片槽2安装两片散热片的工序。然后，进行以下工序，从而将散热片4固定在散热片槽2的侧面和第2凸起11的上部之间，即：通过将冲刀5***第2凸起11的形成为两叉状的前端部的凹部，并由冲压机对冲刀5施加负荷，从而使第2凸起11的前端部扩幅，使第2凸起11的上部按压散热片4的一侧面而铆接散热片。通过以上制造方法，由于为了固定两片散热片，只需利用冲刀4（或铆接工具）对第2凸起11的前端部的凹部这一个位置进行铆接即可，所以与现有技术相比，可以减少在散热设备的制造工序中所使用的冲刀的数量，由此，可以实现冲压加工时的低负荷化，从而可以使冲压装置小型化。
图12是表示上述工序中用冲刀5使第2凸起11的形成为两叉状的前端部扩幅的工序的图。此外，对于与图7相同的结构，标注相同的标号，省略其说明。如图12（a）所示，将冲刀5（或铆接工具）***第2凸起11的形成为两叉状的前端部的凹部。之后，进一步对冲刀5施加负荷，使冲刀5前进至与第2凸起11的形成为两叉状的前端部的底部抵接为止。在此，因为作为第2凸起11的材质，与第1凸起3相同地使用铜、铝等可塑性高的金属，所以第2凸起11产生变形，如图12（b）所示，第2凸起11的前端部基于冲刀5的前端的形状而扩幅。由此，由于形成为两叉状的第2凸起11的一侧上部将散热片4向散热片槽2的侧面按压，所以散热片4被铆接在上述第1凸起3的上部与散热片槽2的侧面之间。如上所述，可以得到散热片4与散热片槽2的侧面之间的密合性良好的散热片的安装构造。其结果，由于可以确保散热片4与散热片槽2之间的接触面积较大，所以可以降低散热片与散热片支撑底座之间的热阻，提高散热效果。
另外，对冲刀5的前端的形状及冲刀的行程量预先进行了确定，以可以在如上所述冲刀5的前端部与第2凸起11的形成为两叉状的前端部的底部抵接而停止时，如图12（c）所示，第2凸起11的上部成为在维持散热片4的竖直性的同时咬入散热片4侧面的状态，在散热片4的侧面形成凹陷13。由此，可以通过冲刀5的行程量而容易地控制第2凸起11的形成为两叉状的前端部的扩幅量。此外，通过对上述散热片4的侧面进行肉眼确认等，可以容易地判断是否正常地进行了冲压加工。
如上所述，根据本实施方式2，通过将冲刀5（或铆接工具）***第2凸起11的形成为两叉状的前端部的凹部，使第2凸起11的前端部扩幅，从而形成为两叉状的第2凸起11的一侧上部将散热片4向散热片槽2的侧面按压，因此，散热片4被铆接在上述第1凸起3的上部与散热片槽2的侧面之间，可以得到散热片4与散热片槽2的侧面之间的密合性良好的散热片的安装构造。其结果，由于可以确保散热片4与散热片槽2之间的接触面积较大，所以可以降低散热片与散热片支撑底座之间的热阻，提高散热效果。
此外，在将上述两片散热片4铆接在第2凸起11的上部和散热片槽2的侧面之间时，只需利用冲刀4（或铆接工具）对第2凸起11的形成为两叉状的前端部的凹部这一个位置进行铆接即可。其结果，与现有技术相比，可以减少在散热设备的制造工序中所使用的冲刀的数量，由此，可以减少冲压加工时的所需的负荷，可以使冲压装置小型化。
此外，在本实施方式2中，作为第2凸起11而使用了前端部形成为两叉状的凸起，但也可以替代上述凸起，将实施方式1所使用的第1凸起3在散热片槽3的大致中央部配置两个而实现。
实施方式3
在实施方式1及实施方式2中，第1凸起3、第2凸起11及散热片槽2各自的槽长度方向上的长度，与散热片支撑底座1的槽长度方向上的长度相同，并且各自是连续的部件。在本实施方式3中，将例如实施方式1中的第1凸起3及散热片槽2分别沿槽长度方向分割为多个，分割后的第1凸起3及散热片槽2彼此具有相同长度且成对配置。
图13是图3（a）的B-B间的剖面图，图14是图3（a）的C-C间的剖面图。此外，对于与图5及图6相同的结构，标注相同的标号，省略其说明。根据这两个图，在本实施方式3中，将第1凸起3及散热片槽2分别沿槽长度方向分割为2个，分割后的第1凸起3及散热片槽2彼此具有相同长度且成对配置。
在本实施方式3中，对于上述第1凸起3及散热片槽2的分割面，在第1凸起3及散热片槽2通过压铸成型形成的情况下，该分割面与第1凸起3及散热片槽2相同地利用模具形成。另一方面，在第1凸起3及散热片槽2通过挤出成型形成的情况下，通过在成型后进行切削加工而形成分割面。
在此，特别是在周围温度极低的环境下，由于散热片槽2、第1凸起3及散热片4各自的线膨胀系数存在差异，导致在散热片4与散热片槽2的侧面之间的接触面、以及散热片4与第1凸起3的上部之间的接触面上各自产生应力的状态。特别在如实施方式1和实施方式2的情况那样，散热片槽2及第1凸起3的长度较长时，因为膨胀收缩量的绝对值变大，所以上述应力也变大。其结果，散热片槽2、第1凸起3或者散热片4变形，散热片4与散热片槽2的侧面之间的接触面、以及散热片4与第1凸起3的上部之间的接触面处的接触面积变小。因此，有可能使散热片4与散热片槽2之间的热阻变大，使散热效果恶化。
另一方面，在本实施方式3中，通过将散热片槽2及第1凸起3分别沿槽长度方向分割为两个，从而各个散热片槽及凸起的各自的长度变短。其结果，可以减少它们的膨胀收缩量，使上述应力的绝对值减小。如上所述，由于即使在周围温度极低的环境下，也可以确保散热片4与散热片槽2的侧面之间的接触面、以及散热片4与第1凸起3的上部之间的接触面处的接触面积较大，所以可以防止在上述环境下的散热片4与散热片槽2之间的热阻上升。
此外，由于通过将第1凸起3分割为两个，从而如上所述，在对第1凸起3进行冲压加工时所需的负荷变小，所以可以进一步减小冲压负荷。
如上所述，根据本实施方式3，通过将散热片槽2及第1凸起3分别沿槽长度方向分割为两个，从而即使在周围温度极低的环境下，也可以减少散热片槽2及第1凸起3各自的膨胀收缩量，可以确保散热片4与散热片槽2的侧面之间的接触面、以及散热片4与第1凸起3的上部之间的接触面处的接触面积较大，所以可以防止在上述环境下的散热片4与散热片槽2之间的热阻上升。
实施方式4
在实施方式3中，将散热片槽2及第1凸起3分别沿槽长度方向分割为两个，但也可以将它们例如沿槽长度方向分割为三个，并对分割后的散热片槽及凸起各自的高度进行变更。
图15是图8（a）的B-B间的剖面图。图16是本实施方式4中的散热设备的正视图的一部分的图。此外，对于与图8及图12相同的结构，标注相同的标号，省略其说明。根据图15，在本实施方式4中，将各条散热片槽2沿槽长度方向分割成三个，第2凸起11相对于分割后的散热片槽2中配置于散热片支撑底座1两端的散热片槽，具有相同的长度并成对地配置。另外，第3凸起12相对于分割后的散热片槽2中配置于散热片支撑底座1中央的散热片槽2，具有相同的长度并成对地配置。此外，第3凸起12与第2凸起11相比高度更高。其结果，如图16所示，散热片4由第2凸起11和第3凸起12这两种高度不同的凸起进行固定。
在此，在将散热片4***散热片槽2与第2凸起11之间，从第2凸起11的上部施加冲压负荷的情况下，由于散热片支撑底座1的翘曲或尺寸偏差、冲刀的位置偏差等原因，导致第2凸起11的前端处形成的凹部的扩幅量变化。例如，在第2凸起11的前端的扩幅量较大的情况下，散热片4会以第2凸起11的上部为基点，向第2凸起11侧以“く”字形状变形。其结果，由于散热片4的侧面与散热片槽2的侧面之间的接触面积减小，所以有可能使散热片4与散热片槽2之间的热阻增加，使散热效果恶化。
另一方面，在本实施方式4中，三个散热片槽2均为相同高度，但配置于散热片支撑底座1的中央处的第3凸起12的高度，与配置于散热片支撑底座1的两端处的第2凸起11的高度相比更高。而且，第2凸起11和第3凸起12分别在散热片的高度方向上的不同位置处铆接散热片4。因此，在散热片4与凸起之间的接触面上施加的应力分散在与第2凸起11的上部以及与第3凸起12的上部之间的接触面上，可以防止散热片4变形为“く”字状。
另外，在将散热片4***第2凸起11及第3凸起12与散热片槽2之间时，散热片4在***高度较高的第3凸起12与散热片槽2之间后，***高度较低的第2凸起11与散热片槽2之间。即，散热片4以在第3凸起12与散热片槽2之间使晃动得到了抑制的状态，***第2凸起11与散热片槽2之间。其结果，可以容易地将散热片4***第2凸起11及第3凸起12与散热片槽2之间。特别在散热片4较长的情况下，在将散热片4***第2凸起11及第3凸起12与散热片槽2之间时，会由于散热片4倾斜而难以***位于散热片支撑底座两端的第2凸起11。但是，根据本实施方式4，由于存在高度较高的第3凸起12，因而可以抑制上述的散热片4的倾斜，所以，可以容易地将散热片4***第2凸起11及第3凸起12与散热片槽2之间。
此外，在散热设备的制造工序中，在将散热片4***第2凸起11及第3凸起12与散热片槽2之间后，将散热设备搬运至设置有冲压装置的位置。此时，利用第3凸起12的高度较高这一点，而可以抑制在上述搬运时的散热片4的倾斜或侧倒。
如上所述，根据本实施方式4，将各条散热片槽2沿槽长度方向分割成三个，高度较低的第2凸起11相对于分割后的散热片槽2中配置于散热片支撑底座1两端的散热片槽，具有相同的长度并成对地配置。另外，高度较高的第3凸起12相对于分割后的散热片槽2中配置于散热片支撑底座1中央的散热片槽2，具有相同的长度并成对地配置。由此，可以更可靠地将散热片4固定在第2凸起11及第3凸起12与散热片槽2之间。
下面示出使用本实施方式1至4的散热设备的半导体装置的一个实施例。图17示出该半导体装置的斜视图，图18示出该半导体装置的俯视图。此外，图19示出图18的D-D间的剖面图。此外，对于与图8相同的结构，标注相同的标号，省略其说明。
在该半导体装置中，将侧面及底面覆盖有模塑树脂6的散热片支撑底座1和散热片4单独构成。由此，由于可以使散热片4的片长与模塑树脂6沿散热片4的长度方向的长度相比更长，并且相邻的散热片间的片间距较窄，所以可以使半导体装置的设置面积小型化。另外，由于可以增加半导体装置中的散热片4的表面积的合计值，所以可以提高散热效果。其结果，作为发热元件9，例如可以选择结温的绝对最大额定值较小的元件，与此相伴，可以实现发热元件的小型化、低成本化。
另外，散热片支撑底座1的侧面及底面被模塑树脂6覆盖。由于散热片支撑底座1是如上所述通过压铸成型或挤出成型而形成的，所以有时散热片支撑底座1成为伴随着翘曲或起伏的状态。而且，有时由于周围温度的变化而使散热片支撑底座1膨胀，进而发生变形。由于上述原因，有可能使用于将散热片4按压在散热片槽2的侧面上的力降低，散热片4与散热片槽2之间的热阻上升，从而导致散热性恶化。
另一方面，通过将散热片支撑底座1的侧面及底面利用模塑树脂6进行覆盖，从而可以束缚散热片支撑底座1的侧面及底面，可以抑制散热片支撑底座1膨胀而产生变形。其结果，可以防止用于将散热片4按压在散热片槽2上的力降低，可以防止上述散热性恶化。

Claims (4)

1.一种散热设备，其具有：
多片散热片；以及
散热片支撑底座，其一面上安装有发热元件，另一面上形成有多条平行的散热片槽和凸起，该散热片槽用于安装上述散热片，该凸起从该散热片槽的底面以规定高度露出，用于固定上述散热片，
通过上述凸起的上部按压上述散热片的一侧面，从而将上述散热片的另一侧面按压在上述散热片槽的侧面上，将上述散热片固定在上述凸起的上部与上述散热片槽的侧面之间，
该散热设备的特征在于，
上述凸起及上述散热片槽形成为，分别沿上述散热片槽的长度方向分割为多个，并且彼此在上述散热片槽的长度方向上具有相同长度，并成对地配置。
2.根据权利要求1所述的散热设备，其特征在于，
对于沿上述散热片槽的长度方向分割为多个的凸起，凸起的高度不同。
3.根据权利要求1所述的散热设备，其特征在于，
在沿上述散热片槽的长度方向分割为大于或等于3个的上述凸起中，配置于上述散热片支撑底座的上述散热片槽的长度方向中央部的凸起的高度，与配置于上述散热片支撑底座的上述散热片槽的长度方向两侧的凸起的高度相比更高。
4.一种散热设备的制造方法，其含有下述工序：
对于一面上安装有发热元件，另一面上形成有用于安装散热片的多条平行的散热片槽、以及从该散热片槽的底面以规定高度露出而用于固定上述散热片的凸起的散热片支撑底座，在上述散热片支撑底座的另一面上，将上述凸起及上述散热片槽形成为，分别沿上述散热片槽的长度方向分割成大于或等于3个，并成对地配置，并且，使得配置于上述散热片槽的长度方向中央部的凸起的高度与配置于上述散热片槽的长度方向两侧的凸起的高度相比更高的工序；
在将上述散热片向上述散热片槽安装时，将散热片***配置于上述散热片槽的长度方向中央部的凸起与上述散热片槽之间后，***配置于上述散热片槽的长度方向两侧的凸起与上述散热片槽之间的工序；
使冲刀与散热片的上部抵接，同时将冲刀***上述散热片槽的侧面中没有安装散热片侧的侧面与上述凸起之间的工序；以及
通过利用冲压机对上述冲刀施加负荷，从而使上述凸起向散热片侧倾倒，将上述凸起的上部按压在散热片的一侧面上而对散热片进行铆接的工序。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102522381B (zh) * 2011-12-22 2015-09-30 东莞汉旭五金塑胶科技有限公司 一种散热器及其制造方法
DE112012005791B4 (de) 2012-01-31 2022-05-12 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI454333B (zh) * 2012-03-16 2014-10-01 Inventec Corp 熱交換器的製造方法
JP6009209B2 (ja) * 2012-04-26 2016-10-19 三菱電機株式会社 ヒートシンクの製造方法およびヒートシンク一体型半導体モジュールの製造方法
US20130306293A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-21 Hamilton Sundstrand Space Systems International Extruded matching set radiators
US20130308273A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-21 Hamilton Sundstrand Space Systems International Laser sintered matching set radiators
JP5784546B2 (ja) * 2012-05-29 2015-09-24 三菱電機株式会社 フィン嵌合装置
CN103703562B (zh) * 2012-07-31 2015-08-26 三菱电机株式会社 功率半导体装置
JP2014056982A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置およびその製造方法
KR102131628B1 (ko) * 2013-01-22 2020-07-08 도레이 카부시키가이샤 접착제 조성물, 접착제 시트, 및 이들을 사용한 경화물과 반도체 장치
CN103429057A (zh) * 2013-07-26 2013-12-04 昆山维金五金制品有限公司 一种散热片支撑装置
DE112014004421B4 (de) 2013-09-27 2021-07-08 Mitsubishi Electric Corporation Verpresster Kühlkörper und Leistungsmodul mit integriertem Kühlkörper
WO2015083201A1 (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 三菱電機株式会社 電力半導体装置
CN103987236A (zh) * 2014-05-20 2014-08-13 深圳市华盛源机电有限公司 风冷散热器及其制作方法
CN108701688B (zh) * 2015-12-04 2021-11-09 罗姆股份有限公司 功率模块装置、冷却构造体、以及电动汽车或混合动力汽车
US11152280B2 (en) 2016-11-24 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2018179031A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 三菱電機株式会社 車両用電力変換装置
US20190120568A1 (en) * 2017-10-25 2019-04-25 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Graphite heat sink and method of manufacturing the same
JP2019080041A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 グラファイトヒートシンク及びその製造方法
JP6937886B2 (ja) * 2018-02-23 2021-09-22 三菱電機株式会社 ヒートシンク及びパワーモジュール並びにそれらの製造方法
CN108714752B (zh) * 2018-06-20 2023-12-12 江苏英杰电子器件有限公司 用于散热器装配机组的焊接设备
JP2020098882A (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 アイシン精機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2022093402A1 (en) * 2020-10-28 2022-05-05 Arris Enterprises Llc Pass-through latching heat sink
WO2024116851A1 (ja) * 2022-11-28 2024-06-06 ローム株式会社 半導体装置および電力変換ユニット

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06315731A (ja) * 1993-05-06 1994-11-15 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JPH07161882A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Sumitomo Light Metal Ind Ltd ヒートシンク
CN1350330A (zh) * 2000-10-25 2002-05-22 古河电气工业株式会社 散热器及其制造方法和挤压夹具

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5932213B2 (ja) * 1981-06-22 1984-08-07 岩井金属工業株式会社 放熱板におけるフィンの固定方法
JP3033066U (ja) * 1996-07-01 1997-01-17 水谷電機工業株式会社 放熱器
JPH1190560A (ja) * 1997-09-19 1999-04-06 Mitsubishi Alum Co Ltd フィンのベース板への圧入方法及び圧入装置
TW477437U (en) * 1998-06-23 2002-02-21 Foxconn Prec Components Co Ltd Assembled-type CPU heat sink
JP2001102786A (ja) 1999-10-01 2001-04-13 Mizutani Denki Kogyo Kk 電子部品の放熱器およびその製造方法
DE10056387B4 (de) 2000-11-14 2008-11-13 Corus Aluminium Profiltechnik Gmbh Kühlvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP3602806B2 (ja) 2001-03-29 2004-12-15 株式会社リョーサン コルゲートフィン型ヒートシンクの製造方法
DE10200019B4 (de) * 2002-01-02 2006-07-06 Alcan Technology & Management Ag Kühlkörper für Halbleiterbauelemente, Verfahren zu dessen Herstellung und Werkzeug zur Durchführung des Verfahrens
JP4043986B2 (ja) * 2003-03-31 2008-02-06 古河電気工業株式会社 放熱フィンを備えたヒートシンクおよび放熱フィンの固定方法
US20070029068A1 (en) * 2005-08-03 2007-02-08 Ming-Jen Cheng Heat sink
WO2008123488A1 (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Mizutani Electric Ind.Co., Ltd. 半導体素子の放熱器及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06315731A (ja) * 1993-05-06 1994-11-15 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JPH07161882A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Sumitomo Light Metal Ind Ltd ヒートシンク
CN1350330A (zh) * 2000-10-25 2002-05-22 古河电气工业株式会社 散热器及其制造方法和挤压夹具

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Publication number Publication date
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