TWI418037B - 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法 - Google Patents

藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI418037B
TWI418037B TW097136936A TW97136936A TWI418037B TW I418037 B TWI418037 B TW I418037B TW 097136936 A TW097136936 A TW 097136936A TW 97136936 A TW97136936 A TW 97136936A TW I418037 B TWI418037 B TW I418037B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
grain boundaries
thin film
upper side
film transistor
lower side
Prior art date
Application number
TW097136936A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200939481A (en
Inventor
James S Im
Original Assignee
Univ Columbia
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ Columbia filed Critical Univ Columbia
Publication of TW200939481A publication Critical patent/TW200939481A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI418037B publication Critical patent/TWI418037B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1296—Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法
本發明所揭示的標的物大體而言係有關於薄膜的雷射結晶，並且明確地說係有關於增加形成在結晶化薄膜上之薄膜電晶體中的效能之一致性的方法。
近幾年來，已進行了針對用來結晶化非晶或多晶半導體薄膜或改善其結晶度之若干技術的研究。此種結晶化薄膜可用來製造多種元件，例如影像感測器及主動式矩陣液晶顯示器(“AMLCD”)元件。在後者，薄膜電晶體(“TFT”)的一規則陣列係製造在一適當的透明基材上，並且每一個電晶體皆作用為一像素控制器。
已利用各種雷射製程來處理結晶半導體薄膜(例如矽薄膜)以提供液晶顯示器的像素，該雷射製程包含準分子雷射退火(“ELA”)及連續橫向結晶(“SLS”)製程。SLS非常適合處理用於AMLCD元件、有機發光二極體(“OLED”)和主動式矩陣OLED(AMOLED)元件的薄膜。
在ELA中，利用一準分子雷射照射該薄膜的一區域，以部分融化該薄膜，其隨後會結晶化。該製程通常使用長窄形光束，其持續前移而越過該基材表面，因此該光束可以在該表面上之單一次掃描中照射整個半導體薄膜。該矽薄膜係經多次照射以產生擁有均勻晶粒尺寸的無規(random)多晶薄膜。雖然ELA會產生小晶粒的多晶薄膜，但是，該方法常出現微結構不一致之問題，而其可能是由於脈衝間(pulse to pulse)能量密度波動及/或不一致的光束強度分佈所造成。第10A圖示出利用ELA取得之無規微結構。此圖式以及所有其他圖式並非依照比例繪製，並且本質上意欲做例示說明。第10E圖係繪示透過ELA處理之薄膜的SEM影像上視圖，並示出該薄膜的無規微結構，其含有無規定位的晶粒邊界1002。
本發明描述藉由改變形狀、大小或雷射光束而在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法及系統。
根據本發明之一實施態樣，係提供一種薄膜電晶體(TFT)。該TFT包含設置在一結晶基材內的通道區。該結晶基材包含複數個晶粒邊界，該些晶粒邊界係彼此大致平行並且以大約相同的間距分隔開。該通道區包含一個形塑為多邊形的部分，該多邊形擁有一對側邊以及複數個底邊，該對側邊係經定位而實質上與該些晶粒邊界垂直，該些底邊的各者皆相對於該些晶粒邊界而以一傾斜角定位。該傾斜角係大於0度且小於90度。此外，每一個底邊的傾斜角係經選擇而使得該多邊形覆蓋的晶粒邊界之平均數量的大約值係獨立於該通道區在該結晶基材內的位置。
根據本發明之另一實施態樣，在該TFT中，該多邊形係一平行四邊形，其中該對側邊包含該平行四邊形彼此平行的二側邊，並且其中該些底邊包含該平行四邊形彼此平行的二底邊，並且其中該平行四邊形的二底邊之傾斜角係經選擇而使得二底邊的各者之垂直跨度(vertical span)係接近於該些晶粒邊界之間的間距之整數倍數。
根據本發明之另一實施態樣，二底邊的傾斜角θ、該些晶粒邊界之間大約相同的間距λ、以及二側邊之間的距離W係滿足式W*tan(θ)=mλ，其中m的值接近一整數。
根據本發明之另一實施態樣，m的值接近1。
根據本發明之又另一實施態樣，m的值接近一大於1的整數。
根據本發明之另一實施態樣，該TFT更包含一源極區和一汲極區，並且該通道區能夠在該源極區和該汲極區之間傳導一通道電流，因此該通道電流的方向大約與該等側邊平行。
根據本發明之另一實施態樣，該複些底邊形成一非直線的線條，且該線條連接該對側邊的第一側邊之一端至該對側邊的第二側邊之一端。每一個底邊的每一個傾斜角θ、該些晶粒邊界之間大約相同的間距λ、複數個底邊的數量n、以及該對側邊之間的距離W係滿足式W*tan(θ)/n=mλ，其中m的值接近一整數。
根據本發明之又另一實施態樣，係提供一種處理薄膜的系統。該系統包含：一雷射源，係提供一連串雷射光束脈衝；一雷射光學器件，其將每一個雷射光束脈衝塑形為一組經形塑的小光束(beamlet)，每一個小光束具有定義y方向的長度、定義x方向的寬度，以及實質上足以在一照射區域內熔化一薄膜而貫穿其厚度的一通量(fluence)，並且每一個小光束藉由間隙而在x方向上與相鄰的小光束分隔開。該系統也包含一台座，用以支撐該薄膜，並且至少能夠在x方向上移動。長度及寬度的比例約為1。
根據本發明之又另一實施態樣，係提供一種製備多晶薄膜的方法。該方法包含提供一基材，其具有設置在其上的薄膜，因此該薄膜能夠經雷射誘發而融化。該方法更包含產生一雷射光束以照射該薄膜。該雷射光束為一線型光束，其使該薄膜的受照射部分熔化而貫穿其厚度，並且其中該薄膜的受照射部分具有一長軸及一短軸，此外，其中該雷射光束在與該長軸平行且覆蓋該短軸的第一端之該受照射部分的第一半部上具有一第一平均強度，並且在與該長軸平行且覆蓋該短軸的第二端之該受照射部分的第二半部上具有一第二平均強度，該第一平均強度與該第二平均強度不同。該方法更包含藉由以該雷射光束照射該薄膜之一第一部分而熔化該第一部分，並容許該第一部分橫向結晶。該結晶的第一部分包含具有橫向生長的晶粒之第一晶柱和第二晶柱。該第一晶柱係平行於該長軸而形成在覆蓋該短軸之第一端的該第一部分之第一側上，並且該第二晶柱係平行於該長軸而形成在覆蓋該短軸之第二端的該第一部分之第二側上。此外，在該短軸方向上測得之該第一晶柱內之晶粒的第一平均長度係大於該第二晶柱內的晶粒之第二平均長度。該方法更包含藉由以該雷射光束照射該薄膜之一第二部分而融化該第二部分，其中該第二部分係相對於該第一部分而橫向移位一位移，其中該位移係與該短軸平行，且該位移方向係從該短軸的第二端至該第一端，此外，其中該位移的值係大於該第二平均長度且小於該第一和該第二平均長度的總和。
在此引證之已核准的美國專利、受理的申請案、公開的國外申請案、以及參考文獻係藉此經由引用至相同程度的方式併入本文中，如同每一者皆具體且各別指出利用引用的方式併入般。
SLS係一脈衝雷射結晶化製程，其可產生具有大且一致的晶粒之高品質多晶薄膜。就SLS而言，該薄膜可安置在一基材上，且基材包含由可能無法耐熱之例如塑膠或玻璃等材料製成的基材。例示的SLS製程和系統在共同持有的美國專利第6,322,625號、第6,368,945號、第6,555,449號、和第6,573,531號中描述，其完整內容在此藉由引用的方式併入本文中。
SLS使用受控制的雷射脈衝來融化位於基材上之非晶或多晶薄膜的一區域。該融化區域接著從固態一融化介面開始結晶為橫向結晶柱狀結構或複數個位置受到控制的大型單晶區域。一般而言，該融化/結晶製程在一大型薄膜表面上連續重複，且利用大量的雷射脈衝。然後使用基材上經過處理的薄膜來生產一大型顯示器，或甚至將其分割以生產多個顯示器。第10B圖係繪示製造在擁有利用SLS方法產生之「一致」微結構的薄膜內之TFT的圖示，而該SLS方法係例如「2次照射(2 shot)」SLS法。第10F圖係繪示擁有一致微結構之薄膜的SEM影像上視圖，其示出垂直晶粒邊界1004和水平晶粒邊界1008。第10C圖係繪示製造在擁有利用SLS產生之「方向性」微結構的薄膜內之TFT的圖示。第10G圖係繪示擁有方向性微結構之薄膜的SEM影像上視圖，其示出水平晶粒邊界1006。第10D圖係繪示製造在擁有利用SLS產生之單晶結構的薄膜內之TFT的圖示。
當利用一多晶材料來製造具有TFT的元件時，在該TFT通道內傳輸的載子之總電阻會受到載子在其於一特定電位的影響下行進時必須穿越之高電阻阻障的組合影響。晶粒邊界，即，結晶晶粒之間的邊界，可造成此種高電阻阻障。因此，一般而言，製造在經SLS處理的多晶薄膜上之TFT元件的效能取決於該通道中之薄膜的微結構，以及通道相對於晶粒邊界之取向(orientation)。
製造使用TFT的元件(例如顯示器)時，其中之一重要要素是在不同TFT之中達到一致效能。一元件中不同TFT的效能間的差異會造成該元件之輸出的變異，例如，一顯示器中不同像素的亮度變異。此差異可以肉眼辨識出，並且可影響該元件的整體品質。此外，該等差異在像素亮度驟變時最為顯著，也就是說，當相鄰像素在亮度上表現出明顯差異時。對於肉眼而言，跨越一像素顯示器之亮度的逐步改變是較不明顯的。因此，可用此概念來達到所有TFT之更為一致(儘管是折衷)的效能，而非某些TFT達到高效能而其他僅達到中或低效能。
就形成在一結晶化薄膜上之TFT而言，其效能會受到相交的(intersecting)晶粒邊界之數量影響，而此相交的晶粒邊界係結晶晶粒邊界與該TFT中通道電流方向相交。因此，不同TFT之中效能的差異可能來自相交的晶粒邊界之數量及位置的差異。為了減少此類不一致性，我們可減少不同TFT之中晶粒邊界數量上的變異。
在一或多個實施例中，根據本發明之一實施態樣，晶粒邊界的數量和位置以及TFT相對於這些晶粒邊界的位置係經控制，以在不同TFT之中提供統計上數量相似的相交之晶粒邊界。雖然相交的晶粒邊界會降低TFT的效能，但其存在是因為典型的製造製程會產生此種邊界。因此結晶化一薄膜而使不同TFT可具有數量大約相同的此種相交的晶粒邊界是有用的。
可使用一照射規則，在此稱為「一致」SLS，來製備一致的結晶薄膜，而該些結晶薄膜的特徵在於週期性的橫向延伸結晶柱及一組週期性的晶粒邊界，如第10B、10F圖所示者。「一致SLS」包含將一薄膜暴露在一脈衝雷射照射下，而此脈衝雷射會融化該薄膜的受照射區域。在從該融化區域除去該照射之後，該融化區域從該融化區域與其周邊的固態區域之間的邊界開始結晶化。如此形成的結晶在結晶化終止前會生長一橫向生長長度(LGL)之距離，並且該融化區域會完全固化。LGL的最大值取決於該薄膜的性質，例如厚度、薄膜組成、及融化溫度。當就晶體生長而言具有最佳的結晶條件時會達到最大LGL。在使用該SLS方法的某些實施例中，選用的雷射光束是擁有一寬度的線型光束，使得該融化區域的寬度不會超過LGL最大值的兩倍。在這些實施例中，有效LGL大約是該融化區域寬度的一半。在每一個脈衝之後，該雷射光束相對於該薄膜而位移δ。就「一致SLS]而言，此位移係選在LGL和2LGL之間(融化區域的寬度)，即LGL<δ<2LGL。「一致SLS」方法參考第11A－11D圖而描述。
參見第11A圖，一第一雷射脈衝照射並融化該薄膜的區域400。在某些實施例中，該雷射光束係一線型光束。因此，該融化區域400係呈矩形。該光束的寬度係經選擇而使該融化區域的寬度W小於最大LGL的兩倍。該光束的長度可大於10毫米並且大至或大於1000毫米。在例示實施例中，該光束的能量密度足以完全融化該受照射區域400。在從該區域400除去該照射之後，該融化區域會冷卻並結晶化。在此例中，晶粒從未受照射的固態區域和該融化區域之間的介面420橫向生長。在該融質的溫度變低到足以誘發成核之前，該兩個融質波前(melt front)約在中線405處相遇。因此，該區域400係劃分成兩個結晶晶粒柱，每一個皆擁有寬度LGL，其中LGL值大約是W的一半，而W是原始融化區域的寬度。
參見第11B圖，該雷射光束的位置相對於該薄膜而移動一預定的位移距離δ，而該距離δ係經選擇而大於LGL且小於兩個LGL。利用一第二雷射光束脈衝照射並融化該薄膜的第二區域400’。該薄膜的位移δ與連貫的雷射光束脈衝之期望重疊寬度430有關。該重疊可少於約90%的LGL且多於約10%的LGL。該重疊融化區域400中左側晶柱的部分結晶晶粒，並留下在晶柱407中示出之這些晶粒的未融化部分。該區域400’與第11A圖的區域400類似，皆結晶化成為兩個結晶晶粒柱，且每一個皆擁有寬度LGL。就從左側邊界406開始生長的晶粒而言，晶柱407中未融化的結晶晶粒會持續做為該結晶生長的晶種。這些結晶晶粒在此結晶階段繼續生長而形成第11C圖的區域440。
第11C圖示出在除去來自該第二脈衝的照射並且區域400’完成結晶之後的薄膜之結晶區域450。區域450包含一區域440，而該區域440係源自第11B圖之晶柱407中的結晶晶粒之生長。這些結晶晶粒皆擁有等於δ的長度，而δ係大於LGL。因此，由窄長的結晶所組成且寬度為δ之晶柱係由平均兩次的雷射光束照射形成。持續跨越該薄膜而照射，以產生多個橫向延伸之寬度為δ的晶柱。
第11D圖示出經過多次照射後的薄膜之微結構，並示出多個橫向延伸的晶柱440。形成在該等融化區域內的結晶較佳地係橫向生長並擁有相仿取向，並在薄膜之特定受照射區域內之一邊界處彼此相遇。在此例中，該等晶粒並不特別窄長，但是其擁有一致的尺寸及取向。在透過「一致SLS」處理的矽薄膜中特別觀察到兩種類型的晶粒邊界，稱為垂直及平行晶粒邊界，並且在第11D圖中標示出。三條垂直晶粒邊界1110從點a延伸至b，c至d，以及e至f。垂直晶粒邊界幾乎規律地以距離δ隔開，並且與雷射掃瞄的方向大約成直角。圖中示出的其它晶粒邊界，其中某些係標示為晶粒邊界1120，其為平行晶粒邊界，而平行晶粒邊界在延伸時會與垂直晶粒邊界相交。平行晶粒邊界的方向和其間的距離通常會改變。更進一步的細節請參見美國專利第6,573,531號，其完整內容在此藉由引用的方式併入本文中。
利用「一致SLS」方法所形成的結晶在其晶粒結構上展現出實質的一致性，且其垂直晶粒邊界的數量及位置皆實質上受到控制。為了達到更一致的效能，TFT在這些薄膜上係經過定向，使得TFT通道方向(因而電流方向)沿著該等平行晶粒邊界1120的方向行進，因此主要是垂直晶粒邊界1110而非平行晶粒邊界1120與其通道電流相交。
在某些SLS方案中，「一致SLS」方法係利用「2D系統」達成。在一2D系統中，以矩形的雷射脈衝照射一薄膜的區域。第9圖示出產生2D雷射光束的例示系統900。該系統900包含雷射源220、衰減器910、望遠鏡(telescope)920、均質器930、聚光透鏡940以及光束反射元件950。該雷射源220產生的該等雷射光束脈衝240係透過該衰減器910、望遠鏡920、均質器930和聚光透鏡940而引導至該光束反射元件950。在該光束反射元件950處，該入射雷射光束脈衝240係經指引沿著該外送光束路徑，導向該基材260，而其中基材260係安裝在該晶圓處理台270上。該光學路徑包含變焦場透鏡(variable-focus field lens) 970b、遮罩280b和投影透鏡(projection lens) 295b。
可用來提供擁有規律間隔之晶粒邊界的一致結晶化薄膜之其他方法可受益於本發明。例如，如在同時另案待審之2005年12月2號提出申請之發明名稱為「薄膜之線掃瞄連續橫向結晶(Line Scan Sequential Lateral Solidification of Thin Films)」之美國專利申請案第2006-0254500 A1號中描述的線掃描SLS方法即可使用。
根據本發明之一實施態樣，眾多TFT之效能上的較高一致性可藉由適當選擇製造在下層結晶薄膜上的TFT通道的形狀或幾何形態來達到。習知TFT通常係形成而使其通道區係形塑為方形或矩形。此外，TFT通常設置為與垂直晶粒邊界之間的角度為零(見，例如第1A圖)。當TFT相對於該薄膜而無規設置時，上述的取向會在TFT之中造成最大效能變異。
在一或多個實施例中，TFT通道係經形塑處理，也就是形塑為擁有至少一組平行邊的多邊形，而該組平行邊係實質上與該等規律定位的晶粒邊界(例如，一致的結晶化薄膜中之垂直晶粒邊界)垂直，並且實質上與該通道中的電流方向平行。該等多邊形更擁有一第二組邊，其係相對於該等相交晶粒邊界而傾斜。該第二組邊的形狀和傾斜度係經選擇以使相交的晶粒邊界之平均數量在不同的無規設置TFT之中保持大約恆定。在某些實施例中，該等TFT係經形塑為平行四邊形，其擁有基於TFT寬度和晶粒邊界週期性(periodicity)而選擇的邊之傾斜角。根據其他實施例，該組傾斜的邊係經形塑為非直線，含有多個具有角度的直線子邊(例如，鋸齒狀)，或是某些不規則型態的邊，以更進一步減少相交晶粒邊界的變異性。
第3圖示出一範例，其中根據某些實施例而使用此種形塑處理技術。在所有如下圖式中，TFT係用其通道區來做表示。TFT 320的通道區係界定為該源極和汲極區323之間的區域，其係經形塑為一平行四邊形，並擁有長度L和寬度W。此外，通道電流325在源極和汲極323之間流動。該平行四邊形的下及上邊的傾斜角θ3 係經選擇而使得該平行四邊形之下及上邊的垂直跨度(vertical span)326可接近該等垂直晶粒邊界間的間距λ之整數倍數。該角度θ3 因此滿足如下通式(1)
垂直跨度=W*tan(θ)=mλ　(1)
其中θ是該等邊的傾斜角度，而m係選擇為接近1或另一個整數的值。
第4圖示出利用根據某些實施例之形塑處理所達到的效能之實質一致性。第4圖示出三個形狀相同的平行四邊形TFT 410-412，而此三個TFT 410-412係無規地設置在一結晶薄膜400之三個不同位置上。例如，TFT 410的形狀和位置係由其源極和汲極區413的形狀和位置界定。所有三個TFT的通道電流皆在方向425上。該平行四邊形的角度θ4 滿足通式(1)，且m接近1，也就是該垂直跨度406接近一個λ。該等陰影區示出該通道區具有兩個相交晶粒邊界的部分，而該等非陰影區示出具有三個相交晶粒邊界的部分。就關於該等晶粒邊界419而無規設置的TFT 410-412而言，該等陰影及無陰影部分的相對位置改變，但是這些部分的每一個之總面積保持固定。因此，該等TFT可保持一致效能。
在某些實施例中，TFT係藉由在該閘極區內沉積及形成該閘極介電質和金屬接觸，然後摻雜該等TFT區域，例如成為p摻雜區來製造。閘極的存在會實質上遮蔽該閘極區使其不會受到摻雜，因此僅有源極和汲極區會被摻雜，而該閘極區實質上會保持未摻雜或輕微摻雜。最後，該源極和汲極接觸係形成在其對應區域上。
形塑處理，不同於上述之傾斜處理法，其並不需要將該等TFT製造元件相對於該等結晶元件傾斜。該通道電流325的方向保持與該等垂直晶粒邊界319垂直，且實際上並與該等平行晶粒邊界327平行。此電流取向最小化平行晶粒邊界對於TFT的效能所造成之效應，並使控制相交該通道電流之週期性間隔的垂直晶粒邊界的數量成為可能，因而達到一致效能。
如在第4圖所見到者，形塑處理解決習知無角度TFT(例如，見第1A圖)所遭遇到的相交晶粒邊界的變異之問題。第1A圖示出無角度TFT的概要圖，也就是說，矩形的TFT之取向使得TFT的上及下邊相對於由線條110表示之垂直晶粒邊界的角度為零。也僅示出TFT 120的平行晶粒邊界117，並了解其在所有圖式中在該結晶化表面上延伸並與該等垂直邊界110相交。雖然該無角度TFT配置係藉由將TFT通道方向進行定向以容許電流與垂直晶粒邊界相垂直來增加一致性，但其並未解決因為該等TFT之無規設置所造成的相交晶粒邊界之數量的變異。如在TFT 120和122所看到者，與該通道電流相交的晶粒邊界之數量會基於該TFT在該結晶上的位置而改變。明確地說，就TFT 120而言，該通道電流跨越兩個晶粒邊界，且此兩個晶粒邊界皆非常接近該等邊及源極和汲極區123和125。另一方面，就TFT 122而言，該通道電流跨越一個晶粒邊界，而此晶粒邊界距離該源極和汲極區非常遠。因此，該TFT 120會比TFT 122具有較高電阻及較低效能。相交晶粒邊界的數量及位置的變異在通道尺寸縮小且變得與晶粒尺寸可比擬時更為嚴重。在這些情況中，TFT通常僅包含少量晶粒邊界，而該數量的些微變異可造成大的相對改變。例如，在第1A圖中，TFT 120含有兩個垂直晶粒邊界，與含有一個垂直晶粒邊界的TFT 122相比，相當於是增加了100%。
形塑處理也可解決傾斜處理技術之某些例子所遭遇到的大傾斜角和小堆積(packing)數量的問題。在傾斜處理中，TFT通道為矩形並且係相對於晶粒邊界傾斜一角度設置，如第1B－1C圖所示者。該傾斜角係經選擇以使TFT無論其在薄膜上的位置為何而實質上通常包含平均數量相同的相交晶粒邊界。該適當的傾斜角因此取決於TFT的寬度以及該等晶粒邊界的週期性長度。關於傾斜的TFT之其他細節可在美國專利申請案第10/487,170號中找到，其完整內容在此藉由引用的方式併入本文中。在傾斜處理中，為了在該等無規定位TFT之中達到一致效能，該垂直跨度可經選擇為約等於該晶粒間距λ的整數倍數，也就是
垂直跨度=W*sin(θ)=mλ　(2)
其中θ是傾斜角，並且m是一個整數或接近整數的數值。第1B和1C圖示出形成在薄膜上的TFT根據通式(2)傾斜的系統。特定的說，TFT 150-152係傾斜一角度θ1b ，而使該垂直跨度156接近該間距λ，也就是說通式(2)內的m接近1。TFT 190-192更進一步傾斜角度θ1c ，而使該垂直跨度196接近該間距λ的兩倍，也就是說通式(2)內的m接近2。第1C圖也示出TFT 190的源極和汲極區223係關於該薄膜而以相同的傾斜角θ1c 製作。該等陰影區表示含有兩個晶粒邊界的區域，並且該非陰影區表示含有一個晶粒邊界的區域。如圖所見者，就傾斜角度相同且在該薄膜上無規設置的每一組TFT而言，該陰影區可在該TFT內部遊走，但是在TFT 150-152和190-192中，每一組的總陰影面積和總非陰影面積保持固定。傾斜處理可藉由傾斜所處理的薄膜上之通道區本身的位置來完成，或者是藉由在SLS製程期間製造包含一傾斜的週期晶粒結構的薄膜。也可運用兩種方法的組合。
雖然傾斜處理在達到效能一致性上會是一種可用技術，但就窄形TFT，或任意尺寸TFT而言，傾斜是較不實用的作法。產生傾斜會需要該TFT製造設備相對於薄膜和結晶雷射和其他設備而傾斜。就某些工業結晶技術和某些雷射配置而言，此種設備的傾斜會降低效率。此外，若該元件包含不同寬度(W)的TFT，則根據通式(2)會需要不同的傾斜角度，因此該等TFT製造設備必須在產生不同TFT時改變其傾斜度，這在工業生產上會是難以實施的改變。
傾斜處理對於大傾斜角度而言也可能變得較不實用。隨著科技進展並且通道變得更窄，所需的傾斜角度增加，因而造成製造上的困難並且也加大平行晶粒邊界的.隨機效應(random effect)。第2圖示出TFT 310的概要圖(由其通道區表示)，其擁有相對於該間距λ之小寬度W，根據通式(2)，即使m接近1，TFT 310仍需要相對大的角度θ2 ，以使該垂直跨度306接近一個λ。大的傾斜角(例如，接近或大於45度的角度)在以該等角度安裝設備時會造成實際的困難。此外，就大傾斜角而言，TFT效能會受到平行晶粒邊界的影響。如在TFT 311上見到者，就該大傾斜角θ2 而言，通道電流315實際上不再與該等平行晶粒邊界317平行。反之，大量的平行晶粒邊界與該通道電流相交，因此增加TFT中的電阻。這些相交的數量取決於TFT和平行晶粒邊界的位置，並且每一個TFT都可能不一樣。這些變異增加TFT效能的變異並限制傾斜的效果。
為避免上述困難，經過形塑處理的TFT可讓TFT的邊擁有大傾斜度，以確保元件一致性並同時維持與該等平行晶粒邊界平行的電流方向，如第3圖所見到者。此外，經過形塑處理的TFT相較於傾斜處理的TFT而使用更有效的結晶製程，此乃因為不需要相對於該TFT製造設備而傾斜該結晶設備。
與傾斜處理相比，形塑處理也達到較大的堆積效率。例如，平行四邊形TFT 320擁有較小的堆積因子(packing factor)，並且與該傾斜的TFT 310相比而更有效率的使用該薄膜。因為其傾斜度Wt，故該傾斜的TFT 310之有效水平跨度明顯大於該平行四邊形TFT 320的水平跨度W。因此，該形塑處理TFT所使用的有效薄膜面積係小於該傾斜的TFT所使用者，且是在元件的任何特定區域中，因此與傾斜的TFT相比而可能堆積更多的平行四邊形TFT。或者，就在一元件上使用固定數量TFT而言，該等形塑處理TFT比該等傾斜的TFT需要較少的結晶區域。
除了平行四邊形，可根據某些實施例使用其他形狀的形塑處理TFT。在某些實施例中，該等TFT係經形塑為擁有包含多個相交的傾斜子邊(sub-edge)之邊。在又其他實施例中，該等TFT擁有具其他不規則形狀的邊。第5圖示出根據某些實施例的形塑處理TFT 510。在TFT 510中，由該源極和汲極區513所界定的該通道區的上和下邊係經形塑為包含多個子邊(所謂的鋸齒狀)的兩個邊。每一個子邊的傾斜角θ5 係經選擇使得該平行四邊形的下及上邊的垂直跨度506可接近該等垂直晶粒邊界之間的間距λ之整數倍數。該角度θ5 因此滿足下面的通式(3)
垂直跨度=W*tan(θ)/n=mλ　(3)
其中n是子邊的數量，並且其中m係經選擇為擁有接近整數的值。明確地說，就第5圖而言，n的值是6，而m的值接近1。在某些實施例中，該等子邊可擁有不同角度。也可預期到其它幾何形狀，其在不同的無規設置TFT之中提供大約固定數量的相交晶粒邊界。
在某些實施例中，可運用傾斜處理和形塑處理的組合來產生也相對於該薄膜傾斜的形塑處理TFT。在某些實施例中，該平行四邊形的角度可選擇大一些，以使該角度滿足通式(1)或通式(3)，且帶有大於1之接近整數的m值，例如2。特別建議在擁有不一致晶粒邊界的薄膜上使用較大的m值。
用2D系統產生的結晶薄膜之不一致性的一個來源可能是該矩形雷射光束的輻射能量之不一致性。在2D系統中，該光束是窄長形，藉以延伸掃描區並降低台座掃描速度。雖然此窄長形狀增加通量率(throughput rate)，但其會降低輻射能量的一致性，因為要使在遠離該雷射軸的區域內與接近該軸的區域相比而擁有相同的投影性質是很困難的。因此拉長該光束會使該雷射光束的能量在接近該等邊的區域內降低。該雷射之輻射能量的不一致性轉而會造成融化的薄膜以及所形成的結晶之特性的不一致性。
在某些實施例中，為了降低晶粒邊界數量變異的相應效應，係使用較大的TFT，也就是擁有較大長度L的TFT。較大的TFT通常包含較大量的垂直晶粒邊界。因此，其特性會由大量的個別晶粒邊界之特性經由平均化而得到。此外，該晶粒邊界量中之一者的變異會在總晶粒邊界量中造成微小的相應改變，並在該TFT的效能上造成微小的相應變異。
在其他實施例中，元件一致性係藉由縮減相對於元件尺寸之結晶晶粒尺寸來增加，因此會產生更有效的平均化。此種方案在未來的顯示器產品和AMOLED顯示器上是尤其有用的。概念上，較短的晶粒(該等垂直晶粒邊界之間較小的間距)可藉由減少光束寬度來達到，例如，該光束寬度的「短軸」，因此橫向生長波前較快相遇。減少的光束寬度可例如藉由減少待投影的圖案之寬度來達成，亦可能合併降低照射強度。但是，實際上這並不容易，因為受限於所使用的投影系統之解析度。較高解析度僅能以減少聚焦深度的代價來達成。特定的光束尺寸(例如，跟第4代面板的寬度一樣長)和面板粗糙度是有問題的。同樣的問題也在非投影系統發生，其中該光束係聚焦在一窄線條上。在此，該額外的問題是較不傾向使用高斯光束輪廓，因為結晶對於脈衝間之能量較敏感。
在某些實施例中，使用具有沿著其短軸而不對稱的強度分佈之雷射光束來產生較小的晶粒。第6(c)圖示出此種光束之強度分佈之一範例。在某些實施例中，一不對稱光束分佈可藉由移動從該透鏡中心引導至該投影透鏡內之入射光束來產生。該移動造成像差並產生不對稱強度光束。在其他實施例中，不對稱光束輪廓係藉由引導入射光束至該光束寬度界定狹縫中來產生。在又其他實施例中，可藉由調整光學元件(例如：投影透鏡、狹縫、均質器等)的位置來產生不對稱光束，以在光束寬度內重新分配雷射能量強度。
第6圖示出不同短軸光束輪廓的效果。一低強度光束，如第6(a)圖所示，會造成有限的橫向生長。該區域6001利用該光束融化。在除去該光束後，區域6001橫向結晶為區域6002和6003。因為該光束之低能量，故該等結晶區域6002和6003在彼此相遇之前即完成其結晶化，並在其間形成一非結晶成核矽區域6004。該降低的光束能量因此造成較小的橫向晶粒生長，但光束解析度的限制妨礙此種光束的實際應用。該成核區可藉由降低該光束寬度來避免，但此種降低寬度之動作可能如前面所解釋般而不可行。一較高強度的光束，如第6(b)圖所示，會造成較大的橫向生長長度。在此例中，該等橫向結晶區域6005和6006沿著晶粒邊界6008相遇，並且不存在有成核矽區域。在某些實施例中，低強度可以是完全融化強度的約1.3倍，而高強度可以是完全融化強度的約1.9倍。該完全融化強度取決於薄膜厚度和脈衝時間。在某些實施例中，典型的完全融化強度值約是0.4-0.9焦耳/平方公分。
但是，如第6(c)圖所示之不對稱強度光束，其相較於第6(b)圖所示之高能量密度分佈來說而可提供較長及較短的橫向生長兩者。明確地說，在該冷側的生長(即第6(c)圖的左側)會進展得比該熱側(即右側)還要快，而成核仍然在最熱區域中被有效抑制。因此，該光束之強度較弱側(即第6(c)圖範例的左側)的橫向生長係比該光束之強度較強側(即右側)還要長。這造成不對稱的橫向生長，其中區域6012的橫向生長長度LGL 1大於區域6014的橫向生長長度LGL 2。
擁有不對稱強度光束的系統可例如用來以高產率結晶***面板。在此種目的在於產生方向性結晶材料的系統中，我們可藉由增加樣本移動速度來增加脈衝間(in-between-pulse)移動距離(該光束關於該薄膜的相對位移)，因而達到較高產率。
在某些實施例中，使用2次照射SLS技術，該不對稱光束可用來縮小結晶晶粒尺寸。第7A-7C圖示出使用對稱光束之2次照射SLS方法的光束進程。在此種系統中，該光束移動介於LGL和2 LGL之間的位移。所形成的週期性晶粒邊界係相隔開位移值D。
第8A-8C圖示出根據某些實施例之使用不對稱光束之2次照射SLS方法的光束進程。在此種系統中，該光束往左移，也就是較大晶粒的方向。就一2次照射SLS系統而言，位移值D必需介於LGL 2和LGL 1+LGL 2之間，其係該光束的總寬度。所形成的週期性晶粒邊界仍然相隔開位移值D。藉由選擇位移值D’為接近LGL 2，可因而產生比第7C圖的系統更靠近彼此的週期性邊界。因此，產生較短晶粒且不犧牲聚焦深度。通常D’係經選擇為等於LGL 2+δ，其中選擇小的δ，但因而使連續照射之間的重疊降低沿著光束邊緣之光束強度變異的效應。在某些實施例中，其中該光束寬度通常介於4至10微米，δ通常可在0.2至0.5微米左右。
第8A-8C圖的產率會比第7A-7C圖(使用對稱光束來產生較長晶粒)低，因為第8A-8C圖的位移係經選擇為小於第7A-7C圖。另一方面，在使用擁有對稱光束的方向性SLS方法之系統中，必須選擇小於LGL(光束寬度的一半)的位移。因此，若第8A-8C圖的位移與使用對稱光束的方向性SLS系統可比擬或更大，第8A-8C圖的產率仍可能與使用對稱光束的方向性SLS相比擬或更好。
在某些實施例中，效能的不一致性係由二維(2D)雷射光束的能量變異所致。為了減少此類不一致性，在某些實施例中，使用較小的光束深寬比(aspect ratio)，降低光束長度對其寬度的比例，並產生形狀接近方形的雷射光束。深寬比較小的光束使用更多聚焦該光束的透鏡之中央部分(與較不適用之透鏡的外部相反)。此技術在雷射結構中尤其有用，例如JSW販售的2D雷射系統。
雖然已示出並描述本發明之範例，對於熟知技藝者而言，可在不悖離本發明範圍下對其做出各種改變及調整是顯而易見的。熟知技藝者可認知到，或是能夠斷定，只需用一般經驗，在此所述之特定組合物及程序的眾多等效物，例如藉由合併或重新整理元素或實施例。此類等效物係視為落在本發明範圍內，並且被如下申請專利範圍涵蓋。
110、117、317、319、327、419、1002、1004、1006、1008、1110、1120、6008．．．晶粒邊界
120、122、150-152、190-192、310、311、320、410-412、510．．．TFT
123、125、223、323、413、513．．．源極和汲極區
156、196、306、326、406、506．．．垂直跨度
220．．．雷射源
240．．．雷射光束脈衝
260．．．基材
270．．．晶圓處理台
280b．．．遮罩
295b．．．投影透鏡
315、325、425．．．通道電流
400、400’、440、450、6001、6002、6003、6004、6005、6006、6012、6014．．．區域
405．．．中線
407．．．晶柱
420．．．介面
430．．．重疊寬度
900．．．系統
910．．．衰減器
920．．．望遠鏡
930．．．均質器
940．．．聚光透鏡
950．．．光束反射元件
970b．．．場透鏡
W．．．寬度
δ．．．距離
L．．．長度
λ．．．間距
θ、θ1b 、θ1c 、θ2 、θ3 、θ4 、θ5 ．．．角度/角
Wt ．．．傾斜度
D、D’．．．位移值
在圖式中：
第1A－1C圖，係繪示以不同傾斜角度形成在擁有週期性晶粒邊界之結晶薄膜上的TFT；
第2圖，係繪示位於擁有週期性晶粒邊界之結晶薄膜上的傾斜之小寬度TFT；
第3圖，係繪示根據某些實施例之位於擁有週期性晶粒邊界之結晶薄膜上的經形塑處理之TFT；
第4圖，係繪示根據某些實施例之位於擁有週期性晶粒邊界之結晶薄膜上的三個經形塑處理之TFT；
第5圖，係繪示根據某些實施例之位於擁有週期性晶粒邊界之結晶薄膜上的經形塑處理之擁有鋸齒狀邊緣之TFT；
第6圖，繪示出不同光束分佈對於結晶的影響；
第7A－7C圖，繪示二次照射連續橫向結晶(2 shot SLS)技術之示意圖；
第8A－8C圖，繪示在二次照射連續橫向結晶技術中使用不對稱光束分佈之實施例的示意圖；
第9圖，繪示產生2D雷射光束的系統；
第10A圖，繪示形成在擁有利用準分子雷射退火形成之結晶微結構的薄膜內之TFT；
第10B－10D圖，繪示形成在擁有利用連續橫向結晶形成之結晶微結構的薄膜內之TFT；
第10E圖，繪示透過ELA處理之薄膜的SEM影像上視圖；
第10F圖，繪示擁有一致微結構之薄膜的SEM影像上視圖；
第10G圖，繪示擁有方向性微結構之薄膜的SEM影像上視圖；以及
第11A－11D圖，繪示利用連續橫向結晶之「一致」結晶的產生。
400．．．結晶薄膜
406．．．垂直跨度
410-412．．．TFT
413．．．源極和汲極區
419．．．晶粒邊界
425．．．通道電流
W．．．寬度
λ．．．間距
θ4 ．．．角度

Claims (21)

  1. 一種薄膜電晶體(TFT)，包含：設置在一結晶基材內的一通道區，該結晶基材包含複數個晶粒邊界，且該等晶粒邊界係彼此大致平行並且以大約相同的間距λ分隔開，其中該通道區的形狀包含一非等角多邊形，且該通道區的範圍被界定為介於該非等角多邊形之一源極區與一汲極區之間的區域，該非等角多邊形具有兩相對側邊以及一上邊與一下邊，該等兩相對側邊係經定向而實質垂直於與該等晶粒邊界，該上邊與該下邊係由該源極區與該汲極區所形成，其中至少該上邊與該下邊之每一者之一部分以相對於該等晶粒邊界之一傾斜角而定向，該傾斜角大於0度且小於90度，且該上邊與該下邊之每一者之一部分的傾斜角係經選擇而使得該多邊形所涵蓋的晶粒邊界之數量係獨立於該通道區在該結晶基材內的位置，其中一電流以平行於該等兩相對側邊的一方向在該結晶基材的該上邊與該下邊之間流動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該多邊形包含一凹多邊形。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該多邊形包含一凸多邊形。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中用於該上邊與該下邊之每一者之該部分的該傾斜角係相同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中用於該上邊與該下邊之每一者之該部分的該傾斜角係不同。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該多邊形包含一四邊形。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜電晶體，其中該上邊與該下邊實質上呈彼此平行，且其中用於該四邊形之該上邊與該下邊之該傾斜角係經選擇而使得用於該上邊與該下邊之每一者的該垂直跨度約為晶粒邊界之間間距的整數倍。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體，其中該上邊與該下邊之傾斜角θ、該等晶粒邊界之間大約相同的間距λ、以及該等二側邊之間的距離W係滿足方程式W*tan(θ)=m λ，其中m的值約為一整數。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體，其中上述之m約為1。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體，其中上述之m約為一大於1的整數。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體，其中該多邊形包含一平行四邊形。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之薄膜電晶體，其中該四邊形的該上邊與該下邊彼此不平行，且其中用於該平行四邊形的該上邊與該下邊之該等傾斜角經選擇而不同，使得用於該上邊與該下邊的該垂直跨度約為晶粒邊界之間間距之不同的整數倍。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之薄膜電晶體，其中用於該四邊形之該上邊與該下邊之傾斜角θ、該等晶粒邊界之間大約相同的間距λ、以及該等二側邊之間的距離W係滿足方程式W*tan(θ)=m λ，其中m的值約為一整數。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，更包含一源極區與一汲極區，上述兩區之每一者皆鄰近於該上邊與該下邊之一者。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該上邊與該下邊之至少一者包含複數個線段，且其中該等線 段之一或多者具有相對於該等複數個晶粒邊界之一傾斜角，該傾斜角大於0度且小於90度，且該線段之該一或多者之每一者的傾斜角係經選擇而使得被該多邊形所涵蓋晶粒邊界之數量獨立於該通道區在該結晶基材內的位置。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之薄膜電晶體，其中該等一或多個線段之每一者的傾斜角經選擇使得用於該線段該垂直跨度約為晶粒邊界之間間距之一整數倍。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之薄膜電晶體，其中該上邊與該下邊之每一者包含n個線段，該n個線段之每一者具有相同之傾斜角θ且將一第一側邊之一端部連接到一第二側邊之一端部，且對於介於二側邊之間的距離W、該傾斜角θ而言係滿足方程式W*tan(θ)=m λ，其中m的值接近一整數。
  18. 一種處理一薄膜的系統，該系統包含：一雷射源，該雷射源提供一雷射光束；一雷射光學器件(optics)，該等雷射光學器件將各個該等雷射光束塑形為一線光束，該線光束具有一通量，該線光束之通量導致該薄膜之一經照射部分以將該薄膜之整個厚度融化，且其中該薄膜之該經照射部分具有一長軸與一短軸，且進一步其中該雷射光束具有一強 度輪廓，該強度輪廓係非對稱使得該雷射光束的該強度以從該短軸的一第一端部至該短軸的一第二端部的方向做變化，一台座，該台座用以支撐該薄膜並且至少能夠在x方向上移動；以及複數個指示，該等指示儲存於電腦可讀取媒體內，該等指示包含：以該雷射光束照射該薄膜的一第一部分以至於能融化該薄膜的該第一部份；容許該第一部分橫向結晶，其中該經結晶的第一部分包含具有橫向生長的晶粒之一第一晶柱和一第二晶柱，該第一晶柱係平行於該長軸而形成在覆蓋該短軸之該第一端的該第一部分之一第一側上，並且該第二晶柱係平行於該長軸而形成在覆蓋該短軸之該第二端的該第一部分之一第二側上，並且其中當在該短軸方向上測量時，該第一晶柱內之晶粒的一第一平均長度係大於該第二晶柱內的晶粒之一第二平均長度；以及以該雷射光束照射該薄膜的一第二部分以至於能融化該薄膜的該第二部份，其中該第二部分相對於該第一部份橫向地位移一位移距離，其中該位移距離平行於該短軸且沿著從該短軸之該第二端部至該第一端部的方向移動，且進一步其中該位移距離的值大於該第二平均長度且小於該第一平均長度與該第二平均長度的總和。
  19. 一種製備一多晶薄膜的方法，包含以下步驟：提供一基材，該基材具有設置在其上的一薄膜，該薄膜能夠經雷射誘發而融化；產生一雷射光束以照射該薄膜，其中該雷射光束為一線型光束，其會使該薄膜的受照射部分融化而貫穿其厚度，並且其中該薄膜的該受照射部分具有一長軸及一短軸，此外，其中該雷射光束具有一強度輪廓，該強度輪廓係非對稱使得該雷射光束的該強度以從該短軸的一第一端部至該短軸的一第二端部的方向做變化，藉由以該雷射光束照射該薄膜之一第一部分而融化該第一部分；容許該第一部分橫向結晶，其中該結晶的第一部分包含橫向生長晶粒之一第一晶柱和一第二晶柱，該第一晶柱係平行於該長軸而形成在覆蓋該短軸之該第一端的該第一部分之一第一側上，並且該第二晶柱係平行於該長軸而形成在覆蓋該短軸之該第二端的該第一部分之一第二側上，並且其中當在該短軸方向上測量時，該第一晶柱內之晶粒的一第一平均長度係大於該第二晶柱內的晶粒之一第二平均長度；以及藉由以該雷射光束照射該薄膜之一第二部分而融化該第二部分，其中該第二部分係相對於該第一部分而橫向移位一位移，其中該位移係與該短軸平行，並且該位移之方向為從該短軸的該第二端至該第一端，此外，其中該位移的值係大於該第二平均長度且小於該第一和該 第二平均長度的總和。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該雷射光束的該強度輪廓係為一線性輪廓，該線性輪廓線性地以從該短軸的該第一端部至該短軸的該第二端部的方向線性地做變化，且沿著該長軸方向幾乎保持恆定。
  21. 一種在一結晶基材上製造複數個薄膜電晶體(TFT)的方法，其中該等複數個薄膜電晶體設置於一結晶基材內，該結晶基材具有複數個晶粒邊界，且該等晶粒邊界係彼此大致平行並且以大約相同的間距λ分隔開，該方法包含以下步驟：形成該等複數個薄膜電晶體之每一個薄膜電晶體的一通道區，該通道區的形狀包含一非等角多邊形，其中該通道區的範圍被界定為介於該非等角多邊形之一源極區與一汲極區之間的區域，該非等角多邊形具有兩相對側邊以及一上邊與一下邊，該兩相對側邊係經定向而實質垂直於該等晶粒邊界，該上邊與該下邊係由該源極區與該汲極區所形成，其中至少該上邊與該下邊之每一者之一部分以相對於該等晶粒邊界之一傾斜角而定向，該傾斜角大於0度且小於90度，且該上邊與該下邊之每一者之一部分的傾斜角係經選擇而使得由該多邊形所涵蓋的晶粒邊界之數量係獨立於該通道區在該結晶基材內的位置，其中一電流以平行於該等兩相對側邊的一方向在 該結晶基材的該上邊與該下邊之間流動。
TW097136936A 2007-09-25 2008-09-25 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法 TWI418037B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US99519907P 2007-09-25 2007-09-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200939481A TW200939481A (en) 2009-09-16
TWI418037B true TWI418037B (zh) 2013-12-01

Family

ID=40511857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097136936A TWI418037B (zh) 2007-09-25 2008-09-25 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8415670B2 (zh)
JP (1) JP5385289B2 (zh)
KR (1) KR20100074179A (zh)
TW (1) TWI418037B (zh)
WO (1) WO2009042784A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7985990B2 (en) * 2008-08-12 2011-07-26 Texas Instruments Incorporated Transistor layout for manufacturing process control
TWI528418B (zh) 2009-11-30 2016-04-01 應用材料股份有限公司 在半導體應用上的結晶處理
JP5181396B2 (ja) * 2010-01-15 2013-04-10 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶育成装置および単結晶育成方法
KR101107166B1 (ko) * 2010-03-12 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 비정질 실리콘막의 결정화 방법
KR101777289B1 (ko) * 2010-11-05 2017-09-12 삼성디스플레이 주식회사 연속측면고상화(Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ:ＳＬＳ)를 이용한 결정화 장치
CN104465673B (zh) * 2014-12-30 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、以及显示装置
CN106684091A (zh) * 2015-11-09 2017-05-17 上海和辉光电有限公司 显示面板、阵列基板及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW552684B (en) * 2001-01-26 2003-09-11 Expl Of Next Generation Co Ltd Semiconductor device
TW200737519A (en) * 2006-03-17 2007-10-01 Ind Tech Res Inst Thin film transistor device with high symmetry

Family Cites Families (276)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2030468A5 (zh) 1969-01-29 1970-11-13 Thomson Brandt Csf
US4234358A (en) 1979-04-05 1980-11-18 Western Electric Company, Inc. Patterned epitaxial regrowth using overlapping pulsed irradiation
US4309225A (en) 1979-09-13 1982-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam
DE3177084D1 (en) 1980-04-10 1989-09-21 Massachusetts Inst Technology Method of producing sheets of crystalline material
US4382658A (en) 1980-11-24 1983-05-10 Hughes Aircraft Company Use of polysilicon for smoothing of liquid crystal MOS displays
US4456371A (en) 1982-06-30 1984-06-26 International Business Machines Corporation Optical projection printing threshold leveling arrangement
US4691983A (en) 1983-10-14 1987-09-08 Hitachi, Ltd. Optical waveguide and method for making the same
US4653903A (en) 1984-01-24 1987-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US4639277A (en) 1984-07-02 1987-01-27 Eastman Kodak Company Semiconductor material on a substrate, said substrate comprising, in order, a layer of organic polymer, a layer of metal or metal alloy and a layer of dielectric material
JPH084067B2 (ja) 1985-10-07 1996-01-17 工業技術院長 半導体装置の製造方法
JPH0732124B2 (ja) 1986-01-24 1995-04-10 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JPS62181419A (ja) 1986-02-05 1987-08-08 Nec Corp 多結晶シリコンの再結晶化法
US4793694A (en) 1986-04-23 1988-12-27 Quantronix Corporation Method and apparatus for laser beam homogenization
JPS62293740A (ja) 1986-06-13 1987-12-21 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4758533A (en) 1987-09-22 1988-07-19 Xmr Inc. Laser planarization of nonrefractory metal during integrated circuit fabrication
USRE33836E (en) 1987-10-22 1992-03-03 Mrs Technology, Inc. Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems
US5204659A (en) 1987-11-13 1993-04-20 Honeywell Inc. Apparatus and method for providing a gray scale in liquid crystal flat panel displays
JPH01256114A (ja) 1988-04-06 1989-10-12 Hitachi Ltd レーザアニール方法
JP2569711B2 (ja) 1988-04-07 1997-01-08 株式会社ニコン 露光制御装置及び該装置による露光方法
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2706469B2 (ja) 1988-06-01 1998-01-28 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US4940505A (en) 1988-12-02 1990-07-10 Eaton Corporation Method for growing single crystalline silicon with intermediate bonding agent and combined thermal and photolytic activation
JPH02283036A (ja) 1989-04-25 1990-11-20 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
US5076667A (en) 1990-01-29 1991-12-31 David Sarnoff Research Center, Inc. High speed signal and power supply bussing for liquid crystal displays
JP2802449B2 (ja) 1990-02-16 1998-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5247375A (en) 1990-03-09 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Display device, manufacturing method thereof and display panel
US5233207A (en) 1990-06-25 1993-08-03 Nippon Steel Corporation MOS semiconductor device formed on insulator
JP2973492B2 (ja) 1990-08-22 1999-11-08 ソニー株式会社 半導体薄膜の結晶化方法
US5032233A (en) 1990-09-05 1991-07-16 Micron Technology, Inc. Method for improving step coverage of a metallization layer on an integrated circuit by use of a high melting point metal as an anti-reflective coating during laser planarization
KR920010885A (ko) 1990-11-30 1992-06-27 카나이 쯔또무 박막반도체와 그 제조방법 및 제조장치 및 화상처리장치
US5173441A (en) 1991-02-08 1992-12-22 Micron Technology, Inc. Laser ablation deposition process for semiconductor manufacture
CA2061796C (en) 1991-03-28 2002-12-24 Kalluri R. Sarma High mobility integrated drivers for active matrix displays
JP3213338B2 (ja) 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
US5373803A (en) 1991-10-04 1994-12-20 Sony Corporation Method of epitaxial growth of semiconductor
US5485019A (en) 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5424244A (en) 1992-03-26 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
JP2572003B2 (ja) 1992-03-30 1997-01-16 三星電子株式会社 三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタの製造方法
US5285236A (en) 1992-09-30 1994-02-08 Kanti Jain Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system
US5291240A (en) 1992-10-27 1994-03-01 Anvik Corporation Nonlinearity-compensated large-area patterning system
JPH06177034A (ja) 1992-12-03 1994-06-24 Sony Corp 半導体単結晶の成長方法
JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US5444302A (en) 1992-12-25 1995-08-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device including multi-layer conductive thin film of polycrystalline material
JP2603418B2 (ja) 1993-02-23 1997-04-23 株式会社ジーティシー 多結晶半導体薄膜の製造方法
JP3599355B2 (ja) 1993-03-04 2004-12-08 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法及び液晶ディスプレイの製造方法
JP3357707B2 (ja) 1993-03-25 2002-12-16 三洋電機株式会社 多結晶半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JPH076960A (ja) 1993-06-16 1995-01-10 Fuji Electric Co Ltd 多結晶半導体薄膜の生成方法
US5453594A (en) 1993-10-06 1995-09-26 Electro Scientific Industries, Inc. Radiation beam position and emission coordination system
US5395481A (en) 1993-10-18 1995-03-07 Regents Of The University Of California Method for forming silicon on a glass substrate
KR100299292B1 (ko) 1993-11-02 2001-12-01 이데이 노부유끼 다결정실리콘박막형성방법및그표면처리장치
JP2646977B2 (ja) 1993-11-29 1997-08-27 日本電気株式会社 順スタガ型薄膜トランジスタの製造方法
US5496768A (en) 1993-12-03 1996-03-05 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing polycrystalline silicon thin film
JP2630244B2 (ja) 1993-12-20 1997-07-16 日本電気株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP3060813B2 (ja) 1993-12-28 2000-07-10 トヨタ自動車株式会社 レーザ加工装置
US6130009A (en) 1994-01-03 2000-10-10 Litel Instruments Apparatus and process for nozzle production utilizing computer generated holograms
JPH07249591A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜のレーザーアニール方法及び薄膜半導体素子
US5456763A (en) 1994-03-29 1995-10-10 The Regents Of The University Of California Solar cells utilizing pulsed-energy crystallized microcrystalline/polycrystalline silicon
JP3072005B2 (ja) 1994-08-25 2000-07-31 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5756364A (en) 1994-11-29 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device using a catalyst
TW303526B (zh) 1994-12-27 1997-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd
US5844588A (en) 1995-01-11 1998-12-01 Texas Instruments Incorporated DMD modulated continuous wave light source for xerographic printer
JPH08236443A (ja) 1995-02-28 1996-09-13 Fuji Xerox Co Ltd 半導体結晶の成長方法および半導体製造装置
WO1996033839A1 (en) 1995-04-26 1996-10-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and apparatus for step and repeat exposures
US5742426A (en) 1995-05-25 1998-04-21 York; Kenneth K. Laser beam treatment pattern smoothing device and laser beam treatment pattern modulator
TW297138B (zh) 1995-05-31 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6524977B1 (en) 1995-07-25 2003-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of laser annealing using linear beam having quasi-trapezoidal energy profile for increased depth of focus
US5721606A (en) 1995-09-07 1998-02-24 Jain; Kanti Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask
JP3348334B2 (ja) 1995-09-19 2002-11-20 ソニー株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
KR19990063832A (ko) 1995-09-29 1999-07-26 세이즈 테크놀러지, 인코오포레이티드 광학 디지탈 매체 기록 및 재생 시스템
US6444506B1 (en) 1995-10-25 2002-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing silicon thin film devices using laser annealing in a hydrogen mixture gas followed by nitride formation
US5817548A (en) 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
JPH09171971A (ja) 1995-12-21 1997-06-30 Japan Steel Works Ltd:The レーザーアニール処理装置
US6136632A (en) 1995-12-26 2000-10-24 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, method of producing an active matrix substrate, liquid crystal display device, and electronic equipment
US5858807A (en) 1996-01-17 1999-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing liquid crystal display device
JP3240258B2 (ja) 1996-03-21 2001-12-17 シャープ株式会社 半導体装置、薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに液晶表示装置及びその製造方法
JPH09260681A (ja) 1996-03-23 1997-10-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JPH09270393A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Sanyo Electric Co Ltd レーザー光照射装置
DE19707834A1 (de) 1996-04-09 1997-10-16 Zeiss Carl Fa Materialbestrahlungsgerät und Verfahren zum Betrieb von Materialbestrahlungsgeräten
US5997642A (en) 1996-05-21 1999-12-07 Symetrix Corporation Method and apparatus for misted deposition of integrated circuit quality thin films
US6555449B1 (en) 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
CA2256699C (en) 1996-05-28 2003-02-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate, and devices made therewith
JPH09321210A (ja) 1996-05-30 1997-12-12 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム
JPH09321310A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP3306300B2 (ja) 1996-06-20 2002-07-24 三洋電機株式会社 半導体膜のレーザーアニール方法
US5736709A (en) 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
JP3349355B2 (ja) * 1996-08-19 2002-11-25 三洋電機株式会社 半導体膜のレーザーアニール方法
JP3917698B2 (ja) 1996-12-12 2007-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
US5861991A (en) 1996-12-19 1999-01-19 Xerox Corporation Laser beam conditioner using partially reflective mirrors
US6020244A (en) 1996-12-30 2000-02-01 Intel Corporation Channel dopant implantation with automatic compensation for variations in critical dimension
US5986807A (en) 1997-01-13 1999-11-16 Xerox Corporation Single binary optical element beam homogenizer
US6455359B1 (en) 1997-02-13 2002-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser-irradiation method and laser-irradiation device
JP4056577B2 (ja) 1997-02-28 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射方法
JPH10244390A (ja) 1997-03-04 1998-09-14 Toshiba Corp レーザ加工方法及びその装置
JP4086932B2 (ja) 1997-04-17 2008-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及びレーザー処理方法
US5948291A (en) 1997-04-29 1999-09-07 General Scanning, Inc. Laser beam distributor and computer program for controlling the same
US6060327A (en) 1997-05-14 2000-05-09 Keensense, Inc. Molecular wire injection sensors
JP3503427B2 (ja) 1997-06-19 2004-03-08 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH1125064A (ja) 1997-06-27 1999-01-29 Sony Corp 環境影響評価導出方法
JP3642546B2 (ja) 1997-08-12 2005-04-27 株式会社東芝 多結晶半導体薄膜の製造方法
US6014944A (en) 1997-09-19 2000-01-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for improving crystalline thin films with a contoured beam pulsed laser
JP3943245B2 (ja) 1997-09-20 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3462053B2 (ja) 1997-09-30 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 ビームホモジェナイザーおよびレーザー照射装置およびレーザー照射方法および半導体デバイス
EP1049144A4 (en) 1997-12-17 2006-12-06 Matsushita Electronics Corp THIN SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD AND DEVICE THEREOF, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
JPH11186189A (ja) 1997-12-17 1999-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
TW466772B (en) 1997-12-26 2001-12-01 Seiko Epson Corp Method for producing silicon oxide film, method for making semiconductor device, semiconductor device, display, and infrared irradiating device
KR100284708B1 (ko) 1998-01-24 2001-04-02 구본준, 론 위라하디락사 실리콘박막을결정화하는방법
JP3807576B2 (ja) 1998-01-28 2006-08-09 シャープ株式会社 重合性化合物、重合性樹脂材料組成物、重合硬化物及び液晶表示装置
JPH11297852A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
US6504175B1 (en) 1998-04-28 2003-01-07 Xerox Corporation Hybrid polycrystalline and amorphous silicon structures on a shared substrate
JPH11330000A (ja) 1998-05-13 1999-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非単結晶薄膜のレーザーアニール方法
JP2000066133A (ja) 1998-06-08 2000-03-03 Sanyo Electric Co Ltd レ―ザ―光照射装置
KR100296110B1 (ko) 1998-06-09 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터 제조방법
KR100292048B1 (ko) 1998-06-09 2001-07-12 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터액정표시장치의제조방법
US6326286B1 (en) 1998-06-09 2001-12-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for crystallizing amorphous silicon layer
KR100296109B1 (ko) 1998-06-09 2001-10-26 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터제조방법
JP2000010058A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Hamamatsu Photonics Kk 空間光変調装置
WO2000002251A1 (fr) 1998-07-06 2000-01-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transistor a couches minces et affichage a cristaux liquides
US6555422B1 (en) 1998-07-07 2003-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
US6072631A (en) 1998-07-09 2000-06-06 3M Innovative Properties Company Diffractive homogenizer with compensation for spatial coherence
US6246524B1 (en) 1998-07-13 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
US6346437B1 (en) 1998-07-16 2002-02-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single crystal TFT from continuous transition metal delivery method
JP3156776B2 (ja) 1998-08-03 2001-04-16 日本電気株式会社 レーザ照射方法
DE19839718A1 (de) 1998-09-01 2000-03-02 Strunk Horst P Kristallisation von Halbleiterschichten mit gepulster Laserstrahlung durch Belichtung mit einer Zweistrahlmethode
GB9819338D0 (en) 1998-09-04 1998-10-28 Philips Electronics Nv Laser crystallisation of thin films
JP4439630B2 (ja) * 1998-10-05 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 シリンドリカルレンズアレイおよびビームホモジェナイザー
EP1744349A3 (en) 1998-10-05 2007-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, beam homogenizer, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device
US6326186B1 (en) 1998-10-15 2001-12-04 Novozymes A/S Method for reducing amino acid biosynthesis inhibiting effects of a sulfonyl-urea based compound
US6081381A (en) 1998-10-26 2000-06-27 Polametrics, Inc. Apparatus and method for reducing spatial coherence and for improving uniformity of a light beam emitted from a coherent light source
US6120976A (en) 1998-11-20 2000-09-19 3M Innovative Properties Company Laser ablated feature formation method
US6313435B1 (en) 1998-11-20 2001-11-06 3M Innovative Properties Company Mask orbiting for laser ablated feature formation
KR100290787B1 (ko) 1998-12-26 2001-07-12 박종섭 반도체 메모리 소자의 제조방법
TW457553B (en) 1999-01-08 2001-10-01 Sony Corp Process for producing thin film semiconductor device and laser irradiation apparatus
JP2000208771A (ja) 1999-01-11 2000-07-28 Hitachi Ltd 半導体装置、液晶表示装置およびこれらの製造方法
US6203952B1 (en) 1999-01-14 2001-03-20 3M Innovative Properties Company Imaged article on polymeric substrate
US6162711A (en) 1999-01-15 2000-12-19 Lucent Technologies, Inc. In-situ boron doped polysilicon with dual layer and dual grain structure for use in integrated circuits manufacturing
TW444247B (en) 1999-01-29 2001-07-01 Toshiba Corp Laser beam irradiating device, manufacture of non-single crystal semiconductor film, and manufacture of liquid crystal display device
JP3161450B2 (ja) 1999-02-02 2001-04-25 日本電気株式会社 基板処理装置、ガス供給方法、及び、レーザ光供給方法
US6535535B1 (en) 1999-02-12 2003-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and semiconductor device
ATE332567T1 (de) 1999-03-01 2006-07-15 Fuji Photo Film Co Ltd Photoelektrochemische zelle mit einem elektrolyten aus flüssigkristallverbindungen
US6393042B1 (en) 1999-03-08 2002-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer and laser irradiation apparatus
US6493042B1 (en) 1999-03-18 2002-12-10 Xerox Corporation Feature based hierarchical video segmentation
JP4403599B2 (ja) 1999-04-19 2010-01-27 ソニー株式会社 半導体薄膜の結晶化方法、レーザ照射装置、薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
JP2000315652A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Sony Corp 半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置
JP2000346618A (ja) 1999-06-08 2000-12-15 Sumitomo Heavy Ind Ltd 矩形ビーム用精密アライメント装置と方法
US6135632A (en) 1999-06-16 2000-10-24 Flint; Theodore R. Disposable static mixing device having check valve flaps
JP3562389B2 (ja) 1999-06-25 2004-09-08 三菱電機株式会社 レーザ熱処理装置
KR100327087B1 (ko) 1999-06-28 2002-03-13 구본준, 론 위라하디락사 레이저 어닐링 방법
JP2001023918A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Nec Corp 半導体薄膜形成装置
JP4322359B2 (ja) 1999-07-08 2009-08-26 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置
JP2001023899A (ja) 1999-07-13 2001-01-26 Hitachi Ltd 半導体薄膜とその半導体膜を用いた液晶表示装置及びその製造方法
JP3422290B2 (ja) 1999-07-22 2003-06-30 日本電気株式会社 半導体薄膜の製造方法
US6190985B1 (en) 1999-08-17 2001-02-20 Advanced Micro Devices, Inc. Practical way to remove heat from SOI devices
US6599788B1 (en) 1999-08-18 2003-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
TW457732B (en) 1999-08-27 2001-10-01 Lumileds Lighting Bv Luminaire, optical element and method of illuminating an object
US6573531B1 (en) 1999-09-03 2003-06-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures
JP2001144170A (ja) 1999-11-11 2001-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2001151595A (ja) 1999-11-19 2001-06-05 Murata Mfg Co Ltd 単結晶製造方法および製造装置
US6368945B1 (en) 2000-03-16 2002-04-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification
US6830993B1 (en) 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
US6531681B1 (en) 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate
US6274488B1 (en) 2000-04-12 2001-08-14 Ultratech Stepper, Inc. Method of forming a silicide region in a Si substrate and a device having same
GB0009280D0 (en) 2000-04-15 2000-05-31 Koninkl Philips Electronics Nv Method of cystallising a semiconductor film
JP4588167B2 (ja) 2000-05-12 2010-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6521492B2 (en) 2000-06-12 2003-02-18 Seiko Epson Corporation Thin-film semiconductor device fabrication method
US6577380B1 (en) 2000-07-21 2003-06-10 Anvik Corporation High-throughput materials processing system
TW452892B (en) 2000-08-09 2001-09-01 Lin Jing Wei Re-crystallization method of polysilicon thin film of thin film transistor
US6451631B1 (en) 2000-08-10 2002-09-17 Hitachi America, Ltd. Thin film crystal growth by laser annealing
US6737672B2 (en) 2000-08-25 2004-05-18 Fujitsu Limited Semiconductor device, manufacturing method thereof, and semiconductor manufacturing apparatus
DE10042733A1 (de) 2000-08-31 2002-03-28 Inst Physikalische Hochtech Ev Multikristalline laserkristallisierte Silicium-Dünnschicht-Solarzelle auf transparentem Substrat
US20020151115A1 (en) 2000-09-05 2002-10-17 Sony Corporation Process for production of thin film, semiconductor thin film, semiconductor device, process for production of semiconductor thin film, and apparatus for production of semiconductor thin film
US6445359B1 (en) 2000-09-29 2002-09-03 Hughes Electronics Corporation Low noise block down converter adapter with built-in multi-switch for a satellite dish antenna
JP4216068B2 (ja) 2000-10-06 2009-01-28 三菱電機株式会社 多結晶シリコン膜の製造方法および製造装置ならびに半導体装置の製造方法
EP1259985A2 (en) 2000-10-10 2002-11-27 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and apparatus for processing thin metal layers
JP4583709B2 (ja) 2000-11-27 2010-11-17 ザ・トラスティーズ・オブ・コロンビア・ユニバーシティ・イン・ザ・シティ・オブ・ニューヨーク 基板上の半導体膜領域のレーザー結晶化処理のための方法及びマスク投影装置
US6582827B1 (en) 2000-11-27 2003-06-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Specialized substrates for use in sequential lateral solidification processing
US7217605B2 (en) 2000-11-29 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method of manufacturing a semiconductor device
TWI313059B (zh) 2000-12-08 2009-08-01 Sony Corporatio
EP1350272A1 (en) 2000-12-21 2003-10-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thin film transistors
KR100400510B1 (ko) 2000-12-28 2003-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화 장치와 실리콘 결정화 방법
US6621044B2 (en) 2001-01-18 2003-09-16 Anvik Corporation Dual-beam materials-processing system
JP4732599B2 (ja) 2001-01-26 2011-07-27 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタ装置
DE10103670A1 (de) 2001-01-27 2002-08-01 Christiansen Jens I Erzeugung kristalliner Si-Schichten mit (100)-Textur durch Laserbeschuß amorpher Si-Schichten auf einem Substrat
JP4744700B2 (ja) 2001-01-29 2011-08-10 株式会社日立製作所 薄膜半導体装置及び薄膜半導体装置を含む画像表示装置
US6573163B2 (en) 2001-01-29 2003-06-03 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of optimizing channel characteristics using multiple masks to form laterally crystallized ELA poly-Si films
US6495405B2 (en) 2001-01-29 2002-12-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of optimizing channel characteristics using laterally-crystallized ELA poly-Si films
JP2002231628A (ja) 2001-02-01 2002-08-16 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
TW521310B (en) 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
JP4291539B2 (ja) 2001-03-21 2009-07-08 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2002353159A (ja) 2001-03-23 2002-12-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 処理装置及び方法
US7061959B2 (en) 2001-04-18 2006-06-13 Tcz Gmbh Laser thin film poly-silicon annealing system
US7167499B2 (en) 2001-04-18 2007-01-23 Tcz Pte. Ltd. Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system
CA2412603A1 (en) 2001-04-19 2002-10-31 The Trustee Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a single-scan, continuous motion sequential lateral solidification
TW480735B (en) 2001-04-24 2002-03-21 United Microelectronics Corp Structure and manufacturing method of polysilicon thin film transistor
JP5025057B2 (ja) 2001-05-10 2012-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100379361B1 (ko) 2001-05-30 2003-04-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘막의 결정화 방법
KR100558678B1 (ko) 2001-06-01 2006-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 결정화방법
KR100424593B1 (ko) 2001-06-07 2004-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법
SG108262A1 (en) 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
KR100662494B1 (ko) 2001-07-10 2007-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 비정질막 결정화방법 및 이를 이용한 액정표시소자의제조방법
KR100487426B1 (ko) 2001-07-11 2005-05-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 결정화방법 그리고, 이를 이용한 폴리실리콘박막트랜지스터의 제조방법 및 액정표시소자의 제조방법
JP4637410B2 (ja) 2001-07-17 2011-02-23 シャープ株式会社 半導体基板の製造方法及び半導体装置
JP4109026B2 (ja) 2001-07-27 2008-06-25 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 アレイ基板を製造する方法およびフォトマスク
WO2003018882A1 (en) 2001-08-27 2003-03-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Improved polycrystalline tft uniformity through microstructure mis-alignment
TWI279052B (en) 2001-08-31 2007-04-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
TW582062B (en) 2001-09-14 2004-04-01 Sony Corp Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film
JP3903761B2 (ja) 2001-10-10 2007-04-11 株式会社日立製作所 レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置
JP2002203809A (ja) 2001-10-25 2002-07-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6767804B2 (en) 2001-11-08 2004-07-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. 2N mask design and method of sequential lateral solidification
JP3980465B2 (ja) 2001-11-09 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6526585B1 (en) 2001-12-21 2003-03-04 Elton E. Hill Wet smoke mask
US7749818B2 (en) 2002-01-28 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3671010B2 (ja) * 2002-02-18 2005-07-13 三洋電機株式会社 半導体膜のレーザーアニール方法
US7002668B2 (en) 2002-03-08 2006-02-21 Rivin Eugeny I Stage positioning unit for photo lithography tool and for the like
JP2003297746A (ja) * 2002-03-22 2003-10-17 Ind Technol Res Inst Ｔｆｔ形成方法
US7119365B2 (en) 2002-03-26 2006-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate
US6792029B2 (en) 2002-03-27 2004-09-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of suppressing energy spikes of a partially-coherent beam
WO2003084688A2 (en) 2002-04-01 2003-10-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a thin film
US7192479B2 (en) 2002-04-17 2007-03-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Laser annealing mask and method for smoothing an annealed surface
US6860939B2 (en) 2002-04-23 2005-03-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. Semiconductor crystal-structure-processed mechanical devices, and methods and systems for making
US6984573B2 (en) 2002-06-14 2006-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and apparatus
JP2004031809A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Toshiba Corp フォトマスク及び半導体薄膜の結晶化方法
WO2004017382A2 (en) 2002-08-19 2004-02-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to provide substantial uniformity within areas in such regions and edge areas thereof, and a structure of such film regions
TWI331803B (en) 2002-08-19 2010-10-11 Univ Columbia A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
US7259081B2 (en) 2002-08-19 2007-08-21 Im James S Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to provide substantial uniformity, and a structure of such film regions
TWI360707B (en) 2002-08-19 2012-03-21 Univ Columbia Process and system for laser crystallization proc
JP2004087535A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Sony Corp 結晶質半導体材料の製造方法および半導体装置の製造方法
JP4474108B2 (ja) 2002-09-02 2010-06-02 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置とその製造方法および製造装置
US7067867B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
TW569350B (en) 2002-10-31 2004-01-01 Au Optronics Corp Method for fabricating a polysilicon layer
KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US7341928B2 (en) 2003-02-19 2008-03-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for processing a plurality of semiconductor thin films which are crystallized using sequential lateral solidification techniques
EP1468774B1 (en) 2003-02-28 2009-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US20040169176A1 (en) 2003-02-28 2004-09-02 Peterson Paul E. Methods of forming thin film transistors and related systems
KR100618184B1 (ko) 2003-03-31 2006-08-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 결정화 방법
TWI227913B (en) 2003-05-02 2005-02-11 Au Optronics Corp Method of fabricating polysilicon film by excimer laser crystallization process
JP4470395B2 (ja) 2003-05-30 2010-06-02 日本電気株式会社 半導体薄膜の製造方法及び製造装置、並びに薄膜トランジスタ
JP4015068B2 (ja) 2003-06-17 2007-11-28 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR100587368B1 (ko) 2003-06-30 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｓｌｓ 결정화 장치
TWI294648B (en) 2003-07-24 2008-03-11 Au Optronics Corp Method for manufacturing polysilicon film
US7078793B2 (en) 2003-08-29 2006-07-18 Infineon Technologies Ag Semiconductor memory module
TWI359441B (en) 2003-09-16 2012-03-01 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization pr
WO2005029548A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for providing multiple beam sequential lateral solidification
TWI366859B (en) 2003-09-16 2012-06-21 Univ Columbia System and method of enhancing the width of polycrystalline grains produced via sequential lateral solidification using a modified mask pattern
US7318866B2 (en) 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
WO2005029550A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for producing crystalline thin films with a uniform crystalline orientation
US7364952B2 (en) 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
WO2005029549A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for facilitating bi-directional growth
US7164152B2 (en) 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
WO2005029546A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
KR100971951B1 (ko) 2003-09-17 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 엑시머 레이저를 이용한 비정질 실리콘 박막 결정화 방법
US7311778B2 (en) 2003-09-19 2007-12-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Single scan irradiation for crystallization of thin films
JP2005129769A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Hitachi Ltd 半導体薄膜の改質方法、改質した半導体薄膜とその評価方法、およびこの半導体薄膜で形成した薄膜トランジスタ、並びにこの薄膜トランジスタを用いて構成した回路を有する画像表示装置
US7226819B2 (en) 2003-10-28 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
JP2005159162A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びその製造方法
KR100698056B1 (ko) 2003-12-26 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 빔 패턴 마스크 및 이를 이용한 결정화 방법
KR100572519B1 (ko) 2003-12-26 2006-04-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 결정화 공정용 마스크 및 상기 마스크를 이용한레이저 결정화 공정
US7199397B2 (en) 2004-05-05 2007-04-03 Au Optronics Corporation AMOLED circuit layout
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7629234B2 (en) 2004-06-18 2009-12-08 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling
KR100689315B1 (ko) 2004-08-10 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 박막 결정화 장치 및 이를 이용한 결정화 방법
KR101212378B1 (ko) 2004-11-18 2012-12-13 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 결정 방위 제어형 폴리실리콘막을 생성하기 위한 장치 및 방법
US7645337B2 (en) 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
JP5121118B2 (ja) 2004-12-08 2013-01-16 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US8221544B2 (en) 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
US20090218577A1 (en) 2005-08-16 2009-09-03 Im James S High throughput crystallization of thin films
EP1922745A1 (en) 2005-08-16 2008-05-21 The Trustees of Columbia University in the City of New York Systems and methods for uniform sequential lateral solidification of thin films using high frequency lasers
KR101132404B1 (ko) 2005-08-19 2012-04-03 삼성전자주식회사 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법
US7192818B1 (en) 2005-09-22 2007-03-20 National Taiwan University Polysilicon thin film fabrication method
JP2007123445A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Sharp Corp レーザビーム投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子
JP4680850B2 (ja) 2005-11-16 2011-05-11 三星モバイルディスプレイ株式會社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
CN101617069B (zh) 2005-12-05 2012-05-23 纽约市哥伦比亚大学理事会 处理膜的***和方法以及薄膜
KR101191404B1 (ko) 2006-01-12 2012-10-16 삼성디스플레이 주식회사 실리콘 결정화용 마스크와 이를 이용한 실리콘 결정화 방법및 표시 장치
KR20070094527A (ko) 2006-03-17 2007-09-20 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타 결정화방법, 박막트랜지스터의 제조방법, 박막 트랜지스터,표시장치, 반도체장치
CN101622722B (zh) 2007-02-27 2012-11-21 卡尔蔡司激光器材有限责任公司 连续涂覆设备、生产晶态薄膜和太阳电池的方法
JP5041519B2 (ja) 2007-05-01 2012-10-03 ヤンマー株式会社 芝刈機
US8012861B2 (en) 2007-11-21 2011-09-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
CN102232239A (zh) 2008-11-14 2011-11-02 纽约市哥伦比亚大学理事会 用于薄膜结晶的***和方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW552684B (en) * 2001-01-26 2003-09-11 Expl Of Next Generation Co Ltd Semiconductor device
TW200737519A (en) * 2006-03-17 2007-10-01 Ind Tech Res Inst Thin film transistor device with high symmetry

Also Published As

Publication number Publication date
US20100270557A1 (en) 2010-10-28
JP5385289B2 (ja) 2014-01-08
JP2010541250A (ja) 2010-12-24
TW200939481A (en) 2009-09-16
US8415670B2 (en) 2013-04-09
KR20100074179A (ko) 2010-07-01
WO2009042784A1 (en) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI418037B (zh) 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法
TWI435388B (zh) 薄膜之線性掃描連續橫向固化
TWI524384B (zh) 薄膜層之高產能結晶化
KR101287314B1 (ko) 막 처리 시스템과 방법, 및 박막
US7910416B2 (en) Laser irradiation apparatus
US8802580B2 (en) Systems and methods for the crystallization of thin films
US20090242805A1 (en) Systems and methods for uniform sequential lateral solidification of thin films using high frequency lasers
MX2012006043A (es) Sistemas y metodos para la solidificacion lateral secuencial de impulso no periodico.
US7160765B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
KR101108169B1 (ko) 연속 측면 결정화용 마스크 및 이를 구비하는 연속 측면 결정화 장치
KR100990251B1 (ko) 레이저 빔 프로파일 변형 필터를 포함하는 레이저 광학계
JP2007281465A (ja) 多結晶膜の形成方法
TWI556284B (zh) 非週期性脈衝連續橫向結晶之系統及方法
JP2011204911A (ja) アニール処理体の製造方法およびレーザアニール装置
KR20080080791A (ko) 마스크 및 이를 이용한 폴리 실리콘 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees