TWI243286B - Positive chemically amplified resist composition - Google Patents

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TWI243286B
TWI243286B TW090106941A TW90106941A TWI243286B TW I243286 B TWI243286 B TW I243286B TW 090106941 A TW090106941 A TW 090106941A TW 90106941 A TW90106941 A TW 90106941A TW I243286 B TWI243286 B TW I243286B
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resin
adamantyl
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Yasunori Uetani
Takakiyo Terakawa
Kaoru Araki
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Sumitomo Chemical Co
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Description

1243286 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(1 ) 技術領域 本發明係有關一種適於藉由遠紫外線(含準分子雷射等) 、電子線、X線或放射光線之高能量放射線作用之微影術 等抗飩劑組成物。 先前技術 近年來,伴隨積體電路之高積體化,要求形成次微米之 圖案。特別是使用氟化氪(K r F )或氟化氬(A r F )之準分子雷 射的微影術,著重於可製造64M DRAM或IG DRAM。該適於 準分子雷射微影術工程之抗蝕劑利用酸觸媒及化學放大效 果、即化學放大型抗蝕劑。化學放大型抗蝕劑係爲在放射 線之照射部自酸發生劑所產生的酸,藉由繼後之熱處理 (pos t exposure bake :以下簡稱爲PEB)擴散,且藉由以 該酸作爲觸媒反應,使對照射部之鹼顯像液而言的溶解性 變化者,藉此可賦予正型或負型圖案。 化學放大型正型抗蝕劑、特別是KrF準分子雷射微影術 用正型抗蝕劑爲聚(羥基苯乙烯)系樹脂,大多使用組合以 部分酚性羥基藉由酸作用裂解之基保護的樹脂與酸發生劑 。該藉由酸作用裂解之基,就解像度與感度等而言著重於 可在與酚性羥基由來之氧原子間形成縮醛型鍵者,例如四 氫-2 -吡喃基、四氫-2 -苐基或1 -乙氧基乙基鍵結於氧原子 之構造者,惟即使使用該樹脂,其解像度仍有限度。 而且,藉由微影術形成圖案時,一般而言伴隨曝光量之 震盪,所得抗蝕劑圖案之尺寸亦容易產生震盪、曝光寬容 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------:-----裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1243286 A7 五、發明說明(2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 度(稱爲曝光範圍)變小。該習知之抗蝕劑組成在解像度、 感度、曝光寬容度等有限度。此外,於製作積體電路時, 進行藉由微影術所形成的抗蝕劑圖案作爲光罩之乾式蝕刻 ’所使用的抗蝕劑被要求具有耐熱性或乾式蝕刻耐性。 本發明之目的係提供一種感度、解像度、耐熱性、殘膜 率、塗覆性、曝光寬容度、乾式蝕刻耐性等之各種性能優 異 '特別是解像度及曝光寬容度經更進一步改良的化學放 大型正型抗蝕劑組成物。 本發明人等爲達該目的再三深入硏究的結果,發現藉由 使用丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯及至少一種選自於(甲基) 丙烯酸3 , 5 -二羥基-1 -金剛烷酯/羥基苯乙烯系之共聚物作 爲化學放大型正型抗蝕劑的樹脂成分,可得優異的性能, 遂而完成本發明。 發明之掲示 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 換言之’本發明係提供一種化學放大型正型抗蝕劑組成 物’其特徵爲包含樹脂及酸發生劑,該樹脂含有至少一種 由丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯之聚合單元及(甲基)丙烯酸 3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯之聚合單元所選出的聚合單元、 羥基苯乙烯聚合單元及具有對酸不安定基之聚合單元,且 其本身不溶於或難溶於鹼,藉由該對酸不安定基被酸作用 裂解後成爲可溶於鹼中。 本發明抗蝕劑組成物之主體的樹脂成分,其本身對酸而 言爲不溶性或難溶性,惟藉由酸引起化學變化而成鹼可溶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) !243286 A7 B7 i、發明說明(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 性者,必須至少具有2種羥基苯乙烯之聚合單元與至少1 種選自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯之聚合單元及(甲基) 丙烯酸-3 , 5 -二羥基-1 -金剛烷酯之聚合單元。此等之聚合 單元各爲解開苯乙烯部分之雙鍵及(甲基)丙烯酸部分之雙 鍵而形成者,具體而言可各以下式(I )及(I I a )〜(I I c )表 示。
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 式(I)所示之羥基苯乙烯單元中,羥基與乙烯基之位置 關係沒彳」特別的限制,-··般爲對-羥基苯乙烯。 而且,該樹脂本身對鹼而言爲不溶性或難溶性,由於藉 由酸作用會引起化學變化而成可溶性,故爲具有對酸不安 定的基之聚合單元。對酸不安定之基通常爲以保護羥基或 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1243286 A7 五、發明說明(5 基且式(IV)所示之2-院基-2-金剛烷基通常取代殘基。其他第3-丁基及式(III)所示縮醒系之基可取代經基及竣基 中之任·一基。 爲Kr F準分子雷射曝光用抗蝕劑時如上述一般對酸不安 定之基係以保護羥基苯乙烯單元之羥基的型態者。此處, 該羥基苯乙烯單元之羥基中鍵結對酸不安定基之單元可以 下式(V )表示。
CH2 - CH——\
0-Q (V) 其中Q係表示對酸不安定之基。該式中之Q具體例如第 3 - 丁基、第3 -丁氧基羰基、上述式(ill)所示縮醛系之基 等,其中上述式(I π )所示縮醛系之基較佳。該較佳的型 態可以下述式(VI )表示者作爲聚合單元。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
CH2 - CH ή R丨 (VI) ;-----------------訂---------線^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0-CH-0-R2 其中R1及R7係如上述式(Π I )所定義者。其中較佳者爲 式(I I I )或式(V I )中R 1爲碳數1〜4之烷基,R2爲碳數1〜 6之院基或碳數5〜7之環院基。 具有至少一種選自於丙烯酸3 -羥基-1-金剛烷酯之聚合 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1243286 A7
五、發明說明(6 ) C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 單兀及(甲基)丙烯酸—3,5 _二羥基—1 _金剛烷酯之聚合單元 白勺聚合卓兀、經基苯乙烯系之聚合單元及如上述具對酸不 安定的基之聚合單元的樹脂,例如可以下述製得。首先, 對酸不安定之基爲第3 _ 丁基時、其以羥基苯乙烯之羥基取 代時’使至少一種選自於第3 _ 丁氧基苯乙烯與丙烯酸h 經基-1 -金剛烷酯及(甲基)丙烯酸-3 , 5 -二羥基-1 -金剛烷 酯藉由常法共聚合後,適度地加水分解、使部分對酸不安 定的基變成羥基製得。另外,對酸不安定之基爲第3 -丁氧 基羰基時’以羥基苯乙烯之羥基取代時係藉由在至少一種 選自於羥基苯乙烯與丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯及(甲基) 丙烯酸3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯之共聚物中使二碳酸二-第 3 - 丁基反應製得。 其次,對酸不安定之基爲上述式(I I I )所示縮醛系之基, 以羥基苯乙烯之羥基取代時係藉由在羥基苯乙烯與至少一 種選自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯及(甲基)丙烯酸3 , 5 -二羥基-1-金剛烷酯之共聚物中使下述式(Ilia)所示不飽 和醚化合物反應製得。 R5-C=CH—〇-R2 (IEa) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R4 (其中R2係如上述所定義者,R4及R5可互相爲獨立的氫或 院基,兩者合計碳數爲0〜3、,R5爲氫,R2與R4 —起形 成三伸甲基鏈或四伸甲基鏈) 另外,對酸不安定之基爲第3 -丁基、式(III)所示縮醛 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1243286 A7 ---------B7_ 五、發明說明(7 ) 系之基、式(I V )所示之2 -烷基-2 -金剛烷基等,以羧基取 代時通常藉由使以此等之基形成的羧酸酯之不飽和化合物 與羥基苯乙烯及至少--種選自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷 酯及(甲基)丙烯酸3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯共聚合製得。 以對酸不安定之基形成羧酸酯之不飽和化合物例如有丙烯 酸酯或甲基丙烯酸酯之不飽和脂肪族羧酸酯、原菠烯羧酸 酯、三環癸烯基羧酸酯、四環癸烯基羧酸酯之不飽和脂環 族羧酸酯等。 使用羥基苯乙烯或第3 - 丁氧基苯乙烯與至少一種選自於 丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯及(甲基)丙烯酸3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯、視其所需具有對酸不安定之基的單聚物及/ 或其他單聚物之共聚合可藉由常法進行。例如可採用在適 當的溶劑中使原料單聚物溶解,於其中加入聚合起始劑開 始聚合,在加熱下或除熱下繼續反應的方法。反應溶劑可 使用甲醇、乙醇、2 -丙醇、第3 - 丁醇之醇類、苯、甲苯、 二甲苯之芳香族烴類、四氫呋喃、1,4 -二噁烷之醚類等。 此外,聚合起始劑可使用2,2’ -偶氮雙(異丁膪)、二甲基 2, 2’-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)、之偶氮化合物、過氧化苯 甲醯基、過氧化第3 -丁基之過氧化物、過氧化氫/鐡鹽、 過氧化苯甲醯基/二甲基苯胺之氧化還原系起始劑、丁基 鎭!、三乙基鋁之金屬烷基化物等。 使用第3 - 丁氧基苯乙烯爲原料單聚物時,藉由使共聚物 溶解於親水性溶劑中、在酸性下加熱,使共聚物中之第3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---^---J--------------訂-------—線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1243286 A7 ______B7____ 五、發明說明(S ) 丁氧基加水分解成羥基,形成羥基苯乙烯/至少一種選自 於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯及(甲基)丙烯酸3,5 -二羥基 -1 -金剛烷酯之共聚物◦而且,在羥基苯乙烯/至少一種選 自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯及(甲基)丙烯酸3,5 -二羥 基-1-金剛烷酯之共聚物中導入對酸不安定之基時,可以 一般保護基導入反應爲基準之操作進行。例如,導入上述 式(I I I )所示縮醛系之基時,藉由使原料共聚物溶解於溶 劑中、在酸性觸媒存在下使上述式(I I I a )所示不飽和醚化 合物反應,可使部分共聚物中之羥基變成上述式(III)所 示縮醛系之基。該反應之酸性觸媒係使用鹽酸及硫酸之無 機酸類、對-甲苯磺酸及樟腦磺酸之有機酸類等。 構成本發明之正型抗飩劑組成物的樹脂成分必須具有如 上述說明的羥基苯乙烯單元、至少一種選自於丙烯酸3 -羥 基-1 -金剛烷基之聚合單元及(甲基)丙烯酸3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯之聚合單元、以及具有對酸不安定之基的聚合單 元,其他之聚合單元例如含有苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯 酸甲酯、甲基丙烯酸酯等各聚合單元。另外,爲提高透明 性時’可部分加氫、且在鹼可溶的範圍內在苯酚核中導入 烷基或烷氧基等。惟羥基苯乙烯之聚合單元與至少一種選 自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷基之聚合單元及(甲基)丙烯 酸3 , 5 -二羥基—1 _金剛烷酯之聚合單元,合計量以佔樹脂 全體之5 0莫耳%以上有利。兩聚合單元之比例以經基苯乙 烯單元:丙烯酸3 _羥基-N金剛烷基之聚合單元及(甲基) -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---^---7-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1243286 A7 ________Β7__ 五、發明說明(9 ) 丙烯酸3,5 -二羥基-N金剛烷酯之聚合單元的莫耳比通常 爲9 9 ·· 1〜8 0 ·· 2〇、較佳者爲9 5 : 5〜8 5 : 1 5。此外,具 柯對酸不安定之基的聚合單元通常爲50莫耳%以下、較佳 者爲1 0莫耳%〜4 5莫耳%。 而且,至少一種選自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷基及(甲 基)丙烯酸3 , 5 -二羥基-1 -金剛烷酯之共聚物中爲導入酸不 安定基之化合物,例如使二碳酸二-第3 - 丁酯或上述式 (I I I a )所示不飽和醚化合物反應時,同時導入羥基苯乙烯 單元之經基、與至少一種選自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛院 酯及(甲基)丙烯酸3 , 5 -二羥基-1 -金剛烷酯之羥基作爲保 護基。該至少一種選自於丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯及(甲 基)丙烯酸3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯之羥基以對酸不定之基 保護的單元存在,亦包含具對酸不安定之基的聚合單元係 爲合理。 其次,正型抗蝕劑組成物之另一成分的酸發生劑係藉由 在其本身中、或含有該物質之抗蝕劑組成物中’使光或電 子線等之放射線作用,使該物質分解產生酸者。自酸發生 劑產生酸與上述樹脂作用,使存在於該樹脂中之對酸不安 定的基裂解而成。該酸發生劑包含有鏺鹽、第2 -三哄系有 機鹵素化合物、颯化合物、磺酸酯化合物等。具體而言例 如下述之化合物。 三氟甲烷磺酸二苯基碘鏺鹽 六氟銻酸4 -甲氧基苯基苯基碘鏺鹽 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---I.----:-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1243286 A7 _ B7_ 五、發明說明(10 ) 三氟甲烷磺酸4 -甲氧基苯基苯基碘鏺鹽 四氟硼酸雙(4 -第3 - 丁基苯基)碘鏺鹽 六氟磷酸雙(4 -第3 - 丁基苯基)碘鏺鹽 六氟銻酸雙(4 -第3 - 丁基苯基)碘鏺鹽 三氟甲烷磺酸雙(4 -第3 - 丁基苯基)碘鏺鹽 六氟磷酸三苯基錳鹽 六氟銻酸三苯基銃鹽 三氟甲烷磺酸三苯基毓鹽 過氟丁烷磺酸4 -甲基苯基二苯基毓鹽 過氟辛烷磺酸4 -甲基苯基二苯基毓鹽 六氟銻酸4 -甲氧基苯基二苯基毓鹽 三氟甲烷磺酸4 -甲氧基苯基二苯基毓鹽 三氟甲烷磺酸對-甲苯基二苯基毓鹽 三氟甲烷磺酸2 , 4 , 6 -三甲基苯基二苯基毓鹽 三氟甲烷磺酸4 -第3 - 丁基苯基二苯基毓鹽 六氟磷酸4 -苯基硫化苯基二苯基毓鹽 六氟銻酸4 -苯基硫化苯基二苯基毓鹽 六氟銻酸1 - ( 2 -萘醯基甲基)四氫噻吩鏺鹽 三氟甲烷磺酸1 - ( 2 -萘醯基甲基)四氫噻吩鏺鹽 六氟銻酸4 -羥基-1 -萘二甲基錳鹽 三氟甲烷磺酸4 -羥基-1 -萘二甲基毓鹽 2 -甲基-4,6 -雙(三氯甲基)-1,3,5 -三哄 2,4 , 6 -雙(三氯甲基)-1 , 3 , 5 -三哄 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---I,----:-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1243286 A7 _B7__ 五、發明說明(11 ) 2 -苯基-4, 6 -雙(三氯甲基)-1,3,5 -三畊 2 - ( 4 -氯化苯基)-4,6 -雙(三氯甲基)-1,3,5 -三畊 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 - ( 4 -甲氧基苯基)-4 , 6 -雙(三氯甲基)-1 , 3,5 -三畊 2 - ( 4 -甲氧基-1 -萘基)-4 , 6 -雙(三氯甲基卜1,3,5 -三畊 2 -(苯并[d ] [ 1,3 ]二噁烷-5 -基)-4,6 -雙(三氯甲基卜 1 , 3,5 -三畊 2 - ( 4 -甲氧基苯乙烯基)-4 , 6 -雙(三氯甲基)-1 , 3,5 -三阱 2 - ( 3 , 4 , 5 -三甲氧基苯乙烯基)-4 , 6 -雙(三氯甲基)-1,3 , 5 - 三畊 2 - ( 3 , 4 -二甲氧基苯乙烯基卜4,6 -雙(三氯甲基)-1,3,5 -三 畊 2 - ( 2,4 -二甲氧基苯乙烯基)-4,6 -雙(三氯甲基)-1,3,5 -三 阱 2 - ( 2 -甲氧基苯乙烯基)-4 , 6 -雙(三氯甲基)-1,3 , 5 -三畊 2 - ( 4 - 丁氧基苯乙希基)-4 , 6 -雙(三氯甲基)-1,3,5 -三口井 2 - ( 4 -苯甲氧基苯乙烯基)-4,6 -雙(三氯甲基)-1 , 3,5 -三阱 對-甲苯磺酸1 -苯甲醯基-1 -苯基甲酯(通稱苯偶姻甲苯磺 醯酯) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對-甲苯磺酸1 -苯甲醯基-2 -苯基乙酯(通稱α -羥甲基苯偶 姻甲苯磺醯酯) 參甲烷磺酸1 , 2,3 -苯甲苯醯酯 對-甲苯磺酸2 , 6 -二硝基苯甲酯 對-甲苯磺酸4 -硝基苯甲酯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1243286 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明(12 ) 二苯基二楓 二-對-甲苯基二楓 雙(本基涵基)_偶氣甲院 雙(4 -氯化苯基磺基)二偶氮甲烷 雙(對-甲苯基磺基)二偶氮甲烷 雙(4 -第3 - 丁基苯基磺基)二偶氮甲烷 雙(2,4 -二甲苯基磺基)二偶氮甲烷 雙(環己基磺基)二偶氮甲烷 (苯甲醯基)(苯基磺基)二偶氮甲烷 N-(苯基磺氧基)丁二醯亞胺 N-(三氟甲基磺氧基)丁二醯亞胺 N -(三氟甲基磺氧基)對酞酸醯亞胺 N -(三氟甲基磺氧基)-5 -原菠烯基-2,3 -二羧基醯亞胺 N -(三氟甲基磺氧基)萘醯亞胺 N-(10 -樟腦基磺氧基)萘醯亞胺等。 而且,一般而言於化學放大型正型抗蝕劑中,藉由添 加有機鹼化合物作爲急冷劑,伴隨曝光後之放置使酸失活 以改良性能不佳係爲已知,於本發明中亦配合有機鹼化合 物作爲急冷劑,特別以含氮鹼性有機化合物較佳。該含氮 鹼性化合物之具體例如下述各式所示之胺類。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---^---^--------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I243286 A7 B7 五、 發明說明(13 14
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R 11 、R12 R\ /R12 R\1 /r12NX 、N〆
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,R 11 12
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
R13 〜N (其中R11、R12、Rlj、R14及R15係各表示氫、可以羥基取 代的烷基、環烷基、芳基或烷氧基,A係表示伸烷基、羰 基或亞胺基,其中Ru〜R15所示之烷基及烷氧基可爲碳數 1〜6、環烷基可爲碳數5〜1 0、芳基可爲碳數6〜1 0,此 外,A所示之伸烷基可爲碳數1〜6,可爲直鏈或支鏈,而 且於本發明人先前申請之日本特開平9 - 208864號中揭# ,以具有受阻吡啶架構之受阻胺化合物作爲急冷劑) -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1243286 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(14 ) 本發明之抗蝕劑組成物,以其中之全部固成分量爲基準 含有樹脂成分80〜99.8重量%、酸發生劑〇· 1〜20重量% 較佳。含有作爲急冷劑之含氮鹼性有機化合物時,相同地 對抗蝕劑組成物中全部固成分爲基準以使用1 0重量%以下 較佳。該組成物另視其所需可含有少量的增感劑、溶解抑 制劑、其他樹脂、界面活性劑、安定劑、染料等各種添加 劑。 該抗蝕劑組成物通常以上述各成分溶解於溶劑的狀態作 爲抗蝕劑溶液,藉由常法之旋轉塗覆法塗覆。此處所使用 的溶劑係使各成分溶解、具有適當的乾燥速度、使溶劑蒸 發後成爲均勻、平滑的塗膜,在該領域中爲一般所使用者 。例如有乙基纖維素乙酸酯、甲基纖維素乙酸酯及丙二醇 單甲醚乙酸酯之醇醚酯類,乳酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸醯 酯及丙酮酸乙酯等之酯類,丙酮、甲基異丁酮、2 -庚酮及 環己酮等之酮類,r - 丁腈之環狀酯類,3 -甲氧基-1 - 丁醇 之醇類等。此等之溶劑可單獨使用、或組合2種以上使用 〇 在基材上塗覆、乾燥的抗蝕劑膜可施予爲圖案化之曝光 處理,然後,進行爲促進脫保護基反應之加熱處理(PEB) 後,以鹼顯像液顯像。此處所使用的鹼顯像液可以爲在該 領域中所使用的各種鹼性水溶液,惟一般而言大多使用四 甲銨氫氧化物或(2 -羥基乙基)三甲銨氫氧化物(通稱爲膽 鹼)之水溶液。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^---7-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) I243286 A7
五、發明說明(15 )
(請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 於下述中藉由實施例更具體地說明本發明,惟本發明不 $此等實施例所限制。於例中表示含有量或使用量之%及 份’沒有特別註記時以重量爲基準。而且,重量平均分子 量(Mw)及多分散度(Mw/Μη)以聚苯乙烯爲標準品、藉由凝 膠滲透色層法測定之値。 合成例1 :羥基苯乙烯/丙烯酸3 _羥基-1 _金剛烷酯共聚物 之部分1 -乙氧基乙基化物之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 )經基苯乙烯/丙烯酸3 _羥基-丨_金剛烷酯共聚物之製造 在燒瓶中加入92.8克(0,53莫耳)、13.0克(0.06莫耳 )4 -第3 - 丁氧基苯乙烯、52.9克甲醇及105.8克2 -丙醇, 在氮氣氣氛、7 5 °C下回流。另外,使用使6 . 1克二甲基-2偶氮雙(2 -甲基丙酸酯)溶解於17.6克2 -丙醇之溶液 ’且在3 0分鐘內將其滴入上述保持於7 5 °C之單聚物溶液 後’回流8小時。另外,加入1 9 3 . 9克2 -丙醇、再於7 5 t:下回流。在該溶液中滴入1 8 . 3克、3 6%鹽酸與1 8 . 3克 2 -丙醇之混合溶液。然後,在同溫度下回流4小時、加水 分解後,冷卻至室溫。在該溫度大量燒瓶中加入5 2 . 9克 正庚烷,取出下層之樹脂層。使該樹脂層溶解於52.9克 丙丨洞中,加入5 28 . 9克正庚烷,再取出下層之樹脂層。使 所得的樹脂層溶解於634 . 7克甲基異丁酮中,加入2 1 1 . 6 克離子交換水中靜置後,取出有機層部分。此外,重複4 次加入2 U . 6克離子交換水之攪拌及分液。使該有機層在 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7
I243286 五、發明說明(16 ) 從£ 6 0 C、壓力8 Ο T 〇 r r以下之條件下,蒸I留後直至溶液 s 2 3 0 _ 8克予以減壓蒸餾、共沸脫水,製得4 _羥基苯乙烯 輿丙_酸-3 -羥基-丨_金剛烷酯之共聚物的甲基異丁酮溶液 °所得的樹脂溶液之固成分濃度爲26 . 3%、該共聚物之重 盧平均分子量爲丨1,400、多分散度爲1 . 7 7。 (2 )經基苯乙烯/丙烯酸3 _羥基-丨_金剛烷酯共聚物之部分 1 -乙氧基乙基化 在氮氣取代的燒瓶中加入丨15.4克(樹脂份30.4克)4-經基苯乙烯與丙烯酸3-羥基-1-金剛烷酯之共聚物及97.1 克甲基異Γ酮溶液予以溶解。於其中加入4毫克(0 _ 02毫 旲耳)對-甲苯磺酸一水合物後,滴入8 . 6 8克(0 . 1 2莫耳) 乙基乙燒醚、再於2 5 °C下反應3小時。在該反應液中加入 6〇m 1離子交換水予以攪拌、靜置後,取出有機層部分。另 外’重複4次加入60m丨離子交換水之攪拌及分液。自有 機層f留去溶劑、濃縮後,加入丙二醇單甲基乙酸酯、餾去 溶齊ij以溶劑取代。所得的樹脂溶液之固成分濃度爲27 . 6% ’此外’以| H _ NMR分析該樹脂時,可明顯地觀察相當於 1 -乙氧基乙氧基之波峰,對苯環數而言丨_乙氧基乙氧基數 之比例爲38.0%。而且,該樹脂係爲4-羥基苯乙烯與丙烯 酸3 -羥基—1—金剛烷酯之共聚物的羥基爲部分丨_乙氧基乙 醚化者。以該樹脂爲樹脂A。 合成例2 :羥基苯乙烯/丙烯酸3 _羥基-1 _金剛烷酯之另一 部份1-乙氧基乙基化物之製造 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---^---^--------------訂---------線 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1243286 Α7 Β7 五、發明說明(17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 重複合成例1之(2)操作,惟乙基乙烯醚之加入量爲 5 . 45克(〇 . 〇8莫耳)。所得的樹脂溶液爲固成分濃度25 . 9% ’且以NMR分析該樹脂,對苯環數而言1 -乙氧基乙氧 基數之比例爲20 . 5%。以該樹脂爲樹脂B。 合成例3 :聚羥基苯乙烯之部分1 -乙氧基乙基化物之製造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在1 L之正燒瓶中加入4 0克(3 3 3毫莫耳作爲對-羥基苯 乙烯單元)日本曹達(股)製之聚(對-羥基苯乙烯)(商品名 ” VP- 1 5000”)及47ml(0.25毫莫耳)對-甲苯磺酸一水合物 ’溶解於7 2 0克丙二醇單甲醚乙酸酯中。使該溶液在溫度 6〇°C、壓力lOTorr以下之條件下減壓蒸餾、共沸脫水。 蒸餾後之溶液爲337克。將該溶液移至氮氣取代的500ml 之四口燒瓶中,於其中滴入1 2 · 0克(1 6 6毫莫耳)乙基乙烯 醚後,在25 °C下反應5小時。在該反應溶液中加入62 . 3 克丙二醇單甲醚乙酸酯及320克甲基異丁酮,另加入 240m 1離子交換水予以攪拌。然後,靜置且取出有機層部 分。在該有機層中再加入240ml離子交換水、攪拌後靜置 、藉由分液予以洗淨。藉由離子交換水再一次進行洗淨及 分液後,藉由取出有機層、減壓蒸餾,使水分及甲基異丁 酮以丙二醇單甲醚乙酸酯共沸除去,作成丙二醇單甲醚乙 酸酯溶液。所得的液體係爲聚(對-羥基苯乙烯)之羥基爲 部分1 -乙氧基***化的樹脂溶液’使該樹脂以1 Η - NMR分 析時羥基之40%爲1 -乙氧基***化。以該樹脂爲樹脂c。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1243286 A7 ' ---^----- B7_ 五、發明說明(18 ) 實施例1、2及比較例1 實施例1使用樹脂A、實施例2使用樹脂Α ®樹扣 — 〜叫fl曰B以 固成分換算1 : 1混合的樹脂、比較例丨使用樹脂c。使此 等树脂各以]、述組成混合、溶解急冷劑及溶劑,另以孔徑 0 · 2 // m之氟樹脂製過濾器過濾、調製抗蝕劑液。 樹脂(固成分) 10份 酸發生劑 :雙(環己基磺基)二偶氮甲烷 [綠化學(股)製之”Dam_3〇l”] 〇 · 4份 急冷劑:二 二環己基甲胺 0 . 0 1 5 份 溶劑:丙二 二醇單甲醚乙酸酯 5〇份 i谷劑Μ係爲包含樹脂溶液之量。 在矽晶圓上旋轉塗覆上述之各抗蝕劑,在90 °C、60秒 之條件下直接在熱板上進行預烘烤,形成厚度〇 · 72 “ m之 抗蝕劑膜。如此形成抗蝕劑膜之晶圓上使用KrF準分子分 檔曝光器[(股)理光(譯音)製之”NSR 2205EX12B,,、 NA二0 · 5 5 ]’經由各種形狀及尺寸的光罩曝光。然後,在熱 板上、100°C、60秒之條件下進行PEB,再以2·38%四甲銨 氫氧化物水溶液進行攪拌顯像。顯像後之圖案以掃描型電 子顯微鏡觀察,如下所述觀察感度、曝光寬容度及解像度 ,結果如表1所示。 除膜感度:係表示1 mm方形之敞式範圍除膜之必要最小曝 光量。以E t h表示。 實效感度:係表示0.25 之線與間隙圖案爲1: 1之曝 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ——7!t------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1243286 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(19 ) 光量。以Eq表示。 曝光寬容度··係表示Eo/Eth之値。該値愈大時’抗蝕劑 自除膜之曝光量至標準曝光量的範圍變大,不易引起抗蝕 劑除去不佳的情形,不管曝光量多寡、具有一定的圖案尺 寸、且曝光寬容度優異。 解像度:係表示以實效感度之曝光量分離的線與間隙圖案 Z最小尺寸。 例No. 樹脂 感度(mJ i /cm2) 曝光寬容度 解像度 Eth Eo Eo/Eth (β m) »施例1 A 16 50 3.0 0.16 實施例2 A/B=l/1(重量比) 16 34 2.1 0.18 比較例 C 15 29 1.9 0.22 藉由本發明使用聚(羥基苯乙烯/至少一·種選自於丙烯酸 3 -羥基-1 -金剛烷酯及(甲基)丙烯酸3 , 5 -二羥基-1 -金剛院 酯)系之樹脂的抗蝕劑組成物,可改善曝光寬容度及解像 度。可保持良好的感度、耐熱性、殘膜率、塗覆性、乾式 蝕刻耐性等各種特性。而且,藉由使用該組成物,可精密 地形成微細的抗蝕劑圖案。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --—-I--7-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 第90 1 06 94 1號「化學放大型正型抗蝕劑組成物」專利案 ( 2005年7月1日修正) 六申請專利範圍: 1 . 一種化學放大型正型抗蝕劑組成物,其特徵爲包含樹脂 及酸發生劑,該樹脂含有由丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷酯 之聚合單元及(甲基)丙烯酸3, 5-二羥基-1-金剛烷酯之 聚合單元所選出的至少一種聚合單元、羥基苯乙烯聚合 單元及具有對酸不安定基之聚合單元,其中具有酸不安 定基之聚合單元係以下式(V)或式(ΥΠ)表示,且式(V)中 酸不安定基係爲對位, —/ch2-ch——t ^ \ 〇_Q (其中,Q係表示第3 -丁基、第3 -丁氧基羰基或下式 (III)之酸不安定基,R1一 Chh〇_R2 (Η) (其中’ R1係表示碳數1〜4之烷基,R2係表示碳數1〜6 之院基或碳數5〜7之環烷基,或R1與R2可一起形成三 亞甲基鏈或四亞甲基鏈)), 式(W )係如下所示:
    -1- 1243286 六、申請專利範圍
    (其中,Q2係表示爲第3-丁基、式(III)或式(IV)之酸不 安定基,R4爲氫原子或甲基,式(III)係表示與上述相 同), 式U V )係如下所示:
    (其中,R3係表示甲基或乙基), 且該至少一種由丙烯酸3 -羥基-1 -金剛烷基之聚合單元 及(甲基)丙烯酸3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯之聚合單元所 選出的聚合單元與羥基苯乙烯聚合單元之合計量爲佔樹 脂全體之50莫耳%以上,且其本身不溶於或難溶於鹼, 藉由該對酸不安定基被酸作用裂解後成爲可溶於鹼中, 其中該由丙烯酸3 -羥基-1-金剛烷基之聚合單元及(甲基) 丙烯酸3,5 -二羥基-1 -金剛烷酯之聚合單元所選出的至 -2 ~ 1243286
    六、申請專利範圍 少一種聚合單元與羥基苯乙烯聚合單元係以莫耳比i: 99〜20: 80存在著,且以組成物中之全部固成物份量爲 基準係含有80〜99. 8重量%樹脂及0.1〜20重量%酸發 生劑。 2 .如申請專利範圍1項之組成物,該對酸不安定基Q係以 式(III)表示,其中R1係表示碳數1〜4之烷基,R2係表 示碳數1〜6之院基或碳數5〜7之環院基。 3 .如申請專利範圍第1或2項之組成物,其更包含有含氮 鹼性有機化合物作爲急冷劑。 一3 一
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4329214B2 (ja) 2000-03-28 2009-09-09 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4595275B2 (ja) * 2001-09-28 2010-12-08 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP3895224B2 (ja) * 2001-12-03 2007-03-22 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US7666569B2 (en) 2002-12-26 2010-02-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method for forming resist pattern
JP2004333548A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4152810B2 (ja) 2003-06-13 2008-09-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2005031233A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法
TWI316645B (en) * 2003-09-18 2009-11-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and resist pattern formation method
EP1666971A1 (en) * 2003-09-25 2006-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist laminate for low-acceleration electron beam and method of pattern formation
JP4308051B2 (ja) * 2004-03-22 2009-08-05 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2005326491A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2005350609A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Daicel Chem Ind Ltd 側鎖にアセタール構造を有する高分子化合物及びその製造法
JP4184352B2 (ja) * 2005-03-04 2008-11-19 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP4979915B2 (ja) * 2005-09-09 2012-07-18 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5230400B2 (ja) * 2008-12-19 2013-07-10 東京応化工業株式会社 樹脂の製造方法
KR101400131B1 (ko) * 2013-02-22 2014-05-27 금호석유화학주식회사 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
FI124754B (fi) 2013-10-16 2015-01-15 Wärtsilä Finland Oy Menetelmä polttomoottorin käyttämiseksi

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08101508A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
DE69612182T3 (de) * 1996-02-09 2005-08-04 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Polymer und Resistmaterial
KR100219573B1 (ko) * 1996-08-05 1999-09-01 윤종용 감광성 고분자 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
JP3702590B2 (ja) * 1997-07-11 2005-10-05 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3948795B2 (ja) * 1997-09-30 2007-07-25 ダイセル化学工業株式会社 放射線感光材料及びそれを用いたパターン形成方法
KR100574574B1 (ko) * 1998-08-26 2006-04-28 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물
JP3785846B2 (ja) * 1999-02-05 2006-06-14 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4366766B2 (ja) * 1999-04-30 2009-11-18 住友化学株式会社 O−置換ビニルフェノール単位を有する重合体及びそれのレジストへの使用
JP4127937B2 (ja) * 1999-08-27 2008-07-30 富士通株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP4453138B2 (ja) * 1999-12-22 2010-04-21 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
TW573225B (en) * 2000-02-28 2004-01-21 Sumitomo Chemical Co Chemically amplified positive resist composition
JP4329214B2 (ja) 2000-03-28 2009-09-09 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物

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