JP6399923B2 - 板状物のレーザー加工方法 - Google Patents
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Description
基材フィルムの裏面に積層される機能層は、レーザー光の照射によって溶融しない、もしくは溶融しにくい層であって、基材フィルムの溶融等によって基材フィルムがチャックテーブル等に付着しないように、基材フィルムの裏面側を保護するための層である。
金属酸化物微粒子としては、例えば、ケイ素の酸化物、スズの酸化物、アルミニウムの酸化物、ジルコニウムの酸化物などの微粒子が挙げられる。具体的には、コロイダルシリカ、コロイダルアルミナ、酸化ジルコニウム/シリカ複合ゾル、酸化スズ/シリカ複合ゾル、アンチモン酸亜鉛ゾル、リンドープ酸化スズ水分散ゾル、微小コロイダルジルコニア水性ゾル等が用いられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂(PETなど)などが挙げられ、これらの中の1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
塗料中の分散媒は、環境や安全性の点から、水性媒体とすることが望ましい。水性媒体とは、水単独、または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒である。有機溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルスルホルアミド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、γ−ブチロラクトン、イソプロパノールが挙げられる。
機能層の形成に用いる塗料は、例えば、金属酸化物微粒子と結着剤とともに、必要に応じて添加成分を配合し、これらを分散媒中で混合、分散して得ることができる。混合、分散の手段は特に限定されず、ホモジナイザー、ディゾルバー、プラネタリミキサー等の公知の混合装置を用いることができる。金属酸化物微粒子、結着剤および添加成分の合計固形分比率は、塗料全体の3〜20質量%が好ましく、より好ましくは5〜15質量%である。
機能層の厚みは、特に限定されないが、例えば0.5μm以上、好ましくは1μm以上であって、例えば10μm以下、好ましくは3μm以下、より好ましくは2μm以下程度とすることが望ましい。この範囲内の膜厚で機能層を形成することにより、基材フィルムの融解等によるチャックテーブルへの付着を、より有効に防止することができる。なお、機能層の厚みが厚すぎると(例えば10μm超)、機能層にクラックが生じやすくなる。
基材フィルムの材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、ポリアルキレングリコール系樹脂、ポリオレフィン系樹脂(ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂等)、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂等からなる高分子フィルム;銅、アルミニウム、ステンレス等の金属シート;PP、PVC、PE、PU、PS、POまたはPETなどのポリマー繊維、レーヨンまたは酢酸セルロースなどの合成繊維、綿、絹または羊毛などの天然繊維およびガラス繊維または炭素繊維などの無機繊維からなる不織布;これら材料の延伸加工、含浸加工等により物理的又は光学的な機能が付与されたシート;ジエン系(スチレン−ブタジエン共重合体、ブタジエン等)、非ジエン系(イソブチレン−イソプレン、塩素化ポリエチレン、ウレタン系等)、熱可塑性系(熱可塑性エラストマー等)等のゴム成分を含むシート;あるいはこれら1種以上を組み合わせたものなどが挙げられる。
基材フィルムの表面に積層される粘着層は、特に限定されず、例えば、紫外線、電子線等の放射線により硬化するエネルギー線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂などを含有する、当該分野で公知の粘着剤組成物を用いて形成することができる。特に、被加工物の剥離性を向上させるため、エネルギー線硬化型樹脂を用いることが好ましい。
以下、実施形態をより具体化した実施例を挙げ、さらに詳細に説明する。本実施例において「部」、「%」は、特に示さない限り重量基準である。なお、本例において、微粒子A及びB、樹脂C〜Eは次のものを用いた。
基材として厚み160μmのポリエチレンフィルムの一方の面に、下記組成の粘着層用塗布液を乾燥後の厚みが25μmとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して粘着層を形成した。次に、ポリエチレンフィルムの他方の面に、下記組成の機能層用塗布液を乾燥後の厚みが1.5μmとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して機能層を形成し、接着テープを作製した。
・アクリル系感圧接着剤 100部
(コーポニールN4823:日本合成化学社)
・イソシアネート化合物 0.44部
(コロネートL45E:日本ポリウレタン工業社)
・希釈溶剤 54部
・金属酸化物微粒子 表1記載の種類と配合量
・熱可塑性樹脂 表1記載の種類と配合量
・溶媒 表1記載の種類と配合量
波長 :355nm(YVO4パルスレーザーの第3高調波)
繰り返し周波数 :100kHz
パルス幅 :50ns
集光スポット径 :楕円形(長軸100μm、短軸10μm)
加工送り速度 :100mm/s
照射回数 :6回/1ラインでウェーハをフルカット
○:接着テープの基材がフルカットされていなかった(優れている)。
◎:接着テープのチャックテーブルに対する貼り付きは全くなく、抵抗なしに接着テープをチャックテーブルから引き上げることができた(非常に優れている)。
11 半導体ウェーハ
12 レーザービーム照射ユニット
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
16 レーザービーム発生ユニット
17 ウェーハユニット
18 集光器
19 基材フィルム
20 撮像ユニット
21 粘着層
23 機能層
25 レーザー加工溝
T 接着テープ
F 環状フレーム
Claims (3)
- 板状物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された板状物にレーザービームを照射するレーザービーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備えたレーザー加工装置によって板状物にレーザー加工溝を形成する板状物の加工方法であって、
板状物を収容する開口部を有する環状フレームに、基材フィルムの一方の面に粘着層が積層され、他方の面に金属酸化物微粒子と結着剤としての熱可塑性樹脂のエマルション粒子と分散媒とを含み該基材フィルムとは反対面の表面粗さが0.2μm以上1.5μm以下である機能層が積層された接着テープを貼着して、該環状フレームの開口部に位置づけられた板状物を該接着テープに貼着して、板状物を該接着テープを介して環状フレームで支持する支持工程と、
該接着テープを介して該環状フレームで支持された板状物を該チャックテーブルに載置して保持する保持工程と、
該保持工程を実施した後、該レーザービーム照射手段で板状物にレーザービーム照射しつつ、該加工送り手段によって該チャックテーブルと該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りして板状物にレーザー加工溝を形成する加工溝形成工程と、
を備えたことを特徴とする板状物のレーザー加工方法。 - 前記レーザービーム照射手段は、300〜400nmの波長のレーザービームを板状物に照射する請求項1記載の板状物のレーザー加工方法。
- 前記レーザー加工溝は、前記接着テープに至る深さに形成される請求項1又は2記載の板状物のレーザー加工方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014259740A JP6399923B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 板状物のレーザー加工方法 |
US14/966,261 US10537967B2 (en) | 2014-12-24 | 2015-12-11 | Laser processing method for plate-shaped workpiece |
DE102015225704.5A DE102015225704A1 (de) | 2014-12-24 | 2015-12-17 | Laserbearbeitungsverfahren für plattenförmiges Werkstück |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014259740A JP6399923B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 板状物のレーザー加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016119433A JP2016119433A (ja) | 2016-06-30 |
JP6399923B2 true JP6399923B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=56117009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014259740A Active JP6399923B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 板状物のレーザー加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10537967B2 (ja) |
JP (1) | JP6399923B2 (ja) |
DE (1) | DE102015225704A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6401043B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-10-03 | 株式会社きもと | レーザーダイシング用補助シート |
JP7318652B2 (ja) * | 2018-08-20 | 2023-08-01 | 日本ゼオン株式会社 | カットフィルムの製造方法及びカットフィルム |
CN110253171B (zh) * | 2019-06-10 | 2022-04-01 | 青岛明珠钢结构有限公司 | 一种h型钢全自动下料设备 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5276367A (en) * | 1975-12-22 | 1977-06-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Preparation of cellulose solutions |
JPS5347270A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-27 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor waver protecting film |
US4806504A (en) * | 1986-09-11 | 1989-02-21 | Fairchild Semiconductor Corporation | Planarization method |
JPH08148149A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Sanyo Electric Co Ltd | アルカリ蓄電池用非焼結式カドミウム負極 |
JP4623694B2 (ja) | 2000-12-28 | 2011-02-02 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート |
JP2003142433A (ja) | 2001-08-10 | 2003-05-16 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シートおよびダイシング方法 |
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JP2004188475A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法 |
JP2005279698A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nitto Denko Corp | レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート |
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JP4531355B2 (ja) | 2003-06-25 | 2010-08-25 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シートおよび半導体素子の製造方法 |
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JP4873843B2 (ja) | 2004-07-28 | 2012-02-08 | 日東電工株式会社 | レーザー加工品の製造方法 |
JP2006111659A (ja) | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Nitto Denko Corp | レーザー加工用粘着シート及びこれを用いたレーザー加工品の製造方法 |
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JP4850625B2 (ja) * | 2006-08-22 | 2012-01-11 | 日東電工株式会社 | レーザ加工用粘着シート |
CN101617395B (zh) * | 2007-03-01 | 2011-08-17 | 日东电工株式会社 | 热固化型芯片接合薄膜 |
JP2008235398A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの製造方法 |
JP4959422B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-06-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP5178117B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-04-10 | ユニチカ株式会社 | 放熱スラリー及びそれを用いた電子部品 |
JP5347270B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2013-11-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその制御方法 |
JP2010111829A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Unitika Ltd | スクリーン印刷用熱伝導性塗料およびそれを用いた電子部品 |
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JP5580701B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2014-08-27 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
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JP6144868B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2017-06-07 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法 |
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JP6401043B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-10-03 | 株式会社きもと | レーザーダイシング用補助シート |
-
2014
- 2014-12-24 JP JP2014259740A patent/JP6399923B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-11 US US14/966,261 patent/US10537967B2/en active Active
- 2015-12-17 DE DE102015225704.5A patent/DE102015225704A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10537967B2 (en) | 2020-01-21 |
JP2016119433A (ja) | 2016-06-30 |
US20160184934A1 (en) | 2016-06-30 |
DE102015225704A1 (de) | 2016-06-30 |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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