TWI591705B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI591705B
TWI591705B TW102140252A TW102140252A TWI591705B TW I591705 B TWI591705 B TW I591705B TW 102140252 A TW102140252 A TW 102140252A TW 102140252 A TW102140252 A TW 102140252A TW I591705 B TWI591705 B TW I591705B
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cleaning
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勝岡誠司
關本雅彥
橫山俊夫
渡邊輝行
小川貴弘
小林賢一
宮崎充
本島靖之
尾渡晃
大直樹
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荏原製作所股份有限公司
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種適用於對基板進行鍍覆處理、或將基板浸漬於處理液以進行處理之基板處理裝置。
再者，本發明係關於：在設於半導體晶圓等基板表面之配線用微細凹部中埋設銅、銀或金等導電體而構成之埋設配線的露出表面，例如以無電解鍍覆形成配線保護層時所使用於鍍覆前處理單元之基板處理方法以及裝置。
此外，本發明係關於：適用於以鍍覆液或其他處理液處理基板之被處理面的基板保持裝置；以該基板保持裝置構成之基板處理裝置；以及基板保持裝置之基板裝卸方法。
作為半導體基板之配線形成步驟，一直以來係使用一種將金屬(導電體)埋設於配線溝以及接觸孔之步驟(所謂的金屬鑲嵌法)。該步驟係將鋁、或近年來經常使用之銅、銀等金屬以鍍覆之方式埋設於預先形成於層間絕緣膜之配線溝或接觸孔後，再利用化學機械研磨(CMP)法去除多餘的金屬使其平坦化之技術。
該種配線、例如為使用銅作為配線材料之銅配線時，係在平坦化步驟後，由銅所構成之配線的表面會露出於外部，為防止配線(銅)產生熱擴散，例如在疊層之後的氧化性環境的絕緣膜(氧化膜)後形成多層配線構造之半導體基板等時，為防止配線(銅)產生氧化，而以由Co合金或Ni合金等所構成之配線保護層(蓋材)選擇性地覆蓋露出配線的表面，藉此以防止配線產生熱擴散以及氧化。上述之Co合金或Ni合金，例如係利用無電解鍍覆而獲得。
例如：如第1圖所示，在堆積於半導體晶圓等基板W表面之由SiO2等所構成之絕緣膜2的內部，形成配線用的微細凹部4，並在表面形成由TaN所構成之阻障層6後，例如施以銅鍍覆，使銅膜在基板W的表面成膜而埋設於凹部4的內部(金屬鑲嵌步驟)。之後，在基板W的表面進行CMP(化學機械研磨)使其平坦化，藉此在絕緣膜2的內部形成由銅膜所構成之配線8，並在該配線(銅膜)8的表面，選擇性地形成例如由無電解鍍覆所獲得之Co-W-P合金膜所構成之配線保護層(蓋材)9以保護配線8(覆蓋鍍覆步驟)。
茲說明利用一般的無電解鍍覆，在配線8的表面選擇性地形成由上述之Co-W-P合金膜所構成之配線保護層(蓋材)9之步驟。首先，使完成CMP處理之半導體晶圓等的基板W，以1分鐘左右的時間接觸液溫為25℃之0.5M的H2SO4等的酸溶液(第1處理液)，去除殘留於絕緣膜2的表面之銅等的CMP殘渣。之後，以超純水等的清 洗液(第2處理液)清洗(前清洗處理步驟)基板W的表面，接著，使基板W接觸液溫為25℃之000.5g/L的PdCl2與0.2ml/L的HCL等的混合液(第1處理液)達1分鐘左右的時間，藉此，使作為催化劑之Pd附著於配線8的表面而使配線8的露出表面活性化。之後，以超純水等的清洗液(第2處理液)清洗(第1前處理步驟)基板W的表面，接著，使基板W接觸液溫為25℃之20g/L的Na3C6H5O7‧2H2O(檸檬酸鈉)等的溶液(第一處理液)，在配線8表面進行中和處理。之後，以超純水等的清洗液(第2處理液)清洗(第2前處理步驟)基板W的表面，接著，將基板W浸漬於例如液溫約80℃之Co-W-P鍍覆液中約120秒的時間，在活性化之配線8的表面進行選擇性的無電解鍍覆(無電解Co-W-P覆蓋鍍覆)，之後，以超純水等的清洗液清洗(鍍覆處理步驟)基板W的表面。藉此，在該配線8的表面，選擇性地形成由Co-W-P合金膜所構成之配線保護層9以保護配線8。
為進行上述鍍覆處理步驟或進行鍍覆處理所附帶之各種前處理步驟或清洗步驟而需具備多數裝置之基板處理裝置(鍍覆裝置)，除了必須能夠確實執行前述各種處理外，還必須達到裝置整體之小型化以及裝置成本的低廉化。
利用無電解鍍覆，形成由Co-W-P合金膜所構成之配線保護層(蓋材)時，如前所述，在配線的表面，需施以例如施加Pd等催化劑之施加催化劑處理。此外，為防止在絕緣膜上形成配線保護層，必須去除殘留於絕緣膜 上之由銅等所構成之CMP殘渣，殘留物的去除一般係使用H2SO4或HCl等的無機酸來進行。另一方面，無電解鍍覆液，一般係以鹼性溶液所構成，因此，在進行鍍覆處理前必須進行中和步驟以使鍍覆步驟穩定化。
為進行上述之鍍覆前處理步驟，並在基板表面的必要範圍進行確實的均勻鍍覆處理，在施加催化劑處理中，必須使催化劑確實地施加在該範圍(鍍覆範圍)，同時必須在施加催化劑的整體範圍內進行中和處理。
然而，先前之一般鍍覆裝置，一般多使用具備相同構造之裝置，作為施加催化劑前之前清洗處理(藥液清洗)裝置，以及施加催化劑處理以及施加催化劑後之清洗處理之裝置。因此，會形成前清洗(藥液清洗)、施加催化劑以及施加催化劑後之清洗(中和處理)的清洗範圍完全相同的狀況，但因裝置誤差或保持基板時所產生之基板的位置偏移，會使應施加催化劑的範圍無法進行前清洗(藥液清洗)，施加催化劑的整體範圍在施加催化劑後無法進行清洗(中和處理)，進而導致無法在基板表面的必要範圍進行確實的鍍覆處理。
以往，在進行穩定且均勻之基板鍍覆(例如無電解鍍覆)處理，或穩定且均勻之基板的前處理方法上，一般係使用將基板浸漬於處理液而使處理液得以接觸該被處理面之浸漬處理方式。利用該浸漬處理方式時，如何去除滯留於基板之被處理表面的氣泡，是進行穩定且均勻之各種處理時最重要的課題。亦即，以平行(水平)的方式將 基板浸漬於處理液時，會使氣泡附著於基板的被處理面表面而造成不良之影響。因此，針對氣泡的去除方法，而提出一種將基板傾斜並使之浸漬於處理液中，之後再將基板回復到水平狀態之處理方法。
然而，使用上述之使上述基板傾斜之方法時，必須於基板保持裝置加裝傾斜機構，如此一來不但會使得裝置變得更為複雜，亦會增加裝置的重量，同時產生無法降低成本之問題。
前述第1前處理步驟之催化劑施加處理後的狀態，會對後續進行之鍍覆處理造成極大的影響。因此，在該施加催化劑處理步驟中必須進行穩定且確實的施加催化劑處理。以往，作為進行穩定且均勻之基板的施加催化劑處理等的前處理方法，一般多使用將基板浸漬於處理液而使處理液得以接觸該被處理面之浸漬處理方式。此外，在將基板浸漬於處理液之處理過程中，如何去除附著於被處理面上之氣泡，是進行穩定且均勻之基板處理時最重要的課題，但長久以來對此問題並未提出根本的解決之道。
在進行上述鍍覆處理等之基板處理裝置中，一般多使用吸附基板的背面以保持基板之基板保持裝置。該基板保持裝置係具有：板狀的吸附頭，該裝置除了可真空吸附基板的背面使其保持於安裝在該吸附頭下面之吸附墊之外，尚可藉由該裝置使鍍覆液等的各種處理液接觸基板的被處理面以進行鍍覆等各種處理。
該吸附墊一般係以真空吸引基板之背面整 體之方式構成。如上所述，藉由真空吸引基板之背面整體(儘可能將其吸引至最邊緣)，即可儘量防止處理液附著於基板的背面。
然而，如該吸附墊，在墊的內側整體形成真空狀態之吸附機構中，在以真空吸附之方式保持基板時，由於該真空吸附力使基板由基板中心至外周部產生很大的彎曲，此一現象對均勻的鍍覆處理將造成不良之影響，進而導致基板破損等問題。此外前述吸附墊之墊片，兼作為密封墊材時，一般係使用橡膠，但橡膠材因長年的變化而容易接合於基板，因此基板只要吸附於吸附墊後即不易從吸附墊中剝離，如此將對基板的裝卸造成不良之影響。
有鑑於上述問題，本發明之第1目的係在於提供一種可確實地進行高品質之基板處理，且可實現裝置整體之精簡化、裝置成本低廉化之基板處理裝置。
本發明之第2目的在於提供一種可確實進行用以在基板表面之必要範圍進行均勻之鍍覆處理之鍍覆前處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明之第3目的在於提供一種即使在水平狀態下將基板浸漬於處理液時，亦可輕易地將滯留於基板之被處理面上的氣泡予以去除的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明之第4目的在於提供一種由於可輕 易且確實地去除附著於基板之被處理面上之處理液中的氣泡，因而得以進行穩定且確實之處理面處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明之第5目的在於提供一種真空吸附之基板不會因真空吸附力而產生彎曲，且不受密封墊材之材質的影響，而得以確實地進行基板之剝離的基板保持裝置、以及使用該基板保持裝置之基板處理裝置、以及基板保持裝置之基板裝卸方法。
為達成上述目的，本發明之基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；進行基板之鍍覆處理的鍍覆處理區；其中，在前述裝載-卸載區設置有：具有複數個乾式機械手之載運基板機器人；搭載基板收納匣之裝載口；及將基板由面朝上切換為面朝下之乾式反轉機。
由於在裝載-卸載區設置反轉機，因此可省略因載運基板機器人的機械手轉動而進行之基板的轉動，進而得以避免載運基板機器人在搬送基板時發生基板脫落等危險。
本發明之其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述裝載-卸載區設置有：具有乾式機械手、濕式機械手以及背面吸附式機械手之載運基板機器人；利用前述鍍覆處理區進行鍍覆處理前之基板清洗之前清洗單元；及利用前述鍍覆處理區 進行鍍覆處理後之基板清洗之後清洗單元。
由於係將進行前清洗與後清洗之裝置作為一單元設置於清洗區，故得以達到基板裝置整體之精簡化。
前述後清洗單元係以具備有滾刷單元與旋轉乾燥機較為理想。利用不同構造之清洗用裝置進行基板的清洗可以進一步地提昇清洗效果。
本發明之理想實施形態，係在前述清洗區設置：具備在前述裝載-卸載區與前述清洗區之間進行基板的授受時用以暫置基板之升降功能之乾式基板暫置台；在前述鍍覆處理區將完成鍍覆處理後被移送至前述清洗區之基板由面朝下切換為面朝上之濕式反轉機。
藉由在清洗區設置基板暫置台，即可順暢地進行裝載-卸載區與清洗區間之基板的授受。此外，藉由在裝載-卸載區設置反轉機，即可省略因載運基板機器人的機械臂轉動而進行之基板的轉動，進而得以避免載運基板機器人在進行基板搬送時所發生之基板脫落等危險。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：用以吸附基板之背面以保持基板之具備複數個吸附臂的載運基板機器人；在基板的表面進行施加催化劑處理之第1前處理單元；進行施加催化劑後之基板表面之藥液處理的第2前處理單元；進行鍍覆處理之鍍覆處理單元。
由於係將進行施加催化劑處理之裝置、進行施加催化劑後之基板表面之藥液處理之裝置以及進行鍍覆處理之裝置分別作成單元設置於鍍覆處理區，而得以達到基板裝置整體之小型化。
本發明之理想實施形態係具備複數個前述鍍覆處理單元，其中，在前述鍍覆處理區上設置有提供鍍覆液給前述複數個鍍覆處理單元之鍍覆液供給單元，如此一來即不需另行設置鍍覆液供給單元，而得以達到基板處理裝置整體之小型化。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述清洗區係設置有：用以收納第1處理液噴射部之容器，該第1處理液噴射部係用以使第1處理液接觸在鍍覆處理區進行鍍覆處理前之基板並進行清洗；在使基板保持裝置所保持之基板移動至前述容器之開口部的狀態下封閉該開口部上方之蓋構件；以及具有第2處理液噴射部之前述清洗單元，該第2處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述開口部的狀態下使第2處理液接觸前述基板以進行清洗。
以上述方式構成前清洗單元時，即使在一個裝置內以複數個處理液進行基板處理，亦可確實地避免處理液的混合，同時可達到裝置設置面積之小型化及裝置成本之低廉化，並藉此達到基板處理裝置整體之小型化與 裝置成本之低廉化。
本發明之又一之其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述清洗區係設有：用以進行鍍覆前之基板清洗之前清洗單元，該前清洗單元之結構係令分別設置於前述清洗區與前述鍍覆處理區之載運基板機器人的機械手可由左右方向伸入以進行基板授受。
利用上述構成方式，即可藉由清洗區之載運基板機器人與鍍覆處理區之載運基板機器人順暢地進行基板前清洗單元的收納與取出。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中在前述鍍覆處理區係設置有：用以收納第1處理液噴射部之容器，該第1處理液噴射部係用以使第1處理液接觸於進行鍍覆處理前的基板以進行前處理；在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前述容器之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及具有第2處理液噴射部之第1前處理單元以及第2前處理單元，該第2處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述開口部的狀態下使第2處理液接觸前述基板以進行清洗。
構成上述之第1前處理單元以及第2前處理單元時，即使在一個裝置內以複數個處理液進行基板處 理，亦可確實地避免處理液的混合，同時可實現裝置設置面積之小型化、裝置成本之低廉化，並藉此達到基板處理裝置整體之精簡化與裝置成本之低廉化。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：儲存鍍覆液之處理槽；在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前述容器之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及具有處理液噴射部之鍍覆處理單元，該處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述處理槽之開口部的狀態下使處理液接觸前述基板以進行清洗。
以上述之方式構成鍍覆處理單元時，即使是在同一裝置內利用鍍覆液與清洗液進行鍍覆處理與清洗處理，亦可確實地避免鍍覆液與清洗液的混合，同時可實現裝置設置面積之小型化、裝置成本之低廉化，並藉此達到基板處理裝置整體的精簡化與裝置成本的低廉化。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述清洗區係設置有：清洗在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理後之基板之後清洗單元；清洗在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理前之基板之前清洗單元；及分別提供清洗用藥液給前述前清洗單元與前述後清洗單元之藥液供給單元。
由於係將進行前清洗之裝置、進行後清洗之裝置以及供給藥液之裝置作為一個單元設置於清洗區，故得以達到基板處理裝置整體的精簡化。此外，由於不需要另行設置藥液供給單元，而得以達到基板處理裝置整體之精簡化。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：使處理液接觸於進行鍍覆前之基板以進行前處理之第1前處理單元；使不同的接觸液接觸完成第1前處理單元之前處理的基板以進行前處理之第2前處理單元；及用以供給使用於前述第1以及第2前處理單元之處理液用藥液之藥液供給單元。
由於係將進行第1以及第2前處理之裝置與提供藥液之裝置分別作成一個單元而設置於鍍覆處理區，故得以達到基板處理裝置整體的精簡化。此外，由於不需要另行設置藥液供給單元，而得以達到基板處理裝置整體精簡化。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區，其中，在前述裝載-卸載區係設置有未具有移動軸之固定式載運基板機器人。
由於係一種無移動軸之固定式載運基板機器人，而得以防止移動軸之滑動部所產生之微粒子，使在 裝載-卸載區中進行基板的處理時得以隨時保持清潔的環境。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述清洗區係設置有一支機械臂上安裝有複數個機械手之載運基板機器人。
藉此，一台載運基板機器人可具備配合多種用途之多數個機械手。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述清洗區及/或前述鍍覆處理區係設置有具有背面吸附型真空臂之載運基板機器人，該背面吸附型真空臂係以表面朝下形式保持基板以進行基板的搬送。
在基板處理裝置內，為避免微粒子對基板造成不良之影響，具有經常向下流動之氣流，在以表面朝上(面朝上)之方式保持並搬送基板時，雖在處理裝置間進行基板搬送時會使基板被處理面乾燥，但相較於以表面朝下(面朝下)之方式保持並搬送基板，可抑制空氣的之下流動之影響，並得以在充分乾燥的狀態下搬送濕的基板，以維持裝置內的良好環境。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區； 進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有具備真空臂之載運基板機器人。該真空臂係具有：具備基板吸附面並以可自由伸縮於基板吸附方向之方式構成之基板吸附墊；及設置於該基板吸附墊周圍，並於其表面設置基準面，藉由縮小吸附基板之基板吸附墊使基板抵接於前述基準面以進行基板定位之固定構件。
吸附基板的背面以保持基板時，首先基板吸附面必須吸附於基板的背面，之後藉由縮小基板吸附墊使基板抵接於固定構件之基準面以進行基板的定位。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：儲存鍍覆液之處理槽；在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前述容器之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及複數台具有處理液噴射部之鍍覆處理單元，該處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述處理槽的開口部的狀態下使清洗液接觸於前述基板以進行清洗。
由於係在處理槽的內部與上部進行複數個基板處理步驟，而得以達到裝置之小型化。此外因設置多數台的鍍覆處理單元，故得以實現基板處理的效率化。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在設置於前 述洗淨區且用以洗淨在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理前之基板之前洗淨裝置、設置於前述鍍覆處理區並且使處理液接觸於鍍覆處理前之基板以進行前處理之前處理單元、或設置於前述鍍覆處理區且對完成前處理之基板進行鍍覆處理之鍍覆處理單元的至少其中一個裝置中，設置噴霧噴嘴以進行基板之被處理面之處理用或洗淨用液體之噴霧，該噴霧噴嘴係設置於複數位置，俾將前述處理用或洗淨用的液體均勻地噴在基板被處理面的整體領域。
藉此，即可進行基板的被處理面之均均處理與洗淨。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行基板的鍍覆處理之處理槽之鍍覆處理區，其中，在前述鍍覆處理區係設置有鍍覆液供給單元，而該鍍覆液供給單元係具備：儲存有鍍覆液使鍍覆液於前述處理槽之間進行循環之鍍覆液循環槽；加熱鍍覆液循環槽內之鍍覆液之加熱部；測定儲存於鍍覆液循環槽內之鍍覆液之溫度之溫度計；測定處理槽之鍍覆液溫度之溫度計；及控制循環於前述鍍覆液循環槽與前述處理槽之間的鍍覆液的循環量，以使前述處理槽內的鍍覆液的溫度適於進行鍍覆之鍍覆液供給用泵。
藉由將鍍覆液的循環量控制在最適當的狀態，以減少鍍覆液的溫度變化，提昇加熱部與鍍覆液的溫度控制的反應，藉此提昇鍍覆液的循環鍍覆內的全領域的 溫度均一性。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；具有進行基板的鍍覆處理之處理槽以及儲存鍍覆液使鍍覆液循環於前述處理槽之間之鍍覆液循環槽之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆液處理槽係設置有將鍍覆的濃度設定在適性濃度之鍍覆液濃度稀釋裝置。
無電解鍍覆處理步驟之鍍覆液的使用溫度(例如無電解鍍覆)，一般而言係70℃至80℃的高溫。因此，由於其係在高溫下使用因而鍍覆液中的水分會產生蒸發的現象，而導致每一次的基板處理濃度發生變化，造成每一基板的處理產生不均的問題。因此，藉由利用鍍覆液濃度稀釋裝置補充必要量的液體(純水等)，即可將鍍覆液保持在最適當的濃度。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；具有用以進行基板之鍍覆處理之複數個鍍覆處理單元之鍍覆處理區，其中，在前述鍍覆處理區係設置有鍍覆液供給單元，而該鍍覆液供給單元係具備：分別將鍍覆液提供至前述多數鍍覆處理單元之複數個鍍覆液供給用泵。
因此，即使萬一鍍覆液供給泵的其中之一因故障而停止，同樣可以在連接其他可運轉之鍍覆液供給泵的鍍覆處理單元中進行鍍覆處理。或者，即使鍍覆液處理裝置的其中之一因故障而停止，亦可將鍍覆液提供給可 運轉之鍍覆處理單元，以避免鍍覆處理本身發生停止的現象。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行基板的鍍覆處理之鍍覆處理單元之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有鍍覆液供給單元。該鍍覆液供給單元係利用由直立式離心泵所構成之鍍覆液供給用泵將鍍覆液提供至前述鍍覆處理單元。
相較於使用磁泵或風箱泵的情況，利用直立式離心泵可將空穴現象(cavitation)抑制在最小的限度。此外，相較於上述之泵，因空氣與液體之間的攪拌作用較小，而得以避免空氣過度地溶解於鍍覆液中，以將溶解氧量設定在最適當的範圍。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板的鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區中設有：在將吸附頭所保持之基板***處理槽內部的狀態下進行基板被處理面之鍍覆液接觸處理的鍍覆處理單元，前述吸附頭係在基部的下面外周安裝環狀之基板吸附部而構成，而該基板吸附部係將基板的背面以環狀方式真空吸附以防止鍍覆液滲入基板背面之真空吸附部分的內側並加以密封，在前述基板設置有吸附於基板吸附部之基板與開放前述基部之間的空間的開口部。
吸附頭的基部因設置有開口部，故基部、 基板吸附部以及基板所形成之空間不會形成密閉狀態，而得以防止因空間內部之熱氣所導致之空氣膨脹的現象，藉此即可避免對基板造成不良的影響(彎曲等)，並可實現均勻的鍍覆。此外，因具有開口部，而得以實現吸附頭的輕量化。
本發明之理想之一實施形態係設置可使真空吸附基板之前述吸附頭進行高速旋轉之驅動部。
藉由高速旋轉基板，即可以急速飛散之方式將殘留於鍍覆處理後之基板表面的處理液以及清洗液去除。藉此，即可避免使用之處理液、清洗液等多餘的排出。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：在將由吸附頭所保持之基板***處理槽內部的狀態下進行基板的被處理面之鍍覆液接觸處理之鍍覆處理單元，前述吸附頭係具備環狀之基板吸附部，而該基板吸附部係將基板的背面以環狀方式真空吸附以防止鍍覆液滲入基板背面之真空吸附部分的內側並加以密封，前述基板吸附部吸附於前述基板之位置，係在基板外周附近未形成裝置之部分的背面。
根據上述構成，基板吸附部接觸基板的部分，係形成基板裝置範圍外的背面，因此可在利用加熱進行基板之鍍覆處理時將吸附所造成的影響抑制在最小程度內。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：在將由吸附頭所保持之基板在***處理槽內部的狀態下進行基板的被處理面之鍍覆液接觸處理之鍍覆處理單元，在前述吸附頭中係配設有基板吸附部，而該基板吸附部係具有基板吸附溝，且將真空供給線連接於該基板吸附溝以真空吸附基板背面之基板吸附部，而前述真空供給線，除了進行真空吸引外另供給惰性氣體及/或清洗液，同時在基板吸附部附近設置清洗用噴霧噴嘴，在利用清洗用噴霧噴嘴由外部清洗基板吸附部的同時，由真空供給線提供惰性氣體或清洗液給基板吸附溝，藉此以清洗真空供給線以及基板吸附溝的內部。
通常，接觸鍍覆液的部分，在經過一段時間之後因鍍覆成分產生結晶化現象而析出，會對基板處理造成不良之影響。根據本發明，利用清洗用噴霧噴嘴即可清洗基板吸附部的外周，同時可清洗真空供給線以及基板吸附溝的內部。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：將基板***處理槽內使基板的被處理面接觸鍍覆液以進行鍍覆處理之鍍覆處理單元；在前述鍍覆處理單元的處理槽係設置有噴霧噴嘴，以將清洗液噴霧於 鍍覆處理後的基板表面。
在完成鍍覆處理後，即使從鍍覆液中將基板取出，在基板之被處理面依然會殘留少量的鍍覆液。在鍍覆液殘留於基板表面的狀態下進行基板表面的鍍覆處理時，即無法獲得均勻的鍍覆膜。因此，藉由噴霧噴嘴的設置，可在鍍覆處理後馬上將清洗液噴霧在基板表面，如此即可排除殘留於基板表面之鍍覆液。此外，利用清洗液的噴霧急速冷卻基板使鍍覆停止，藉此即可獲得均勻的鍍覆膜。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述清洗區係設置有前清洗單元，該前清洗單元係將在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理後之基板收納於容器內並予以清洗之裝置，在前述鍍覆處理區係設置有前處理單元，該裝置係將在前述前清洗單元進行清洗之基板收納於容器內並進行前處理，另在前述前述清洗單元的容器內部及/或前述前處理單元的容器內部則設置有容器內清洗用的噴霧噴嘴。
藉此，即可清洗前清洗單元的容器內部及/或前處理單元的容器內部。藉由該清洗步驟，即可防止容器內壁產生乾燥現象進而防止微粒子的發生。此外，可防止處理液的浸漬所發生之各構件的劣化等問題。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區； 及具有進行基板的鍍覆處理之處理槽之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：對前述處理槽供給鍍覆液並使其循環之鍍覆液循環槽，該鍍覆液循環槽中係設置有：使於管內加熱之流動體所構成之熱媒體進行循環，藉此達到間接加熱鍍覆液之目的之間接加熱部。
為對應性質十分纖細之鍍覆液，不以熱源直接加熱鍍覆液，本發明係利用熱媒體的循環進行間接加熱，藉由縮小鍍覆液與加熱裝置間的溫度差，即可避免對鍍覆液的溫度產生不良之影響。
本發明之其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行基板的鍍覆處理之處理槽之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：對前述處理槽提供鍍覆液並使其循環之鍍覆液循環槽，該鍍覆液處理槽係以至少二層以上的槽構造所構成。
藉此，即可達到與外氣隔離之目的，以維持一定的鍍覆液溫度。此外，因其為二層以上之構造，因此對於鍍覆液循環槽的破損亦具有較高的安全性。
本發明之其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行基板的鍍覆處理之處理槽之鍍覆處理區；其中，在前述處理槽係搭載有用以測定處理槽內的鍍覆液溫度之溫度計。
藉此，即可將處理槽內的鍍覆液的溫度控 制在預定的溫度，並將使用時點之鍍覆液的溫度維持在穩定的狀態。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有前處理單元，該前處理單元係使處理液接觸於鍍覆處理前之基板以進行前處理，而該前處理單元係具有：儲存處理液之處理槽；在將由基板固定頭所保持之基板移動於前述處理槽的開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及處理液噴射部，該處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述處理槽之開口部的狀態下使清洗液接觸前述基板以進行清洗，且在前述基板固定頭中配設有傾斜機構。
藉此，藉由傾斜機構即可使基板在傾斜的狀態下浸漬於處理液中，因而使基板的被處理面的氣泡容易被排除。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及具有進行基板的鍍覆處理之處理槽之鍍覆處理區；其中，在前述鍍覆處理區係設置有：對前述處理槽提供鍍覆液並使其循環之鍍覆液循環槽，在前述處理槽至鍍覆液循環槽之間使鍍覆液產生循環之配管中係設置有氣泡溶入防止部，該氣泡溶入防止部係用以防止在鍍覆液流入鍍覆液循環槽內時所產生之氣泡溶入。
藉此，即可將鍍覆液中的溶解氧控制在適當的範圍內。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中，係在下述供給線中至少其中一條供給線設置用以擷取定量之液體的取樣口：設置於前清洗區，使清洗液接觸在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理前的基板以進行清洗之前清洗單元之前述處理液的供給線；設置於前述鍍覆處理區，使處理液接觸鍍覆處理前之基板以進行前處理之前處理單元之前述處理液之供給線；設置於前述鍍覆處理區，使鍍覆液接觸已完成前處理之基板以進行鍍覆處理之鍍覆處理單元之前述鍍覆液之供給線；另設置液體補充部，將相當於所採取之液體量的液體，提供給前清洗單元、前處理單元或鍍覆處理單元的至少1個裝置。
藉此，即可取出流通於供給線之液體，進行液體的成分分析。
本發明之又一其他基板處理裝置係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；其中係在下述供給線中至少其中一條供給線串聯設置有複數個過濾器：設置於前清洗區，使清洗液接觸在前述鍍覆處理區之鍍覆處理前的基板以進行清洗之前清洗單元之前清洗液的供給線；設置於前述鍍覆處理區，使處理液接觸鍍覆處理前之基板 以進行前處理之前處理單元之前述處理液的供給線；設置於前述鍍覆處理區，使鍍覆液接觸已完成前處理之基板以進行鍍覆處理之鍍覆處理單元之前述鍍覆液的供給線。
使複數個過濾器串聯連接於供給線，藉此，即可進行確實地進行液體過濾。
本發明之基板處理方法為在基板表面施加無電解鍍覆之前，在進行清洗處理與施加催化劑處理之前處理時，在比以施加催化劑處理對基板表面施加催化劑之範圍更廣泛的範圍內進行清洗處理。
藉此，例如：在應施加催化劑的整體範圍進行前清洗(藥液清洗)，並在施加催化劑後，在施加催化劑之整體範圍進行清洗(中和處理)，如此即可在基板表面的必要範圍確實地進行鍍覆處理。
利用前述施加催化劑處理將催化劑施加於基板表面之範圍，以必須在基板表面進行均勻的鍍覆處理之範圍相同之範圍為佳。如此一來，因不需進行基板表面的鍍覆處理之部分亦施加有催化劑，而得以避免之後的鍍覆處理。
本發明之理想實施形態中，作為前述鍍覆前處理之清洗處理係包含：在前述施加催化劑處理前所進行之前清洗以及在施加催化劑處理後之清洗；該鍍覆前處理係依照前清洗(藥品清洗)、施加催化劑處理以及清洗(中和處理)的順序進行，之後，藉由使基板表面接觸無電解鍍覆液，以進行無電解鍍覆之鍍覆處理。
本發明之又一其他的基板處理裝置係具有：利用密封構件密封基板表面的周緣部使該表面接觸鍍覆前處理液，以進行鍍覆前處理之清洗處理之清洗處理裝置；以及進行施加催化劑處理之施加催化劑處理單元；前述清洗處理裝置係對利用前述施加催化劑處理單元在比施加催化劑的範圍更廣泛的範圍進行清洗處理。
本發明之理想之實施形態為利用前述施加催化劑處理單元在基板表面施加催化劑的範圍，係與必須在基板表面進行均勻鍍覆處理的範圍相同。
本發明之理想實施形態徵為前述清洗處理裝置與前述施加催化劑處理單元，除了使用具有不同開口面積的前述密封構件外，係相同之構成。因此，可達到裝置共通化之目的。
本發明之又一其他的基板處理方法為將基板水平浸漬於處理液內，在處理液接觸基板下面的被處理面時使滯留於該處理面表面之氣泡，得以利用由被處理面的中央朝外周方向流動之處理液加以去除。
因形成由被處理面的中央朝外周方向流動之處理液，而得以在使基板水平浸漬於處理液的狀態下去除滯留於基板的被處理面上之氣泡。
本發明之理想實施形態為藉由使由被處理面之下方流向該被處理面之處理液，通過形成於基板的被處理面之外周附近之圓周狀開縫，即可加速處理液在前述被處理面上之流速，並藉此去除被處理面上之氣泡。
藉由使處理液通過形成於基板的被處理面之外周附近之間縫以增加處理液的流速，故處理液的流動可成為有效去除氣泡之流動。
本發明之其他基板處理裝置係具備：儲存處理液之處理槽；使基板保持於下面，在水平之狀態下使所保持之基板浸漬於前述處理液之基板保持裝置；其中，在前述處理槽設置有氣泡去除部，該氣泡去除部係在使中前述基板保持裝置所保持之基板的下面的被處理面接觸於處理液的狀態下，使被處理面上之處理液由基板的中央流向外周方向。
如此，利用氣泡去除部即可形成由被處理面的中央流向外周方向之處理液的流動，藉由該流動即可在水平狀態下使基板浸漬於處理液時去除滯留於基板被處理面上之氣泡。
前述氣泡去除部，最好係在處理槽設置圓周狀的緣部，以使浸漬於處理液之基板的被處理面的外周附近得以形成圓周狀的開縫。藉由使處理液通過形成於基板的被處理面之外周附近之開縫以增加處理液的流速，故處理液的流動可成為有效去除氣泡之流動。
前述緣部最好是：以與外周緣重疊之方式配設在處理槽之外周緣的內側的第2槽的上端邊或處理槽的外周緣的上端邊。由於係以處理槽的外周緣或設置於內部之第2槽構成緣部，故得以輕易地在基板的被處理面的外周附近形成開縫。
在前述處理槽的外周緣的外周最好設置回收溝，該回收溝係用以回收溢流於外周緣上之處理液。藉此，即可輕易地進行鍍覆液的循環使用。
在保持前述基板保持裝置之底面之基板部分的外周，最好設置逸退溝，該逸退溝係用以使自基板中央流向外周方向之處理液流通。藉此，即可使自開縫中流出之處理液順暢地流出於外側。
本發明之又一其他的基板處理裝置係具備：儲存處理液之處理槽；保持基板之基板保持裝置；在使由前述基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下接觸前述處理液以進行處理之基板保持驅動部。
在水平狀態下使基板的被處理面浸漬於處理液時，因空氣等的氣體會滯留於基板與被處理液之間，故無法達成穩定且適當的接液處理。相對於此，在本發明中，由於係在使基板的被處理面傾斜的狀態下進行接液處理，因此，接觸處理液之基板的被處理面上的氣泡，會由深處朝淺處自然的排出，藉此，即可進行穩定且適當的接液處理。
前述處理液之基板的被處理面的處理，例如係鍍覆前處理。藉此即可進行穩定且適當之施加催化劑等鍍覆之前處理。
本發明之理想之實施形態之為在前述基板保持裝置驅動部設置可在0至100%的範圍內調整接觸前述基板的被處理面之接液領域調節部。
藉由該接液領域調節部，使基板的被處理面的其中一部份不接觸處理液，並旋轉基板反覆進行與被處理面的接液與離液，如此一來即使處理液中之基板的被處理面附著有氣泡(亦即僅利用前述傾斜無法完全去除之氣泡)，在離液至接液之間藉由與外氣接觸亦可將氣泡去除。
本發明之理想之實施形態為設置有吸引部。該吸引部係在使基板傾斜於處理液的狀態下，在基板接觸處理液時吸引並強制排除滯留於被處理面與處理液之間的空氣。如此即可將殘留於基板的被處理面與處理液之間的空氣強制地排除於外部，順利達成基板與被處理面的接液。
本發明之理想之實施形態為設置處理液供給部。該處理液供給部係沿著接觸前述處理液之基板的被處理面的傾斜面，形成由深側至淺側之處理液的流動。藉此，在朝向基板的離液側形成處理液的流動，處理液中之基板的被處理面上的氣泡群會被推押至基板的脫離區域的空間，確實地排出於大氣中。
在保持基板保持裝置的底面的基板之部分的外周，最好設置逸退溝，該逸退溝係在基板接觸處理液時用以使滯留於基板下面的空氣排出。藉此，在將基板浸漬於處理液時可將滯留於基板下面之空氣順利地排出於外部，該逸退溝可形成由處理液中的基板的被處理面排出之氣泡的逸退通路。
本發明之其它基板處理方法為，在使基板之被處理面傾斜的狀態下接觸處理液。
藉此，接觸處理液之基板的被處理面上的氣泡，由於被處理面傾斜因此得以由深處至淺處自然地將氣泡排出，並進行穩定且適當之接液處理。
本發明之理想實施形態為在傾斜狀態下使前述基板旋轉，同時使基板的被處理面的一部分接液以進行處理。
使基板的被處理面的一部分接液並使基板轉動，藉此即可反覆地進行與被處理面的接液與離液，如此一來，即使處理液中之基板的被處理面附著有氣泡(亦即僅利用前述傾斜無法完全去除之氣泡)，在離液至接液之間藉由與外氣接觸亦可將氣泡去除。
前述處理液之基板的被處理面之處理，例如係鍍覆前處理。藉此，即可進行穩定且適當之施加催化劑等鍍覆的前處理。
在使基板傾斜於處理液進行接液時，最好利用吸引將滯留於基板的被處理面與處理液之間的空氣強制地排出。藉此，即可將滯留於基板的被處理面以及處理液之間的空氣強制地排出於外部，輕易地達成與被處理面之順暢的接液。
最好沿著浸漬於前述處理液之基板的被處理面的傾斜由深側至淺側形成處理液的流動，藉此去除基板的被處理面上之氣泡。藉此，在面向基板的離液側形成 處理液的流動，處理液中之基板的被處理面上的氣泡群會被推押於基板的脫離區域的空間，更確實地排出於大氣中。
本發明之又一其他的基板處理裝置係具有：儲存處理液之處理槽；保持基板之基板保持裝置；進行接液處理之基板保持裝置驅動部；該基板保持裝置驅動部係在使由前述基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下使基板接觸前述處理液後再使其回復水平狀態，其中，設置有吸引部，該吸引部係在使基板傾斜接觸處理液後回復為水平狀態時，吸引並強制排出滯留於基板的被處理面與處理液間之空氣。
在使前述基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下使基板接觸前述處理液後再回復水平狀態以進行接液處理之基板處理裝置，亦可在基板傾斜接觸處理液之後回復為水平狀態時，順利地將滯留於基板的被處理面與處理液間之空氣強制排出，在基板回復為水平狀態後因基板的被處理面上不會有氣泡的殘留，而得以達成基板的被處理面之順暢的接液處理。
本發明之其他的基板處理裝置係具有：儲存處理液之處理槽；保持基板之基板保持裝置；進行接液處理之基板保持裝置驅動部；該基板保持裝置驅動部係在使由前述基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下使基板接觸前述處理液後再使其回復水平狀態，其特徵為：設置處理液供給部，該處理液供給部係在使基板傾斜於處理液的狀態下使基板接觸前述處理液後再回復水平 狀態時，沿著基板的被處理面的傾斜由深側至淺側形成處理液的流動。
如此，面向基板的離液側形成處理液的流動，將處理液中之基板的被處理面上之氣泡群，會被押流至基板的脫離區域的空間，於是使基板成為水平狀態後，在被處理面上不會殘留氣泡，而得以達成與基板的被處理面之順暢的接液處理。
本發明之又一之其他基板處理裝置係具有：儲存處理液之處理槽；保持基板之基板保持裝置；進行接液處理之基板保持裝置驅動部；該基板保持裝置驅動部係在使由前述基板保持裝置所保持之基板的被處理面傾斜的狀態下使基板接觸前述處理液後使其回復水平狀態，其中，在保持基板保持裝置的底面的基板之部分的外周，設置逸退溝，而該逸退溝係在使基板傾斜於處理液的狀態下使基板進行接液後再回復水平狀態時，使滯留於基板的被處理面與處理液之間的空氣排出。
如此，在傾斜之狀態下使基板浸漬於處理液後使基板回復水平狀態時，可使滯留於基板下面的空氣順暢地排出於外部，基板在變換為水平狀態後，在基板之被處理面上不會殘留氣泡，而得以達成與基板的被處理面之順暢的接液處理。
本發明之基板處理方法係一種使基板的被處理面傾斜的狀態下接觸處理液後再回復水平狀態以進行接液處理之基板處理方法，其中，當基板在傾斜的狀態下 與處理液接觸後再回復水平狀態時，可使滯留於基板的被處理面與處理液之間的空氣藉由吸附強制地排除。
藉此，當使基板傾斜於處理液的狀態下接觸處理液後再回復到水平狀態時，可強制地將滯留於基板的被處理面與處理液之間的空氣順利排出於外部，當基板變為水平狀態後，在基板之被處理面上不會殘留氣泡，而得以達成基板的被處理面之順暢的接液處理。
本發明之其他基板處理方法係一種使基板的被處理面傾斜的狀態下接觸處理液後再回復水平狀態以進行接液處理之基板處理方法，其中，當基板在傾斜於處理液的狀態下進行接液後再回復水平狀態時，沿著基板的被處理面的傾斜面由深側至淺側形成處理液的流動，以去除基板的被處理面上的氣泡。
如此，面向基板的離液側形成處理液的流動，將處理液中之基板的被處理面上之氣泡群，押流至基板的脫離區域的空間，並將其確實地排出於大氣中，在基板變為水平狀態後，在基板的被處理面上不會殘留氣泡，而得以達成與基板的被處理面之順暢的接液處理。
本發明之基板保持裝置，係一種將基板的背面吸附於吸附頭的下面以保持基板之基板保持裝置，其中，在前述基板保持裝置中係設置有環狀的基板吸附部，該基板吸附部係位於前述吸附頭的下面外周，而以環狀之方式真空吸附基板的背面，並防止處理液由基板背面的真空吸附部分滲入於內側；且安裝有用以將吸附於前述基板 吸附部之基板推壓至遠離於吸附頭的方向之推壓件。
由於係利用環狀的密封材使基板吸附部吸附於基板的背面，故得以防止處理液滲入於基板的背面，同時可大幅縮小吸附寬度，故得以減少吸附對基板所造成之影響(例如基板產生彎曲等)。
此外，由於係利用推壓件將吸附於基板吸附部之基板由吸附頭中脫離，因此例如基板吸附部所使用之橡膠材等即使因長年的變化而容易黏合於基板，而造成吸附於基板吸附部之基板不易自基板吸附部剝離，藉由推壓件即可確實地將該基板剝離，輕易地進行基板的裝卸。推壓件可以為1個或複數個。
本發明之理想之實施形態為前述推壓件係連接於真空供給線，該推壓件係利用真空供給線之真空吸附拉入至吸附頭側，並藉由真空供給線之氣體供給，由吸附頭突出以推壓保持於吸附頭之基板的背面。藉此，利用真空吸附與氣體的供給，即可使推壓件確實地進行作動。
拉入至吸附頭側之推壓件之構成方式，最好係以不與吸附保持於吸附頭下面之基板的背面接觸之方式構成為佳。藉此，推壓件接觸於基板背面，如此即可避免進行基板處理時之處理液的溫度傳達至與推壓件的接觸面。
前述真空供給線，最好連接於前述推壓件，且連接於前述基板吸附部。如上所述，藉由共用真空供給線，即可達到簡化基板保持裝置之構造之目的。
本發明之基板處理裝置係具備：環狀的基板吸附部，該基板吸附部係位於吸附頭的下面外周，而以環狀之方式真空吸附基板的背面，並防止處理液由基板的背面的真空吸附部分滲入內側並加以密封；以及將吸附於前述基板吸附部之基板推壓於遠離吸附頭方向之推壓件；其中具備：將基板的背面吸附保持於吸附頭的下面之基板保持裝置；及對於利用前述基板保持裝置保持之基板的被處理面進行處理液之接液處理之基板處理部。
本發明之基板保持裝置之基板裝卸方法，係一種可在將基板背面吸附於基板保持裝置的吸附頭下面的同時進行離脫之基板保持裝置之基板的裝卸方法，其中，將基板吸附於前述吸附頭下面之方法，係藉由一面以環狀密封基板的背面一面進行真空吸附的方式進行，在此同時，將基板從前述吸附頭下面離脫之方法，係藉由自前述環狀真空吸附之部分噴出氣體的同時，利用推壓件推壓位於前述環狀真空吸附之部分內側之基板背面的方式來進行。
1‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧裝載卸載區
110‧‧‧裝載口
130、230、310‧‧‧載運基板機器人
131‧‧‧機器人主體
132‧‧‧基台
132a、132b、133、135、233、235、297‧‧‧懸臂
137、139‧‧‧機械手
150‧‧‧第1反轉機
151‧‧‧基板裝卸用汽缸
153‧‧‧基板裝卸懸臂
154‧‧‧曲柄銷
155‧‧‧反轉用馬達
200‧‧‧清洗區
210‧‧‧基板暫置台
211‧‧‧升降板
213‧‧‧線性引導件
214‧‧‧升降用馬達
215‧‧‧球形螺絲
216‧‧‧升降機構
217‧‧‧上段暫置台
219‧‧‧下段置置台
221‧‧‧支撐棒
237‧‧‧上段上臂
239‧‧‧下段下臂
240‧‧‧前清洗單元
241‧‧‧下段臂
250‧‧‧第2反轉機
251‧‧‧噴灑式噴嘴
260‧‧‧後清洗單元
270‧‧‧第1清洗部
271、291‧‧‧基板***窗
273、293‧‧‧擋板
275、277‧‧‧滾輪狀刷子
279‧‧‧滾輪
281、283‧‧‧藥液用噴嘴
285、287‧‧‧純水用噴嘴
290‧‧‧第2清洗乾燥部
291‧‧‧箝位電路機構
292‧‧‧主軸
293‧‧‧主軸驅動用馬達
294‧‧‧清洗杯
295‧‧‧清洗杯升降用汽缸
296‧‧‧筆式清洗單元
298‧‧‧清洗海線
299‧‧‧超級噴嘴
300‧‧‧鍍覆處理區
320‧‧‧第1前處理單元
337、339‧‧‧真空臂
337a‧‧‧基板吸附墊
337b‧‧‧基板吸附面
337c‧‧‧蛇腹部
337d‧‧‧凹狀吸附口
337h、337i‧‧‧真空線
337g‧‧‧基準面
340‧‧‧第2前處理單元
360‧‧‧鍍覆處理單元
390‧‧‧鍍覆供給裝置
391‧‧‧鍍覆液供給用槽
393、395‧‧‧加熱部
397‧‧‧熱交換器
399、401‧‧‧溫度調節管
403‧‧‧鍍覆液濃度稀釋裝置
406、407‧‧‧溫度計
409‧‧‧內槽
410‧‧‧鍍覆液攪拌裝置
411‧‧‧液面感測器
413‧‧‧配管
415‧‧‧開口部
417‧‧‧開縫
420‧‧‧取樣口
421‧‧‧供給線
423‧‧‧閥門
425‧‧‧採取用瓶
430-1、430-2‧‧‧過濾器
431‧‧‧閥門
440‧‧‧惰性氣體供給線
441、442；446、447、448、451、452‧‧‧閥門
445‧‧‧純水供給線
450‧‧‧廢液排出線
500‧‧‧前處理單元
510‧‧‧容器
515、520、540、723、760‧‧‧噴霧噴嘴
521‧‧‧噴嘴固定構件
523、543‧‧‧噴嘴
530、740‧‧‧蓋構件
550‧‧‧蓋構件驅動機構
555‧‧‧連結機構
560‧‧‧基板固定壓頭
561‧‧‧開口
562‧‧‧逸退溝
563‧‧‧箱體
565‧‧‧推壓構件
567‧‧‧輸出軸
569‧‧‧軸
571‧‧‧軸承部
573‧‧‧基板保持部
575‧‧‧密封構件
577‧‧‧汽缸機構
578‧‧‧桿部
579‧‧‧安裝台
580‧‧‧壓頭旋轉用馬達
591‧‧‧支持器
593‧‧‧基板固定環
595‧‧‧收納部
597‧‧‧彈簧
599‧‧‧推壓件
599a‧‧‧推壓部
600‧‧‧壓頭升降機構(基板保持裝置升降機構)
650‧‧‧支柱
651‧‧‧安裝板
660‧‧‧升降機構
661‧‧‧壓頭升降用馬達
665‧‧‧壓頭升降用球形螺絲
665a‧‧‧球形螺絲螺帽
665b‧‧‧螺絲軸
667‧‧‧滑輪
670‧‧‧皮帶
710‧‧‧處理槽
711‧‧‧開口部
713‧‧‧處理槽本體
715‧‧‧外周部
717‧‧‧覆蓋部
719‧‧‧氣體注入部
719a‧‧‧通路
719b‧‧‧接合部
721‧‧‧鍍覆液供給口
740‧‧‧蓋構件
745‧‧‧懸臂部
747‧‧‧軸承部
763‧‧‧噴嘴
770‧‧‧驅動機構
771‧‧‧蓋構件旋轉用汽缸
773‧‧‧桿
775‧‧‧懸臂
780、2080‧‧‧基板保持裝置
781、2081‧‧‧基板保持部
783、2083‧‧‧基板座
785、2085‧‧‧暫放部
787、2087‧‧‧基板***口
789、2089‧‧‧吸附頭
791、2091‧‧‧基部
793、2093‧‧‧真空供給線
795、2095‧‧‧基板吸附部
797、2097‧‧‧基板吸附溝
800、1000、2120‧‧‧基板保持驅動部
801、2121‧‧‧基板旋轉用馬達
803、2123‧‧‧基板座驅動用汽缸
805‧‧‧清洗用噴霧噴嘴
810‧‧‧基板保持裝置驅動機構
811‧‧‧傾斜機構
813‧‧‧拖架
814‧‧‧傾斜用軸承
815‧‧‧傾斜軸
817‧‧‧壓頭傾斜用汽缸
818‧‧‧驅動軸
819‧‧‧連結板
821‧‧‧旋轉機構
823‧‧‧壓頭旋轉用伺服馬達
825‧‧‧旋轉軸
831、1831‧‧‧升降機構
833‧‧‧壓頭升降用汽缸
835‧‧‧桿
837‧‧‧支柱
900、902‧‧‧藥液供給單元
910、1010‧‧‧處理槽
911、1101‧‧‧開口部
913、1013‧‧‧處理槽本體
915、1015‧‧‧回收溝
917、1017‧‧‧覆蓋部
921‧‧‧鍍覆液供給口
930‧‧‧第1槽
931、943‧‧‧緣部
937、939、1037‧‧‧整流板
937a、939a、1037a‧‧‧貫穿孔
940、1040‧‧‧蓋構件
941‧‧‧第2槽
945、1045‧‧‧懸臂部
947、991、1047、1911‧‧‧軸承部
960、1060‧‧‧噴霧噴嘴
963、1063‧‧‧噴嘴
970、1070‧‧‧驅動機構
971、1071‧‧‧蓋構件旋轉用汽缸
973、1073‧‧‧桿
975、1075‧‧‧連結懸臂
980、1080‧‧‧基板保持裝置
981、1081‧‧‧開口
983、1083‧‧‧箱體
985、1085‧‧‧推壓構件
987、1087‧‧‧輸出軸
989、1089‧‧‧軸
993、1093‧‧‧基板保持部
994、1094‧‧‧逸退溝
995、1095‧‧‧密封構件
997、1097‧‧‧支持器
999、1099‧‧‧基板固定環
999a、1985、2113‧‧‧推壓部
1021‧‧‧處理液供給口
1031‧‧‧外周緣上端邊
1039‧‧‧處理液供給噴嘴
1400‧‧‧旋轉用馬達
1450‧‧‧處理液循環部
1451‧‧‧供給槽
1570‧‧‧抽氣機
1911‧‧‧上下驅動機構(汽缸機構)
1915‧‧‧安裝台
1981‧‧‧彈簧
1983‧‧‧推壓件
2099‧‧‧通氣孔
2100‧‧‧推壓件
2101‧‧‧盒體
2107‧‧‧固定具
2110‧‧‧推壓件本體
2111‧‧‧外周壁
2127‧‧‧基板搬送臂
IN‧‧‧反向器
L‧‧‧鍍覆液之流動
P‧‧‧鍍覆液供給用泵
Q‧‧‧鍍覆液
W‧‧‧基板
第1圖為半導體基板的要部放大剖視圖。
第2圖為顯示本發明之實施形態之基板處理裝置的整之俯視圖。
第3圖A係在載置保持基板的狀態下顯示第1載運基機器人之要部之俯視圖。
第3圖B係在未載置保持基板的狀態下顯示第1載運基板機器人之要部之側視圖。
第3圖C為由第3圖A的箭頭A方向所見之第1載運基板機器人之概略側視圖。
第4圖A係省略上段上機械手的記載，在上段下機械手保持基板的狀態下顯示第2載運基板機器人之俯視圖。
第4圖B係在未保持基板的狀態下顯示第2載運基板機器人的側視圖。
第4圖C係在保持基板的狀態下顯示第2載運基板機器人的上段上機械手的要部俯視圖。
第4圖D係在保持基板的狀態下顯示第2載運基板機器人的下段機械手的要部俯視圖。
第5圖A係在保持基板的狀態下顯示第3載運基板機器人的要部側視圖。
第5圖B係在保持基板的狀態下顯示第3載運基板機器人的真空臂之要部俯視圖。
第5圖C為第3基板搬送機器的真空臂的前端部分的放大剖視圖。
第6圖A為顯示第1反轉機之概略平面剖視圖。
第6圖B為顯示第1反轉機之剖視圖。
第7圖A為顯示第2反轉機之側剖視圖。
第7圖B為第2反轉機之基板裝卸臂部分之概略俯視圖。
第8圖A為基板暫置台之概略正視圖。
第8圖B為基板暫置台之概略側視圖。
第8圖C為基板暫置台之概略俯視圖。
第9圖為顯示前處理單元之斜視圖。
第10圖A係顯示利用蓋構件使容器處於封閉狀態之容器與蓋構件之概略側剖視圖。
第10圖B為第10圖A之概略俯視圖。
第10圖C為以蓋構件開啟容器時之概略側剖視圖。
第10圖D為顯示省略第10圖C之蓋構件之概略俯視圖。
第11圖A為顯示基板固定壓頭以及壓頭旋轉用馬達之概略側剖視圖。
第11圖B為第11圖A的D部分的放大圖。
第12圖A為顯示壓頭(安裝台)升降機構之側視圖。
第12圖B為由後側所見之壓頭(安裝台)升降機構之斜視圖。
第13圖為基板固定壓頭之動作說明圖。
第14圖A為顯示在前處理步驟中密封構件之密封位置之圖。
第14圖B為顯示在前處理步驟中其他之密封構件之密封位置之圖。
第15圖A為顯示鍍覆處理單元之側視圖。
第15圖B為第15圖A之剖視圖。
第16圖A為處理槽的俯視圖。
第16圖B為處理槽的上部剖視圖(第15圖A的E-E 線剖視圖)。
第17圖為在以蓋構件密封處理槽的開口部之狀態下之剖視圖(第16圖A的F-F線剖視圖)。
第18圖A為基板保持裝置之概略側剖視圖。
第18圖B為第18圖A的G部分的放大圖。
第19圖A為基板保持裝置的動作說明圖。
第19圖B為第19圖A的G部分的放大圖。
第20圖A為基板保持裝置的動作說明圖。
第20圖B為第20圖A的G部分的放大圖。
第21圖為基板保持裝置驅動機構的內部構造之概略側視圖。
第22圖A為將傾斜機構與基板保持裝置共同顯示之概略側視圖。
第22圖B為省略第22圖A之基板保持裝置之右側視圖。
第23圖A為鍍覆處理單元的動作說明圖。
第23圖B為第23圖A的剖視圖。
第24圖A為鍍覆處理單元的動作說明圖。
第24圖B為第24圖A的剖視圖。
第25圖為後清洗單元的外觀圖。
第26圖為第1清洗部之清洗單元之概略圖。
第27圖為第2清洗乾燥部的側剖視圖。
第28圖為鍍覆液供給單元的系統構成圖。
第29圖A至C為顯示連接在不同之鍍覆液供給用槽 之配管的連接構造之圖。
第30圖A為顯示取樣口之正視圖。
第30圖B為顯示取樣口之斜視圖。
第31圖A為顯示過濾器之斜視圖。
第31圖B為顯示過濾器之配管圖。
第32圖為顯示第1前處理單元之其他前處理方法之圖。
第33圖為顯示本發明之其他實施形態之基板處理裝置的整體之俯視圖。
第34圖A為適用於本發明之其他實施形態之無電解鍍覆裝置之基板處理裝置之側視圖。
第34圖B為第34圖A之側剖視圖。
第35圖為處理槽之放大剖視圖。
第36圖A為顯示基板保持裝置以及其旋轉用馬達的部分之概略側剖視圖。
第36圖B為第36圖A的A部分的放大圖。
第37圖為顯示基板保持部的下面之圖。
第38圖A為顯示基板浸漬於鍍覆液前之處理槽內的鍍覆液的流通狀態之概略剖視圖。
第38圖B為放大顯示第38圖A的邊緣部附近部分之要部放大概略剖視圖。
第39圖A係在基板浸漬於鍍覆液中且接近邊緣部的狀態下，顯示處理槽內之鍍覆液的流通狀態之概略剖視圖。
第39圖B為放大顯示第39圖A的邊緣部附近部分之 要部放大概略剖視圖。
第40圖A係浸漬於鍍覆液之基板在位於基板處理位置時，顯示處理槽內的鍍覆液的流通狀態之概略剖視圖。
第40圖B為放大顯示第40圖A的邊緣部附近部分之要部放大概略剖視圖。
第41圖A為用以說明基板處理裝置的動作之側視圖。
第41圖B為第41圖A的概略側剖視圖。
第42圖A係在基板浸漬於鍍覆液前之狀態下，顯示其他形態之處理槽內的鍍覆液的流通狀態之概略剖視圖。
第42圖B為放大顯示第42圖A的邊緣部附近部分之要部放大概略剖視圖。
第43圖A係在基板浸漬於鍍覆液中且接近邊緣部的狀態下，顯示處理槽內之鍍覆液的流通狀態之概略剖視圖。
第43圖B為放大顯示第43圖A的邊緣部附近部分之要部放大概略剖視圖。
第44圖A為顯示適用於本發明之其他實施形態之前處理單元之基板處理裝置的側視圖。
第44圖B為第44圖A的概略側剖視圖。
第45圖為處理槽的放大剖視圖。
第46圖A為顯示基板保持裝置以及旋轉用馬達的部分之概略側剖視圖。
第46圖B為第46圖A的A部分的放大圖。
第47圖為顯示基板保持部的下面之圖。
第48圖為用以說明基板處理裝置的動作之圖。
第49圖為顯示基板的接液處理方法之圖。
第50圖為顯示基板的其他接液處理方法之圖。
第51圖為顯示基板的其他接液處理方法之圖。
第52圖A為用以說明基板處理裝置的動作之側視圖。
第52圖B為第52圖A的概略側剖視圖。
第53圖A為顯示本發明之實施形態之基板保持裝置之剖視圖。
第53圖B為第53圖A的A部分的放大圖。
第54圖為由下面側所見之吸附頭的斜視圖。
第55圖A為說明基板保持裝置之動作的圖。
第55圖B為放大第55圖A之要部的要部放大圖。
第56圖A為說明基板保持裝置之動作的圖。
第56圖B為放大第56圖A之要部的要部放大圖。
第57圖為說明基板保持裝置之動作的圖。
以下，參照附圖詳細說明本發明之理想實施形態。
第2圖為本發明之實施形態之基板處理裝置1的整體概略俯視圖。如第2圖所示該基板處理裝置1係具備：裝載、卸載區100、清洗區200與鍍覆處理區300三個處理區。而裝載、卸載區100係設置有：兩個裝載口110、第1載運基板機器人130以及第1反轉機150。在清洗區200設置有基板暫置台210、第2載運基板機器人230、前清洗單元240、第2反轉機250以及兩組後清洗單 元260、260。在鍍覆處理區300設置有第3載運基板機器人310、3組第1前處理單元320、2組第2前處理單元340、3組鍍覆處理單元360以及鍍覆液供給單元390。以下針對各構造部分進行說明。
(載運基板機器人)
在該基板處理裝置1上之各個區域100、200、300，搭載有可保持基板W並使其表面(被處理面)朝上，也就是所謂的面朝上；或是保持基板W並使其表面(被處理面)朝下，也就是所謂的面朝下方式來進行載運之載運基板機器人130、230、310。採取面朝上或是面朝下，採取乾步驟或是濕步驟，必須視各步驟來進行選擇。因此，各載運基板機器人130、230、310之機械手，搭載有對應步驟形態的機械手。因為在本基板處理裝置1中載運基板機器人130、230、310不會藉由旋轉機械臂來反轉基板W，故可避免在藉由各載運基板機器人130、230、310之機械手進行基板W載運時發生基板W脫落等的情況。以下，針對各載運基板機器人130、230、310進行說明。
(1)關於第1載運基板機器人130
第3圖A為顯示設置於裝載、卸載區100之第1載運基板機器人130的要部俯視圖(載運有基板W的狀態)，第3圖B為第1載運基板機器人130之要部側視圖(無載運基板W的狀態)，第3圖C為自第3圖A的箭頭A方向所見之概略側視圖。第1載運基板機器人130係載運完全乾燥狀態之基板W之機器人，如第3圖A以及第3 圖B所示，設置於機器人主體131上之具有複數個關節的複數組(2組)懸臂133、135前端，分別以上下重疊之方式安裝有乾式的機械手137、139。兩機械手均為薄型落入式。機器人本體131係如第3圖C所示，安裝在裝設於基台132之兩支懸臂132a、132b前端，使其可在懸臂132b前端轉動，藉此如第3圖C中實線以及虛線所示，機器人本體131可移動至各場所。藉此即可在不移動整個第1載運基板機器人130的狀態下，在組裝於裝載口110、110之基板收納匣、第1反轉機150與基板暫置台210之間進行乾燥狀態基板W的收付。
此外，該第1載運基板機器人130並無行走軸，此係基於以下的理由。亦即，以往係藉由行走軸使第1載運基板機器人130動作，以進行基板W的收付。行走軸採用球形螺絲、線性馬達等的驅動方式，但不論哪種情況均須具有滑動部(例如LM引導件)，然而該滑動部卻成為微粒子的發生原因。因此在本發明中，藉由設置不需具有行走軸的固定式機器人作為第1載運基板機器人130，即可防止微粒子的發生，裝載、卸載區100中，可經常保持進行處理的基板W所需要之清潔環境。
(2)關於第2載運基板機器人230
清洗區200之基板W的載運，因混合存在有基板W為乾或濕的狀態，以及面朝上或是面朝下的不同狀態，因此清洗區200所使用之第2載運基板機器人230，係搭載有2組懸臂且為3個機械手方式之裝置。第4圖A 為顯示第2載運基板機器人230之俯視圖(其中省略上段上臂237的記載，而顯示上段下臂239保持基板W的狀態)，第4圖B為第2載運基板機器人230之側視圖(無保持基板W狀態)，第4圖C為第2載運基板機器人230之上段上臂237之要部俯視圖(保持基板W之狀態)，第4圖D為第2載運基板機器人230之下段臂241之要部俯視圖(保持基板W之狀態)。如第4圖A至第4圖D所示，第2載運基板機器人230，在設置於機器人本體231上具有複數關節的複數組(2組)懸臂233、235其中之一的懸臂233前端，以上下重疊之方式安裝上段上臂237與上段下臂239，在另一懸臂235的前端則安裝有下段臂241。
上段上臂237係：將在後清洗單元260完成處理後的乾基板W載運至基板暫置台210之機械手，係面朝上的薄型落入式乾式機械手。而上段下臂239係：將由裝載、卸載區100載運至基板暫置台210的基板W載運至前清洗單元240的乾式機械手，在面朝下的薄型真空抽吸型式中係吸附基板W的背面以保持基板W之機械手(背面吸附型真空機械手)。下段臂241係：將自鍍覆處理區300載運至第2反轉機250之基板W分別載運至後清洗單元260的第1清洗部270與第2清洗部290之機械手，且為濕式面朝上厚型落入式機械手。
亦即，在清洗區200中，將基板W從基板暫置台210載運至前清洗單元240的過程，是在基板W為乾燥且面朝下的狀態下進行，在鍍覆處理後將基板W從第 2反轉機250載運至第1清洗部270的過程以及從第1清洗部270載運到第2清洗乾燥部290的過程，是在基板W為濕潤且面朝上的狀態下進行，將基板W從第2清洗乾燥部290載運至基板暫置台210的過程，是在乾燥且面朝上的狀態下進行。上述之載運狀態係各處理裝置之間為配合基板W之要求之最適當載運狀態，為了達到上述之基板W之最適當載運狀態，在2支懸臂233、235上具備有上述3種類之臂237、239、241。使1支懸臂233具備有乾式的2種類之臂237、239，藉此即可使1台第2載運基板機器人230具有可對應多種用途的多數臂。
(3)關於第3載運基板機器人
第5圖A為顯示設置於鍍覆處理區300之第3載運基板機器人310的要部側視圖(保持基板W之狀態)，第5圖B為第3載運基板機器人310之真空臂337、339的要部俯視圖(保持基板W之狀態)，第5圖C為第3載運基板機器人310的真空臂337(或339)前端部分的放大剖視圖。因在鍍覆處理區300的基板載運過程全部為面朝下，第3載運基板機器人310，在設置於機器人本體331上具有複數關節的複數(2組)懸臂333、335(懸臂335無圖示)前端，分別以上下重疊之方式安裝構成有背面吸附式真空臂337、339。兩真空臂337、339均為厚型真空臂且為真空吸附力強之高剛性型，以避免發生基板裝卸時發生問題。亦即，在下述前清洗單元240、第1處理裝置320以及第2前處理單元340，以面朝下狀態完成前清洗或前處 理，從上述裝置中將基板W取出時，基板W有時會附著於下述基板固定壓頭560之密封構件575(參照第11圖A以及第11圖B)。因此藉由使用真空吸附力強的高剛性機械手作為真空臂337、339，在基板W附著於密封構件575時也可自基板固定壓頭560將基板W取出，以確實進行載運。
真空臂337(或339)之前端部分係如第5圖C所示，藉由在基板吸附面337b周圍設置蛇腹部337c，而具備有：自基板吸附面337b朝向基板吸附方向構成伸縮自如的基板吸附墊337a；設置在基板吸附墊337a周圍與此基板吸附墊337a進行氣密式固定，並在其表面設置進行基板W上下方向之定位的平坦基準面337g所構成之固定構件337f。基板吸附墊337a係與延伸於真空臂337(或339)內部之真空線337h,337i連通，並在基板吸附面337b設置有凹狀吸附口337d。此外，在吸附保持基板W背面時，首先基板吸附面337b會吸附於基板W背面，此時即使基板W傾斜於真空臂337(或339)，藉由彎曲蛇腹部337c亦可使基板吸附面337b產生傾斜且輕易地吸附於基板W的背面，此外藉由基板吸附墊337a的收縮可使基板W背面與固定構件337f的基準面337g相抵接而呈水平狀態，以進行基板W上下方向的定位。
如前所述，在本實施形態中，係使用以面朝下的方式保持基板W之背面吸附型真空臂作為安裝於第3載運基板機器人310之真空臂337(或339)，該種真空 臂之使用係基於以下的理由。亦即，基板處理裝置1內為了避免微粒子對基板W造成不良之影響，經常有下流的空氣流動，當基板W以面朝上的方式進行載運時，處理裝置間在進行基板W載運途中被處理面會乾燥。為了防止此種情況，一般會將基板W保持在十分濕潤的狀態，但是如此一來會發生液體滴落在裝置內等問題，而對裝置造成不良之影響。因此藉由保持吸附基板W背面中央部在不接觸基板W的被處理面且以面朝下的方式進行載運，即可抑制空氣下流的流動影響，使基板W能在濕潤但極力進行乾燥後的狀態下進行載運，保持裝置內環境良好。此外清洗區200的第2載運基板機器人230之上段下臂239亦具有相同之效果。
(反轉機)
在該基板處理裝置1中，係將可使基板W進行180度反轉之反轉機150、250分別搭載於裝載、卸載區100與清洗區200，使基板W得以在面朝上或面朝下的狀態下進行載運。
(1)關於第1反轉機150
第6圖A係顯示設置於裝載、卸載區100之第1反轉機150之概略平剖視圖，第6圖B為第1反轉機150之概略側剖視圖。如第6圖A所示，第1反轉機150係藉由驅動基板裝卸用汽缸151使兩基板裝卸懸臂153、153朝箭頭A的方向進行開關，如第6圖B所示，藉由驅動反轉用馬達155使兩基板裝卸懸臂153、153向箭號B方 向迴轉180度使其反轉。反轉用馬達155舉例來說，可使用步進馬達。也就是首先將基板W設置於呈開啟狀態的兩基板裝卸用懸臂153、153之間，接著關閉兩基板裝卸懸臂153、153藉由配設於兩基板裝卸懸臂153、153的曲柄銷154把持基板W外圍，之後驅動反轉用馬達155進行180度的轉動使基板W反轉後，開啟兩基板裝卸懸臂153、153並放開基板W。
(2)關於針對第2反轉機250
第7圖A係顯示設置於清洗區200之第2反轉機250之概略側剖視圖，第7圖B為顯示第2反轉機250之基板裝卸懸臂253、253的概略俯視圖。第2反轉機250與第1反轉機150相同，係藉由未顯示於圖中之裝卸用汽缸與反轉用馬達，對兩基板裝卸懸臂253、253進行開閉、反轉驅動。而該第2反轉機250，由於係在步驟中進行基板W的處理而必須防止基板W產生乾燥的現象，因此在基板W上下位置安裝有朝基板兩面噴射純水等處理液之噴灑式噴嘴251、251。
(基板暫置台)
第8圖A係顯示基板暫置台210之概略正視圖，第8圖B為基板暫置台210的概略側視圖，第8圖C為基板暫置台210之概略俯視圖。如第8圖A至第8圖C所示，基板暫置台210係藉由線性引導件213、213以可上下自由移動之方式設置升降板211，且藉由升降用馬達214與球形螺絲215所構成之升降機構216使該升降板211 得以進行上下移動，此外，在升降板211上部以上下兩段之方式設置上段暫置台217與下段暫置台219。下段暫置台219放置處理前之基板W，上段暫置台放置處理後之清潔基板W。在兩暫置台217、219的上面突設置有用以支撐基板W外圍之4支的支撐棒221，基板W係支撐於其上。暫時放置基板W時，如第8圖C所示，將搭載有基板W的機械手移動至任一暫置台217或219上，藉由驅動升降機構216使暫置台217、219稍微上升，藉此將基板W放置於支撐棒221上，之後再拉出機械手。反之，欲將基板W從暫置台217或219移至機械手上時，則以相反之方式執行上述動作。
(各種前處理單元)
各種前處理單元係意指前清洗單元240、第1前處理單元(施加催化劑裝置)320以及第2前處理單元(藥液清洗(中和)裝置)340。上述之前處理單元的構造基本上是相同的。第9圖為顯示進行各種前處理所使用之前處理單元500的斜視圖。如第9圖所示，前處理單元500係具備有：上面開放且內部設置有噴霧噴嘴(處理液噴射部)520之圓筒狀的容器510；密封容器510上部開口之蓋構件530；安裝於蓋構件上面之噴霧噴嘴(處理液噴射部)540(參照第10圖A與第10圖B)；旋轉蓋構件530之蓋構件驅動機構550；在容器510上部保持基板W之基板固定壓頭560；旋轉基板固定壓頭560之壓頭旋轉用馬達580；安裝壓頭旋轉用馬達等進行升降之壓頭升降機構600。此外， 基板保持裝置係由：基板固定壓頭560；以及安裝於驅動基板固定壓頭560之壓頭旋轉用馬達580等的安裝台579之構件所構成。
第10圖A為顯示利用蓋構件530使容器510呈關閉狀態時之容器510與蓋構件530之概略側剖視圖，第10圖B為第10圖A之概略俯視圖，第10圖C為開啟容器510時之概略側剖視圖，第10圖D為第10圖C之概略平面圖(不過省略蓋構件530之記載)。
蓋構件530係藉由連結第9圖所示之具備汽缸之蓋構件驅動機構550以及該蓋構件驅動機構550與蓋構件530之間的連結機構555，而如第10圖A所示，驅動至封住容器510開口的位置，或是如第10圖C所示，驅動至自容器510分離打開其開口的位置。
設置於容器510內的噴霧噴嘴520係如第10圖C以及第10圖D所示，在以板狀形成之噴嘴固定構件521上，以面朝上設置複數個(19個)之噴嘴523。上述之複數個(19個)噴嘴523係在保持於基板固定壓頭560之基板W下降至容器510內之例如第10圖C所示之位置的狀態下，利用上述之複數(19個)噴嘴523同時進行處理液(第1處理液)的噴霧，藉此使基板W的被處理面(下面)全域可受到均勻地噴霧，且基板W被處理面所受到的噴霧壓也接近均等的位置。如此一來即可獲得無參差、均等之基板W的處理。此外，噴嘴523因存在有處理液的噴霧角度，因此為了使基板W被處理面全域可受到均等的處理液噴 霧，必須正確地規定噴嘴523至基板W的距離，故基板保持壓頭560必須為可在上下方向正確定位之構造。此外，因噴嘴523的噴霧角度會因噴霧壓力而產生變化，因此在決定上下位置時可採用電性回授(伺服控制)，利用適當處理壓力時之噴霧角度，使基板W的被處理面全域得以接觸液體。
此外在容器510內部的上部，設置面向圓周方向進行清洗液噴霧之複數(4個)容器內清洗用噴霧噴嘴515，藉由上述之噴霧噴嘴515噴射之清洗液即可進行容器510內周面整體之清洗。亦即，各噴霧噴嘴515為可調整噴霧方向角度之構造，由噴霧噴嘴515噴出的純水或其他清洗液，沿容器510內壁的接線方向由上部向下部流動，可進行內壁整體之清洗。藉由該清洗動作即可防止容器510內壁乾燥進而防止微粒子發生。此外，亦可防止因為浸泡處理液而造成的各構件惡化。藉由噴霧噴嘴515之容器內壁清洗，舉例來說可在各基板W處理後(一片或固定片數後)進行，此外在維修處理時也要進行清洗處理。
另一方面，安裝於蓋體材530上面之噴霧噴嘴540的各噴嘴543，也以面朝上之方式設置有複數個(19個)噴嘴543。上述之複數(19個)噴嘴543係在保持於基板固定壓頭560之基板W位於封住容器510上之蓋體材530的上部的狀態下，由上述之複數(19個)的噴嘴543同時噴霧第2處理液，藉此使處理液得以均勻地噴霧於基板W被處理面(下面)全域，且施加於基板W之被處理面的噴霧壓 也會位在均等的位置。藉此，即可實現沒有參差且均等的基板W處理。此外複數個噴嘴543如第10圖B虛線所示，係沿著螺旋線設置，藉此使各噴嘴543至蓋構件530中心的距離有所差距，如此一來在基板W的被處理面全域即可進行均勻的處理液噴霧。此外噴嘴543亦存在有處理液的噴霧角度，因此為了使基板W被處理面全域可受到均勻的處理液噴霧，必須正確地規定噴嘴543至基板W的距離，故基板保持壓頭560必須為可在上下方向正確定位之構造，而定位上下位置時則可採用電性回授(伺服控制)。
第11圖A為顯示基板固定壓頭560以及壓頭旋轉用馬達580的部分之概略側剖視圖，第11圖B為第11圖A中D部分的放大圖。如第11圖A所示，基板固定壓頭560係以在下方開口且側壁具有開口561之箱體563內部設置推壓構件565所構成。箱體563係連結於壓頭旋轉用馬達580之中空輸出軸567。推壓構件565係在其中央部與軸569連結，該軸569係通過輸出軸567內部的中空部分而突出於上方，此突出端係藉由軸承部571以可自由旋轉之方式支撐。輸出軸567的中空部分與軸569之間，係藉由花鍵嵌合同時進行旋轉，但軸569係獨立於輸出軸567軸而以可上下移動之方式構成。此外在箱體563下端，設有突出於內側之環狀的基板保持部573，在基板保持部573的內周側上部，安裝有放置基板W並加以密封之環狀的密封構件575。箱體563的外徑比前述容器510內徑稍小，為幾乎可封住容器510開口之尺寸形狀。另一方面在 第11圖B中，推壓構件565係在圓板狀之支持器591的外周下面安裝有內部具有收納部595之基板固定環593，在收納部595內藉由彈簧597在其下收納環狀的推壓件599，推壓件599之推壓部599a會從設於基板固定環593下面之孔突出。
軸承部571係固定於使該軸承部571上下移動之汽缸機構577(參照第9圖、第12圖A)的桿部578，此外汽缸機構577本身係固定於放置前述壓頭旋轉用馬達580等之安裝台579。第12圖A為顯示壓頭(安裝台)升降機構600之側視圖，第12圖B為由後側所見之壓頭升降機構600的斜視圖。如第12圖A、第12圖B以及第9圖所示，壓頭升降機構600係藉由壓頭升降用滑動部601以上下移動自如之方式將安裝台579安裝在支柱(固定側構件)650、650，且該安裝台579可利用升降機構660自由升降。亦即，升降機構660係具備：固定於傳送至兩支柱650、650間的安裝板651之壓頭升降用馬達661；與由球形螺絲螺帽665a以及螺絲軸665b所構成之壓頭升降用球形螺絲665，其係由在安裝在壓頭升降用馬達661驅動軸之滑輪667與安裝於螺絲軸665b端部之滑輪667間捲掛皮帶670所構成。此外，安裝於基板固定壓頭560或壓頭旋轉用馬達580等之安裝台579整體(也就是基板保持裝置)，亦可藉由驅動壓頭升降機構660之壓頭升降用馬達661上下移動。朝上下方向移動之移動量，係由壓頭升降用馬達661所控制，藉此，可任意設定基板W的被處理面與噴霧噴嘴 520、540的位置關係(間隔距離)。另一方面推壓構件565可藉由驅動汽缸機構577使箱體563單獨進行上下移動，此外箱體563可利用壓頭旋轉用馬達580進行旋轉驅動。
接著，說明該前處理單元500的動作。首先如第9圖所示，基板固定壓頭560上升至容器510上方，且在基板固定壓頭560內部，如第11圖A以及第11圖B所示，係設定為推壓部材565上升的狀態。接著，利用第4圖所示之上段下臂239，或第5圖A乃至第5圖C所示之真空臂337或339，將以面朝下之方式保持之基板W，如第11圖A以及第11圖B所示，自箱體563的側壁開口561***並解除其真空吸附，藉此，即可將基板W放置於其直徑比基板W之外徑小數mm之環狀的密封構件575上。接著，利用驅動汽缸機構577使推壓構件565下降，如第13圖所示，利用推壓部材565之基板固定環593下面與推壓件599的推壓部599a推壓基板W的上面外周，將基板W下面(被處理面)外周推在至密封構件575，以固定基板W。密封構件575同時亦具有防止處理液回流至基板W背面之密封功能。
接著，利用驅動壓頭升降用馬達661使固定有基板W的基板固定壓頭560下降***容器510之開口內，在此狀態下，設置於容器510內的噴霧噴嘴520會噴射第1處理液以接觸基板W之被處理面(下面)進行基板W的處理。接著，利用驅動壓頭升降用馬達661，使基板固定壓頭560上升移動至比容器更上方處後，驅動第9圖所 示之蓋構件驅動機構560，藉此旋轉蓋構件530並封住容器510的開口(參照第10圖A)。之後，從設置於蓋構件530上面之噴霧噴嘴540會噴射第2處理液，使其接觸基板W之被處理面以進行基板W之處理，完成基板W的處理。
此外，在利用噴霧噴嘴520進行基板W處理時，由於容器開口510幾乎被基板固定壓頭560所封住，因此與基板W接觸之第1處理液沉積於容器510內，而由第10圖A、第10圖B、第10圖C以及第10圖D所示之排水口511排放。此外，利用噴霧噴嘴540進行基板處理時，由於容器510被蓋體材530所封住，因此與基板W接觸之第2處理液，因無法進入容器510內而流入其外部，並由未顯示於圖中之其他排水口排放至外部。藉此，即可避免第1處理液以及第2處理液的混合。
之後，利用驅動汽缸機構577使推壓構件565上升，以解除基板W的固定，從箱體563側壁開口561***第4圖B所示之上段下臂239、或第5圖A至第5圖C所示之真空臂337或339，並真空吸附基板W之上面並將其取出至外部後，移行到下一個步驟。
此外，在該例中，藉由使用任意大小的密封構件575，使基板W的被處理面(下面)之處理範圍得以視各種處理內容而有所不同。亦即，在前清洗單元240以及第2前處理單元(藥液清洗(中和)裝置)340中，如第14圖A所示，在密封構件575a係使用具有開口面積者，俾可進行比藉由第1前處理單元(施加催化劑裝置)施加催化 劑之施加催化劑之範圍S1更廣的清洗範圍S2之清洗處理。亦即，由該密封構件575a所包圍的領域係清洗範圍S2係如下所述，由第2前處理單元320所使用之密封構件575b(參照第14圖B)所包圍之領域為施加催化劑範圍S1，該清洗範圍S2係比施加催化劑範圍S1更廣。
藉此，前清洗單元240可在第1前處理單元320所進行之施加催化劑的範圍進行前清洗(藥液清洗)，而第2前處理單元亦可在第1前處理單元320所進行之施加催化劑的範圍進行清洗(中和處理)。
另一方面，在第1前處理單元中，密封構件575b係使用具有比前清洗單元242以及第2前處理單元340所清洗之清洗範圍S2小，且與在基板表面進行之均勻鍍覆處理範圍相同的範圍係施加催化劑範圍S1之開口面積的密封構件。
亦即，該密封構件575b所包圍的領域為施加催化劑範圍S1，如前所述，以前洗淨裝置242以及第2前處理單元340所使用之密封構件575a所包圍的領域為清洗範圍S2，但該施加催化劑範圍S1係比清洗範圍S2狹小，且與在基板表面進行均勻鍍覆處理的範圍一致。
藉此，即可避免在基板表面不需要鍍覆的場所被施加催化劑，並進行鍍覆處理，且如前所述，前清洗單元240可在第1前處理單元320所進行之施加催化劑的範圍進行前清洗(藥液清洗)，而第2前處理單元340亦可在第1前處理單元320所進行之施加催化劑的範圍進行 清洗(中和處理)，藉此即可在基板表面的必要範圍確實地進行鍍覆處理。
(鍍覆處理單元)
第15圖A為顯示鍍覆處理單元360之側視圖，第15圖B為第15圖A之概略側剖視圖。如第15圖A以及第15圖B所示，鍍覆處理單元360係具備：在內部儲存鍍覆液(處理液)Q進行基板W浸漬處理之處理槽(鍍覆處理槽)710；封住處理槽710之開口部711之蓋構件740；安裝於蓋構件740上面之噴霧噴嘴(處理液噴射部)760；驅動(旋轉)蓋構件740之驅動機構770；保持基板W的基板保持裝置780；以及驅動基板保持裝置780整體之基板保持裝置驅動機構810。
處理槽710係具備：用以儲存鍍覆液(處理液)Q之容器形狀的處理槽本體713：設置於處理槽本體713上端外周部分，且用以回收自處理槽本體713溢流之鍍覆液Q的外周溝715；圍繞外周溝715之外周側且以筒狀向上突出之覆蓋部717。在處理槽本體713之底面中央設有鍍覆液供給口721。
第16圖A為處理槽710之俯視圖，第16圖B為處理槽710之上部剖視圖(第16圖A之E-E線剖視圖)。如第16圖A以及第16圖B所示，在處理槽710之覆蓋部717，安裝有自覆蓋部717內側壁向開口部711集中噴射清洗液(純水)之複數個(一雙)沖洗用噴霧噴嘴723。鍍覆處理後，即使基板保持裝置780上升且基板W自鍍覆液 Q分離，在基板被處理面仍會殘留有少量鍍覆液。在殘留有鍍覆液的狀態下，進行基板W表面的鍍覆時，即無法獲得均勻的鍍覆膜。在本發明中，係在處理槽710設置複數個噴霧噴嘴723，鍍覆處理後立刻對基板W表面進行清洗液的噴霧步驟，藉此即可排除殘留於基板表面的鍍覆液。此外，藉由清洗液的噴霧，可急速冷卻基板W使鍍覆停止進行。此外，由於鍍覆液的使用溫度一般都在70度至80度左右，因此鍍覆液中的水分會蒸發，而無法保持正確的鍍覆液濃度，但在鍍覆處理後馬上進行清洗液(純水)噴霧即可補充蒸發的水分。清洗液的噴霧量，應先計算需要補充的量再設定適當之噴霧量。
第17圖為以蓋體材740封住處理槽710之開口部711狀態下之剖視圖(第16圖F-F線部分之剖視圖)。空轉時，在未進行處理時，可藉由蓋體材740封住處理槽710之開口部711以防止鍍覆液Q無謂的蒸發。在本實施形態中，在處理槽710的覆蓋部717上，安裝有由通路719a以及接合部719b所構成，且將氣體(惰性氣體，例如氮)噴出供給至處理槽710內部之氣體注入部719。此外，在利用蓋構件740封住之處理槽710的內部，利用氣體注入部719噴出供給氣體(惰性氣體，例如氮)，並藉由將此氣體封入處理槽710內，即可將內部的空氣環境由空氣轉換成此氣體。藉此鍍覆液Q與氧氣將不會接觸，可防止鍍覆液Q的作用降低，使基板W得以隨時接觸到正常的鍍覆液Q。
回到第15圖A以及第15圖B，鍍覆液供給單元390係將溢流至前述處理槽710之外周溝715的鍍覆液，利用配管回收至鍍覆液供給用槽(鍍覆液循環槽)391，將鍍覆液供給用槽391內儲存的鍍覆液，藉由鍍覆液供給用泵P供給至處理槽本體713之鍍覆液供給口721，並使鍍覆液能經常循環。因此，在處理槽本體713內鍍覆液Q經常保持循環，與單純地儲存鍍覆液Q的情況相較可減少鍍覆液成分濃度降低的機率，並增加可處理基板的數量。再者，為使鍍覆液Q之流動穩定，在處理槽本體713內部設置整流板714。整流板714之構造係在圓形平板中設有多數貫穿的小孔，俾使鍍覆液得以流通。
蓋構件740係由可密封處理槽710開口部711之大小的板材所構成，在蓋構件740的兩側面，安裝有板狀的懸臂部745，其前端附近部分係以可自由轉動之方式軸承在設置於處理槽710之大略中央兩側部分之軸承部747。而懸臂部745的前端係固定於驅動機構770的連結懸臂775的前端。
噴霧噴嘴(處理液噴射部)760，其個數與設置位置係與第10圖B所示之噴霧噴嘴540相同。複數個噴嘴763係在使基板保持裝置780所保持之基板W位於封住處理槽710之蓋構件740上部的狀態下，由上述之複數個噴嘴763同時進行清洗液(處理液)之噴霧，使基板W的被處理面(下面)全域得以受到均勻噴霧，且施加於基板W被處理面的噴霧壓也位於均等的位置。藉此可獲得無參差異 且均等的基板W之清洗處理。
驅動機構770係由：蓋構件旋轉用汽缸771；與蓋構件旋轉用汽缸771活塞連結之桿773；與桿773的前端連結成可自由旋轉的連結懸臂775所構成。蓋構件旋轉用汽缸771的下端部，係以自由轉動之方式支撐於固定側構件。
第18圖A為基板保持裝置780之概略側剖視圖，第18圖B為第18圖A之G部分放大圖。如第18圖A所示，基板保持裝置780係具備：基板保持部781與基板保持部驅動部800。基板保持部781係以將大略圓形的吸附頭789收納於下面開放之大略圓筒狀之基板座783內部的方式構成。基板座783由下端面朝內側突設有可暫放基板W之暫放部785，此外，在其外周側面設置有基板***口787。吸附頭789具備有在內部設有真空供給線793之大略圓板狀基部791、以及在基部791下面外周以環狀之方式安裝之基板吸附部795。
在基部791設有可打開吸附於基板吸附部795之基板W與前述基部791之間空間的複數個(圖中僅示一個)抽出空氣用之開口部790。基板吸附部795係由密封材(例如橡膠材料等)所構成，將其前端自基部791的下面突出，藉此以吸附與該基部791下面抵接之基板W背面，並達到防止鍍覆液滲入到基板W背面之真空吸附部分內側之密封效果。
關於基板吸附部795的形狀，並未侷限為 第18圖B所示之形狀，只要是可在圓周寬度進行吸附的形狀即可。此外在與基板吸附部795之基板W接觸的部分，設置有基板吸附溝(吸附及拉開用孔)797，並使其與前述真空供給線793相連接，藉此以進行基板吸附溝797對基板W之吸附與分離。此外，除了真空之外也可對真空供給線793供給惰性氣體或是清洗液。
另一方面，基板保持驅動部800係具備：旋轉驅動前述吸附頭789之基板旋轉馬達(驅動部)801；以及驅動前述基板座783使其位於上下指定位置(至少3處)之基板座驅動用汽缸803。此外，吸附頭789係藉由基板旋轉馬達801旋轉驅動，而基板座783則藉由基板座驅動用汽缸803上下移動。亦即，吸附頭789僅進行旋轉而無法上下移動，而基板座783僅能上下移動而無法旋轉。
說明基板保持裝置780的動作。首先，如第18圖A所示，在不旋轉吸附頭789的狀態下，將基板座783移動到最下方的位置(基板收付位置)，並透過基板***口787，將第5圖A至第5圖C所示之第3載運基板機器人310之真空臂337或339所吸附保持的基板W***基板座783內部，藉由解除真空臂337或339的吸附，將基板W放置於暫放部785上。此時基板W係保持於面朝下的狀態，其被處理為面朝下的狀態。之後再將真空臂337或339自基板***口787拔出。
接著，如第19圖A與第19圖B所示，使基板座783上升並將基板吸附部795之前端抵接推壓至基 板W外周背面(上面)，並藉由從基板吸附溝797進行真空抽吸，使基板W能吸附保持於基板吸附部795。此時，真空力發生於與基板吸附部795之基板W接觸部分之內部的基板吸附溝797內。將此時之基板座783的位置設定為基板固定位置。藉此，基板W的背側部分(與被處理面之相反側之面)，因基板吸附部795的密封而與被處理面側分隔。
一般來說，以真空吸附基板W時，以往係使用吸附頭。但是，為了能在極靠近基板W邊緣處吸附保持基板，並防止處理液的滲入，如吸附墊般，在墊片內側整體為真空狀態之吸附機構中，從中心部到外周部基板W會產生大幅彎曲，如此不但會導致無法進行均勻的鍍覆處理之不良影響，亦可能造成基板W的破損。
因此在本發明中，係藉由環狀寬度較小(直徑方向)之基板吸附部795的密封吸附基板W的外周，藉此將吸附寬度降到最低，以減少對於基板W的影響(彎曲等)。此外，只有基板W背面之外周部會與基板吸附部795接觸，故不會發生基板處理時藥液溫度傳導至與基板吸附部795之接觸面導致溫度下降的問題。
在本發明中，吸附頭789之基板吸附部795的基板W吸附位置，為基板W外周附近，且其表面(下面)未形成裝置之部分的背面。具體來說，為基板W背面(上面)外圍寬度5mm以內的領域。採用此種構造，與基板W接觸的部分將會是基板W裝置範圍外的背面，在加熱進行 基板W之鍍覆處理時能將吸附所造成的影響降到最小。
接著，如第20圖A以及第20圖B所示，將基板座783稍微(例如數mm)下降使基板W離開暫放部785。將此時之基板座783的位置設定為基板處理位置。在該狀態下將基板保持裝置780整體下降使其浸泡在如第15圖A以及第15圖B所示之處理槽710的鍍覆液Q中，如此一來，由於僅吸附保持基板W的背面，故基板W的被處理面全域以及邊緣部份，均可浸漬於鍍覆液中進行處理。
此外將基板座783降下使其離開基板W，由於僅吸附保持基板W的背面，故即使浸漬於鍍覆液Q，亦不會對基板W之鍍覆液Q的流動L(參照第20圖B)造成妨害，而得以在基板W被處理面全域形成均勻的鍍覆液Q之流動。此外在該鍍覆液Q流動的同時，可將被捲入基板W被處理面上之氣泡、或因鍍覆而產生之氣泡從基板W被處理面上排到處理槽710內的其他部分。
藉此，即可解決對鍍覆產生不良影響之流動不均以及氣泡的問題，且在包含有基板W邊緣的被處理面全域可進行均勻的鍍覆。此外，由於在基板W背面成環狀進行真空吸附部分的內側係藉由基板吸附部795的密封而與被處理面側隔開，故得以防止處理液流入基板W背面的基板吸附部795內側。
在本發明中，因在吸附頭789的基部791設置有開口部790，基部791、基板吸附部795與基板W所形成之空間不會是密閉狀態，在此空間內可防止因熱所 造成的空氣膨脹，如此即可避免對基板W造成不良之影響(彎曲等)，以實現均勻的鍍覆。再者，因具有開口部790，而得以達到吸附頭789的輕量化之目的，在僅以基板吸附部795進行吸附的狀態下，亦可利用基板旋轉馬達(驅動部)801進行基板W的高速旋轉(例如1000rpm)。藉由高速旋轉基板W，可將鍍覆處理後殘留於基板W表面的處理液以及清洗液濺散出。如此即可避免使用之處理液或清洗液無謂的排出。
接著，在完成基板W處理後，使基板座783上升至第19圖A以及第19圖B所示之基板固定位置，並將基板W放置於暫放部785上，從基板吸附溝797噴出氣體(惰性氣體，例如氮氣)，並使基板W由基板吸附部795分開。同時，如第18圖A以及第18圖B所示，使基板座783下降至基板收付位置，而第3載運基板機器人310則從基板***口787***真空臂337或339(參照第5圖A至第5圖C)，並將基板W拉出至外部。
在本發明中，如前所述，係構成除了對真空供給線793供給真空外還供給惰性氣體或清洗液之構造，此外，在基板吸附部795的外側附近(吸附頭789的外周附近)尚設置有清洗用噴霧噴嘴805。視不同之需求，在利用清洗用噴霧噴嘴805進行基板吸附部795前端之外側與吸附頭789之外周側面之清洗時，亦可自真空供給線793將惰性氣體或清洗液供給至基板吸附溝797，以清洗真空供給線793以及基板吸附溝797的內部。
此係基於以下的理由。亦即，通常與鍍覆液接觸的部分，在經過一段時間後均會析出並產生鍍覆液成分結晶化之現象。在基板吸附部795、特別是與基板W接觸的部分，析出鍍覆液成分時，不但無法達到良好的基板W吸附效果，也會因析出物附著於基板W上等，而對基板處理造成不良的影響。
因此在本發明中，藉由在封住處理槽710之開口部711的蓋構件740上部安裝之噴霧噴嘴760，不但可清洗基板吸附部795下面，也可藉由前述清洗用噴霧噴嘴805進行基板吸附部795之外周側面的清洗，此外吸附基板W的真空供給線793以及基板吸附溝797，除了注入吸附用的真空外，也可注入惰性氣體或清洗液(例如純水)等，在此構造下真空供給線793以及基板吸附溝797內部也得以進行清洗。
第21圖為基板保持裝置驅動機構810內部構造之概略側視圖。如第21圖所示，基板保持裝置驅動機構810係具備：搖動基板保持裝置780整體使其傾斜的傾斜機構811；旋轉基板保持裝置780以及傾斜機構811整體之旋轉機構821；以及使基板保持裝置780、傾斜機構811以及旋轉機構821整體升降之升降機構831。第22圖A為顯示傾斜機構811之概略側視圖(但是也有基板保持裝置780之記載)，第22圖B為第22圖A之右側視圖(省略基板保持裝置780)。
如第22圖A以及第22圖B所示，傾斜機 構811係具備：固定於基板保持裝置780之拖架813；固定於拖架813，且以可自由轉動之方式軸承於固定側之傾斜軸用軸承814之傾斜軸815；壓頭傾斜用汽缸817，一端以可自由旋轉的方式安裝於壓頭傾斜用汽缸817之驅動軸818側部，另一端固定於傾斜軸815之連結板819。驅動壓頭傾斜用汽缸817，將其驅動軸818朝第22圖B所示之箭號H方向移動，此時傾斜軸815利用連結板815旋轉預定的角度，藉此，搖動基板保持裝置780，將保持於基板保持裝置780之基板W從水平位置變更為自水平位置傾斜預定角度之傾斜位置。
基板保持裝置780的傾斜角度，可利用機械擋止器進行任意的角度調整。另一方面，旋轉機構821係如第21圖所示，具備有壓頭旋轉用伺服馬達823以及藉由該壓頭旋轉用伺服馬達823進行旋轉的旋轉軸825，前述傾斜機構811係固定於旋轉軸825之上端。升降機構831具備有壓頭升降用汽缸833以及藉由壓頭升降用汽缸833進行升降之桿835，前述旋轉機構821係固定在安裝於桿835前端的支柱837。
接著，說明此鍍覆處理單元360整體的動作。第15圖A以及第15圖B係顯示：旋轉蓋構件740開啟處理槽710之開口部711，且將基板保持裝置780上升之狀態。亦即，蓋構件740移動至位於處理槽710側部之待避位置。此時鍍覆供給裝置390受到驅動，鍍覆液Q維持在指定溫度並在處理槽710與鍍覆液供給用槽(鍍覆液 循環槽)391間進行循環。
在上述之狀態中，首先將未處理的基板W，以第18圖A至第20圖B所示之方法將基板W吸附保持於吸附頭789。接著，利用傾斜機構811，搖動基板保持裝置780整體使基板W自水平位置傾斜預定的角度，在該狀態下，驅動升降機構831(參照第21圖)將基板保持裝置780下降至第23圖A以及第23圖B所示之位置並浸漬於鍍覆液Q。浸漬基板W後，利用傾斜裝置811搖動基板保持裝置780整體使其回到原來的位置，並將基板W回復至水平位置，並在此狀態下進行無電解鍍覆處理。此時藉由驅動第20圖所示之基板旋轉馬達801，預先使基板W轉動。
在上述之鍍覆處理單元360中，由於係在基板W由水平的位置傾斜預定角度的狀態下將基板浸漬於鍍覆液Q中，故可防止在基板W的被處理面上混入空氣等的氣體。亦即，基板W如以水平狀態浸漬於鍍覆液Q中時，因空氣等的氣體會滯留於基板W與鍍覆液Q之間，而無法獲得均勻的鍍覆。因此在上述之鍍覆處理單元360中，在將基板W浸漬於鍍覆液Q時，係藉由使基板W傾斜以防止空氣等氣體的進入，並達到均勻的鍍覆效果。
依照上述之方式，在預定時間內進行基板W被處理面(下面)的無電解鍍覆後，驅動升降機構831(參照第21圖)將基板保持裝置780上升至第15圖A以及第15圖B所示之位置。在使基板W上升的途中，藉由從設置在處理槽710之清洗用噴嘴723，朝上升中的基板W的 被處理面集中噴射清洗液(純水)以進行冷卻，中止無電解鍍覆的進行。接著，利用驅動驅動機構770，旋轉蓋構件740，如第24圖所示，以蓋構件740封住處理槽710之開口部711。
接著，從蓋構件740上之噴霧噴嘴760的各噴嘴763朝正上方噴霧清洗液(純水)，以進行基板W之被處理面的清洗。此時之處理槽710之開口部711，因由蓋構件740所覆蓋，故清洗液無法進入處理槽710內，由於處理槽710內部的鍍覆液Q不會被稀釋，故可進行鍍覆液Q的循環使用。清洗基板W後的清洗液，係藉由未顯示於圖中之排水口排出。完成清洗的基板W係如前所述，利用第3載運基板機器人310之真空臂337或339(參照第5圖A至第5圖C)由基板保持裝置780取出於外部，下一個未處理的基板W會再裝載至基板保持裝置780，再度進行鍍覆以及清洗步驟。
在上述鍍覆處理單元360中，係在處理槽710內儲存鍍覆液Q以進行無電解鍍覆處理，但亦可藉由在處理槽710內設置陽極，同時使陰極電極連接於基板W，以進行基板W被處理面的電解鍍覆。
(清洗單元)
第25圖係顯示後清洗單元260之外觀圖。後清洗單元260係併設有第1清洗部270與第2清洗乾燥部290的單一裝置。在第1清洗部270以及第2清洗乾燥部290，分別設置有基板***窗271、291，上述之基板插 入窗271、291可藉由擋板273、293進行開關。
第1清洗部270係一種使用滾刷單元之清洗單元。第26圖為顯示使用滾刷單元之清洗單元的基本構造概略圖。亦即，第1清洗部270係藉由複數個滾輪279保持基板W的外周部，並藉由旋轉驅動滾輪279旋轉基板W。另一方面，在基板W的正背面，分別設置有滾輪狀的刷子(例如旋轉式海綿)275、277，利用未顯示於圖中之驅動機構，使兩滾輪狀刷子275、277朝上下方向進行相互靠近與相互分離的移動。之後使由旋轉滾輪279所保持之基板W旋轉，並從設置於基板W正背面之藥液用噴嘴281、283或純水用噴嘴285、287，視實際之需求分別提供處理液，在處理液供給過程中利用前述驅動機構使兩滾輪狀刷子275、277接近以夾住基板W，藉由適當的壓力夾住基板W並進行清洗。此時藉由獨立旋轉兩滾輪狀刷子275、277，可更加提升清洗效果。
第27圖為第2清洗乾燥部290之側剖視圖。如第27圖所示，第2清洗乾燥部290係使用自旋乾燥機之清洗單元，其構成係具備：把持基板W外周部之箝位電路機構291；固定於箝位電路機構291之主軸292；旋轉驅動主軸292之主軸驅動用馬達293；設置於箝位電路機構外用以防止處理液飛濺之清洗杯294；將清洗杯294移動至箝位電路機構291周圍位置或比其更下方位置之清洗杯升降用汽缸295；以及配設於基板W上部之筆式清洗單元296。筆式清洗單元296係以由懸臂297前端朝下方突 出於清洗海綿(清洗點)298之方式構成，清洗海綿298可進行旋轉驅動，此外，懸臂297以及清洗海綿298可進行升降動作與在基板W面上的水平面內之搖晃動作。
之後，保持於箝位電路機構291之基板W係藉由主軸驅動用馬達293進行旋轉，在由基板W的正背面供給藥液或純水的同時，使其與在基板W上旋轉之清洗海綿298相抵接以進行清洗。在使用藥液之化學清洗以及使用純水之純水清洗結束後，可利用高速旋轉箝位電路機構291進行基板W的完全乾燥。此外在該第2清洗乾燥部290中，利用超音波震盪器將超音波傳達至通過特殊噴嘴的純水以提高清洗效果之超級噴嘴299係搭載於懸臂297之前端附近。由該超級噴嘴299所噴射出的純水係供給至清洗海綿298。此外，亦可在該第2清洗乾燥部290搭載利用空穴現象之空穴噴射功能。
(鍍覆液供給單元)
第28圖為鍍覆液供給單元(鍍覆液供給單元)390之系統構造圖。如第28圖所示，鍍覆液供給單元390係具備：儲存鍍覆液Q並循環供給鍍覆液Q至各鍍覆處理單元360的處理槽710之鍍覆液供給用槽(鍍覆液循環槽)391；加熱部393；供給並循環鍍覆液Q至各處理槽710之鍍覆液供給用泵P；將鍍覆液供給用槽391內之鍍覆液Q濃度調整為適當濃度之鍍覆液濃度稀釋裝置403；以及鍍覆液攪拌裝置410。
加熱部393係使用水作為熱媒體，使藉由 另設之加熱器395加熱升溫的水，通過將複數個管線成束***至鍍覆液供給用槽391之熱交換器397並在其中進行循環，藉此使利用該熱交換器397加熱之水的熱與鍍覆液Q進行熱交換，利用間接加熱鍍覆液Q之方式進行鍍覆液Q的溫度管理。也就是說該加熱部393係一種將熱交換器397設置於鍍覆液Q中之運用間接加熱方法之間接加熱部。
為對應品質非常精細的鍍覆液Q，必需盡可能加大熱交換器397的導熱面積，藉由減少鍍覆液Q與熱交換器397間的溫度差，以避免對鍍覆液Q的使用壽命造成不良影響。此外，利用沸點下的熱源進行鍍覆液Q的溫度管理，亦可避免對鍍覆液Q的成分造成不良影響。除此之外，為防止鍍覆液Q使用壽命的降低，熱交換器397的複數個管之間的間隙也必須適當。如果各管彼此相接觸，則在接觸的部分會產生熱點，此部分鍍覆液Q會比其他部分受到更多加熱，導致鍍覆液Q使用壽命降低。此外，上述的間接加熱方式中，與直接加熱方式相較，可避免其他雜質混入非常精密的鍍覆液Q中。
本實施形態之基板處理裝置1係如第2圖所示，為達到基板處理的合理化、量產化，係藉由搭載複數個鍍覆處理單元360，以達到生產量的提昇。另一方面，鍍覆液供給用槽391為單一的鍍覆液供給用槽，其構成方式係分別使用不同的鍍覆液供給用泵P供給鍍覆液Q並使之循環於複數個鍍覆處理單元360之處理槽710。因此，即使鍍覆液供給泵P的其中一個因故障而停止運作，仍可 在與可運轉之其他鍍覆液供給用泵P相連的鍍覆處理單元360中進行鍍覆處理。或是即使鍍覆處理單元360的其中一個發生故障停止運作時，亦可將鍍覆液提供給可進行運轉之鍍覆處理單元360，以避免鍍覆處理本身發生停止的狀況。
鍍覆液供給用泵P，例如係以直立式離心泵所構成。相較於使用磁泵或風箱泵，藉由使用直立式離心泵，可將空穴現象抑制在最小程度，此外與上述之泵相比較空氣與液體的攪拌作用較小，故可控制過剩的空氣溶入於鍍覆液中，並將溶解氧量控制在適當的範圍。
鍍覆液Q的溫度管理，在鍍覆步驟中亦是一重要要素。因此，在該鍍覆液供給單元390中，除了設置有溫度計406、407以測定分別儲存於鍍覆液供給用槽(鍍覆液循環槽)391與處理槽710之鍍覆液Q的溫度外，可藉由將其輸出輸入至溫度調節器399、401，再將溫度調節器399、401的輸出輸入至加熱部393以控制加熱部393，而使鍍覆液供給用槽391內的鍍覆液Q溫度與處理槽710內的鍍覆液Q溫度維持在預定的溫度。再者，利用溫度調節器399、401，控制鍍覆液供給用泵P之反向器IN，並調節流入各處理槽710之鍍覆液Q的量，藉此使處理槽710內的鍍覆液Q的溫度維持在預定的溫度。
亦即，鍍覆液供給用泵P，可以反向器IN等控制鍍覆液Q的循環量。在利用鍍覆處理單元360進行鍍覆處理時，舉例來說可以不到21/min的低流量使鍍覆液 Q循環。在進行鍍覆處理後的清洗步驟時，因係在以蓋構件740封住處理槽710之開口部711的狀態下進行純水等的噴霧，故處理槽710內的鍍覆液Q溫度會降低。在進行上述之清洗步驟後，為了使接著進行鍍覆處理的下一片基板W在同一溫度下進行鍍覆處理，在進行清洗處理時，舉例來說可將鍍覆液Q的循環量控制在2至301/min範圍內以進行處理槽710內之鍍覆液Q的溫度管理。藉由將鍍覆液Q的流量控制在適當的流量，以減少鍍覆液的溫度變化，提升加熱部393與鍍覆液Q的溫度管理反應，進而達到提升鍍覆液Q循環電路整體的溫度均勻性。
溫度計407係如第15圖B所示，設置於處理槽本體713之鍍覆液供給口721部分。因在處理槽710搭載有用以測量處理槽710內鍍覆液Q溫度之溫度計407，故為使處理槽710之鍍覆液Q的溫度成為預定之溫度，可藉由控制鍍覆液供給用槽391內的鍍覆液Q溫度或使用鍍覆液供給用泵P控制鍍覆液Q的循環量，讓使用時點之鍍覆液Q的溫度維持穩定。
本發明之鍍覆液供給用槽391係如第28圖所示，為外槽408與內槽409之雙重槽構造。外槽408係由隔熱材，最好使用高強度且隔熱性佳的隔熱材，例如具有良好的耐熱性之玻璃布與特殊樹脂的積層板所構成。內槽409係由可保持鍍覆液Q穩定的材質，例如氟樹脂所構成。亦即，為了盡可能使鍍覆液Q的溫度維持一定，鍍覆液用供給槽391採用雙重以上的構造，藉此達到與外界空 氣隔絕之目的。由於其係雙重以上之構造，故鍍覆液供給用槽391對於破損等的安全性也會提高。
鍍覆液濃度稀釋裝置403係利用液面感測器411測量鍍覆液供給用槽391內的鍍覆液Q之容量，藉此求得稀釋所必須的稀釋液(純水)之量，由稀釋液供給線405將稀釋液供給至鍍覆液供給用槽391內，使鍍覆液Q成為適當之濃度。鍍覆處理中的鍍覆液的使用溫度(例如無電解鍍覆)，舉例來說一般為70度至80度的高溫，但是高溫下的使用經常會導致鍍覆液中的水分蒸發，進行基板W的處理時如果每次鍍覆液的濃度均不相同，將導致每次的基板W的處理產生不均的問題。因此可根據水分蒸發量減少在鍍覆處理後利用前述噴霧噴嘴723對基板被處理面噴淋的純水量，其結果，對於蒸發量不足的水分必須藉由鍍覆液濃度稀釋裝置403補充至鍍覆液供給用槽391。此外，鍍覆液攪拌裝置410係藉由以反向器INo旋轉驅動之泵P0攪拌鍍覆液供給用槽391內的鍍覆液Q，使鍍覆液Q的溫度或濃度能夠達到均勻。
在鍍覆處理中，去除基板處理時基板表面的氣泡，是獲得穩定的鍍覆膜所不可或缺的步驟，但另一方面將存在於鍍覆液中之溶解氧量控制在適當的範圍，在鍍覆處理中也是一個重要的課題。因此，在從鍍覆液供給用槽391至處理槽710、處理槽710至鍍覆液供給用槽391的循環路徑中，設有防止氣泡溶入鍍覆液供給用槽391內之鍍覆液的氣泡溶入防止部。亦即，使例如在將溢流至處 理槽710外周溝715之鍍覆液導入至鍍覆液供給用槽391的配管413之鍍覆液供給用槽391的端部，如第29圖C所示稍微傾斜，並將管路內的流速設定在0.3m/sec以下，如此即可防止鍍覆液流入鍍覆液供給用槽391內之鍍覆液Q時，因衝擊而產生的氣泡溶入。
如第29圖B所示，在配管413指定位置設置排出氣泡用開口部415，藉此即可將在配管413內與鍍覆液同時流動的氣泡由該開口部415排出，或是如第29圖A所示，在配管413前端以縱向分割之方式設置複數條的排氣泡用開縫417，藉此使配管413內與鍍覆液同時流動之氣泡由開縫417排出。
第30圖A係：在前清洗單元240、第1前處理單元320、第2前處理單元340或是鍍覆處理單元360的至少一個裝置中，顯示設置於其供給使用液體之供給線421之取樣口420的正視圖，第30圖B為取樣口420之斜視圖。如第30圖A以及第30圖B所示，取樣口420係在液體供給線(具體來說，為前清洗單元240的清洗液供給線、第1前處理單元320的清洗液供給線、第2前處理單元340的處理液供給線、或是鍍覆處理單元360的鍍覆液處理線當中至少一條供給線)421安裝閥門423，藉由操作閥門423，從流動於供給線421的液體中取出一定量至採取用瓶425，以進行液體成分等的分析。計算此時的採樣量(舉例來說：各裝置240、320、340、380內的液體量一採取量=補充量)，藉由另外設置的液體補充裝置，將與採 樣量相當的液體補充至各裝置240、320、340、360。
第31圖A係：在前清洗單元240、第1前處理單元320、第2前處理單元340或是鍍覆處理單元360中的至少一個裝置中，顯示設置於提供液體以供使用之液體供給線421之過濾器430-1、430-2之斜視圖，第31圖B為配管圖。如第31圖A以及第31圖B所示，2個過濾器430-1、430-2係並聯設置於各裝置240、320、340、360之外部。在液體供給線(具體來說，為前清洗單元240的清洗液供給線、第1前處理單元320的清洗液供給線、第2前處理單元340的處理液供給線、或是鍍覆處理單元360的鍍覆液處理線中的至少一條供給線)上，以串聯方式連接2台過濾器430-1、430-2與閥門431，此外惰性氣體供給線440、純水供給線445以及廢液排出線450等亦以並聯方式與2台過濾器430-1、430-2相連接。
在各線440、445、450中，分別安裝有閥門441、442、446、447、448、451、452。藉由串聯連接複數台的過濾器430-1、430-2，即可確實進行液體的過濾。對於過濾器430-1、430-2的配列，例如在無電解鍍覆裝置中，為防止配線間產生短路，進行確實之液體過濾也是相當重要，以愈接近使用點的過濾器其過濾精密度愈越高者為佳(第31圖中為過濾器430-1)，但至少應設置具有同樣過濾精密度的過濾器430-1、430-2。此外過濾器430-1、430-2係在使用純水供給線445與廢液排出線450進行沖洗的同時，係藉由使用惰性氣體供給線440形成可進行惰性氣體 淨化之電路，藉此達到在維修時防止藥液自過濾器430-1、430-2流出之保障作業的安全性。此外過濾器如果有3個以上當然效果更佳。
在第9圖所示之前處理單元500中，在設置噴霧噴嘴520的容器510上部設置基板固定壓頭560，由噴霧噴嘴520進行處理液(第1處理液)的噴霧，藉此進行保持於基板固定壓頭560之基板W的下面處理，但是因前處理的內容不同，取代設置具有上述之噴霧噴嘴520的容器510，如第15圖所示，可設置內部儲存有處理液之處理槽710。特別是在使催化劑附著之第1前處理單元320中，為使催化劑確實且均勻地附著，係以使用可使基板W浸漬於處理液之處理槽710較為理想。
為了在上述步驟中進行穩定之處理，與鍍覆處理情形相同，必須排除進行處理時產生於基板W之被處理面的氣泡。因此在使用與處理槽710相同構造之處理槽之前處理單元時，與鍍覆處理單元360相同地，最好在基板固定壓頭560上設置傾斜機構，並如第32圖所示，在傾斜的狀態下旋轉(箭號D)基板W使基板W約60%的部分浸漬於處理液，而將氣泡群從未受浸漬的領域排出至外部。
此外，也可藉由抽氣機(空氣吸引機)等，從未浸漬的領域強制排除空氣。再者，亦可藉由在處理槽710內的所希望位置設置複數個未顯示於圖中之循環噴嘴，如第32圖所示，在箭號C所顯示之方向(由傾斜基板W被處理面的深往淺方向，也就是氣泡排出方向)形成處理液的流 動，以排除滯留於被處理面上的氣泡群。此時處理液的液面係如虛線所示會產生上升的現象，而得以有效地排除氣泡群。此外，為使氣泡群能順利排除至外部，也可在基板固定壓頭560的外周下面依直徑方向切割出氣泡的逸退溝562。
接著，說明第2圖所示之基板處理裝置1整體的動作。首先，藉由第1載運基板機器人130從裝載於裝載口110的基板匣取出基板W。取出的基板W係在傳送至第1反轉機150進行反轉且被處理面被轉向至下側後，利用第1載運基板機器人130放置於基板暫置台210的下段暫置台219(參照第8圖A以及第8圖C)。
接著，藉由第2載運基板機器人230將該基板W載運至前清洗單元240，在前清洗單元240進行前清洗(前清洗處理步驟)。完成前清洗的基板W係藉由第3載運基板機器人310移送至第1前處理單元320。在此，前處理單元240係設置於：分別設置於清洗區200與鍍覆處理區300的載運基板機器人230、310的機械手能從其左右接觸進行基板W收付的位置。之後移送至第1前處理單元320的基板W，係在第1前處理單元320中進行第1前處理(第1前處理步驟)。
結束第1前處理的基板W係藉由第3載運基板機器人310移送至第2前處理單元340，在第2前處理單元340進行第2前處理(第2前處理步驟)。結束第2前處理的基板W係藉由第3載運基板機器人310移送至鍍 覆處理單元360，以進行鍍覆處理。
結束鍍覆處理之基板W係藉由第3載運基板機器人移送至第2反轉機並進行反轉後，再藉由第2載運基板機器人230移送至後清洗單元260的第1清洗部270進行清洗後，藉由第2載運基板機器人230移送至第2清洗乾燥部290進行清洗、乾燥。之後完成清洗、乾燥的基板W，係利用第2載運基板機器人230暫放於基板暫置台210的上段暫置台217後，再藉由第1載運基板機器人130收納在裝載於裝載口110之基板匣中。
第33圖為顯示本發明其他實施形態中基板處理裝置1-2之整體概略俯視圖。第33圖所示之基板處理裝置1-2中，與前述第2圖所示基板處理裝置1相同或是相當的部分係標記相同符號並省略其說明。第33圖所示之基板處理裝置1-2與第2圖所示之基板處理裝置1之相異處在於：只設定一組設置於清洗區200之後清洗單元260，取而代之設置藥液供給單元900，以及分別減少設置於鍍覆處理區300內的第1前處理單元320、第2前處理單元340以及鍍覆處理單元360的台數，而設置藥液供給單元902。
上述之藥液供給單元900、902係將藥液(原液)稀釋為使用濃度後再將其供給至各裝置之裝置，藥液供給單元900係用以分別提供清洗區200內之前清洗單元240、第1清洗部270以及第2清洗部290所使用的藥液，而藥液供給單元902係用以分別供給鍍覆處理區300內之 第1前處理單元320、第2前處理單元340以及鍍覆處理單元360所使用之藥液。
如上所述，在基板處理裝置1-2內設置藥液供給單元900、902以作為單元，藉此即不需另行配設藥液供給單元，而達到整體系統小型化之目的。此外，亦可從工廠生產線等直接供給該基板處理裝置1-2所需之藥液(原液)。
如以上詳細之說明，根據本發明，不但可確實進行各種高品質的基板處理，亦可達到裝置整體之小型化與裝置成本之低價化的目的。
第34圖A係顯示適用於鍍覆處理單元之本發明之其他實施形態之基板處理裝置的側視圖，第34圖B為第34圖A之概略側剖視圖。如第34圖A以及第34圖B所示，鍍覆處理單元(基板處理裝置)係具備：在內部儲存鍍覆液(處理液)Q以進行基板W浸漬處理之處理槽910：封住處理槽910開口部911的蓋構件940；安裝於蓋構件940上面之噴霧噴嘴(處理液噴射部)960；驅動(旋轉)蓋構件940之驅動機構970；保持基板W之基板保持裝置980；使基板保持裝置980整體升降，且與前述第12圖A以及第12圖B所示之裝置具有相同構成之基板保持裝置升降機構600；循環處理槽910內之鍍覆液Q的處理液循環裝置390。以下針對各構造部分進行說明。此外，基板保持裝置升降機構600，因為構造與前述第12圖A以及第12圖B所示者相同，在此省略其說明。
第35圖為處理槽910的放大剖視圖。如第35圖以及第34圖B所示，處理槽910係具備：儲存鍍覆液Q之容器形狀之處理槽本體913；設置於構成處理槽本體913外周之第1槽930之外周，用以回收溢流於第1槽930外周邊緣上端邊之緣部931上的鍍覆液Q的回收溝(溢流溝)915；環繞回收溝915之外周以筒狀方式朝上方突出之覆蓋部917；設置於處理槽本體913內部的上部與下部，且在處理槽本體913內部形成均勻的鍍覆液Q流動之整流板937、939；具有比第1槽930內徑小的外徑，且設置於第1槽930內側使其與該第1槽930成為雙重環狀之第2槽941。在處理槽本體913的底面中央設置有鍍覆液供給口921。
整流板937、939係藉由在圓形平板設置多數小貫穿孔937a、939a，使鍍覆液供給口921所提供之鍍覆液Q得以朝上方以相同的流速流動於各處。第2槽941係突出固定於整流板937上方，其上端邊之緣部943的高度比第1槽930邊緣部931的高度稍低，且緣部943的直徑尺寸比第1槽930的緣部931小。此外，在比整流板937之第2槽941更外側的部分設置貫穿孔937a，藉此使鍍覆液Q全部通過第2槽941之內側。
回到第34圖A，處理液循環處理裝置390係將溢流至處理槽910之回收溝915的鍍覆液Q藉由配管送回供給槽391，並藉由泵P將儲存於供給槽391內的鍍覆液供給至處理槽本體913之鍍覆液供給口921，使鍍覆 液Q進行循環。供給槽391中設置有：使提供給處理槽910內的鍍覆液Q的溫度維持在預定溫度之加熱器393。
蓋構件940係由可封住處理槽910之開口部911大小之板材所構成，其兩側面安裝有板狀懸臂部945，而其前端附近部分則以可自由轉動之方式支撐於設置於處理槽910兩側部分的軸承部947。懸臂部945的前端係固定於驅動機構970的連結懸臂975之前端。
噴霧噴嘴960係以朝上之方式在蓋構件940上安裝複數個噴嘴963。在本實施形態中，噴嘴963會朝正上方進行清洗液(純水)的噴霧處理。
驅動機構970係具備：蓋構件旋轉用汽缸971；連接於蓋構件旋轉用汽缸971之活塞之桿973；以可自由轉動之方式連接於桿973的前端之連結懸臂975。蓋構件旋轉用汽缸971的下端部係以可自由轉動之方式軸承於固定側構件。
第36圖A為顯示基板保持裝置980以及其旋轉用馬達580部分之概略側剖視圖，第36圖B為第36圖A的部分放大圖。如第36圖A所示，基板保持裝置980在下方開口，並在側壁具有開口981之箱體983內部設置有推壓構件985。箱體983與旋轉用馬達580之中空輸出軸987連接。推壓構件985係在其中央與軸989的下端連接，此軸989通過輸出軸987內部的中空部分而向上方突出，該突出部係以可自由轉動之方式軸承於軸承部991。輸出軸987之中空部分與軸989之間，可藉由花鍵嵌合同 時旋轉，但軸989可獨立於輸出軸987進行上下移動。
在箱體983下端，設有向內側突出之環狀的基板保持部993，在基板保持部993的內周側上部，安裝有放置基板W並進行密封之環狀的密封構件995。在基板保持部993下面，如第37圖所示，自中心朝輻射狀方向(法線方向)設有複數條逸退溝994。箱體983的外徑係如第35圖所示比緣部931的內徑小，為幾乎可封住處理槽本體913之開口的大小形狀。另一方面，推壓構件985係在圓板狀之支持器997的下面外周安裝有基板固定環999。在基板固定環999的下面外周，則設置有向下方突出的推壓部999a。
軸承部991係固定於可使該軸承手段991上下移動之汽缸機構577的桿部578上(參照第12圖A以及第12圖B)，此外汽缸機構577本身係固定於放置前述旋轉用馬達580等的安裝台579上(參照第12圖A以及第12圖B)。
接著，說明該鍍覆處理單元(基板處理裝置)的動作。首先如第34圖A以及第34圖B所示，基板保持裝置980上升至處理槽910的上方，如第36圖B中虛線所示，在基板保持裝置980內部將推壓構件985設定為已上升的狀態。之後，藉由第3載運基板機器人310的真空臂337或339(參照第5圖A至第5圖C)將保持在面朝下狀態的基板W自箱體983側壁之開口981***，並解除其真空吸附，藉此將基板W放置於具有比基板W外徑小數mm之 直徑的環狀的密封構件995上。接著藉由驅動汽缸機構577使推壓構件985下降，如此即可如第36圖B實線所示，使推壓構件985之基板固定環999的推壓部999a推壓基板W的上面外周，而將基板W的下面(亦即被處理面)的外周往密封構件995推壓，以固定基板W。同時，密封構件995亦具備有可防止鍍覆液流入至基板W背面(上面)之密封功能。
在處理槽910中，藉由驅動第34圖所示之泵，由鍍覆液供給口921提供鍍覆液Q使其循環於處理槽910內後，使鍍覆液溢流於第1槽930的外周上端邊的緣部931，之後將其回收至回收溝915再回到供給槽391。此時之處理槽內910內的鍍覆液的流動狀態係如第38圖A、第38圖B所示。此外，在第38圖A、第38圖B中，係顯示基板保持裝置980下降浸漬於鍍覆液Q前的狀態。如第38圖A、第38圖B所示，鍍覆液Q係以由鍍覆液供給口921朝正上方之方式供給，並通過整流板939,937，藉此使鍍覆液Q各部的流動均一化後，通過第2槽941的緣部943的上部使鍍覆液溢流於第1槽930的緣部931，之後再將其回收至回收溝915。
接著，藉由驅動升降用馬達661(參照第12圖B)，如第39圖A以及第39B圖所示，在水平保持基板W的狀態下使基板保持裝置980下降，將其下面(被處理面)浸漬於鍍覆液中，接著再將基板保持裝置980下降至比下述之基板處理位置(第40圖A以及40圖B所示之位置)更 低的位置，使基板W的被處理面接近第2槽941的緣部943，在基板W的被處理面的外周附近與緣部943之間形成狹窄(間隙程度約1mm的程度)圓周狀的開縫。藉此，通過整流板937的鍍覆液Q會通過該開縫，通過該開縫之鍍覆液Q的流速會增加而形成流動快速的鍍覆液。
此時在位於保持基板保持裝置980的底面的基板W的部分外周之基板保持部993的下面，如前所述因設置有複數條呈放射狀的逸退溝994，故通過前述開縫之鍍覆液Q會通過該逸退溝994，得以順利地由基板保持裝置980的底面完全地流出至外周方向。因此，如箭頭B所示，在基板W的被處理面上，由被處理面的中央朝向外周方向沿著被處理面朝基板W的外周方向，形成鍍覆液Q的快速流動體，當基板W下面的被處理面接觸鍍覆液Q時，滯留於該被處理面表面之氣泡得以藉由快速流動之鍍覆液排出。
亦即，在本實施形態中，為在浸漬於鍍覆液Q之基板W的被處理面的外周附近形成圓周狀的開縫，係以在處理槽910設置圓周狀的緣部943之方式構成氣泡去除部，藉由使由基板W的被處理面的下方朝被處理面流動之鍍覆液通過該開縫，增加鍍覆液Q在被處理面上的流速，以去除被處理面上之氣泡。
結束氣泡的排出後，藉由驅動升降用馬達661(參照第12B圖)，使基板保持裝置980上升至第40圖A以及第40圖B所示之一般的基板處理位置，並使基板W 的被處理面與第2槽941的緣部943之間的空隙變寬，在使鍍覆液Q沿著基板W的被處理面流動的同時，進行一般的無電解鍍覆。在上述之基板處理位置中，基板W、緣部943以及基板保持部993之間因保有充分的空隙，而得以實現鍍覆液之穩定流動。
接著藉由驅動升降用馬達661(參照第12A圖)，將基板保持裝置980上升至第34圖A以及第34圖B所示之位置，藉由將其移動至比處理槽910更上方的位置以結束前述無電解鍍覆。接著，藉由驅動驅動機構970，旋轉蓋構件940，如第41圖A以及第41圖B所示，封住處理槽910的開口部911。之後，由固定於蓋構件940的上面之噴霧噴嘴960的各個噴嘴963朝正上方噴霧清洗液(純水)以清洗基板W的處理面(鍍覆面)。此時處理槽910的開口部911因由蓋構件940所覆蓋，因此不會有清洗液流入處理槽910的問題發生，處理槽910內部的鍍覆液Q不會被稀釋，鍍覆液Q得以循環使用。此外，清洗基板W後之清洗液係由未顯示於圖中之排水口排出至外部。
依照上述之方式在結束基板W的清洗後，如第36圖B之虛線所示，推壓構件985會上升，使第3載運基板機器人310的真空臂337或339(參照第5圖A乃至第5圖B)由箱體983側壁的開口981***內部而吸附基板W之背面中央再由前述開口981取出至外部。接著將下一個尚未進行處理的基板W安裝於基板保持裝置980，再次進行前述鍍覆以及清洗步驟。
在上述之實施形態中，係將鍍覆液Q儲存於處理槽910以進行無電解鍍覆處理，但亦可藉由在處理槽910內設置陽極，並使陰極電極與基板W連接之構成方式，進行基板W之被處理面的電解鍍覆。此外，除了將該基板處理裝置作為鍍覆處理單元使用外，亦可將其作為進行其它藥液處理(例如鍍覆的前處理或後處理)之基板處理裝來利用。此外，利用噴霧噴嘴960所進行之基板W的處理亦不侷限於清洗液之清洗處理步驟，亦可進行其他各種藥液的處理。
第42圖A係：顯示本發明之其他實施形態之基板處理裝置(鍍覆處理單元)的處理槽910-2與基板保持裝置980之基板保持裝置980下降且基板W浸漬於鍍覆液Q前的狀態之概略剖視圖，第42圖B為放大顯示第42圖A之處理槽910-2的第1槽930的緣部931的附近部分之要部放大概略剖視圖。如第42圖A以及第42圖B所示，在該處理槽910-2中，係省略第38圖A以及第38圖B之第2槽941，而以第1槽930進行第2槽941之作用。因此，在該處理槽910-2中，係將第1槽930的緣部931的直徑設定為比基板W的外徑小，並在第1槽930的緣部931與基板W的背面的外周附近之間形成開縫。此外處理槽910-2以外的各部分的構造係與第34圖A以及第34圖B所示之基板處理裝置的各部構造相同。
說明上述範例之基板處理裝置的動作。首先如第42圖A以及第42圖B所示，在處理槽910-2中， 藉由驅動第34圖所示之泵P，由鍍覆液供給口921提供鍍覆液Q，並使其循環於處理槽910-2後，使鍍覆液溢流於第1槽930的外周上端邊的緣部931。此時如第42圖B所示，鍍覆液Q的表面，因表面張力而上升至比緣部931的上端更上方的方向。接著，使保持基板W之基板保持裝置980下降，使基板W維持水平的狀態，由上方推壓使基板W浸漬於鍍覆液Q中，使基板W的被處理面(下面)接近第1槽930的緣部931，如第43圖A以及第43圖B所示，在基板W的被處理面的外周附近與緣部931之間形成狹窄(間隙程度約1mm的程度)圓周狀的開縫。藉此，通過整流板937的鍍覆液Q會通過該開縫，通過該開縫之鍍覆液Q的流速會增加而形成流動快速的鍍覆液。
此時在位於保持基板保持裝置980的底面的基板W的部分外周之基板保持部993的下面，因設置有複數條呈放射狀的逸退溝994，故通過前述開縫之鍍覆液Q會通過該逸退溝994，得以順利地由基板保持裝置980的底面完全地流出至外周方向。因此，如箭頭C所示，在基板W的被處理面上，由被處理面的中央朝向外周方向沿著被處理面朝基板的外周方向，形成鍍覆液Q的快速流動體，當基板W下面的被處理面接觸鍍覆液Q時，滯留於被處理面表面之氣泡得以藉由快速流動之鍍覆液排出。
在本實施形態中，為在浸漬於鍍覆液Q之基板W的被處理面的外周附近形成圓周狀的開縫，而以在處理槽910-2設置圓周狀的緣部943之方式構成氣泡去除 部，使由基板W的被處理面的下方朝被處理面流動之鍍覆液Q通過該開縫，藉此增加鍍覆液Q在被處理面上的流速，以去除被處理面上之氣泡。
結束氣泡的排出後，由第43圖A以及第43圖B所示之狀態，使基板保持裝置980微微上升，將基板W的被處理面與緣部931之間的空隙變寬，在使鍍覆液Q流動於基板W的被處理面流動的同時，進行一般的無電解鍍覆。
接著，使基板保持裝置980上升(參照第34圖A以及第34圖B)，藉由將其移動至比處理槽910-2更上方的位置以結束前述無電解鍍覆。以下之步驟因與前述實施形態相同故省略其說明。
如以上之詳細說明，根據本發明，即使在基板水平浸漬於處理液的狀態下，亦可輕易地去除滯留於基板的被處理面上之氣泡。
第44圖A為顯示適用於各種前處理單元之本發明之又一之其他實施形態之基板處理裝置之側視圖，第44圖B為第44圖A之概略側剖視圖。如第44圖A以及第44圖B所示，基板處理裝置(前處理單元)之構成係具備：內部儲存有處理液(第1前處理液)Q以進行基板W的浸漬處理之處理槽1010；封住處理槽1010的開口部1011之蓋構件1040；安裝於蓋構件1040上面之噴霧噴嘴(處理液噴射部)1060；驅動(旋轉)該蓋構件1040之驅動機構1070；保持基板W之基板保持裝置1080；轉動、搖動以及 升降基板保持裝置1080整體之基板保持裝置驅動部1600；使處理槽1010內的處理液Q進行循環之處理液循環部1450。以下說明各構成部分。
第45圖為處理槽1010的放大剖視圖。如第45圖以及第44圖B所示，處理槽1010係具備：儲存鍍覆液Q之容器形狀的處理槽本體1013；用以回收溢流於處理槽本體1013之外周邊緣上端邊之鍍覆液Q的回收溝(溢流溝)1015；環繞回收溝1015外周以筒狀方式朝上方突出之覆蓋部1017；設置於處理槽本體1013內部，用以使處理槽本體1013內部形成均勻之鍍覆液Q流動的整流板1037。在處理槽本體1013的底面中央設有鍍覆液供給口1021。整流板1037係藉由在圓形平板上設置多數的小貫穿孔1037a，使鍍覆液供給口1021所提供之鍍覆液Q得以朝上方以相同的流速流動於各部份。此外，在處理槽主體1013的上部內周側面，設置將儲存於處理槽主體1013內的處理液Q朝處理槽本體1013之中央方向之斜上方噴射的處理液供給噴嘴(處理液供給部)1039。
回到第44圖A以及第44圖B，處理液循環部1450係將溢流至處理槽1010的回收溝1015的鍍覆液Q藉由配管輸送至供給槽1451，並藉由泵P將儲存於供給槽1451之鍍覆液Q供給至處理槽本體1013之鍍覆液供給口1021使鍍覆液Q進行循環。亦即，在該基板處理裝置中，經常由處理槽1010的底部提供處理液使其循環於處理槽1010後，藉由設置於處理槽1010外周部之回收溝1015回 收溢流之液體，並將該處理液回收至供給槽1451。
蓋體材1040係由可封住處理槽1010之開口部1011大小之板材所構成，其兩側面安裝有板狀懸臂部1045，而其前端附近部分則以可自由轉動之方式支撐於設置在處理槽1010兩側部分的軸承部1047。懸臂部1045的前端係固定於驅動機構1070的連結懸臂1075前端。
噴霧噴嘴1060係以朝上之方式在蓋體材1040上安裝複數個噴嘴1063。在本實施形態中，噴嘴1063係朝正上方進行清洗液(純水)的噴霧。
驅動機構1070係具備：蓋構件旋轉用汽缸1071；連接於蓋構件旋轉用汽缸1071的活塞之桿1073；以可自由轉動之方式連接於桿1073的前端之連結懸臂1075。蓋構件旋轉用汽缸971的下端部係以可自由轉動之方式軸承於固定側構件。
基板保持裝置驅動部1600係由：旋轉驅動基板保持裝置1080之旋轉用馬達1400；搖動基板保持裝置1080，且與前述第22圖A以及第22圖B所示之裝置具有相同構成之傾斜機構811；使基板保持裝置1080升降之升降機構1831所構成。
第46圖A為顯示基板保持裝置1080以及其旋轉用馬達1400的部分之概略側剖視圖，第46圖B為第46圖A的部分放大圖。如第46圖A所示，基板保持裝置1080在下方呈開口狀且在側壁具有開口1081之箱體1083內部設置有推壓構件1085。箱體1083係與以伺服馬 達所構成之旋轉用馬達(旋轉部)1400的中空輸出軸1087相連接。推壓構件1085係在其中央安裝有軸1089的下端，該軸1089通過輸出軸1087內部的中空部分並向上方突出，該突出端係以可自由轉動之方式軸承於軸承部1911。輸出軸1087的中空部分與軸1089之間，可藉由花鍵嵌合與軸承的組合同時進行旋轉，但軸1089可獨立於輸出軸1087進行上下移動。
在箱體1083之下端，設有向內側突出之環狀基板保持部1093，在基板保持部1093的內周側上部，安裝有放置基板W並進行密封之環狀密封構件1095。在基板保持部1093下面，如第47圖所示，自中心朝輻射方向(法線方向)設有複數條逸退溝1094。箱體1083的外徑係比第45圖所示之處理槽主體1013的上部的內徑小，並構成幾乎可封住處理槽本體1013之開口大小的形狀。
另一方面，在第46圖A以及第46圖B中，推壓構件1085之構成係在圓板狀支持器1097的下面外周，安裝有內部具有收納部1098之基板固定環1099，並在收納部1098內藉由彈簧1981，在其下方收納環狀的推壓件1983，使推壓件1983的押壓部1985由設在基板固定環1099下面的孔中突出。軸承部1091係連接於可使該軸承部1091上下移動之上下驅動機構1911，此外，該上下驅動機構1911本身係固定於載置前述旋轉用馬達1400等安裝台1915側的構件。此外，押壓構件1085係藉由驅動上下驅動機構1911，對箱體1083等進行獨立的上下移動。 此外，箱體1083係利用旋轉用馬達1400進行旋轉驅動。
第44圖A以及第44圖B所示之升降機構1831，係可使傾斜機構811進行上下移動之機構。此外，安裝基板保持機構1080以及旋轉用馬達1400等之安裝台1915或傾斜機構811整體可藉由驅動升降機構1831進行上下移動。朝上下方向移動之移動量可藉由升降機構1831來控制。在此上述傾斜機構811、旋轉用馬達1400以及升降機構1831，係在使由基板保持裝置1080所保持之基板W的被處理面傾斜的狀態下，使基板接觸處理液Q之基板保持裝置驅動部1600。此外，構成前述基板保持裝置驅動部1600的升降機構1831係接液領域調節部，該調節部係可將與傾斜之基板W之被處理面接觸的領域設定為可在0至100%的範圍進行調節之構成。
接著說明該基板處理裝置(前處理單元)的動作。首先，如第44圖A以及第44圖B所示，使基板保持裝置1080上升到處理槽1010的上方，並如第46圖A以及第46圖B所示一般，設定成在基板保持裝置1080之內部使推壓構件1085上升的狀態。然後，藉由第3基板搬送機器人310之真空臂337以及339(參照第5圖A乃至第5圖C)，將保持在面朝下狀態下的基板W，由箱體1083側壁之開口1081***內部，再解除其真空吸附，藉此，以將基板W載置於外徑比基板W之外徑小數mm之環狀密封構件1095上。接著，藉由驅動汽缸機構1911，在推壓構件1085下降後，如第48圖所示一般，利用推壓構件1085之 基板固定環1099之推壓部1985推壓基板W之上面外周，使基板W之下面(亦即處理面)之外周推押於密封構件1095，以固定基板W。在此同時密封構件1095亦可發揮防止處理液流入基板W之背面(上面)的密封功能。
此時，在處理槽1010中，係藉由驅動第44圖B所示之泵P，得以形成以下循環：亦即由處理液供給口1021供給處理液Q使之在處理槽1010內循環後，溢流於處理槽1010之外周緣上端邊1031，並回收到回收溝1015後再返回供給槽1451。
接著，驅動壓頭傾斜用汽缸817(參照第22圖A以及第22圖B)，一體搖動安裝台1915與基板保持裝置1080，使基板保持裝置1080所保持之基板W由水平位置傾斜成預定角度，接著驅動第46圖A所示之旋轉用馬達1400，以旋轉基板保持裝置1080與基板W。然後藉由驅動第44圖A以及第44圖B所示之升降機構1831，使傾斜之基板保持裝置1080直接下降並浸漬於處理槽1010之處理液Q中。此時的浸漬狀態係如第49圖所示。如第49圖所示一般基板W並非全部而只有一部分浸漬於處理液Q中。基板接液範圍(面積)只要超過基板W整體面積50%即可，但以超過60%為佳。此外，基板W的接液範圍，可藉由升降機構1831任意設定。此時基板W係處於旋轉狀態。如所述一般，藉由在基板W傾斜之狀態下且基板W之被處理面僅部分受到浸漬下進行處理，基板W下面的被處理面可反覆接液與離液的動作。
此時，基板W之被處理面上的氣泡，可藉由被處理面之傾斜由深部往淺部自然排出(該作用對於浸漬基板W時滯留於被處理面上之氣泡或附著於浸漬後之氣泡皆相同)。此外在本實施形態中，萬一在處理液Q中氣泡仍然附著於傾斜之基板W的被處理面上時(亦即只有在前述之傾斜下無法去除的氣泡)，亦可藉由基板W之旋轉，在離液到接液之間使之與外部空氣接觸，而將氣泡排除。此外在本實施形態中，係在基板保持裝置1080之下部外周朝著法線方向形成複數個逸退溝1094，因此將基板W浸漬於處理液Q時，可使原本滯留於基板W下面的空氣順利地逸出，因此不僅不會妨礙處理液Q的流動，還會形成由前述基板W之被處理面上排出之氣泡的排出路徑。
此外在本實施形態中，在進行基板W之接液處理時，係藉由第45圖所示之處理液供給噴嘴1039，使滯留於處理槽本體1013內的處理液Q得以從處理液供給噴嘴1039的部分朝著處理槽本體1013的中央方向往斜上方噴射，並藉此在該噴射方向形成處理液Q的流動。該處理液Q之流動的方向，係設定成沿著浸漬於處理液Q之基板W傾斜之被處理面的方向，藉此，可如第50圖之箭頭C所示一般，沿著基板W之被處理面的傾斜而形成由深側往淺側流動之處理液Q的流動。亦即朝著基板W之離液側形成處理液Q之流動，藉此，可使處理液Q中的基板W的被處理面上的氣泡群，往基板W之離液領域之空間流出，並進一步確實地排出至大氣中。
如第51圖所示之實施形態，在基板W之離液領域空間中配置抽氣機1570等抽吸裝置，即可將滯留於基板W之背處理面與處理液Q之間(離液領域)的空氣強制性地排出至外部，而順利完成基板W之被處理面的接液。
如上所述，藉由使處理液Q與基板W之被處理面接觸一定之時間以進行鍍覆之第1前處理後，藉由驅動升降機構1831使基板保持裝置1080上升至第44圖以及第44B所示之位置以結束第1前處理，在此同時藉由驅動傾斜機構811，使基板保持裝置1080回復到水平狀態。接著，藉由驅動驅動機構1070，使蓋構件1040旋轉，並如第52圖所示一般將處理嘈1010之開口部1011塞住。接著，由固定在蓋構件1040上面的噴霧噴嘴1060的各個噴嘴1063朝正上方噴霧洗淨液(純水)以清洗基版W之被處理面。此時，處理槽1010的開口部1011係由蓋構件1040所覆蓋，因此洗淨液無法進入到處理槽1010內，且處理槽1010內部之處理液Q不會被稀釋，而得以循環使用處理液Q。
此外，洗淨基板W後的洗淨液係由無圖示之排水口排出。依照上述方法結束基板W之洗淨處理後，如第46圖B所示一般，推壓部1085會上升，並將第3載運基板機器人310之真空臂337或339(參照第5圖A乃至第5圖C)由箱體1083側壁開口1081***，以吸附基板W背面中央並由前述開口1081取出到外部。然後將下一未處理基板W安裝在基板保持裝置1080，並再度進行前述第1 前處理以及洗淨步驟。
此外，在上述實施形態中，係在處理槽1010中儲存第1前處理液以進行第1前處理，但亦可在處理槽1010內儲存第2前處理液以進行第2前處理。此外，除了將該基板處理裝置作為鍍覆之前處理單元使用外，亦可將其作為進行其他藥液處理的基板處理裝置使用。另外，利用噴霧噴嘴1060所進行之基板W的處理，並不限於利用洗淨液之洗淨處理步驟，亦可用在其他各種藥液處理上。此外，適用本發明之基板處理裝置，並未限定於上述構造之基板處理裝置，例如亦可適用於在上下位置以外之其他場進行利用前處理液之接液處理與洗淨處理之構造的基板處理裝置。
在上述實施形態中，係構成使保持在基板保持裝置1080之基板W的被處理面呈傾斜的狀態下進行處理液Q之接液處理，但本發明同樣適用於：在使保持於基板保持裝置1080之基板W的被處理面傾斜的狀態下使之與處理液Q接觸後，再使處理面維持水平以進行接液處理的基板處理裝置。
亦即，在第44圖A以及第44圖B所示之基板處理裝置中，係藉由傾斜機構811使保持未處理之基板W的基板保持裝置1080由水平位置傾斜預定角度，接著在利用旋轉用馬達1400使基板保持裝置1080與基板W保持旋轉的狀態下，藉由升降機構831使基板保持裝置1080直接在傾斜狀態下下降並浸漬於處理槽1010之處理 液Q中，使之與基板W之被處理面接觸。接著，藉由傾斜機構811使基板保持裝置1080以及基板W的被處理面回復到水平狀態，並在水平狀態下進行基板W之被處理面的接液處理。如上所述完成接液處理後，藉由驅動升降機構831使基板保持裝置1080上升到第44圖A以及第44圖B所示的位置並結束接液處理，再藉由驅動驅動機構1070使蓋構件1040旋轉以封住處理槽1010的開口部1011。以下的洗淨步驟與前述實施形態相同故省略其說明。
然後在進行上述基板W之接液時，如第44圖所示一般，在基板保持裝置1080之底面保持基板W的部分的外周，使基板W在傾斜的狀態下與處理液Q接觸後再使之回復到水平狀態時，因設有可使滯留於基板W之被處理面與處理液Q之間的空氣排出的逸退溝1094，因此可使該空氣順利地排出到外部，同時可使基板W在回復到水平後不會在基板W之被處理面上殘留氣泡，而得以在基板W之被處理面上進行順利之接液處理。
同樣地，如第45圖所示，在使基板W接觸處理液時，預先設置沿著基板W之被處理面之傾斜形成有由深側至淺側之處理液Q之流動的處理液供給噴嘴(處理液供給部)1039的話，如第50圖所示，朝向基板W之離液側形成有處理液Q之流動，藉此可使處理液Q中之基板W之被處理面上的氣泡群流出至基板W之離液領域空間，且在基板W呈水平狀態後，在基板W之被處理面上不會殘留氣泡，可順利進行基板W之被處理面的接液處理。
同樣地，如第51圖所示，在基板W傾斜於處理液Q之狀態下接觸處理液Q後再回復到水平時，若設置可抽吸滯留於基板W之被處理面與處理液Q之間的空氣並強制性地將其排除的抽氣機1570等抽吸裝置的話，藉由在基板W傾斜於處理液Q之狀態下接觸處理液Q後，一面將滯留於基板W之被處理面與處理液Q之間的空氣強制性地排除到外部一面使基板回復到水平，則在呈水平狀之基板的被處理面與處理液Q之間不會殘留氣泡，而得以順利進行基板W之被處理面的接液處理。
如上所詳述，根據本發明，在進行基板與處理液之接液處理時，不僅可輕易且確實地去除附著於基板被處理面上的處理液中的氣泡，同時可藉此完成穩定且確實之處理面的接液處理。
第53圖A係顯示使用在前處理單元或鍍覆處理單元等之各種裝置之本發明之實施形態的基板保持裝置2080的概略剖視圖，第53圖B為第53圖A的A部分放大圖。如第53圖A所示，基板保持裝置2080具備有基板保持部2081與基板保持部驅動部2120。基板保持部2081係形成在下面開放之大略圓筒狀的基板座2083的內部收納大略圓形之吸附頭2089的構造。基板座2083係由下端面朝內側突設暫放基板W的暫放部2085，並在其外周側面設置基板***口2087。
第54圖係由下面側觀察吸附頭2089時的斜視圖。如第54圖、第53圖A以及第53圖B所示，吸附 頭2089，係設置有：在內部設置真空供給線(真空兼氣體供給線)2093之大略圓板狀之基部2091；在基部2091下面安裝成環狀之基板吸附部2095；安裝於環狀之基板吸附部2095內側的推壓件2100；由貫通前述基部2091之開口所形成之通氣部2099。
基板吸附部2095係由密封材(例如橡膠材料等)所形成，其具有：可藉由使其前端由基部2091之下面突出，而將與基部2091相抵接之下記基板W的背面吸附成環狀，並防止鍍覆液侵入基板背面(藉由基板吸附部2095形成環狀密封之內側部分)的密封功能。亦即，係構成在基板吸附部2095之與基板W接觸的部分設置基板吸附溝(吸附及分離用孔)2097，並藉由在此連接前述真空供給線2093，而在該基板吸附溝2097中進行基板W之吸附以及分離。基板吸附部2095的形狀並未受第53圖A以及第53圖B所示之形狀限制，只要依照預定圓周寬度吸附成環狀者，任何形狀均無妨。
推壓件2100係藉由：在上面開放之圓筒箱型之箱體2101內部所設置之收納部2103中，收納推壓件本體2110後，再藉由固定具2107將由盒體2101之外周突出的鍔部2105固定在基部2091而構成。推壓件本體2110係利用可伸縮之彈性材(例如氟樹脂合成橡膠材料)所形成，並在形成蛇腹狀之外周壁2111的前端，設置推壓部2113而構成。此外，前述推壓部2113係以可自由進出之方式***在設於盒體2102的貫穿孔2109中。此時推壓部 2113之下面位置係位於比基板吸附部2095之下面位置略為上方處。
此外，藉由將真空供給線2093連接在推壓件本體2110的背面側，對真空供給線2093供給真空壓時，推壓件本體2110內部係形成真空狀態，而當推壓件本體2110的外周壁2111內縮且推壓部2113被拉入盒體2101內(如第53圖B之狀態)，而使氣體供給到真空供給線2093時，推壓件本體2110之外周壁2111會伸展而使推壓部2113突出於盒體2101外部(如第57圖之狀態)。
基板保持部驅動部2120具備有：在其內部用以旋轉驅動吸附頭2089的基板旋轉用馬達2121；以及使基板座2083往上下之預定位置(至少3個位置)驅動之基板座驅動用汽缸2123。吸附頭2089係藉由基板旋轉用馬達2121旋轉驅動。而基板座2083係藉由基板座驅動用汽缸2123上下移動。亦即，吸附頭2089只能旋轉而不能上下移動，而基板座1083則只能上下移動而無法旋轉。
接著，說明基板保持裝置2080之動作。首先如第53圖A所示，在不使吸附頭2089旋轉的狀態下，將基板座2083移到最下方的位置(基板交付位置)，再藉由基板***口2087將基板搬送臂2127所吸附之基板W***基板座2083之內部，並藉由解除基板搬送臂2127的吸附將基板W載置在暫放部2085上。此時，基板W之被處理面係朝下。然後將基板搬送臂2127由基板***口2087中拔出。
接著，如第55圖A以及第55圖B所示，藉由使基板座2083上升並使基板吸附部2095之前端抵接並推壓至基板W之背面(上面)外周，而由基板吸附溝2097進行真空吸引，藉此將基板W吸附在基板吸附部2095。此時，真空力只會產生於與基板吸附部2095之基板W接觸之部分內部的基板吸附溝2097中。以此時的基板座2083的位置作為基板固定位置。藉此，由基板W之背面(被處理面與相反側之面)的基板吸附部2095所包圍的部分，係藉由基板吸附部2095所形成的密封而與被處理面隔開。
如前述一般，藉由真空吸附基板W時，以往一般係使用吸附頭，且吸附頭的內側整體係呈真空狀態，因此基板W會由中心往外周部大幅彎曲，不僅造成無法進行均勻鍍覆處理等不良影響，同時也會導致基板W產生破損的情形。
因此在本發明中，係藉由以環狀之小幅(直徑方向)的密封帶吸附基板W的外周，以儘量縮小吸附寬度，而消除其對基板W的影響(彎曲等)。具體而言，基板吸附部2095的寬度十分狹窄，且基板吸附部2095與基板W接觸的部分為從基板W外周至其內側5mm之間的部分。由於只有基板W背面之外周部與基板吸附部2095接觸，因此可避免進行下述基板處理時之藥液溫度傳導到基板吸附部2095之接觸面而造成溫度下降之情形。
接著，如第56圖A以及第56圖B所示，使基板座2083略為下降(例如數mm)而將基板W從暫放部 2085分離。以此時的基板座2083的位置作為基板處理位置。在該狀態下，使基板保持裝置2080整体下降，並將其浸漬於無圖示之鍍覆液中時，由於僅吸附保持基板W之背面，而得以使基板W之被處理面以及其邊緣部份完全浸漬於鍍覆液中，並進行該處理。
基板W由於只有其背面受到吸附保持，因此即使侵漬於鍍覆液Q中，鍍覆液Q在基板W上的流動L(參照第56圖B)也不會受到阻礙，而得以在整個被處理面上形成均勻的鍍覆液之流動。此外，隨著該鍍覆液之流動，形成於基板W之被處理面上的氣泡，或因鍍覆而產生的氣泡可由基板W之被處理面上朝上方排出。
藉此，可解決會對鍍覆造成不良影響之不均勻流動或氣泡的影響，而在包含邊緣的整個被處理面上進行均勻的鍍覆。此外，基板W背面之環狀真空吸附部分的內側，係藉由基板吸附部2095所形成之密封而與被處理面分隔，因此可避免處理液侵入基板W背面之基板吸附部2095的內側。
此時，如第56圖B所示，與真空供給線2093相連接之推壓件2100的推壓件本體2110，係藉由真空吸引使該推壓部2113拉入至盒體2101側，而與基板W背面僅分隔預定之狹窄間隔。因此，藉由使推壓部2113與基板W背面接觸，可避免處理基板時之溫度非傳導到推壓部2113的接觸面而造成溫度下降。
此時，由於係在吸附頭2089之基部2091 中設有通氣部2099，因此基部2091與基板W以及由基板吸附部2095所圍住的基板W背面的空間不會形成密閉空間，因此即使將基板W浸漬於鍍覆液中，而導致前述空間內的氣體產生膨脹或收縮，基板W也不會因此而產生彎曲。
完成基板W之鍍覆處理後，使基板座2083上升到第55圖A以及第55圖B所示之基板固定位置並將基板W載置於暫放部2085，藉由對真空供給線2093供給(惰性氣體、例如氮氣)，而由基板吸附溝2097中噴出該氣體，同時藉由該氣體之供給壓力對推壓件2100之推壓件本體2110內加壓而使推壓部2113由盒體2101突出，並由其背面推壓基板W。同時，藉由使基板座2083下降，而如第57圖所示使基板W由基板吸附部2095分離，然後，再使基板座2083下降到第53圖A以及第53圖B所示之基板交付位置。接著，由基板***口2087將基板搬送臂2127***，並將基板W拉出到外部。
如此，由於係形成由基板吸附溝2097噴出氣體的同時，藉由推壓件2100之推壓部2113推壓基板W之背面的構造，因此舉例而言，即使由密封材(例如橡膠材料等)所形成之基板吸附部2095因長時間變化而易於與基板黏接，且一旦吸附於基板吸附部2095的基板W也難以只藉由基板吸附溝2097的氣體噴出而剝除，但藉由推壓件2100之推壓部2113所進行之基板W的背面推壓，同樣可輕易且確實地將基板W剝除。亦即處理後的基板W的剝 除步驟，只需藉由對真空供給線2093供給氣體，即可利用推壓件100之推壓以及形成環狀密封之基板吸附部2095的氣體噴出確實地進行。
本發明之基板保持裝置係如第2圖所示，可作為前清洗單元240或前處理單元320、340，甚至鍍覆處理單元360等之基板處理裝置來使用，但並未限定於該等裝置，其同樣適用於各種構造之基板處理裝置或基板處理機構。
此外，在前述推壓件2100之形狀以及構造上當然可有各種變化。例如亦可在前述推壓件本體2110內收納可使推壓部2113朝由盒體2101突出的方向或向盒體2101內縮入的方向彈壓的線圈彈簧等彈壓裝置。
如上所詳述一般，根據本發明，不僅經真空吸附之基板不會產生彎曲，並具備有不論密封材之材質為何均能確實地剝除基板的優良效果。
100‧‧‧裝載卸載區
110‧‧‧裝載口
130、230、310‧‧‧載運基板機器人
150‧‧‧第1反轉機
200‧‧‧清洗區
210‧‧‧基板暫置台
240‧‧‧前清洗單元
250‧‧‧第2反轉機
260‧‧‧後清洗單元
270‧‧‧第1清洗部
290‧‧‧第2清洗乾燥部
300‧‧‧鍍覆處理區
320‧‧‧第1前處理單元
340‧‧‧第2前處理單元
360‧‧‧鍍覆處理單元
390‧‧‧鍍覆供給裝置

Claims (24)

  1. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述裝載-卸載區設置有：具有複數個乾式機械手之載運基板機器人；搭載基板收納匣之裝載口；及將基板由面朝上切換為面朝下之乾式反轉機。
  2. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述清洗區配置有：具有乾式機械手與濕式機械手以及背面吸附式機械手之載運基板機器人；用以清洗前述鍍覆處理區進行鍍覆處理前之基板的前清洗單元；及用以清洗在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理後之基板的後清洗單元。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中，前述後清洗單元係具有滾刷單元與旋轉乾燥單元。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中，在前述清洗區更配置有：在前述裝載-卸載區與前述清洗區間進行基板授受時用以暫置基板且具升降功能的乾式基板暫置台；及將在前述鍍覆處理區完成鍍覆處理後移送至前述 清洗區的基板由面朝下切換為面朝上之濕式反轉機。
  5. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區配置有：具有用以吸附基板的背面以保持該基板之複數個吸附機械手的載運基板機器人；在基板的表面進行施加催化劑處理之第1前處理單元；進行施加催化劑後之基板表面的藥液處理之第2前處理單元；及進行鍍覆處理之鍍覆處理單元。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中，前述鍍覆處理單元具備複數個，在前述鍍覆處理區更配置有用以將鍍覆液供給至前述複數個鍍覆處理單元的鍍覆液供給單元。
  7. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述清洗區設置有前清洗單元，該前清洗單元具有：用以收納第1處理液噴射部之容器，該第1處理液噴射部係用以使第1處理液與在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理前的基板接觸以進行清洗；在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前述容器之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及第2處理液 噴射部，該第2處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述容器之開口部的狀態下使第2處理液接觸前述基板以進行清洗。
  8. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述清洗區設置有進行鍍覆前之基板清洗之前清洗單元，該前清洗單元係構成為可使分別設置於前述清洗區與前述鍍覆處理區的載運基板機器人的機械手由左右出入(acccss)以進行基板之授受。
  9. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；在前述鍍覆處理區配置有第1前處理單元以及第2前處理單元，該第1前處理單元以及第2前處理單元具有：用以收納第1處理液噴射部之容器，該第1處理液噴射部係用以使第1處理液與進行鍍覆處理前的基板接觸以進行前處理；在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前述容器之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及第2處理液噴射部，該第2處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述容器之開口部的狀態下使第2處理液接觸前述基板 以進行清洗。
  10. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區設置有鍍覆處理單元，該鍍覆處理單元具有：儲存鍍覆液之處理槽；在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前述處理槽之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及處理液噴射部，該處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述處理槽之開口部的狀態下使清洗液接觸前述基板以進行清洗。
  11. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述清洗區係設置有：將在前述鍍覆處理區完成鍍覆處理後之基板清洗的後清洗單元；將在前述鍍覆處理區完成鍍覆處理前之基板予以清洗的前清洗單元；及分別提供清洗用藥液給前述前清洗單元與前述後清洗單元之藥液供給單元。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基板處理裝置，其中，前述後清洗單元係具有滾刷單元與旋轉乾燥單元。
  13. 一種基板處理裝置，係具有： 進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區設置有：使處理液接觸鍍覆處理前之基板以進行前處理之第1前處理單元；使其他處理液接觸已完成第1前處理單元之前處理之基板以進行前處理之第2前處理單元；及提供前述第1以及第2前處理單元所使用之處理液用藥液之藥液供給單元。
  14. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述裝載-卸載區設有不具移動軸之固定式載運基板機器人。
  15. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述清洗區係配置有一支機械臂上安裝有複數個機械手之載運基板機器人。
  16. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及 進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述清洗區及/或前述鍍覆處理區配置有：以表面朝下之方式保持並搬送基板之具有背面吸附型真空臂之載運基板機器人。
  17. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區配置有：具備真空臂之載運基板機器人，而該真空臂具有：具備基板吸附面且可在基板吸附方向伸縮自如之基板吸附墊；及設置於該基板吸附墊周圍，並在其表面設置基準面，並藉由收縮吸附有基板之基板吸附墊，使基板抵接於前述基準面以進行基板定位之固定構件。
  18. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區配置有複數個鍍覆處理單元，該鍍覆處理單元具有：儲存鍍覆液之處理槽；在使由基板保持裝置所保持之基板移動至前述處理槽之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及處理液噴射部，該處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述處理槽的開口部的狀態下使清洗 液接觸前述基板以進行清洗。
  19. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在設置於前述洗淨區用以將在前述鍍覆處理區進行鍍覆處理前之基板洗淨的前洗淨單元、設置於前述鍍覆處理區並且使處理液接觸鍍覆處理前之基板以進行前處理的前處理單元、或設置於前述鍍覆處理區且用以對已完成前處理之基板進行鍍覆處理之鍍覆處理單元的其中至少一個單元，安裝用以將處理用液體或洗淨用液體對基板之被處理面進行噴霧的噴霧噴嘴，該噴霧噴嘴係面狀地設置於複數位置，俾將前述處理用或洗淨用液體均勻地噴霧於基板被處理面之整體領域。
  20. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板的鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區配置有：在使由吸附頭所保持之基板***處理槽內部的狀態下由鍍覆液對基板之被處理面進行接觸處理的鍍覆處理單元，前述吸附頭係在基部之下表面外周安裝環狀的基板吸附部，該基板吸附部係以環狀方式真空吸附基板 背面，並為了防止鍍覆液滲入基板之背面之真空吸附部分之內側而加以密封，前述基部設有使吸附於前述基板吸附部之基板與前述基部間的空間開放的開口部。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中，係設有可使真空吸附基板之前述吸附頭進行高速旋轉之驅動部。
  22. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板的鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區設置有：在使由吸附頭所保持之基板***處理槽內部的狀態下由鍍覆液對基板之被處理面進行接觸處理的鍍覆處理單元，前述吸附頭則具備有環狀的基板吸附部，該基板吸附部係以環狀方式真空吸附基板背面，並為了防止鍍覆液滲入基板之背面之真空吸附部分之內側而加以密封，且前述基板吸附部吸附於前述基板之位置，係在基板外周附近未形成裝置部分的背面。
  23. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區設置有在使由吸附頭所保持 之基板***處理槽內部的狀態下由鍍覆液對基板之被處理面進行接觸處理的鍍覆處理單元，在前述吸附頭配設有基板吸附部，該基板吸附部具有基板吸附溝，且將真空供給線連接在該基板吸附溝以真空吸附基板之背面，而前述真空供給線，除了進行真空吸引外還提供惰性氣體或清洗液，並且在基板吸附部附近設置清洗用噴霧噴嘴，利用前述清洗用噴霧噴嘴由外部清洗基板吸附部，並且由前述真空供給線將惰性氣體或清洗液供給至前述基板吸附溝，而藉此清洗真空供給線以及基板吸附溝的內部。
  24. 一種基板處理裝置，係具有：進行基板之取出放入之裝載-卸載區；清洗基板之清洗區；及進行基板之鍍覆處理之鍍覆處理區；而在前述鍍覆處理區設置有前處理單元，該前處理單元係使處理液接觸鍍覆處理前之基板以進行前處理，而該前處理單元具有：儲存處理液之處理槽；在使由基板固定頭所保持之基板移動到前述處理槽之開口部上方的狀態下封閉該開口部之蓋構件；以及處理液噴射部，該處理液噴射部係搭載於該蓋構件，並在以蓋構件封閉前述處理槽之開口部的狀態下使清洗液 接觸前述基板以進行清洗，在前述基板固定頭係設有傾斜機構。
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