WO2017013903A1 - メタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法 - Google Patents

メタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法 Download PDF

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metal
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resist
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大生 藤戸
清明 西辻
剛広 西
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凸版印刷株式会社
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Definitions

  • the present invention is a metal mask base material having a metal surface on which a resist is disposed, for example, a metal mask base material, a metal mask, and a metal mask for forming a metal mask for an organic EL element It relates to the manufacturing method.
  • a metal mask substrate which is a metal plate is used.
  • a coating liquid containing a resist layer forming material is applied to the application surface of the metal mask base material, whereby a resist layer is formed.
  • the resist layer is exposed and developed to form a resist layer having a predetermined pattern, and the metal mask base material is etched through the resist layer, whereby a metal mask is manufactured.
  • the thickness of the resist layer varies depending on the amount of coating liquid applied to the coating surface and the degree to which the coating liquid is dried. May vary.
  • a dry film resist as the resist layer (see, for example, Patent Document 1).
  • the resist layer formed using the coating liquid is a layer in which the coating liquid directly applied to the metal mask substrate is cured on the coating surface, so that it is easy to form a shape following the coating surface. Therefore, it is easy to adhere to the metal mask base material.
  • the resist layer formed from the dry film resist is formed by a coating liquid because a layer that is a separate body from the metal mask base material is affixed to one surface of the metal mask base material. Compared to the resist layer, it has a shape that hardly follows the coated surface, and therefore, a part of the resist layer may be peeled off from the metal mask substrate.
  • the surface in contact with the resist layer is not limited to a metal mask substrate formed of a metal plate, for example, a laminate of a resin layer and a metal layer or a laminate in which a resin layer is sandwiched between metal layers.
  • a metal mask substrate formed of a metal plate
  • the metal mask base material is made of metal or alloy.
  • the above-described circumstances are common in a resist layer having low adhesion to a metal mask substrate.
  • An object of the present invention is to provide a metal mask base material, a metal mask, and a method of manufacturing a metal mask having a surface capable of enhancing adhesion at the interface between the resist and the surface.
  • a metal mask base material for solving the above-mentioned problem comprises a metal surface configured so that a resist is arranged, and the three-dimensional surface roughness Sa of the surface is 0.11 ⁇ m or less, The three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less.
  • the adhesion between the metal surface and the resist is improved. .
  • the surface is a first surface
  • the resist is a first resist
  • a second resist is arranged.
  • the second surface may have a three-dimensional surface roughness Sa of 0.11 ⁇ m or less
  • the second surface may have a three-dimensional surface roughness Sz of 3.17 ⁇ m or less.
  • the adhesion between the first surface and the first resist and the adhesion between the second surface and the second resist are improved. Therefore, in the etching on the first surface and the second surface, processing is performed. It is possible to improve the accuracy.
  • the surface may be made of Invar. According to the above configuration, since the linear expansion coefficient of the glass substrate and the linear expansion coefficient of Invar are approximately the same, the metal mask formed from the metal mask base material is applied to film formation on the glass substrate, that is, the shape It is possible to apply a metal mask with improved accuracy to film formation on a glass substrate.
  • the metal mask base material further includes a metal layer formed of invar, the surface is the surface of the metal layer, and further includes a polyimide layer facing the surface of the metal layer opposite to the surface. Good.
  • the metal mask base material since the linear expansion coefficient of Invar and the linear expansion coefficient of polyimide are approximately the same, even if the metal mask includes these two different materials, the metal mask changes due to a change in the temperature of the metal mask. It is possible to suppress warping of the mask. Therefore, it is possible to provide a metal mask with improved shape accuracy and mechanical strength.
  • the resist is preferably a dry film resist, and the surface is preferably configured such that the dry film resist is attached thereto.
  • the adhesion between the metal surface configured to be attached with the dry film resist and the dry film resist is enhanced.
  • a metal mask for solving the above-described problems is a metal mask provided with a metal mask base having a metal surface.
  • the metal mask base includes a plurality of through holes having openings on the surface while penetrating the metal mask base along the thickness direction of the metal mask base.
  • a method of manufacturing a metal mask for solving the above-described problem includes a metal surface configured so that a resist is disposed, and the three-dimensional surface roughness Sa of the surface is 0.11 ⁇ m or less, and the surface Preparing a metal mask base material having a three-dimensional surface roughness Sz of 3.17 ⁇ m or less, disposing a resist on the surface, and a thickness direction of the metal mask base material on the metal mask base material And forming a plurality of recesses in the resist through the resist, and forming the plurality of recesses in the metal mask substrate through the resist. Forming.
  • an average value in the dimension of the opening in a plan view facing the surface is A, and a value obtained by multiplying the standard deviation of the dimension by 3 is B.
  • the said recessed part is formed in the said several metal mask base material so that (B / A) * 100 (%) may be 10% or less.
  • the adhesion at the interface between the resist and the surface can be enhanced.
  • a metal mask base material is embodied as a metal mask base material for a dry film resist
  • a metal mask one embodiment of a metal mask, and a method for manufacturing the metal mask
  • the metal mask manufactured using the metal mask base material for dry film resist in this embodiment is used when the organic material which comprises an organic EL element is vapor-deposited with respect to a glass substrate in the manufacturing process of an organic EL element. It is a mask.
  • the structure of the metal mask base material for dry film resists, the structure of a metal mask, the manufacturing method of the metal mask base material for dry film resists, the manufacturing method of a metal mask, and an Example are demonstrated in order.
  • the metal mask base material 11 is an example of the metal mask base material for dry film resists, and is a metal layer which spreads along one surface.
  • the metal mask base material 11 is provided with the metal 1st surface 11a, and the 1st surface 11a is an example of the surface comprised so that a resist may be arrange
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less
  • the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less.
  • the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz are values measured by a method based on ISO 25178.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is the arithmetic average height Sa in the definition region having a predetermined area
  • the three-dimensional surface roughness Sz is the maximum height Sz in the definition region having a predetermined area.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less, and the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less. Therefore, it is difficult to form a gap between the first surface 11a and the first dry film resist 12 attached to the first surface 11a, and the first dry film resist 12 and the first surface 11a of the metal mask substrate 11 Adhesion at the interface increases.
  • the laminate in which the first dry film resist 12 is attached to the first surface 11a of the metal mask base 11 is a metal mask forming intermediate 10 that is an intermediate for forming a metal mask.
  • the material for forming the metal layer is, for example, invar, that is, an alloy containing iron and nickel as main components, and is preferably an alloy containing 36% by mass of nickel.
  • the linear expansion coefficient of Invar is about 1.2 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the thickness of the metal layer is preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, for example.
  • the linear expansion coefficient of the glass substrate and the linear expansion coefficient of Invar are approximately the same, so a metal mask formed from a metal mask base material is applied to film formation on the glass substrate. That is, a metal mask with improved shape accuracy can be applied to film formation on a glass substrate.
  • the first dry film resist 12 is formed of, for example, a negative resist that is an example of a photosensitive material.
  • the material for forming the first dry film resist 12 is, for example, an acrylic resin that is crosslinked by photopolymerization.
  • the thickness of the first dry film resist 12 is preferably 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, for example.
  • the first dry film resist 12 may be formed from a positive resist, but in general, a negative resist is often used.
  • FIG. 2 shows a first embodiment in which the metal mask base material 11 is composed of one metal layer
  • FIG. 3 shows that the metal mask base material 11 has one metal layer and one resin layer.
  • the 2nd form which is an example comprised from is shown.
  • FIG. 4 shows the 3rd form which is an example in which the metal mask base material 11 is comprised from two metal layers and one resin layer.
  • the metal layer 21 includes a second surface 11b that is a surface opposite to the first surface 11a.
  • the first surface 11a is a metal surface configured such that the first dry film resist 12 is attached
  • the second surface 11b is an example of a surface configured to dispose the resist in detail. These are the metal surfaces comprised so that the 2nd dry film resist 13 might be affixed.
  • the metal mask forming intermediate 10 is composed of the metal layer 21, the first dry film resist 12, and the second dry film resist 13.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is preferably 0.11 ⁇ m or less, and the three-dimensional surface roughness Sz is preferably 3.17 ⁇ m or less.
  • the adhesion between the second dry film resist 13 and the metal layer 21 can be enhanced also on the second surface 11 b.
  • the material for forming the second dry film resist 13 is an acrylic resin that is cross-linked by, for example, photopolymerization, like the first dry film resist 12.
  • the thickness of the 2nd dry film resist 13 is 5 micrometers or more and 20 micrometers or less, for example.
  • the metal mask base material 11 may include a metal layer 21 and a resin layer 22 located on the opposite side of the metal layer 21 from the first dry film resist 12. It is preferable that the linear expansion coefficient of the resin layer 22 and the linear expansion coefficient of the metal layer 21 have the same tendency as temperature dependence and have the same linear expansion coefficient value.
  • the metal layer 21 is an Invar layer formed from, for example, Invar
  • the resin layer 22 is a polyimide layer formed from, for example, polyimide. According to this metal mask base material 11, warpage of the metal mask base material 11 due to the difference between the linear expansion coefficient of the metal layer 21 and the linear expansion coefficient of the resin layer 22 can be suppressed.
  • the metal mask forming intermediate 10 in this embodiment is composed of the metal layer 21, the first dry film resist 12, and the resin layer 22.
  • the resin layer 22 may be formed by coating the metal layer 21, or may be formed in a film shape separately from the metal layer 21 and attached to the metal layer 21. And when the resin layer 22 is affixed on the metal layer 21, the resin layer 22 contains the contact bonding layer which expresses adhesiveness with the metal layer 21, The structure by which this contact bond layer was affixed on the metal layer 21 It may be.
  • the metal mask base material 11 is opposite to the metal layer 21 with respect to the resin layer 22 in the thickness direction of the metal mask base material 11. You may further provide the other metal layer 23 located in.
  • the surface of the metal mask base material 11 opposite to the first surface 11a and including the metal layer 23 is the second surface 11b.
  • the material for forming the other metal layer 23 is, for example, invar, that is, an alloy containing iron and nickel as main components, like the metal layer 21, and is preferably an alloy containing 36% by mass of nickel.
  • the thickness of the metal layer 23 is preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, for example.
  • the thicknesses of the other metal layers 23 may be the same as or different from the thickness of the metal layer 21.
  • the second surface 11b included in the other metal layer 23 has a three-dimensional surface roughness Sa of 0.11 ⁇ m or less and a three-dimensional surface roughness.
  • the thickness Sz is preferably 3.17 ⁇ m or less.
  • the metal mask substrate 11 is a structure in which the metal layer 21 and the resin layer 22 are laminated, and the metal layer 23 and the resin layer 22 are laminated. It is also possible to obtain the same effect as the metal mask substrate 11 made.
  • the metal mask forming intermediate 10 in this embodiment is composed of the metal layers 21 and 23, the first dry film resist 12, the resin layer 22, and the second dry film resist 14.
  • the resin layer 22 may be formed by coating on one of the two metal layers, or formed in a film shape separately from the metal layers 21 and 23 and attached to the metal layers 21 and 23. May be. And when the resin layer 22 is affixed on the metal layers 21 and 23, the resin layer 22 is the adhesive layer which expresses adhesiveness with the metal layer 21, and the adhesive layer which expresses adhesiveness with the metal layer 23.
  • the adhesive layers may be attached to the two metal layers 21 and 23, respectively.
  • composition of metal mask The configuration of the metal mask will be described with reference to FIGS. In the following description, an example in which the metal mask base material 11 for manufacturing a metal mask is formed of one metal layer 21, that is, the first mode described with reference to FIG. 2 will be used.
  • the metal mask 30 is a processed metal mask base material 11 and includes a mask base body 11M which is an example of a metal mask base body.
  • the mask base 11M includes a first mask surface 11aM that is a metal surface corresponding to the first surface 11a of the metal mask base material 11 and from which the first dry film resist 12 has been removed.
  • various processes for example, a washing process, etc. may be performed.
  • various processes are performed on the first mask surface 11aM in which the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz are values on the first surface 11a that is the surface before the processing. It is a process that can be almost maintained.
  • the mask base 11M is formed with a plurality of through holes 11c penetrating the mask base 11M along the thickness direction, and the plurality of through holes 11c are opened in the first mask surface 11aM.
  • the plurality of through holes 11c are, for example, regularly arranged along one direction along the first mask surface 11aM and along a direction orthogonal to the one direction in a plan view facing the first mask surface 11aM. Lined up regularly.
  • the mask base 11 ⁇ / b> M is a metal surface corresponding to the second surface 11 b of the metal mask base material 11, and is a surface from which the second dry film resist 13 has been removed. 11 bM is included.
  • each of the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz is a value on the second surface 11b that is a surface before the processing. It is a process that can be almost maintained.
  • Each through-hole 11c penetrates between the first mask surface 11aM and the second mask surface 11bM, and the cross-sectional area in the direction orthogonal to the direction in which each through-hole 11c penetrates the mask base body 11M is the first mask surface 11aM. And the second mask surface 11bM is the smallest.
  • the adhesion between the second dry film resist 13 and the metal layer 21 is enhanced also on the second surface 11b. Therefore, even if the through hole 11c is formed by etching on the first surface 11a and etching on the second surface 11b, the accuracy of the shape in the through hole 11c is improved.
  • the through-hole 11c has the first opening 41 and the first opening 41 in the thickness direction of the first opening 41 opening in the first mask surface 11aM, the second opening 42 opening in the second mask surface 11bM, and the metal layer 21.
  • a constricted portion 43 is provided between the two openings 42.
  • the first opening 41 is smaller than the second opening 42 in a plan view facing the first mask surface 11aM.
  • the through hole 11 c has a shape in which the cross-sectional area decreases from the first opening 41 toward the constricted portion 43, and the cross-sectional area decreases from the second opening 42 toward the constricted portion 43.
  • the distance between the 1st opening 41 and the narrow part 43 ie, the distance between the 1st mask surface 11aM, and the narrow part 43, is so preferable that it is small.
  • the metal mask 30 when the average value in the dimension of the first opening 41 in a plan view facing the first mask surface 11aM is A and the value obtained by multiplying the standard deviation of the dimension by 3 is B (B / A) ⁇ 100 (%) is preferably 10% or less. Further, in the metal mask 30, when the average value in the dimension of the second opening 42 in a plan view facing the second mask surface 11bM is A, and the value obtained by multiplying the standard deviation of the dimension by 3 is B (B / A) ⁇ 100 (%) is preferably 10% or less.
  • (B / A) ⁇ 100 (%) is 10% or less. Therefore, the dimension accuracy in the first opening 41 of the through-hole 11 c included in the metal mask 30 and the dimension in the second opening 42. High accuracy.
  • the interval between the plurality of through holes 11c along one direction may be small enough to connect the recesses including the second openings 42 between the adjacent through holes 11c. Good. According to such a configuration, the thickness of the portion where the two second openings 42 are connected is thinner than the thickness of the portion of the metal mask 30 where the through hole 11c is not formed.
  • the mask base material 11 for manufacturing a metal mask is the said 2nd form
  • substrate 11M is comprised from a metal layer and a resin layer.
  • the mask base 11M has the first mask surface 11aM, while the surface opposite to the first mask surface 11aM is not included in the metal surface but is included in the resin layer.
  • the second opening 42 is formed in the first mask surface 11aM and the first opening 41 is formed in the surface included in the resin layer.
  • the mask base 11M is composed of a resin layer and two metal layers sandwiching the resin layer.
  • the first mask surface 11aM is included in one metal layer
  • the second mask surface 11bM is included in the other metal layer.
  • the through-hole 11c penetrates these resin layers and two metal layers.
  • the base material 21a is directed toward a rolling device 50 including a pair of rolling rollers 51 and 52 so that the stretching direction D1 of the base material 21a and the transport direction D2 for transporting the base material 21a are parallel to each other. Convey along.
  • the base material 21 a When the base material 21 a reaches between the pair of rolling rollers 51 and 52, the base material 21 a is rolled by the pair of rolling rollers 51 and 52. Thereby, the thickness of the base material 21a is reduced, and the base material 21a is extended along the conveyance direction D2, whereby the rolled material 21b can be obtained.
  • the rolled material 21b is wound around the core C, the rolled material 21b may be handled in a state where the rolled material 21b is stretched into a band shape without being wound around the core C.
  • the thickness of the rolling material 21b is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 50 ⁇ m.
  • the rolled material 21b is annealed using an annealing device 53. Thereby, the metal layer 21 as a metal mask base material is obtained. Since the annealing of the rolled material 21b is performed while pulling the rolled material 21b along the transport direction D2, it is possible to obtain the metal layer 21 as a metal mask base material in which the residual stress is reduced compared to the rolled material 21b before the annealing. it can.
  • each of the rolling process and the annealing process described above may be modified as follows. That is, for example, in the rolling process, a rolling device including a plurality of pairs of rolling rollers may be used. Moreover, you may manufacture the metal layer 21 by repeating a rolling process and an annealing process in multiple times. The annealing step does not anneal the rolled material 21b while pulling the rolled material 21b along the transport direction D2, but anneals the rolled material 21b wound around the core C. Also good.
  • the metal layer 21 is wound around the core C, so that the annealed metal layer 21 includes the metal layer 21.
  • warp wrinkles depending on the diameter of the sticker. Therefore, depending on the size of the diameter when the metal layer 21 is wound around the core C and the material forming the base material 21a, it is preferable to anneal the rolled material 21b while pulling the rolled material 21b along the transport direction D2.
  • the method for producing a metal mask includes preparing a metal mask base material having a metal surface, placing a resist on the surface, forming a recess in the metal mask base material along the thickness direction of the metal mask, and the surface. Forming through holes for forming a plurality of recesses having openings in the resist, and forming a plurality of recesses in the metal mask base material.
  • the size of the opening of the concave portion may be the diameter of the opening.
  • the concave portion of the metal mask base material is a hole that defines a region having a rectangular shape extending along one direction, the dimension at the opening of the concave portion is The dimension along the longitudinal direction of an opening may be sufficient, and the dimension along the transversal direction of an opening may be sufficient.
  • the concave portion of the metal mask base material is a hole that defines an area having a square shape
  • the dimension of the opening of the concave part is the dimension of one side of the opening. I just need it.
  • the concave portion is a hole that divides a rectangular shape extending along one direction or a region having a square shape
  • the corner portion of the region defined by the concave portion is inside the region defined by the concave portion. It may have an arc shape having a center of curvature.
  • the metal mask base material that is the metal layer 21 including the first surface 11a and the second surface 11b described above, and the first surface 11a.
  • a first dry film resist 12 to be affixed to and a second dry film resist 13 to be affixed to the second surface 11b are prepared.
  • Each of the two dry film resists 12 and 13 is a film formed separately from the metal layer 21.
  • the first dry film resist 12 is attached to the first surface 11a, and the second dry film resist 13 is attached to the second surface 11b. That is, the first dry film resist 12 is laminated on the first surface 11a, and the second dry film resist 13 is laminated on the second surface 11b.
  • the first surface 11 a of the metal layer 21 is applied by applying predetermined heat and pressure to the three layers in a state where the metal layer 21 is sandwiched between two dry film resists.
  • the first dry film resist 12 is attached to the second surface 11b, and the second dry film resist 13 is attached to the second surface 11b.
  • the first dry film resist 12 and the second dry film resist 13 may be separately attached to the metal layer 21.
  • each of the first surface 11a and the second surface 11b of the metal layer 21 is preferably a smooth surface.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less
  • the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less. Therefore, the adhesiveness between the dry film resists 12 and 13 and the metal layer 21 is increased to a preferable level.
  • the metal mask forming intermediate is manufactured.
  • portions of the dry film resists 12 and 13 other than the portions where the through holes are formed are exposed and the exposed dry film resist is developed.
  • the first through hole 12 a is formed in the first dry film resist 12
  • the second through hole 13 a is formed in the second dry film resist 13. That is, the first dry film resist 12 and the second dry film resist 13 are patterned.
  • first dry film resist 12 When the first dry film resist 12 is exposed, light is allowed to reach a portion other than the portion where the first through hole 12a is formed on the surface of the first dry film resist 12 opposite to the surface in contact with the metal layer 21. Place the original version configured in.
  • second dry film resist 13 When the second dry film resist 13 is exposed, light is allowed to reach a portion other than the portion where the second through-hole 13a is formed on the surface of the second dry film resist 13 opposite to the surface in contact with the metal layer 21. Place the original version configured in.
  • a sodium carbonate aqueous solution is used as the developer.
  • the first surface 11a of the metal layer 21 is etched using ferric chloride solution using the first dry film resist 12 as a mask, that is, through the first dry film resist 12. .
  • the second protective layer 61 is formed on the second dry film resist 13 so that the second surface 11b of the metal layer 21 is not etched simultaneously with the first surface 11a.
  • the material for forming the second protective layer 61 may be any material that is difficult to be etched by the ferric chloride solution.
  • a first recess 11c1 that is recessed toward the second surface 11b is formed on the first surface 11a of the metal layer 21 through the first through hole 12a of the first dry film resist 12.
  • the ferric chloride solution contacts the first surface 11 a of the metal layer 21 through the first through-holes 12 a formed in the first dry film resist 12.
  • the ferric chloride solution is prevented from entering the interface between the first dry film resist 12 and the metal layer 21. Therefore, the first recess 11c1 is formed in the metal layer 21 in a state where the accuracy of the shape is enhanced.
  • the first dry film resist 12 formed on the first surface 11a of the metal layer 21 and the second protective layer 61 in contact with the second dry film resist 13 are removed.
  • a first protective layer 62 for preventing etching of the first surface 11 a is formed on the first surface 11 a of the metal layer 21.
  • the formation material of the 1st protective layer 62 should just be a material which is hard to be etched with a ferric chloride liquid.
  • the second surface 11b of the metal layer 21 is etched using a ferric chloride solution using the second dry film resist 13 as a mask.
  • a second recess 11c2 that is recessed toward the first surface 11a is formed on the second surface 11b of the metal layer 21 via the second through hole 13a of the second dry film resist 13.
  • the adhesion between the second dry film resist 13 and the metal layer 21 is also improved. Therefore, when the metal layer 21 is exposed to the ferric chloride solution, the ferric chloride solution contacts the second surface 11b of the metal layer 21 through the second through-hole 13a formed in the second dry film resist 13. On the other hand, the ferric chloride solution is prevented from entering the interface between the second dry film resist 13 and the metal layer 21. Therefore, the second concave portion 11c2 is formed in the metal layer 21 in a state where the shape accuracy is enhanced.
  • the metal mask forming intermediate is formed from the metal layer, the resin layer, and the first dry film resist 12. Composed. Etching using the first dry film resist 12 as a mask is performed on such a metal mask forming intermediate, while the resin layer may be perforated by laser processing or the like.
  • the metal mask forming intermediate includes a resin layer, two metal layers sandwiching the resin layer, It consists of two dry film resists 12 and 14.
  • the resin layer may be perforated by laser processing or the like.
  • Example The embodiment will be described with reference to FIGS. Below, the example in which a metal mask base material is comprised from one metal layer is demonstrated.
  • the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz were measured by the following methods.
  • the unit of each value of the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz is ⁇ m.
  • the metal mask base material of Example 1 to Example 3 and the metal mask base material of Comparative Example 1 are prepared as a metal mask base material having a width of 430 mm, and a part of the raw material is 500 mm long. It was obtained by cutting out.
  • the metal mask base material had a thickness of 20 ⁇ m, and the forming material was invar.
  • the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz were measured using a shape analysis laser microscope (VK-X210, manufactured by Keyence Corporation) equipped with a 50 ⁇ objective lens.
  • VK-X210 shape analysis laser microscope
  • the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz the three-dimensional surface roughness Sa in a plane having a width of about 280 ⁇ m in one direction and a width of about 220 ⁇ m in a direction orthogonal to one direction. And the three-dimensional surface roughness Sz was measured. Note that the three-dimensional surface roughness Sa and the three-dimensional surface roughness Sz were measured in directions conforming to ISO 25178.
  • each of the metal mask substrates of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 the surface roughness was measured on test pieces cut out from three different places.
  • Each test piece had a rectangular plate shape in which the length along the length direction of the metal mask base material was 20 mm and the length along the width direction of the metal mask base material was 30 mm.
  • test piece 1 was cut out from a position away from the first end by 100 mm and from the third end by 200 mm.
  • the test piece 2 was cut out from a position away from the second end by 100 mm and from the third end by 70 mm.
  • the test piece 3 was cut out from a position separated from the second end by 100 mm and from the fourth end by 70 mm.
  • each test piece three-dimensional surface roughness Sa and three-dimensional surface roughness Sz at five measurement points were measured.
  • the five measurement points were a central point in each test piece and four points on the outer periphery surrounding the central point.
  • the four points on the outer periphery of each test piece were points located on the diagonal of the test piece, and the distance between the central point and each point on the outer periphery was 10 mm.
  • Table 1 shows the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in each test piece and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz in each test piece. The values shown in were obtained.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 1 is 0.09, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 2. 83. Further, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 2 was 0.08, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.63. Further, it was confirmed that the three-dimensional surface roughness Sa of the test piece 3 was 0.09, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 3.17.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 1 was 0.09, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.60. It was. Further, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 2 was 0.10, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.88. Further, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 3 was 0.09, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.76.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 1 was 0.10, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.93. It was. Further, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 2 was 0.11, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.84. Further, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 3 was 0.10, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 2.96.
  • the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 1 is 0.14, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz is 5. It was found to be 10. Further, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 2 was 0.13, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 5.78. Further, it was confirmed that the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sa in the test piece 3 was 0.16, and the maximum value of the three-dimensional surface roughness Sz was 5.10.
  • FIG. 15 shows the first surface in the metal mask manufacturing process using the metal mask substrate of Example 1, after forming the first recess on the first surface and irradiating the first surface with irradiation light. It is the image which imaged the reflected light reflected in.
  • FIG. 16 shows a first step of irradiating the first surface with irradiation light after forming the first recess on the first surface in the manufacturing process of the metal mask using the metal mask base material of Comparative Example 1. It is the image which imaged the reflected light reflected in.
  • the adhesion between the metal mask substrate 11 and the first dry film resist 12 is enhanced. Therefore, in the plan view facing the first surface 11a, it is recognized that the size of the opening in each first recess 11c1 on the first surface 11a is substantially equal to the size of the opening in all other first recesses 11c1. It was.
  • Example 1 the diameters of 24 first recesses were measured.
  • Example 1 the diameter of the first recess 11c1 included in the region surrounded by the two-dot chain line in the first recess 11c1 shown in FIG. 15 is measured.
  • Comparative Example 1 the first recess shown in FIG. The diameter of the 1st recessed part 71c1 contained in the area
  • a first diameter that is a diameter in the vertical direction of the paper surface and a second diameter that is a diameter in the horizontal direction of the paper surface are measured, and for each first recess, the first diameter and the first diameter are measured.
  • the average diameter which is the average value with the two diameters, was calculated.
  • the first diameter, the second diameter, and the average diameter in Example 1 and the first diameter, the second diameter, and the average diameter in Comparative Example 1 were as shown in Table 3 below.
  • the average diameter in the first recess 11c1 of Example 1 is not less than 47.0 ⁇ m and not more than 50.4 ⁇ m, and the average diameter in the first recess 71c1 of Comparative Example 1 is not less than 46.0 ⁇ m and not more than 64.m. It was found to be 9 ⁇ m or less.
  • Example 1 the average value of the diameter in the opening of the first recess 11c1 in a plan view facing the surface of the metal mask base material 11 is A, and the value obtained by multiplying the standard deviation of the diameter by 3 is (B / A) ⁇ 100 (%) was calculated.
  • (B / A) ⁇ 100 (%) is 8.2%
  • (B / A) ⁇ 100 (%) is 6.6%
  • the average diameter (B / A) ⁇ 100 (%) was found to be 5.9%.
  • Example 1 the average value of the diameters of the openings of the first recesses 71c1 in plan view facing the surface 71a of the metal layer is A, and the value obtained by multiplying the standard deviation of the diameters by 3 is As B, (B / A) ⁇ 100 (%) was calculated. In the first diameter, (B / A) ⁇ 100 (%) is 30.3%, and in the second diameter, (B / A) ⁇ 100 (%) is 26.1%, and the average diameter (B / A) ⁇ 100 (%) was found to be 26.7%.
  • Example 1 In Example 1, (B / A) ⁇ 100 (%) is 8.2% or less, that is, 10% or less. Therefore, the opening of the first concave portion 11c1 included in the metal mask base material 11, and thus the penetration included in the metal mask. It was found that the dimensional accuracy was high in the diameter at the opening of the hole. On the other hand, in Comparative Example 1, (B / A) ⁇ 100 (%) is 30.3% or less, and according to Example 1, the metal mask base material 11 has compared with Comparative Example 1. It was recognized that the dimensional accuracy was greatly increased in the diameter of the opening of the first recess 11c1, and hence the opening of the through hole of the metal mask.
  • Example 1 For Example 1 and Comparative Example 1, a histogram showing the frequency of the average diameter of the first recesses every 2 ⁇ m and a histogram showing every 1 ⁇ m were prepared.
  • each of several 1st recessed part 11c1 is made. It was observed that the shape was formed with high accuracy.
  • the metal mask base material of Comparative Example 1 it is recognized that the shape accuracy is lowered in the plurality of first recesses 71c1 because the adhesion between the metal mask base material and the dry film resist is low. It was.
  • Example 2 In each of Example 2 and Example 3, it was confirmed that a shape equivalent to the shape of the plurality of first recesses shown in FIG. 15 was obtained.
  • the metal layer 21 and the first layer It was observed that the adhesion with the dry film resist 12 was increased.
  • the effects listed below can be obtained. (1) Since the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less and the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less, there is a gap between the first surface 11 a and the first dry film resist 12. As a result, the adhesion at the interface between the first dry film resist 12 and the surface of the metal layer 21 is increased.
  • the three-dimensional surface roughness Sa is 0.11 ⁇ m or less, and the three-dimensional surface roughness Sz is 3.17 ⁇ m or less. Therefore, also in the 2nd surface 11b among the metal layers 21, the adhesiveness of the 2nd dry film resist 13 and the metal layer 21 can be improved, and in the etching with respect to the 1st surface 11a and the 2nd surface 11b, Processing accuracy can be increased.
  • the linear expansion coefficient of the glass substrate and the linear expansion coefficient of Invar are about the same. Therefore, it is possible to apply a metal mask formed from a metal mask base material to a glass substrate, that is, to apply a metal mask with improved shape accuracy to a glass substrate.
  • the linear expansion coefficient of Invar and the linear expansion coefficient of polyimide are approximately the same. Therefore, even if the metal mask base material 11 includes two different materials, the metal mask 30 is less likely to warp due to a temperature change in the metal mask 30. Therefore, it is possible to provide the metal mask 30 with improved shape accuracy and mechanical strength.
  • Adhesion between the second dry film resist 13 and the metal layer 21 is enhanced also on the second surface 11b in addition to the first surface 11a. Therefore, even if the through hole 11c is formed by etching on the first surface 11a and etching on the second surface 11b, the accuracy of the shape in the through hole 11c is improved.
  • each through hole 11c may be substantially the same over the entire thickness direction of the metal layer 21.
  • the cross-sectional area of each through hole 11c may increase from the first surface 11a to the second surface 11b in the thickness direction of the metal layer 21, or from the first surface 11a to the second surface 11b. It may be smaller.
  • the material for forming the metal layer 21 may be a material other than Invar as long as it is a pure metal or an alloy. Moreover, when the forming material of the metal layer 21 is a material other than Invar, the difference in linear expansion coefficient between the forming material of the metal layer 21 and the resin layer in contact with the metal layer 21 is different in the forming material of the metal layer 21. A resin smaller than the difference between the linear expansion coefficient and the linear expansion coefficient of polyimide may be used.
  • the three-dimensional surface roughness Sa on the second surface 11b may be larger than 0.11 ⁇ m, and the three-dimensional surface roughness Sz may be larger than 3.17 ⁇ m. Even with such a configuration, at least the first surface 11 a can improve the adhesion between the metal layer 21 and the first dry film resist 12.
  • the metal mask 30 is not limited to the metal mask used when the organic EL element forming material is vapor-deposited on the glass substrate, and other materials such as when various metal materials are formed by vapor deposition or sputtering. It may be a metal mask for the purpose. In this case, the plurality of through holes 11c may be arranged irregularly in a plan view facing the first surface 11a.
  • the resist used for etching the metal mask base material is not limited to the dry film resist described above, and may be a resist formed by applying a coating liquid for forming a resist to the metal mask base material. . That is, the resist may be disposed on the surface of the metal mask base material by application, or may be disposed on the surface of the metal mask base material by pasting. Even with such a resist, according to the above-described metal mask base material, when using a resist with low adhesion to the surface of the metal mask base material, it is possible to obtain the same effect as when using a dry film resist. Is possible.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Metal mask formation intermediate, 11 ... Metal mask base material, 11a ... 1st surface, 11aM ... 1st mask surface, 11b ... 2nd surface, 11bM ... 2nd mask surface, 11c ... Through-hole, 11c1, 71c1 ... 1st recessed part, 11c2 ... 2nd recessed part, 11M ... Mask base
  • Metal mask 41 ... 1st opening, 42 ... 2nd opening, 43 ... Constriction part, 50 ... Rolling apparatus, 51, 52 ... rolling roller, 53 ... annealing device, 61 ... second protective layer, 62 ... first protective layer, 71a ... surface, C ... core.

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Abstract

メタルマスク基材は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、表面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、表面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である。

Description

メタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
　本発明は、レジストが配置されるための金属製の表面を備えるメタルマスク基材であって、例えば、有機ＥＬ素子用メタルマスクを形成するためのメタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法に関する。
　有機ＥＬ素子用のメタルマスクの製造には、例えば金属板であるメタルマスク基材が用いられる。メタルマスク基材が有する塗布面には、レジスト層の形成材料を含む塗液が塗布され、それによってレジスト層が形成される。そして、レジスト層に対する露光と現像とが行われることによって、所定のパターンを有したレジスト層が形成され、レジスト層を介してメタルマスク基材がエッチングされることによって、メタルマスクが製造される。
　上述したレジスト層の形成では、塗布面に塗布される塗液の量や、塗液の乾燥される程度がばらつくことによって、レジスト層の厚さがばらついたり、レジスト層の面内において、厚さがばらついたりする場合がある。そこで、レジスト層におけるこうしたばらつきを抑えるために、レジスト層としてドライフィルムレジストを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１３－２０９７１０号公報
　ところで、塗液を用いて形成されるレジスト層は、メタルマスク基材に対して直接塗布された塗液が塗布面で硬化した層であるため、塗布面に追従した形状を形成しやすく、それゆえに、メタルマスク基材に対して密着しやすい。一方で、ドライフィルムレジストから形成されるレジスト層は、メタルマスク基材とは別体である層がメタルマスク基材の１つの面に貼り付けられた層であるため、塗液によって形成されるレジスト層と比べて塗布面に追従しにくい形状を有し、それゆえに、レジスト層の一部がメタルマスク基材から剥がれる場合がある。
　なお、金属板から形成されるメタルマスク基材に限らず、例えば、樹脂層と金属層との積層体や、樹脂層が金属層によって挟まれた積層体のように、レジスト層と接する面が金属製あるいは合金製であるメタルマスク基材であれば、上述した事情は共通している。また、レジスト層の形成材料を含む塗液を用いて形成されるレジスト層であっても、メタルマスク基材に対する密着性が低いレジスト層においては、上述した事情は共通している。
　本発明は、レジストと表面との界面における密着性を高めることができる表面を備えたメタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するためのメタルマスク基材は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、前記表面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、前記表面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である。
　上記構成によれば、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、金属製の表面とレジストとの間の密着性が高められる。
　上記メタルマスク基材において、前記表面が第１面であり、前記レジストが第１レジストであり、前記第１面とは反対側の面であって、第２レジストが配置されるように構成された金属製の第２面をさらに備える。そして、前記第２面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、前記第２面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であってもよい。
　上記構成によれば、第１面と第１レジストとの密着性、および、第２面と第２レジストとの密着性が高められるため、第１面、および、第２面に対するエッチングにおいて、加工の精度を高めることが可能である。
　上記メタルマスク基材において、前記表面はインバー製であってもよい。
　上記構成によれば、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　上記メタルマスク基材は、インバーから形成された金属層を備え、前記表面が前記金属層の表面であり、前記金属層において前記表面とは反対側の面と対向するポリイミド層をさらに備えてもよい。
　上記メタルマスク基材によれば、インバーの線膨張係数とポリイミドの線膨張係数とが同じ程度であるため、これら互いに異なる２つの材料をメタルマスクが含むとしても、メタルマスクの温度の変化によってメタルマスクに反りが生じることが抑えられる。それゆえに、形状の精度、および、機械的な強度が高められたメタルマスクを提供することが可能ともなる。
　上記メタルマスク基材において、前記レジストはドライフィルムレジストであり、前記表面は、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されていることが好ましい。
　上記構成によれば、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された金属製の表面とドライフィルムレジストとの間の密着性が高められる。
　上記課題を解決するためのメタルマスクは、金属製の表面を有したメタルマスク基体を備えるメタルマスクである。前記メタルマスク基体は、前記メタルマスク基体の厚さ方向に沿って前記メタルマスク基体を貫通するとともに、前記表面に開口を有した複数の貫通孔を備える。前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下である。
　上記課題を解決するためのメタルマスクの製造方法は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、前記表面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、前記表面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるメタルマスク基材を準備することと、前記表面にレジストを配置することと、前記メタルマスク基材に、前記メタルマスク基材の厚さ方向に沿って窪み、かつ、前記表面に開口を有した複数の凹部を形成するための貫通孔を前記レジストに形成することと、前記レジストを介して、前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することと、を備える。前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することでは、前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように複数の前記メタルマスク基材に前記凹部を形成する。
　上記構成によれば、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であるため、開口における寸法の精度が高い。
　本発明によれば、レジストと表面との界面における密着性を高めることができる。
本発明のメタルマスク基材をドライフィルムレジスト用メタルマスク基材として具体化した１つの実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一部斜視構造を示す部分斜視図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を用いて製造したメタルマスクの一部斜視構造を示す部分斜視図である。 メタルマスクの一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明するための工程図であって、インバーから形成された母材を圧延する工程を示す工程図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明するための工程図であって、圧延材をアニールする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを貼り付ける工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを現像する工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、金属層の第１面をエッチングする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、第１保護層を形成する工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、金属層の第２面をエッチングする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを除去する工程を示す工程図である。 実施例１における複数の第１凹部が形成された第１面の撮像結果を示す画像である。 比較例１における複数の第１凹部が形成された表面の撮像結果を示す画像である。 実施例１における第１凹部の直径の分布を２μｍごとに示すヒストグラムである。 実施例１における第１凹部の直径の分布を１μｍごとに示すヒストグラムである。 比較例１における第１凹部の直径の分布を２μｍごとに示すヒストグラムである。 比較例１における第１凹部の直径の分布を１μｍごとに示すヒストグラムである。
　図１から図２０を参照して、メタルマスク基材をドライフィルムレジスト用メタルマスク基材として具体化した１つの実施形態、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法の１つの実施形態を説明する。本実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を用いて製造されたメタルマスクは、有機ＥＬ素子の製造工程において、ガラス基板に対して有機ＥＬ素子を構成する有機材料を蒸着するときに用いられるマスクである。以下では、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成、メタルマスクの構成、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法、メタルマスクの製造方法、および、実施例を順番に説明する。
　［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成］
　図１から図４を参照してドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成を説明する。
　図１が示すように、メタルマスク基材１１は、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例であり、１つの面に沿って拡がる金属層である。メタルマスク基材１１は、金属製の第１面１１ａを備え、第１面１１ａは、レジストが配置されるように構成された表面の一例、詳細には、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された表面の一例である。第１面１１ａにおいて、三次元表面粗さＳａは０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚは３．１７μｍ以下である。
　三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚは、ＩＳＯ　２５１７８に準拠する方法によって測定された値である。三次元表面粗さＳａは、所定の面積を有する定義領域中の算術平均高さＳａであり、三次元表面粗さＳｚは、所定の面積を有する定義領域中の最大高さＳｚである。
　上記メタルマスク基材１１によれば、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である。そのため、第１面１１ａと第１面１１ａに貼り付けられる第１ドライフィルムレジスト１２との間に隙間が形成されにくくなり、第１ドライフィルムレジスト１２とメタルマスク基材１１の第１面１１ａとの界面における密着性が高まる。なお、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられた積層体は、メタルマスクを形成するための中間体であるメタルマスク形成用中間体１０である。
　金属層の形成材料は、例えばインバー、すなわち、鉄とニッケルとを主成分とする合金であり、３６質量％のニッケルを含む合金であることが好ましい。インバーの線膨張係数は、１．２×１０－６／℃程度である。金属層の厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
　金属層の形成材料がインバーであれば、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　第１ドライフィルムレジスト１２は、例えば、感光性を有する材料の一例であるネガ型レジストから形成されている。第１ドライフィルムレジスト１２の形成材料は、例えば光重合により架橋するアクリル系樹脂である。第１ドライフィルムレジスト１２の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。なお、第１ドライフィルムレジスト１２は、ポジ型レジストから形成されてもよいが、一般には、ネガ型レジストが用いられることが多い。
　図２から図４を参照して、メタルマスク基材１１、および、メタルマスク形成用中間体１０の他の形態を説明する。なお、図２は、メタルマスク基材１１が１つの金属層から構成される例である第１の形態を示し、図３は、メタルマスク基材１１が１つの金属層と１つの樹脂層とから構成される例である第２の形態を示す。また、図４は、メタルマスク基材１１が２つの金属層と１つの樹脂層とから構成される例である第３の形態を示す。
　［第１の形態］
　図２が示すように、金属層２１は、第１面１１ａとは反対側の面である第２面１１ｂを備えている。第１面１１ａは、第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられるように構成された金属製の表面であり、第２面１１ｂは、レジストが配置されるように構成された表面の一例、詳細には、第２ドライフィルムレジスト１３が貼り付けられるように構成された金属製の表面である。メタルマスク形成用中間体１０は、これら金属層２１、第１ドライフィルムレジスト１２、および、第２ドライフィルムレジスト１３から構成されている。
　第２面１１ｂにおいても、第１面１１ａと同様、三次元表面粗さＳａは０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚは３．１７μｍ以下であることが好ましい。このメタルマスク基材１１によれば、金属層２１のうち、第１面１１ａに加えて、第２面１１ｂにおいても第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性を高めることができる。
　なお、第２ドライフィルムレジスト１３の形成材料は、第１ドライフィルムレジスト１２と同じく、例えば光重合により架橋するアクリル系樹脂である。また、第２ドライフィルムレジスト１３の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
　［第２の形態］
　図３が示すように、メタルマスク基材１１は、金属層２１と、金属層２１に対して第１ドライフィルムレジスト１２とは反対側に位置する樹脂層２２とを備えてもよい。樹脂層２２の線膨張係数と、金属層２１の線膨張係数とは、温度の依存性として互いに同じ傾向を示し、かつ、線膨張係数の値が同じ程度であることが好ましい。金属層２１は、例えばインバーから形成されたインバー層であり、樹脂層２２は、例えばポリイミドから形成されたポリイミド層である。このメタルマスク基材１１によれば、金属層２１の線膨張係数と、樹脂層２２の線膨張係数との差によって、メタルマスク基材１１に反りが生じることが抑えられる。
　この形態におけるメタルマスク形成用中間体１０は、これら金属層２１、第１ドライフィルムレジスト１２、および、樹脂層２２から構成されている。なお、樹脂層２２は、金属層２１に対する塗工によって形成されてもよいし、金属層２１とは別にフィルム状に形成されて、金属層２１に貼り付けられてもよい。そして、樹脂層２２が金属層２１に貼り付けられる場合には、樹脂層２２は、金属層２１との接着性を発現する接着層を含み、この接着層が金属層２１に貼り付けられた構成であってもよい。
　［第３の形態］
　図４が示すように、メタルマスク基材１１は、金属層２１と樹脂層２２とに加えて、メタルマスク基材１１の厚さ方向において、樹脂層２２に対して金属層２１とは反対側に位置する他の金属層２３をさらに備えてもよい。このメタルマスク基材１１では、メタルマスク基材１１における第１面１１ａとは反対側の面であって、金属層２３の含む面が第２面１１ｂである。
　他の金属層２３の形成材料は、金属層２１と同じく、例えばインバー、すなわち、鉄とニッケルとを主成分とする合金であり、３６質量％のニッケルを含む合金であることが好ましい。金属層２３の厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。他の金属層２３の厚さは、金属層２１の厚さと互いに同じであってもよいし、互いに異なってもよい。
　金属層２１が含む第１面１１ａおよび第２面１１ｂと同様、他の金属層２３の含む第２面１１ｂにおいて、三次元表面粗さＳａは０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚは３．１７μｍ以下であることが好ましい。
　これによって、他の金属層２３が含む第２面１１ｂによれば、金属層２１が含む第１面１１ａおよび第２面１１ｂと同等の効果を得ることができる。なお、メタルマスク基材１１は、金属層２１と樹脂層２２とが積層され、また、金属層２３と樹脂層２２とが積層された構造体であるため、図３を参照して先に説明したメタルマスク基材１１と同等の効果を得ることもできる。
　この形態におけるメタルマスク形成用中間体１０は、これら金属層２１，２３、第１ドライフィルムレジスト１２、樹脂層２２、および、第２ドライフィルムレジスト１４から構成されている。なお、樹脂層２２は、２つの金属層のうちのいずれかに対する塗工によって形成されてもよいし、金属層２１，２３とは別にフィルム状に形成されて、金属層２１，２３に貼り付けられてもよい。そして、樹脂層２２が金属層２１，２３に貼り付けられる場合には、樹脂層２２は、金属層２１との接着性を発現する接着層と、金属層２３との接着性を発現する接着層とを含み、これらの接着層が２つの金属層２１，２３にそれぞれ貼り付けられた構成であってもよい。
　［メタルマスクの構成］
　図５および図６を参照してメタルマスクの構成を説明する。なお、以下では、メタルマスクを製造するためのメタルマスク基材１１が、１つの金属層２１から構成される例、すなわち、図２を用いて説明された第１の形態を用いて説明する。
　図５が示すように、メタルマスク３０は、加工が施されたメタルマスク基材１１であって、メタルマスク基体の一例であるマスク基体１１Ｍを備えている。マスク基体１１Ｍは、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに対応する金属製の表面であって、第１ドライフィルムレジスト１２が取り除かれた面である第１マスク面１１ａＭを含む。
　なお、メタルマスク基材１１の第１面１１ａには、第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられる前に、以下の前提であれば、各種の処理、例えば洗浄処理などが行われてもよい。すなわち、この場合には、各種の処理は、第１マスク面１１ａＭにおいて、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が、処理前の面である第１面１１ａにおける値にほぼ維持することができる処理である。
　マスク基体１１Ｍには、マスク基体１１Ｍを厚さ方向に沿って貫通する複数の貫通孔１１ｃが形成され、第１マスク面１１ａＭに複数の貫通孔１１ｃが開口している。複数の貫通孔１１ｃは、例えば、第１マスク面１１ａＭと対向する平面視において、第１マスク面１１ａＭに沿う１つの方向に沿って規則的に並び、かつ、１つの方向と直交する方向に沿って規則的に並んでいる。
　図６が示すように、マスク基体１１Ｍは、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂに対応する金属製の面であって、第２ドライフィルムレジスト１３が取り除かれた面である第２マスク面１１ｂＭを含む。
　なお、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂには、第２ドライフィルムレジスト１３が貼り付けられる前に、以下の前提であれば、各種の処理、例えば洗浄処理などが行われてもよい。すなわち、この場合には、各種の処理は、第２マスク面１１ｂＭにおいて、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が、処理前の面である第２面１１ｂにおける値にほぼ維持することができる処理である。
　各貫通孔１１ｃは、第１マスク面１１ａＭと第２マスク面１１ｂＭとの間を貫通し、各貫通孔１１ｃがマスク基体１１Ｍを貫通する方向と直交する方向における断面積が、第１マスク面１１ａＭと第２マスク面１１ｂＭとの間において最も小さい。
　メタルマスク３０によれば、メタルマスク３０が製造されるときに、第２面１１ｂにおいても、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性が高まる。そのため、貫通孔１１ｃが、第１面１１ａにおけるエッチングと第２面１１ｂにおけるエッチングとによって形成される構成でも、貫通孔１１ｃにおける形状の精度が高められる。
　すなわち、貫通孔１１ｃは、第１マスク面１１ａＭに開口する第１開口４１、第２マスク面１１ｂＭに開口する第２開口４２、および、金属層２１の厚さ方向において、第１開口４１と第２開口４２との間に位置する括れ部４３を備える。第１マスク面１１ａＭと対向する平面視において、第１開口４１は第２開口４２よりも小さい。貫通孔１１ｃは、第１開口４１から括れ部４３に向けて断面積が小さくなり、かつ、第２開口４２から括れ部４３に向けて断面積が小さくなる形状を有している。なお、第１開口４１と括れ部４３との間の距離、すなわち、第１マスク面１１ａＭと括れ部４３との間の距離は小さいほど好ましい。
　また、メタルマスク３０において、第１マスク面１１ａＭと対向する平面視での第１開口４１の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であることが好ましい。さらに、メタルマスク３０において、第２マスク面１１ｂＭと対向する平面視での第２開口４２の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であることが好ましい。
　メタルマスク３０において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であるため、メタルマスク３０が有する貫通孔１１ｃの第１開口４１における寸法の精度、および、第２開口４２における寸法の精度が高い。
　厚さ方向に沿う断面において、１つの方向に沿って複数の貫通孔１１ｃが位置する間隔は、互いに隣り合う貫通孔１１ｃの間において、第２開口４２を含む凹部同士が繋がる程度に小さくてもよい。こうした構成によれば、２つの第２開口４２が繋がる部分における厚さが、メタルマスク３０のうち、貫通孔１１ｃが形成されていない部分における厚さよりも薄くなる。
　なお、メタルマスクを製造するためのメタルマスク基材１１が上記第２の形態であるとき、マスク基体１１Ｍは、金属層と樹脂層とから構成される。こうしたマスク基体１１Ｍは、上記第１マスク面１１ａＭを有する一方で、第１マスク面１１ａＭとは反対側の面は、金属製の表面ではなく、樹脂層に含まれる。こうした構成では、第１マスク面１１ａＭに第２開口４２が形成され、樹脂層に含まれる面に第１開口４１が形成されることが好ましい。
　また、メタルマスクを製造するためのメタルマスク基材１１が上記第３の形態であるとき、マスク基体１１Ｍは、樹脂層と、この樹脂層を挟む２つの金属層とから構成される。こうしたマスク基体１１Ｍにおいては、上記第１マスク面１１ａＭが一方の金属層に含まれ、上記第２マスク面１１ｂＭが他方の金属層に含まれる。また、貫通孔１１ｃは、これら樹脂層と２つの金属層とを貫通する。
　［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法］
　図７および図８を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明する。なお、以下では、メタルマスク基材１１が、１つの金属層２１から構成される例、すなわち、図２を用いて説明された第１の形態を用いて説明する。
　図７が示すように、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法では、まず、インバーから形成された母材２１ａであって、１つの方向である延伸方向Ｄ１に沿って延びる母材２１ａを準備する。次いで、母材２１ａの延伸方向Ｄ１と、母材２１ａを搬送する搬送方向Ｄ２とが平行になるように、母材２１ａを一対の圧延ローラー５１，５２を備える圧延装置５０に向けて搬送方向Ｄ２に沿って搬送する。
　母材２１ａが一対の圧延ローラー５１，５２の間に到達すると、母材２１ａが一対の圧延ローラー５１，５２によって圧延される。これにより、母材２１ａの厚さが低減され、かつ、母材２１ａが搬送方向Ｄ２に沿って伸ばされることで、圧延材２１ｂを得ることができる。圧延材２１ｂはコアＣに巻き取られるが、圧延材２１ｂは、コアＣに巻き取られることなく、帯形状に伸ばされた状態で取り扱われてもよい。圧延材２１ｂの厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下である。
　図８が示すように、母材２１ａの圧延によって形成された圧延材２１ｂの内部に蓄積された残留応力を取り除くために、アニール装置５３を用いて圧延材２１ｂをアニールする。これにより、メタルマスク基材としての金属層２１が得られる。圧延材２１ｂのアニールは、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら行うため、アニール前の圧延材２１ｂに比べて残留応力が低減されたメタルマスク基材としての金属層２１を得ることができる。
　なお、上述した圧延工程およびアニール工程の各々を、以下のように変更して実施してもよい。すなわち、例えば、圧延工程では、複数対の圧延ローラーを備える圧延装置を用いてもよい。また、圧延工程およびアニール工程を複数回繰り返すことによって、金属層２１を製造してもよい。また、アニール工程は、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら圧延材２１ｂに対してアニールを行うのではなく、コアＣに巻き取られた状態の圧延材２１ｂに対してアニールを行ってもよい。
　なお、コアＣに巻き取られた状態の圧延材２１ｂに対してアニール工程を行ったときには、金属層２１がコアＣに巻き取られたことにより、アニール後の金属層２１には、金属層２１の径に応じた反りの癖がついてしまう場合がある。そのため、金属層２１がコアＣに巻かれたときの径の大きさや母材２１ａを形成する材料によっては、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら圧延材２１ｂをアニールすることが好ましい。
　［メタルマスクの製造方法］
　図９から図１４を参照してメタルマスク３０の製造方法を説明する。なお、以下では、メタルマスク３０を製造するために使用されるメタルマスク基材１１が、１つの金属層２１から構成される例、すなわち、図２を用いて説明された第１の形態を用いて説明する。また、図９から図１４では、図示の便宜上から、メタルマスク３０に形成される複数の貫通孔１１ｃのうち、１つの貫通孔１１ｃのみを含む部分に対する工程図が示されている。
　メタルマスクの製造方法は、金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備すること、表面にレジストを配置すること、メタルマスク基材に、メタルマスクの厚さ方向に沿って窪み、かつ、表面に開口を有する複数の凹部を形成するための貫通孔をレジストに形成すること、および、メタルマスク基材に複数の凹部を形成することを備えている。メタルマスク基材に複数の凹部を形成することでは、表面と対向する平面視での開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるようにメタルマスク基材に複数の凹部を形成することが好ましい。
　なお、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が円形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口の直径であればよい。また、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が１つの方向に沿って延びる矩形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口の長手方向に沿う寸法であってもよいし、開口の短手方向に沿う寸法であってもよい。またあるいは、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が正方形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口における一辺の寸法であればよい。
　なお、凹部が１つの方向に沿って延びる矩形状、あるいは、正方形状を有した領域を区画する孔であるときには、凹部によって区画される領域の角部が、凹部によって区画される領域の内部に曲率の中心を有するような弧状を有してもよい。
　より詳しくは、図９が示すように、メタルマスク３０を製造するときには、まず、上述した第１面１１ａと第２面１１ｂとを含む金属層２１であるメタルマスク基材と、第１面１１ａに貼り付けられる第１ドライフィルムレジスト１２と、第２面１１ｂに貼り付けられる第２ドライフィルムレジスト１３とを準備する。２つのドライフィルムレジスト１２，１３の各々は、金属層２１とは別に形成されたフィルムである。
　そして、第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を貼り付け、かつ、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を貼り付ける。すなわち、第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を積層し、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を積層する。例えば、金属層２１の厚さ方向において、金属層２１が２つのドライフィルムレジストに挟まれた状態で、３つの層に所定の熱と圧力とを加えることによって、金属層２１の第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を貼り付け、かつ、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を貼り付ける。なお、第１ドライフィルムレジスト１２と第２ドライフィルムレジスト１３とは、金属層２１に対して別々に貼り付けられてもよい。
　ここで、２つのドライフィルムレジスト１２，１３と金属層２１との密着性を高める観点では、金属層２１の第１面１１ａおよび第２面１１ｂの各々が、平滑な面であることが好ましい。この点で、第１面１１ａおよび第２面１１ｂの各々において、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、メタルマスクを製造する上で好ましい程度に、ドライフィルムレジスト１２，１３と金属層２１との密着性が高まる。こうしてメタルマスク形成用中間体が製造される。
　図１０が示すように、ドライフィルムレジスト１２，１３のうち、貫通孔を形成する部位以外の部分を露光し、露光後のドライフィルムレジストを現像する。これによって、第１ドライフィルムレジスト１２に第１貫通孔１２ａを形成し、かつ、第２ドライフィルムレジスト１３に第２貫通孔１３ａを形成する。すなわち、第１ドライフィルムレジスト１２と第２ドライフィルムレジスト１３とをパターニングする。
　第１ドライフィルムレジスト１２を露光するときには、第１ドライフィルムレジスト１２において金属層２１に接する面とは反対側の面に、第１貫通孔１２ａを形成する部分以外の部分に光を到達させるように構成された原版を載せる。第２ドライフィルムレジスト１３を露光するときには、第２ドライフィルムレジスト１３において金属層２１に接する面とは反対側の面に、第２貫通孔１３ａを形成する部分以外の部分に光を到達させるように構成された原版を載せる。また、露光後のドライフィルムレジストを現像するときには、現像液として、例えば炭酸ナトリウム水溶液を用いる。
　なお、第１ドライフィルムレジスト１２がポジ型レジストから形成されるときには、第１ドライフィルムレジスト１２のうち、第１貫通孔１２ａを形成する部分を露光すればよい。また、第２ドライフィルムレジスト１３がポジ型レジストから形成されるときには、第２ドライフィルムレジスト１３のうち、第２貫通孔１３ａを形成する部分を露光すればよい。
　図１１が示すように、例えば、第１ドライフィルムレジスト１２をマスクとして、すなわち、第１ドライフィルムレジスト１２を介して、塩化第二鉄液を用いて金属層２１の第１面１１ａをエッチングする。このとき、第２ドライフィルムレジスト１３には、金属層２１の第２面１１ｂが第１面１１ａと同時にエッチングされないように、第２保護層６１を形成する。第２保護層６１の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。これによって、金属層２１の第１面１１ａに、第１ドライフィルムレジスト１２の第１貫通孔１２ａを介して、第２面１１ｂに向けて窪む第１凹部１１ｃ１を形成する。
　ここで、上述したメタルマスク形成用中間体では、第１ドライフィルムレジスト１２と金属層２１との密着性が高められている。そのため、金属層２１が塩化第二鉄液に曝されたとき、塩化第二鉄液は、第１ドライフィルムレジスト１２に形成された第１貫通孔１２ａを通じて金属層２１の第１面１１ａに接する一方で、塩化第二鉄液が、第１ドライフィルムレジスト１２と金属層２１との界面に入り込むことが抑えられる。それゆえに、金属層２１には、第１凹部１１ｃ１が、形状の精度が高められた状態で形成される。
　また、第１面１１ａと対向する平面視において、第１凹部１１ｃ１が有する開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように金属層２１に複数の第１凹部１１ｃ１が形成される。
　図１２が示すように、金属層２１の第１面１１ａに形成した第１ドライフィルムレジスト１２と、第２ドライフィルムレジスト１３に接する第２保護層６１とを取り除く。また、金属層２１の第１面１１ａに、第１面１１ａのエッチングを防ぐための第１保護層６２を形成する。第１保護層６２の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。
　図１３が示すように、第２ドライフィルムレジスト１３をマスクとして、塩化第二鉄液を用いて金属層２１の第２面１１ｂをエッチングする。これによって、金属層２１の第２面１１ｂに、第２ドライフィルムレジスト１３の第２貫通孔１３ａを介して、第１面１１ａに向けて窪む第２凹部１１ｃ２を形成する。
　ここで、上述したメタルマスク形成用中間体では、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性も高められている。そのため、金属層２１が塩化第二鉄液に曝されたとき、塩化第二鉄液は、第２ドライフィルムレジスト１３に形成された第２貫通孔１３ａを通じて金属層２１の第２面１１ｂに接する一方で、塩化第二鉄液が、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との界面に入り込むことが抑えられる。それゆえに、金属層２１には、第２凹部１１ｃ２が、形状の精度が高められた状態で形成される。
　また、第２面１１ｂと対向する平面視において、第２凹部１１ｃ２が有する開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように金属層２１に複数の第２凹部１１ｃ２が形成される。
　図１４が示すように、第１保護層６２と第２ドライフィルムレジスト１３とを金属層２１から取り除くことによって、複数の貫通孔１１ｃが形成されたメタルマスク３０が得られる。
　なお、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が上記第２の形態であるとき、メタルマスク形成用中間体は、金属層、樹脂層、および、第１ドライフィルムレジスト１２から構成される。こうしたメタルマスク形成用中間体に対しては、第１ドライフィルムレジスト１２をマスクとしたエッチングが施される一方で、樹脂層に対してはレーザ加工などによる穿孔が行われてもよい。
　また、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が上記第３の形態であるとき、メタルマスク形成用中間体は、樹脂層と、この樹脂層を挟む２つの金属層と、２つのドライフィルムレジスト１２，１４から構成される。こうしたメタルマスク形成用中間体に対しては、各ドライフィルムレジスト１２，１４をマスクとしたエッチングの他に、樹脂層に対してはレーザ加工などによる穿孔が行われてもよい。
　［実施例］
　図１５から図２０を参照して実施例を説明する。以下では、メタルマスク基材が１つの金属層から構成される例を説明する。
　［表面粗さの測定］
　実施例１から実施例３のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材の各々について、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚを以下の方法で測定した。なお、以下において、三次元表面粗さＳａおよび三次元表面粗さＳｚの各々の値における単位は、いずれもμｍである。
　実施例１から実施例３のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材は、４３０ｍｍの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を５００ｍｍの長さで切り出すことによって得た。また、メタルマスク基材は、２０μｍの厚さを有するものとし、形成材料をインバーとした。
　５０倍の対物レンズを装着した形状解析レーザ顕微鏡（ＶＫ－Ｘ２１０、（株）キーエンス製）を用いて、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚを測定した。三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚとして、１つの方向における約２８０μｍの幅と、１つの方向と直交する方向における約２２０μｍの幅とを有する面における三次元表面粗さＳａおよび三次元表面粗さＳｚを測定した。
　なお、三次元表面粗さＳａおよび三次元表面粗さＳｚは、ＩＳＯ　２５１７８に準拠する方向によって測定した。
　実施例１から実施例３、および、比較例１のメタルマスク基材の各々において、互いに異なる３か所の各々から切り出した試験片での表面粗さを測定した。各試験片は、メタルマスク基材の長さ方向に沿う長さが２０ｍｍであり、メタルマスク基材の幅方向に沿う長さが３０ｍｍである矩形板形状を有するものとした。
　メタルマスク基材の長さ方向における２つの端部を第１端部および第２端部とし、幅方向における２つの端部を第３端部および第４端部とするとき、３つの試験片の各々をメタルマスク基材における以下の位置から切り出した。
　すなわち、試験片１を第１端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第３端部から２００ｍｍだけ離れた位置から切り出した。また、試験片２を第２端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第３端部から７０ｍｍだけ離れた位置から切り出した。そして、試験片３を第２端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第４端部から７０ｍｍだけ離れた位置から切り出した。
　なお、各試験片において、５つの測定点における三次元表面粗さＳａと三次元表面粗さＳｚとを測定した。５つの測定点は、各試験片における中央の１点と、中央の１点を囲む外周における４点とした。各試験片における外周の４点は、試験片の対角線上に位置する点とし、かつ、中央の１点と、外周における各点との間の距離は、１０ｍｍとした。
　実施例１から実施例３におけるメタルマスク基材の各々において、各試験片における三次元表面粗さＳａの最大値、および、各試験片における三次元表面粗さＳｚの最大値として以下の表１に示される値が得られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　表１が示すように、実施例１のメタルマスク基材では、試験片１での三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８３であることが認められた。また、試験片２での三次元表面粗さＳａの最大値が０．０８であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．６３であることが認められた。また、試験片３での三次元表面粗さＳａが０．０９であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が３．１７であることが認められた。
　すなわち、実施例１のメタルマスク基材において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が３．１７であることが認められた。
　実施例２のメタルマスク基材では、試験片１での三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．６０であることが認められた。また、試験片２での三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８８であることが認められた。また、試験片３での三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．７６であることが認められた。
　すなわち、実施例２のメタルマスク基材において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８８であることが認められた。
　実施例３のメタルマスク基材では、試験片１での三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９３であることが認められた。また、試験片２での三次元表面粗さＳａの最大値が０．１１であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８４であることが認められた。また、試験片３での三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９６であることが認められた。
　すなわち、実施例３のメタルマスク基材において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１１であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９６であることが認められた。
　また、比較例１において、各試験片における三次元表面粗さＳａの最大値、および、各試験片における三次元表面粗さＳｚの最大値として以下の表２に示される値が得られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　表２が示すように、比較例１のメタルマスク基材では、試験片１での三次元表面粗さＳａの最大値が０．１４であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０であることが認められた。また、試験片２での三次元表面粗さＳａの最大値が０．１３であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．７８であることが認められた。また、試験片３での三次元表面粗さＳａの最大値が０．１６であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０であることが認められた。
　すなわち、比較例１のメタルマスク基材において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１６であり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．７８であることが認められた。
　図１５は、実施例１のメタルマスク基材を用いたメタルマスクの製造工程において、第１面に第１凹部を形成した後に、第１面に対して照射光を照射して、第１面にて反射された反射光を撮像した画像である。
　図１６は、比較例１のメタルマスク基材を用いたメタルマスクの製造工程において、第１面に第１凹部を形成した後に、第１面に対して照射光を照射して、第１面にて反射された反射光を撮像した画像である。
　図１５が示すように、実施例１のメタルマスク基材１１によれば、メタルマスク基材１１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高められている。そのため、第１面１１ａと対向する平面視において、第１面１１ａでの各第１凹部１１ｃ１における開口の大きさが、他の全ての第１凹部１１ｃ１における開口の大きさとほぼ等しいことが認められた。
　一方で、図１６が示すように、比較例１のメタルマスク基材では、金属層の表面７１ａと対向する平面視において、複数の第１凹部７１ｃ１における開口の大きさが大きくばらついていることが認められた。
　実施例１のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材の各々において、２４個の第１凹部の直径を測定した。なお、実施例１では、図１５に示される第１凹部１１ｃ１のうち、二点鎖線で囲まれる領域に含まれる第１凹部１１ｃ１の直径を測定し、比較例１では、図１６に示される第１凹部７１ｃ１のうち、二点鎖線で囲まれる領域に含まれる第１凹部７１ｃ１の直径を測定した。
　また、各第１凹部について、紙面の上下方向での直径である第１直径、および、紙面の左右方向での直径である第２直径を測定し、各第１凹部について、第１直径と第２直径との平均値である平均直径を算出した。実施例１における第１直径、第２直径、および、平均直径と、比較例１における第１直径、第２直径、および、平均直径とは、以下の表３に示すとおりであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
　表３が示すように、実施例１の第１凹部１１ｃ１における平均直径は、４７．０μｍ以上５０．４μｍ以下であり、比較例１の第１凹部７１ｃ１における平均直径は、４６．０μｍ以上６４．９μｍ以下であることが認められた。
　実施例１において、メタルマスク基材１１の表面と対向する平面視での第１凹部１１ｃ１の開口における直径の平均値をＡとし、直径の標準偏差に３を掛けた値をＢとし、（Ｂ／Ａ）×１００（％）を算出した。第１直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、８．２％であり、第２直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、６．６％であり、平均直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、５．９％であることが認められた。
　比較例１において、実施例１と同様に、金属層の表面７１ａと対向する平面視での第１凹部７１ｃ１の開口における直径の平均値をＡとし、直径の標準偏差に３を掛けた値をＢとし、（Ｂ／Ａ）×１００（％）を算出した。第１直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、３０．３％であり、第２直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、２６．１％であり、平均直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、２６．７％であることが認められた。
　実施例１において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は８．２％以下、すなわち１０％以下であるため、メタルマスク基材１１が有する第１凹部１１ｃ１の開口、ひいてはメタルマスクが有する貫通孔の開口における直径において、寸法の精度が高いことが認められた。これに対して、比較例１において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は３０．３％以下であり、実施例１によれば、比較例１に比べて、メタルマスク基材１１が有する第１凹部１１ｃ１の開口、ひいてはメタルマスクが有する貫通孔の開口における直径において、寸法の精度が大幅に高まることが認められた。
　また、実施例１および比較例１について、第１凹部の平均直径の頻度を２μｍごとに示すヒストグラムと、１μｍごとに示すヒストグラムとを作成した。
　図１７および図１８が示すように、実施例１では、第１凹部の平均直径の頻度が、５０μｍにおいて最も高いことが認められた。また、図１９および図２０が示すように、比較例１では平均直径の各値における頻度の差が、実施例１よりも小さいことが認められた。
　このように、実施例１のメタルマスク基材１１によれば、メタルマスク基材１１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高められているために、複数の第１凹部１１ｃ１の各々が、形状の精度が高い状態で形成されることが認められた。一方で、比較例１のメタルマスク基材によれば、メタルマスク基材とドライフィルムレジストとの密着性が低いために、複数の第１凹部７１ｃ１において、形状の精度が低くなることが認められた。
　なお、実施例２および実施例３の各々においても、図１５に示される複数の第１凹部の形状と同等の形状が得られることが認められた。
　すなわち、メタルマスク基材１１の１つの面において、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であれば、金属層２１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高まることが認められた。
　なお、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂに第２凹部１１ｃ２を形成する際においても、上述した表面粗さを有する構成であれば、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに第１凹部１１ｃ１を形成する際と同様に、メタルマスク基材１１と第２ドライフィルムレジスト１３との密着性が高められていることを示す傾向が認められた。
　以上説明したように、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材、メタルマスク、および、メタルマスク製造方法の１つの実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
　（１）三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、第１面１１ａと第１ドライフィルムレジスト１２との間に隙間が形成されにくくなり、結果として、第１ドライフィルムレジスト１２と金属層２１の表面との界面における密着性が高まる。
　（２）第２面１１ｂにおいて、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である。そのため、金属層２１のうち、第２面１１ｂにおいても、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性を高めることができ、第１面１１ａ、および、第２面１１ｂに対するエッチングにおいて、加工の精度を高めることができる。
　（３）メタルマスク基材１１の表面がインバー製であれば、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度である。そのため、メタルマスク基材から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。
　（４）メタルマスク基材がポリイミドから形成された樹脂層２２を備える構成では、インバーの線膨張係数と、ポリイミドの線膨張係数とが同じ程度である。そのため、メタルマスク基材１１が、互いに異なる２つの材料を含むとしても、メタルマスク３０における温度の変化によって、メタルマスク３０が反りにくくなる。それゆえに、形状の精度、および、機械的な強度が高められたメタルマスク３０を提供することが可能ともなる。
　（５）第１面１１ａに加えて第２面１１ｂにおいても、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性が高まる。そのため、貫通孔１１ｃが、第１面１１ａにおけるエッチングと第２面１１ｂにおけるエッチングとによって形成される構成でも、貫通孔１１ｃにおける形状の精度が高められる。
　なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・各貫通孔１１ｃの断面積は、金属層２１の厚さ方向の全体にわたってほぼ同じであってもよい。あるいは、各貫通孔１１ｃの断面積は、金属層２１の厚さ方向において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向けて大きくなってもよいし、第１面１１ａから第２面１１ｂに向けて小さくなってもよい。
　・金属層２１の形成材料は、純粋な金属、あるいは、合金であれば、インバー以外の材料であってもよい。また、金属層２１の形成材料がインバー以外の材料であるとき、金属層２１に接する樹脂層として、金属層２１の形成材料との間における線膨張係数の差が、金属層２１の形成材料における線膨張係数と、ポリイミドにおける線膨張係数との差よりも小さい樹脂が用いられてもよい。
　・金属層２１において、第２面１１ｂでの三次元表面粗さＳａは、０．１１μｍよりも大きくてもよいし、三次元表面粗さＳｚは、３．１７μｍよりも大きくてもよい。こうした構成であっても、少なくとも第１面１１ａにおいては、金属層２１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性を高めることができる。
　・メタルマスク３０は、有機ＥＬ素子の形成材料をガラス基板に対して蒸着するときに用いられるメタルマスクに限らず、各種の金属材料を蒸着やスパッタなどで成膜する際などのように、他の用途のメタルマスクであってもよい。この場合には、複数の貫通孔１１ｃが、第１面１１ａと対向する平面視において、不規則に並んでいてもよい。
　・メタルマスク基材のエッチングに用いられるレジストは、上述したドライフィルムレジストに限らず、レジストを形成するための塗液がメタルマスク基材に塗布されることによって形成されるレジストであってもよい。すなわち、レジストは、塗布によってメタルマスク基材の表面に配置されてもよいし、貼り付けによってメタルマスク基材の表面に配置されてもよい。こうしたレジストであっても、上述したメタルマスク基材によれば、メタルマスク基材の表面に対する密着性の低いレジストを用いた場合に、ドライフィルムレジストを用いた場合と同様の効果を得ることは可能である。
　１０…メタルマスク形成用中間体、１１…メタルマスク基材、１１ａ…第１面、１１ａＭ…第１マスク面、１１ｂ…第２面、１１ｂＭ…第２マスク面、１１ｃ…貫通孔、１１ｃ１，７１ｃ１…第１凹部、１１ｃ２…第２凹部、１１Ｍ…マスク基体、１２…第１ドライフィルムレジスト、１２ａ…第１貫通孔、１３，１４…第２ドライフィルムレジスト、１３ａ…第２貫通孔、２１，２３…金属層、２１ａ…母材、２１ｂ…圧延材、２２…樹脂層、３０…メタルマスク、４１…第１開口、４２…第２開口、４３…括れ部、５０…圧延装置、５１，５２…圧延ローラー、５３…アニール装置、６１…第２保護層、６２…第１保護層、７１ａ…表面、Ｃ…コア。

Claims (7)

  1. 　レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、
    　前記表面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、
    　前記表面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である
    　メタルマスク基材。
  2. 　前記表面が第１面であり、
    　前記レジストが第１レジストであり、
    　前記第１面とは反対側の面であって、第２レジストが配置されるように構成された金属製の第２面をさらに備え、
    　前記第２面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、
    　前記第２面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である
    　請求項１に記載のメタルマスク基材。
  3. 　前記表面は、インバー製である
    　請求項１または２に記載のメタルマスク基材。
  4. 　インバーから形成された金属層を備え、
    　前記表面が前記金属層の表面であり、
    　前記金属層において前記表面とは反対側の面と対向するポリイミド層をさらに備える
    　請求項１から３のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。
  5. 　前記レジストは、ドライフィルムレジストであり、
    　前記表面は、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されている
    　請求項１から４のいずれか一項に記載のメタルマスク基材。
  6. 　金属製の表面を有したメタルマスク基体を備えるメタルマスクであって、
    　前記メタルマスク基体は、前記メタルマスク基体の厚さ方向に沿って前記メタルマスク基体を貫通するとともに、前記表面に開口を有した複数の貫通孔を備え、
    　前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下である
    　メタルマスク。
  7. 　レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備え、前記表面の三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、前記表面の三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるメタルマスク基材を準備することと、
    　前記表面にレジストを配置することと、
    　前記メタルマスク基材に、前記メタルマスク基材の厚さ方向に沿って窪み、かつ、前記表面に開口を有した複数の凹部を形成するための貫通孔を前記レジストに形成することと、
    　前記レジストを介して、前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することと、を備え、
    　前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成することでは、前記表面と対向する平面視での前記開口の寸法における平均値をＡとし、前記寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように前記メタルマスク基材に複数の前記凹部を形成する
    　メタルマスクの製造方法。
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KR1020187004187A KR102071840B1 (ko) 2015-07-17 2016-03-22 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법
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KR1020227000871A KR20220009499A (ko) 2015-07-17 2016-03-22 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법
DE112016003225.0T DE112016003225T5 (de) 2015-07-17 2016-03-22 Metallmaskensubstrat, metallmaske und herstellungsverfahren für metallmaske
CN201680041439.6A CN107849681A (zh) 2015-07-17 2016-03-22 金属掩模基材、金属掩模、以及金属掩模的制造方法
US15/869,597 US10903426B2 (en) 2015-07-17 2018-01-12 Metal mask base, metal mask and method for producing metal mask
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018181969A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着パターン形成方法および有機半導体素子の製造方法
CN108940750A (zh) * 2018-09-27 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种玻璃胶涂布掩膜板及涂胶机
WO2019050198A3 (ko) * 2017-09-07 2019-05-02 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 이의 제조방법
JP2020019998A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、及び蒸着マスクを作製するための給電板

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6805830B2 (ja) 2015-07-17 2020-12-23 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法
KR101968033B1 (ko) 2015-07-17 2019-04-10 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크용 기재의 제조 방법, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 메탈 마스크용 기재, 및, 증착용 메탈 마스크
KR102341448B1 (ko) 2017-09-15 2021-12-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법, 및 증착 마스크
CN107785503B (zh) * 2017-10-24 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 金属封装结构及制备方法、显示面板的封装方法、显示装置
WO2019198263A1 (ja) * 2018-04-11 2019-10-17 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
WO2020009088A1 (ja) * 2018-07-03 2020-01-09 大日本印刷株式会社 マスク及びその製造方法
CN112534605B (zh) * 2018-07-12 2023-08-11 Lg伊诺特有限公司 用于oled像素蒸镀的金属板材料的蒸镀用掩模
CN109778116B (zh) * 2019-03-28 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件
JP7426835B2 (ja) 2020-01-20 2024-02-02 東洋アルミニウム株式会社 ポーラスアルミナシートおよびその製造方法
KR20220055538A (ko) * 2020-10-26 2022-05-04 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리 및 마스크 어셈블리의 제작 방법
TWI772066B (zh) 2021-06-16 2022-07-21 達運精密工業股份有限公司 金屬遮罩基材的製備方法
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005076068A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Canon Components Inc 電鋳法による薄膜部材の製造方法
JP2008041553A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Sony Corp 蒸着用マスク及び蒸着用マスクの製造方法
JP2011166018A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Jx Nippon Mining & Metals Corp プリント配線板用銅箔
JP2013245392A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP5641462B1 (ja) * 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP2015129333A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法および保護フィルム付き積層マスク
JP2015129334A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3160752A (en) 1963-02-19 1964-12-08 Harold E Bennett Reflectometer for measuring surface finishes
JP2534589B2 (ja) 1991-01-21 1996-09-18 東洋鋼鈑株式会社 薄肉化深絞り缶用ポリエステル樹脂被覆鋼板および原板
JPH05290724A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Toshiba Corp シャドウマスクの製造方法
KR950014366A (ko) 1993-11-27 1995-06-16 조희재 금속시트재의 표면처리장치
JP2693943B2 (ja) 1996-01-23 1997-12-24 富山日本電気株式会社 プリント配線板
JP3487471B2 (ja) * 1996-01-30 2004-01-19 日立金属株式会社 エッチング加工性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金薄板
JPH11140667A (ja) 1997-11-13 1999-05-25 Dainippon Printing Co Ltd エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品
JPH11260255A (ja) 1998-03-05 1999-09-24 Toshiba Corp ドライフィルムおよびこのドライフィルムを用いたカラー受像管用シャドウマスクの製造方法
JP2002151841A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP4134517B2 (ja) 2001-01-22 2008-08-20 日本軽金属株式会社 アルミニウム箔およびその製造方法
US6749973B2 (en) 2001-02-14 2004-06-15 Hoya Corporation Reflection type mask blank for EUV exposure and reflection type mask for EUV exposure as well as method of producing the mask
JP4390418B2 (ja) 2001-02-14 2009-12-24 Ｈｏｙａ株式会社 Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク並びに半導体の製造方法
JP4429539B2 (ja) 2001-02-16 2010-03-10 古河電気工業株式会社 ファインパターン用電解銅箔
KR100813832B1 (ko) 2002-05-31 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법
US7314688B2 (en) 2002-09-11 2008-01-01 Hoya Corporation Method of producing a reflection mask blank, method of producing a reflection mask, and method of producing a semiconductor device
JP2004218034A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Toppan Printing Co Ltd メタルマスクの製造方法およびメタルマスク
JP3683261B2 (ja) 2003-03-03 2005-08-17 Ｈｏｙａ株式会社 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
JP3809531B2 (ja) 2003-03-17 2006-08-16 太陽化学工業株式会社 メタルマスク及びレーザ加工法によるメタルマスクの製造方法
KR100534580B1 (ko) 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
WO2005074347A1 (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 電磁波シールドフィルム、及びその製造方法
KR100623158B1 (ko) 2004-11-11 2006-09-19 엘지마이크론 주식회사 레이저 빔을 이용하여 제조된 메탈 마스크
KR100708654B1 (ko) 2004-11-18 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체
JP2006233285A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Toray Ind Inc 蒸着マスク及び蒸着マスクを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007095324A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、及びこの製造方法により製造した有機ｅｌ表示パネル
CN100449038C (zh) 2005-12-06 2009-01-07 安泰科技股份有限公司 因瓦合金箔的制备方法
JP4985227B2 (ja) 2007-08-24 2012-07-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク用シート状部材の製造方法
JP5167763B2 (ja) 2007-10-29 2013-03-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2009127105A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Seiko Instruments Inc 電鋳部品の製造方法
MY165978A (en) * 2009-01-19 2018-05-18 Panasonic Ip Corp America Coding method, decoding method, coding apparatus, decoding apparatus, program, and integrated circuit
JP5294072B2 (ja) * 2009-03-18 2013-09-18 日立金属株式会社 エッチング加工用素材の製造方法及びエッチング加工用素材
JP2011034681A (ja) 2009-07-29 2011-02-17 Hitachi Displays Ltd 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機ｅｌ表示装置製造方法
JP5636863B2 (ja) 2010-10-18 2014-12-10 大日本印刷株式会社 メタルマスクとメタルマスク部材
ES2430641T3 (es) * 2010-10-22 2013-11-21 Hydro Aluminium Rolled Products Gmbh Banda litográfica para desbastado electroquímico y método para su fabricación
JP2012103425A (ja) 2010-11-09 2012-05-31 Panasonic Corp 光電気複合配線板の製造方法、及び前記製造方法により製造された光電気複合配線板
JP2012158645A (ja) 2011-01-31 2012-08-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd プリント配線板用エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP5571616B2 (ja) 2011-05-17 2014-08-13 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 圧延銅箔、並びにこれを用いた負極集電体、負極板及び二次電池
JP5958804B2 (ja) 2012-03-30 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
TWI572729B (zh) 2012-01-12 2017-03-01 Dainippon Printing Co Ltd A method of manufacturing a vapor deposition mask, and a method of manufacturing an organic semiconductor device
CN103205680A (zh) 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 用镍铁合金制备的蒸镀用金属掩模板
CN104583440B (zh) * 2012-09-04 2016-11-09 新日铁住金株式会社 不锈钢板及其制造方法
JP5721691B2 (ja) 2012-11-20 2015-05-20 Jx日鉱日石金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP5382259B1 (ja) 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP2014133375A (ja) 2013-01-11 2014-07-24 Sonocom Co Ltd 電解研磨法を使用したスクリーン印刷用部材、及びスクリーン印刷用部材の製造方法
JP5534093B1 (ja) 2013-01-11 2014-06-25 大日本印刷株式会社 メタルマスクおよびメタルマスクの製造方法
JP6403969B2 (ja) 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP2015036436A (ja) 2013-08-13 2015-02-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP6060862B2 (ja) 2013-09-13 2017-01-18 コニカミノルタ株式会社 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5455099B1 (ja) 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP5780350B2 (ja) 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6256000B2 (ja) 2013-12-27 2018-01-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置の製造方法
JP2015127441A (ja) 2013-12-27 2015-07-09 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置の製造方法
JP5846279B2 (ja) 2014-10-20 2016-01-20 大日本印刷株式会社 メタルマスクとメタルマスク部材
WO2017013904A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
KR101968033B1 (ko) 2015-07-17 2019-04-10 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크용 기재의 제조 방법, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 메탈 마스크용 기재, 및, 증착용 메탈 마스크
JP6805830B2 (ja) 2015-07-17 2020-12-23 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法
JP6759666B2 (ja) 2016-03-31 2020-09-23 凸版印刷株式会社 エッチング保護用感光性組成物および金属加工板の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005076068A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Canon Components Inc 電鋳法による薄膜部材の製造方法
JP2008041553A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Sony Corp 蒸着用マスク及び蒸着用マスクの製造方法
JP2011166018A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Jx Nippon Mining & Metals Corp プリント配線板用銅箔
JP2013245392A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2015129333A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法および保護フィルム付き積層マスク
JP2015129334A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク
JP5641462B1 (ja) * 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018181969A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着パターン形成方法および有機半導体素子の製造方法
JPWO2018181969A1 (ja) * 2017-03-31 2019-04-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着パターン形成方法および有機半導体素子の製造方法
CN110382731A (zh) * 2017-03-31 2019-10-25 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法
JP2020045571A (ja) * 2017-03-31 2020-03-26 大日本印刷株式会社 蒸着マスク
US10895008B2 (en) 2017-03-31 2021-01-19 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, vapor deposition pattern forming method, and method for producing organic semiconductor element
CN110382731B (zh) * 2017-03-31 2022-06-17 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法
WO2019050198A3 (ko) * 2017-09-07 2019-05-02 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크 및 이의 제조방법
EP3680949A4 (en) * 2017-09-07 2021-06-09 LG Innotek Co., Ltd. METAL DEPOSIT MASK FOR DELOYING DELO PIXELS, AND ITS PRODUCTION PROCESS
EP4339322A3 (en) * 2017-09-07 2024-06-12 LG Innotek Co., Ltd. Metallic material deposition mask for oled pixel deposition, and method for producing same
JP2020019998A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、及び蒸着マスクを作製するための給電板
JP7169534B2 (ja) 2018-07-31 2022-11-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、及び蒸着マスクを作製するための給電板
CN108940750A (zh) * 2018-09-27 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种玻璃胶涂布掩膜板及涂胶机

Also Published As

Publication number Publication date
US10903426B2 (en) 2021-01-26
TWI812668B (zh) 2023-08-21
US11706968B2 (en) 2023-07-18
TW201709278A (zh) 2017-03-01
DE112016003225T5 (de) 2018-04-19
JP6432072B2 (ja) 2018-12-05
TW201921444A (zh) 2019-06-01
JP7226459B2 (ja) 2023-02-21
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CN107849681A (zh) 2018-03-27
TWI652721B (zh) 2019-03-01
KR102071840B1 (ko) 2020-01-31
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US20180138410A1 (en) 2018-05-17
JPWO2017013903A1 (ja) 2018-02-15
KR20180030112A (ko) 2018-03-21
KR20200011585A (ko) 2020-02-03
JP7485116B2 (ja) 2024-05-16
KR102071840B9 (ko) 2021-10-20
JP2023054054A (ja) 2023-04-13
US20210091312A1 (en) 2021-03-25
JP2021073377A (ja) 2021-05-13

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