TW200533450A - Adhesive sheet for laser dicing and its manufacturing method - Google Patents
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Description
200533450 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種雷射光切割用黏著片,其藉由雷射光 之光吸收切除,於被加工物之内部設置改性區域且加以個 片化時,用以支持固定該被加工物。又,本發明係關於一 種70件小片之冑造方;;去,其藉由雷射光之光吸收切除將如 下各種被加工物個片化:電路基板、半導體晶圓、玻璃基 板陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射等之發光或受光元 件基板、MEMS基板或者半導體封裝體等。 【先前技術】 於半導體相關產品之製造步驟中,於基板上實行各種電 _形成及表面處理之後,切斷分離(切割)該半導體基板 等’製造出元件小片(例如半導體元件等)。具體的是,將 黏著片,附於基板上’使用刀片切割基板,其後擴張黏著 片’藉此分離為元件小片。 ^近年來,藉由雷射光之光吸收切除所進行之半導體基板 寻之切割方法以作為精密切斷方法而受人注目,該方法所 造成之熱損害較少且可實施高精細加工。 作為上述技術,例如可提出如下方法:將被加工物支持 固定於切割片|« ,丄& 、 ° 精由雷射光線切割被加工物(專利文獻 :而且,作為上述切割片,揭示有一種切割片,其包含 ^添、 基材以及配置於上述基材之單面表面上之黏 9上述黏著劑層可藉由雷射光線切斷,而上述支持 片無法藉由雷射光線切斷。 98243.doc 200533450 又’亦提出有一種方法,其組合使用微喷水與雷射用以 刀割+導體晶圓(專利文獻2)。而且,揭示有_種雷射切割 =著帶’其於基材之單面上,含有非放輯D化型黏著 *層與放射線固化型黏著劑層,基材係可透過喷水器之喷 K机者’且非放射線固化型黏著劑層設於基材與放射線 固化型黏著劑層之間。 η 、 又,提出有一種具備如下步驟之雷射加工方法(專利文 獻3):將加工對象物固定於表面上具有黏著性之薄片上的 :驟;對準聚光點將雷射光照射至上述加工對象物之内 β ’沿者上述加玉對象物之預定切斷線,於上述加工對象 物之内部形成改性區域的步驟。 如射雷射光時,為了以均 同度於被加工物(加 工對象物)之内部形成改性區域,必須高精度地將雷射光 聚光至該部分。於使用有一般刀片之切割處理中,數㈣ 左右之被加工物厚度之不均一不會成為重大問題,但於雷 射切割之情形時’將會存有以下問題:由於數卿左右: 被加工物厚度之不均一,造成雷射光之聚光區域產生偏 移,改性區域之高度不均一,由於該改性區域高度之不均 一,則難以將被加工物個片化為晶片。 於雷射切割裝置中存有附帶高度調整機構者,於使用有 此種裝置之情形時,雖不會如此程度地產生如上所述之問 題’但將會存有以下問題··由於高度微調整會花費較多時 間,故而生產效率極差’實際上無法使用。又,對於且有 較大起伏之被加工物’藉由上述雷射切割裝置可作出某種 98243.doc 200533450 程度對應,但對於具有細微凹凸之被加工物, 、 射切割裝置無法對應。 * 進而,藉由擴張而分離成晶片時,將會存有 窃 ^ °下問題: 糟由所使用之黏著片,僅伸展薄片之周邊 而中心部薄 片未充分伸展,故而中央部之晶片無法得以個片化。 [專利文獻1]曰本專利特開2002-343747號公報 [專利文獻2]日本專利特開2〇〇3_3478〇號公報 [專利文獻3]曰本專利特開2〇〇3-33887號公報 [發明所欲解決之課題] 本發明之目的在於提供一種雷射切割用黏著片及其製造 方法,其藉由雷射光之光吸收切除,於被加工物内部設置 改性區域且加以個片化時,可確切地且生產效率較高地將 被加工物個片化為元件小片。又,本發明之目的在於提供 一種方法,其使用上述雷射切割用黏著片,可確切地且生 產效率較高地製造出元件小片。 【發明内容】 本發明者為解決上述課題經過反覆積極討論後,發現藉 由下述雷射切割用黏著片(以下亦稱為黏著片)可達成上述 目的’從而完成本發明。 即,本發明係關於一種雷射切割用黏著片,其係藉由雷 射光之光吸收切除,於被加工物内部設置改性區域且加以 個片化時所使用者;其特徵在於:上述黏著片係於基材之 單面上至少具有黏著劑層者,至少於未與黏著劑層接觸之 基材表面上未存有寬度(貿)2〇 mm以下且高度(h)1 以上 98243.doc 200533450 之凸邛,以及未存有寬度(w)2〇 mm以下且深度(d)i 以 上之凹部。 上述黏著片係於藉由雷射光之光吸收切除之被加工物經 雷射加工之前,疊層於被加工物之吸附臺面侧(雷射光出 射面側)或雷射光入射面側,於切割時及其後之各步驟中 用以支持固定被加工物(元件小片)者。 本發明者考慮到:無法順利地使被加工物個片下之原因 即在於用以支持固定被加工物之黏著片。而且,本發明者 發現·於黏著片之基材表面上存有寬度(w)2〇咖以内且 回度(h)l 以上之凸部,或寬度(w)2〇 以内且深度 (d)1 Μ"1以上之凹部之情形時,將該黏著片貼合於被加工 物時,由於其凹凸部之影響將會損害被加工物之平坦性, 或雷射光之聚光區域產生偏移,&而形成於被加工物内部 之改1±區域之咼度變得不均一,其結果為無法順利地將被 加工物個片化為小片。 可認為此等凹凸部係於製造黏著片時產生。例如,可認 為係在為了穩定黏著劑特性而實行之加熱處理步驟中,Ζ 於基材部分收縮而產生凹凸部…可認為於加熱處理呈 f筒狀之積層片(黏著片)或以滾筒狀保存黏著片之情形 時’未與黏著劑層接觸之基材表面密接於用以保護黏著劑 層表面之平滑隔離物,藉由於隔離物上施加遷力 材變形從而產生凹凸部。 :ι係表示本發明之黏著片之剖面概略圖。如圖1所示, 月上述凸邛之寬度(w)係指凸部始點與終點之最大間隔 98243.doc 200533450 ―),所謂上述凹部之寬度(w)係指凹部始點與線點之最 大間隔(mm)°又’所謂上述凸部之高度⑻係指自基材表 面至凸部之最大高度⑽),所謂上述凹部之深度㈨係指自 基材表面至凹部之最大深度(Mm)。 本發明之黏著片必須於基材表面上未存有寬度(w)2〇 麵以下之上述凹凸部。即使於基材表面上含有超過寬卢 (W)20 mm之凹部或凸部,藉由使用附帶高度調整機構: 雷射切割裝置,亦可充分對應於被加工物之高度變化,故 而不成問題。 於本發明之黏著片中,較好是形成黏著劑層之黏著劑係 放射線固化壽㈣。於使用有放射線固化賴著劑之情 形日守,藉由照射放射線(例如紫外線),黏著劑層之黏著力 下降’故而於形成改性區域之後藉由將放射線照射至黏著 劑層上’可容易地剝離黏著片。 又,於本發明之黏著片中,較好是基材係未具有頸縮性 者。所謂頸縮性,其係指於拉伸試驗中,根據應力而伸展 直至破斷為止之性質。其原因在於:#由擴張而個片化為 晶片時,於具有頸縮性之基材上僅施加應力之部分得以伸 展而因應力未充分傳送至基材整體,故而中央部晶片未 仔以個片化。作為未具有頸縮性之材料,特別好的是使用 聚氯乙烯。 於本^明之黏著片中,較好是於上述黏著劑層上設 有隔離物。藉由設置隔離物,可將積層片(黏著片)設為滾 筒狀後加熱處理或加以保管。又’直至使用黏著片為止之^ 98243.doc 200533450 期間’可保護黏著劑層之表面防止附著塵埃等。 本發明係關於—種雷射切割用黏著片之製造方法’笪特 徵在於:對於至少於基材單面上設有黏著劑層之積層片、未 施行加熱處理。藉由對於積層片未施行加熱處理,可防止 因熱造成基材部分變形,其結果為可抑制基材表面產生上 述凹凸部。 又’本發明係關於-種雷射切割用黏著片之製造方法, 其包含如下步驟:於其Μ + @ π , 、土 早面上设置黏著劑層之步驟; 於该黏著劑層上設置隔離物f 观阳I作積層片之步驟;將該積 層片卷成滾筒狀,製作滾筒狀積層片之步驟;以及對於该 滾筒狀積層片施行加熱處理之步驟。 =是未與上述基材之黏著劑層接觸之表面算術平均高 度Ra為0·4 /rn以上。若將上 表面與隔離物表面接觸,若A材二=成滾缚狀,則基材 右基材表面過於平滑(Ra不足〇·4 μηι 之f月形k ),則基材密接於 P離物表面,變得難以滑動。 於此種狀態下對於滾筒狀 月軔 檟層片轭仃加熱處理,則將會存 有如下傾向:不僅基材產生 雜物卜,mi』 縮而且由於壓力施加於隔 上,於基材表面上大多合 局邛產生上述凹凸部。又, 右基材表面過於平滑,則基 女,从二卜i 及附台之間之摩擦力變 故而無法均一地擴張,1灶 地將被加4個為存有無法確切且容易 双nu月化為凡件小片之傾向。 =好的是上述隔離物之未與黏著劑層接 =:構造。將積層片設為滾筒狀時,藉由將與ί 妾觸之隔離物表面設為無光澤或凹凸構造,可緩和虚其 98243.doc -10- 200533450 材表面之密接性,可提高基材之滑動性。^ 於藉由加熱處理收縮基材之情形時化物之^吏 2故而可抑制局部性變形,可防止於基材表面上 局°卩產生上述凹凸部。 本發明係關於一種元件小片之製造方法,並包含 ,面將上述雷射切割用黏著片之黏著劑層貼附於被加工: :面:之步驟;照射雷射光,於被加工物内部形成改性區 广驟’猎由擴張雷射切割用黏著片從而使被加工物個 宝片化之:驟;以及自經過個片化之被加工物上剝離雷射切 口J用黏著片之步驟。 【實施方式】 /乍為本發明中所使用之雷射’其若係藉由多光子吸收而 可於被加工物内部形成改性區域之雷射’則不會加以特別 ^ 例如可列舉有發信波長1064 nm之YAG雷射、yv〇4 雷射、YLF雷射以及鈦藍寶石雷射等。可根據被加工物之 種類適宜選擇所使用之雷射,例如於石夕晶圓之情形時,較 好是使用YAG雷射。 一作為被加工物,其若係可藉由自上述雷射所輸出之雷射 光之=吸收切除,於内部形成改性區域者,則不會加以特 別限定,例如可列舉有薄片材料、電路基板、半導體晶 口玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射等之發 光或文光兀件基板、MEMS(Micr〇 mectr〇 Mechanic^ System,微機電系統)基板以及半導體封裝體等。 本發明之雷射切割用黏著片特別適用於半導體晶圓之雷 98243.doc -11 - 200533450 射切割。 作為上述薄片材料, 脂、¥ _备K 口可列舉有包含聚醯亞胺系樹 乙稀= 氧系樹靡、腔基甲酸醋系樹脂、聚苯 樹r二::聚乙稀系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸醋系 Γ:Γ樹脂、氣系樹”之高分子薄膜或不織 布’藉由延伸加工、冬、、a ^ 3/文加工等,賦予此等樹脂物理性或 先學性功能之薄片;銅、鋁、 ^ 銘不銹鋼等之金屬片;或者直 或介以接著劑等疊層上述高分子薄膜及/或金屬片者 等。 乍為上述電路基板,可列舉有單面、雙面或多層可挽性 土板L έ玻璃環氧、陶瓷或金屬芯基板等之硬質基 板形成於玻璃或聚合物上之光電路或光_電性混成電路 基板等。 如圖1所示,本發明之黏著片4係於基板丨之單面上至少 含有黏著劑層2者。為將積層片捲曲成滾筒狀,亦可於黏 著劑層2上設有隔離物3。 作為基材之形成材料,例如可列舉有聚對苯二甲酸乙二 醇酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚 聽亞胺、(甲基)丙烯酸系聚合物、聚胺基甲酸酯系樹脂, 聚冰片烯系樹脂,聚乙二醇、聚四亞甲基二醇等之聚伸烷 基二醇系樹脂,矽氧系橡膠以及聚乙烯、聚丙烯、聚丁二 烯、聚乙烯醇、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚甲基戊 烯、聚氯乙烯等之聚烯烴系樹脂等,但並非限定於此等 者0 98243.doc 12 200533450 :等中車又好疋使用不具有頸縮性之聚合物,作為此 了列舉有聚丁二稀、EVA以及聚 之具有橡膠彈性之聚人舲 y G辦寻 口 ,°^烯垣系聚合物。特別好的是 藉由軟質氯乙烯形成基材。 竭的疋 基材亦可為單層,亦可為複數層。 :材之厚度可於不損害貼合至被加工物、雷射切 工物以及剝離或θ, f ^ r p,.,... 小片等各步驟之操作性或作業性 的軌圍内作適宜調整,通常為5〇至3〇〇师左右,較好是50
至150㈣。為提高與黏著劑層之料性、保持性等,基材 早面亦可施行慣用之表面處理,例如鉻酸處理、臭氧暴 露、火焰暴露、高壓電擊暴露以及離子化放射線處理等化 :J·生或一物理性處理’或者藉由塗底劑⑼如後述之黏著物 質)所貫施之塗布處理。又,較好是基材之他面側表面算 術平均高度以為0·4 _以上,更好是0.5辦以上。但是, 為防止形成上述凹凸部,較好是算術平均高度以^㈣以 下’更好是0.9 μηι以下。
作為黏著劑層之形成材料,可使用包含(甲基)丙稀酸系 聚合物或橡膠系聚合物等之眾所周知的黏著劑。 乍為形成(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分,例如可列 舉有具有例如甲基、乙基、η_丙基、異丙基、η_丁基、卜 丁基異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2 一 乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸 基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、十八烷醯 基十八烷基以及十二烷基等之碳數3 0以下,較好是碳數 98243.doc •13- 200533450 4至18之直鏈或支化烷基之(甲基)丙烯酸烷基醋。此等(甲 基)丙烯酸烷基酯亦可單獨使用一種,亦可同時使用兩種 以上。 作為除上述以外之單體成分,例如可列舉有丙烯酸、甲 基丙烯酸、(甲基)丙烯酸魏基乙基醋、(甲基)丙烯酸魏基 戊基S日、衣康酸、馬來酸、富馬酸以及丁烯酸等含有羧基 之單體,馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體,(甲基)丙烯酸 2-羥基乙基酯、(甲基)丙烯酸2_羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸 扣羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸6_羥基己基酯、(甲基)丙稀酸 8-羥基辛基酯、(甲基)丙烯酸1〇-羥基癸基酯、(甲基)丙烯 酸12-羥基月桂基酯以及(曱基)丙烯酸(4_羥基曱基環己基) 甲基酯等含有羥基之單體,苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_ (甲基)丙烯酸醯胺-2-曱基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸醯胺丙 烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙基酯以及(甲基)丙烯醯基氧萘 磺酸等含有磺酸基之單體,2_羥基乙基丙烯醯基磷酸鹽等 之含有磷酸基之單體等。此等單體成分亦可單獨使用一 種,亦可同時使用兩種以上。 又,以(甲基)丙烯酸系聚合物之交聯處理等為目的,多 官能單體等亦可根據需要作為共聚單體成分使用。 作為多官能單體,例如可列舉有己二醇二(曱基)丙烯酸 酉曰、(聚)乙二醇二(曱基)丙稀酸酯、(聚)丙二醇二(曱基)丙 稀酉欠酉曰、新戊一醇一(曱基)丙烯酸g旨、季戊四醇二(甲基) 丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、四羥曱基曱 烧四(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊 98243.doc •14- 200533450 四酉叫甲基)丙烯酸酿、二季戊四醇單經基五(甲基)丙稀 is曰、二$戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸 醋、聚s旨(曱基)丙烯酸s旨以及胺基曱酸醋(曱基)丙稀酸酿 專。此等多官能單體亦可單獨使用一種,亦可同時使用兩 種以上。 多^能單體之使用量考慮到黏著特性等之觀點,較好是 全部早體成分之30重量%以下,更好是15重量%以下。 (曱基)丙烯酸系聚合物之調製例如可對 以上單體成分之混合物以溶液聚合方式、乳化聚二種 塊狀聚合方式或懸浮聚合方式等$宜方式適當進行。 作為聚合開始劑,可列舉有過氧化氫、過氧化苯甲酿、 卜丁基過氧化物等過氧化物系。較好是單獨使用,但亦可 與還原齊Γ组合作為氧化還原系$合開%劑加以使肖。作為 還原劑,例如可列舉亞硫酸鹽、亞硫酸氯鹽、鐵、銅、銘 孤等離子化鹽,二乙醇胺等胺類,醛糖、酮糖等還原糖 等。又,偶氮化合物亦係較好之聚合開始劑,可使用2,2,_ 偶氮二-2-甲基丙醯脒酸鹽、2,2,_偶氮二_2,‘二甲基戊腈、 2,2’-偶氮二-N,N,_二亞甲基異丁基胨酸鹽、2,2,-偶氮二異 丁腈、2,2’-偶氮二-2-甲基-N-(2-經基乙基)丙醯胺等。又, 亦可同時使用兩種以上上述聚合開始劑。 反應溫度通常設為50至85°C左右,反應時間設為1至8小 時左右。又,上述製造法中以溶液聚合法較好,作為(甲 基)丙烯酸系聚合物之溶劑,一般使用醋酸乙基酯、甲苯 等之極性溶劑。溶液濃度通常設為2〇至8〇重量%左右。 98243.doc 15 200533450 於上述黏著齋I φ a 為鮝南作為基礎聚合物之(甲其彳a、嫌 酸系聚合物之數平约八$ b 甲基)丙烯 父聯劑,可列舉有聚 作為 咕化人你、一… 物辰氧化合物、氮丙
a — 4氰胺樹脂、尿辛樹月匕、& U 脸、人古Μ 尿素树知、無水化合物、聚 3久土之聚合物等。於使用交聯劑之情形時,考慮 到剝離黏著力不會過分下降,其 礎聚合物UK)重量份,…相對於上述基 里里切1乂好疋添加0.01至5重量份左右。 又,於形成黏著劑層之黏著劑中,根據需要,除上:成分 之外’可含有先前眾所周知之各種黏著賦與劑、老化防止 劑、填充劑、老化防止劑、著色劑等慣用添加劑。 為提高自被加卫物上剝離之剝離性,較好黏著劑為藉由 紫外線、電子線等放射線固化之放射線固化型黏著劑。再 者,使用放射線固化型黏著劑作為黏著劑之情形時,因雷
射加工之後,放射線照射至黏著劑層上,故而較好是上I 基材係具有充分之放射線透過性者。 作為放射線固化型黏著劑,並無特別限制,可使用具有 碳-碳雙鍵等之放射線固化性官能基且表現出黏著性者。 作為放射線固化型黏著劑,例如可列舉有於上述(甲基)丙 稀酸系聚合物中添加有放射線固化性單體成分或寡聚物成 分之放射線固化性黏著劑。 作為所添加之放射線固化性單體成分或募聚物成分,例 如可列舉有胺基曱酸醋(曱基)丙稀酸g旨、三經甲基丙烧三 (曱基)丙烯酸酯、四羥曱基曱烷四(曱基)丙烯酸酯、季戊 四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(曱基)丙烯酸酯、二 98243.doc -16- 200533450 季戊四醇單輕< 其 土 (甲基)丙稀酸酯、二季戊四醇六(曱美、 丙烯酸酯以及丨4•丁 _ π ( ^暴) ,Γ—醇二(曱基)丙烯酸酯等。此等亦可 單獨使用-種,亦可同時使用兩種以上。 放射線固化性單體成分或寡聚物成分之添加量未加以特 J限制右考慮到黏著性,則相對於構成黏著劑之(甲基) 稀酉夂系小口物等之基礎聚合物1〇〇重量份,較好是添加5 至5〇0重里份左右,更好是60至150重量份左右。 。、又,作為放射線固化型黏著劑,亦可使用於聚合物側鍵 或主鏈中或主鏈末端含有碳_碳雙鍵者作為基礎聚合物。 作為此種基礎聚合物,較好是將(甲基)丙婦酸系聚合物作 為基本月&者。於此情形時,亦可無需特別添加放射線固 化性單體成分或寡聚物成分,其使用較為任意。 #於藉由紫外線等@化之情形時,於上述放射線固化型黏 者劑中含有光聚合開始齊卜作為光聚合開始齊卜例如可列 舉有4-(2,基乙氧基)苯基(2,基1丙基)嗣、㈣里基 甲基苯乙_、甲氧基苯乙g同、2,二甲氧基1苯基苯乙 酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、;μ羥基環己基苯基酮、2_〒基_ 甲硫基)苯基]_2_嗎啉基丙烷]等苯乙酮系化合物, 苯偶因乙基醚、苯偶因異丙基醚、茴香偶因甲基醚之類的 苯偶因醚系化合物,2-甲基-2-羥基丙基苯基酮等之同醇 系化合物,苄基二甲基酮縮醇等之酮縮醇系化合物,孓萘 石黃酸氯等之芳香族磺醯氯系化合物,^苯基酮_u_丙二 醇-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物,苯、苯 T醯苯f酸、3,3’-二f基-4-甲氧基苯〒酮等之苯甲酮系 98243.doc 17 200533450 化合物,嗟嘲g同、2 一畜τ 2軋噻噸酮、2-甲基噻噸酮、24 基噻噸酮、显丙其嘧淑⑽ ,一f 丙基噻噸酮、2,4_二氯噻噸_、2,4_二 口塞p頓自同、2 4·—里石苴* i ^基 J 土° 土噸_等之噻噸酮系化合物,樟腦 同、醯基氧化膦以及醯基膦酸醋等。 光聚合開始劑之添加量相對於 ^ 酸系聚合物等之基礎聚合物⑽香〜、/ (甲基)丙婦 旦 足κ 口物100重1份,較好是0.1至10重 里伤左右,更好是05至10重量份左右。 本發明之雷射切割用黏著片例如可藉由於上述基材表面 :塗布黏著劑溶液使其乾燥(根據需要使其加熱交聯)後开, 黏者劑層而加以製造。又,另外可採用於剝離襯塾上开: 成黏者劑層之後,將黏著_貼合於基材上之方法等。7 考慮到防止對被加工物造成污染等觀點,於黏著劑層中 較好是低分子量物質之含有量較少。考慮到相關方面,較 好是(甲基)丙烯酸系聚合物之數平均分子量為30萬以上, 更好是為40萬至300萬。 可於不會自被加工物上剝離之範圍内適宜選擇黏著劑層 之厚度’通常為4至50卿左^,較好是5至2〇咖左右。 又,黏著劑層之接著力依據相對於SUS3〇4之常溫(雷射 T射前)下之接著力(90度剝離值、剝離速度3〇〇 mm/* 1里),較好是20 N/20 mm以下,更好是〇 〇〇1至1〇 N/2〇麵, 特別好的是0.01至8 N/20 mm。 較好是於本發明之雷射切割用黏著片之黏著劑層表面 上’為便於標記加工,為便於保護黏著劑層,或者為便於 將積層片設為滾筒狀易於加熱處理或保存而設置隔離物。 98243.doc -18- 200533450 作為隔離物之構成材料,可列舉有聚鱗鱗酮、聚_醢亞 胺、聚芳基化物、聚對萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯膜、聚 丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚曱基戊烯膜、聚氯乙 烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二曱酸乙二醇酯膜、聚對 本一甲酸丁一醇酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-醋酸乙烯 酯共聚物膜、離聚物樹脂膜、乙烯气甲基)丙烯酸共聚物 膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜以及聚碳 酸酯膜等之塑膠膜等。 於隔離物之單面上,為提高自黏著劑層上之剝離性,根 據需要亦可施行聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等之 剝離處理。又,根據需要,亦可以雷射切割用黏著片不會 由於%境紫外線而產生反應之方式,施行防止紫外線透過 處理等。隔離物之厚度通常為5至2〇〇 μηι,較好是25至1〇〇卿, 更好是38至60 /zm。 較好的是隔離物之未與黏著劑層接觸之表面設為無光澤 或凹凸構造。此等形狀可藉由喷沙或化學蝕刻而形成。 又’於隔離物之製膜時,亦可使用金屬滾筒或橡膠滾筒形 成。較好是隔離物之未與黏著劑層接觸<表面算術平均高 度Ra為0.2至2 _,更好是〇3至15㈣。於算術平均高2 R士a不足0.2 _之情形時,將積層片(黏著片)設為滾筒狀 日守,將會增加與基材表面之密接性,基材容易與隔離物— 體化。於此種狀態下,料滾筒狀積層月施行加熱處理, 則存有以下傾向:不僅基材產生收縮,而且由㈣ 於隔離物上,故而於A材矣而μ I夕 又阳於基材表面上大多局部發生上述凹凸 98243.doc 200533450 方面於异術平均南度Ra超過2 /xm之情形時,將 會存有以下顧慮··隔離物之該凹凸形狀轉印於基材表面, 於基材表面上形成高度⑻! 以上之凸部或深度(叫_ 以上之凹部。 ^ ^好疋將於黏著劑層上設有隔離物之積層片設為滾筒狀 後貫订加熱處理。藉由加熱處理積層片,從而使黏著劑之 特性穩定。加熱處理之溫度為如至机左右,處理時間為 2至1 〇〇小日守左右。以此方式所製造之黏著片至少於未與 黏者劑層接觸之基材表面上,不會形成寬度(w)2〇随以 :且高度⑻i㈣以上之凸部,以及寬度(w)2〇酿以下且 珠度(d)l μπι以上之凹部。 μ r,關於便 ---^〜〜兀双收卞 除從而製造元件小片之方法加以說明。 於半導體晶圓之雷射切割加工之情形時,如圖2所示 將半導體晶圓5之單面貼合於設於吸附台6上之黏著片4 藉由透鏡將自特定雷射振盪器所輸出之雷射光7聚光/日” 於半導體晶圓5之内部’沿著料加工線上移動其雷射只 射位置’藉此於半導體晶圓5内部形成改性區域。作為e 射光之移動機構’可使用所謂檢流計掃描或χ_γ平臺; 描、遮罩、成像加卫㈣所周知的雷射加卫方法。再: 亦可於半導體晶圓5之雷射光入射面側設置保護片8。 於半導體晶圓内部形成改性區域後, Λ <俊稭由擴張黏^ 片,以上述改性區域為起點切斷半導贼 一 1卞今肢日日圓,分開鄰接上 元件小片(半導體晶片)。其後,可藉义 稽田自先則以來眾所力 98243.doc -20- 200533450 知之晶片接合機等步 片,使用料針之突㈣拾取元件小 次者猎由日本專利特開·卜 方式等眾所周知的方车 琥么報所揭不之 於 勺方法,拾取各個元件小片且加以回收。 元件"之7^牛小片之製造方法中,藉由擴張從而分開 :=之後,剝離黏著…收元件小片。剝離方法 乂限制’關鍵是剝離時不會產生使元件小片永久變 二=力:例如,於黏著片4之黏著劑層2上使用有放射線 4 I黏者劑之情料,對應於黏著劑之種類,藉由放射 線照射,而使黏著劑層固化且降低黏著性。藉由放射線照 射’黏者劑層之黏著性由於固化而下降,&而可使剝離容 易化。放射線照射之方法未加以特別限制,例如可藉由紫 外線照射等實行。 [實施例] 以下,依據實施例更加詳細地說明本發明,但本發明並 非由於此等實施例而受到限定。 [數平均分子量之測定] 經合成之(甲基)丙烯酸系聚合物之數平均分子量根據以 下方法測定。以0.〗wt%使經合成之(曱基)丙烯酸系聚合物 溶解於THF中,使用GPC(凝膠滲透色譜法)藉由聚苯乙烯 換算從而測定數平均分子量。詳細之測定條件如下所述。
GPC裝置:Tosoh製造、HLC-8120GPC 官柱:Tosoh製造、(GMHhr-H) + (GMHHr — h)+(G2000Hhr) 流量:0.8 ml/min 濃度:0.1 wt% 98243.doc 21 200533450
注入量·· 100 μΐ 官柱溫度· 40 C
溶離液:THF
[算術平均高度(Ra)之測定] 依據JIS B0601-2001實施測定。測定裝置使用Tencor公 司製造之P-ll(接觸式)。 實施例1 使丙烯酸曱酯70重量份、丙烯酸丁酯30重量份以及丙烯 酸5重量份於醋酸乙基酯中共聚合,從而獲得包含數平均 鲁 分子量80萬之丙烯酸系聚合物之溶液。於該溶液中添加二 季戊四醇六丙烯酸酯(KAYARAD DPHA、曰本化藥株式會 社製造)60重量份、自由基聚合開始劑(IRGACURE 65 1、 千葉特殊化學公司製造)5重量份以及聚異氰酸酯化合物 (COHONET L、曰本聚胺基甲酸酯公司製造)3重量份,調 製出紫外線固化型丙烯酸系黏著劑。 將上述黏著劑塗布於軟質氣乙烯膜(厚度8〇 之單面 上,加熱乾燥後形成紫外線固化型黏著劑層(厚度5 。 其後’將隔離物(Toray公司製造、rumirer m㈣、於
黏著劑層貼合面上已施行剝離處理且厚度38 _之聚酿 貼上述黏著劑層上,從而製造出積層片。上述軟, 乙烯膜之未與黏著劑声接 層接觸之表面鼻術平均高度(Ra /2 μηι 〇 又,μ 、+、疗一从" 術平&物之未與黏著劑層接觸之表茂 術千均尚度(Ra)為ο.03μιη。 而且 將已製作 之積層片卷成滾筒狀作為 積層片滾筒, 98243.doc -22- 200533450 以50 C實打24小時加熱處理。加熱處理之後,自積層片滾 笱切出雷射切告J用黏著片(縱1〇〇 ^^^^橫1〇〇 mm),測定軟 質氯乙稀膜之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度 (Ra) ’則其最小值為〇 48 。 將該黏著片貼合於矽晶圓之研磨面(背面)上,使用雷射 顯微鏡觀察貼合於矽晶圓上之黏著片之基材表面,則未存 有寬度(W)20 mm以下且高度(hy μιη以上之凸部以及寬度 (W)2〇mm以下且深度(d)1 μιη以上之凹部。 實施例2 使丙烯酸丁酯70重量份、丙烯酸2_乙基己酯3〇重量份以 及丙烯酸5重量份於曱苯中共聚合,從而獲得包含數平均 分子量70萬之丙烯酸系聚合物之溶液。於該溶液中添加對 苯二甲酸二辛醋30重量份以及聚異氰酸酯化合物 (CORONET L、日本聚胺基曱酸酯公司製造重量份,調 製出紫外線固化型丙烯酸系黏著劑。 將上述黏著劑塗布於軟質氯乙烯膜(厚度7〇 μηι)之單面 上’加熱乾燥後形成紫外線固化型黏著劑層(厚度1〇 。 其後’將隔離物(Toray公司製造、RUMIRER S-10 #50、於 黏著劑層貼合面上已施行剝離處理且厚度38 ^瓜之聚酯膜) 貼合於上述黏著劑層上從而製造出積層片。上述軟質氯乙 烯膜之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度(Ra)為〇·58 μιη。 又,於上述隔離物之未與黏著劑層接觸之表面上,於貼附 鈿藉由噴沙處理從而形成有凹凸。該表面算術平均高度 (Ra)為 〇·33 μιη。 98243.doc -23- 200533450 而且’將所製作之積層片卷成滾筒狀作為積層片滾筒, 以5(TC實行24小時加熱處理。加熱處理後,自積層片滚筒 上切出雷射切割用黏著片(縱1〇〇卿橫1〇〇勢測定軟 質氯乙烯膜之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度 (Ra) ’則其最小值為〇 44 。 將該黏著片貼合於矽晶圓之研磨面(背面)上,使用雷射 顯微鏡觀察貼合於矽晶圓上之黏著片之基材表面,則未存 有寬度(W)20 mm以下且高度㈨i㈣以上之凸部以及寬度 (W)20mm以下且深度(d)1 μηι以上之凹部。 又 實施例3 /藉^與實施例1同樣之方法調製出紫外線固化型丙稀酸 系黏著劑。將該黏著劑塗布於單面上已施行電暈處理之聚 0^烯:^系膜(厚度80㈣之該表面±,加熱乾燥後形成紫外 線固化型黏著劑層(厚度5㈣。其後,將隔離物(丁〇叩公 司製造、RUMIRER S-10 #5〇、於黏著劑層貼合面上已施 打剝離處理且厚度38 之聚酯膜)貼合於上述黏著劑層 上,從而製造出雷射切割用黏著片。上述聚^稀煙系膜之 未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度(Ra)為G55 又,上述隔離物之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度 (Ra)為 0.03 /πη 〇 將該黏著片(縱1〇〇 mm>^fl〇〇 mm)貼合於矽晶圓之研磨 面(背面)上,使用雷射顯微鏡觀察貼合於矽晶圓上之黏著 片之基材表面,則未存有寬度(w)20 mm以下且高度(h)1 /xm以上之凸部以及寬度(w)2〇 mm以下且深度(幻1 一㈤以上 98243.doc -24- 200533450 之凹部。 實施例4 藉由與属施例2同樣之方法調製出紫外線固化型丙烯酸 系钻著剡。將該黏著劑塗布於單面上已施行電暈處理之 EVA膜(厚度115 之該表面上,加熱乾燥後形成紫外線 =型黏著劑層(厚度1G㈣。其後,將隔離物(TGray公司 製仏RUMIRER S-10 #50、於黏著劑層貼合面上已施行 IJ離地理且厚| 3 8牌之聚g旨膜)貼合於上述黏著劑層上, 攸而製&出雷射切割用黏著片。上述EVA膜之未與黏著劑 層接觸之表面算術平均高度⑽為0.53㈣。又,上述隔離 物之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度㈣為請脾。 將忒钻著片(縱1〇〇❾㈤“黃1〇〇 貼合於矽晶圓之研磨 面(背面)上,使用雷射顯微鏡觀察貼合於矽晶圓上之黏著 片之基材表面,則未存有寬度W20 mm以下且高度⑻i师 以上之凸部以及寬度(w)2〇麵以下且深度⑷ι _以上之 凹部。 比較例1 /藉由★與實施例1同樣之方法調製出紫外線固化型丙烯酸 系黏者劑。將上述黏著劑塗布於軟質氯乙烯膜(厚度⑽ /xm)之單面上’加熱乾燥後形成紫外線固化型黏著劑層(厚 度5㈣其後,將隔離物(T〇ray公司製造、^ 1〇 #50、於黏著劑層貼合面上已施行剝離處理且厚度%㈣ 之聚酯膜)貼合於上述黏著劑層上從而製造出積層片。上 述軟質氣乙稀膜之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度 98243.doc 200533450 (Ra)為〇·32 μιη。又,上述隔離物之未與黏著劑層接觸之表 面算術平均高度(Ra)為〇.〇3 。 而且,將所製作之積層片卷成滾筒狀作為積層片滾筒, 以5(TC實行24小時加熱處理。加熱處理後,自積層片滾筒 上切出雷射切割用黏著片(縱1〇〇 1〇〇 mm),測定軟 質氯乙烯膜之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度 (Ra),則其最小值為〇 2〇 μηι。 將该黏著片貼合於矽晶圓之研磨面(背面)上,使用雷射 顯微鏡觀察貼合於矽晶圓上之黏著片之基材表面,則各存 有一個寬度(W)20 mm以下且高度(h)1 μπι“上之凸部以及 寬度(W)20 mm以下且深度(幻1 以上之凹部。 比較例2 猎由與實施例2同樣之方 …μ私叫小/丨、%凹尘内輝
系黏著劑。將該黏著劑塗布於單面上已施行電暈處理 EVA膜(厚度】15㈣之該表面上,加熱乾燥後形成紫外 固化型黏著劑層(厚度1〇㈣。其後,將隔離物(〜公 裝&、RUMIRER S-10 #50、於黏著劑層貼合面上已施 剝離處理且厚度38 μηι之聚酯膜)貼合於上述黏著劑層上 裏le出積層片。上述EVA膜之未與黏著劑層接觸之表 算術平均高度(Ra)為〇34上述隔離物之未與黏 劑層接觸之表面算術平均高度⑽)為0.03脾。 以To。二將所製作之積層片卷成滾筒狀作為積層片滾筒 貫行24小時加熱處理。加熱處理後,自積層片滾 切出雷射切割用黏著片(縱1〇〇 _橫⑽岭測〕 98243.doc -26- 200533450 觸之表面算術平均高度(Ra),則 EVA膜之未與黏著劑層接 其最小值為0.18 μχη。 將5亥黏者片貼合於石夕θ圓 夕曰曰固之研磨面(背面)上,使用雷射 顯微鏡觀察貼合於矽晶圓 日日_上之黏者片之基材表面,則各存 有一個寬度(W)20 下且古 A广丘回度(h)l μηι以上之凸部以及 寬度(W)20 mm以下且深声μ、】 且冰度(d)l μηι以上之凹部。 參考例1 藉由與實施例1同樣之方法調製出紫外線固化型丙稀酸 系黏著劑。將該黏著劑塗布於單面上已施行電暈處理之聚 乙烯膜(厚度80㈣之該表面上,加熱乾燥後形成紫外線 固化型黏著劑層(厚度5㈣。其後,將隔離物伽叮公司 製造、RUMIRER S]〇 #5〇、於黏著劑層貼合面上已施行 剝離處理且厚度38 之聚酯膜)貼合於上述黏著劑層上, 從而製造出雷射切割用黏著片。上述聚乙烯膜之未與黏著 劑層接觸之表面算術平均高度(Ra)為〇·68厂㈤。又,上述隔 離物之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度(Ra)為 0.03 μχη。 將该黏著片(縱1〇〇㈤㈤“黃1〇〇 mm)貼合於矽晶圓之研磨 面(背面)上,使用雷射顯微鏡觀察貼合於矽晶圓上之黏著 片之基材表面,則未存有寬度(W)20 mm以下且高度(h)l /xm以 上之凸部以及寬度(W)20 mm以下且深度(d)l μηι以上之凹部。 [評估試驗] 使用於實施例、比較例及參考例中所製作之黏著片,實 行下述評估試驗。 98243.doc -27- 200533450 (1)拉伸試驗 將所製作之黏著片切斷為寬度1〇 mni、長度1〇〇 mnl之大 小,藉由TENSILON拉伸試驗機測定拉伸時之應力。拉伸 速度為 300 mm/min。 其結果為,於實施例丨至4以及比較例丨、2之黏著片中, 可獲得相應於拉伸量而應力增加之右部上升之s_s曲線。 另一方面,於參考例丨之黏著片中,將會產生部分應力下 降之所謂頸縮性。
(2)擴張試驗 圓(厚度50 μιη)之研磨面 雷射係使用波長1064 mni 將所製作之黏著片貼合於矽晶 (背面)上,使用雷射切割矽晶圓。 —々、〜/日日圓Π部座生琢 點。其後’使用擴張ϋ將石夕晶圓擴張2〇丽。其结果為 於實施例1至4中,各個元件小片均得以整齊分割,於, 例卜2中存有一部分未分割之元件小片。於參考例㈠ 基材裂開從而造成元件小片無法回收。
【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之雷射切 圖2係表示半導體晶圓之切 【主要元件符號說明】 割用黏著片之剖面概略圖 割方法示例的概略圖。 基材 黏著劑層 隔離物 雷射切割用黏著片 98243.doc -28- 200533450 5 半導體晶圓 6 吸附台 7 雷射光 8 保護片 9 切割框架 98243.doc
Claims (1)
- 200533450 十、申請專利範圍: 1. -種雷射切割用黏著片’其係於藉由雷射光之光吸收切 除而於被加工物内部言免置改性區域且加以冑片化時所使 用者’其特徵在於:上述黏著片於基材之單面上至少含 有黏著劑層,至少於未與黏著劑層接觸之基材表面上未 存有寬度(w)2〇 _以下且高度(h)1师以上之凸部以及 寬度(w)20mm以下且深度⑷i _以上之凹部。 2. 如請求項1之雷射切割用黏著片’其中形成上述黏著劑 層之黏著劑係放射線固化型黏著劑。 3·如請求項1之雷射切割用黏著片,其中上述基材未具有 頸縮性。 W ^求員1之田射切割用黏著片,其中上述基材含有聚 氣乙烯作為樹脂成分。 5 ·如明求項1之雷射切割 上設有隔離物。 +者片’其中於上述黏著劑層 方法,:Ή至4中任一項之雷射切割用黏著片之製造 厚、、特徵在於:對於至少於基材之 劑層之積層片未施行加熱處理。 又有黏者 7· 之雷射切割用黏著片之製造方法,其中包含 步驟:於基材之單面上設 : 黏著劑層上設置隔離物而製作…义之步驟於该 片卷成滚筒狀從而製作滾筒狀積=之步驟,將該積層 該滾筒狀積M片之步驟,以及對於 積層片鈀仃加熱處理之步驟。 8.如請求項7之雷射切割用黏著片之製造方法,其中上述 98243.doc 200533450 基材之未與黏著劑層接觸之表面算術平均高度Ra為 以上 0.4 μπι 9. 10. 如請求項7或8之雷射切割用黏荖 w用筘者片之製造方法,其中上 述隔離物之未與黏著劑層接觸之 造 衣曲為無光澤或凹凸構 一種元件小片之製造方法,並 ^ . s ”特徵在於包含如下步驟: 將钼求項1至5中任一項之雷射 nL 7 用^者片之黏荖劑® 貼附於被加工物單面上之牛 θ ^ 步驟’照射雷射光而於被加工 物内部形成改性區域之步驟,_ 、被加工 飞<乂驟,猎由擴張雷射切 片而使被加工物個片化之步 〇 钻者 门Κ〈,驟,以及自經過 加工物上剝離雷射切割用黏著片之步驟。 ? 98243.doc
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