JP5958804B2 - 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5958804B2 JP5958804B2 JP2012080707A JP2012080707A JP5958804B2 JP 5958804 B2 JP5958804 B2 JP 5958804B2 JP 2012080707 A JP2012080707 A JP 2012080707A JP 2012080707 A JP2012080707 A JP 2012080707A JP 5958804 B2 JP5958804 B2 JP 5958804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- vapor deposition
- pattern
- film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
先ず、図3(a)に示すように、平板な基材、例えばガラス基板7上に可視光を透過する例えばポリイミドの樹脂を10μm〜30μm程度の厚みに塗布する。この塗布方法は、スピンコート、スプレーコート、ディップコート等の公知の技術を使用して行うことができる。そして、樹脂の塗布が終了すると、一定温度の恒温槽内で一定時間乾燥させてフィルム2を形成する。
先ず、図6(a)に示すように、第1の磁気チャック15上に載置されたTFT基板20の上方に第2の磁気チャック21に吸着して保持された蒸着マスク1を位置付ける。この場合、蒸着マスク1の保持部材3がTFT基板20側となっている。
その後、TFT基板20の各有機EL層23上には、公知の技術を使用してITO(Indium Tin Oxide)の透明導電膜が形成され、さらにその上に透明な保護基板が接着されて有機EL表示装置が製造される。
2…フィルム
2a…第1の面(一面)
2b…第2の面(他面)
3…保持部材
4…開口パターン
5…貫通開口
7…ガラス基板(基材)
8…下地層
9…フォトレジスト
10…第1のフォトマスク
11…島パターン
12…磁性金属部材
13…凹部
15…第1の磁気チャック(磁気チャック)
16…マスク用部材
17…第2のフォトマスク
18…開口
19…レジストマスク
20…TFT基板
23…有機EL層
23R…R有機EL層(一の有機EL層)
Claims (6)
- 基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて蒸着形成するための蒸着マスクであって、
前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンと同じ寸法形状の貫通する複数の開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製フィルムと、
前記フィルムの一面に密接され、前記開口パターンに対応して該開口パターンよりも寸法形状の大きい貫通開口を設けた磁性金属部材からなり、蒸着時に前記基板上に密接される保持部材と、
を備えて構成され、
前記開口パターンは、前記フィルムの前記一面側の開口面積が前記薄膜パターンの面積と同じで、前記一面とは反対側の他面側の開口面積が前記一面側の開口面積よりも大きいことを特徴とする蒸着マスク。 - 基板上に複数の薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて蒸着形成するための蒸着マスクの製造方法であって、
前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて前記薄膜パターンよりも寸法形状の大きい複数の貫通開口を設けた磁性金属部材からなり、蒸着時に前記基板上に密接される保持部材を、可視光を透過する樹脂製フィルムの一面に密接してマスク用部材を形成する第1ステップと、
前記マスク用部材の前記フィルムの前記一面とは反対側の他面側から前記保持部材の前記貫通開口に対応した前記フィルム部分を加工することにより、前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて、前記一面側の開口面積が前記薄膜パターンの面積と同じで、前記他面側の開口面積が前記一面側の開口面積よりも大きい前記薄膜パターンと同形状の貫通する複数の開口パターンを形成する第2ステップと、
を行なうことを特徴とする蒸着マスクの製造方法。 - 前記第1ステップは、
平板な基材上に可視光を透過する樹脂を塗布した後、乾燥させて前記フィルムを形成するステップと、
前記フィルム上に良伝導性の金属膜を成膜して下地層を形成するステップと、
前記下地層上にフォトレジストを塗布するステップと、
第1のフォトマスクを使用して前記フォトレジストを露光現像して前記下地層上に前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて前記薄膜パターンよりも寸法形状の大きい複数の島パターンを形成するステップと、
前記島パターンの外側の前記下地層上に磁性金属部材の膜をメッキ形成するステップと、
前記島パターンを除去して前記磁性金属部材の膜に前記下地層に達する凹部を形成するステップと、
前記凹部内の前記下地層を除去して前記貫通開口を形成し、前記保持部材を形成するステップと、
前記基材から前記フィルムを剥離するステップと、
を含むことを特徴とする請求項2記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記第2ステップは、
前記マスク用部材の両面にフォトレジストを塗布するステップと、
第2のフォトマスクを使用して前記フィルムの前記他面に塗布されたフォトレジストを露光現像し、前記貫通開口に対応した前記フォトレジストの部分に前記薄膜パターンの配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンと同じ寸法形状の開口を形成し、レジストマスクを形成するステップと、
前記レジストマスクを使用して前記フィルムをエッチングし、前記開口パターンを形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項2又は3記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記フィルムは、ポリイミドであることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。
- TFT基板上に3色対応の有機EL層を一定の配列ピッチで並べて有する有機EL表示装置の製造方法であって、
前記TFT基板を磁気チャック上に載置するステップと、
前記3色対応の有機EL層のうち、一の有機EL層の配列ピッチと同じ配列ピッチで並べて、一面側の開口面積が前記一の有機EL層の面積と同じで、前記一面とは反対側の他面側の開口面積が前記一面側の開口面積よりも大きい、前記一の有機EL層と同じ形状の貫通する複数の開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製フィルムと、該フィルムの前記一面に密接され、前記開口パターンに対応して該開口パターンよりも寸法形状の大きい複数の貫通開口を設けた磁性金属部材からなる保持部材と、を備えて構成された蒸着マスクを、前記保持部材が前記TFT基板側となるようにして前記TFT基板上に位置付けるステップと、
前記TFT基板上の前記一の有機EL層の形成領域と前記蒸着マスクの前記開口パターンとを位置合わせした後、前記磁気チャックの磁力により前記保持部材を吸着して前記蒸着マスクを前記TFT基板上に密着させるステップと、
真空槽内で前記蒸着マスクの前記開口パターンを介して前記TFT基板上に有機EL材料を蒸着し、前記一の有機EL層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012080707A JP5958804B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 |
TW101133791A TWI555862B (zh) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法 |
PCT/JP2012/073617 WO2013039196A1 (ja) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 |
KR1020147009752A KR102078888B1 (ko) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법 |
CN201280044893.9A CN103797149B (zh) | 2011-09-16 | 2012-09-14 | 蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法及薄膜图案形成方法 |
US14/214,428 US9334556B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-03-14 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US14/746,727 US9586225B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-06-22 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US15/071,125 US9555434B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-03-15 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US15/071,116 US9555433B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-03-15 | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012080707A JP5958804B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013209710A JP2013209710A (ja) | 2013-10-10 |
JP2013209710A5 JP2013209710A5 (ja) | 2014-05-01 |
JP5958804B2 true JP5958804B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=49527803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012080707A Active JP5958804B2 (ja) | 2011-09-16 | 2012-03-30 | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5958804B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220068151A (ko) * | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 증착 마스크의 제조 방법 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5935628B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2016-06-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法 |
JP6594615B2 (ja) | 2014-10-06 | 2019-10-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着用マスク及びそれを用いた有機el表示装置の製造方法、並びに、蒸着用マスクの製造方法 |
DE112016003225T5 (de) | 2015-07-17 | 2018-04-19 | Toppan Printing Co., Ltd. | Metallmaskensubstrat, metallmaske und herstellungsverfahren für metallmaske |
CN107406964B (zh) | 2015-07-17 | 2018-12-18 | 凸版印刷株式会社 | 金属掩模基材、金属掩模基材的管理方法、金属掩模以及金属掩模的制造方法 |
KR102388829B1 (ko) | 2015-07-17 | 2022-04-21 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 메탈 마스크용 기재의 제조 방법, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 메탈 마스크용 기재, 및, 증착용 메탈 마스크 |
JP6805830B2 (ja) | 2015-07-17 | 2020-12-23 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法 |
CN105220110A (zh) * | 2015-10-20 | 2016-01-06 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种蒸镀用复合磁性掩模板的制作方法 |
CN108884555B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-02-09 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
JP6596106B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2019-10-23 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスクの製造方法及びその蒸着マスクを使った有機発光ダイオードの製造方法 |
CN112030102B (zh) | 2016-02-10 | 2022-12-06 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩模的制造方法 |
JP6015874B2 (ja) * | 2016-05-09 | 2016-10-26 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスク |
US10557191B2 (en) | 2017-01-31 | 2020-02-11 | Sakai Display Products Corporation | Method for producing deposition mask, deposition mask, and method for producing organic semiconductor device |
JP7267762B2 (ja) | 2019-02-01 | 2023-05-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク |
KR20210127810A (ko) | 2019-03-15 | 2021-10-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증착 마스크 및 증착 마스크를 제조하고 사용하는 방법들 |
WO2020242611A1 (en) | 2019-05-24 | 2020-12-03 | Applied Materials, Inc. | System and method for aligning a mask with a substrate |
US11189516B2 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for mask and substrate alignment |
WO2020251696A1 (en) | 2019-06-10 | 2020-12-17 | Applied Materials, Inc. | Processing system for forming layers |
US10916464B1 (en) | 2019-07-26 | 2021-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency |
JP7454934B2 (ja) | 2019-11-29 | 2024-03-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク及びその製造方法 |
JP7445449B2 (ja) | 2020-02-07 | 2024-03-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクの製造方法および製造装置 |
JP7391719B2 (ja) | 2020-03-05 | 2023-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクユニットの作製方法 |
JP2021143358A (ja) | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクユニットの作製方法 |
JP2021143365A (ja) | 2020-03-11 | 2021-09-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 |
JP2021161509A (ja) | 2020-04-01 | 2021-10-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクの作製方法 |
CN112376016B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-08-02 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 蒸镀掩膜板组件及其制作方法 |
JP2023163428A (ja) | 2022-04-28 | 2023-11-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク |
JP2024018694A (ja) | 2022-07-29 | 2024-02-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143677A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
JP2004043898A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Canon Electronics Inc | 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP4104964B2 (ja) * | 2002-12-09 | 2008-06-18 | 日本フイルコン株式会社 | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
JP2008274373A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Optnics Precision Co Ltd | 蒸着用マスク |
JP2009062565A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法 |
US7674712B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-03-09 | Cok Ronald S | Patterning method for light-emitting devices |
JP5228586B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-07-03 | 株式会社Sumco | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
JP2011195876A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | メタルマスクおよびその製造方法 |
JP3164800U (ja) * | 2010-10-05 | 2010-12-16 | Tdk株式会社 | マスク |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012080707A patent/JP5958804B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220068151A (ko) * | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 증착 마스크의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013209710A (ja) | 2013-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5958804B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP7121918B2 (ja) | 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法 | |
KR102109071B1 (ko) | 성막 마스크 | |
JP5515025B2 (ja) | マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法 | |
JP5935179B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
KR102078888B1 (ko) | 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법 | |
JP6688478B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク | |
WO2013039196A1 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 | |
JP2013245392A (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
WO2017138166A1 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法 | |
WO2018110253A1 (ja) | 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法 | |
JP5899585B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
CN213232465U (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体 | |
JP6728733B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク | |
JP2015129333A (ja) | 積層マスクの製造方法および保護フィルム付き積層マスク | |
JP6078741B2 (ja) | 薄膜パターン形成方法及びマスク | |
JP5895382B2 (ja) | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP5804457B2 (ja) | マスク | |
JP2013173968A (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
CN108866478B (zh) | 掩膜版制作方法以及掩膜版 | |
CN111485194A (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、中间体、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法 | |
JP2019081962A (ja) | 蒸着マスク | |
JP5935101B2 (ja) | 薄膜パターン形成方法 | |
JP5953566B2 (ja) | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP5884543B2 (ja) | 薄膜パターン形成方法、マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140317 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160609 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5958804 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |