TWI497998B - 影像感測器 - Google Patents

Description

影像感測器

本發明係關於一種影像感測器，特別關於一種可有效避免電源電壓降(IR-drop)之影像感測器。

影像感應器(Image Sensor)已成為現今電子產品必備的一部份，從手機照相模組、筆記型電腦網路攝影機、數位相機、攝影機到保全監控系統等，都有其相關應用。

影像感應器透過像素陣列產生影像。像素陣列係由複數列與複數欄的感光元件所組成，各感光元件用以接收光線並產生與光線強度成比例之電壓(電荷)，用以反映出被拍攝之物體的影像。

然而，由於影像感應器的解析度需求越來越高，因此像素陣列的列數量與欄數量也隨之提升。當像素陣列的欄數量提升時，用以為耦接至像素陣列之後端讀取電路電源之電源線的長度也必須被延長，進而產生不容忽視的電源電壓降(IR-drop)的問題，使得讀取電路中各個實質上相同的列放大器可能會產生不同的行為，進而折損所產生的影像品質。除了電源線會有電源電壓降的問題，接地電壓同樣也可能會有電源電壓降的問題。

因此，需要一種可有效避免電源電壓降之影像感測器。

根據本發明之一實施例，一種影像感測器，包括像素陣列、讀取電路、全域偏壓電路以及壓降控制電路。像素陣列由複數列與複數欄之感光元件所組成。讀取電路耦接至像素陣列，包括複數列放大器，其中各列放大器分別耦接至像素陣列之一列感光元件，用以產生對應之一感測電壓。全域偏壓電路耦接至讀取電路之各列放大器，用以提供第一偏壓至各列放大器。壓降控制電路耦接至讀取電路、全域偏壓電路與一電源線，用以為讀取電路以及全域偏壓電路隔絕電源線所產生之一電源電壓降，使得列放大器與全域偏壓電路均接收大小實質上相等的電源電壓。各列放大器進一步根據第一偏壓產生一區域電流，並且各列放大器之區域電流之大小實質上相等。

根據本發明之另一實施例，一種影像感測器，包括像素陣列、讀取電路以及全域偏壓電路。像素陣列由複數列與複數欄之感光元件所組成。讀取電路耦接至像素陣列，包括複數列放大器，其中各列放大器分別耦接至像素陣列之一列感光元件，用以產生對應之一感測電壓。全域偏壓電路耦接至讀取電路之各列放大器，用以提供一第一偏壓至各列 放大器，各列放大器進一步根據第一偏壓產生一區域電流，並且各列放大器之區域電流之大小實質上相等。

100‧‧‧影像感測器

110‧‧‧像素陣列

120‧‧‧讀取電路

120-(1)、120-(2)、120-(3)、120-(n-1)、120-(n)、220-(1)、220-(2)、220-(n)、320-(i)、320-(i+1)‧‧‧列放大器

130‧‧‧電源供應電路

230、330‧‧‧壓降控制電路

140、240、340‧‧‧全域偏壓電路

221-(1)、221-(2)、221-(n)、321-(i)、321-(i+1)‧‧‧區域偏壓電路

222-(1)、222-(2)、222-(n)、322-(i)、322-(i+1)‧‧‧放大器電路

250、350‧‧‧電源線

I、I1(i)、I1(i+1)、I2(i)、I2(i+1)‧‧‧電流

inp(i)、inn(i)、inp(i+1)、inn(i+1)‧‧‧輸入端

out(i)、out(i+1)‧‧‧輸出端

Nb1、Nb2(i)、Nb2(i+1)、Np、Np(i)、Np(i+1)‧‧‧端點

T(i)、T(i+1)、T0、T1、T2(i)、T2(i+1)、T3(i)、T3(i+1)、T4(i)、T4(i+1)‧‧‧電晶體

V_G ‧‧‧電壓

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之影像感測器方塊圖。

第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之影像感測器之部分電路圖。

第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之影像感測器之部分電路之詳細電路圖。

為使本發明之製造、操作方法、目標和優點能更明顯易懂，下文特舉幾個較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

實施例：

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之影像感測器方塊圖。值得注意的是，為簡化說明，第1圖中僅顯示與本發明相關之區塊與元件。如同熟習此項技藝者所理解，影像感測器當可包括其它未顯示於第1圖中之區塊與元件，因此本發明並不限於第1圖所示之內容。

根據本發明之一實施例，影像感測器100可至少包括像素陣列110、讀取電路120、電源供應電路130以及全域偏壓電路140。像素陣列110可由複數列(column)與複數欄(row)之感光元件所組成，用以接收光線並產生與光線強度成比例之電壓(電荷)，用以反映出被拍攝之物體的影像。讀取電路120耦接至像素陣列110，並且包括複數列放大器(column amplifier)120-(1)、120-(2)、120-(3)…120-(n-1)以及120-(n)，其中n為一正整數，各列放大器具有實質上相同的電路結構，並且分別耦接至像素陣列110之一列感光元件，用以產生對應之一感測電壓。電源供應電路130耦接至讀取電路120與全域偏壓電路140，用以為讀取電路120以及全域偏壓電路140隔絕一電源線所產生之電源電壓降(IR-drop)，使得讀取電路120之各列放大器與全域偏壓電路140均能接收大小實質上相等的電源電壓。根據本發明之其它實施例，影像感測器可更包括一類比至數位轉換器(未示於第1圖)，用以將讀取電路120所產生的感測電壓由類比形式轉換為數位形式，以提供後端數位邏輯電路(未示於第1圖)作進一步的處理或判斷。

讀取電路120之各列放大器120-(1)、120-(2)、120-(3)…120-(n-1)以及120-(n)均需自電源線接收電源。由於各列放大器120-(1)、120-(2)、120-(3)…120-(n-1)以及120-(n)具有實質上相同的電路結構且自同一條電源線接收電源，因此理想上，各列放大器之各節點的電壓必須是實質上相同 的，使得各列放大器可有一致的操作行為。然而，當讀取電路之列放大器的數量很多(換言之，像素陣列的尺寸很大)時，電源線的長度也必須被延長，進而產生不容忽視的電源電壓降(IR-drop)的問題。舉例而言，距離最遠的兩個列放大器所接收到的電源電壓大小可能會不一樣。如此一來，讀取電路中各個實質上相同的列放大器可能會產生不同的行為，進而折損所產生的影像品質。此外，除了電源線會有電源電壓降的問題，接地電壓同樣也可能會有電源電壓降的問題。

為了解決此問題，本發明所提出之影像感測器100進一步包括了電源供應電路130與全域偏壓電路140，其中，電源供應電路130除了電源線以外，進一步包括了壓降控制電路。根據本發明之一實施例，讀取電路120之各列放大器均耦接至電源供應電路130，用以透過電源供應電路130自電源線接收電源電壓，其中壓降控制電路可隔絕電源線所產生之電源電壓降(IR-drop)。此外，全域偏壓電路140耦接至讀取電路120之各列放大器，用以提供一第一偏壓至各列放大器。讀取電路120之各列放大器可進一步根據第一偏壓產生一區域電流，使得列放大器之區域電流之大小實質上相等。

以下段落將透過多個不同實施例對本發明所提出之電源供應電路130以及全域偏壓電路140作更詳細的介紹。

第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之影 像感測器之部分電路圖。如第2圖所示，電源供應電路包括了電源線250與壓降控制電路230。電源線250耦接至壓降控制電路230，用以供應系統操作電壓VDD。壓降控制電路230更耦接至全域偏壓電路240與讀取電路之各列放大器220-(1)、220-(2)、…、220-(n)。各列放大器220-(1)、220-(2)、…、220-(n)可分別包括區域偏壓電路221-(1)、221-(2)、…、221-(n)以及放大器電路222-(1)、222-(2)、…、222-(n)。

根據本發明之一實施例，各列放大器內之區域偏壓電路之一部分元件可分別與全域偏壓電路340組成一第一電流鏡電路，第一電流鏡電路可根據第一偏壓產生一第一鏡射電流。此外，各列放大器內之區域偏壓電路之另一部份元件可與放大器電路之一部份元件組成一第二電流鏡電路，第二電流鏡電路可接收第一鏡射電流，根據第一鏡射電流產生一第二偏壓，並且進一步根據第二偏壓產生一第二鏡射電流做為各列放大器流經放大器電路之區域電流。透過電流鏡電路的鏡射效應，各列放大器所產生的區域電流之大小實質上相等。如此一來，即便接地電壓有電源電壓降的問題，接地電壓之電源電壓降也不會對各列放大器所產生的區域電流造成影響(即，各列放大器所產生的區域電流大小不會被改變)。

如此一來，本發明所提出之影像感測器除了可以透過壓降控制電路隔絕系統操作電壓VDD之電源電壓降，亦可藉由產生大小實質上相等之區域電流隔絕接地電壓之電源 電壓降，使得讀取電路之各列放大器的各節點電壓與操作行為均不會受到系統操作電壓VDD與接地電壓之電源電壓降影響。

第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之影像感測器之部分電路之詳細電路圖。根據本發明之一實施例，電源供應電路包括了電源線350與壓降控制電路330。壓降控制電路330可包括(n+1)個平行耦接的隔絕電晶體，其中n相等於讀取電路之列放大器之數量n。如此一來，全域偏壓電路340與讀取電路之各列放大器均可耦接至一個對應之隔絕電晶體，此隔絕電晶體用以於端點Np、…、Np(i)、Np(i+1)、…Np(n)產生無電源電壓降(IR-drop free)之一電源電壓，以提供給對應之全域偏壓電路340與列放大器，其中i小於或等於n。於本發明之較佳實施例中，壓降控制電路330之該等隔絕電晶體可以是N型金屬氧化物半導體電晶體。

如第3圖所示，電源線350耦接至壓降控制電路330，用以供應系統操作電壓VDD。隔絕電晶體T0、T(i)與T(i+1)分別耦接於電源線350與全域偏壓電路340之間、以及電源線350與對應之列放大器320-(i)與320-(i+1)之間，並且隔絕電晶體T0、T(i)與T(i+1)分別包括一控制極共同耦接至參考電壓V_G 。

根據本發明之一實施例，壓降控制電路330之各隔絕電晶體可分別根據參考電壓V_G 與全域偏壓電路340內的 電流、以及參考電壓V_G 與各列放大器內的電流於電源電壓供應端點(例如，Np、Np(i)與Np(i+1))產生無電源電壓降(IR-drop free)之一電源電壓。由於參考電壓V_G 係直接提供至各隔絕電晶體之控制極，因此參考電壓V_G 的導線上的電流幾乎為零，因此沒有電流電壓降；而且電源電壓供應端點(例如，Np、Np(i)與Np(i+1))的電壓係為參考電壓減去一閥電壓，因此也沒有電流電壓降的問題，同時，流經全域偏壓電路340以及各列放大器內的電流大小實質上相等(以下段落將做詳細討論)，因此，於電源電壓供應端點(例如，Np、Np(i)與Np(i+1))所產生之電源電壓也會是一定電壓，不會受到電源線350所供應之系統操作電壓VDD之電源電壓降影響。如此一來，讀取電路之各列放大器內部之各節點電壓均會一致，操作行為也會一致，有效解決了因系統操作電壓VDD之電源電壓降造成影像品質折損的問題。

本發明所提出之影像感測器除了可以透過壓降控制電路隔絕系統操作電壓VDD之電源電壓降，亦可隔絕接地電壓之電源電壓降，讀取電路之各列放大器的各節點電壓與操作行為均不會受到系統操作電壓VDD與接地電壓之電源電壓降影響。

根據本發明之一實施例，全域偏壓電路340可包括電流源I以及電晶體T1。電晶體T1之第一極與壓降控制電路330之隔絕電晶體T0耦接於電源電壓供應端點Np、第二極 耦接至電流源I、以及控制極與電晶體T1之第二極耦接於端點Nb1。端點Nb1為用以供應第一偏壓之第一偏壓供應端點。值得注意的是，根據本發明之一實施例，讀取電路之各列放大器(例如，320-(i)與320-(i+1))均耦接至第一偏壓供應端點Nb1，用以接收第一偏壓。

讀取電路之各列放大器(例如，320-(i)與320-(i+1))具有完全實質上相同的電路結構。舉例而言，列放大器320-(i)與320-(i+1)可分別包括一區域偏壓電路321-(i)與321-(i+1)以及一放大器電路322-(i)與322-(i+1)。放大器電路322-(i)與322-(i+1)可分別具有一對差動輸入端inp(i)與inn(i)、以及inp(i+1)與inn(i+1)。各對差動輸入端可耦接至像素陣列之其中一欄，用以感測感光元件所產生的電壓大小。放大器電路322-(i)與322-(i+1)更分別透過輸出端out(i)與out(i+1)輸出感測電壓至下一級電路(例如，一類比至數位轉換器)。

區域偏壓電路321-(i)與321-(i+1)分別包括電晶體T2(i)與T2(i+1)以及T3(i)與T3(i+1)。電晶體T2(i)與T2(i+1)之第一極分別與壓降控制電路330之隔絕電晶體T(i)與T(i+1)耦接於電源電壓供應端點Np(i)與Np(i+1)。此外，電晶體T2(i)與T2(i+1)之控制極共同耦接至第一偏壓供應端點Nb1。電晶體T3(i)與T3(i+1)之第一極分別耦接至接地電壓、第二極分別耦接至電晶體T2(i)與T2(i+1)之第二極。此外，電晶體T3(i)與T3(i+1)之控制極分別耦接至電晶體T3(i)與T3(i+1)之第二 極。

如第3圖所示，以列放大器320-(i)為例，全域偏壓電路340之電晶體T1與區域偏壓電路321-(i)之電晶體T2(i)可組成第一電流鏡電路，用以根據第一偏壓供應端點Nb1之第一偏壓產生第一鏡射電流I1(i)。區域偏壓電路321-(i)之電晶體T3(i)與放大器電路322-(i)之電晶體T4(i)可組成第二電流鏡電路，用以接收第一鏡射電流I1(i)，根據第一鏡射電流I1(i)產生於第二偏壓供應端點Nb2(i)產生第二偏壓，並且進一步根據第二偏壓產生第二鏡射電流I2(i)做為列放大器320-(i)中流經放大器電路322-(i)之區域電流。

同樣地，以列放大器320-(i+1)為例，全域偏壓電路340之電晶體T1與區域偏壓電路321-(i+1)之電晶體T2(i+1)可組成第一電流鏡電路，用以根據第一偏壓供應端點Nb1之第一偏壓產生第一鏡射電流I1(i+1)。區域偏壓電路321-(i+1)之電晶體T3(i+1)與放大器電路322-(i+1)之電晶體T4(i+1)可組成第二電流鏡電路，用以接收第一鏡射電流I1(i+1)，根據第一鏡射電流I1(i+1)產生於第二偏壓供應端點Nb2(i+1)產生第二偏壓，並且進一步根據第二偏壓產生第二鏡射電流I2(i+1)做為列放大器320-(i+1)中流經放大器電路322-(i+1)之區域電流。

如上述，由於電源電壓供應端點(例如，Np、Np(i)與Np(i+1))所產生之電源電壓大小實質上相等，且電晶體T1、 T2(i)、T2(i+1)…等的控制極電壓實質上相等，因此，各列放大器根據電流源I所產生的第一鏡射電流I1(i)、I1(i+1)…等的大小會實質上相等。此外，由於第二鏡射電流I2(i)、I2(i+1)…等係根據第一鏡射電流I1(i)、I1(i+1)…等而產生，只要電晶體的尺寸比例控制為一致，由第二電流鏡電路所鏡射出來的第二鏡射電流I2(i)、I2(i+1)…等的大小亦會實質上相等。如此一來，各列放大器之區域電流之大小均會實質上相等。因此，讀取電路之各列放大器的各節點電壓與操作行為均不會受到接地電壓之電源電壓降影響。

值得注意的是，於本發明之實施例中，讀取電路、壓降控制電路與全域偏壓電路之各電晶體之一基極可進一步耦接至源極(如上所述之第一或第二極)或接地點，其中當基極耦接至源極時，可消除電晶體之基體效應(body effect)。

此外，於本發明之另一些實施例中，壓降控制電路330之隔絕電晶體之數量可少於讀取電路之列放大器之數量，如此一來，多個列放大器可共同耦接至同一個隔絕電晶體，以節省隔絕電晶體的數量。於本發明之又另一些實施例中，各隔絕電晶體可被取代為複數個疊接於電源線350與電源電壓供應端點(例如，Np、Np(i)與Np(i+1))之間之隔絕電晶體。透過疊接的隔絕電晶體，壓降控制電路可承受的電源線電源電壓降會比僅耦接單一電晶體來得大，因此隔絕電源電壓降的能力會比較好。

此外，於本發明之又另一些實施例中，區域偏壓電路亦可被簡化。舉例而言，可由兩個或兩個以上的列放大器共用同一個區域偏壓電路，以進一步節省電晶體的數量以及電路面積。

此外，值得注意的是，為簡化說明，第3圖中僅顯示出壓降控制電路330之其中三個電晶體以及兩個對應的列放大器之電路圖，而熟習此項技藝者當可根據第3圖所揭示之內容輕易推導出壓降控制電路330之其它電晶體之耦接與操作方式。此外，值得注意的是，本發明之列放大器並不限於第3圖所示之電路結構。如同熟習此項技藝者所理解，讀取電路之各個列放大器可有多種不同的實施方式，例如，放大器電路可有其它多種不同的實施方式，因此第3圖所示之電路僅為輔助說明之範例，並非用以限制本發明之範圍。

由以上實施例可看出，由於讀取電路之各列放大器均改為透過壓降控制電路自電源線接收電源電壓，因此各列放大器所接收到的電源電壓不會受到電源線所供應之系統操作電壓VDD之電源電壓降影響。此外，由於全域偏壓電路可與讀取電路之各列放大器分別組成複數電流鏡電路，透過電流鏡電路的鏡射效應，各列放大器所產生的區域電流之大小實質上相等。因此，各列放大器所接收到的接地電壓亦不會受到接地線之電源電壓降影響。

如此一來，即便系統操作電壓VDD與接地電壓 有電源電壓降的問題，該等電源電壓降也不會對各列放大器所接收的電源電壓與產生的區域電流造成影響。因此，各列放大器內部之各節點電壓均會一致，操作行為也會一致，有效解決了因系統操作電壓VDD與接地電壓之電源電壓降造成影像品質折損的問題。

此外，本發明所提出之壓降控制電路可更為讀取電路隔絕掉電源雜訊，因此訊號-雜訊比可有效提升。此外，由於壓降控制電路與全域偏壓電路的電路十分簡單，使用的元件數量也不多，因此不會耗費太多額外的功率耗損，也不會佔用過多的電路面積，同時兼具功率及電路面積的效率。

申請專利範圍中用以修飾元件之“第一”、“第二”、“第三”等序數詞之使用本身未暗示任何優先權、優先次序、各元件之間之先後次序、或方法所執行之步驟之次序，而僅用作標識來區分具有相同名稱(具有不同序數詞)之不同元件。

本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧影像感測器

110‧‧‧像素陣列

120‧‧‧讀取電路

130‧‧‧電源供應電路

140‧‧‧全域偏壓電路

Claims (16)

1. 一種影像感測器，包括：一像素陣列，由複數列與複數欄之感光元件所組成；一讀取電路，耦接至該像素陣列，包括複數列放大器，其中各列放大器分別耦接至該像素陣列之一列感光元件，用以產生對應之一感測電壓；一全域偏壓電路，耦接至該讀取電路之各列放大器，用以提供一第一偏壓至各列放大器；以及一壓降控制電路，耦接至該讀取電路、該全域偏壓電路與一電源線，用以為該讀取電路以及該全域偏壓電路隔絕該電源線所產生之一電源電壓降，使得該等列放大器與該全域偏壓電路均接收大小實質上相等的電源電壓，其中各列放大器進一步根據該第一偏壓產生一區域電流，並且該等列放大器之該區域電流之大小實質上相等。
2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，其中各列放大器分別包括：一放大器電路；以及一區域偏壓電路，其中各列放大器內之該區域偏壓電路之一部分元件分別與該全域偏壓電路組成一第一電流鏡電路，該第一電流鏡電路根據該第一偏壓產生一第一鏡射電流，並且各列放大器內 之該區域偏壓電路之另一部分元件更根據該第一鏡射電流產生一第二偏壓。
3. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，其中該全域偏壓電路包括：一電流源；以及一第一電晶體，包括一第一極耦接至該壓降控制電路、一第二極耦接至該電流源、以及一控制極與該第一電晶體之該第二極以及該讀取電路之該等列放大器耦接於用以提供該第一偏壓之一第一偏壓供應端點。
4. 如申請專利範圍第3項所述之影像感測器，其中各列放大器分別包括：一放大器電路；以及一區域偏壓電路，包括：一第二電晶體，包括一第一極耦接至該壓降控制電路、以及一控制極耦接至該第一偏壓供應端點；以及一第三電晶體，包括一第一極耦接至一接地電壓、一第二極耦接至該第二電晶體之一第二極、以及一控制極耦接至該第三電晶體之該第二極。
5. 如申請專利範圍第4項所述之影像感測器，其中該全域偏壓電路之該第一電晶體與各列放大器之該第二電晶體分別組成一第一電流鏡電路，用以根據該第一偏壓產生一第一鏡射電流。
6. 如申請專利範圍第5項所述之影像感測器，其中該區域偏壓電路之該第三電晶體與該放大器電路之一第四電晶體耦接於一第二偏壓供應端點，並組成一第二電流鏡電路，用以根據該第一電流鏡電路於該第二偏壓供應端點產生一第二偏壓，並且根據該第二偏壓產生一第二鏡射電流做為流經該放大器電路之該區域電流。
7. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，其中該壓降控制電路包括：複數隔絕電晶體，各隔絕電晶體分別包括一第一極耦接至該全域偏壓電路與該等列放大器之其中一者、一第二極耦接至該電源線，以及一控制極耦接至一參考電壓。
8. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，其中該壓降控制電路包括：複數隔絕電晶體，各隔絕電晶體分別包括一第一極耦接至該全域偏壓電路與該等列放大器之多於一者、一第二極耦接至該電源線，以及一控制極耦接至一參考電壓。
9. 一種影像感測器，包括：一像素陣列，由複數列與複數欄之感光元件所組成；一讀取電路，耦接至該像素陣列，包括複數列放大器，其中各列放大器分別耦接至該像素陣列之一列感光元件，用以產生對應之一感測電壓；以及 一全域偏壓電路，耦接至該讀取電路之各列放大器，用以提供一第一偏壓至各列放大器，其中各列放大器進一步根據該第一偏壓產生一區域電流，並且該等列放大器之該區域電流之大小實質上相等。
10. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器，更包括：一壓降控制電路，耦接至該讀取電路、該全域偏壓電路與一電源線，用以為該讀取電路以及該全域偏壓電路隔絕該電源線所產生之一電源電壓降，使得該等列放大器與該全域偏壓電路均接收大小實質上相等的電源電壓。
11. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器，其中各列放大器分別包括：一放大器電路；以及一區域偏壓電路，其中各列放大器內之該區域偏壓電路之一部份元件分別與該全域偏壓電路組成一第一電流鏡電路，該第一電流鏡電路根據該第一偏壓產生一第一鏡射電流，並且其中該區域偏壓電路之另一部份元件分別與該放大器電路之一部份元件組成一第二電流鏡電路，該第二電流鏡電路根據該第一鏡射電流產生該第二偏壓，並且進一步根據該第二偏壓產生一第二鏡射電流做為流經該放大器電路之該區域電流。
12. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測器，其中該全域偏壓電路包括：一電流源；以及一第一電晶體，包括一第一極耦接至該壓降控制電路、一第二極耦接至該電流源、以及一控制極與該第一電晶體之該第二極以及該讀取電路之該等列放大器耦接於用以提供該第一偏壓之一第一偏壓供應端點。
13. 如申請專利範圍第12項所述之影像感測器，其中各列放大器分別包括：一放大器電路；以及一區域偏壓電路，包括：一第二電晶體，包括一第一極耦接至該壓降控制電路、以及一控制極耦接至該第一偏壓供應端點；以及一第三電晶體，包括一第一極耦接至一接地電壓、一第二極耦接至該第二電晶體之一第二極、以及一控制極耦接至該第三電晶體之該第二極。
14. 如申請專利範圍第13項所述之影像感測器，其中該區域偏壓電路之該第三電晶體與該放大器電路之一第四電晶體耦接於一第二偏壓供應端點，並組成一第二電流鏡電路，用以根據該第一偏壓於該第二偏壓供應端點產生一第二偏壓，並且根據該第二偏壓產生一第二鏡射電流做為該放大器電路之該區域電流。
15. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測器，其中該壓降控制電路包括：複數隔絕電晶體，各隔絕電晶體分別包括一第一極耦接至該全域偏壓電路與該等列放大器之其中一者、一第二極耦接至該電源線，以及一控制極耦接至一參考電壓。
16. 如申請專利範圍第10項所述之影像感測器，其中該壓降控制電路包括：複數隔絕電晶體，各隔絕電晶體分別包括一第一極耦接至該全域偏壓電路與該等列放大器之多於一者、一第二極耦接至該電源線，以及一控制極耦接至一參考電壓。