JP6920133B2 - 処理液供給装置 - Google Patents

処理液供給装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6920133B2
JP6920133B2 JP2017160312A JP2017160312A JP6920133B2 JP 6920133 B2 JP6920133 B2 JP 6920133B2 JP 2017160312 A JP2017160312 A JP 2017160312A JP 2017160312 A JP2017160312 A JP 2017160312A JP 6920133 B2 JP6920133 B2 JP 6920133B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pump
chamber
supply device
liquid supply
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017160312A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019040946A (ja
Inventor
淳樹 西村
淳樹 西村
小椋 浩之
浩之 小椋
真人 柏山
真人 柏山
徹 門間
徹 門間
将司 桐田
将司 桐田
栄寿 佐川
栄寿 佐川
省吾 吉田
省吾 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2017160312A priority Critical patent/JP6920133B2/ja
Priority to TW107124460A priority patent/TWI697028B/zh
Priority to KR1020180087114A priority patent/KR102129666B1/ko
Priority to US16/045,874 priority patent/US11404629B2/en
Priority to CN201810857481.6A priority patent/CN109427621B/zh
Publication of JP2019040946A publication Critical patent/JP2019040946A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6920133B2 publication Critical patent/JP6920133B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B43/00Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members
    • F04B43/02Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members having plate-like flexible members, e.g. diaphragms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B53/00Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
    • F04B53/16Casings; Cylinders; Cylinder liners or heads; Fluid connections
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B53/00Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
    • F04B53/20Filtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80Constructional details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Reciprocating Pumps (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Details Of Reciprocating Pumps (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)表示装置などのFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板(以下、単に基板と称する)に対して、処理液を供給する処理液供給装置に関する。
従来、この種の装置として、処理液を取り込む取り込み配管と、処理液を基板に対して送り出す送出配管と、取り込み配管と送出配管とにおける処理液の流通を制御するエア弁と、取り込み配管から処理液を吸い込むとともに送出配管に処理液を送り出すチャンバと、チャンバに作用して処理液を送り出すモータとを備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。この装置では、処理液が流通する取り込み配管と、送出配管と、エア弁と、チャンバとがモータの上方に配置されている。
特開2013−100825号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、電気的に動作するモータの熱によって周囲の空気が熱せられる。加熱された空気が上昇することにより、モータの上方に配置されている取り込み配管、送出配管やチャンバに熱が伝達する。その結果、配管内やチャンバ内の処理液が変質したり劣化したりする恐れがある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱が処理液に伝達することを抑制することにより、熱の影響による処理液の変質や劣化を防止できる処理液供給装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理するための処理液を供給する処理液供給装置において、処理液が流通可能な通液部と、容積の変化により前記通液部との間で処理液の送受を行うチャンバと、電気的に駆動され、前記チャンバの容積を変化させるチャンバ駆動部とを有するポンプと、を備え、前記通液部と、前記チャンバと、前記チャンバ駆動部とは、その順で横方向に配置されており、前記ポンプを第1のポンプと第2のポンプとして二台備え、前記第1のポンプが処理液の流れの上流側に配置され、前記第2のポンプが処理液の流れの下流側に配置されているとともに、前記第2のポンプが前記第1のポンプの上部に配置されていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、熱を発生するチャンバ駆動部が通液部とチャンバの横方向に配置されているので、チャンバ駆動部の熱によってチャンバ駆動部の周囲の環境温度が上昇しても、通液部やチャンバが加熱された空気に曝されることがない。つまり、通液部とチャンバへ熱が伝達することを抑制できる。したがって、熱の影響による処理液の変質や劣化を防止できる。また、第1のポンプと第2のポンプを備えているので、処理液の送受を効率的に行うことができつつも、第1のポンプと第2のポンプとを重ねて配置するので、占有面積を小さくできる。
また、本発明において、前記通液部と、前記チャンバと、前記チャンバ駆動部とは、直線状に配置されていることが好ましい(請求項2)。
直線状に配置されているので、駆動部の動作を効率的に行うことができる。
また、本発明において、前記ポンプは、前記チャンバと前記チャンバ駆動部との間に、前記チャンバ駆動部の熱が前記チャンバ側へ伝達することを抑制する空気層を備えていることが好ましい(請求項3)。
チャンバ駆動部からの熱がチャンバへ伝達することを空気層により抑制できるので、さらに熱の影響を抑制できる。
また、本発明において、前記ポンプは、前記チャンバがダイヤフラムを備えていることが好ましい(請求項4)。
ダイヤフラムの変形により処理液を通液部との間で送受できる。
また、本発明において、前記通液部は、非電気的に駆動され、処理液の流通を許容または遮断する非電気的動作開閉弁を備え、前記非電気的動作開閉弁は、電気的に駆動される電気的駆動弁で開閉が操作され、前記電気的駆動弁は、前記チャンバに対して前記チャンバ駆動部側に配置されていることが好ましい(請求項5)。
通液部に設けられた非電気的動作開閉弁を操作する電気的駆動弁が熱を発するが、チャンバ駆動部側に配置されているので、処理液に熱が伝達することを抑制できる。
なお、非電気的動作開閉弁とは、例えば、付勢手段で付勢されている弁体を空気の供給・遮断で開閉動作させたり、付勢されていない弁体を空気の供給・遮断と真空の供給・遮断とで駆動したりするエア弁である。また、電気的駆動弁とは、例えば、ソレノイドへの通電・遮断により弁体を駆動する電磁弁などである。
また、本発明において、前記チャンバ駆動部を制御する制御基盤を備え、前記制御基盤は、前記チャンバに対して前記チャンバ駆動部側に配置されていることが好ましい(請求項6)。
制御基盤は電気的に動作する関係上、熱を発するが、チャンバ駆動部側に配置されているので、処理液に熱が伝達することを抑制できる。
また、本発明において、前記通液部は、さらにフィルタを備え、前記フィルタは、平面視で前記チャンバを挟んで前記チャンバ駆動部の反対側の端部に配置されていることが好ましい(請求項7)。
チャンバ駆動部の熱がフィルタに伝達することを抑制でき、フィルタが端部に配置されているので、交換作業も容易にできる。
(削除)
(削除)
また、本発明において、前記第1のポンプと前記第2のポンプとは、互いのチャンバ駆動部が平面視で重なる同じ位置に配置されていることが好ましい(請求項9)。
ポンプが二台であっても、熱を発するチャンバ駆動部が同じ位置に配置されているので、処理液へ熱が伝達することを抑制できる。
また、本発明において、前記通液部は、さらにフィルタを備え、前記第2のポンプは、前記第1のポンプから前記フィルタを介して前記通液部と連通接続され、前記フィルタと前記第2のポンプとを連通接続している前記通液部は、前記フィルタから前記第2のポンプより低い位置まで処理液が下向きに流通するように配置され、前記第2のポンプのチャンバに処理液が上向きに流通するように配置され、処理液が上向きに流通する部分に、非電気的に駆動され、処理液の流通を許容または遮断する非電気的動作開閉弁を備えていることが好ましい(請求項10)。
フィルタでは、処理液中の気泡が捕捉されるが、それが第2のポンプへ連通接続された通液部に入り込むことがある。この場合、処理液が下向きに流通する通液部に非電気動作開閉弁を設けると、非電気動作開閉弁の流路における構造部に表面張力により気泡が引っかかり易く、その上、気泡の浮力の影響もあって、下向きに気泡を送って第2のポンプにまで送り込むことが困難である。そこで、一旦、フィルタから処理液が下向きに流通するように通液部を配置し、そこから第2のポンプへ処理液が上向きに流通する部分に非電気動作開閉弁を設けておく。これにより、非電気動作開閉弁の流路における構造部に表面張力により気泡が引っかかっていても、気泡の浮力もあって、第2のポンプへ気泡を送り込むことができる。したがって、フィルタの下流の通液部に気泡が溜まって処理液の送受に悪影響が生じることを防止できる。
本発明に係る処理液供給装置によれば、熱を発生するチャンバ駆動部が通液部とチャンバの横方向に配置されているので、チャンバ駆動部の熱によってチャンバ駆動部の周囲の環境温度が上昇しても、通液部やチャンバが加熱された空気に曝されることがない。つまり、通液部とチャンバへ熱が伝達することを抑制できる。したがって、熱の影響による処理液の変質や劣化を防止できる。また、第1のポンプと第2のポンプを備えているので、処理液の送受を効率的に行うことができつつも、第1のポンプと第2のポンプとを重ねて配置するので、占有面積を小さくできる。
実施例に係る処理液供給装置の全体構成を示す側面図である。 実施例に係る処理液供給装置の概略構成を示す平面図である。 ポンプの縦断面図である。 処理液の流通経路を示した図である。 開閉弁を下方に流れる処理液中における気泡の挙動を示した模式図である。 開閉弁を上方に流れる処理液中における気泡の挙動を示した模式図である。 ポンプが一つの場合の処理液の流通経路を示した図である。 実施例に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概略構成図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図1は、実施例に係る処理液供給装置の全体構成を示す側面図であり、図2は、実施例に係る処理液供給装置の概略構成を示す平面図であり、図3は、ポンプの縦断面図であり、図4は、処理液の流通経路を示した図である。
処理液供給装置1は、図示しない基板を処理するための処理液を供給するための装置である。処理液としては、例えば、感光性を有するフォトレジスト液が挙げられる。この処理液供給装置1は、水平に配置されたベース板と、このベース板の両端部に立設された板状部材とからなる装置フレーム3を備えている。
装置フレーム3のうち、右側に立設された部分には、内側面に沿って制御基盤5が取り付けられている。この制御基盤5は、マイクロコントローラ、モータドライバやメモリなどを備えている。制御基盤5は、処理液供給装置1が作動している際には、通電されており、後述するモータなどを制御する関係上、熱を発する。
装置フレーム3の中央部であって、制御基盤5側には、第1のポンプ7と、第2のポンプ9とが配置されている。第1のポンプ7は、取り付け台11を介して装置フレーム3の上面から離間した状態で装置フレーム3に取り付けられている。第2のポンプ9は、第1のポンプ7の上部に取り付けられた取り付け台13を介して、第1のポンプ7の上面から離間した状態で第1のポンプ7の上部に取り付けられている。図2に示すように、第1のポンプ7と第2のポンプ9とは、平面視で重なる同じ位置に配置されている。これにより占有面積を小さくできる。
第1のポンプ7と第2のポンプ9は、同じ構造であるので、ここでは第1のポンプ7についてのみ構造を詳細に説明する。なお、図1では、第1のポンプ7と第2のポンプ9との形状が異なっているが、これは切断面が異なるためである。
第1のポンプ7は、モータ15と、チャンバ17とを備えている。モータ15は、例えば、ステッピングモータである。具体的には、図3に示すように、モータ15は、磁界を内周側に発生させるステータ19と、ステータ19の内周側に回転可能に配置され、筒状を呈したロータ21と、ロータ21の中空部に螺合され、ロータ21の回転によりロータ21に対して進退駆動されるシャフト23とを備えている。モータ15は、ステータ19の巻き線に通電することで磁界を発生させてロータ21に回転力を生じさせるので、動作時には熱を発する。
シャフト23の一端側には、チャンバ17が取り付けられている。シャフト23の他端側には、図3では省略されたカバーが取り付けられている。チャンバ17は、モータ15側からガイド部25と、チャンバ本体27とを備えている。ガイド部25にはガイドピン31が挿通されている。ガイドピン31は、シャフト23にその一端側が連結され、チャンバ本体27側に設けられたダイヤフラム29にその他端側が連結されている。ガイド部25には、ガイドピン31が案内される案内孔33から所定距離離間した位置から外周側に向かって空洞部35が形成されている。空洞部35は、シャフト23方向から見た場合、案内孔33の外周を囲うように形成されている。
ガイド部25のチャンバ本体27側には、ダイヤフラム29の中央に位置する肉厚部37とガイドピン31の他端側を収容する凹部39が形成されている。ダイヤフラム29は、その薄肉部41の外縁がガイド部25とチャンバ本体27の合わせ面で挟持され固定されている。ダイヤフラム29は、樹脂製であり、例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン:polytetrafluoroethylene)で構成されている。
チャンバ本体27は、凹部39側に貯留部43を形成されている。この貯留部43は、シャフト23方向から見た場合に円形状を呈し、縦断面がシャフト23に対して直交する方向に形成された鉛直面47がガイド部25の反対側に形成されている。この鉛直面47は、シャフト23方向から見た場合の直径が、凹部39の直径より小さく形成されている。また、鉛直面47は、その外周縁から、凹部39の内周面より若干大径となる円とを結ぶように傾斜面49が形成されている。鉛直面47は、貯留部43と外部とに連通した検査開口部51を形成されている。この検査開口部51には、貯留部43内の圧力を測定する圧力センサ53が取り付けられている。
傾斜面49のうちの下部には、貯留部43と外部とを連通接続する第1の連通口55と第2の連通口57とが形成されている。第1の連通口55と第2の連通口57は、ガイド部25側から見た場合、貯留部43の中心部より下方であって、貯留部43の縦方向における中心線を挟んで左右対称な位置関係で形成されている。また、第1の連通口55と第2の連通口57は、その中心軸が傾斜面49とほぼ直交する位置関係となるように形成されている。貯留部43の中心部よりも上方であって、貯留部43の縦方向における中心線の位置には、第3の連通口59が形成されている。換言すると、貯留部43内における最も高い位置に連通するように、第3の連通口59が形成されている。この第3の連通口59も、その中心軸が傾斜面49とほぼ直交する位置関係となるように形成されている。
上述した構成の第1のポンプ7は、モータ15を駆動してシャフト23をモータ15側に後退させると、図3に示すようにダイヤフラム29の肉厚部37が凹部39に収納されて退避された状態となる(吸い込み動作)。この吸い込み動作により、貯留部43には処理液が吸い込まれて受け入れられる。また、モータ15を駆動してシャフト23をチャンバ本体27側に進出させると、ダイヤフラム29の肉厚部37が鉛直面47に近い位置にまで進出された状態となる(送り出し動作)。この送り出し動作により、貯留部43に貯留されていた処理液が送り出される。
図1の側面図において左側に立設された装置フレーム3には、第1のポンプ7及び第2のポンプ9の反対側にフィルタ61が着脱自在に取り付けられている。フィルタ61は、処理液を濾過し、処理液中のパーティクルや気泡を捕捉する。フィルタ61は、注入部63と、排出部65とを備えている。注入部63は、処理液が注入され、排出部65は、フィルタ61で濾過された処理液を排出する。このようにフィルタ61は、平面視でチャンバ17を挟んでモータ15の反対側の端部に配置されているので、フィルタ61に熱が伝達することを抑制できる。また、フィルタ61が端部に配置されているので、交換作業も容易にできる。
図4に示すように、第1のポンプ7は、その第1の連通口55が、図示しない処理液供給源に対して第1の配管67で連通接続されている。第1の配管67には、開閉弁69が取り付けられている。開閉弁69は、処理液が上から下に流通することを許容したり遮断したりする。
第1のポンプ7は、その第3の連通口59がフィルタ61の注入部63に第2の配管71で連通接続されている。第2の配管71には、開閉弁73が取り付けられている。開閉弁73は、処理液が上から下に流通することを許容したり遮断したりする。
フィルタ61は、その排出部65が第2のポンプ9の第2の連通口57と第3の配管75で連通接続されている。第3の配管75は、フィルタ61から第2のポンプ9より低い位置であって、第1のポンプ7の高さ位置より低い、底面を構成する装置フレーム3まで下方に向かって延出された下延出部75aと、下延出部75aから第2のポンプ9にまで上方に向かって延出された上延出部75bとを備えている。第3の配管75には、その上延出部75bに開閉弁77が取り付けられている。下延出部75aは、処理液を下方に向かって流通させ、上延出部75bは、処理液を上方に向かって流通させる。
第2のポンプ9は、その第2の連通口55が図示しない処理液の供給先に第4の配管79で連通接続されている。第4の配管79には、開閉弁81が取り付けられている。開閉弁81は、処理液が下から上に流通することを許容したり遮断したりする。なお、開閉弁81は、処理液供給装置1の外部にあってもよい。
第1のポンプ7の第2の連通口57と第2のポンプ9の第3の連通口59とは、第5の配管83で連通接続されている。第5の配管83には、開閉弁85が取り付けられている。開閉弁85は、処理液が上から下及び下から上に流通することを許容したり遮断したりする。
なお、上述した開閉弁69,73,77,81,85は、例えば、エアを供給されることで流通を許容し、エアを遮断されることで流通を遮断するエア動作弁である。
底面を構成する装置フレーム3のうち、第1のポンプ7の下部には、電磁弁ユニット87が配置されている。この電磁弁ユニット87は、複数個の電磁弁を備えている。電磁弁は、ソレノイドを内蔵し、電気的に弁を開閉される。電磁弁ユニット87は、ユーティリティなどから所定圧力のエアが供給されるエア供給部89からのエアが供給されている。電磁弁ユニット87を構成する各電磁弁は、上述した各開閉弁69,73,77,81,85の動作に必要なエアを供給したり遮断したりする。電磁弁ユニット87は、制御基盤5により操作され、各電磁弁を操作することで各開閉弁69,73,77,81,85の開閉を制御する。
なお、上述したフィルタ61と、第1の配管67と、第2の配管71と、第3の配管75と、第4の配管79と、第5の配管83が本発明における「通液部」に相当する。また、上述したモータ15が本発明における「チャンバ駆動部」に相当する。また、空洞部35が本発明における「空気層」に相当する。さらに、開閉弁69,73,77,81,85が「非電気的動作開閉弁」に相当し、電磁弁ユニット87が「電気的駆動弁」に相当する。
このように構成されている処理液供給装置1は、処理液の供給の際に、例えば、次のように動作する。
初期状態としては、制御基盤5により電磁弁ユニット87が操作され、各開閉弁69,73,77,81,85が閉止されているものとする。この状態で、まず、制御基盤5は、電磁弁ユニット87を操作して、開閉弁69を開放させる。次いで、制御基盤5は、第1のポンプ7を動作させて第1の連通口55を介してチャンバ17の貯留部43に処理液供給源からの処理液を吸い込んで受け入れる。具体的には、ダイヤフラム29をモータ15側に移動させ、貯留部43の容積を最大限の状態にする(吸い込み動作)。
次に、制御基盤5は、電磁弁ユニット87を介して開閉弁69を閉止させるとともに開閉弁73,77を開放させる。制御基盤5は、第1のポンプ7を図3に示すように、貯留部43の容積を最小限にするように、ダイヤフラム29をモータ15の反対側に移動(送り出し動作)させるとともに、第2のポンプ9のダイヤフラム29をモータ15側に移動させ、貯留部43の容積を最大限の状態にする(吸い込み動作)。これにより、第1のポンプ7から送り出された処理液をフィルタ61で濾過させつつ、第2のポンプ9の第2の連通口57を介してチャンバ17の貯留部43に吸い込んで受け入れる。
次に、制御基盤5は、電磁弁ユニット87を介して、開閉弁73,77を閉止させるとともに、開閉弁81を開放させる。第2のポンプ9を動作させて、貯留部43の容積を最小限にするようにダイヤフラム29をモータ15の反対側に移動させる送り出し動作により、第2のポンプ9の第1の連通口55から処理液を供給先に送り出す。
なお、処理液中の気泡は、フィルタ61により捕捉されるが、これをすり抜けて気泡が第2のポンプ9の貯留部43に滞留することがある。その場合には、開閉弁81を閉止するとともに、開閉弁85を開放させる。そして、処理液供給時よりも少量の処理液を送り出すように第2のポンプ9を送り出し動作させるととともに、処理液供給時よりも少量の処理液を吸い込むように第1のポンプ7を吸い込み動作させることにより、気泡を再びフィルタ61で捕捉させることができる。これにより、気泡が含まれている処理液が供給先に供給される不都合を回避できる。
上述したように処理液供給装置1により処理液の供給動作が行われる。このとき制御基盤5と、第1のポンプ1と第2のポンプ9のモータ15と、電磁弁ユニット87とが発熱する。処理液が流通するのは、チャンバ17と、通液部である、フィルタ61と、第1の配管67と、第2の配管71と、第3の配管75と、第4の配管79と、第5の配管83である。チャンバ17や通液部は上述した発熱源からは横方向に離れて配置されている。したがって、モータ15や電磁弁ユニット87のような発熱源で発生した熱によってその周囲の環境温度が上昇しても、チャンバ17や通液部が加熱された空気に曝されることがない。つまり、チャンバ17や通液部へ熱が伝達することを抑制できる。したがって、熱の影響による処理液の変質や劣化を防止できる。
また、第1のポンプ7及び第2のポンプ9は、空洞部35を備えているので、モータ15からの熱がチャンバ17へ伝達することを抑制できるので、さらに熱の影響を抑制できる。
また、第1のポンプ7が処理液の流れの上流側に配置され、第2のポンプ9が処理液の流れの下流側に配置されている。したがって、処理液の送受を効率的に行うことができつつ、第1のポンプ7と第2のポンプ9とを上下に重ねて配置するので、占有面積を小さくできる。また、第1のポンプ7と第2のポンプ9とは、互いのモータ15が平面視で重なる同じ位置に配置されている。したがって、ポンプが二台であっても、熱を発するモータ15が同じ位置に配置されているので、処理液へ熱が伝達することを抑制できる。
また、本実施例装置は、上述したように、第3の配管75が下延出部75aと上延出部75bとを備えている。そして、上延出部75bに開閉弁77が取り付けられている。第3の配管75は、フィルタ61の排出部65と第2のポンプ9の第2の連通口57とを連通接続するものであるが、下延出部75aが第1のポンプ7付近まで下げられた後に、上延出部75bで持ち上げられている。このようにわざわざ遠回りに配管を配置したのは、次の理由による。ここで、図5及び図6を参照する。なお、図5は、開閉弁を下方に流れる処理液中における気泡の挙動を示した模式図であり、図6は、開閉弁を上方に流れる処理液中における気泡の挙動を示した模式図である。開閉弁77は、移動する弁体77aと、弁体77aを受ける弁座77bとを備え、それらと湾曲した流路を含む構造部を備えている。
図5に示すように、下向きに処理液が流通する配管に開閉弁77を設けると、開閉弁77の流路における構造部に表面張力により気泡が引っかかり易く、その上、気泡の浮力の影響もあって、下向きに気泡を送って第2のポンプ9にまで送り込むことが困難である。そこで、一旦、フィルタ61から処理液が下向きに流通するように第3の配管75の下延出部75aを配置し、そこから第2のポンプ9へ処理液が上向きに流通する上延出部75bに開閉弁77を設けておく。これにより、図6に示すように、開閉弁77の流路における構造部に表面張力により気泡が引っかかっていても、気泡の浮力もあって、第2のポンプ9へ気泡を送り込むことができる。したがって、フィルタ61の下流の通液部に気泡が溜まって処理液の送受に悪影響が生じることを防止できる。
なお、上述した実施例では、第1のポンプ7と第2のポンプ9との2台のポンプを備えた例をとって説明したが、本発明はこのような構成に限定されない。ここで、図7を参照する。なお、図7は、ポンプが一つの場合の処理液の流通経路を示した図である。
この例では、第1の配管67は、処理液供給源とフィルタ61の注入部63とを連通接続し、開閉弁69を備えている。また、第3の配管75は、フィルタ61の排出部65とポンプ9の第2の連通口57とを連接接続し、開閉弁77を備えている。この場合であっても、第3の配管75は、下延出部75aと上延出部75bとを備え、開閉弁77は上述した理由により上延出部75bに設けられていることが好ましい。また、排液管91は、ポンプ9の第1の連通口55と排液処理部とを連通接続し、開閉弁93を備えている。このような一台のポンプ9を備えている場合であっても、上述したように配管、フィルタ61、チャンバ17をモータ15や制御基盤5から離間させて横方向に配置することにより、同様の効果を奏する。
また、上述した処理液供給装置1は、例えば、基板の処理を行う基板処理装置に好適である。ここで図8を参照する。なお、図8は、実施例に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概略構成図である。
この基板処理装置101は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉処理装置である。スピンチャック103は、基板Wを水平姿勢で回転可能に保持する。回転駆動部105は、スピンチャック103を基板Wとともに鉛直軸周りに回転させる。飛散防止カップ107は、スピンチャック103の周囲を囲い、処理液の飛散を防止する。スピンチャック103の上方には、処理液ノズル109が配置されている。処理液ノズル109は、飛散防止カップ107の側方にあたる待機位置と、図8に示す供給位置との間を揺動可能に構成されている。処理液供給源111は、処理液を貯留している。上述した処理液供給装置1は、第1の配管67が処理液供給源111と連通接続され、第4の配管79が処理液ノズル109に連通接続されている。
このように構成された基板処理装置101は、処理液に対して熱による悪影響が抑制されているので、基板Wに対して処理液による処理を好適に行うことができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、ポンプ7,9が空洞部35を備えているが、本発明はこれを必須とするものではない。つまり、空洞部35がなくても、通液部と、チャンバと、チャンバ駆動部とがその順で横方向に配置されていればよい。
(2)上述した実施例では、チャンバ17がダイヤフラム29を備えた構成を例にとって説明したが、本発明はダイヤフラム29に代えてチューブフラムを備えた構成であってもよい。
(3)上述した実施例では、各開閉弁69,73,77,81,85が、バネなどの付勢手段で付勢されている弁体を空気の供給・遮断で動作するものとした。しかしながら、本発明における非電気的開閉弁は、これに限定されない。本発明における非電気的開閉弁は、電気的に動作しない開閉弁を全て含み、例えば、付勢されていない弁体を空気の供給・遮断と真空の供給・遮断とで駆動するものであってもよい。
(4)上述した実施例では、フィルタ61の下流側に配置された第3の配管75の上延出部75bに開閉弁77を設けているが、このような構成は本発明に必須ではない。つまり、フィルタ61との配置の関係に起因する気泡による悪影響がない、あるいは許容できる場合には、第3の配管75を最短距離で第2のポンプ9に連通接続するようにしてもよい。
1 … 処理液供給装置
3 … 装置フレーム
5 … 制御基盤
7 … 第1のポンプ
9 … 第2のポンプ
15 … モータ
17 … チャンバ
19 … ステータ
21 … ロータ
29 … ダイヤフラム
43 … 貯留部
55 … 第1の連通口
57 … 第2の連通口
59 … 第3の連通口
61 … フィルタ
63 … 注入部
65 … 排出部
67 … 第1の配管
69,73,77,81,85 … 開閉弁
71 … 第2の配管
75 … 第3の配管
79 … 第4の配管
83 … 第5の配管
87 … 電磁弁ユニット

Claims (9)

  1. 基板を処理するための処理液を供給する処理液供給装置において、
    処理液が流通可能な通液部と、
    容積の変化により前記通液部との間で処理液の送受を行うチャンバと、電気的に駆動され、前記チャンバの容積を変化させるチャンバ駆動部とを有するポンプと、
    を備え、
    前記通液部と、前記チャンバと、前記チャンバ駆動部とは、その順で横方向に配置されており、
    前記ポンプを第1のポンプと第2のポンプとして二台備え、
    前記第1のポンプが処理液の流れの上流側に配置され、前記第2のポンプが処理液の流れの下流側に配置されているとともに、前記第2のポンプが前記第1のポンプの上部に配置されていることを特徴とする処理液供給装置。
  2. 請求項1に記載の処理液供給装置において、
    前記通液部と、前記チャンバと、前記チャンバ駆動部とは、直線状に配置されていることを特徴とする処理液供給装置。
  3. 請求項1または2に記載の処理液供給装置において、
    前記ポンプは、前記チャンバと前記チャンバ駆動部との間に、前記チャンバ駆動部の熱が前記チャンバ側へ伝達することを抑制する空気層を備えていることを特徴とする処理液供給装置。
  4. 請求項1から3のいずれかに記載の処理液供給装置において、
    前記ポンプは、前記チャンバがダイヤフラムを備えていることを特徴とする処理液供給装置。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載の処理液供給装置において、
    前記通液部は、非電気的に駆動され、処理液の流通を許容または遮断する非電気的動作開閉弁を備え、
    前記非電気的動作開閉弁は、電気的に駆動される電気的駆動弁で開閉が操作され、
    前記電気的駆動弁は、前記チャンバに対して前記チャンバ駆動部側に配置されていることを特徴とする処理液供給装置。
  6. 請求項1から5のいずれかに記載の処理液供給装置において、
    前記チャンバ駆動部を制御する制御基盤を備え、
    前記制御基盤は、前記チャンバに対して前記チャンバ駆動部側に配置されていることを特徴とする処理液供給装置。
  7. 請求項1から6のいずれかに記載の処理液供給装置において、
    前記通液部は、さらにフィルタを備え、
    前記フィルタは、平面視で前記チャンバを挟んで前記チャンバ駆動部の反対側の端部に配置されていることを特徴とする処理液供給装置。
  8. 請求項に記載の処理液供給装置において、
    前記第1のポンプと前記第2のポンプとは、互いのチャンバ駆動部が平面視で重なる同じ位置に配置されていることを特徴とする処理液供給装置。
  9. 請求項またはに記載の処理液供給装置において、
    前記通液部は、さらにフィルタを備え、
    前記第2のポンプは、前記第1のポンプから前記フィルタを介して前記通液部と連通接続され、
    前記フィルタと前記第2のポンプとを連通接続している前記通液部は、前記フィルタから前記第2のポンプより低い位置まで処理液が下向きに流通するように配置され、前記第2のポンプのチャンバに処理液が上向きに流通するように配置され、処理液が上向きに流通する部分に、非電気的に駆動され、処理液の流通を許容または遮断する非電気的動作開閉弁を備えていることを特徴とする処理液供給装置。
JP2017160312A 2017-08-23 2017-08-23 処理液供給装置 Active JP6920133B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017160312A JP6920133B2 (ja) 2017-08-23 2017-08-23 処理液供給装置
TW107124460A TWI697028B (zh) 2017-08-23 2018-07-16 處理液供給裝置
KR1020180087114A KR102129666B1 (ko) 2017-08-23 2018-07-26 처리액 공급 장치
US16/045,874 US11404629B2 (en) 2017-08-23 2018-07-26 Treating solution supply apparatus
CN201810857481.6A CN109427621B (zh) 2017-08-23 2018-07-31 处理液供给装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017160312A JP6920133B2 (ja) 2017-08-23 2017-08-23 処理液供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019040946A JP2019040946A (ja) 2019-03-14
JP6920133B2 true JP6920133B2 (ja) 2021-08-18

Family

ID=65434526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017160312A Active JP6920133B2 (ja) 2017-08-23 2017-08-23 処理液供給装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11404629B2 (ja)
JP (1) JP6920133B2 (ja)
KR (1) KR102129666B1 (ja)
CN (1) CN109427621B (ja)
TW (1) TWI697028B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6966260B2 (ja) 2017-08-30 2021-11-10 株式会社Screenホールディングス ポンプ装置、処理液供給装置および基板処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5490765A (en) * 1993-05-17 1996-02-13 Cybor Corporation Dual stage pump system with pre-stressed diaphragms and reservoir
KR100277522B1 (ko) * 1996-10-08 2001-01-15 이시다 아키라 기판처리장치
JP4902067B2 (ja) * 2001-08-07 2012-03-21 シーケーディ株式会社 液体供給装置
JP3947398B2 (ja) * 2001-12-28 2007-07-18 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
WO2004046418A1 (ja) 2002-11-15 2004-06-03 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法
JP4541069B2 (ja) * 2004-08-09 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 薬液供給システム
JP4723218B2 (ja) * 2004-09-10 2011-07-13 シーケーディ株式会社 薬液供給用ポンプユニット
WO2006057957A2 (en) * 2004-11-23 2006-06-01 Entegris, Inc. System and method for a variable home position dispense system
US7878765B2 (en) 2005-12-02 2011-02-01 Entegris, Inc. System and method for monitoring operation of a pump
US7850431B2 (en) 2005-12-02 2010-12-14 Entegris, Inc. System and method for control of fluid pressure
JP5873687B2 (ja) * 2011-11-01 2016-03-01 日本ピラー工業株式会社 ダイヤフラムポンプ
US10399018B2 (en) * 2013-08-16 2019-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Liquid supply system and method
JP5967045B2 (ja) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
CN106662083B (zh) * 2014-05-28 2018-11-27 恩特格里斯公司 用于操作具有进给与施配传感器、过滤与施配确认及过滤器的减压注给的泵的***及方法
JP6685754B2 (ja) * 2016-02-16 2020-04-22 株式会社Screenホールディングス ポンプ装置および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201913717A (zh) 2019-04-01
CN109427621B (zh) 2022-02-25
JP2019040946A (ja) 2019-03-14
CN109427621A (zh) 2019-03-05
US11404629B2 (en) 2022-08-02
KR102129666B1 (ko) 2020-07-02
KR20190022319A (ko) 2019-03-06
TWI697028B (zh) 2020-06-21
US20190060963A1 (en) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9878267B2 (en) Solution treatment apparatus and solution treatment method
US20180085720A1 (en) Cleaning apparatus
TW201244830A (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
TWI632634B (zh) 基板液體處理裝置
KR101991159B1 (ko) 펌프 장치 및 기판 처리 장치
KR102209902B1 (ko) 처리액 공급 장치 및 그의 탈기 방법
JP6920133B2 (ja) 処理液供給装置
KR20190018727A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI769469B (zh) 用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法
TWI732178B (zh) 藥液控制閥及基板處理裝置
CN112735983A (zh) 一种单晶圆载体清洗高度集成装置
JP4680207B2 (ja) ノズル装置を用いたシステム、および半導体基板処理装置
KR101686565B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20190060789A1 (en) Pumping apparatus, treatment solution supplying device, and substrate treating apparatus
JP2017183568A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102606575B1 (ko) 액 공급 장치, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2010164265A (ja) 加湿器
JP6501663B2 (ja) 基板処理装置
JP2010164266A (ja) 加湿器
JP7202817B2 (ja) 送液システム
US20240075489A1 (en) Substrate processing apparatus
JP7158114B2 (ja) 洗浄方法、洗浄装置および半導体ウエハの保持装置
KR101598140B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPH07279882A (ja) ポンプ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200622

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210601

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210630

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210720

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6920133

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150