TW201520181A - 玻璃 - Google Patents
玻璃 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201520181A TW201520181A TW103123482A TW103123482A TW201520181A TW 201520181 A TW201520181 A TW 201520181A TW 103123482 A TW103123482 A TW 103123482A TW 103123482 A TW103123482 A TW 103123482A TW 201520181 A TW201520181 A TW 201520181A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- glass
- sio
- cao
- temperature
- mgo
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052656 albite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 10
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 9
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N dialuminum;calcium;disilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000006066 glass batch Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003339 best practice Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0009—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
本發明的玻璃之特徵係作為玻璃組成,含有SiO2、Al2O3、B2O3及RO(RO為MgO、CaO、SrO、BaO中的1種類或2種類以上),且在自液相線溫度至(自液相線溫度-50℃)之溫度範圍,析出之結晶為SiO2-Al2O3-RO系結晶、SiO2系結晶、SiO2-Al2O3系結晶中的2種類以上。
Description
本發明係關於玻璃,具體上係關於適合於有機EL(OLED)顯示器、液晶顯示器之基板的玻璃。進而,關於適合於氧化物TFT、低溫p-Si.TFT(LTPS)驅動態顯示器之基板的玻璃。
從以往作為液晶顯示器等的平板顯示器、硬碟、過濾器、感測器等的基板,玻璃廣被使用。在近年,除以往的液晶顯示器,OLED顯示器因自發光、高的色再現性、高視野角、高速反應、高精細等的理由,積極被開發且一部份已實用化。又,智慧型手機等的行動機器之液晶顯示器、OLED顯示器要求小面積且顯示眾多情報,故需要超高精細的畫面。進而因進行動畫顯示,亦需要高速反應。
在如此用途,以OLED顯示器、或者以LTPS驅動之液晶顯示器為宜。OLED顯示器因電流於構成像素的OLED元件流動而發光。因此,作為驅動TFT元件,使用低電阻、高電子移動度的材料。該材料除上述LTPS
以外,以IGZO(銦、鎵、鋅氧化物)為代表的氧化物TFT受到注目。氧化物TFT為低電阻、高移動度且可在較低溫形成。以往的p-Si.TFT、尤其LTPS,因將非結晶Si(a-Si)之膜多結晶化時使用的準分子雷射之不安定性,而於大面積的玻璃板形成元件時TFT特性易偏差,在TV用途等,易產生畫面之顯示不均。另一方面,氧化物TFT在大面積的玻璃板形成元件之場合,TFT特性之均質性優,故作為有力TFT形成材料受到注目,且在一部份已實用化。
高精細的顯示器之基板使用的玻璃要求許多特性。尤其,要求以下的(1)~(5)的特性。
(1)玻璃中的鹼成分多則熱處理中鹼離子擴散至成膜的半導體物質中,導致膜的特性劣化。因此,鹼成分(尤其,Li成分、Na成分)之含量低、或者實質上不含有。
(2)在光微影技術蝕刻步驟,使用種種的酸、鹼等的藥液。因此,耐藥品性優。
(3)在成膜、退火等的步驟,玻璃板在數百℃之溫度熱處理。熱處理時,玻璃板熱收縮則變得易產生圖型偏差等。因此,熱收縮難、尤其係應變點高。
(4)熱膨脹係數接近玻璃板上成膜的構件(例如
a-Si、p-Si)。例如熱膨脹係數為30~40×10-7/℃。又,熱膨脹係數為40×10-7/℃以下則耐熱衝撃性亦提升。
(5)為了抑制起因於玻璃板之撓曲的不宜情形,楊氏模量(或比楊氏模量)為高。
進而,由製造玻璃板的觀點來看,玻璃要求以下的(6)、(7)的特性。
(6)為了防止泡、不溶物、脈理等的熔融缺陷,熔融性優。
(7)為了防止玻璃板中的異物產生,耐去玻化性優。
符合上述要求特性(1)~(7)之玻璃系,含
有SiO2、Al2O3、B2O3及RO(RO為MgO、CaO、SrO、BaO中的1種類或2種類以上)之玻璃有希望。但該玻璃以溢流下拉法等成形的場合,有成形溫度易變高、成形時玻璃中易產生去玻化異物之問題。尤其,為了使該玻璃之應變點與楊氏模量提高,使Al2O3與MgO之含量增加同時降低B2O3之含量的必要性變高,但此時上述問題變得易明顯化。
本發明為有鑑於上述情況而成者,其技術的
課題在於提供適合於以LTPS、氧化物TFT元件驅動之OLED顯示器、液晶顯示器的玻璃,具體上即使應變點與楊氏模量高的場合亦提供耐去玻化性高的玻璃。
本發明者等經重複種種的實驗之結果,著眼
於SiO2-Al2O3-B2O3-RO(RO為MgO、CaO、SrO、BaO中的1種類或2種類以上)系玻璃,發現將SiO2、Al2O3、B2O3及RO之含量適當化,則應變點、楊氏模量等提升,同時發現作為初相析出SiO2-Al2O3-RO系結晶、SiO2系結晶、SiO2-Al2O3系結晶中2種類以上的結晶的場合,玻璃安定化、耐去玻化性顯著提升。亦即,本發明的玻璃之特徵係作為玻璃組成,含有SiO2、Al2O3、B2O3及RO,且在自液相線溫度至(自液相線溫度-50℃)之溫度範圍,析出之結晶為SiO2-Al2O3-RO系結晶、SiO2系結晶、SiO2-Al2O3系結晶中的2種類以上。在此,「液相線溫度」為通過標準篩30網目(500μm),將殘餘在50網目(300μm)的玻璃粉末置入鉑皿,於溫度梯度爐中維持24小時後,取出鉑皿,以顯微鏡觀察,為玻璃內部確認到去玻化(結晶異物)的最高溫度。「~系結晶」係指以明示成分所構成之結晶。
本發明的玻璃以SiO2-Al2O3-RO系結晶為
SiO2-Al2O3-CaO系結晶為佳。
本發明的玻璃以SiO2-Al2O3-RO系結晶為鈣長
石、SiO2系結晶為方石英、SiO2-Al2O3系結晶為莫來石為佳。
本發明的玻璃以液相線溫度比1250℃低為
佳。
本發明的玻璃以玻璃組成中的
Li2O+Na2O+K2O之含量為0.5質量%以下為佳。如此則變得易防止熱處理中鹼離子擴散至成膜的半導體物質中,膜的特性劣化之事態。在此,「Li2O+Na2O+K2O」為Li2O、Na2O及K2O之合計量。
本發明的玻璃,作為玻璃組成,以質量%計,
以含有SiO2 57~70%、Al2O3 16~25%、B2O3 1~8%、MgO 0~5%、CaO 2~13%、SrO 0~6%、BaO 0~7%、ZnO 0~5%、ZrO2 0~5%、TiO2 0~5%、P2O5 0~5%,莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3為0.8~1.3,莫耳比CaO/Al2O3為0.3~1.0為佳。在此,「MgO+CaO+SrO+BaO」係指MgO、CaO、SrO及BaO之合計量。
本發明的玻璃,作為玻璃組成,以質量%計,
以含有SiO2 58~70%、Al2O3 16~25%、B2O3 2~7%、MgO 0~5%、CaO 3~13%、SrO 0~6%、BaO 0~6%、ZnO 0~5%、ZrO2 0~5%、TiO2 0~5%、P2O5 0~5%、SnO2 0~5%,莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3為0.8~1.3,莫耳比CaO/Al2O3為0.3~1.0,且實質上不含Li2O、Na2O為佳。在此,「實質上不含」係指明示的成分之含量為0.1%以下(較佳為0.05%以下)之場合,例如「實質上不含Li2O」係指Li2O之含量為0.1%以下(較佳為0.05%以下)之場合。
本發明的玻璃,莫耳比CaO/MgO以2~20為
佳。
本發明的玻璃以應變點為700℃以上為佳。在此,「應變點」為基於ASTM C336之方法,測定的值。
本發明的玻璃以楊氏模量為75GPa以上為佳。「楊氏模量」為基於JIS R1602之動態彈性率測定法(共振法)所測定的值。
本發明的玻璃以比楊氏模量為30GPa/(g/cm3)以上為佳。在此,「比楊氏模量」為楊氏模量除以密度之值。
本發明的玻璃為平板形狀,且以用於液晶顯示器為佳。
本發明的玻璃為平板形狀,且以用於OLED顯示器為佳。
本發明的玻璃為平板形狀,且以用於氧化物TFT驅動態顯示器為佳。
本發明的玻璃,具有在自液相線溫度至(自液相線溫度-50℃)之溫度範圍,析出之結晶為SiO2-Al2O3-RO系結晶、SiO2系結晶、SiO2-Al2O3系結晶之中2種類以上的結晶之性質,較佳為具有析出3種類之結晶的性質。又,析出2種類之結晶的場合,以析出SiO2-Al2O3-RO系結晶與SiO2系結晶為佳。複數的結晶相與液體成為平衡狀態之領域附近,玻璃安定化,液相線溫度大幅降低。進而,在液相線溫度附近,若為上述結晶複
數析出的玻璃,可易於得到符合上述要求特性(1)~(7)之玻璃。
作為SiO2-Al2O3-RO系結晶,以
SiO2-Al2O3-CaO系結晶為佳、尤以鈣長石為佳。作為SiO2系結晶以方石英為佳。作為SiO2-Al2O3系結晶以莫來石為佳。在液相線溫度附近,若為上述結晶複數析出的玻璃,則變得更易得到符合上述要求特性(1)~(7)、尤其(7)之玻璃。
本發明的玻璃,作為玻璃組成,以質量%計,
以含有SiO2 57~70%、Al2O3 16~25%、B2O3 1~8%、MgO 0~5%、CaO 2~13%、SrO 0~6%、BaO 0~7%、ZnO 0~5%、ZrO2 0~5%、TiO2 0~5%、P2O5 0~5%,莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3為0.8~1.3,莫耳比CaO/Al2O3為0.3~1.0為佳。上述般限定各成分之含量的理由說明如下。又,各成分的說明中,下述%在未特別限定下表示質量%。
SiO2之含量過低則耐藥品性、尤其耐酸性降
低,同時應變點降低,且難以低密度化。另一方面,SiO2之含量過高則高溫黏度變高、變得易降低熔融性,且SiO2系結晶、尤其方石英析出,液相線黏度變得易降低。SiO2之較佳上限含量為70%、68%、66%或65%,尤其64%,較佳下限含量為57%、58%、59%或60%,尤其61%。最佳含有範圍為61~64%。
Al2O3之含量過低則應變點降低、熱收縮值變
大,同時楊氏模量降低、玻璃板變得易撓曲。另一方面,Al2O3之含量過高則耐BHF(緩衝氫氟酸)性降低、玻璃表面變得易產生白濁,同時耐龜裂抵抗性變得易降低。進而玻璃中析出SiO2-Al2O3系結晶、尤其莫來石,液相線黏度變得易降低。Al2O3之較佳上限含量為25%、23%、22%或21%,尤其20%,較佳下限含量為16%、17%或17.5%,尤其18%。最佳含有範圍為18~20%。
B2O3為用作為熔劑且降低黏性使熔融性改善
之成分。B2O3之含量較佳為1~8%、2~8%、3~7.5%、3~7%或4~7%、尤佳為5~7%。B2O3之含量過低則無法充分作用作為熔劑,耐BHF性或耐龜裂性變得易降低。又液相線溫度變得易上升。另一方面,B2O3之含量過高則應變點、耐熱性、耐酸性變得易降低。尤其,B2O3之含量為7%以上則該傾向變得顯著。又,B2O3之含量過高則楊氏模量降低、玻璃板之撓曲量易變大。
考量應變點與熔融性之平衡,質量比
Al2O3/B2O3較佳為1~5、1.5~4.5或2~4、尤佳為2.5~3.5。
MgO為不降低應變點而降低高溫黏性,改善
熔融性之成分。又,MgO在RO中具有最降低密度之效果,但導入過量則SiO2系結晶、尤其方石英析出,液相線黏度變得易降低。進而,MgO為易與BHF或氟酸反應形成生成物之成分。該反應生成物有固著於玻璃板表面之元件上、附著於玻璃板而使元件或玻璃板白濁之虞。因
此,MgO之含量較佳為0~5%、更佳為0.01~4%、再佳為0.03~3%、最佳為0.05~2.5%。
CaO與MgO同樣地,為不降低應變點而降低
高溫黏性,使熔融性顯著改善之成分。CaO之含量過高則SiO2-Al2O3-RO系結晶、尤其鈣長石析出,液相線黏度變得易降低,同時耐BHF性降低,而有反應生成物固著於玻璃板表面之元件上、附著於玻璃板而使元件或玻璃板白濁之虞。CaO之較佳上限含量為12%、11%或10.5%、尤其10%,較佳下限含量為2%、3%或3.5%、尤其4%。最佳含有範圍為4~10%。
藉由調整莫耳比CaO/Al2O3於特定範圍,液相線溫度附近的溫度中,2種類以上的結晶變得易析出。莫耳比CaO/Al2O3變小,則SiO2-Al2O3系結晶變得易析出。另一方面,莫耳比CaO/Al2O3變大,則SiO2-Al2O3-CaO系結晶變得易析出。莫耳比CaO/Al2O3之較佳上限值為1.0、0.9、0.85、0.8、0.78或0.76、尤其0.75,較佳下限值為0.3、0.4、0.5、0.55、0.58、0.60、0.62或0.64、尤其0.65。
藉由使莫耳比CaO/MgO調整至特定範圍,則液相線溫度附近的溫度中,2種類以上的結晶變得易析出。莫耳比CaO/MgO變小,則SiO2系結晶變得易析出。另一方面,莫耳比CaO/MgO為變大,則SiO2-Al2O3-CaO系結晶變得易析出。莫耳比CaO/MgO之較佳上限值為20、17、14、12、10或8、尤其6,較佳下限值為2、
2.5、2.8、3.1、3.3、3.5或3.8、尤其4。
SrO為使耐藥品性、耐去玻化性提高的成分,
但在RO全體中,其比例過高則變得易降低熔融性,同時密度、熱膨脹係數變得易上升。因此,SrO之含量較佳為0~6%或0~5%、尤佳為0~4.5%。
BaO為提高耐藥品性、耐去玻化性之成分,但
其含量過高則密度變得易上升。又,BaO在RO中缺乏提高熔融性之效果。玻璃組成中含有SiO2、Al2O3、B2O3及RO之玻璃一般難熔融,故由價廉、且大量供給高品質的玻璃板觀點來看,使熔融性提高,降低因泡、異物等造成的不良率變得非常重要。因此,BaO之含量較佳為0~7%、0~6%或0.1~5%、尤佳為0.5~4%。又,在玻璃組成中含有SiO2、Al2O3、B2O3及RO之玻璃,降低SiO2之含量則熔融性有效地提升,但降低SiO2之含量則耐酸性變得易降低,同時密度、熱膨脹係數變得易上升。
MgO、SrO、BaO與CaO相比,有提高耐龜裂
性的性質。因此,MgO+SrO+BaO之含量(MgO、SrO及BaO之合計量)較佳為2%以上或3%以上、尤佳為超過3%。但MgO+SrO+BaO之含量過高則密度、熱膨脹係數變得易上升。因此,MgO+SrO+BaO之含量較佳為9%以下或8%以下。
RO之內、混合2種類以上導入則液相線溫度
大幅降低,玻璃中結晶異物變得難以生成,熔融性、成形性改善。但MgO+CaO+SrO+BaO之含量過高則密度上
昇,變得難以得到玻璃板之輕量化。因此,MgO+CaO+SrO+BaO之含量較佳為未達15%或未達14%、尤佳為未達13%。
莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3調整至
特定範圍,則在液相線溫度附近,2種類以上的結晶變得易析出。莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3變小,則SiO2-Al2O3系結晶變得易析出。另一方面,莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3變大,則SiO2-Al2O3-RO系結晶、SiO2系結晶變得易析出。莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3之較佳上限值為1.3、1.25、1.2、1.15或1.10、尤其1.08,較佳下限值為0.8、0.85、0.88、0.91、0.93、0.95或0.96、尤其0.97。
為使RO的混合比最適化,質量比
CaO/(MgO+SrO+BaO)較佳為0.7以上、0.8以上或0.9以上、尤佳為1以上,質量比CaO/MgO較佳為2以上、3以上或4以上、尤佳為5以上。
ZnO為改善熔融性、耐BHF性之成分,但其
含量過高則玻璃變得易去玻化、應變點降低,而變得難確保耐熱性。因此,ZnO之含量較佳為0~5%、尤佳為0~1%。
ZrO2為使化學耐久性提高之成分,但其導入
量變多則ZrSiO4之去玻化不溶物變得易產生。ZrO2之較佳下限含量為1%、0.5%、0.3%或0.2%、尤其0.1%,由化學耐久性之觀點以導入0.005%以上為佳。最佳含有範
圍為0.005~0.1%。又,ZrO2可由原料導入或藉由耐火物之溶出而導入。
TiO2有降低高溫黏性使熔融性提高,且提高化
學耐久性之效果,但導入量過量則紫外線透過率變得易降低。TiO2之含量較佳為3%以下、1%以下、0.5%以下、0.1%以下或0.05%以下、尤佳為0.03%以下。又,TiO2導入極少量(例如0.001%以上),則可得到抑制紫外線造成的著色之效果。
P2O5為提高應變點的成分,同時抑制
SiO2-Al2O3-RO系結晶、尤其鈣長石的析出,使2種類以上的結晶析出的有效成分。但含多量P2O5則玻璃變得易分相。P2O5之含量較佳為0~5%、0~3%、0~2%或0~1%、尤佳為0~0.5%。
作為清澄劑,可使用As2O3、Sb2O3、SnO2、
SO3、Fe2O3、CeO2、F2、Cl2、C、或者Al、Si等的金屬粉末等。此等之含量以合計量計以3%以下為佳。
As2O3、Sb2O3因係環境負荷化學物質,以盡可
能不使用為佳。As2O3、Sb2O3之含量為各自未達0.3%、未達0.1%、未達0.09%、未達0.05%、未達0.03%、未達0.01%或未達0.005%為佳、尤其未達0.003%為佳。
SnO2具有作為降低玻璃中的泡之清澄劑的作
用,同時與Fe2O3或FeO共存時,具有維持較高紫外線透過率之效果。另一方面,SnO2之含量過高則玻璃中SnO2之去玻化不溶物變得易產生。SnO2之較佳上限含量為
0.5%或0.4%、尤其0.3%,較佳下限含量為0.01%或0.05%、尤其0.1%。又,以Fe2O3換算,相對Fe2O3或FeO之含量為0.01~0.05%,導入SnO20.01~0.5%,則可使泡品質與紫外線透過率提高。在此,「Fe2O3換算」非依據價數而係將全Fe量換算為Fe2O3量之值。
鐵為作為雜質由原料混入之成分,但鐵之含
量過高則有紫外線透過率降低之虞。紫外線透過率降低則有在製作TFT的光微影技術步驟或紫外線造成的液晶的配向步驟產生不宜情形之虞。因此,鐵之較佳上限含量換算為Fe2O3,為0.001%,較佳下限含量換算為Fe2O3為0.05%、0.04%或0.03%、尤其0.02%。最佳含有範圍為0.001%~0.02%。
Cr2O3為作為雜質從原料混入之成分,但
Cr2O3之含量過高則自玻璃板端面入射光,以散射光進行玻璃板內部的異物檢查的場合,有變得難以產生光透過、異物檢查產生不宜情形之虞。尤其,在基板尺寸為730mm×920mm以上的場合,該不宜情形變得易產生。
又,玻璃板之板厚小(例如0.5mm以下、0.4mm以下或0.3mm以下)則來自玻璃板端面入射之光變少,故限制Cr2O3之含量意義變大。Cr2O3之較佳上限含量為0.001%、0.0008%、0.0006%或0.0005%、尤其0.0003%,較佳下限含量為0.00001%。最佳含有範圍為0.00001~0.0003%。
含SnO2 0.01~0.5%之場合,Rh2O3之含量過高
則玻璃變得易著色。又,Rh2O3有從鉑的製造容器混入之可能性。Rh2O3之含量較佳為0~0.0005%、更佳為0.00001~0.0001%。
SO3為作為雜質從原料混入之成分,但SO3之
含量過高則有熔融或成形中產生稱作再生泡之泡而玻璃中產生缺陷之虞。SO3之較佳上限含量為0.005%、0.003%或0.002%、尤其0.001%,較佳下限含量為0.0001%。最佳含有範圍為0.0001%~0.001%。
鹼成分、尤其Li2O、Na2O因使玻璃板上形成
的各種膜或半導體元件的特性劣化,故以其含量降低至0.5%為佳、實質上不含有更佳。
上述成分以外亦可導入其他成分。其導入量
較佳為5%以下或3%以下、尤佳為1%以下。
近年、在OLED顯示器、液晶顯示器等的行
動用途之平板顯示器,輕量化的要求增高,玻璃板亦追求輕量化。為了符合該要求,以低密度化的玻璃板之輕量化為佳。密度較佳為2.52g/cm3以下、2.51g/cm3以下、2.50g/cm3以下或2.49g/cm3以下、尤佳為2.48/cm3以下。
另一方面,密度過低則變得易產生熔融溫度的上昇、液相線黏度的降低,玻璃板之生產性變得易降低。且應變點亦變得易降低。因此,密度較佳為2.43g/cm3以上或2.44g/cm3以上、尤佳為2.45g/cm3以上。
本發明的玻璃中,熱膨脹係數較佳為
30~40×10-7/℃、32~39×10-7/℃、或33~38×10-7/℃、尤佳
為34~37×10-7/℃。如此則變得易整合玻璃板上成膜之構件(例如a-Si、p-Si)之熱膨脹係數。在此,「熱膨脹係數」係指30~380℃之溫度範圍測定的平均熱膨脹係數,例如可以膨脹計測定。
在OLED顯示器或液晶顯示器等,有使用大
面積的玻璃板(例如730×920mm以上、1100×1250mm以上、或1500×1500mm以上),同時使用薄的玻璃板(例如板厚為0.5mm以下、0.4mm以下、或0.3mm以下)之傾向。玻璃板大面積化、薄化則因本身重量造成的撓曲成為大問題。為了降低玻璃板之撓曲,有使玻璃板之比楊氏模量提高之必要。比楊氏模量較佳為30GPa/g.cm-3以上、30.5GPa/g.cm-3以上、或31GPa/g.cm-3以上、尤佳為31.5GPa/g.cm-3以上。又,玻璃板大面積化、薄化,則在平板上之熱處理步驟、或者各種的金屬膜、氧化物膜、半導體膜、有機膜等的成膜步驟後,玻璃板之翹曲成為問題。為了使玻璃板之翹曲降低,以提高玻璃板之楊氏模量為有效。楊氏模量較佳為75GPa以上、尤佳為76GPa以上。
現在,在超高精細的行動顯示器使用的
LTPS,該步驟溫度為約400~600℃。為了抑制在該步驟溫度之熱收縮,應變點較佳為680℃以上或690℃以上、尤佳為700℃以上。
在最近,OLED顯示器亦可使用於行動或TV
等的用途。作為該用途之驅動TFT元件,上述LTPS以
外,氧化物TFT受到注目。一直以來,氧化物TFT在與a-Si同等的300~400℃之溫度製程製作,但瞭解在比以往高的熱處理溫度進行退火,則可得到更安定的元件特性。
該熱處理溫度為400~600℃左右,且即使在該用途仍要求低熱收縮的玻璃板。
本發明的玻璃中,從室溫(25℃)以5℃/分
鐘的速度升溫至500℃,在500℃維持1小時後,以5℃/分鐘的速度降溫至室溫時,熱收縮值較佳為30ppm以下、25ppm以下、23ppm以下、22ppm以下、21ppm以下、20ppm以下、19ppm以下、18ppm以下、17ppm以下或16ppm以下、尤佳為15ppm以下。如此則在LTPS的製造步驟即使受熱處理,像素距不均等的不宜情形變得難以產生。又,熱收縮值過小,則玻璃之生產性變得易降低。
因此,熱收縮值較佳為5ppm以上、尤佳為8ppm以上。
熱收縮值除提高應變點以外,降低成形時之
冷卻速度亦可降低。尤其,以玻璃之徐冷點為Ta(℃),以在從比Ta高100℃之溫度至比Ta低100℃之溫度間的溫度範圍中成形時之平均冷卻速度作為R(℃/分)時,成形時之冷卻以符合logR≦0.00018361Ta2-0.23414Ta+75.29的關係為佳、符合logR≦0.00011821Ta2-0.14847Ta+47.03的關係更佳、符合logR≦0.000054326Ta2-0.064985Ta+19.56的關係再佳。不符合上述關係式的場合,熱收縮值易變得過大。
在溢流下拉法,熔融玻璃流下楔形耐火物
(或者以鉑族金屬被覆的耐火物)之表面,在楔下端匯流
成形為板狀。在流涎下拉法,例如從具有狹縫狀的開口部的鉑族金屬製的管線流下緞帶狀的熔融玻璃,冷卻後成形為板狀。接觸成形裝置的熔融玻璃之溫度過高則導致成形裝置的老化,玻璃板之生產性變得易降低。因此,高溫黏度105.0dPa.s中溫度較佳為1300℃以下、1280℃以下、1270℃以下、1260℃以下、1250℃以下或1240℃以下、尤佳為1230℃以下。在此,「105.0dPa.s中溫度」可以例如鉑球拉提法測定。又,高溫黏度105.0dPa.s中溫度相當成形時之熔融玻璃之溫度。
玻璃組成中含SiO2、Al2O3、B2O3及RO之玻
璃,一般難熔融。因此,熔融性之提升成為課題。提高熔融性,則減少因泡、異物等造成的不良率,各可大量、且價廉供給高品質的玻璃板。另一方面,在高溫域的玻璃的黏度過高則在熔融步驟變得難以促進脫泡。因此,高溫黏度102.5dPa.s中溫度較佳為1650℃以下、1640℃以下、1630℃以下或1620℃以下、尤佳為1610℃以下。在此,「102.5dPa.s中溫度」可以例如鉑球拉提法測定。又,高溫黏度102.5dPa.s中溫度相當熔融溫度,該溫度愈低,熔融性愈優。
以下拉法等成形之場合,耐去玻化性變得重
要。若考量玻璃組成中含有SiO2、Al2O3、B2O3及RO的玻璃之成形溫度,液相線溫度較佳為未達1250℃、1230℃以下、1220℃以下、1210℃以下或1200℃以下、尤佳
為1190℃以下。又,液相線黏度較佳為105.0dPa.s以上、105.2dPa.s以上、105.3dPa.s以上、105.4dPa.s以上或105.5dPa.s以上、尤佳為105.6dPa.s以上。在此,「液相線黏度」係指液相線溫度中玻璃的黏度,例如可以鉑球拉提法測定。
於高精細的顯示器使用的玻璃板成膜透明導
電膜、絕緣膜、半導體膜、金屬膜等。進而,以光微影技術蝕刻步驟形成種種的電路、圖型。此等之成膜步驟、光微影技術蝕刻步驟中,玻璃板受到種種的藥液處理。例如在TFT型主動式矩陣液晶顯示器,於玻璃板上成膜絕緣膜或透明導電膜,進而非晶矽或多結晶矽之TFT(薄膜電晶體)藉由光微影技術蝕刻步驟於玻璃板上大量形成。在如此之步驟,受到硫酸、鹽酸、鹼溶液、氟酸、BHF等的種種的藥液處理。尤其,BHF雖在絕緣膜之蝕刻廣被使用,但BHF侵蝕玻璃板而易使玻璃板的表面白濁,且其反應生成物有阻塞製造步驟中的過濾器、附著於玻璃板上之虞。由上述情形,提高玻璃板之耐藥品性變得重要。
本發明的玻璃以溢流下拉法成形而成為佳。
溢流下拉法係指從楔形耐火物的兩側溢出熔融玻璃,邊使溢出的熔融玻璃在楔形下端匯流,邊於下方延伸成形而成形玻璃板之方法。在溢流下拉法,成為玻璃板的表面之面不接觸耐火物,以自由表面之狀態成形。因此,可價廉製造未研磨且表面品質良好的玻璃板,大面積化或薄化亦容易。又,溢流下拉法使用的耐火物的材質為可實現所期望
之尺寸或表面精度者,則不特別限定。又,向下方進行延伸成形時,施加力之方法亦不特別限定。例如可採用在具有足夠大的寬度之耐熱性輥接觸玻璃的狀態進行旋轉後延伸之方法或採用複數對耐熱性輥僅接觸玻璃之端面附近而延伸之方法。
除溢流下拉法以外,例如亦可以下拉法(流孔下引法、Re-Draw法等)、浮製法等使玻璃板成形。
本發明的玻璃中,厚度(板厚),雖不特別限定,但較佳為0.5mm以下、0.4mm以下或0.35mm以下、尤佳為0.3mm以下。板厚愈小,使裝置輕量化變得容易。另一方面,板厚愈小,玻璃板愈變得易撓曲,但本發明的玻璃因楊氏模量或比楊氏模量高,難產生撓曲造成的不宜情形。又,板厚可以玻璃製造時之流量或板拉取速度等調整。
本發明的玻璃中,使β-OH值降低,則可提高應變點。β-OH值較佳為0.5/mm以下、0.45/mm以下或0.4/mm以下、尤佳為0.35/mm以下。β-OH值過大,則應變點變得易降低。又,β-OH值過小,則變得易降低熔融性。因此,β-OH值較佳為0.01/mm以上、尤佳為0.05/mm以上。
使β-OH值降低的方法,可舉例如以下的方法。(1)選擇含水量低的原料。(2)玻璃中添加使β-OH值降低的成分(Cl、SO3等)。(3)使爐內環境中的水分量降低。(4)在熔融玻璃中進行N2通氣。(5)採
用小型熔融爐。(6)使熔融玻璃之流量增多。(7)採用電氣熔融法。
在此,「β-OH值」係指使用FT-IR,測定玻璃之透過率,以下述式求出的值。
β-OH值=(1/X)log(T1/T2)
X:玻璃厚(mm)
T1:參考波長3846cm-1中之透過率(%)
T2:羥基吸收波長3600cm-1附近中最小之透過率(%)
本發明的玻璃宜用於OLED顯示器之基板。OLED一般為市售,但強烈期望因大量生產而使花費降低。本發明的玻璃因生產性優異、且大面積化或薄化容易,的確可符合如此要求。
以下基於實施例詳細說明本發明。又,以下的實施例僅為例示。本發明不限於以下的實施例。
表1~3為本發明的實施例(試料No.1~30)。
如下製作各試料。首先如表中的玻璃組成,
將調和玻璃原料的玻璃配合料置入鉑坩堝,在1600℃進行24小時熔融。玻璃配合料溶解時,使用鉑攪拌器進行攪拌,進行均質化。接著,使熔融玻璃流出至碳板上,成形為板狀。對得到的各試料,評估密度、熱膨脹係數、楊氏模量、比楊氏模量、應變點、軟化點、高溫黏度102.5dPa.s中溫度、高溫黏度105.0dPa.s中溫度、液相線溫度、初相、液相線黏度logηTL、耐藥品性。
密度為以習知的阿基米德法測定的值。
熱膨脹係數為30~380℃之溫度範圍中,以膨
脹計測定的平均熱膨脹係數。
楊氏模量為基於JIS R1602之動態彈性率測定
法(共振法)測定的值,比楊氏模量將楊氏模量除以密度的值。
應變點、軟化點為基於ASTM C336之方法,
纖維伸長法測定的值。
高溫黏度102.5dPa.s、105.0dPa.s中溫度為以
鉑球拉提法測定的值。
接著,將各試料粉碎,使通過標準篩30網目(500μm)殘留於50網目(300μm)之玻璃粉末置入鉑皿,於溫度梯度爐中維持24小時後,取出鉑皿,以顯微鏡觀察,以玻璃內部確認到去玻化(結晶異物)的最高溫度作為液相線溫度。而,以自液相線溫度至(自液相線溫度-50℃)之溫度範圍析出的結晶作為初相進行評估。表中「Ano」係指鈣長石,「Cri」係指方石英,「Mul」係指莫來石。進而,將液相線溫度中玻璃的黏度以鉑球拉提法測定,將其作為液相線黏度。
又,將各試料之兩面進行光學研磨,並在設定為特定的濃度的藥液中,以特定的溫度浸漬特定的時間後,藉由觀察得到的試料的表面,評估耐藥品性。具體上藥液處理後,玻璃表面有嚴重白濁、有龜裂者評估為「×」,稍有白濁、未見龜裂者評估為「△」,全無變化者評估為「○」。藥液處理之條件,耐酸性為使用10質量
%鹽酸,在80℃、3小時處理進行評估,耐BHF性為使用周知之130BHF溶液,在20℃、30分鐘處理進行評估。
試料No.1~30,密度為2.45~2.48g/cm3且可達
到玻璃板之輕量化。又熱膨脹係數為33~37×10-7/℃、應變點為702℃以上,可使熱收縮值降低。又楊氏模量為75GPa以上、比楊氏模量為30.3GPa/(g/cm3)以上,難產生撓曲或變形。且因高溫黏度102.5dPa.s中溫度為1678℃以下、高溫黏度105.0dPa.s中溫度為1250℃以下、且液相線溫度為1230℃以下、液相線黏度為104.8dPa.s以上,熔融性或成形性優異,適合大量生產。耐藥品性亦更優。
關於表中的試料No.12,20、23、24之材質,以溢流下拉法成形0.5mm厚的玻璃板後,切為30mm×160mm的尺寸。又,以玻璃之徐冷點為Ta(℃),以比Ta高100℃之溫度至比Ta低100℃的溫度間的溫度範圍中成形時之平均冷卻速度為R(℃/分)時,調整成形時之冷卻條件符合logR≦0.00011821Ta2-0.14847Ta+47.03的關係。接著,關於得到的玻璃板,測定從室溫(25℃)以5℃/分鐘的速度升溫至500℃,在500℃維持1小時後,以5℃/分鐘的速度降溫至室溫時的熱收縮值,為15~20ppm。
本發明的玻璃即使應變點與楊氏模量高的場合,亦能使耐去玻化性顯著提高。因此,本發明的玻璃適用於OLED顯示器、液晶顯示器等的顯示器之基板,且適用於以LTPS、氧化物TFT驅動態顯示器之基板。
Claims (14)
- 一種玻璃,其特徵係作為玻璃組成,含有SiO2、Al2O3、B2O3及RO(RO為MgO、CaO、SrO、BaO中的1種類或2種類以上),且在自液相線溫度(液相線溫度-50℃)之溫度範圍,析出之結晶為SiO2-Al2O3-RO系結晶、SiO2系結晶、SiO2-Al2O3系結晶中的2種類以上。
- 如請求項1記載之玻璃,其中,SiO2-Al2O3-RO系結晶為SiO2-Al2O3-CaO系結晶。
- 如請求項1記載之玻璃,其中,SiO2-Al2O3-RO系結晶為鈣長石,SiO2系結晶為方石英,SiO2-Al2O3系結晶為莫來石。
- 如請求項1~3中任1項記載之玻璃,其中,液相線溫度比1250℃低。
- 如請求項1~4中任1項記載之玻璃,其中,玻璃組成中的Li2O+Na2O+K2O之含有量為0.5質量%以下。
- 如請求項1~5中任1項記載之玻璃,其中,作為玻璃組成,以質量%計,含有SiO2 57~70%、Al2O3 16~25%、B2O3 1~8%、MgO 0~5%、CaO 2~13%、SrO 0~6%、BaO 0~7%、ZnO 0~5%、ZrO2 0~5%、TiO2 0~5%、P2O5 0~5%,莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3為0.8~1.3,莫耳比CaO/Al2O3為0.3~1.0。
- 如請求項1~6中任1項記載之玻璃,其中,作為玻璃組成,以質量%計,含有SiO2 58~70%、Al2O3 16~25%、B2O3 2~7%、MgO 0~5%、CaO 3~13%、SrO 0~6%、BaO 0~6%、ZnO 0~5%、ZrO2 0~5%、TiO2 0~5%、P2O5 0~5%、SnO2 0~5%,莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3為0.8~1.3,莫耳比CaO/Al2O3為0.3~1.0,且實質上不含Li2O、Na2O。
- 如請求項1~7中任1項記載之玻璃,其中,莫耳比CaO/MgO為2~20。
- 如請求項1~8中任1項記載之玻璃,其中,應變點為700℃以上。
- 如請求項1~9中任1項記載之玻璃,其中,楊氏模量為75GPa以上。
- 如請求項1~10中任1項記載之玻璃,其中,比楊氏模量為30GPa/(g/cm3)以上。
- 如請求項1~11中任1項記載之玻璃,其係平板形狀,且用於液晶顯示器。
- 如請求項1~11中任1項記載之玻璃,其係平板形狀,且用於OLED顯示器。
- 如請求項1~13中任1項記載之玻璃,其係平板形狀,且用於氧化物TFT驅動的顯示器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013145271 | 2013-07-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201520181A true TW201520181A (zh) | 2015-06-01 |
TWI622565B TWI622565B (zh) | 2018-05-01 |
Family
ID=52279919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103123482A TWI622565B (zh) | 2013-07-11 | 2014-07-08 | glass |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10173922B2 (zh) |
JP (1) | JP6365826B2 (zh) |
KR (3) | KR102646604B1 (zh) |
CN (3) | CN109942196A (zh) |
TW (1) | TWI622565B (zh) |
WO (1) | WO2015005235A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI698405B (zh) * | 2015-06-24 | 2020-07-11 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 導光板及玻璃板 |
TWI754048B (zh) * | 2017-04-27 | 2022-02-01 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 載體玻璃、玻璃樹脂積層體及載體玻璃的製造方法 |
TWI808954B (zh) * | 2016-12-28 | 2023-07-21 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 玻璃 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102133339B1 (ko) * | 2013-09-20 | 2020-07-13 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 무알칼리 유리 |
CN107108343B (zh) * | 2014-11-05 | 2020-10-02 | 康宁股份有限公司 | 具有非平面特征和不含碱金属的玻璃元件的玻璃制品 |
JP6742593B2 (ja) * | 2015-01-05 | 2020-08-19 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板の製造方法及び積層体の製造方法 |
JP6700201B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2020-05-27 | 日本板硝子株式会社 | レーザ加工用ガラス及びそれを用いた孔付きガラスの製造方法 |
JP7219538B2 (ja) * | 2015-04-03 | 2023-02-08 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
JP6645497B2 (ja) * | 2015-05-15 | 2020-02-14 | 日本電気硝子株式会社 | 強化ガラス板の製造方法、強化用ガラス板及び強化ガラス板 |
JP6801651B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2020-12-16 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
TWI714698B (zh) * | 2016-01-12 | 2021-01-01 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 玻璃 |
CN105731790B (zh) * | 2016-03-18 | 2018-12-25 | 芜湖东旭光电装备技术有限公司 | 一种无碱铝硅酸盐玻璃用组合物、无碱铝硅酸盐玻璃及其制备方法和应用 |
JPWO2018116953A1 (ja) * | 2016-12-20 | 2019-10-24 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス |
CN116854378A (zh) * | 2018-04-09 | 2023-10-10 | 日本板硝子株式会社 | 玻璃纤维及其制造方法 |
CN108483900A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-09-04 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种适用于浮法成型的低磷无碱玻璃配合料 |
CN108467197A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-08-31 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种适用于浮法成型的无碱玻璃配合料 |
JP7389400B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2023-11-30 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス板 |
JP7478340B2 (ja) * | 2018-10-17 | 2024-05-07 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス板 |
CN109485260B (zh) * | 2018-12-12 | 2022-02-22 | 张家界永兴玻璃有限公司 | 一种节能环保微晶玻璃 |
CN109650720B (zh) * | 2019-01-14 | 2021-09-03 | 宁波行殊新能源科技有限公司 | 移动终端玻璃背盖基片及其生产方法 |
JPWO2021060001A1 (zh) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | ||
CN111592220A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-08-28 | 广州鑫泓设备设计有限公司 | 一种艺术品防护玻璃及其制备工艺 |
CN112174521A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-05 | 中南大学 | 一种tft-lcd基板用无碱硼铝硅酸盐玻璃及其制备方法 |
CN115784616A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-03-14 | 常熟佳合显示科技有限公司 | 一种mas微晶玻璃及其制备方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5096857A (en) * | 1990-10-22 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Chemically stabilized cristobalite |
US6169047B1 (en) * | 1994-11-30 | 2001-01-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Alkali-free glass and flat panel display |
DE19680967B3 (de) * | 1995-09-28 | 2012-03-01 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Alkalifreies Glassubstrat |
DE19916296C1 (de) * | 1999-04-12 | 2001-01-18 | Schott Glas | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendung |
DE10000839C1 (de) * | 2000-01-12 | 2001-05-10 | Schott Glas | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen |
DE10000838B4 (de) * | 2000-01-12 | 2005-03-17 | Schott Ag | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen |
JP2002003240A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 液晶ディスプレイ用ガラス基板 |
DE10064804C2 (de) * | 2000-12-22 | 2003-03-20 | Schott Glas | Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und ihre Verwendung |
JP2002293571A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 照明用ガラス |
JP2003183051A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス物品及びその製造方法 |
JP2004182510A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Asahi Glass Co Ltd | ガラスフリット混合物、電子回路基板製造方法および電子回路基板 |
JP5808069B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2015-11-10 | 日本電気硝子株式会社 | 太陽電池用ガラス基板 |
JP5435394B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2014-03-05 | 日本電気硝子株式会社 | 強化ガラス基板及びその製造方法 |
DE102008056323B8 (de) * | 2007-11-21 | 2019-01-03 | Schott Ag | Verwendung von alkalifreien Aluminoborosilikatgläsern für Leuchtmittel mit außen- oder innenliegender Kontaktierung |
RU2010154445A (ru) * | 2008-05-30 | 2012-07-10 | Фостер Вилер Энергия Ой (Fi) | Способ и система для генерации энергии путем сжигания в чистом кислороде |
DE102008041238A1 (de) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Koenig & Bauer Aktiengesellschaft | Druckeinheit einer Druckmaschine |
JP5537144B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2014-07-02 | AvanStrate株式会社 | ガラス組成物とそれを用いたフラットパネルディスプレイ用ガラス基板 |
JP5751439B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2015-07-22 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス |
US8598056B2 (en) | 2010-10-06 | 2013-12-03 | Corning Incorporated | Alkali-free glass compositions having high thermal and chemical stability |
JP5874304B2 (ja) * | 2010-11-02 | 2016-03-02 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス |
JP5935304B2 (ja) | 2010-12-27 | 2016-06-15 | 日本電気硝子株式会社 | 結晶化ガラス |
JP5941067B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2016-06-29 | コーニング インコーポレイテッド | 熱安定性および化学安定性の高いガラス組成物 |
JP5831838B2 (ja) | 2011-03-08 | 2015-12-09 | 日本電気硝子株式会社 | 無アルカリガラス |
US8785336B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-07-22 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Alkali-free glass |
JP5480383B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-04-23 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
JP5935471B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2016-06-15 | 日本電気硝子株式会社 | 液晶レンズ |
TWI469945B (zh) * | 2011-07-01 | 2015-01-21 | Avanstrate Inc | 平面顯示器用玻璃基板及其製造方法 |
US9162919B2 (en) * | 2012-02-28 | 2015-10-20 | Corning Incorporated | High strain point aluminosilicate glasses |
JP6037117B2 (ja) * | 2012-12-14 | 2016-11-30 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス及びガラス基板 |
EP2935134B1 (en) * | 2012-12-21 | 2019-01-16 | Corning Incorporated | Glass with improved total pitch stability |
-
2014
- 2014-06-16 JP JP2014123310A patent/JP6365826B2/ja active Active
- 2014-07-04 CN CN201910095145.7A patent/CN109942196A/zh active Pending
- 2014-07-04 KR KR1020227003656A patent/KR102646604B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-04 KR KR1020157020091A patent/KR102265030B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-04 CN CN201480022055.0A patent/CN105121374A/zh active Pending
- 2014-07-04 US US14/901,248 patent/US10173922B2/en active Active
- 2014-07-04 KR KR1020217001728A patent/KR102359866B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-04 WO PCT/JP2014/067889 patent/WO2015005235A1/ja active Application Filing
- 2014-07-04 CN CN202110468927.8A patent/CN112939453A/zh active Pending
- 2014-07-08 TW TW103123482A patent/TWI622565B/zh active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI698405B (zh) * | 2015-06-24 | 2020-07-11 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 導光板及玻璃板 |
TWI808954B (zh) * | 2016-12-28 | 2023-07-21 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 玻璃 |
TWI838725B (zh) * | 2016-12-28 | 2024-04-11 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 玻璃 |
TWI754048B (zh) * | 2017-04-27 | 2022-02-01 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 載體玻璃、玻璃樹脂積層體及載體玻璃的製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210009447A (ko) | 2021-01-26 |
KR20160030067A (ko) | 2016-03-16 |
JP6365826B2 (ja) | 2018-08-01 |
CN109942196A (zh) | 2019-06-28 |
US10173922B2 (en) | 2019-01-08 |
CN105121374A (zh) | 2015-12-02 |
CN112939453A (zh) | 2021-06-11 |
KR102359866B1 (ko) | 2022-02-08 |
TWI622565B (zh) | 2018-05-01 |
KR102265030B1 (ko) | 2021-06-15 |
KR102646604B1 (ko) | 2024-03-13 |
US20160368815A1 (en) | 2016-12-22 |
KR20220021022A (ko) | 2022-02-21 |
WO2015005235A1 (ja) | 2015-01-15 |
JP2015034122A (ja) | 2015-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI622565B (zh) | glass | |
KR101639226B1 (ko) | 유리 및 유리 기판 | |
JP6801651B2 (ja) | ガラス | |
JP6532218B2 (ja) | ガラス | |
JP6770984B2 (ja) | ガラス及びガラス基板 | |
JP6323730B2 (ja) | ガラス及びガラス基板 | |
JP6955522B2 (ja) | ガラス及びガラス基板 | |
JP6709519B2 (ja) | ガラス及びガラス基板 | |
JP6354943B2 (ja) | ガラス | |
JP2018177556A (ja) | ガラス基板 | |
WO2020189337A1 (ja) | ガラス基板 | |
JP6172481B2 (ja) | ガラス基板及びその製造方法 | |
CN113727952A (zh) | 玻璃基板的制造方法 |