TWI714698B - 玻璃 - Google Patents

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Abstract

本發明的玻璃的特徵在於：作為玻璃組成，以莫耳%計而含有60%～80%的SiO2 、12%～25%的Al2 O3 、0%～3%的B2 O3 、0%～3%的Li2 O+Na2 O+K2 O、5%～25%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.1%～10%的P2 O5 ，且應變點高於730℃。

Description

玻璃
本發明是有關於一種高耐熱性的玻璃，例如是有關於一種用以於高溫下製作LED用半導體結晶的玻璃基板。
已知，發光二極體（light emitting diode，LED）等中使用的半導體結晶越於高溫下成膜，半導體特性越提高。
該用途中，通常使用高耐熱性的藍寶石基板。於其他的用途中，於在高溫（例如700℃以上）下將半導體結晶成膜的情況下，亦使用藍寶石基板。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-243229號公報
[發明所欲解決的課題] 但，近年來，將大面積的半導體結晶成膜的技術正在熱烈地研究。該技術被認為亦有希望作為大型顯示器的面發光光源。
但是，藍寶石基板難以大面積化，不適合於所述用途。
若代替藍寶石而使用玻璃，則認為可將基板大面積化，但現有的玻璃基板由於耐熱性不充分，故而於高溫的熱處理中容易產生熱變形。
另外，耐熱性高的玻璃的耐失透性不充分，難以成形為平板形狀的玻璃基板。
本發明是鑒於所述情況而形成，其技術性課題為發明出耐熱性高、而且可成形為平板形狀的玻璃。
[解決課題的手段] 本發明者反覆進行了多種實驗，結果發現，藉由將玻璃組成與玻璃特性規定為既定範圍，可解決所述技術性課題，從而作為本發明來提出。即，本發明的玻璃的特徵在於：作為玻璃組成，以莫耳%計而含有60%～80%的SiO2 、12%～25%的Al2 O3 、0%～3%的B2 O3 、0%～3%的Li2 O+Na2 O+K2 O、5%～25%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.1%～10%的P2 O5 ，且應變點高於730℃。此處，「Li2 O+Na2 O+K2 O」是指Li2 O、Na2 O及K2 O的合計量。「MgO+CaO+SrO+BaO」是指MgO、CaO、SrO及BaO的合計量。「應變點」是指基於美國材料與試驗協會（American Society for Testing and Materials，ASTM）C336的方法來測定的值。
本發明的玻璃於玻璃組成中，將Al2 O3 規定為12莫耳%以上，將B2 O3 的含量規定為3莫耳%以下，且將Li2 O+Na2 O+K2 O的含量規定為3莫耳%以下。如此，應變點顯著上升，可大幅度提高玻璃基板的耐熱性。
另外，本發明的玻璃於玻璃組成中包含5莫耳%～25莫耳%的MgO+CaO+SrO+BaO，且包含0.1莫耳%～10莫耳%的P2 O5 。如此，不僅維持耐熱性，而且可提高耐失透性。
第二，本發明的玻璃較佳為B2 O3 的含量小於1莫耳%。
第三，本發明的玻璃較佳為Li2 O+Na2 O+K2 O的含量為0.2莫耳%以下。
第四，本發明的玻璃較佳為莫耳比（MgO+CaO+SrO+BaO）/Al2 O3 為0.5～3。此處，「（MgO+CaO+SrO+BaO）/Al2 O3 」是指將MgO、CaO、SrO及BaO的合計量除以Al2 O3 的含量而得的值。
第五，本發明的玻璃較佳為應變點為760℃以上。
第六，本發明的玻璃較佳為（高溫黏度102.5 dPa·s下的溫度-應變點）為980℃以下。此處，「高溫黏度102.5 dPa·s下的溫度」是指利用鉑球提拉法（platinum ball pulling up method）來測定的值。
第七，本發明的玻璃較佳為高溫黏度102.5 dPa·s下的溫度為1750℃以下。
第八，本發明的玻璃較佳為平板形狀。
第九，本發明的玻璃較佳為用於用以製作半導體結晶的基板。
本發明的玻璃的特徵在於：作為玻璃組成，以莫耳%計而含有60%～80%的SiO2 、12%～25%的Al2 O3 、0%～3%的B2 O3 、0%～3%的Li2 O+Na2 O+K2 O、5%～25%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.1%～10%的P2 O5 ，且應變點高於730℃。以下，對如上所述來規定各成分的含量的原因進行說明。此外，各成分的說明中，下述的%表示是指莫耳%。
SiO2 的較佳的下限範圍為60%以上、63%以上、65%以上、67%以上、特別是68%以上，較佳的上限範圍較佳為80%以下、75%以下、73%以下、特別是71%以下。若SiO2 的含量過少，則容易產生包含Al2 O3 的失透結晶，並且應變點容易下降。另一方面，若SiO2 的含量過多，則高溫黏度提高，熔融性容易下降，進而容易產生包含SiO2 的失透結晶。
Al2 O3 的較佳的下限範圍為12%以上、13%以上、特別是14%以上，較佳的上限範圍為25%以下、20%以下、18%以下、特別是17%以下。若Al2 O3 的含量過少，則應變點容易下降。另一方面，若Al2 O3 的含量過多，則容易產生包含Al2 O3 的失透結晶。
B2 O3 的較佳的上限範圍為3%以下、1%以下、小於1%、0.5%以下、特別是0.1%以下。若B2 O3 的含量過多，則存在應變點大幅度下降的顧慮。
Li2 O+Na2 O+K2 O的較佳的上限範圍為3%以下、1%以下、小於1%、0.5%以下、特別是0.2%以下。若Li2 O+Na2 O+K2 O的含量過多，則鹼離子於半導體物質中擴散，半導體特性容易下降。此外，Li2 O、Na2 O及K2 O的較佳的上限範圍分別為3%以下、1%以下、小於1%、0.5%以下、0.3%以下、特別是0.2%以下。此外，Li2 O、Na2 O及K2 O是作為原料雜質而不可避免地混入的成分，若考慮到原料成本，則較佳為將Li2 O+Na2 O+K2 O的含量規定為0.01%以上、特別是0.02%以上。
MgO+CaO+SrO+BaO的較佳的下限範圍為5%以上、7%以上、8%以上、10%以上、12%以上、特別是14%以上，較佳的上限範圍為25%以下、20%以下、18%以下、特別是17%以下。若MgO+CaO+SrO+BaO的含量過少，則液相溫度大幅度上升，於玻璃中容易產生失透結晶。另一方面，若MgO+CaO+SrO+BaO的含量過多，則應變點容易下降。
於兼顧應變點的上升與熔融性的下降的情況下，（MgO+CaO+SrO+BaO）/Al2 O3 的較佳的下限範圍為0.5以上、0.6以上、0.7以上、0.8以上、特別是0.9以上，較佳的上限範圍為3以下、2以下、1.5以下、1.2以下、1.1以下。
MgO的較佳的下限範圍為0%以上、1%以上、2%以上、特別是3%以上，較佳的上限範圍為10%以下、9%以下、8%以下、特別是7%以下。若MgO的含量過少，則熔融性或楊氏模數容易下降。另一方面，若MgO的含量過多，則促進包含Al2 O3 的失透結晶（特別是莫來石）的生成，導致液相黏度下降。進而應變點容易下降。此外，MgO雖具有使熱膨脹係數上升，使所成膜的材料與熱膨脹係數匹配的效果，但於鹼土類氧化物中所述效果最小。
CaO的較佳的下限範圍為0%以上、3%以上、5%以上、7%以上、特別是9%以上，較佳的上限範圍為25%以下、20%以下、特別是15%以下。若CaO的含量過少，則熔融性容易下降。另一方面，若CaO的含量過多，則液相溫度上升，於玻璃中容易產生失透結晶。
CaO與其他的鹼土類氧化物相比較，不會降低應變點，改善液相黏度的效果或提高熔融性的效果大，另外，較MgO而言使熱膨脹係數上升的效果更大。因此，鹼土類氧化物中，較佳為優先導入CaO，莫耳比CaO/（MgO+CaO+SrO+BaO）的較佳的下限範圍為0.5以上、0.6以上、0.7以上、0.8以上、特別是0.9以上。此外，「CaO/（MgO+CaO+SrO+BaO）」是指將CaO的含量除以MgO、CaO、SrO及BaO的合計量而得的值。
SrO的較佳的下限範圍為0%以上、2%以上、4%以上、特別是6%以上，較佳的上限範圍為15%以下、12%以下、特別是10%以下。若SrO的含量過少，則應變點容易下降。另一方面，若SrO的含量過多，則液相溫度上升，於玻璃中容易產生失透結晶。另外，熔融性容易下降。此外，SrO較MgO或CaO而言，使熱膨脹係數上升的效果更大。
BaO的較佳的下限範圍為0%以上、0.1%以上、1%以上、3%以上、5%以上、特別是7%以上，較佳的上限範圍為20%以下、17%以下、14%以下、12%以下、特別是10%以下。若BaO的含量過少，則應變點或熱膨脹係數容易下降。另一方面，若BaO的含量過多，則液相溫度上升，於玻璃中容易產生失透結晶。另外，熔融性容易下降。此外，BaO於鹼土類金屬氧化物中，使熱膨脹係數或應變點上升的效果最大。
P2 O5 的較佳的下限範圍為0.1%以上、1%以上、2%以上、3%以上、特別是4%以上，較佳的上限範圍為10%以下、8%以下、特別是6%以下。P2 O5 對於抑制包含鹼土類元素的失透結晶的析出而言有效果，進而與鹼土類金屬氧化物相比，對於抑制應變點的下降而言有效果。另一方面，若過剩地導入P2 O5 ，則玻璃容易分相，另外，不包含鹼土類元素的失透結晶容易析出。
為了提高應變點，P2 O5 的含量較佳為多於B2 O3 的含量，更佳為較B2 O3 的含量多1%以上，尤佳為較B2 O3 的含量多3%以上。
為了兼顧熔融玻璃的電阻率的下降與應變點的上升，莫耳比（Li2 O+Na2 O+K2 O）/P2 O5 較佳為0.001～0.05，特別是0.01～0.03。
為了提高耐失透性，P2 O5 的含量較佳為多於MgO的含量，更佳為較MgO的含量多1%以上，尤佳為較MgO的含量多3%以上。
為了提高耐失透性，P2 O5 的含量較佳為多於SrO的含量，更佳為較SrO的含量多1%以上，尤佳為較SrO的含量多3%以上。
除了所述成分以外，亦可將以下的成分導入至玻璃組成中。
ZnO是提高熔融性的成分，但若於玻璃組成中大量含有，則玻璃容易失透，另外，應變點容易下降。因此，ZnO的含量較佳為0%～5%、0%～3%、0%～0.5%、0%～0.3%、特別是0%～0.1%。
ZrO2 是提高楊氏模數的成分。ZrO2 的含量較佳為0%～5%、0%～3%、0%～0.5%、0%～0.2%、特別是0%～0.02%。若ZrO2 的含量過多，則液相溫度上升，鋯石的失透結晶容易析出。
TiO2 不僅是降低高溫黏性、提高熔融性的成分，而且是抑制曝曬作用（solarization）的成分，但若於玻璃組成中大量含有，則玻璃容易著色。因此，TiO2 的含量較佳為0%～5%、0%～3%、0%～1%、0%～0.1%、特別是0%～0.02%。
SnO2 不僅是於高溫區域具有良好的澄清作用的成分，而且是使高溫黏性下降的成分。SnO2 的含量較佳為0%～1%、0.01%～0.5%、0.01%～0.3%、特別是0.04%～0.1%。若SnO2 的含量過多，則SnO2 的失透結晶容易析出。
只要不損及玻璃特性，則亦可添加CeO2 、SO3 、C、金屬粉末（例如Al、Si等）至1%來作為澄清劑。
As2 O3 、Sb2 O3 、F、Cl亦作為澄清劑而有效地發揮作用，本發明的玻璃並不排除該些成分的含有，但就環境的觀點而言，該些成分的含量分別較佳為小於0.1%、特佳為小於0.05%。
在包含0.01%～0.5%的SnO2 的情況下，若Rh2 O3 的含量過多，則玻璃容易著色。此外，Rh2 O3 存在自鉑的製造容器中混入的可能性。Rh2O3的含量較佳為0%~0.0005%，特別是0.00001%~0.0001%。
SO3是作為雜質而自原料中混入的成分，但若SO3的含量過多，則於熔融或成形時，產生稱為再沸的泡，存在玻璃中產生缺陷的顧慮。SO3的較佳的下限範圍為0.0001%以上，較佳的上限範圍為0.005%以下、0.003%以下、0.002%以下、特別是0.001%以下。
稀土類氧化物的含量較佳為小於2%、1%以下、0.5%以下、特別是小於0.1%。若稀土類氧化物的含量過多，則配合料(batch)成本容易增加。
鐵是作為雜質而自原料中混入的成分，但若鐵的含量過多，則存在透過率、特別是紫外線透過率下降的顧慮。因此，鐵的較佳的下限範圍換算為Fe2O3而為0.001%以上，較佳的上限範圍換算為Fe2O3而為0.05%以下、0.04%以下、0.03%以下、0.02%以下、0.01%以下、特別是小於0.01%。
本發明的玻璃較佳為具有以下的特性。
應變點較佳為超過730℃、740℃以上、750℃以上、760℃以上、770℃以上、780℃以上、790℃以上、特別是800℃以上。應變點越低，耐熱性越容易下降。
30℃~380℃的溫度範圍內的熱膨脹係數較佳為與所成膜的材料的熱膨脹係數接近。具體而言，若為將氮化鎵系的半導體結晶成膜的情況，則較佳為40×10-7/℃以上、42×10-7/℃以上、特別 是44×10-7/℃以上。另外，於將a-Si、p-Si等成膜的情況下，理想為熱膨脹係數為30×10-7/℃以上且小於40×10-7/℃。此外，「30℃~380℃的溫度範圍內的熱膨脹係數」是指利用膨脹計(dilatometer)來測定的平均值。
於將半導體元件形成於玻璃基板上而用於電子裝置中的情況下，電子裝置的輕量化重要，對於玻璃亦要求輕量化。為了滿足該要求，理想為由低密度化所帶來的玻璃基板的輕量化。密度較佳為3.20g/cm3以下、3.00g/cm3以下、2.90g/cm3以下、特別是2.80g/cm3以下。
高應變點的玻璃通常難以熔融，因此熔融性的提高成為課題。若提高熔融性，則由泡、異物等所引起的不良率減輕，因此可大量、且廉價地供給高品質的玻璃基板。因此，高溫黏度102.5dPa．s下的溫度較佳為1750℃以下、1720℃以下、1700℃以下、1680℃以下、特別是1670℃以下。此外，高溫黏度102.5dPa．s下的溫度相當於熔融溫度，該溫度越低，熔融性越優異。
於利用下拉法等而成形為平板形狀的情況下，耐失透性變得重要。若考慮到本發明的玻璃系的成形溫度，則液相溫度較佳為1350℃下、1300℃以下、1260℃以下、特別是1230℃以下。另外，液相黏度較佳為103.6dPa．s以上、104.0dPa．s以上、104.5dPa．s以上、特別是105.0dPa．s以上。此處，「液相溫度」是指將通過標準篩30目(500μm)而殘留於50目(300μm)中的玻璃粉末放入鉑舟(platinum boat)中，於溫度梯度爐中保持24小時，測定結晶的析出溫度而得的值。「液相黏度」是指利用鉑球提拉法來測定液相溫度下的玻璃的黏度而得的值。
本發明的玻璃較佳為於玻璃內部具有成形合流面，即利用溢流下拉（overflow downdraw）法來成形而成。所謂溢流下拉法是使熔融玻璃自楔形的耐火材料的兩側溢出，且使溢出的熔融玻璃於楔形的下端合流，並且向下方延伸成形而成形為平板形狀的方法。溢流下拉法中，應成為玻璃基板的表面的面不接觸耐火材料，而是以自由表面的狀態來成形。因此，可廉價地製造未研磨且表面品質良好的玻璃基板，大面積化或薄壁化亦容易。
除了溢流下拉法以外，例如亦可利用流孔下引（slot down）法、再拉（redraw）法、浮動（float）法、滾壓（roll out）法來成形為玻璃基板。
本發明的玻璃中，壁厚（於平板形狀的情況下為板厚）並無特別限定，較佳為1.0 mm以下、0.7 mm以下、0.5 mm以下、特別是0.4 mm以下。板厚越小，越容易使裝置輕量化。此外，壁厚可利用玻璃製造時的流量或拉板速度等來調整。
本發明的玻璃中，若使β-OH值下降，則可提高應變點。β-OH值較佳為0.40/mm以下、0.35/mm以下、0.30/mm以下、0.25/mm以下、0.20/mm以下、特別是0.15/mm以下。若β-OH值過大，則應變點容易下降。此外，若β-OH值過小，則熔融性容易下降。因此，β-OH值較佳為0.01/mm以上、特別是0.05/mm以上。
使β-OH值下降的方法可列舉以下的方法。（1）選擇含水量低的原料。(2)添加使玻璃中的水分量減少的成分(Cl、SO3等)。(3)使爐內環境中的水分量下降。(4)於熔融玻璃中進行N2起泡。(5)採用小型熔融爐。(6)加快熔融玻璃的流量。(7)採用電熔法。
此處，「β-OH值」是指使用傅立葉轉換紅外光譜法(Fourier Transform-Infrared Spectroscopy，FT-IR)來測定玻璃的透過率，使用下述式子來求出的值。
β-OH值=(1/X)log(T1/T2)
X：玻璃壁厚(mm)
T1：參照波長3846cm-1下的透過率(%)
T2：羥基吸收波長3600cm-1附近的最小透過率(%)
以工業規模來製造本發明的玻璃的方法為如下的玻璃基板的製造方法，所述玻璃基板中，作為玻璃組成，以莫耳%計而含有60%~80%的SiO2、12%~25%的Al2O3、0%~3%的B2O3、0%~3%的Li2O+Na2O+K2O、5%~25%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.1%~10%的P2O5，β-OH值為0.40/mm以下，且應變點高於730℃；所述玻璃基板的製造方法較佳為包括：熔融步驟，藉由將所調合的玻璃配合料(glass batch)供給至熔融爐中，利用加熱電極來進行通電加熱獲得熔融玻璃；以及成形步驟，利用溢流下拉法，將所獲得的熔融玻璃成形為板厚為0.1mm~0.7mm的平板形狀的玻璃。
玻璃基板的製造步驟通常包括熔融步驟、澄清步驟、供給步驟、攪拌步驟、成形步驟。熔融步驟是將調合有玻璃原料的玻璃配合料進行熔融而獲得熔融玻璃的步驟。澄清步驟是利用澄清劑等的作用而使熔融步驟中獲得的熔融玻璃進行澄清的步驟。供給步驟是於各步驟間移送熔融玻璃的步驟。攪拌步驟是將熔融玻璃攪拌、均質化的步驟。成形步驟是將熔融玻璃成形為平板形狀的玻璃的步驟。此外，視需要亦可將所述以外的步驟，例如將熔融玻璃調節為適合於成形的狀態的狀態調節步驟併入攪拌步驟後。
於以工業規模來製造現有的無鹼玻璃及低鹼玻璃的情況下，通常藉由利用燃燒器的燃燒火焰的加熱而熔融。燃燒器通常配置於熔融窯的上方，作為燃料，使用化石燃料，具體而言為重油等液體燃料或液化石油氣（liquefied petroleum gas，LPG）等氣體燃料等。燃燒火焰可藉由將化石燃料與氧氣混合而獲得。但是，該方法中，由於熔融時在熔融玻璃中混入大量的水分，故而β-OH值容易上升。因此，當製造本發明的玻璃基板時，較佳為進行利用加熱電極的通電加熱，尤佳為不進行利用燃燒器的燃燒火焰的加熱，而是僅藉由利用加熱電極的通電加熱來熔融。藉此，熔融時水分難以混入至熔融玻璃中，因此容易將β-OH值規定為0.40/mm以下、0.30/mm以下、0.20/mm以下、特別是0.15/mm以下。進而，若進行利用加熱電極的通電加熱，則用以獲得熔融玻璃的每單位質量的能量的量下降，而且熔融揮發物減少，因此可減少環境負荷。
利用加熱電極的通電加熱較佳為藉由以與熔融窯內的熔融玻璃接觸的方式，對設置於熔融窯的底部或側部的加熱電極施加交流電壓來進行。加熱電極中使用的材料較佳為具備耐熱性與對熔融玻璃的耐蝕性者，例如可使用氧化錫、鉬、鉑、銠等。
無鹼玻璃及低鹼玻璃由於鹼金屬氧化物少，故而電阻率高。因此，於對該些玻璃應用利用加熱電極的通電加熱的情況下，不僅是熔融玻璃，於構成熔融窯的耐火材料中亦流通電流，存在構成熔融窯的耐火材料提前受損的顧慮。為了防止所述顧慮，爐內耐火材料較佳為使用電阻率高的氧化鋯系耐火材料、特別是氧化鋯電鑄耐火磚（electrocast brick），另外較佳為於熔融玻璃（玻璃組成）中導入少量使電阻率下降的成分（Li2 O、Na2 O、K2 O、Fe2 O3 等），特佳為導入合計量為0.01莫耳%～1莫耳%、0.02莫耳%～0.5莫耳%、0.03莫耳%～0.4莫耳%、0.05莫耳%～0.3莫耳%、特別是0.07莫耳%～0.2莫耳%的Li2 O、Na2 O及K2 O。進而，氧化鋯系耐火材料中的ZrO2 的含量較佳為85質量%以上、特別是90質量%以上。此外，若Li2 O、Na2 O及K2 O的導入量的合計量為0.2質量%以下，則不存在引起由鹼離子的擴散所引起的半導體物質的污染的顧慮。 [實施例]
以下，基於實施例，對本發明進行詳細說明。此外，以下的實施例為單純的例示。本發明不受以下實施例的任何限定。
表1示出本發明的實施例（試樣No.1～No.22）。
[表1]
Figure 105144089-A0304-0001
如下，製作各試樣。首先以成為表中的玻璃組成的方式，將調合有玻璃原料的玻璃配合料加入至鉑坩堝中，於1600℃～1750℃下熔融24小時。於玻璃配合料的溶解時，使用鉑攪拌棒加以攪拌，進行均質化。繼而，將熔融玻璃流出於碳板上，成形為平板形狀。對於所獲得的各試樣，評價密度ρ、熱膨脹係數α、應變點Ps、緩冷點Ta、軟化點Ts、高溫黏度104.0 dPa·s下的溫度、高溫黏度103.0 dPa·s下的溫度、高溫黏度102.5 dPa·s下的溫度、液相溫度TL、液相黏度logηTL以及β-OH值。
密度ρ是利用眾所周知的阿基米德法（Archimedes method）來測定的值。
熱膨脹係數α是於30℃～380℃的溫度範圍內，利用膨脹計來測定的平均值。
應變點Ps、緩冷點Ta、軟化點Ts是依據ASTM C336或者ASTM C338來測定的值。
高溫黏度104.0 dPa·s下的溫度、高溫黏度103.0 dPa·s下的溫度、高溫黏度102.5 dPa·s下的溫度是利用鉑球提拉法來測定的值。
液相溫度TL是將各試樣粉碎，將通過標準篩30目（500 μm）而殘留於50目（300 μm）上的玻璃粉末加入至鉑舟中，於溫度梯度爐中保持24小時後，取出鉑舟，於玻璃中確認到失透（失透結晶）的溫度。液相黏度logηTL是利用鉑球提拉法來測定液相溫度TL下的玻璃的黏度而得的值。
β-OH值是利用所述式來算出的值。
如表1所明示，試樣No.1～No.22的耐熱性高，而且具備可成形為平板形狀的耐失透性。因此認為，試樣No.1～No.22適合作為用以於高溫下製作LED用半導體結晶的玻璃基板。 [產業上的可利用性]
本發明的玻璃的耐熱性高，而且具備可成形為平板形狀的耐失透性。因此，本發明的玻璃適合作為用以於高溫下製作LED用半導體結晶的玻璃基板。進而，本發明的玻璃除了所述用途以外，亦適合於液晶顯示器等的顯示器用基板，特別適合作為由低溫多晶矽（Low Temperature Poly-silicon，LTPS）、氧化物薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）所驅動的顯示器用基板。
無
無

Claims (9)

  1. 一種玻璃，其特徵在於：作為玻璃組成，以莫耳%計而含有60%~80%的SiO2、12%~25%的Al2O3、0%~3%的B2O3、0%~3%的Li2O+Na2O+K2O、5%~25%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.1%~10%的P2O5，且應變點高於730℃，其中BaO的含量為0.1%以上且20%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃，其中B2O3的含量小於1莫耳%。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃，其中Li2O+Na2O+K2O的含量為0.2莫耳%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃，其中莫耳比(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3為0.5~3。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃，其中應變點為760℃以上。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃，其中(高溫黏度102.5dPa．s下的溫度-應變點)為980℃以下。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃，其中高溫黏度102.5dPa．s下的溫度為1750℃以下。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃，其為平板形狀。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃，其用於用以製作半導體結晶的基板。
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