JP6365826B2 - ガラス - Google Patents

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Description

本発明は、ガラスに関し、具体的には、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、液晶ディスプレイの基板に好適なガラスに関する。更に、酸化物ＴＦＴ、低温ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴ（ＬＴＰＳ）駆動のディスプレイの基板に好適なガラスに関する。
従来から、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ、ハードディスク、フィルター、センサー等の基板として、ガラスが広く使用されている。近年では、従来の液晶ディスプレイに加えて、ＯＬＥＤディスプレイが、自発光、高い色再現性、高視野角、高速応答、高精細等の理由から、盛んに開発されると共に、一部では既に実用化されている。また、スマートフォン等のモバイル機器の液晶ディスプレイ、ＯＬＥＤディスプレイは、小面積でありながら、多くの情報を表示することが要求されるため、超高精細の画面が必要になる。更に動画表示を行うため、高速応答も必要になる。
このような用途では、ＯＬＥＤディスプレイ、或いはＬＴＰＳで駆動する液晶ディスプレイが好適である。ＯＬＥＤディスプレイは、画素を構成するＯＬＥＤ素子に電流が流れることで発光する。このため、駆動ＴＦＴ素子として、低抵抗、高電子移動度の材料が使用される。この材料として、上記のＬＴＰＳ以外に、ＩＧＺＯ（インジウム、ガリウム、亜鉛酸化物）に代表される酸化物ＴＦＴが注目されている。酸化物ＴＦＴは、低抵抗、高移動度であり、且つ比較的低温で形成が可能である。従来のｐ−Ｓｉ・ＴＦＴ、特にＬＴＰＳは、非結晶Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）の膜を多結晶化する際に用いるエキシマレーザの不安定性に起因して、大面積のガラス板に素子を形成する際にＴＦＴ特性がばらつき易く、ＴＶ用途等では、画面の表示ムラが生じ易かった。一方、酸化物ＴＦＴは、大面積のガラス板に素子を形成する場合に、ＴＦＴ特性の均質性に優れるため、有力なＴＦＴ形成材料として注目されており、一部では既に実用化されている。
高精細のディスプレイの基板に用いられるガラスには、多くの特性が要求される。特に、以下の（１）〜（５）の特性が要求される。
（１）ガラス中のアルカリ成分が多いと、熱処理中にアルカリイオンが成膜された半導体物質中に拡散し、膜の特性の劣化を招く。よって、アルカリ成分（特に、Ｌｉ成分、Ｎａ成分）の含有量が低いこと、或いは実質的に含有しないこと。
（２）フォトリソグラフィーエッチング工程では、種々の酸、アルカリ等の薬液が使用される。よって、耐薬品性に優れていること。
（３）成膜、アニール等の工程で、ガラス板は数１００℃に熱処理される。熱処理の際に、ガラス板が熱収縮すると、パターンズレ等が発生し易くなる。よって、熱収縮し難いこと、特に歪点が高いこと。
（４）熱膨張係数が、ガラス板上に成膜される部材（例えば、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ）に近いこと。例えば、熱膨張係数が３０〜４０×１０−７／℃であること。なお、熱膨張係数が４０×１０−７／℃以下であると、耐熱衝撃性も向上する。
（５）ガラス板の撓みに起因する不具合を抑制するために、ヤング率（又は比ヤング率）が高いこと。
更に、ガラス板を製造する観点から、ガラスには、以下の（６）、（７）の特性が要求される。
（６）泡、ブツ、脈理等の溶融欠陥を防止するために、溶融性に優れていること。
（７）ガラス板中の異物発生を避けるために、耐失透性に優れていること。
上記要求特性（１）〜（７）を満たすガラス系として、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯ（ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの内、１種類又は２種類以上）を含むガラスが有望である。しかし、このガラスは、オーバーフローダウンドロー法等で成形する場合、成形温度が高くなり易く、成形時にガラス中に失透異物が発生し易いという問題があった。特に、このガラスの歪点とヤング率を高めるためには、Ａｌ２Ｏ３とＭｇＯの含有量を増加させると共に、Ｂ２Ｏ３の含有量を低減する必要性が高くなるが、その場合、上記問題が顕在化し易くなる。
本発明は上記事情に鑑み成されたものであり、その技術的課題は、ＬＴＰＳ、酸化物ＴＦＴ素子で駆動するＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイに好適なガラスを創案することであり、具体的には、歪点とヤング率が高い場合でも、耐失透性が高いガラスを創案することである。
本発明者等は、種々の実験を繰り返した結果、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ（ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの内、１種類又は２種類以上）系ガラスに着目し、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯの含有量を適正化すれば、歪点、ヤング率等が向上することを見出すと共に、初相として、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上の結晶が析出する場合に、ガラスが安定化して、耐失透性が顕著に向上することを見出した。すなわち、本発明のガラスは、ガラス組成として、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯを含み、且つ液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲において、析出する結晶が、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上であることを特徴とする。ここで、「液相線温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、白金ボートを取り出し、顕微鏡観察により、ガラス内部に失透（結晶異物）が認められた最も高い温度とする。「〜系結晶」とは、明示の成分により構成される結晶を指す。
本発明のガラスは、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶が、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶であることが好ましい。
本発明のガラスは、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶がアノーサイト、ＳｉＯ２系結晶がクリストバライト、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶がムライトであることが好ましい。
本発明のガラスは、液相線温度が１２５０℃より低いことが好ましい。
本発明のガラスは、ガラス組成中のＬｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量が０．５質量％以下であることが好ましい。このようにすれば、熱処理中にアルカリイオンが成膜された半導体物質中に拡散し、膜の特性が劣化する事態を防止し易くなる。ここで、「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合量を指す。
本発明のガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２ ５７〜７０％、Ａｌ２Ｏ３ １６〜２５％、Ｂ２Ｏ３ １〜８％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ２〜１３％、ＳｒＯ ０〜６％、ＢａＯ ０〜７％、ＺｎＯ ０〜５％、ＺｒＯ２ ０〜５％、ＴｉＯ２ ０〜５％、Ｐ２Ｏ５ ０〜５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．８〜１．３、モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３が０．３〜１．０であることが好ましい。ここで、「ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ」とは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量を指す。
本発明のガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２ ５８〜７０％、Ａｌ２Ｏ３ １６〜２５％、Ｂ２Ｏ３ ２〜７％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ３〜１３％、ＳｒＯ ０〜６％、ＢａＯ ０〜６％、ＺｎＯ ０〜５％、ＺｒＯ２ ０〜５％、ＴｉＯ２ ０〜５％、Ｐ２Ｏ５ ０〜５％、ＳｎＯ２ ０〜５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．８〜１．３、モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３が０．３〜１．０であり、実質的にＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏを含有しないことが好ましい。ここで、「実質的に含有しない」とは、明示の成分の含有量が０．１％以下（好ましくは０．０５％以下）の場合を指し、例えば、「実質的にＬｉ２Ｏを含有しない」とは、Ｌｉ２Ｏの含有量が０．１％以下（好ましくは０．０５％以下）の場合を指す。
本発明のガラスは、モル比ＣａＯ／ＭｇＯが２〜２０であることが好ましい。
本発明のガラスは、歪点が７００℃以上であることが好ましい。ここで、「歪点」は、ＡＳＴＭ Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値を指す。
本発明のガラスは、ヤング率が７５ＧＰａ以上であることが好ましい。「ヤング率」は、ＪＩＳ Ｒ１６０２に基づく動的弾性率測定法（共振法）により測定した値を指す。
本発明のガラスは、比ヤング率が３０ＧＰａ／（ｇ／ｃｍ３）以上であることが好ましい。ここで、「比ヤング率」は、ヤング率を密度で割った値である。
本発明のガラスは、平板形状であり、液晶ディスプレイに用いることが好ましい。
本発明のガラスは、平板形状であり、ＯＬＥＤディスプレイに用いることが好ましい。
本発明のガラスは、平板形状であり、酸化物ＴＦＴ駆動のディスプレイに用いることが好ましい。
本発明のガラスは、液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲において、析出する結晶が、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上の結晶が析出する性質を有し、好ましくは３種類の結晶が析出する性質を有することが好ましい。また、２種類の結晶を析出させる場合、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶とＳｉＯ２系結晶を析出させることが好ましい。複数の結晶相が液体と平衡状態になる領域近傍では、ガラスが安定化して、液相線温度が大幅に低下する。更に、液相線温度付近で上記結晶が複数析出するガラスであれば、上記要求特性（１）〜（７）を満たすガラスを得易くなる。
ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶として、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶が好ましく、特にアノーサイトが好ましい。ＳｉＯ２系結晶として、クリストバライトが好ましい。ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶として、ムライトが好ましい。液相線温度付近で上記結晶が複数析出するガラスであれば、上記要求特性（１）〜（７）、特に（７）を満たすガラスを更に得易くなる。
本発明のガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２ ５７〜７０％、Ａｌ２Ｏ３ １６〜２５％、Ｂ２Ｏ３ １〜８％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ２〜１３％、ＳｒＯ ０〜６％、ＢａＯ ０〜７％、ＺｎＯ ０〜５％、ＺｒＯ２ ０〜５％、ＴｉＯ２ ０〜５％、Ｐ２Ｏ５ ０〜５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．８〜１．３、モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３が０．３〜１．０であることが好ましい。上記のように、各成分の含有量を規制した理由を以下に説明する。なお、各成分の説明において、下記の％表示は、特に断りがない限り、質量％を指す。
ＳｉＯ２の含有量が低過ぎると、耐薬品性、特に耐酸性が低下すると共に、歪点が低下し、また低密度化を図り難くなる。一方、ＳｉＯ２の含有量が高過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性が低下し易くなると共に、ＳｉＯ２系結晶、特にクリストバライトが析出して、液相線粘度が低下し易くなる。ＳｉＯ２の好ましい上限含有量は７０％、６８％、６６％、６５％、特に６４％であり、好ましい下限含有量は５７％、５８％、５９％、６０％、特に６１％である。最も好ましい含有範囲は６１〜６４％である。
Ａｌ２Ｏ３の含有量が低過ぎると、歪点が低下し、熱収縮値が大きくなると共に、ヤング率が低下して、ガラス板が撓み易くなる。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が高過ぎると、耐ＢＨＦ（バッファードフッ酸）性が低下し、ガラス表面に白濁が生じ易くなると共に、耐クラック抵抗性が低下し易くなる。更にガラス中にＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶、特にムライトが析出して、液相線粘度が低下し易くなる。Ａｌ２Ｏ３の好ましい上限含有量は２５％、２３％、２２％、２１％、特に２０％であり、好ましい下限含有量は１６％、１７％、１７．５％、特に１８％である。最も好ましい含有範囲は１８〜２０％である。
Ｂ２Ｏ３は、融剤として働き、粘性を下げて溶融性を改善する成分である。Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１〜８％、２〜８％、３〜７．５％、３〜７％、４〜７％、特に５〜７％である。Ｂ２Ｏ３の含有量が低過ぎると、融剤として十分に作用せず、耐ＢＨＦ性や耐クラック性が低下し易くなる。また液相線温度が上昇し易くなる。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が高過ぎると、歪点、耐熱性、耐酸性が低下し易くなる。特に、Ｂ２Ｏ３の含有量が７％以上になると、その傾向が顕著になる。また、Ｂ２Ｏ３の含有量が高過ぎると、ヤング率が低下して、ガラス板の撓み量が大きくなり易い。
歪点と溶融性のバランスを考慮すると、質量比Ａｌ２Ｏ３／Ｂ２Ｏ３は、好ましくは１〜５、１．５〜４．５、２〜４、特に２．５〜３．５である。
ＭｇＯは、歪点を下げずに高温粘性を下げて、溶融性を改善する成分である。また、ＭｇＯは、ＲＯ中では最も密度を下げる効果が有するが、過剰に導入すると、ＳｉＯ２系結晶、特にクリストバライトが析出して、液相線粘度が低下し易くなる。更に、ＭｇＯは、ＢＨＦ又はフッ酸と反応して生成物を形成し易い成分である。この反応生成物は、ガラス板表面の素子上に固着したり、ガラス板に付着したりして、素子やガラス板を白濁させるおそれがある。よって、ＭｇＯの含有量は、好ましくは０〜５％、より好ましくは０．０１〜４％、更に好ましくは０．０３〜３％、最も好ましくは０．０５〜２．５％である。
ＣａＯは、ＭｇＯと同様にして、歪点を下げずに高温粘性を下げて、溶融性を顕著に改善する成分である。ＣａＯの含有量が高過ぎると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、特にアノーサイトが析出して、液相線粘度が低下し易くなると共に、耐ＢＨＦ性が低下して、反応生成物がガラス板表面の素子上に固着したり、ガラス板に付着したりして、素子やガラス板を白濁させるおそれがある。ＣａＯの好ましい上限含有量は１２％、１１％、１０．５％、特に１０％であり、好ましい下限含有量は２％、３％、３．５％、特に４％である。最も好ましい含有範囲は４〜１０％である。
モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３を所定範囲に調整すると、液相線温度付近の温度において、２種類以上の結晶が析出し易くなる。モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３が小さくなると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶が析出し易くなる。一方、モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３が大きくなると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶が析出し易くなる。モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３の好ましい上限値は１．０、０．９、０．８５、０．８、０．７８、０．７６、特に０．７５であり、好ましい下限値は０．３、０．４、０．５、０．５５、０．５８、０．６０、０．６２、０．６４、特に０．６５である。
モル比ＣａＯ／ＭｇＯを所定範囲に調整すると、液相線温度付近の温度において、２種類以上の結晶が析出し易くなる。モル比ＣａＯ／ＭｇＯが小さくなると、ＳｉＯ２系結晶が析出し易くなる。一方、モル比ＣａＯ／ＭｇＯが大きくなると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶が析出し易くなる。モル比ＣａＯ／ＭｇＯの好ましい上限値は２０、１７、１４、１２、１０、８、特に６であり、好ましい下限値は２、２．５、２．８、３．１、３．３、３．５、３．８、特に４である。
ＳｒＯは、耐薬品性、耐失透性を高める成分であるが、ＲＯ全体の中で、その割合を高め過ぎると、溶融性が低下し易くなると共に、密度、熱膨張係数が上昇し易くなる。よって、ＳｒＯの含有量は、好ましくは０〜６％、０〜５％、特に０〜４．５％である。
ＢａＯは、耐薬品性、耐失透性を高める成分であるが、その含有量が高過ぎると、密度が上昇し易くなる。また、ＢａＯは、の中では、溶融性を高める効果が乏しい。ガラス組成中にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯを含むガラスは、一般的に溶融し難いため、高品質のガラス板を安価、且つ大量に供給する観点から、溶融性を高めて、泡、異物等による不良率を軽減することが非常に重要になる。よって、ＢａＯの含有量は、好ましくは０〜７％、０〜６％、０．１〜５％、特に０．５〜４％である。なお、ガラス組成中にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯを含むガラスでは、ＳｉＯ２の含有量を低減すると、溶融性が効果的に向上するが、ＳｉＯ２の含有量を低減すると、耐酸性が低下し易くなると共に、密度、熱膨張係数が上昇し易くなる。
ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは、ＣａＯに比べて、耐クラック性を高める性質がある。従って、ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量（ＭｇＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量）は、好ましくは２％以上、３％以上、特に３％超である。しかし、ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が高過ぎると、密度、熱膨張係数が上昇し易くなる。よって、ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量は、好ましくは９％以下、８％以下である。
ＲＯの内、２種類以上を混合して導入すると、液相線温度が大幅に低下し、ガラス中に結晶異物が生じ難くなり、溶融性、成形性が改善する。しかし、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が高過ぎると、密度が上昇して、ガラス板の軽量化を図り難くなる。よって、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量は、好ましくは１５％未満、１４％未満、特に１３％未満である。
モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３を所定範囲に調整すると、液相線温度付近で、２種類以上の結晶が析出し易くなる。モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が小さくなると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶が析出し易くなる。一方、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が大きくなると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶が析出し易くなる。モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３の好ましい上限値は１．３、１．２５、１．２、１．１５、１．１０、特に１．０８であり、好ましい下限値は０．８、０．８５、０．８８、０．９１、０．９３、０．９５、０．９６、特に０．９７である。
ＲＯの混合比を最適化するために、質量比ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）は、好ましくは０．７以上、０．８以上、０．９以上、特に１以上であり、質量比ＣａＯ／ＭｇＯは、好ましくは２以上、３以上、４以上、特に５以上である。
ＺｎＯは、溶融性、耐ＢＨＦ性を改善する成分であるが、その含有量が高過ぎると、ガラスが失透し易くなったり、歪点が低下したりして、耐熱性を確保し難くなる。よって、ＺｎＯの含有量は、好ましくは０〜５％、特に０〜１％である。
ＺｒＯ２は、化学的耐久性を高める成分であるが、その導入量が多くなると、ＺｒＳｉＯ４の失透ブツが発生し易くなる。ＺｒＯ２の好ましい下限含有量は１％、０．５％、０．３％、０．２％、特に０．１％であり、化学的耐久性の観点から０．００５％以上導入することが好ましい。最も好ましい含有範囲は０．００５〜０．１％である。なお、ＺｒＯ２は、原料から導入してもよいし、耐火物からの溶出により導入してもよい。
ＴｉＯ２は、高温粘性を下げて溶融性を高め、また化学的耐久性を高める効果があるが、導入量が過剰になると、紫外線透過率が低下し易くなる。ＴｉＯ２の含有量は、好ましくは３％以下、１％以下、０．５％以下、０．１％以下、０．０５％以下、特に０．０３％以下である。なお、ＴｉＯ２を極少量導入（例えば０．００１％以上）すると、紫外線による着色を抑制する効果が得られる。
Ｐ２Ｏ５は、歪点を高める成分であると共に、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、特にアノーサイトの析出を抑制して、２種類以上の結晶を析出させるために、有効な成分である。但し、Ｐ２Ｏ５を多量に含有させると、ガラスが分相し易くなる。Ｐ２Ｏ５の含有量は、好ましくは０〜５％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．５％である。
清澄剤として、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＳＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｃ、或いはＡｌ、Ｓｉ等の金属粉末等を用いることができる。これらの含有量は、合量で３％以下が好ましい。
Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３は、環境負荷化学物質であるため、できるだけ使用しないことが望ましい。Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３の含有量は、それぞれ０．３％未満、０．１％未満、０．０９％未満、０．０５％未満、０．０３％未満、０．０１％未満、０．００５％未満、特に０．００３％未満が好ましい。
ＳｎＯ２は、ガラス中の泡を低減する清澄剤としての働きを有すると共に、Ｆｅ２Ｏ３又はＦｅＯと共存する際に、紫外線透過率を比較的高く維持する効果を有する。一方、ＳｎＯ２の含有量が高過ぎると、ガラス中にＳｎＯ２の失透ブツが発生し易くなる。ＳｎＯ２の好ましい上限含有量は０．５％、０．４％、特に０．３％であり、好ましい下限含有量は０．０１％、０．０５％、特に０．１％である。また、Ｆｅ２Ｏ３換算でＦｅ２Ｏ３又はＦｅＯの含有量が０．０１〜０．０５％に対して、ＳｎＯ２を０．０１〜０．５％導入すれば、泡品位と紫外線透過率を高めることができる。ここで、「Ｆｅ２Ｏ３換算」は、価数によらず全Ｆｅ量をＦｅ２Ｏ３量に換算した値を指す。
鉄は、不純物として、原料から混入する成分であるが、鉄の含有量が高過ぎると、紫外線透過率が低下する恐れがある。紫外線透過率が低下すると、ＴＦＴを作製するフォトリソグラフィー工程や紫外線による液晶の配向工程で不具合が発生するおそれがある。よって、鉄の好ましい上限含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、０．００１％であり、好ましい下限含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、０．０５％、０．０４％、０．０３％、特に０．０２％である。最も好ましい含有範囲は０．００１％〜０．０２％である。
Ｃｒ２Ｏ３は、不純物として、原料から混入する成分であるが、Ｃｒ２Ｏ３の含有量が高過ぎると、ガラス板端面から光を入射し、散乱光によりガラス板内部の異物検査を行う場合に、光の透過が生じ難くなり、異物検査に不具合が生じるおそれがある。特に、基板サイズが７３０ｍｍ×９２０ｍｍ以上の場合に、この不具合が発生し易くなる。また、ガラス板の板厚が小さい（例えば０．５ｍｍ以下、０．４ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下）と、ガラス板端面から入射する光が少なくなるため、Ｃｒ２Ｏ３の含有量を規制する意義が大きくなる。Ｃｒ２Ｏ３の好ましい上限含有量は０．００１％、０．０００８％、０．０００６％、０．０００５％、特に０．０００３％であり、好ましい下限含有量は０．００００１％である。最も好ましい含有範囲は０．００００１〜０．０００３％である。
ＳｎＯ２を０．０１〜０．５％含む場合、Ｒｈ２Ｏ３の含有量が高過ぎると、ガラスが着色し易くなる。なお、Ｒｈ２Ｏ３は、白金の製造容器から混入する可能性がある。Ｒｈ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０〜０．０００５％、より好ましくは０．００００１〜０．０００１％である。
ＳＯ３は、不純物として、原料から混入する成分であるが、ＳＯ３の含有量が高過ぎると、溶融や成形中に、リボイルと呼ばれる泡を発生させて、ガラス中に欠陥を生じさせるおそれがある。ＳＯ３の好ましい上限含有量は０．００５％、０．００３％、０．００２％、特に０．００１％であり、好ましい下限含有量は０．０００１％である。最も好ましい含有範囲は０．０００１％〜０．００１％である。
アルカリ成分、特にＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏは、ガラス板上に形成される各種の膜や半導体素子の特性を劣化させるため、その含有量を０．５％まで低減することが好ましく、実質的に含有しないことが望ましい。
上記成分以外にも、他の成分を導入してもよい。その導入量は、好ましくは５％以下、３％以下、特に１％以下である。
近年、ＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ等のモバイル用途のフラットパネルディスプレイでは、軽量化の要求が高まっており、ガラス板にも軽量化が求められている。この要求を満たすためには、低密度化によるガラス板の軽量化が望ましい。密度は、好ましくは２．５２ｇ／ｃｍ３以下、２．５１ｇ／ｃｍ３以下、２．５０ｇ／ｃｍ３以下、２．４９ｇ／ｃｍ３以下、特に２．４８／ｃｍ３以下である。一方、密度が低過ぎると、溶融温度の上昇、液相線粘度の低下が生じ易くなり、ガラス板の生産性が低下し易くなる。また歪点も低下し易くなる。よって、密度は、好ましくは２．４３ｇ／ｃｍ３以上、２．４４ｇ／ｃｍ３以上、特に２．４５ｇ／ｃｍ３以上である。
本発明のガラスにおいて、熱膨張係数は、好ましくは３０〜４０×１０−７／℃、３２〜３９×１０−７／℃、３３〜３８×１０−７／℃、特に３４〜３７×１０−７／℃である。このようにすれば、ガラス板上に成膜される部材（例えば、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ）の熱膨張係数に整合し易くなる。ここで、「熱膨張係数」は、３０〜３８０℃の温度範囲で測定した平均熱膨張係数を指し、例えばディラトメーターで測定可能である。
ＯＬＥＤディスプレイ又は液晶ディスプレイ等では、大面積のガラス板（例えば、７３０×９２０ｍｍ以上、１１００×１２５０ｍｍ以上、特に１５００×１５００ｍｍ以上）が使用されると共に、薄肉のガラス板（例えば、板厚０．５ｍｍ以下、０．４ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下）が使用される傾向にある。ガラス板が大面積化、薄肉化すると、自重による撓みが大きな問題になる。ガラス板の撓みを低減するためには、ガラス板の比ヤング率を高める必要がある。比ヤング率は、好ましくは３０ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上、３０．５ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上、３１ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上、特に３１．５ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上である。また、ガラス板が大面積化、薄肉化すると、定盤上での熱処理工程、或いは各種の金属膜、酸化物膜、半導体膜、有機膜等の成膜工程後に、ガラス板の反りが問題になる。ガラス板の反りを低減するためには、ガラス板のヤング率を高めることが有効である。ヤング率は、好ましくは７５ＧＰａ以上、特に７６ＧＰａ以上である。
現在、超高精細のモバイルディスプレイに用いられるＬＴＰＳでは、その工程温度が約４００〜６００℃である。この工程温度での熱収縮を抑制するために、歪点は、好ましくは６８０℃以上、６９０℃以上、特に７００℃以上である。
最近では、ＯＬＥＤディスプレイが、モバイルやＴＶ等の用途でも使用される。この用途の駆動ＴＦＴ素子として、上記のＬＴＰＳ以外に、酸化物ＴＦＴが着目されている。従来まで、酸化物ＴＦＴは、ａ−Ｓｉと同等の３００〜４００℃の温度プロセスで作製されていたが、従来よりも高い熱処理温度でアニールを行うと、より安定した素子特性が得られることが分かってきた。その熱処理温度は、４００〜６００℃程度であり、この用途でも低熱収縮のガラス板が要求されるようになっている。
本発明のガラスにおいて、室温（２５℃）から５℃／分の速度で５００℃まで昇温し、５００℃で１時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温したとき、熱収縮値は、好ましくは３０ｐｐｍ以下、２５ｐｐｍ以下、２３ｐｐｍ以下、２２ｐｐｍ以下、２１ｐｐｍ以下、２０ｐｐｍ以下、１９ｐｐｍ以下、１８ｐｐｍ以下、１７ｐｐｍ以下、１６ｐｐｍ以下、特に１５ｐｐｍ以下である。このようにすれば、ＬＴＰＳの製造工程で熱処理を受けても、画素ピッチズレ等の不具合が生じ難くなる。なお、熱収縮値が小さ過ぎると、ガラスの生産性が低下し易くなる。よって、熱収縮値は、好ましくは５ｐｐｍ以上、特に８ｐｐｍ以上である。
熱収縮値は、歪点を高める以外にも、成形時の冷却速度を低下させることでも低減することができる。特に、ガラスの徐冷点をＴａ（℃）とし、Ｔａよりも１００℃高い温度からＴａよりも１００℃低い温度までの間の温度範囲における成形時の平均冷却速度をＲ（℃／分）としたときに、成形時の冷却は、ｌｏｇＲ≦０．０００１８３６１Ｔａ２−０．２３４１４Ｔａ＋７５．２９の関係を満たすことが好ましく、ｌｏｇＲ≦０．０００１１８２１Ｔａ２−０．１４８４７Ｔａ＋４７．０３の関係を満たすことがより好ましく、ｌｏｇＲ≦０．００００５４３２６Ｔａ２−０．０６４９８５Ｔａ＋１９．５６の関係を満たすことが更に好ましい。上記関係式が満たされない場合、熱収縮値が過大になり易い。
オーバーフローダウンドロー法では、楔形の耐火物（或いは白金族金属で被覆された耐火物）の表面を溶融ガラスが流下し、楔の下端で合流して、板状に成形される。スロットダウンドロー法では、例えば、スリット状の開口部を持つ白金族金属製のパイプからリボン状の溶融ガラスを流下、冷却して、板状に成形される。成形装置に接触している溶融ガラスの温度が高過ぎると、成形装置の老朽化を招き、ガラス板の生産性が低下し易くなる。よって、高温粘度１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１３００℃以下、１２８０℃以下、１２７０℃以下、１２６０℃以下、１２５０℃以下、１２４０℃以下、特に１２３０℃以下である。ここで、「１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度」は、例えば白金球引き上げ法で測定可能である。なお、高温粘度１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度は、成形時の溶融ガラスの温度に相当している。
ガラス組成中にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯを含むガラスは、一般的に、溶融し難い。このため、溶融性の向上が課題になる。溶融性を高めると、泡、異物等による不良率が軽減されるため、高品質のガラス板を大量、且つ安価に供給することができる。一方、高温域でのガラスの粘度が高過ぎると、溶融工程で脱泡が促進され難くなる。よって、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１６５０℃以下、１６４０℃以下、１６３０℃以下、１６２０℃以下、特に１６１０℃以下である。ここで、「１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、例えば白金球引き上げ法で測定可能である。なお、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当しており、この温度が低い程、溶融性に優れている。
ダウンドロー法等で成形する場合、耐失透性が重要になる。ガラス組成中にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯを含むガラスの成形温度を考慮すると、液相線温度は、好ましくは１２５０℃未満、１２３０℃以下、１２２０℃以下、１２１０℃以下、１２００℃以下、特に１１９０℃以下である。また、液相線粘度は、好ましくは１０５．０ｄＰａ・s以上、１０５．２ｄＰａ・s以上、１０５．３ｄＰａ・s以上、１０５．４ｄＰａ・s以上、１０５．５ｄＰａ・s以上、特に１０５．６ｄＰａ・s以上である。ここで、「液相線粘度」は、液相線温度におけるガラスの粘度を指し、例えば白金球引き上げ法で測定可能である。
高精細のディスプレイに用いられるガラス板には、透明導電膜、絶縁膜、半導体膜、金属膜等が成膜される。更に、フォトリソグラフィーエッチング工程によって種々の回路、パターンが形成される。これらの成膜工程、フォトリソグラフィーエッチング工程において、ガラス板は、種々の薬液処理を受ける。例えば、ＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶ディスプレイでは、ガラス板上に絶縁膜や透明導電膜を成膜し、更にアモルファスシリコンや多結晶シリコンのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がフォトリソグラフィーエッチング工程によりガラス板上に多数形成される。このような工程では、硫酸、塩酸、アルカリ溶液、フッ酸、ＢＨＦ等の種々の薬液処理を受ける。特に、ＢＨＦは、絶縁膜のエッチングに広く用いられるが、ＢＨＦは、ガラス板を侵食して、ガラス板の表面を白濁させ易く、またその反応生成物が、製造工程中のフィルターを詰まらせたり、ガラス板上に付着するおそれがある。上記事情から、ガラス板の耐薬品性を高めることが重要になる。
本発明のガラスは、オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。オーバーフローダウンドロー法とは、楔形の耐火物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを楔形の下端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス板を成形する方法である。オーバーフローダウンドロー法では、ガラス板の表面となるべき面は耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、未研磨で表面品位が良好なガラス板を安価に製造することができ、大面積化や薄肉化も容易である。なお、オーバーフローダウンドロー法で用いる耐火物の材質は、所望の寸法や表面精度を実現できるものであれば、特に限定されない。また、下方への延伸成形を行う際に、力を印加する方法も特に限定されない。例えば、十分に大きい幅を有する耐熱性ロールをガラスに接触させた状態で回転させて延伸する方法を採用してもよいし、複数の対になった耐熱性ロールをガラスの端面近傍のみに接触させて延伸する方法を採用してもよい。
オーバーフローダウンドロー法以外にも、例えば、ダウンドロー法（スロットダウン法、リドロー法等）、フロート法等でガラス板を成形することも可能である。
本発明のガラスにおいて、厚み（板厚）は、特に限定されないが、好ましくは０．５ｍｍ以下、０．４ｍｍ以下、０．３５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下である。板厚が小さい程、デバイスを軽量化し易くなる。一方、板厚が小さい程、ガラス板が撓み易くなるが、本発明のガラスは、ヤング率や比ヤング率が高いため、撓みに起因する不具合が生じ難い。なお、板厚は、ガラス製造時の流量や板引き速度等で調整可能である。
本発明のガラスにおいて、β−ＯＨ値を低下させると、歪点を高めることができる。β−ＯＨ値は、好ましくは０．５／ｍｍ以下、０．４５／ｍｍ以下、０．４／ｍｍ以下、特に０．３５／ｍｍ以下である。β−ＯＨ値が大き過ぎると、歪点が低下し易くなる。なお、β−ＯＨ値が小さ過ぎると、溶融性が低下し易くなる。よって、β−ＯＨ値は、好ましくは０．０１／ｍｍ以上、特に０．０５／ｍｍ以上である。
β−ＯＨ値を低下させる方法として、以下の方法が挙げられる。（１）含水量の低い原料を選択する。（２）ガラス中にβ−ＯＨ値を低下させる成分（Ｃｌ、ＳＯ３等）を添加する。（３）炉内雰囲気中の水分量を低下させる。（４）溶融ガラス中でＮ２バブリングを行う。（５）小型溶融炉を採用する。（６）溶融ガラスの流量を多くする。（７）電気溶融法を採用する。
ここで、「β−ＯＨ値」は、ＦＴ−ＩＲを用いてガラスの透過率を測定し、下記の式を用いて求めた値を指す。
β−ＯＨ値 ＝ （１／Ｘ）ｌｏｇ（Ｔ１／Ｔ２）
Ｘ：ガラス肉厚（ｍｍ）
Ｔ１：参照波長３８４６ｃｍ−１における透過率（％）
Ｔ２：水酸基吸収波長３６００ｃｍ−１付近における最小透過率（％）
本発明のガラスは、ＯＬＥＤディスプレイの基板に用いることが好ましい。ＯＬＥＤは、一般に市販されつつあるが、大量生産によるコストダウンが強く望まれている。本発明のガラスは、生産性に優れており、且つ大面積化や薄肉化が容易であるため、このような要求を的確に満たすことができる。
以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は以下の実施例に何ら限定されない。
表１〜３は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜３０）を示している。
次のように、各試料を作製した。まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れ、１６００℃で２４時間溶融した。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、板状に成形した。得られた各試料について、密度、熱膨張係数、ヤング率、比ヤング率、歪点、軟化点、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度、液相線温度、初相、液相線粘度ｌｏｇηＴＬ、耐薬品性を評価した。
密度は、周知のアルキメデス法によって測定した値である。
熱膨張係数は、３０〜３８０℃の温度範囲において、ディラトメーターで測定した平均熱膨張係数である。
ヤング率は、ＪＩＳ Ｒ１６０２に基づく動的弾性率測定法（共振法）により測定した値を指し、比ヤング率は、ヤング率を密度で割った値である。
歪点、軟化点は、ＡＳＴＭ Ｃ３３６の方法に基づいて、ファイバーエロンゲーション法で測定した値である。
高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓ、１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。
次に、各試料を粉砕し、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、白金ボートを取り出し、顕微鏡観察により、ガラス内部に失透（結晶異物）が認められた最も高い温度を液相線温度とした。そして、液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲に析出している結晶を初相として評価した。表中で「Ａｎｏ」は、アノーサイトを指し、「Ｃｒｉ」は、クリストバライトを指し、「Ｍｕｌ」は、ムライトを指している。更に、液相線温度におけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定し、これを液相線粘度とした。
また、各試料の両面を光学研磨した上で、所定の濃度に設定された薬液中で、所定の温度で所定の時間浸漬した後、得られた試料の表面を観察することにより、耐薬品性を評価した。具体的には、薬液処理後に、ガラス表面が強く白濁したり、クラックが入っているものを「×」、弱い白濁、荒れが見られるものを「△」、全く変化の無いものを「○」とした。薬液処理の条件として、耐酸性は、１０質量％塩酸を用いて、８０℃、３時間処理で評価し、耐ＢＨＦ性は、周知の１３０ＢＨＦ溶液を用いて、２０℃、３０分間処理で評価した。
試料Ｎｏ．１〜３０は、密度が２．４５〜２．４８ｇ／ｃｍ３であり、ガラス板の軽量化を図ることができる。また熱膨張係数が３３〜３７×１０−７／℃、歪点が７０２℃以上であり、熱収縮値を低減することができる。またヤング率が７５ＧＰａ以上、比ヤング率が３０．３ＧＰａ／（ｇ／ｃｍ３）以上であり、撓みや変形が生じ難い。また１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が１６７８℃以下、高温粘度１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度が１２５０℃以下であり、且つ液相線温度が１２３０℃以下、液相線粘度が１０４．８ｄＰａ・s以上であるため、溶融性や成形性に優れており、大量生産に向いている。更に耐薬品性も優れている。
表中の試料Ｎｏ．１２，２０、２３、２４の材質について、オーバーフローダウンドロー法にて０．５ｍｍ厚のガラス板を成形した後、３０ｍｍ×１６０ｍｍの寸法に切断した。なお、ガラスの徐冷点をＴａ（℃）とし、Ｔａよりも１００℃高い温度からＴａよりも１００℃低い温度までの間の温度範囲における成形時の平均冷却速度をＲ（℃／分）としたときに、成形時の冷却条件がｌｏｇＲ≦０．０００１１８２１Ｔａ２−０．１４８４７Ｔａ＋４７．０３の関係を満たすように調整した。続いて、得られたガラス板について、室温（２５℃）から５℃／分の速度で５００℃まで昇温し、５００℃で１時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温したときの熱収縮値を測定したところ、１５〜２０ｐｐｍであった。
本発明のガラスは、歪点とヤング率が高い場合でも、耐失透性を顕著に高めることができる。よって、本発明のガラスは、ＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ等のディスプレイの基板に好適であり、ＬＴＰＳ、酸化物ＴＦＴで駆動するディスプレイの基板に好適である。

Claims (14)

  1. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２ ５７〜７０％、Ａｌ２Ｏ３ １６〜２５％、Ｂ２Ｏ３ １〜８％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ０〜０．０５％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ２〜１３％、ＳｒＯ ０〜６％、ＢａＯ １〜７％、ＺｎＯ ０〜５％、ＺｒＯ２ ０〜５％、ＴｉＯ２ ０〜５％、Ｐ２Ｏ５ ０〜５％、Ｆｅ２Ｏ３ ０．００１〜０．０５％、ＳｎＯ２ ０．０１〜０．５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．８〜１．３、モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３が０．３〜１．０であり、且つ液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲において、析出する結晶が、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上であることを特徴とするガラス。
  2. ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶が、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶であることを特徴とする請求項１に記載のガラス。
  3. ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶がアノーサイト、ＳｉＯ２系結晶がクリストバライト、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶がムライトであることを特徴とする請求項１に記載のガラス。
  4. 液相線温度が１２５０℃より低いことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のガラス。
  5. β−ＯＨ値が０．３５／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のガラス。
  6. 室温（２５℃）から５℃／分の速度で５００℃まで昇温し、５００℃で１時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時の熱収縮値が１５ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のガラス。
  7. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２ ５８〜７０％、Ａｌ２Ｏ３ １６〜２５％、Ｂ２Ｏ３ ２〜７％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ ０〜０．０５％、ＭｇＯ ０〜５％、ＣａＯ ３〜１３％、ＳｒＯ ０〜６％、ＢａＯ １〜６％、ＺｎＯ ０〜５％、ＺｒＯ２ ０〜５％、ＴｉＯ２ ０〜５％、Ｐ２Ｏ５ ０〜５％、Ｆｅ２Ｏ３ ０．００１〜０．０５％、ＳｎＯ２ ０．０１〜０．５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．８〜１．３、モル比ＣａＯ／Ａｌ２Ｏ３が０．３〜１．０であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のガラス。
  8. モル比ＣａＯ／ＭｇＯが２〜２０であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のガラス。
  9. 歪点が７００℃以上であることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載のガラス。
  10. ヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載のガラス。
  11. 比ヤング率が３０ＧＰａ／（ｇ／ｃｍ３）以上であることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載のガラス。
  12. 平板形状であり、液晶ディスプレイに用いることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載のガラス。
  13. 平板形状であり、ＯＬＥＤディスプレイに用いることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載のガラス。
  14. 平板形状であり、酸化物ＴＦＴ駆動のディスプレイに用いることを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載のガラス。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105555725B (zh) * 2013-09-20 2020-04-14 Ａｇｃ株式会社 无碱玻璃
JP6711824B2 (ja) * 2014-11-05 2020-06-17 コーニング インコーポレイテッド 非平面状の構造的特徴および無アルカリガラス要素を有するガラス物品
JP6742593B2 (ja) * 2015-01-05 2020-08-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板の製造方法及び積層体の製造方法
KR102601296B1 (ko) * 2015-02-10 2023-11-14 닛본 이따 가라스 가부시끼가이샤 레이저 가공용 유리 및 그것을 사용한 구멍 있는 유리의 제조 방법
CN115974404A (zh) * 2015-04-03 2023-04-18 日本电气硝子株式会社 玻璃
KR102466695B1 (ko) * 2015-05-15 2022-11-14 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 강화유리판의 제조 방법, 강화용 유리판 및 강화유리판
WO2016194693A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 日本電気硝子株式会社 ガラス
JP6765628B2 (ja) * 2015-06-24 2020-10-07 日本電気硝子株式会社 導光板
TWI714698B (zh) * 2016-01-12 2021-01-01 日商日本電氣硝子股份有限公司 玻璃
CN105731790B (zh) * 2016-03-18 2018-12-25 芜湖东旭光电装备技术有限公司 一种无碱铝硅酸盐玻璃用组合物、无碱铝硅酸盐玻璃及其制备方法和应用
US11066326B2 (en) * 2016-12-20 2021-07-20 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass
CN115259661A (zh) * 2016-12-28 2022-11-01 日本电气硝子株式会社 玻璃
WO2018199059A1 (ja) * 2017-04-27 2018-11-01 日本電気硝子株式会社 キャリアガラス及びその製造方法
US20210139368A1 (en) * 2018-04-09 2021-05-13 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass fiber and method for producing the same
CN108483900A (zh) * 2018-06-05 2018-09-04 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种适用于浮法成型的低磷无碱玻璃配合料
CN108467197A (zh) * 2018-06-05 2018-08-31 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种适用于浮法成型的无碱玻璃配合料
JP7389400B2 (ja) * 2018-10-15 2023-11-30 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス板
JP7478340B2 (ja) * 2018-10-17 2024-05-07 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス板
CN109485260B (zh) * 2018-12-12 2022-02-22 张家界永兴玻璃有限公司 一种节能环保微晶玻璃
CN109650720B (zh) * 2019-01-14 2021-09-03 宁波行殊新能源科技有限公司 移动终端玻璃背盖基片及其生产方法
WO2021060001A1 (ja) * 2019-09-24 2021-04-01 日本電気硝子株式会社 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料
CN111592220A (zh) * 2020-05-12 2020-08-28 广州鑫泓设备设计有限公司 一种艺术品防护玻璃及其制备工艺
CN112174521A (zh) * 2020-10-30 2021-01-05 中南大学 一种tft-lcd基板用无碱硼铝硅酸盐玻璃及其制备方法
CN115784616A (zh) * 2022-11-15 2023-03-14 常熟佳合显示科技有限公司 一种mas微晶玻璃及其制备方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5096857A (en) * 1990-10-22 1992-03-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chemically stabilized cristobalite
US6169047B1 (en) * 1994-11-30 2001-01-02 Asahi Glass Company Ltd. Alkali-free glass and flat panel display
KR100262115B1 (ko) * 1995-09-28 2000-07-15 기시다 기요사쿠 무알칼리유리기판
DE19916296C1 (de) * 1999-04-12 2001-01-18 Schott Glas Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendung
DE10000839C1 (de) * 2000-01-12 2001-05-10 Schott Glas Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen
DE10000838B4 (de) * 2000-01-12 2005-03-17 Schott Ag Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen
JP2002003240A (ja) * 2000-06-19 2002-01-09 Nippon Electric Glass Co Ltd 液晶ディスプレイ用ガラス基板
DE10064804C2 (de) * 2000-12-22 2003-03-20 Schott Glas Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und ihre Verwendung
JP2002293571A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Nippon Electric Glass Co Ltd 照明用ガラス
JP2003183051A (ja) * 2001-12-14 2003-07-03 Nippon Electric Glass Co Ltd 結晶化ガラス物品及びその製造方法
JP2004182510A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Asahi Glass Co Ltd ガラスフリット混合物、電子回路基板製造方法および電子回路基板
JP5808069B2 (ja) * 2007-02-16 2015-11-10 日本電気硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板
JP5435394B2 (ja) * 2007-06-08 2014-03-05 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びその製造方法
DE102008056323B8 (de) * 2007-11-21 2019-01-03 Schott Ag Verwendung von alkalifreien Aluminoborosilikatgläsern für Leuchtmittel mit außen- oder innenliegender Kontaktierung
RU2010154445A (ru) * 2008-05-30 2012-07-10 Фостер Вилер Энергия Ой (Fi) Способ и система для генерации энергии путем сжигания в чистом кислороде
DE102008041238A1 (de) * 2008-08-13 2010-02-25 Koenig & Bauer Aktiengesellschaft Druckeinheit einer Druckmaschine
JP5537144B2 (ja) * 2009-12-16 2014-07-02 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス組成物とそれを用いたフラットパネルディスプレイ用ガラス基板
JP5751439B2 (ja) * 2010-08-17 2015-07-22 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
TWI478889B (zh) 2010-10-06 2015-04-01 Corning Inc 具有高熱與化學穩定性的無鹼玻璃組合物
JP5874304B2 (ja) * 2010-11-02 2016-03-02 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
JP5935304B2 (ja) 2010-12-27 2016-06-15 日本電気硝子株式会社 結晶化ガラス
CN103347830A (zh) * 2011-01-25 2013-10-09 康宁股份有限公司 具有高热稳定性和化学稳定性的玻璃组合物
JP5831838B2 (ja) * 2011-03-08 2015-12-09 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
US8785336B2 (en) * 2011-03-14 2014-07-22 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass
CN107253822A (zh) * 2011-03-31 2017-10-17 安瀚视特控股株式会社 玻璃基板的制造方法
JP5935471B2 (ja) * 2011-04-25 2016-06-15 日本電気硝子株式会社 液晶レンズ
WO2013005679A1 (ja) * 2011-07-01 2013-01-10 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
US9162919B2 (en) * 2012-02-28 2015-10-20 Corning Incorporated High strain point aluminosilicate glasses
JP6037117B2 (ja) 2012-12-14 2016-11-30 日本電気硝子株式会社 ガラス及びガラス基板
TWI510446B (zh) * 2012-12-21 2015-12-01 Corning Inc 具有改良的總節距穩定性之玻璃

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