JPH11140667A - エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品 - Google Patents

エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品

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JPH11140667A
JPH11140667A JP9312070A JP31207097A JPH11140667A JP H11140667 A JPH11140667 A JP H11140667A JP 9312070 A JP9312070 A JP 9312070A JP 31207097 A JP31207097 A JP 31207097A JP H11140667 A JPH11140667 A JP H11140667A
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pattern
substrate
roughness
resist pattern
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Takayasu Komatsu
隆泰 小松
Daisuke Hashimoto
大祐 橋本
Akira Makita
明 牧田
Koji Fujiyama
康二 藤山
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Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精細のパターンをエッチングによって形成
する。 【解決手段】 表面の中心線平均粗さＲａが０．１０μ
ｍ以下であり、最大粗さＲmax が１．０μｍ以下である
金属基材に感光性樹脂層を形成してレジストのパターン
を形成した後に金属基材に形成した感光性樹脂層を露光
してレジストのパターンを形成した後にエッチングする
ことによって金属基材上にパターンを形成するエッチン
グ加工方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本件は、リードフレーム、シ
ャドウマスク等の金属材料のエッチングにより高精細な
パターンを形成するために使用するエッチング用基材お
よびエッチング加工方法に関するものであり、とくに、
圧延、化学研磨、物理研磨、電解研磨等の表面処理を施
し、極めて平滑な表面状態を形成した後に所定のエッチ
ングによって高精細なパターンを形成する高精細金属パ
ターンの製造方法ならびに高精細金属加工製品を提供す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム、シャドウマスク、アパ
ーチャグリル等は金属材料の表面に、感光性樹脂を塗布
し、所望のパターンを真空密着して露光してフォトレジ
ストのパターンを形成した後に、エッチングによって、
所望の開孔、穴等を形成することが行われている。シャ
ドウマスク用の金属材料としては、鉄−ニッケル系合
金、鉄−ニッケル−コバルト系合金等が一般的に用いら
れており、連続鋳造法または造塊法によって、合金塊を
調製し、次いで合金塊に、分塊圧延、熱間圧延および冷
間圧延を施して、合金薄板を製造している。
【０００３】エッチング加工方法では、露光工程におい
て露光パターンを真空密着させる際に表面が平滑なもの
は、密着するために中央部から気体を容易に除去するこ
とができず真空引きが困難であった。このため、従来の
シャドウマスク用の金属板の表面粗度は、中心線平均粗
さがＲａ＝０．２０〜０．７０μｍ、最大粗さがＲmax
＝２．０〜４．０μｍ程度のものが用いられていた。
【０００４】一方、シャドウマスクも高精細度表示用の
コンピュータ表示装置に使用されるものにあっては、電
子ビームの透過用の開孔の間隔が小さく、また開孔部の
精度が高いものが求められるようになっている。これに
伴って、金属に施すエッチング等の加工処理も非常に微
細な加工が必要となっている。また、パターン形成の際
に、エッチング量が大きいほど、パターンに形成される
凹凸等の影響は軽減されるが、エッチング量が少ない
程、パターンの変形のエッチングに及ぼす影響は大きく
なる。したがって、高精細用の表示装置用のシャドウマ
スクは、小さな間隔で微細な加工が行われ、エッチング
量は少ないため、レジストパターンの変形により形成さ
れる基材のパターンがより顕著に表れることになるの
で、高精細パターンを形成することが可能なエッチング
用基材およびエッチング加工方法がもとめられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基材のエッ
チングによってパターンを形成する場合に、基材上に形
状が正確なレジストのパターンを形成することが可能な
基材を提供することを課題とするものであり、また精度
の高い、高精細な金属の加工方法並びに高精細な金属加
工製品を提供することを課題とするものであり、また、
高精細なシャドウマスク、アパーチャグリルやリードフ
レーム等の金属加工品を製造する方法を提供することを
課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属基材上に
形成した感光性樹脂層を露光してレジストのパターンを
形成した後にエッチングすることによって金属基材にパ
ターンを形成するエッチング用基材において、エッチン
グ基材の表面の中心線平均粗さＲａが０．１０μｍ以下
であり、最大粗さＲmax が１．０μｍ以下であるエッチ
ング用基材である。金属基材を圧延、化学的研磨、物理
的研磨、電解研磨の少なくともいずれかの方法で表面の
粗度を調整したものであるエッチング用基材である。金
属基材がシャドウマスク用基材、アパーチャグリル用基
材、もしくはリードフレーム用基材である前記のエッチ
ング用基材である。
【０００７】また、金属基材上に形成した感光性樹脂層
を露光しレジストのパターンを形成した後にエッチング
することによって金属基材にパターンを形成するエッチ
ング加工方法おいて、表面の中心線平均粗さＲａが０．
１０μｍ以下であり、最大粗さＲmax が１．０μｍ以下
である金属基材に感光性樹脂層を形成した後、レジスト
パターンを形成した後にエッチングをするエッチング加
工方法である。
【０００８】金属基材上に形成した感光性樹脂層を露光
しレジストのパターンを形成した後にエッチングするこ
とによって金属基材にパターンを形成するエッチング加
工方法おいて、金属基材を脱脂の後に、第一のエッチン
グ液によって表面処理し金属基材の表面粗度を、表面の
中心線平均粗さＲａ０．１０μｍ以下、最大粗さＲmax
１．０μｍ以下に処理した後に、金属基材上に感光性樹
脂層を形成して感光性樹脂のパターンを形成した後にエ
ッチングをするエッチング加工方法である。第一のエッ
チング液が５０°Ｂｈ以上の塩化第２鉄水溶液を用いる
前記のエッチング加工方法である。金属基材がシャドウ
マスク用基材、アパーチャグリル用基材、もしくはリー
ドフレーム用基材であるエッチング加工方法である。
【０００９】金属基材上に形成した感光性樹脂層を露光
しレジストパターンを形成した後にエッチングして作製
するエッチング加工製品において、表面の中心線平均粗
さＲａが０．１０μｍ以下、最大粗さＲmax １．０μｍ
以下であるエッチング加工製品である。エッチング加工
製品がシャドウマスクまたはアパーチャグリルである前
記ののエッチング加工製品である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、エッチングに用いる基
材の表面粗度を、従来の基材に比べて小さくすることに
よって、基材の表面に高精度のフォトレジストのパター
ンを形成することを可能としたものである。
【００１１】微細な加工を行うためには、精度の優れた
レジストのパターンを形成することが必要となるが、こ
れを阻害する要因を基材の持つ表面粗度に着目したもの
はなかった。以下に図面を参照して本発明を説明する。
図１は、基材の表面の粗度と形成されるパターンの関係
を説明する図であり、（Ａ１）、（Ｂ１）および（Ｃ
１）は、表面粗度が大きな基材を用いて、レジストのパ
ターンの形成の後に、エッチングによって得られるパタ
ーンを示しており、（Ａ２）、（Ｂ２）および（Ｃ２）
はそれぞれ表面粗度が小さな基材を用いて、同様にパタ
ーンを形成した場合を説明する図である。
【００１２】（Ａ１）に断面図を示すように、表面粗度
が大きな基材１上に、感光性樹脂２を塗布し、画像パタ
ーン３を密着して紫外線４で露光すると、表面の粗度が
大きな部分があると、凹凸５によって局所的な光の回折
効果によって感光性樹脂のパターンの形状の変形部６が
生じ、パターンの解像性が低下してしまうことになる。
一方、（Ａ２）に示すように、表面粗度が小さな基材の
場合には、形状の変形のないパターンが得られる。
【００１３】直線状のパターンを形成した場合の平面図
を、（Ｂ１）および（Ｂ２）に示すように、表面粗度が
大きな場合には、（Ｂ１）に示すように、レジストパタ
ーン７は変形し、正確な直線状とならず、表面粗度が小
さな場合には、（Ｂ２）に示すように直線状のパターン
が得られる。
【００１４】（Ｃ１）および（Ｃ２）は、このようなパ
ターンをもとにエッチングをした場合の形状を示してお
り、エッチングで形成した開孔部８は、（Ｃ１）でみら
れるように、開孔部には凹凸が形成されるので、シャド
ウマスクに適用した場合には、電子ビームが凹凸によっ
て遮られて正確な照射が困難となるという問題があっ
た。これに対して、正確なレジストパターンの場合に
は、（Ｃ２）にみられるように正確な開口部のパターン
を形成することができる。
【００１５】図２は、パターンの正確さと透過率の関係
を説明する図である。ピッチ１５０μｍ、開口３０μｍ
のアパーチャグリルの場合、透過率は２０％であり、図
２（Ａ）で示すように、テープ部の両端部に３μｍずつ
の変形があると、部分的に２０％も透過率が低下してし
まい、これを用いたブラウン管では著しい画質の低下を
生じる。一方、図２（Ｂ）に示すように、変形量が１．
０μｍ程度であると、その透過率の部分的な低下は、１
０％程度に抑えられ画質の低下は極めて低減される。
【００１６】同じような直線性の差も、ピッチ３００μ
ｍ、開孔６０μｍのアパーチャグリルでは、透過率の部
分的差異は各々１０％、５％となり画質の差は軽減され
る。このように、より高精細なアパーチャグリルやシャ
ドウマスクを加工する場合にエッチング開孔部のエッジ
の直線性は、ＣＲＴの画質にとって極めて重要であり、
精細度を高めるためにピッチをより細かくし、開孔寸法
を小さくする程エッジ部の凹凸の微細な寸法の差が画質
により大きく反映されることとなる。
【００１７】本発明の基材は、鋼塊の圧延によって製造
した鋼板の表面を、表面の粗度を調整したロールによっ
て圧延を行うことによって鋼板の表面の粗度を所定の大
きさとする方法、圧延後の鋼板の表面を研磨材を用いた
物理的研磨、化学研磨、電解研磨等によって研磨する方
法によって製造することができ、具体的には、物理的研
磨の場合、バフ研磨やロール研磨材あるいはフィルム研
磨材を用いた研磨等の方法によって製造することがで
き、なかでもロール研磨材あるいはフィルム研磨材を用
いた研磨の場合、粉粒を次の工程に持ち込まずより好ま
しい。
【００１８】また、エッチング液を用いて表面粗度を調
整する場合には、エッチングによってパターンを形成す
る際に用いるエッチング液よりも高濃度のエッチング液
を用いることができ、具体的には５０°Ｂｈ以上の高濃
度の塩化第二鉄溶液を用いることができる。
【００１９】本発明の基材には、鉄−ニッケル系合金、
鉄−ニッケル−コバルト系合金、低炭素鋼等を用いるこ
とができる。
【００２０】本発明の基材の表面粗度は、触針式形状測
定装置（例えば、ランク・テーラー・ホブソン製 Ｔａ
ｒｙｓｕｒｆ６）によって測定した中心線平均粗さが、
Ｒａ＝０．１０μｍ以下であり、最大粗さＲmax ＝１．
０μｍ以下であることが好ましく、パターンの形成のた
めには、ＲａおよびＲmax が小さいことが好ましい。中
心線平均粗さＲａが０．１０μｍよりも大きい場合、ま
たは最大粗さＲmax が１．０μｍよりも大きい場合には
良好なパターンの直線性が得られない。パターン直線性
の低下は、シャドウマスクやアパーチャグリルの品質の
低下をさせることがあり、高精細なシャドウマスクやア
パーチャグリルを得ることができない。
【００２１】従来、エッチング加工方法では、露光工程
において露光パターンを真空密着させる際に表面が平滑
なものは、密着するために中央部から気体を容易に除去
することができず真空引きが困難であったので、金属板
の表面粗度は、中心線平均粗さがＲａ＝０．２０〜０．
７０μｍ、Ｒmax ＝２．０〜４．０μｍ程度のものが用
いられていたが、真空密着における密着不良は、例えば
本出願人が、特開平３−２６５８３５号公報、特開平３
−２６５８３６号公報あるいは特開平３−２６５８３７
号公報において提案している装置を用いることによって
解決することができる。すなわち、露光パターンの両面
に圧力が調整可能な二つの真空室を独立して設けて減圧
することによって、露光パターンの両面から減圧するこ
とができるので、露光パターンに形成される圧力差によ
ってその中心から基材に密着されて、露光パターンの中
央部に気体が残留して空間が形成されることを防止する
ことができる。
【００２２】
【実施例】以下に実施例を示し本発明を説明する。 実施例１ 冷間圧延によって製造した表面の粗度が異なる厚さ０．
１０ｍｍの基材である試料１および試料２の表面を脱脂
および水洗した後に、重クロム酸アンモニウムを１重量
％含むカゼインからなるフォトレジストを乾燥後の厚さ
が５μｍとなるように塗布乾燥した。次いで、１５μｍ
の開孔部を有する直線パターンを、フォトマスクを用い
て密着露光した後に現像した後、１重量％クロム酸溶液
に浸漬した後に水洗し、２００℃において１分間の加熱
処理を行った。その後、塩化第２鉄溶液を噴霧して５μ
ｍの深さまでエッチングを行った。
【００２３】試料１は、触針式形状測定装置（ランク・
テーラー・ホブソン製 Ｔａｒｙｓｕｒｆ６）によって
測定した表面粗度が、Ｒａ＝０．２０μｍ、最大粗さＲ
max＝２．０μｍであり、試料２は、同様に測定した表
面粗度がＲａ＝０．０６μｍ、最大粗さＲmax＝０．８
μｍであった。エッチングによって得られたパターンの
表面の形状を、電子顕微鏡を用いて測定し、その結果を
それぞれ、図１にパターンの凹凸を平面図において示す
ように、試料１では、図３（Ａ）の如く、ａ＝３．０μ
ｍの凹凸があり、試料２では、図３（Ｂ）の如く、ｂ＝
１．１μｍであった。
【００２４】実施例２ 冷間圧延によって製造した表面の粗度が異なる厚さ０．
０３０ｍｍの鉄−ニッケル系合金（アンバー材）の基材
の両面を実施例１と同様に、塩化第二鉄溶液を両面に噴
霧して、幅２０μｍの開口が形成されるまでエッチング
を行った。
【００２５】実施例１と同様に測定した表面粗度が、Ｒ
ａ＝０．５０μｍ、最大粗さＲmax＝３．２μｍの試料
３および、表面粗度がＲａ＝０．０９μｍ、最大粗さＲ
max＝０．９μｍの試料４について得られたパターンの
表面の形状を、実施例１と同様に電子顕微鏡を用いて測
定し、その結果をそれぞれ、図１にパターンの凹凸を平
面図において示すように、試料３では、図３（Ａ）の如
く、ａ＝３．４μｍの凹凸があり、試料４では、図３
（Ｂ）の如く、ｂ＝１．３μｍであった。
【００２６】実施例３ 実施例１の試料１を脱脂した後に、４０℃、５１°Ｂｈ
の塩化第二鉄溶液によって２分間表面処理を行った後
に、実施例１と同様の条件でエッチングを行ってパター
ンを形成し、実施例１と同様にパターンの表面の形状を
測定し、エッチングによって開孔した部分の直線形状
は、図３（Ｂ）において示すように凹凸はｂ＝１．４μ
ｍであった。
【００２７】実施例４ 実施例１の試料１を脱脂した後に、粒径１μｍのアルミ
ナ粉を用いて、バフ研磨によって表面粗度がＲａ＝０．
０６μｍになるまで表面処理を行った後に、実施例１と
同様の条件でエッチングを行ってパターンを形成し、実
施例１と同様にパターンの表面の形状を測定し、エッチ
ングによって開孔した部分の直線形状は、図３（Ｂ）に
おいて示すように凹凸はｂ＝１．２μｍであった。
【００２８】
【発明の効果】エッチング基材の表面粗度を所定の範囲
内とすることによって、エッチング基材上に形成される
感光性樹脂のパターンの形状を正確に形成することがで
きるので、高品質の高精細表示用のシャドウマスク等を
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、基材の表面の粗度と形成されるパター
ンの関係を説明する図である。
【図２】図２は、パターンの正確さと透過率の関係を説
明する図である。
【図３】図３は、本発明の方法で製造したパターンと比
較例のパターンを説明する図である。
【符号の説明】
１…基材、２…感光性樹脂、３…画像パターン、４…紫
外線、５…凹凸、６…変形部、７…レジストパターン、
８…開孔部
フロントページの続き (72)発明者 藤山 康二 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属基材上に形成した感光性樹脂層を露
    光してレジストのパターンを形成した後にエッチングす
    ることによって金属基材にパターンを形成するエッチン
    グ用基材において、エッチング基材の表面の中心線平均
    粗さＲａが０．１０μｍ以下であり、最大粗さＲmax が
    １．０μｍ以下であることを特徴とするエッチング用基
    材。
  2. 【請求項２】 金属基材を圧延、化学的研磨、物理的研
    磨、電解研磨の少なくともいずれかの方法で表面の粗度
    を調整したものであることを特徴とする請求項１記載の
    エッチング用基材。
  3. 【請求項３】 金属基材がシャドウマスク用基材、アパ
    ーチャグリル用基材、もしくはリードフレーム用基材で
    あることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記
    載のエッチング用基材。
  4. 【請求項４】 金属基材上に形成した感光性樹脂層を露
    光してレジストのパターンを形成した後にエッチングす
    ることによって金属基材にパターンを形成するエッチン
    グ加工方法おいて、表面の中心線平均粗さＲａが０．１
    ０μｍ以下であり、最大粗さＲmax が１．０μｍ以下で
    ある金属基材上に感光性樹脂層を形成してレジストのパ
    ターンを形成した後にエッチングをすることを特徴とす
    るエッチング加工方法。
  5. 【請求項５】 金属基材上に形成した感光性樹脂層を露
    光しレジストのパターンを形成した後にエッチングする
    ことによって金属基材にパターンを形成するエッチング
    加工方法おいて、金属基材を脱脂の後に、第一のエッチ
    ング液によって表面処理し、金属基材の表面粗度を、表
    面の中心線平均粗さＲａが０．１０μｍ以下、最大粗さ
    Ｒmax１．０μｍ以下に処理した後に、金属基材上に感
    光性樹脂層を形成の後に露光してレジストのパターンを
    形成した後にエッチングをすることを特徴とするエッチ
    ング加工方法。
  6. 【請求項６】 第一のエッチング液として５０°Ｂｈ以
    上の塩化第２鉄水溶液を用いることを特徴とする請求項
    ５記載のエッチング加工方法。
  7. 【請求項７】 金属基材がシャドウマスク用基材、アパ
    ーチャグリル用基材もしくはリードフレーム用基材であ
    ることを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載
    のエッチング加工方法。
  8. 【請求項８】 金属基材上に形成した感光性樹脂層を露
    光しレジストパターンを形成した後にエッチングして作
    製するエッチング加工製品において、表面の中心線平均
    粗さＲａが０．１０μｍ以下、最大粗さＲmax １．０μ
    ｍ以下であることを特徴とするエッチング加工製品。
  9. 【請求項９】 エッチング加工製品がシャドウマスクま
    たはアパーチャグリルであることを特徴とする請求項８
    記載のエッチング加工製品。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003239047A (ja) * 2002-02-15 2003-08-27 Nippon Mining & Metals Co Ltd ブリッジ付きテンションマスク用軟鋼素材及びシャドウマスク
WO2004053975A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-24 Graphion Technologies Usa, Llc Chip-on-film and its methods of manufacturing by electro-forming
WO2004053972A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-24 Graphion Technologies Usa Llc Lead frame and the same manufacturing method using electroforming
JP2007102117A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The レーザー用画像形成材、及びパターンめっき用画像形成方法
WO2017014172A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法
JP6120038B1 (ja) * 2015-07-17 2017-04-26 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材の製造方法
KR20170081695A (ko) * 2014-11-13 2017-07-12 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 금속 부품들의 연속 표면 처리에서 알칼리 욕 용액으로부터 아연 이온을 선택적 제거하기 위한 방법
JPWO2017013904A1 (ja) * 2015-07-17 2018-04-26 凸版印刷株式会社 メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
US10903426B2 (en) 2015-07-17 2021-01-26 Toppan Printing Co., Ltd. Metal mask base, metal mask and method for producing metal mask
US11111585B2 (en) 2015-07-17 2021-09-07 Toppan Printing Co., Ltd. Method for producing base for metal masks, method for producing metal mask for vapor deposition, base for metal masks, and metal mask for vapor deposition

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200727448A (en) * 2006-01-09 2007-07-16 Au Optronics Corp Shadow masks for colorizing process of display devices
KR100796617B1 (ko) * 2006-12-27 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 마스크 장치와 마스크 장치의 제조방법 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법
CN103255416B (zh) * 2013-05-14 2015-08-12 广东工业大学 一种蚀刻方法及其所用蚀刻抛光液
CN107849682B (zh) 2016-04-14 2019-04-19 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法
KR101786391B1 (ko) * 2016-10-06 2017-11-16 주식회사 포스코 증착용 마스크로 사용되는 합금 금속박, 증착용 마스크 및 이들의 제조방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 제조방법
CN116603700A (zh) * 2022-02-08 2023-08-18 成都拓米双都光电有限公司 一种支撑栅板的制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2563118B2 (ja) * 1987-12-26 1996-12-11 日鉱金属株式会社 フレキシブルプリント回路基板用銅又は銅合金素材及びその製造方法
US4971894A (en) * 1989-02-13 1990-11-20 International Business Machines Corporation Method and structure for preventing wet etchant penetration at the interface between a resist mask and an underlying metal layer
US5127965A (en) * 1990-07-17 1992-07-07 Nkk Corporation Fe-ni alloy sheet for shadow mask and method for manufacturing same
JPH071675B2 (ja) * 1990-08-22 1995-01-11 大日本スクリーン製造株式会社 シャドウマスクの製造方法及びシャドウマスク板材
US5605582A (en) * 1992-01-24 1997-02-25 Nkk Corporation Alloy sheet having high etching performance
US5396146A (en) * 1992-04-27 1995-03-07 Hitachi Metals, Ltd. Shadow mask sheet, method of producing same and cathode ray tube provided therewith
JPH05330806A (ja) * 1992-05-26 1993-12-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 立方晶窒化ホウ素の加工方法
JPH07281423A (ja) * 1994-04-07 1995-10-27 Konica Corp 印刷版の製版方法
DE69535861D1 (de) * 1994-06-24 2008-11-27 Sumitomo Electric Industries Wafer und sein Herstellungsverfahren
TW320749B (ja) * 1994-09-22 1997-11-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5821026A (en) * 1997-04-28 1998-10-13 Xerox Corporation Substrate treatment method using soluble particles

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003239047A (ja) * 2002-02-15 2003-08-27 Nippon Mining & Metals Co Ltd ブリッジ付きテンションマスク用軟鋼素材及びシャドウマスク
WO2004053972A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-24 Graphion Technologies Usa Llc Lead frame and the same manufacturing method using electroforming
WO2004053975A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-24 Graphion Technologies Usa, Llc Chip-on-film and its methods of manufacturing by electro-forming
JP2007102117A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The レーザー用画像形成材、及びパターンめっき用画像形成方法
KR20170081695A (ko) * 2014-11-13 2017-07-12 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 금속 부품들의 연속 표면 처리에서 알칼리 욕 용액으로부터 아연 이온을 선택적 제거하기 위한 방법
JPWO2017013904A1 (ja) * 2015-07-17 2018-04-26 凸版印刷株式会社 メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
US10273569B2 (en) 2015-07-17 2019-04-30 Toppan Printing Co., Ltd. Metal mask substrate, metal mask substrate control method, metal mask, and metal mask production method
JP2017193775A (ja) * 2015-07-17 2017-10-26 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材の製造方法
WO2017014172A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法
JPWO2017014172A1 (ja) * 2015-07-17 2018-04-26 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法
KR20180049159A (ko) * 2015-07-17 2018-05-10 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착용 메탈 마스크 기재, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크 기재의 제조 방법, 및, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법
CN109440060A (zh) * 2015-07-17 2019-03-08 凸版印刷株式会社 蒸镀用金属掩模基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
JP6120038B1 (ja) * 2015-07-17 2017-04-26 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材の製造方法
US10876215B2 (en) 2015-07-17 2020-12-29 Toppan Printing Co., Ltd. Metal mask substrate for vapor deposition, metal mask for vapor deposition, production method for metal mask substrate for vapor deposition, and production method for metal mask for vapor deposition
US10903426B2 (en) 2015-07-17 2021-01-26 Toppan Printing Co., Ltd. Metal mask base, metal mask and method for producing metal mask
US11111585B2 (en) 2015-07-17 2021-09-07 Toppan Printing Co., Ltd. Method for producing base for metal masks, method for producing metal mask for vapor deposition, base for metal masks, and metal mask for vapor deposition
US11453940B2 (en) 2015-07-17 2022-09-27 Toppan Printing Co., Ltd. Metal mask substrate for vapor deposition, metal mask for vapor deposition, production method for metal mask substrate for vapor deposition, and production method for metal mask for vapor deposition
US11706968B2 (en) 2015-07-17 2023-07-18 Toppan Printing Co., Ltd. Metal mask base, metal mask and method for producing metal mask
US11746423B2 (en) 2015-07-17 2023-09-05 Toppan Printing Co., Ltd. Method for producing base for metal masks, method for producing metal mask for vapor deposition, base for metal masks, and metal mask for vapor deposition

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