TW554546B - Image pickup apparatus - Google Patents

Image pickup apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW554546B
TW554546B TW091115582A TW91115582A TW554546B TW 554546 B TW554546 B TW 554546B TW 091115582 A TW091115582 A TW 091115582A TW 91115582 A TW91115582 A TW 91115582A TW 554546 B TW554546 B TW 554546B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
signal
image pickup
control
voltage
pickup device
Prior art date
Application number
TW091115582A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhito Sakurai
Toru Koizumi
Hiroki Hiyama
Original Assignee
Canon Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Kk filed Critical Canon Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW554546B publication Critical patent/TW554546B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

554546 A7 __ _ _B7_ 五、發明説明（j 發明背景 發明領域 本發明係有關一種固態影像拾取裝置，其被廣泛地使 用於，例如，視頻相機、數位靜態相機、及影像掃描器之 影像輸入裝置中。 相關背景技術 近年來，爲了獲得較高的解析度，業界係積極地尋求 使用微型化程序以減小光電轉換元件之單元尺寸，但光電 轉換信號輸出之伴隨的損失已使業界注意到其能夠放大並 輸出光電轉換信號之放大型固態影像拾取裝置。此種放大 型固態影像拾取裝置包含Μ ◦ S型、A Μ I、C M D、 BAS I S，等等。其中，MOS型累積一產生於閘電極 中之光二極體上的光學載子，並根據來自一掃瞄電路之驅 動時序，執行電荷放大以輸出電位改變至一輸出部。近年 來，於Μ〇S型之中，特別注意一種C Μ〇S型固態影像 拾取裝置，其中包含光電轉換部分及其周邊電路之整個架 構係使用C Μ〇S程序而被形成。 圖1 2顯示一種傳統的C Μ〇S型固態影像拾取裝置 之方塊圖。於圖1 2中，參考數字1代表一像素部分，參 考數字2代表一垂直掃瞄電路區塊，用以執行垂直掃瞄， 符號D 1 1 D 3 3代表光二極體，符號M2 1 1 -M2 3 3代表重設MOS s ，用以重設光二極體之電荷， 符號“3 11-1^333代表放大1\4〇88，用以放大光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） " 一 V----------^^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554546 A7 B7 五、發明説明（2> 二極體之電荷，符號M4 1 1 -M4 3 3代表選取 M〇S s ，用以選取列，符號V 1 - V 3代表垂直信號線 路’參考數字M51—M53代表負載MOSs ，其作用 爲放大M〇Ss之負載，符號M50代表一輸入MOS， 用以設定一流至負載Μ〇S s之恆定電流，及參考數字5 代表一電壓輸入終端，用以設定輸入Μ ◦ S之一閘極電壓 〇 以下將解釋其操作。當光進入光二極體D 1 1 -D 3 3時，光信號電荷被產生並累積。信號之讀取係由垂 直偏移電阻2所執行，垂直偏移電阻2係垂直地掃瞄列以 讀出信號至垂直掃瞄線路V 1 - V 3 (依成列之順序）。 首先，當第一列被選取時，其連接至選取MOS s Μ4 1 1 — Μ4 3 1之閘極的P SEL改變至高位準，且 放大Μ〇S s Μ 3 1 1 — Μ 3 3 1變爲活性。結果，來 自第一列之信號被讀出至垂直信號線路V 1 - V 3。接下 來，其連接至重設MOS s M2 1 1— M2 3 1之閘極 的P R E S 1改.變至高位準且累積於光二極體D 1 1 -D 3 1中之電荷被重設。接下來，第二列被選取且第二列 之信號被類似地讀出至垂直信號線路V 1 - V 3。第三及 後續的列被類似地依序讀出至垂直信號列V 1 - V 3。 然而，依據上述讀取操作，光信號變得越大，則垂直 信號線路V 1 - V 3之電壓變得越低。再者，因爲垂直信 號線路V 1 — V 3被連接至負載Μ〇S s Μ 5 1 —
Μ 5 3之汲極，所以負載Μ〇S s之電流値係由於Μ〇S 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇、〆297公釐） .j--知----------裝^ιρ — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 -5- 554546 A7 —B7 五、發明説明（3) 電晶體之一通道長度調變效應而改變，當垂直信號線路上 之電壓改變時。因此，流至一共同G N D線路4 (於某一 列之讀出期間）改變，根據光所進入之像素變成的數目， 或者根據其已進入其中之光的量。 另一方面，由於晶片尺寸等之限制，所以G N D線路 4可僅具有有限値之線路寬度，而因此其具有某一阻抗。 再者，因爲流至負載Μ〇S之恆定電流的値係藉由施加一 輸入電壓5於輸入Μ〇S Μ 5 0的閘極與一絕對G N D (例如一外板之接地電位）之間而被設定，所以設定之電 流的値係由於一電壓降而改變，此電壓降係由G N D線路 4之阻抗及其流動之電流所決定。因此，光所進入之像素 的數目變得越大，或者入射光之量變得越大，則G N D線 路4中之電壓降變得越小而負載Μ ◦ S S之設定電流變得 越大。 於一情況下（其中一強光已進入一既定列中之僅僅某 些像素），則負載Μ〇S s之電流値亦增加於其中光未進 入之像素中（即，黑暗像素），而因此介於其放大Μ〇S 的閘極與源極之間的電壓增加。此現象致使黑暗像素之輸 出電壓不同於其包含有強光進入之像素的列與無強光進入 之像素的列之間，而因此有一問題，即其一白色條發生於 一影像上的一點之左及右，於此影像上係入射一聚光燈。 再者，於一種具有光學黑（◦ Β )像素之固態影像拾取裝 置中，其來自黑暗像素及0Β像素之輸出電壓係不同於一 線路（其包含有強光進入之像素）與一線路（其不包含有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 -6 - 554546 A7 B7 五、發明説明（j 強光進入之像素）之間，而因此發生如上所述之類似問題 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明槪述 本發明之一目的係獲得一高品質之影像。 爲了達成上述目的，提供一種影像拾取裝置，包括： 一包含一光電轉換元件及一放大元件之像素，此放大 元件被配置以放大並輸出一產生於光電轉換元件中之信號 J 一負載電晶體，其被配置以控制流動於放大元件中之 電流；及 一電位控制元件，其被配置以抑制其爲放大元件之一 輸出側的負載電晶體之第一主電極區中的電位波動。 此外，依據本發明之另一型態，提供一種影像拾取裝 置，包括： 一包含一光電轉換元件及一放大元件之像素，此放大 元件被配置以放大並輸出一產生於光電轉換元件中之信號 7 一負載電晶體，其被配置以控制流動於放大元件中之 電流； 一控制電晶體，其被串聯至其爲放大元件之一輸出側 的負載電晶體之第一主電極；及 一驅動電路，其被配置以施加一恆定的第一電壓至控 制電晶體之一控制電極區，於信號被讀取自放大元件期間 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • W·— ·
、1T •線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 經濟部智慈財產局員工消t合作社印製 554546 A7 B7 ____ 五、發明説明（5) 以及於信號未被讀取自放大元件期間。 本發明之其他目的及特徵將從以下本發明之實施例的 說明變得淸楚明白。 圖形簡述 圖1係說明本發明之第一實施例的一種固態影像拾取 裝置之方塊圖； 圖2係說明本發明之第二實施例的一種固態影像拾取 裝置之方塊圖； 圖3係一時序圖，用以解釋本發明之第二實施例的操 作； 圖4係說明本發明之第三實施例的一種固態影像拾取 裝置之方塊圖； 圖5係說明本發明之第四實施例的一種固態影像拾取 裝置之方塊圖； 圖6係說明本發明之第五實施例的一種固態影像拾取 裝置之方塊圖， 圖7係說明本發明之第六實施例的一種固態影像拾取 裝置之方塊圖； 圖8係一時序圖，用以解釋本發明之第六實施例的操 作； 圖9係說明本發明之第七實施例的一種固態影像拾取 裝置之方塊圖； 圖1 0係說明本發明之第八實施例的一種影像拾取系 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-8- 554546 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（q) 統之方塊圖； 圖1 1係說明本發明之第九實施例的一種影像拾取系 統之方塊圖； 圖1 2係代表習知技術之一圖形。 元件對照表 1 :像素部分 2:垂直掃瞄電路區塊 3:恆定電壓機構 4 : G N D線路 5:電壓輸入終端 6:電壓輸入終端 7:水平掃瞄電路區塊 8 :差動電路區塊 9:控制信號輸入終端 1 0 :操作放大器 11:固態影像拾取裝置 12:可規程增益放大器 1 3 : A D轉換器 1 4 :數位輸出 101:障壁 1〇2 :透鏡 1〇3 :虹膜 1 0 4 :固態影像拾取裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .i--VI.
、1T 線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -9- 554546 A7 B7 五、發明説明（7) 1 0 5 :影像拾取信號處理電路 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 106: A/D轉換器 1 0 7 :信號處理單元 108 :時序產生單元 1 0 9 :系統控制及操作單元 110:記憶體單元 1 1 1 :介面單元 較佳實施例之敘述 圖1係依據本發明之一種固態影像拾取裝置的第一實 施例之方塊圖。構成固態影像拾取裝置之電路元件並非特 別由半導體積體電路之製造技術所限制，而元件被形成於 一諸如單晶矽之單一半導體基底上。此外，爲了簡化之目 的，本發明被構成爲如圖1中具有3列及3行之一像素陣 列，但本發明並不限定於此尺寸。 經濟部智总財產局員工消費合作社印製 現在將使用圖1以解釋本發明之固態影像拾$裝置的 架構。於本範例中，用以產生光信號電荷之光二極體 D 1 1 - D 3 3被接地於其陽極側上。光二極體D 1 1 - D 3 3之陰極側被連接至放大Μ〇S s Μ 3 1 1 一 Μ 3 3 3之閘極。此外，用以重設放大Μ〇S s Μ31 1— Μ333 之重設M〇Ss M21 1 一 M2 3 3的源極被連接至放大M〇S s Μ 3 1 1 " Μ333之閘極，而重設M〇Ss Μ 2 1 1 - M 2 3 3 之汲極被連接至重設電源供應。此外，放大Μ 〇 S s 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 554546 A 7 B7 五、發明説明（β M3 1 1 — M3 3 3之汲極被連接至用以供應供應電壓之 選取M〇Ss M41 1 — M433。重設M〇S 2 1 1之閘極被連接至第一列選取線路（垂直掃瞄線路） P R E S 1 ，其被配置以沿著一水平方向延伸。配置於相 同列中之其他像素單元中之類似重設Μ〇S s Μ 2 2 1 及Μ 2 3 1的閘極亦被共同地連接至第一列選取線路 PRES1 。選取M〇S Μ41 1之閘極被連接至一第 二列選取線路（垂直掃瞄線路）P S E L 1 ，其被配置以 沿著水平方向延伸。配置於相同列中之其他像素單元中之 類似選取Μ〇S s Μ 4 2 1及Μ 4 3 1的閘極亦被共同 地連接至第二列選取線路P S E L 1。第一及第二列選取 線路被連接至一垂直掃瞄電路區塊2且根據一操作時序（ 將描述於後）而被供應以信號電壓。圖1中所示之剩餘線 路亦設有類似構成的像素單元及列選取線路。垂直掃瞄電 路區塊2中所形成之PRES2 - PRES 3及 P S E L 2 - P S E L 3被提供爲這些列選取線路。 放大Μ〇S Μ 3 1 1之源極被連接至一垂直信號線 路V 1 ，其被配置以沿著一垂直方向延伸。配置於相同行 中之像素單元中之類似放大M〇S s M3 1 2及 Μ 3 1 3的源極亦被連接至垂直信號線路V 1。垂直信號 線路V 1被連接至一作用爲負載元件之一負載μ〇S Μ 5 1，經由一作用爲恆定電壓機構3之一閘極接地 Μ〇S Μ 7 1 。Μ 7 1之閘極被連接至一用以供應閘極 電壓之電壓輸入終端6。圖1中所示之剩餘的垂直信號線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局員工消费合作社印製 -11 - 554546 A7 B7 五、發明説明（d 路V 2 — V 3類似地具有放大Μ〇S S、閘極接地 M〇Ss及其所連接之負載MOSs。此外，負載 M〇S s M5 1 — M5 3之源極被共同地連接至一 G N D線路4，而其閘極被連接至一輸入Μ〇S Μ 5 0 之一閘極以及連接至一電壓輸入終端5。 接下來，將解釋其操作。當光進入光二極體D 1 1 -D 3 3時，則光信號電荷被產生並累積。信號之讀取係由 其垂直地一列接一列掃瞄之垂直偏移電阻2來執行，且信 號被依序地讀出至垂直信號線路V 1 - V 3。首先，當第 一列被選取時，P S E L 1被連接至選取Μ〇S s Μ 4 1 1 - Μ 4 3 1 (其改變爲一高位準）之閘極，且放 大M〇Ss M31 1 - M331變爲活性。結果，來自 第一列之信號係由垂直信號線路V 1 - V 3讀出。接下來 ，其連接至重設M〇S s M21 1— M23 1之閘極的 P R E S 1改變至高位準並重設其累積於光二極體D 1 1 一 D 3 1中之電荷。接下來，第二列被選取且來自第二列 之信號被類似地讀出至垂直信號線路V 1 - V 3。第三列 及後續的列係依序由垂直信號線路V 1 - V 3類似地讀出 〇 當（例如）第一列係依據上述操作而被讀出時，即使 其讀出至垂直信號線路V 1 - V 3之信號電壓有所改變時 ，負載M〇S s M5 1 — M5 3之汲極電壓仍不會改變 ，因爲其係由閘極接地M〇S s M7 1 — M7 3之源極 電壓所決定。因此，即使於讀出極大信號電荷之情況下， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -12- 554546 A7 B7__
五、發明説明（A 其來自負荷Μ〇S s Μ 5 1 — Μ 5 3之電流値仍可被保 持僅具極小改變。因此，因爲其已有光進入之像素的數目 以及所接收之光的量均不會造成G N D線路4之電壓降量 的改變，所以負載Μ〇S s Μ 5 1 - Μ 5 3之設定電流 被保持於其固定位準，而無論讀取哪一線路。依據上述架 構，來自黑暗像素（及來自〇Β像素）之輸出電壓於一列 (其包含有強光進入之像素）與一列（其不包含有強光進 入之像素）之間是相等的，而因此不會發生一問題，即一 白色條產生於一其上入射有強光之影像中，藉此得以獲得 一淸晰的影像。 第二實施例 圖2係依據本發明之第二實施例的固態影像拾取裝置 之一方塊圖。於第二實施例中之一像素部分1係藉由加入 下列元件至第一實施例中而構成··轉移Μ〇S s Ml 1 1 — Ml 3 3，用以傳送光二極體中所累積之光信 號電荷於光二極體D 1 1 - D 3 3的陰極側與放大 Μ〇S s Μ 3 1 1 — Μ 3 3 3的閘極之間。 轉移Μ〇S Μ 1 1 1之閘極被連接至一第三列選取 線路（垂直掃瞄線路）Ρ Τ X 1 ，其被配置以沿著水平方 向延伸。配置於相同列中之其他像素單元中之類似轉移 Μ〇S s Μ 1 2 1及Μ 1 3 1的閘極亦被共同地連接至 第三列選取線路。第三列選取線路係類似於第一及第二列 選取線路而被連接至垂直掃瞄電路區塊2，且其係根據一 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1--------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 554546 A7 B7 五、發明説明（> 操作時序（將描述於後）而被供應以一信號電壓。除了上 述之外的像素部分係類似於圖1 ，而相同的參考數字係指 定相同的結構元件。 此外，垂直信號線路V 1係經由一雜訊信號轉移開關 Ml 1而被連接至一電容CTN1 (用以暫時地保持一雜 訊信號），且係類似地經由一光信號轉移開關Μ 2 1而被 連接至一電容C T S 1 (用以暫時地保持一光信號）〇雜 訊信號保持電容C Τ Ν 1及光信號保持電容C T S 1之相 反側上的終端被接地。雜訊信號轉移開關Μ 1 1與雜訊信 號保持電容C Τ Ν 1之一連接點、以及光信號轉移開關 Μ 2 1與光信號保持電容C T S 1之一連接點，係個別地 透過保持電容重設開關Μ 3 1及Μ 3 2而被接地，且係經 由水平轉移開關Μ 4 1及Μ 4 2而亦被連接至一差動電路 區塊8，用以獲得一介於光信號與雜訊信號之間的差異。 水平轉移開關Μ 4 1及Μ 4 2之閘極被共同地連接至 一行選取線路Η 1 ，且被連接至一水平掃瞄電路區塊7。 圖2中所示之剩餘的行V 2 - V 3亦設有具類似結構之讀 取電路。此外，其連接至各行之雜訊信號轉移開關Μ 1 1 —Μ 1 3及光信號轉移開關Μ 2 1 - Μ 2 3的閘極被個別 地共同連接至ΡΤΝ及PTS，且根據操作時序（將描述 於後）而各被提供以信號電壓。 接下來，將參考圖3以解釋本實施例之操作。當欲讀 出光信號電荷自光二極體D 1 1 - D 3 3時，其連接至重 設M〇S s M21 1— M231之閘極的PRES1改 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慈財產局W工消費合作社印製 -14 - 經濟部智魅財產局8工消費合作社印製 554546 A7 _B7 ____
五、發明説明（A 變至高位準。結果，放大M〇Ss M311-M331 之閘極被重設至重設電源供應在其連接至重設M〇s s Μ 2 1 1 — Μ 2 3 1之閘極的P R E S 1回到低位準之後 ，則其連接至選取M〇S s M4 1 1 - M4 3 1之閘極 的P S E L 1及其連接至雜訊信號轉移開關Μ 1 1 -Μ 1 3之閘極的Ρ Τ Ν均改變至高位準。因此’具有重設 雜訊疊置於其上之重設信號（雜訊信號）被讀取至雜訊信 號保持電容CTN1 - CTN3 °接下來’其連接至雜訊 信號轉移開關Μ 1 1 - Μ 1 3之閘極的Ρ Τ Ν回到低位準 〇 接下來，其連接至轉移M〇S s Mill- M 1 3 1之閘極的Ρ Τ X 1改變至高位準，且光二極體 D 1 1D3 3中之光信號電荷被傳送置放大M〇S s M3 1 1 - M3 3 1之閘極。在其連接至轉移M〇S s Μ 1 1 1 — Μ 1 3 1之閘極的Ρ Τ X 1回到低位準之後’ 則其連接至光信號轉移開關Μ 2 1 - 2 3之閘極的Ρ T S 改變至高位準。結果，光信號被讀出至光信號保持電容 CTS 1 - CTS 3。接下來，其連接至光信號轉移開關 Μ 2 1 — 2 3之閘極的Ρ T S回到低位準。於到此爲止之 操作中，來自其連接至第一列之像素單元的雜訊信號及光 信號均被保持於其被連接至各行之雜訊信號保持電容 CTN1-CTN3及光信號保持電容CTS1-C T S 3 中。 接下來，其連接至重設M〇S s Μ 2 1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -15- 554546 A7 B7
五、發明説明（A Μ 2 3 1之閘極的P R E S 1以及其連接至轉移μ〇S s •Μ 1 1 1 — Μ 1 3 1之閘極的Ρ Τ X 1均改變至高位準， 且光二極體D 1 1 - D 3 3中之光信號電荷被重設。之後 ，來自水平掃瞄電路區塊7之信號Η 1 — Η 3致使每一行 之水平轉移開關Μ 4 1 - Μ 4 6的閘極依序改變至高位準 ，而其被保持於雜訊信號保持電容C Τ Ν 1 - C Τ Ν 3及 光信號保持電容CTS 1 - CTS 3中之電壓被依序讀出 至差動電路區塊。於差動電路區塊上，介於光信號與雜訊 信號之間的差異被取得，且被依序輸出至一輸出終端 〇U Τ。因此，其連接至第一列之像素單元的讀取便完成 〇 之後，在讀取第二列之前，其連接至雜訊信號保持電 容CTN1— CTN3及光信號保持電容CTS 1 -CTS 3之重設開關M3 1 — M3 6的閘極之P CTR改 變至高位準，而電容係藉由接地而被重設。後續之操作係 類似的，以致其連接至第二及後續列之像素單元的信號被 依序讀出，藉由來自垂直掃瞄電路區塊之信號，而因此完 成所有像素單元之讀取。 當，例如，第一列係依據上述操作而被讀出時，則即 使其讀出自垂直信號線路V 1 - V 3之信號電壓有所改變 ，其負載M〇S s Μ5 1— Μ5 3之汲極電壓仍不會改 變’，因爲其係由閘極接地Μ〇S s Μ 7 1 — Μ 7 3之源 極電壓所決定。因此，即使於讀出極大信號電荷之情況下 ，其來自負荷M〇S s Μ5 1 - Μ5 3之電流値仍可被 ----------^w — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16- 554546 A7 B7 五、發明説明（山 保持僅具極小改變。因此，因爲其有光進入之像素的數目 以及所接收之光的量均不會造成G N D線路4之電壓降量 的改變，所以負載Μ〇S s Μ 5 1 — Μ 5 3之設定電流 被保持於其固定位準，而無論讀取哪一線路。 依據上述架構，則來自黑暗像素（及來自〇Β像素） 之輸出電壓於一列（其包含有強光進入之像素）與一列（ 其不包含有強光進入之像素）之間是相等的，而因此不會 發生一問題，即一白色條產生於一其上入射有強光之影像 中，藉此得以獲得一淸晰的影像。 第三實施例 圖4係依據本發明之固態影像拾取裝置的第三實施例 之一方塊圖。於本實施例中，像素部分1之結構係不同於 前述實施例。於本實施例中，放大Μ〇S s Μ 3 1 1 -Μ 3 3 3之汲極被直接連接至電源供應。放大Μ〇S 311之源極係經由選取M〇S M411而被連接至垂 虐:信號線路V 1 ，其被配置以沿著垂直方向延伸。配置於 相同行中之其他像素單元中之類似放大Μ〇S s M3 1 2及M3 1 3的源極亦經由選取選取M〇S s Μ4 1 2及Μ4 1 3而被連接至垂直信號線路VI。圖1 中所示之剩餘的垂直信號線路V 2 - V 3亦具有放大 Μ 0 S s及其所類似地連接之選取μ〇S s。 依據本實施例之操作係類似於第二實施例且具有相同 的效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ^----------^_wi I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 -17- 554546 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 第四實施例 圖5係依據本發明之固態影像拾取裝置的第四實施例 之一方塊圖。恆定電壓機構3之結構係不同於第一實施例 ’以致其依據此結構，無須獨立地提供閘極接地Μ 0 S s Μ7 1— Μ73之閘極電壓以及輸入M〇S M50 (其 設定負載之恆定電流）之閘極電壓。 第五實施例 圖6係依據本發明之固態影像拾取裝置的第五實施例 之一方塊圖。依據此實施例，恆定電壓機構3之結構係不 同於第一實施例。 第六實施例 圖7係依據本發明之固態影像拾取裝置的第六實施例 之一方塊圖。本實施例之像素部分1具有與第三實施例類 似的結構。垂直信號線路v 1被連接至一開關Μ 8 1 (用 以分離垂直信號線路V 1自負載），及連接至一作用爲負 載元件之負載Μ〇S Μ 5 1 ，經由一閘極接地Μ〇S Μ 7 1。此外，垂直信號線路ν 1係經由一開關Μ 4 1 0 而被連接至一夾制（c 1 i ρ )電晶體Μ 3 1 0，用以控 制一夾制操作。圖7中所示之剩餘的垂直信號線路V 2 -V 3亦被連接與放大Μ〇S s 、開關、閘極接地Μ 0 S s 、負載Μ〇S s 、夾制電晶體及控制開關。開關Μ 8 1 - .---------^wi (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -18- 554546 A7 B7 五、發明説明（4 Μ 8 3之閘極及閘極接地Μ〇S s Μ 7 1 — Μ 7 3之閘 極被共同地連接至一控制信號輸入終端9及連接至一用以 供應閘極電壓之電壓輸入終端6，而夾制電晶體Μ 3 1 0 一 M3 3 0之閘極及控制開關Μ4 1 〇 — Μ4 3 0之閘極 被共同地連接至一夾制電壓輸入終端V C L I Ρ及連接至 一控制信號輸入終端P S E L，且這些閘極係根據一操作 時序（將描述於後）而被個別地供應以信號電壓。負載 Μ 0 S s Μ5 1— Μ5 3之源極被連接至一共同GND 線路4，而其閘極被連接至輸入Μ〇S Μ 5 0之閘極且 亦連接至電壓輸入終端5。 此外，垂直信號線路V 1係經由一箝位（clamp )電容 C〇1及一轉移開關M2 1而被連接至一電容CT 1 (用 以暫時地保持信號），且被連接至一操作放大器1 〇之反 相終端，其中一回饋電容C F及一重設開關M0被連接至 一回饋系統。操作放大器1 0之非反相終端被連接至一參 考電壓V R E F。信號保持電容C T 1之相反側上的終端 被接地。一箝位電容C 0 1及一轉移開關Μ 2 1之接點係 經由一箝位開關Μ 3 1而被連接至一箝位電源供應。 水平轉移開關Μ 4 1之閘極被連接至行選取線路Η 1 ，且被連接至水平掃瞄電路區塊7。圖7中所示之剩餘的 行V 2 - V 3亦設有具類似結構之讀取電路。此外，其連 接至每一行之箝位開關Μ 3 1 — Μ 3 3的閘極、以及轉移 開關Μ 2 1 - Μ 2 3之閘極被共同地個別連接至一箝位信 號輸入終端P C 0 R及連接至一轉移信號輸入終端Ρ Τ， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -19- 554546 A7 B7 五、發明説明（* 且根據一操作時序（將描述於後）而被個別地供應以信號 電壓。 接下來，將參考圖8以解釋本實施例之操作。當欲讀 出光二極體D 1 1 - D3 3中之光信號電荷時，其連接至 重設M〇Ss M21 1— M23 1之閘極的PRES1 改變至高位準。因此，放大M〇S s Μ 3 1 1 -M3 3 1之閘極係由一重設電源供應重設。當其連接至重 設M〇Ss M21 1 — M231之閘極的PRES1回 到低位準之後，則一用於重設Μ〇S s Μ 8 1 Μ 8 3之 閘極控制信號9同時地改變至高位準，且在其連接至箝位 開關Μ 3 1 — Μ 3 3之閘極的P C 0 R改變至高位準以後 ，其連接至選取M〇Ss M41 1 - M431之閘極的 P S E L 1以及夾制控制信號P S E L均改變至高位準。 因此，具有重設雜訊疊置於其上之重設信號（雜訊信號） 被讀出至垂直信號線路V 1 _ V 3且由箝位電容C 〇 1 -C 0 3所箝位。同時地，其連接至轉移開關Μ 2 1 — Μ 2 3之閘極的Ρ Τ改變至高位準，且信號保持電容 CT 1 — CT 3由箝位電壓所重設。接下來，其連接至箝 位開關Μ 3 1 — Μ 3 3之閘極的P C〇R回到低位準。 接下來，其連接至轉移M〇S s Mill-M1 3 1之閘極的PTX1改變至高位準，而來自光二極 體D 1 1 —D 3 3之光信號被轉移至放大M〇S s Μ 3 1 1 — 3 3 1之閘極且光信號係同時地由垂直信號線 路V 1 - V 3讀出。當此情況發生時，夾制電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 4---------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 線 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 -20- 554546 A7 B7 五、發明説明（4 Μ 3 1 0 - Μ 3 3 0係由控制信號啓動，以致當放大 Μ 0 S s M3 1 1 — M3 3 1之閘極電壓低於夾制電壓 V C L I Ρ時，則垂直信號線路之電壓係由夾制電壓 VL I Ρ所決定之電壓夾制。接下來，在其連接至轉移 Μ 0 S s Ml 11—Μ131之閘極的ΡΤΧ1回到低 位準以後，則其連接至轉移開關Μ 2 1 - Μ 2 3之閘極的 Ρ Τ便改變至低位準。因此，來自重設信號（光信號）之 改變的量被讀出至信號保持電容C Τ 1 - C Τ 3。於操作 之此時刻，來自其被連接至第一列之像素單元的光信號被 個別地保持於其連接至行之信號保持電容c Τ 1 - C Τ 3 〇 接下來，其連接至重設M〇Ss Μ 2 1 1 -M2 3 1之閘極的PRES 1及其連接至轉移M〇S s Ml 1 1— Ml 3 1之閘極的PTX1均改變至高位準’ 且用於開關Μ 8 1 - Μ 8 3之閘極控制信號9改變至低位 準，而因此光二極體D 1 1 D 3 3之光信號電荷被重設。 之後，來自水平掃瞄電路區塊之信號Η 1 - Η 3致使每一 行之水平轉移開關Μ 4 1 - Μ 4 6的閘極依序改變至高位 準，而其被保持於信號保持電容C Τ 1 - C Τ 3中之電壓 被依序讀出至操作放大器之回饋電容C F ’且被依序輸出 透過一輸出終端〇U Τ。於各行之信號的個別讀取之間的 間隔中，回饋電容C F之電荷係由重設開關Μ 0所重設。 因此，完成其連接至第一列之像素單元的讀取°後續操作 係類似的，以致其來自連接至第二及後續列之像素單元的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） ----------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 554546 Α7 Β7 五、發明説明（4 信號係由於來自垂直掃瞄電路區塊之信號而被依序讀出， 而因此完成所有像素單元之讀取。 例如當第一列以上述操作而被讀出時，即使其讀出至 垂直信號線路V 1 - V 3之信號電壓有所改變，負載 Μ 0 S s Μ5 1 - Μ5 3之汲極電壓仍不會改變，因爲 其係由閘極接地M〇S s Μ7 1 - Μ7 3之源極電壓所 決定。此外，閘極接地Μ〇S s Μ 7 1 — Μ 7 3之汲極 電壓不會關閉，因爲其係由夾制電晶體Μ 3 1 0 -Μ 3 3 0所夾制。因此，即使於讀出極大信號電荷之情況 下，其負載M〇S s Μ5 1 - Μ5 3之電流値仍可被保 持僅具極小改變。因此，因爲其已有光進入之像素的數目 以及入射光之量均不會造成G N D線路4之電壓降量的改 變，所以負載Μ〇S s Μ 5 1 — Μ 5 3之設定電流被保 持於其固定位準，而無論讀取哪一線路。 依據上述架構，來自黑暗像素（及來自0Β像素）之 輸出電壓於一列（其包含有強光進入之像素）與一列（其 不包含有強光進入之像素）之間是相等的，而因此不會發 生一問題，即一白色條產生於一其上入射有強光之影像中 ，藉此得以獲得一淸晰的影像。 於本實施例中，設有開關Μ 8 1 - Μ 8 3 ，用以自負 載分離垂直信號線路V 1 ，但是類似效果亦產生於一種結 構，其中被輸入至閘極接地Μ〇S s Μ 7 1 — Μ 7 3之 閘極的電壓6被致使跳動於閘極接地電壓與接地位準之間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 554546 A7 B7 五、發明説明（4 第七實施例 圖9係依據本發明之固態影像拾取裝置的第七實施例 之一方塊圖。依據本實施例，像素部分1被構成爲一維的 線路感應器。像素部分1之結構與第一實施例的差異在於 其並無供選取列之選取M〇S，且放大M〇S s Μ 3 1 1 - Μ 3 3 1之汲極被直接連接至電源供應。當光 進入光二極體D 1 1 - D 3 3時，光信號電荷被產生及累 積並同時被輸出至放大M〇S s M3 1 3— M3 3 3之 輸出線路V4 - V6。接著，其連接至重設M〇Ss M2 1 3— M2 3 3之閘極的PRES改變至高位準，且 累積於光二極體D 1 1 — D 3 3中之電荷被重設。 於上述操作中，即使其讀出至垂直信號線路V 4 -V6之信號電壓有所改變，負載M〇S s Μ 5 1 -Μ 5 3之汲極電壓仍不會改變，因爲其係由閘極接地 Μ 0 S s Μ7 1 - Μ7 3之源極電壓所決定。因此，即 使於讀出極大信號電荷之情況下，其負載Μ〇S s Μ 5 1 - Μ 5 3之電流値仍可被保持僅具極小改變。因此 ，因爲其已有光進入之像素的數目以及入射光之量均不會 造成G N D線路4之電壓降量的改變，所以負載Μ〇S s Μ 5 1 - Μ 5 3之設定電流被保持於其固定位準，而無論 讀取哪一線路。 依據上述架構，來自黑暗像素（及來自〇Β像素）之 輸出電壓不會隨著其接收強光之像素的數目而改變。因此 ---------士— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *11 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 554546 Α7 Β7 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 五、發明説明（4 ’無須提供一用以箝位◦ B之電路於往後之階段，而因此 電路變得簡單。 於以上第一至第七實施例中所解釋的固態影像拾取裝 置中，可採用一種結構以使得其一既定電壓V 6被施加至 閘極接地Μ〇S s Μ 7 1 — Μ 7 3之閘極，於其來自像 素單元內部之放大Μ〇S s的信號正由垂直信號線路V 1 一 V 3讀出期間，以及於其他時期期間，一小於電壓6之 電壓6’被施加至閘極接地M〇Ss M71—M73之 閘極，或者閘極接地Μ〇S s Μ 7 1 — Μ 7 3之閘極被 連接至一接地（GND)。另一方面，一恆定電壓6可被 施加於不僅當信號係藉由垂直信號線路V 1 - V 3而被讀 出自像素單元中之放大Μ〇S s期間，同時亦於當信號未 被讀出之期間。 於前者之情況下，電壓僅於需要時被施加至閘極接地 Μ〇S s Μ 7 1 — Μ 7 3之閘極。因此，減低了電力耗 損。 此外，於後者之情況下，施加之電壓無須被切換。因 此，電路具有簡單的架構。 以上第一至第七實施例中所解釋的固態影像拾取裝置 可具有一〇Β像素或者可不具有Ο Β像素。 第八實施例 圖1 0係一種使用依據任一上述第一至第七實施例的 固態影像拾取裝置之影像拾取系統的方塊圖。參考數字 ---------φ-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 線一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210x297公釐） -24- 554546 A7 B7 五、發明説明（4 1 1代表固態影像拾取裝置，參考數字1 2代表一可規程 增益放大器（P G A )，用以控制來自固態影像拾取裝置 之輸出信號的振幅，參考數字1 3代表一 A D轉換器（ ADC)，而參考數字14代表數位輸出。於使用上述固 態影像拾取裝置之情況下，於一線路（其包含有強光進入 之像素）與一線路（其不包含有強光進入之像素）間之水 平〇B像素的輸出之間並無改變。因此，無須箝位水平 〇B s ，而因此可產生如圖1 0中所示之一 DC直接連接 。因此，於一所得影像之上的水平線路等（其係由各列的 水平〇B箝位位準之間的不一致所造成）不會發生，因而 可以一簡單區塊結構構成一種具有高影像品質之高品質的 影像拾取系統。 第九實施例 圖1 1係顯示一依據任一上述第一至第七實施例之固 態影像拾取裝置被應用於一影像拾取系統（一靜態視頻相 機）之情況下的方塊圖。參考數字1 0 1代表一作用爲透 鏡保護器及主開關之障壁，參考數字1 0 2代表一透鏡， 用以成像一拍照目標之光學影像至一固態影像拾取元件 104上，參考數字103代表一虹膜（iris)，用 以致能調整其通過透鏡1 0 2之光的量，參考數字1 〇 4 代表固態影像拾取裝置，用以拾取其由透鏡1 〇 2所成像 之拍照目標爲一影像信號，參考數字1 0 6代表一 A / D 轉換器，用以執行其經由一影像拾取信號處理電路1 〇 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
’IT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印則表 -25- 554546 A7 __B7 五、發明説明（4 (用以執行增益校正等等）而輸出之影像信號的類比/數 位轉換，及參考數字1 0 7代表一信號處理單元，用以對 其輸出自A / D轉換器1 〇 6之影像資料執行各種校正並 用以壓縮資料。此外，參考數字1 0 8代表一時序產生單 元，用以輸出各種時序信號至固態影像拾取元件1 0 4、 影像拾取信號處理電路1 0 5、A / D轉換器1 0 6及信 號處理單元1 0 7，參考數字1 〇 9代表一系統控制及操 作單元，用以執行各種算術操作並用以整體控制靜態視頻 相機，參考數字1 1 0代表一記憶體單元，用以暫時地儲 存影像資料，參考數字1 1 1代表一介面單元，用以執行 記錄及讀取至/自一記錄媒體，參考數字1 1 2代表一可 移除式記錄媒體，諸如用以記錄及讀取影像資料之一半導 體記憶體等等，及參考數字1 1 3代表一介面單元，用以 通連與一外部電腦等等。 接下來，將解釋影像拾取系統於捕獲一影像之時刻的 相關操作，依據上述結構。 當障壁1 0 1被開啓時，一主電源供應啓動，接著用 於控制系統之電源供應啓動，以及用於影像拾取系統電路 (諸如A / D轉換器1 〇 6 )之電源供應亦啓動。 接著，爲了控制曝光之量，系統控制及操作單元 1 0 9開啓虹膜1 〇 3，而之後輸出自固態影像拾取元件 1 0 4之信號係由A / D轉換器1 〇 6轉換，其被輸入至 信號處理單元1 0 7。根據此資料，曝光操作係由系統控 制及操作單元1 0 9執行。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ----------^_w! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -26- 554546 A 7 B7 五、發明説明（2>4 亮度係根據光測量之一結果而判斷，且系統控制及操 作單元1 0 9依據亮度判斷之結果以控制虹膜。 接下來，高頻成分係根據輸出自固態影像拾取元件 1 0 4之信號而被提取，且系統控制及操作單元1 〇 9執 行一操作以計算距拍照目標之距離。之後，透鏡被驅動並 判斷透鏡是否對焦。假如判斷其透鏡未對焦，則透鏡被再 次驅動以測量其距離。 接著，在對焦確認之後，主曝光開始。當主曝光完成 後，其輸出自固態影像拾取元件1 0 4之影像信號便由 A / D轉換器1 0 6執行A - D轉換，且接著其通過信號 處理單元1 〇 7以由系統控制及操作單元1 0 9寫入至記 憶體單元。之後，由系統控制及操作單元1 0 9所執行之 控制致使記憶體單元1 1 0中所儲存之資料通過一記錄媒 體控制I / F以被儲存於半導體記憶體或其他此等可移除 式記錄媒體1 1 2中。記錄資料亦可通過外界I/F 1 1 3且被直接輸入至電腦以供影像處理。 本發明之許多不同實施例可被構成而不背離本發明之 精神及範圍。應理解其本發明並不限定於說明書中所述之 特定實施例，除了後附申請專利範圍中所界定者之外。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ---------士UK— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 線一 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 -27-

Claims (1)

  1. 554546 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 · 一種影像拾取裝置’包括： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一包含一光電轉換元件及一放大元件之像素’此放大 元件被配置以放大並輸出一產生於光電轉換元件中之信號 一負載電晶體，其被配置以控制流動於該放大元件中 之電流；及 一電位控制元件，其被配置以抑制其爲該放大元件之 一輸出側的該負載電晶體之第一主電極區中的電位波動。 2 .如申請專利範圍第1項之影像拾取裝置，其冲該 電位控制元件係一串聯至第一主電極區之控制電晶體。 3 .如申請專利範圍第1項之影像拾取裝置，進一步 包括一驅動電路，其被配置以施加一恆定的第一電壓至該 控制電晶體之一控制電極區，於其來自該放大元件之信號 正被讀取之期間以及於其來自該放大元件之信號未被讀取 之期間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 .如申請專利範圍第2項之影像拾取裝置’進一步 包括一驅動電路，其被配置以施加一恆定的第一電壓至該 控制電晶體之一控制電極區，於其來自該放大元件之信號 正被讀出之期間，並施加一低於第一電壓之電壓至控制電 晶體之控制電極區或者施加一接地位準於其來自該放大元 件之信號未被讀出之期間。 5 ·如申請專利範圍第1項之影像拾取裝置’其中該 電位控制元件係一串聯至第一主電極區之閘極接地電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 - 554546 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 2 6 . —種影像拾取裝置，包括： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一包含一光電轉換元件及一放大元件之像素，此放大 元件被配置以放大並輸出一產生於該光電轉換元件中之信 號； 一負載電晶體，其被配置以控制流動於該放大元件中 之電流； 一控制電晶體，其被串聯至其爲放大元件之一輸出側 的該負載電晶體之第一主電極；及 一驅動電路，其被配置以施加一恆定的第一電壓_至該 控制電晶體之一控制電極區，於其來自放大元件之信號正 被讀取之期間以及於其信號未被讀出自該放大元件之期間 〇 7 .如申請專利範圍第6項之的影像拾取裝置’其中 該控制電晶體係一閘極接地電晶體。 8 ·如申請專利範圍第1項之影像拾取裝置’進一步 包括= 一透鏡，用以將光成像至像素上； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一類比/數位轉換電路，其被配置以將來自_ @ ^ & 信號轉換爲數位信號；及 一信號處理電路，其被配置以處理一來自該類比/數 位轉換電路之信號。 9 ·如申請專利範圍第6項之影像拾取裝置’ 51 ^ # 包括： 一透鏡，用以將光成像至像素上； 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - 554546 8 88 8 ABCD 六、申請專利範圍 3 一類比/數位轉換電路，其被配置以將來自該像素之 信號轉換爲數位信號；及 一信號處理電路，其被配置以處理一來自該類比/數 位轉換電路之信號。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30 -
TW091115582A 2001-07-12 2002-07-12 Image pickup apparatus TW554546B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001212301A JP3962561B2 (ja) 2001-07-12 2001-07-12 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW554546B true TW554546B (en) 2003-09-21

Family

ID=19047483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091115582A TW554546B (en) 2001-07-12 2002-07-12 Image pickup apparatus

Country Status (6)

Country Link
US (4) US7355645B2 (zh)
EP (3) EP2493177A3 (zh)
JP (1) JP3962561B2 (zh)
KR (1) KR100498222B1 (zh)
CN (1) CN1222046C (zh)
TW (1) TW554546B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3685445B2 (ja) * 2000-02-18 2005-08-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP3962561B2 (ja) 2001-07-12 2007-08-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US7408577B2 (en) * 2003-04-09 2008-08-05 Micron Technology, Inc. Biasing scheme for large format CMOS active pixel sensors
US7446806B2 (en) * 2003-12-19 2008-11-04 Symbol Technologies, Inc. Single chip, noise-resistant, one-dimensional, CMOS sensor for target imaging
US7667171B2 (en) * 2004-07-06 2010-02-23 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
JP5340374B2 (ja) * 2005-06-09 2013-11-13 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5247007B2 (ja) 2005-06-09 2013-07-24 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
US8081837B2 (en) * 2006-02-07 2011-12-20 Intel Corporation Image sensor array leakage and dark current compensation
JP4416753B2 (ja) * 2006-03-31 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4193874B2 (ja) * 2006-05-25 2008-12-10 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラモジュール
JP4185949B2 (ja) * 2006-08-08 2008-11-26 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP4952301B2 (ja) * 2007-03-01 2012-06-13 ソニー株式会社 撮像装置およびカメラ
JP5105907B2 (ja) * 2007-03-06 2012-12-26 キヤノン株式会社 撮像システム
JP4065979B1 (ja) * 2007-06-18 2008-03-26 キヤノン株式会社 撮像システム、撮像センサ、及び撮像システムの制御方法
JP4931233B2 (ja) 2007-07-04 2012-05-16 キヤノン株式会社 撮像装置及びその処理方法
JP5106092B2 (ja) 2007-12-26 2012-12-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP5371463B2 (ja) 2008-02-28 2013-12-18 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法
JP2010183462A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Panasonic Corp 固体撮像装置及びカメラ
JP5282690B2 (ja) * 2009-07-23 2013-09-04 ソニー株式会社 画素回路、固体撮像素子、およびカメラシステム
JP5481230B2 (ja) * 2010-02-26 2014-04-23 パナソニック株式会社 撮像装置及び固体撮像装置
JP5856392B2 (ja) 2011-06-06 2016-02-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US8814449B2 (en) * 2011-07-22 2014-08-26 Nikon Corporation Adapter, camera system, and adapter control program
JP5990080B2 (ja) * 2012-10-05 2016-09-07 キヤノン株式会社 撮像システム、および撮像システムの駆動方法
WO2014129118A1 (ja) 2013-02-21 2014-08-28 パナソニック株式会社 固体撮像装置
TWI497998B (zh) * 2013-03-13 2015-08-21 Himax Imaging Ltd 影像感測器
JP6174901B2 (ja) 2013-05-10 2017-08-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6674219B2 (ja) * 2015-10-01 2020-04-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3539875A1 (de) 1985-11-11 1987-05-14 Keller & Bohacek Gmbh Verfahren und vorrichtung zum herstellen enzymhaltiger biomasse aus zuckerruebenschnitzeln
US5144447A (en) * 1988-03-31 1992-09-01 Hitachi, Ltd. Solid-state image array with simultaneously activated line drivers
JPH04342305A (ja) 1991-05-20 1992-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 利得制御回路
US5406332A (en) * 1992-03-06 1995-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converting device
JP2989992B2 (ja) * 1993-05-19 1999-12-13 松下電器産業株式会社 イメージセンサ
JP3031606B2 (ja) * 1995-08-02 2000-04-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置と画像撮像装置
JP3845449B2 (ja) * 1995-08-11 2006-11-15 株式会社東芝 Ｍｏｓ型固体撮像装置
JP3474700B2 (ja) * 1996-03-13 2003-12-08 株式会社東芝 固体撮像装置
US5680038A (en) * 1996-06-20 1997-10-21 Lsi Logic Corporation High-swing cascode current mirror
JPH10257389A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Toshiba Corp 増幅型固体撮像装置及びその動作方法
JP3466886B2 (ja) 1997-10-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US5966005A (en) * 1997-12-18 1999-10-12 Asahi Corporation Low voltage self cascode current mirror
US6963372B1 (en) * 1998-04-24 2005-11-08 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing apparatus and method of operating the same
JP4083909B2 (ja) * 1998-06-02 2008-04-30 株式会社東芝 固体撮像装置
KR100352757B1 (ko) * 1998-06-02 2002-09-16 가부시끼가이샤 도시바 고속도 동작 고체 촬상 장치
JP4192305B2 (ja) 1998-08-27 2008-12-10 株式会社ニコン 固体撮像素子
US6731397B1 (en) * 1999-05-21 2004-05-04 Foveon, Inc. Method for storing and retrieving digital image data from an imaging array
JP3693281B2 (ja) 1999-09-30 2005-09-07 シャープ株式会社 増幅型固体撮像装置
US6727946B1 (en) * 1999-12-14 2004-04-27 Omnivision Technologies, Inc. APS soft reset circuit for reducing image lag
JP3685445B2 (ja) * 2000-02-18 2005-08-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP3667186B2 (ja) * 2000-02-29 2005-07-06 キヤノン株式会社 信号転送装置及びそれを用いた固体撮像装置
KR100397663B1 (ko) * 2000-06-23 2003-09-13 (주) 픽셀플러스 데이터 입출력선이 리셋 모드의 전압으로 유지되는 씨모스 이미지 센서
JP3962561B2 (ja) * 2001-07-12 2007-08-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030007139A (ko) 2003-01-23
US20080012976A1 (en) 2008-01-17
EP1276316B1 (en) 2013-06-12
CN1222046C (zh) 2005-10-05
EP1276316A3 (en) 2009-09-02
US20030011831A1 (en) 2003-01-16
US20110242382A1 (en) 2011-10-06
JP2003032548A (ja) 2003-01-31
EP2290953A3 (en) 2012-04-18
JP3962561B2 (ja) 2007-08-22
US8553120B2 (en) 2013-10-08
EP2290953B1 (en) 2015-12-16
US7355645B2 (en) 2008-04-08
EP2493177A2 (en) 2012-08-29
US20140002689A1 (en) 2014-01-02
US7986362B2 (en) 2011-07-26
EP2493177A3 (en) 2013-11-13
US9055211B2 (en) 2015-06-09
EP1276316A2 (en) 2003-01-15
CN1398105A (zh) 2003-02-19
KR100498222B1 (ko) 2005-06-29
EP2290953A2 (en) 2011-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW554546B (en) Image pickup apparatus
US7576788B2 (en) Image pickup apparatus including a plurality of pixels, each having a photoelectric conversion element and an amplifier whose output is prevented from falling below a predetermined level
US8427558B2 (en) Image pickup apparatus
US8553101B2 (en) Solid-state image sensing device and image sensing system
CN101257560B (zh) 摄像装置及摄像***
US8982252B2 (en) Image sensing device using a photoelectric converter and a control method therefor
US8520108B2 (en) Method for driving a photoelectric conversion device with isolation switches arranged between signal lines and amplifiers
KR100555609B1 (ko) 개선된 곡선인자를 가진 ｃｍｏｓ 영상 센서
JP4290071B2 (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP3870137B2 (ja) 固体撮像装置及び固体撮像システム
JP7116599B2 (ja) 撮像装置、半導体装置及びカメラ
JP2008124527A (ja) 固体撮像装置及び撮像装置
JP2005348041A (ja) 固体撮像装置および撮像システム
JP2006311008A (ja) 撮像装置
JP2011091474A (ja) 固体撮像装置及び撮像機器
JP2001298664A (ja) Ｘ−ｙアドレス選択型固体撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees