TWI456250B - 具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置 - Google Patents

具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI456250B
TWI456250B TW096109615A TW96109615A TWI456250B TW I456250 B TWI456250 B TW I456250B TW 096109615 A TW096109615 A TW 096109615A TW 96109615 A TW96109615 A TW 96109615A TW I456250 B TWI456250 B TW I456250B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mirror
projection objective
plane
projection
objective
Prior art date
Application number
TW096109615A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200741244A (en
Inventor
Mann Hans-Juergen
Singer Wolfgang
Original Assignee
Zeiss Carl Smt Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeiss Carl Smt Gmbh filed Critical Zeiss Carl Smt Gmbh
Publication of TW200741244A publication Critical patent/TW200741244A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI456250B publication Critical patent/TWI456250B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0605Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors
    • G02B17/0615Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using two curved mirrors off-axis or unobscured systems in wich all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0657Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/18Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical projection, e.g. combination of mirror and condenser and objective
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7025Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062Devices having a multilayer structure
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/22Telecentric objectives or lens systems
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/061Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/067Construction details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Claims (100)

  1. 一種投影物鏡,包含一物體平面,其中形成一物體場,一入瞳(entry pupil)及一出瞳,一反射入瞳平面中的一反射入瞳(mirrored entry pupil),可藉由映射該物體平面處之該入瞳獲得,一影像平面,一光軸,至少一第一鏡及一第二鏡,其中該投影物鏡係具有一入瞳負後焦,而其中從該物體場中央點產生及從該物體平面至該影像平面跨越該物鏡之主射線,係與該光軸交叉於至少一交叉點,其中所有交叉點的幾何位置均位於該影像平面及該反射入瞳平面之間,其中該出瞳係一清楚出瞳。
  2. 一種投影物鏡,包含一物體平面,其中形成一物體場,一入瞳及一出瞳,一反射入瞳平面中的一反射入瞳,可藉由反射該物體平面處之該入瞳獲得,一影像平面,一光軸,至少一第一鏡及一第二鏡,其中該投影物鏡係具有一入瞳負後焦,而其中從該物體場中央點產生及從該物體平面至該影像平面跨越該物鏡之主射線,係與該光 軸交叉於交叉點至少其中之一,其中各交叉點係具有沿該光軸距該物體平面一個別第一距離A1,而該反射入瞳平面係具有距該物體平面一第二距離A2,其中A2及A1係遵從A2<A1的條件。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少四鏡。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之投影物鏡,其中形成可安置一孔徑攔的一孔徑攔平面。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之投影物鏡,其中從該物體平面至該影像平面之該光路徑中放置該孔徑攔平面之前的一第一數目的鏡係形成一第一子物鏡,而一第二數目的鏡係形成一第二子物鏡,其中該第二子物鏡係包含該孔徑攔平面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之投影物鏡,其中該第二子物鏡係具有兩鏡。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,其中該第一子物鏡係包含至少該第一鏡,該第二鏡,該第三鏡及該第四鏡。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之投影物鏡,其中該第二子物鏡係包含該第五鏡及該第六鏡。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中該影像側數值孔徑等於或大於0.2。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,而其中該第一鏡係為凸形,該第二鏡係為凹形,該第三鏡係為凹形,該第四鏡係為凸形,該第五鏡係為凸形,而該第六鏡係為凹形。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中一中間影像係於從該物體平面至該影像平面的該光路徑中形成。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡(S6),而其中該中間影像係於該第四鏡及該第五鏡之間形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之投影物鏡,其中該第一鏡係為凹形,該第二鏡係為凹形,該第三鏡係為凸形,該第四鏡係為凹形,該第五鏡係為凸形,而該第六鏡係為凹形。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之投影物鏡,其中一孔徑攔係安置於該第二鏡及該第三鏡之間,或安置在該第三鏡上。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之投影物鏡,其中該影像側數值孔徑NA係等於或大於0.2。
  17. 一種投影物鏡,包含至少五鏡,一入瞳,其中形成一物體場的一物體平面,一影像平面,及一清楚出瞳,其中該至少五鏡係包含一第一鏡,其中該投影物鏡係具有一入瞳負後焦,而其中從該物體場中央點產生及落下於該第一鏡之主射線,係運行於該物體場中央點主射線反射至該第一鏡之後與一側相接之一區域,及藉由光軸運行於另一側上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之投影物鏡,其特徵在於該物鏡係以並無中間影像形成於該物體平面至該影像平面的該光路徑中的方式配置。
  19. 如申請專利範圍第17或18項所述之投影物鏡,其中一孔徑攔係安置於一瞳平面中或附近。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之投影物鏡,其中從該物體平面至該影像平面之該光路徑中放置該孔徑攔之前的一第一數目的鏡係形成一第一子物鏡,而一第二數目的鏡係形成一第二子物鏡,其中該第二子物鏡係包含該孔徑攔。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之投影物鏡,其中該第二子物鏡係具有兩鏡。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之投影物鏡,其中該投影 物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,其中該第一子物鏡係包含至少該第一鏡,該第二鏡,該第三鏡及該第四鏡。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之投影物鏡,其中該第二子物鏡係包含該第五鏡及該第六鏡。
  24. 如申請專利範圍第17項所述之投影物鏡,其中該影像側數值孔徑NA係等於或大於0.2。
  25. 如申請專利範圍第20項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,而其中該第一鏡係為凸形,該第二鏡係為凹形,該第三鏡係為凹形,該第四鏡係為凸形,該第五鏡係為凸形,而該第六鏡係為凹形。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,而其中該第一鏡及該第二鏡係形成一第一部份系統,而該第三鏡,該第四鏡,該第五鏡及該第六鏡係形成一第二部份系統。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之投影物鏡,其中沿一光軸從該第一部份系統至該第二部份系統的一幾何距離係大於30%。
  28. 一種投影物鏡,包含 一入瞳及一出瞳,其中形成一物體場的一物體平面,一影像平面,及從該物體平面至該影像平面的一光路徑,及至少五鏡,其中該投影物鏡係具有該入瞳負後焦,該物鏡係以並無中間影像形成於該物體平面至該影像平面的該光路徑中的方式配置,其中該出瞳係一清楚出瞳。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之投影物鏡,其中一孔徑攔係安置於一瞳平面中或附近。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之投影物鏡,其中從該物體平面至該影像平面之該光路徑中放置該孔徑攔之前的一第一數目的鏡係形成一第一子物鏡,而一第二數目的鏡係形成一第二子物鏡,其中該第二子物鏡係包含該孔徑攔。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之投影物鏡,其中該第二子物鏡係具有兩鏡。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,其中該第一子物鏡係包含至少該第一鏡,該第二鏡,該第三鏡及該第四鏡。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之投影物鏡,其中該第二子物鏡係包含該第五鏡及該第六鏡。
  34. 如申請專利範圍第28項所述之投影物鏡,其中該影像側數值孔徑NA係等於或大於0.2。
  35. 如申請專利範圍第28項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,而其中該第一鏡係為凸形,該第二鏡係為凹形,該第三鏡係為凹形,該第四鏡係為凸形,該第五鏡係為凸形,而該第六鏡係為凹形。
  36. 如申請專利範圍第28項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡,而其中該第一鏡及該第二鏡係形成一第一部份系統,而該第三鏡,該第四鏡,該第五鏡及該第六鏡係形成一第二部份系統。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之投影物鏡,其中沿一光軸從該第一部份系統至該第二部份系統的一幾何距離係大於30%。
  38. 一種投影物鏡,包含一入瞳,其中形成一物體場的一物體平面,一影像平面,及從該物體平面至該影像平面的一光路徑,一出瞳,至少一第一鏡及一第二鏡, 其中該出瞳係為一清楚出瞳,其中該投影物鏡具有一入瞳負後焦,而其中該物鏡係以該投影物鏡之一子午平面中,從該物體平面至該第一鏡的該光路徑係與從該第二鏡至該影像平面的該光路徑交叉,而該物體平面及該第一鏡之間並未安置另外的鏡的方式配置。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少四鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡及一第四鏡。
  40. 如申請專利範圍第38或39項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少六鏡,也就是一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四鏡,一第五鏡,及一第六鏡。
  41. 如申請專利範圍第39項所述之投影物鏡,其中該子午平面中,從該物體平面至該第一鏡的該光路徑係與從該第二鏡至該第三鏡的該光路徑交叉。
  42. 如申請專利範圍第38項所述之投影物鏡,其中一中間影像係形成於該物體平面至該影像平面的該光路徑中。
  43. 如申請專利範圍第40項所述之投影物鏡,其中一中間影像係形成於該第四鏡及該第五鏡之間。
  44. 如申請專利範圍第40項所述之投影物鏡,其中該第一鏡係為凹形,該第二鏡係為凹形,該第三鏡係為凸形,該第四鏡係為凹形,該第五鏡係為凸形,而該第六鏡係為凹形。
  45. 如申請專利範圍第40項所述之投影物鏡,其中一孔徑 攔係安置於該第二鏡及該第三鏡(之間。
  46. 如申請專利範圍第40項所述之投影物鏡,其中一孔徑攔係安置於該第三鏡上。
  47. 如申請專利範圍第38項所述之投影物鏡,其中該影像側數值孔徑NA係等於或大於0.2。
  48. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係對一光軸旋轉對稱安置。
  49. 一種包含大量鏡的投影物鏡,被設計以波長λ之輻射將一物體平面的影像投影至一影像平面,其中該投影物鏡係為具入瞳負後焦的反射投影物鏡以及一清楚出瞳,具有WRMS <0.01λ之RMS影像側波陳平面像差,且進一步具有最大入射角,其中落下於該子午平面中之鏡上所有射線全部最大入射角係小於或等於20度。
  50. 如申請專利範圍第49項所述之投影物鏡,其中該影像側上的波前像差係為WRMS0.007λ。
  51. 如申請專利範圍第49或50項所述之投影物鏡,其中該子午平面中之最大入射角19.5度。
  52. 如申請專利範圍第49項所述之投影物鏡,其中該影像側數值孔徑NA0.25。
  53. 如申請專利範圍第49項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含至少四鏡,而其中從該物體平面至該影像平面之一光路徑中的該第一鏡及該第四鏡係為凸面鏡。
  54. 如申請專利範圍第49項所述之投影物鏡,其中該鏡係 具有該子午平面中之一尺寸,而所有鏡之該子午平面中最大尺寸係小於190公厘。
  55. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係為一反射投影物鏡。
  56. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係為一反射折射式投影物鏡。
  57. 一種包含至少四鏡的投影物鏡,被設計引導輻射從一物體平面至一影像平面,其中該投影物鏡係為一反射投影物鏡且具有入瞳負後焦以及一清楚出瞳,其中從該物體平面至該影像平面之一光路徑中的該第一鏡及該第四鏡係為凸面鏡。
  58. 如申請專利範圍第57項所述之投影物鏡,其中並無中間影像形成於該物體平面至該影像平面的該光路徑中。
  59. 如申請專利範圍第57或58項所述之投影物鏡,其中該影像側數值孔徑NA0.25。
  60. 一種包含大量鏡的投影物鏡,被設計引導輻射從一物體平面進入一影像平面,其中各鏡係只有於子午平面中之一尺寸,而所有鏡子午平面中最大尺寸係小於190公厘。
  61. 如申請專利範圍第58項所述之投影物鏡,其中落下於一鏡上所有射線最大入射角係每鏡小於25度。
  62. 如申請專利範圍第49項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係包含一第一鏡,一第二鏡,一第三鏡,一第四 鏡,一第五鏡及一第六鏡。
  63. 如申請專利範圍第1項所述之投影物鏡,其中該投影物鏡係被設計引導一波長λ之輻射從一物體平面進入影像平面,其中λ193奈米之範圍。
  64. 一種微影投影曝光裝置,包含:一照明射線束越過的一照明系統;其中照明一物體場的一物體平面;一投影物鏡,其中該投影物鏡係被從該物體平面至影像平面之一影像投影光路徑越過,且該投影物鏡具有入瞳負後焦以及一清楚出瞳,而該微影投影曝光裝置係以除了該物體平面發生反射之處外,從該照明系統光路徑中倒數第二光學元件運行至該物體平面的該照明射線束,並不跨越該影像投影光路徑之方式配置。
  65. 如申請專利範圍第64項所述之微影投影曝光裝置,其中該照明系統之該照明射線束及該投影物鏡之該影像投影射線路徑,彼此並不於從該物體平面至影像平面之一光路徑中的該子午平面中交叉。
  66. 一種微影投影曝光裝置,包含:一照明系統;一投影物鏡,其中該投影物鏡具有入瞳負後焦,而該微影投影曝光裝置具有如申請專利範圍第1至65項任一項所述之投影物鏡。
  67. 如申請專利範圍第64至66項任一項所述之微影投影 曝光裝置,其中藉由該物體平面處之入瞳映射,該投影物鏡的反射入瞳係形成於該物體平面影像側,而其中該照明系統包含一光學積分器,其係於形成該反射入瞳的一平面中或附近形成。
  68. 如申請專利範圍第67項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器係為一網板反射鏡。
  69. 如申請專利範圍第68項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器係為一擴散板。
  70. 如申請專利範圍第69項所述之微影投影曝光裝置,其中該擴散板係包含500個以上的網板反射鏡。
  71. 如申請專利範圍第69項所述之微影投影曝光裝置,其中該擴散板係為一全息格柵。
  72. 如申請專利範圍第64項所述之微影投影曝光裝置,其中一孔徑攔係安置於該擴散板之前的該光路徑中。
  73. 如申請專利範圍第64項所述之微影投影曝光裝置,其中該照明系統係包含具大量第一光柵元件的一第一多面體反射光學元件,及具大量第二光柵元件的一第二多面體反射光學元件,其中該第二多面體反射光學元件係安置於該反射入瞳平面中或附近。
  74. 如申請專利範圍第73項所述之微影投影曝光裝置,其中一第一光柵元件具有實質形成於該物體平面中的一場形狀。
  75. 如申請專利範圍第74項所述之微影投影曝光裝置,其中一第一光柵元件係被配置一精確形狀。
  76. 如申請專利範圍第64項所述之微影投影曝光裝置,其中至少一鏡安置於該光學積分器之後及該物體平面之前的該光路徑中。
  77. 如申請專利範圍第64項所述之微影投影曝光裝置,其中藉由該物體平面處之入瞳映射,一反射入瞳平面中的一反射入瞳係形成於該物體平面影像側,而其中該照明系統中,一光學積分器,不安置於該反射入瞳平面中或附近。
  78. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器不安置於與該物體平面配對的一平面中。
  79. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器係具有1000個以上的個別網格。
  80. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器係照明該物體平面中的一場,其中該場具有一場形狀。
  81. 如申請專利範圍第80項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器具有一形狀,而其中該形狀實質相同於該場形狀。
  82. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器係為腎形。
  83. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中該光學積分器係具有大量網格,而其中各網格照明該物體平面中的大量分離場點及瞳平面中的大量瞳位 置。
  84. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中一垂直入射鏡係安置於從該光源至該光學積分器之該光路徑中。
  85. 如申請專利範圍第84項所述之微影投影曝光裝置,其中該垂直入射鏡係具有包含一軸外圓錐表面的一鏡表面。
  86. 如申請專利範圍第84項所述之微影投影曝光裝置,其中該垂直入射鏡係具有配置為一自由型式表面的一鏡表面。
  87. 如申請專利範圍第86項所述之微影投影曝光裝置,其中該自由型式表面係為一具有一軸外圓錐組件的類型。
  88. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中從該光源至該擴散板的光路徑中,一掠入射鏡係被安置於該擴散板之前。
  89. 如申請專利範圍第88項所述之微影投影曝光裝置,其中該掠入射鏡係具有包含一軸外圓錐表面的一鏡表面。
  90. 如申請專利範圍第84項所述之微影投影曝光裝置,其中該掠入射鏡或該垂直入射鏡係包含一球形、環形或非球形部分。
  91. 如申請專利範圍第77項所述之微影投影曝光裝置,其中從該光源至該物體平面的該光路徑中,一垂直入射 鏡係被安置於該光學積分器之後。
  92. 一種投影曝光裝置,被設計引導輻射從一光源進入一影像平面,包含被安置的大量光學元件,使來自該光源的該輻射得以被引導進入該影像平面,其中該大量光學元件係為鏡,其中垂直入射情況下可反射該輻射的最大鏡數係為十,其不包含安置於該物體平面中的一反射物體,而其中該投影曝光裝置係具有NA>0.25的一影像側數值孔徑,而其中該投影曝光裝置係具有大於1公厘的該影像側上之一最大場尺寸,其中該投影曝光裝置子午面中,該輻射係具有相對該輻射垂直入射落下各光學元件表面小於20度的一最大入射角。
  93. 如申請專利範圍第92項所述之投影曝光裝置,其中該大量光學元件係包含一光學積分器。
  94. 如申請專利範圍第93項所述之投影曝光裝置,其中該光學積分器係為一網板反射鏡。
  95. 如申請專利範圍第93項所述之投影曝光裝置,其中該光學積分器係為一擴散板。
  96. 如申請專利範圍第95項所述之投影曝光裝置,其中該擴散板係包含500個以上的網板反射鏡。
  97. 如申請專利範圍第92項所述之投影曝光裝置,其中該大量光學元件係包含具第一光柵元件的一第一多面體反射光學元件,及具第二光柵元件的一第二多面體反射光學元件。
  98. 如申請專利範圍第93項所述之投影曝光裝置,其中該 光學積分器係包含1000個以上的個別網格。
  99. 如申請專利範圍第92項所述之投影曝光裝置,其中該大量光學元件係包含一掠入射收集器。
  100. 如申請專利範圍第92項所述之投影曝光裝置,其中該投影曝光裝置係包含可對該設定進行變動調整的一裝置。
TW096109615A 2006-03-27 2007-03-20 具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置 TWI456250B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78674406P 2006-03-27 2006-03-27
DE102006014380A DE102006014380A1 (de) 2006-03-27 2006-03-27 Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200741244A TW200741244A (en) 2007-11-01
TWI456250B true TWI456250B (zh) 2014-10-11

Family

ID=38513148

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096109615A TWI456250B (zh) 2006-03-27 2007-03-20 具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置
TW103125259A TWI550305B (zh) 2006-03-27 2007-03-20 具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103125259A TWI550305B (zh) 2006-03-27 2007-03-20 具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7869138B2 (zh)
EP (1) EP1840622A3 (zh)
JP (2) JP5714201B2 (zh)
KR (3) KR101121817B1 (zh)
DE (1) DE102006014380A1 (zh)
TW (2) TWI456250B (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100962911B1 (ko) * 2005-09-13 2010-06-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
DE102006014380A1 (de) * 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
DE102006056035A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
DE102008002377A1 (de) 2007-07-17 2009-01-22 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einem derartigen Beleuchtungssystem
DE102008033342A1 (de) 2008-07-16 2010-01-21 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie
DE102008000800A1 (de) 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie
CN102819196B (zh) * 2008-03-20 2016-03-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的投射物镜
DE102008000967B4 (de) * 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
DE102008033340B3 (de) * 2008-07-16 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik
DE102008046699B4 (de) 2008-09-10 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
WO2010032753A1 (ja) * 2008-09-18 2010-03-25 株式会社ニコン 開口絞り、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法
DE102008049589A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie
DE102008049588B4 (de) * 2008-09-30 2018-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Abbildungseinrichtung, Mikroskop und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie
KR20100044625A (ko) * 2008-10-22 2010-04-30 삼성전자주식회사 주기적으로 활성화되는 복제 경로를 구비하는 지연 동기 루프를 구비하는 반도체 장치
KR101478400B1 (ko) 2009-03-06 2015-01-06 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 조명 광학 시스템 및 마이크로리소그래피용 광학 시스템
US8743342B2 (en) * 2009-11-17 2014-06-03 Nikon Corporation Reflective imaging optical system, exposure apparatus, and method for producing device
EP4372469A2 (en) 2009-11-24 2024-05-22 Nikon Corporation Image-forming optical system, exposure apparatus, and device producing method
US8317344B2 (en) 2010-06-08 2012-11-27 Nikon Corporation High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces
DE102010041623A1 (de) * 2010-09-29 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel
US20120170014A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-05 Northwestern University Photolithography system using a solid state light source
DE102011076752A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102011086345A1 (de) * 2011-11-15 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel
CN102402135B (zh) * 2011-12-07 2013-06-05 北京理工大学 一种极紫外光刻投影物镜设计方法
KR102330570B1 (ko) 2012-02-06 2021-11-25 가부시키가이샤 니콘 반사 결상 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
DE102012204273B4 (de) 2012-03-19 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
WO2014019617A1 (en) 2012-08-01 2014-02-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for a projection exposure apparatus
DE102013218128A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem
DE102013218132A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102013218130A1 (de) * 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
JP6215009B2 (ja) * 2013-11-15 2017-10-18 株式会社東芝 撮像装置及び撮像方法
JP5854295B2 (ja) * 2014-04-11 2016-02-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系
DE102014216801A1 (de) 2014-08-25 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
CN105511231B (zh) * 2014-10-16 2019-03-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Euv光源和曝光装置
DE102014223811B4 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils
JP6370255B2 (ja) * 2015-04-07 2018-08-08 信越化学工業株式会社 ペリクル用フレーム及びそれを用いたペリクル
DE102017217251A1 (de) * 2017-09-27 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems
RU2760443C1 (ru) * 2020-12-07 2021-11-25 Общество с Ограниченной Ответственностью Научно Исследовательский Центр «Астрофизика» Устройство фокусировки для лазерной обработки
DE102022206110A1 (de) * 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022209908A1 (de) 2022-09-21 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, Beleuchtungsoptik, Anordnung eines Facettenspiegels, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines nanostrukturierten Bauelements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010043391A1 (en) * 2000-01-14 2001-11-22 Shafer David R. Microlithographic reduction projection catadioptric objective
JP2002139672A (ja) * 2000-10-20 2002-05-17 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss 8枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系
TW594438B (en) * 1997-11-07 2004-06-21 Koninkl Philips Electronics Nv Three-mirror system for lithographic projection, and projection apparatus comprising such a mirror system
TW200417758A (en) * 2003-01-15 2004-09-16 Asml Holding Nv Transmission shear grating in checkerboard configuration for EUV wavefront sensor
EP0779528B1 (en) * 1995-12-12 2006-01-11 ASML Holding N.V. High numerical aperture ring field optical reduction system

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US666560A (en) * 1899-07-25 1901-01-22 William S Rowland Wire fence.
DE3343868A1 (de) 1983-12-03 1985-06-13 Zeiss Carl Fa Objektiv mit kegelschnittflaechen fuer die mikrozonenabbildung
US4650292A (en) * 1983-12-28 1987-03-17 Polaroid Corporation Analytic function optical component
US5003567A (en) 1989-02-09 1991-03-26 Hawryluk Andrew M Soft x-ray reduction camera for submicron lithography
JP2691226B2 (ja) 1989-07-10 1997-12-17 株式会社ニコン 赤外線撮像光学装置
US5071240A (en) * 1989-09-14 1991-12-10 Nikon Corporation Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image
US5063586A (en) * 1989-10-13 1991-11-05 At&T Bell Laboratories Apparatus for semiconductor lithography
US5212588A (en) 1991-04-09 1993-05-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths
US5309276A (en) * 1991-08-29 1994-05-03 Optical Research Associates Catoptric optical system including concave and convex reflectors
JPH0736959A (ja) 1993-07-15 1995-02-07 Hitachi Ltd 自由曲面光学系の設計方法
DE4327656A1 (de) 1993-08-17 1995-02-23 Steinheil Optronik Gmbh Infrarot-Objektiv
AU8066694A (en) 1993-11-23 1995-06-13 Plasmoteg Engineering Center An abrasive material for precision surface treatment and a method for the manufacturing thereof
JP3358097B2 (ja) 1994-04-12 2002-12-16 株式会社ニコン X線投影露光装置
DE69623362T2 (de) 1995-02-28 2003-08-07 Canon Kk Zoomobjektiv mit reflektierenden Flächen
US6166866A (en) 1995-02-28 2000-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Reflecting type optical system
US6021004A (en) 1995-02-28 2000-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Reflecting type of zoom lens
JP3041328B2 (ja) 1996-03-21 2000-05-15 株式会社那須板金工業 平板葺き屋根構造
US5686728A (en) 1996-05-01 1997-11-11 Lucent Technologies Inc Projection lithography system and method using all-reflective optical elements
JPH11110791A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Pioneer Electron Corp 光情報記録媒体の再生ピックアップ装置
EP1039510A4 (en) 1997-11-14 2003-11-12 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND EXPOSURE METHOD
US6240158B1 (en) 1998-02-17 2001-05-29 Nikon Corporation X-ray projection exposure apparatus with a position detection optical system
US6226346B1 (en) * 1998-06-09 2001-05-01 The Regents Of The University Of California Reflective optical imaging systems with balanced distortion
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
JP2000091209A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US7186983B2 (en) 1998-05-05 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
EP0955641B1 (de) 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US6859328B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
US6396067B1 (en) 1998-05-06 2002-05-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
US6577443B2 (en) * 1998-05-30 2003-06-10 Carl-Zeiss Stiftung Reduction objective for extreme ultraviolet lithography
EP0964307A3 (en) 1998-06-08 2001-09-05 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6072852A (en) * 1998-06-09 2000-06-06 The Regents Of The University Of California High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography
US6213610B1 (en) * 1998-09-21 2001-04-10 Nikon Corporation Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
US6195201B1 (en) 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
US6600552B2 (en) * 1999-02-15 2003-07-29 Carl-Zeiss Smt Ag Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus
EP1772775B1 (de) * 1999-02-15 2008-11-05 Carl Zeiss SMT AG Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
US7151592B2 (en) * 1999-02-15 2006-12-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6033079A (en) 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
CA2333179C (en) 1999-03-15 2007-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Convergent device, optical head, optical information recording/reproducing and optical information recording/reproducing method
JP2000286189A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
US6426506B1 (en) * 1999-05-27 2002-07-30 The Regents Of The University Of California Compact multi-bounce projection system for extreme ultraviolet projection lithography
JP4212721B2 (ja) * 1999-06-10 2009-01-21 三菱電機株式会社 広角反射光学系
JP4717974B2 (ja) 1999-07-13 2011-07-06 株式会社ニコン 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置
US6557443B1 (en) * 1999-09-09 2003-05-06 Larue Mark C. Bar feeder for machining center
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
US6621557B2 (en) 2000-01-13 2003-09-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and exposure methods
US6867913B2 (en) 2000-02-14 2005-03-15 Carl Zeiss Smt Ag 6-mirror microlithography projection objective
JP2002015979A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Nikon Corp 投影光学系、露光装置及び露光方法
EP1327172A1 (de) 2000-10-20 2003-07-16 Carl Zeiss 8-spiegel-mikrolithographie-projektionsobjektiv
TW573234B (en) * 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
EP1342128A2 (en) 2000-12-12 2003-09-10 Carl Zeiss SMT AG Projection system for euv lithography
EP1393133B1 (en) 2001-01-09 2005-10-26 Carl Zeiss SMT AG Projection system for euv lithography
US6387723B1 (en) * 2001-01-19 2002-05-14 Silicon Light Machines Reduced surface charging in silicon-based devices
US20020171047A1 (en) * 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
JP4349550B2 (ja) 2001-03-29 2009-10-21 フジノン株式会社 反射型投映用光学系
TW594043B (en) 2001-04-11 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle
JP2002329655A (ja) 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
DE10139177A1 (de) 2001-08-16 2003-02-27 Zeiss Carl Objektiv mit Pupillenobskuration
JP4134544B2 (ja) * 2001-10-01 2008-08-20 株式会社ニコン 結像光学系および露光装置
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP3581689B2 (ja) 2002-01-31 2004-10-27 キヤノン株式会社 位相測定装置
EP1333260A3 (en) 2002-01-31 2004-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Phase measuring method and apparatus
JP2003233001A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003233005A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003233002A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US6989922B2 (en) 2002-06-21 2006-01-24 Nikon Corporation Deformable mirror actuation system
JP2004029625A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Nikon Corp 投影光学系、露光装置及び露光方法
JP2004170869A (ja) * 2002-11-22 2004-06-17 Nikon Corp 結像光学系、露光装置および露光方法
JP3938040B2 (ja) 2002-12-27 2007-06-27 キヤノン株式会社 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2004252363A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系
JP2004252358A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系及び露光装置
JP2004258541A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Canon Inc 反射型光学系
JP2005003943A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Fuji Xerox Co Ltd 光学素子およびその製造方法
JP4428947B2 (ja) 2003-06-30 2010-03-10 キヤノン株式会社 結像光学系
JP2005055553A (ja) 2003-08-08 2005-03-03 Nikon Corp ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
JP2005166778A (ja) 2003-12-01 2005-06-23 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
DE10359576A1 (de) 2003-12-18 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit
DE10360414A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-21 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung
WO2005083759A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Nikon Corporation 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法
JP2005294608A (ja) 2004-04-01 2005-10-20 Nikon Corp 放電光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2005294087A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Nikon Corp 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4338577B2 (ja) * 2004-04-28 2009-10-07 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
US7114818B2 (en) * 2004-05-06 2006-10-03 Olympus Corporation Optical system, and electronic equipment that incorporates the same
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
JP5366405B2 (ja) * 2004-12-23 2013-12-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 遮光瞳を有する高開口率対物光学系
JP2006245147A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2006253487A (ja) 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
KR100604942B1 (ko) * 2005-06-18 2006-07-31 삼성전자주식회사 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치
KR100962911B1 (ko) * 2005-09-13 2010-06-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
DE102006003375A1 (de) * 2006-01-24 2007-08-09 Carl Zeiss Smt Ag Gruppenweise korrigiertes Objektiv
DE102006014380A1 (de) 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0779528B1 (en) * 1995-12-12 2006-01-11 ASML Holding N.V. High numerical aperture ring field optical reduction system
TW594438B (en) * 1997-11-07 2004-06-21 Koninkl Philips Electronics Nv Three-mirror system for lithographic projection, and projection apparatus comprising such a mirror system
US20010043391A1 (en) * 2000-01-14 2001-11-22 Shafer David R. Microlithographic reduction projection catadioptric objective
JP2002139672A (ja) * 2000-10-20 2002-05-17 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss 8枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系
TW200417758A (en) * 2003-01-15 2004-09-16 Asml Holding Nv Transmission shear grating in checkerboard configuration for EUV wavefront sensor

Also Published As

Publication number Publication date
EP1840622A2 (de) 2007-10-03
DE102006014380A1 (de) 2007-10-11
KR20070096965A (ko) 2007-10-02
JP5883778B2 (ja) 2016-03-15
EP1840622A3 (de) 2018-05-16
KR101144492B1 (ko) 2012-05-14
US20120075608A1 (en) 2012-03-29
KR101121817B1 (ko) 2012-03-22
US8810927B2 (en) 2014-08-19
JP5714201B2 (ja) 2015-05-07
JP2013065051A (ja) 2013-04-11
US20110063596A1 (en) 2011-03-17
TWI550305B (zh) 2016-09-21
JP2007264636A (ja) 2007-10-11
KR20120024896A (ko) 2012-03-14
KR20110089395A (ko) 2011-08-08
US7869138B2 (en) 2011-01-11
US20070223112A1 (en) 2007-09-27
TW201447362A (zh) 2014-12-16
TW200741244A (en) 2007-11-01
US8094380B2 (en) 2012-01-10
KR101166658B1 (ko) 2012-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI456250B (zh) 具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置
US8317345B2 (en) Catoptric objectives and systems using catoptric objectives
JP3913287B2 (ja) フォトリソグラフィー用ハイブリッド照明系
KR102464752B1 (ko) 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛
JP5059049B2 (ja) 分割器及び光束の変形方法及び照明装置
JP6221159B2 (ja) コレクター
JP2004510340A (ja) 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系
US9639004B2 (en) Imaging optics and projection exposure installation for microlithography with an imaging optics
US10139734B2 (en) Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography, having such imaging optical unit
US9146475B2 (en) Projection exposure system and projection exposure method
US9535337B2 (en) Imaging optics, microlithography projection exposure apparatus having same and related methods
JP4820377B2 (ja) シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスクの縮写像を投影する装置
US20060082905A1 (en) Catadioptric projection objective with an in-line, single-axis configuration
JP2002244046A5 (zh)
KR102344281B1 (ko) 콜렉터
TWI841395B (zh) 光學元件、和總成及其光學系統
WO2017108448A1 (en) Illumination system of a microlithographic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees