TWI494226B - Adhesive tape for semiconductor wafer protection - Google Patents

Description

半導體晶圓保護用黏著膠帶 技術領域

本發明有關於一種使用於氣體蝕刻程序及電漿切割程序之半導體晶圓保護用黏著膠帶。

背景技術

半導體晶圓於表面上形成電路後，將對晶圓背面側施予研削加工，並進行用於調整晶圓厚度之背面研削程序及依預定之晶片尺寸將晶圓切片之切割程序。

近年，IC卡已普及且USB記憶體容量急速提昇，伴隨所重疊晶片之片數增加，而有進而薄型化之需求。因此，迄今厚度為200μ m~350μ m左右之半導體晶片需要減薄至厚度50~100μ m或以下。

另，雖為提高功能而增加積層晶片之必要性，因而發展了晶片之薄膜化，但隨之亦增加了晶片之使用量，故需要增加單次加工所可製造之晶片數。對應於此，晶圓已大直徑化，目前則以12吋(300mm)晶圓之加工為主流。然而，為進而提昇晶片之加工效率，亦已進行18吋(450mm)晶圓加工之檢討。

圖3(a)、(b)為顯示小直徑之半導體晶圓21及大徑之半導體晶圓31上之晶片之配置圖。如圖3(a)所示，呈棋盤格狀排列晶片23之晶片配置下，可藉以往之切割刀進行切割。然而，300mm以上之晶圓直徑下，對記憶體類裝置等尺寸較大之晶片形成配線時，愈朝晶圓表面進行圖案形成，無法使用之領域將增加，而造成無法作為產品使用之晶片之增加。因此，為提昇晶片之良率，如圖3(b)所示，刻正朝於半導體晶圓31之外周部密集配置晶片33之方式進行改變。由迄今依等間隔配置晶片之方式(圖3(a))改為朝各種不同方向而非等方向配置晶片之方式(圖3(b))，故切割道(切割線)並非直線，而難以藉刀片進行直線切割。

對於上述問題，已提案一種使用雷射等而亦可就直線以外之狀況進行切割，朝半導體晶圓內部照射雷射光而選擇性地形成改質部，並形成切割線而以改質部為起點而分割半導體晶圓之所謂隱形切割法(專利文獻1)。然而，藉雷射切分晶片將使晶片受損，故尚存晶片之抗彎強度並未提高之問題。

對於上述問題，已提案一種電漿切割之方法(專利文獻2)。電漿切割乃以電漿選擇性地蝕刻未為遮罩所覆蓋之部位，而分割半導體晶圓之方法。採用上述切割方法，即可選擇性地切分晶片，乃即便切割道彎曲亦可正常進行切分之方法。且，蝕刻率極高，故近年已為最適用於晶片之切分之製程之一。然而，電漿切割時，係使用六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)等與晶圓之反應性極高之氟系氣體 作為電漿產生用氣體，並因其較高之蝕刻率而須對不進行蝕刻之面藉遮罩加以保護，且事前須以抗蝕劑或膠帶進行遮蔽。且，電漿蝕刻後將形成殘留其膜之狀態，故為去除抗蝕劑將使用大量溶劑，或無法去除抗蝕劑時將發生殘留而造成瑕疵晶片等各種問題尚未獲解決，故現下尚未普及。

又，電漿切割法將使晶圓曝置於電漿中而發熱形成高溫狀態，並發生半導體晶圓保護用黏著膠帶之加熱劣化之問題。加熱劣化後之半導體晶圓保護用黏著膠帶將於黏附體上殘留黏著劑，而喪失剝離功能，並失去半導體晶圓保護用黏著膠帶之效用。

另，近年，已新提案一種在藉前述隱形切割法而加工後，配合運用抑制對晶圓施加之能量，並控制蝕刻率之氣體群集式蝕刻法而成之加工方法。氣體群集式蝕刻法乃朝真空環境中吹入氣體而形成氣體分子之群集，並使其碰撞晶圓而進行晶圓之處理之方法(專利文獻3)。碰撞晶圓之群集對晶圓施加運動能量後，將分解成氣體分子而飛散。藉此，而可進行晶圓表面之蝕刻。在隱形切割法之加工後施予上述蝕刻處理，即可去除藉雷射而形成之改質部，並期待抗彎強度之提昇。且，氣體群集式蝕刻法使用三氟化氯(ClF₃ )作為反應氣體，Cl-F之結合極少，故無須如四氟化碳(CF₄ )等電漿產生用氣體般事前預先離子化，故對基板之損傷極少，無須藉遮罩加以保護，而可簡便地進行晶片之切分加工。

採用氣體群集式蝕刻法等之氣體蝕刻程序與電 漿切割程序相同，在進行晶圓加工時，將因晶圓與氣體分子之化學反應而伴隨發熱現象。上述發熱亦可能超過200℃，伴隨上述發熱之加工方法則須防止基材薄膜因熱而熔附於保持半導體晶圓保護用膠帶之夾盤上，或基材薄膜收縮而導致半導體晶圓受損。

先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2003-33887號公報

專利文獻2：日本專利特開2007-19386號公報

專利文獻3：日本專利特開2011-171584號公報

發明概要

本發明目的即在提供一種即便在氣體蝕刻程序及電漿切割程序曝置於高溫中，亦不致熔附於夾盤上或過度收縮之具備耐熱性及耐熱收縮性之半導體晶圓保護用黏著膠帶。

為達成上述目的，而提供如下之發明。

(1)一種半導體晶圓保護用黏著膠帶，其特徵在於包含基材薄膜及基材薄膜之單面上形成之黏著劑層，且前述基材薄膜於未形成有前述黏著劑層之側的最外層具有含已硬化之樹脂之鑄膜層，令在使直徑3.0mm之SUS304製之探針接觸測定試樣時之速度為30mm/min，接觸載重為100gf，接 觸時間為1秒之條件下，依600mm/min之剝離速度朝上方剝除探針時之藉探針試驗所測得之前述鑄膜層之黏著力的峰值在200℃下為100kPa以下。

(2)如(1)記載之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其特徵在於前述基材薄膜僅由鑄膜層所構成。

(3)如(1)或(2)記載之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其特徵在於前述鑄膜層含有已硬化之丙烯酸系共聚物或聚酯樹脂。

(4)如(1)~(3)中任一記載之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其特徵在於前述鑄膜層由已藉硬化劑或放射線而硬化之丙烯酸系共聚物所構成。

(5)如(1)~(4)中任一記載之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其特徵在於斷裂強度為0.5N/mm以上，斷裂延伸率為200%以上。

(6)如(1)~(5)中任一記載之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其特徵在於令在使直徑3.0mm之SUS304製之探針接觸測定試樣時之速度為30mm/min，接觸載重為100gf，接觸時間為1秒之條件下，依600mm/min之剝離速度朝上方剝除探針時之藉探針試驗所測得之前述黏著劑層之黏著力的峰值在25℃下為50~400kPa。

依據本發明，可提供即便在氣體蝕刻程序及電漿切割程序中曝置於高溫下，亦不致熔附於夾盤上或過度收縮之具備耐熱性與耐熱收縮性之半導體晶圓保護用黏著膠 帶。

1、1a‧‧‧半導體晶圓保護 用黏著膠帶

3‧‧‧基材薄膜

5‧‧‧黏著劑層

7‧‧‧鑄膜層

9‧‧‧樹脂薄膜層

11‧‧‧晶片

13‧‧‧蝕刻氣體

15‧‧‧環狀框架

17‧‧‧夾盤

21‧‧‧半導體晶圓

23‧‧‧晶片

31‧‧‧半導體晶圓

33‧‧‧晶片

圖1(a)為顯示本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1之截面圖，(b)為顯示本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1a之截面圖。

圖2說明使用本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1之氣體蝕刻程序。

圖3(a)為小直徑之半導體晶圓上之晶片之配置圖。(b)為大直徑之半導體晶圓上之晶片之配置圖。

用以實施發明之形態

以下，基於附圖詳細說明本發明之實施形態。

圖1(a)為顯示本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1之截面圖，圖1(b)為顯示本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1a之截面圖。

半導體晶圓保護用黏著膠帶1包含基材薄膜3及設於基材薄膜3上之黏著劑層5。另，各層亦可配合使用程序及裝置而預先分割(預切)成預定形狀。進而，本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1亦可為已分別分割成晶圓一片大小之形態，或將長形之薄片捲束成筒狀之形態。以下，即說明各層之構造。

<基材薄膜>

基材薄膜3於未形成有黏著劑層5之側之最外層設有含有已硬化之樹脂之鑄膜層7。且，圖1(a)中，雖顯示積層有 鑄膜層7與樹脂薄膜層9之基材薄膜3，但僅限最外層為鑄膜層7，則亦可對基材薄膜3積層樹脂薄膜層9以外之樹脂層。

鑄膜層乃塗刷樹脂組成物而成之層。鑄膜層7使用可藉交聯而具有三次元網格構造之樹脂，故曝置於高溫下亦不易軟化，而不易熔附於夾盤上。且，鑄膜層7藉塗刷而形成，故殘餘應力較少，曝置於高溫下亦少發生熱收縮，且不易發生氣體蝕刻程序中之晶片位置偏移。

另，如圖1(b)所示，亦可使用基材薄膜3僅由鑄膜層7所構成，並於鑄膜層7之單面側設有黏著劑層5之半導體晶圓保護用黏著膠帶1a。基材薄膜3僅由鑄膜層7所構成時，基材薄膜3之整體均由鑄膜層所構成，故半導體晶圓保護用黏著膠帶1a與使用積層有樹脂薄膜層9與鑄膜層7之基材薄膜3之半導體晶圓保護用黏著膠帶1相較，可構成熱收縮率較低之黏著膠帶。半導體晶圓保護用黏著膠帶1a之熱收縮率較低，故在曝置於高溫下之氣體蝕刻程序中，亦不易發生黏附體之晶片位置之偏移，且不易發生彎曲收縮。

又，鑄膜層7之黏著力在200℃時為100kPa以下，50kPa較佳，30kPa以下則更佳。此之黏著力乃藉探針試驗而測得之黏著力之峰值。鑄膜層7之黏著力在200℃時若超過100kPa，則在氣體蝕刻程序等中加熱時，容易附著於夾盤上。

又，鑄膜層7之黏著力在25℃時宜為20kPa以下。鑄膜層7之黏著力在25℃時若超過20kPa，將不易在常溫下自夾盤剝除。且，將黏著膠帶捲筒化時可能發生沾黏。

樹脂薄膜層9雖無特別之限制，但使用之樹脂可列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物等之α-烯之均聚物或共聚物或者其等之混合物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等之工程塑膠、聚胺甲酸酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等之熱塑性彈性體等。

基材薄膜3之厚度宜為50~200μ m。

又，基材薄膜3為樹脂薄膜層9與鑄膜層7之積層時，鑄膜層7之厚度宜為5~100μ m，5~50μ m則更佳。

僅以鑄膜層7構成基材薄膜時，鑄膜層7之厚度宜為50~200μ m，50~100μ m則更佳。

樹脂薄膜層9之厚度雖無特別之限制，但一般通常在50~150μ m之範圍內。

鑄膜層7宜由塗刷丙烯酸系共聚物或聚酯樹脂組成物，進而藉硬化劑或放射線而硬化者所構成。與藉擠製法而形成，進而藉伸展程序而薄膜化之伸展薄膜相較，藉塗刷而形成之鑄膜層7之殘餘應力較少，曝置於高溫下亦較少熱收縮。且，本實施形態之鑄膜層7因交聯而具有三次元網格構造，200℃下之黏著力較小，故曝置於高溫下亦不致熔附於夾盤上。

又，半導體晶圓保護用黏著膠帶1及1a之斷裂強度宜為0.5N/mm以上，斷裂延伸率宜為200%以上。具備上述特性，即不致在對半導體晶圓進行貼附及剝離時引起破 裂等問題。

(構成鑄膜層之樹脂)

鑄膜層7由已硬化之樹脂所形成，尤其乃由丙烯酸系共聚物或聚酯樹脂硬化而成之樹脂所形成。丙烯酸系共聚物或聚酯樹脂並無特別之限制，可使用能量線硬化型樹脂、硬化劑硬化型樹脂或熱固性樹脂等，宜使用能量線硬化型樹脂或硬化劑硬化型之樹脂。使用能量線硬化型樹脂時，則於塗布後照射能量線而使樹脂硬化。使用硬化劑硬化型樹脂時，則對樹脂添加交聯劑，並於塗布、乾燥後予以熟化而使其硬化。使用熱固性樹脂時，則於塗布後予以加熱而使樹脂硬化。

積層鑄膜層7與樹脂薄膜層9時，可列舉對樹脂薄膜層9塗布硬化型樹脂，並使其硬化之方法，以及藉接著劑等而接著已硬化之鑄膜之方法等。形成未積層之鑄膜層7時，則於剝離性之薄膜上塗布硬化型樹脂後，使其硬化，再自薄膜加以剝離，即製得鑄膜層7。

(丙烯酸系共聚物)

用於形成鑄膜層7之丙烯酸系共聚物並無特別之限制，諸如使用能量線硬化型樹脂時，可為以丙烯酸系黏著劑與能量線聚合性化合物為主成分而組成者。該等丙烯酸系黏著劑及能量線聚合性化合物則可具體應用以下所列舉者。

丙烯酸系黏著劑之成分為(甲基)丙烯酸系共聚物及硬化劑。(甲基)丙烯酸系共聚物可列舉諸如以(甲基)丙 烯酸酯為共聚物構成單位之共聚物，(甲基)丙烯酸酯與官能單體之共聚物及該等共聚物之混合物等。該等共聚物之分子量則就基材薄膜之延展性而言，適用重量平均分子量為1萬~20萬左右之低分子量者。

又，硬化劑乃用於與(甲基)丙烯酸系共聚物所包含之官能基反應以調整黏著力及內聚力者。舉例言之，可列舉1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)甲苯、1,3-雙(N,N-二縮水甘油氨甲基)苯、N,N,N,N'-四縮水甘油基間二甲苯二胺等之分子中含有2個以上之環氧基之環氧化合物、2,4-二異氰酸甲伸苯酯、2,6-二異氰酸甲伸苯酯、1,3二異氰酸二甲苯酯、1,4二異氰酸二甲苯酯、二苯甲基-4,4-二異氰酸酯等之分子中含有2個以上之異氰酸基之異氰酸系化合物、四羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等之分子中含有2個以上之氮丙啶基之氮丙啶系化合物等。硬化劑之添加量可對應所需之黏著力而調整，對(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份添加0.1~5.0質量份即屬適當。

另，使用硬化劑硬化型樹脂時，為抑制黏著力及確保作為薄膜之強度及延伸度，宜相對於可與(甲基)丙烯酸系共聚物中之硬化劑反應之官能基添加等量程度之硬化劑，諸如對(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份添加2.0~30質量份即屬適當。

能量線硬化型樹脂一般乃以前述丙烯酸系黏著 劑與能量線聚合性化合物為主成分而組成。能量線聚合性化合物則廣泛使用諸如於可藉紫外線之照射而立體網狀化之分子內至少含有2個以上之光聚合性碳-碳雙鍵之低分子量化合物。具體而言，可廣泛應用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯及寡酯丙烯酸酯等。

又，丙烯酸系黏著劑除上述之丙烯酸酯系化合物以外，亦可使用丙烯酸胺酯系低聚物。丙烯酸胺酯系低聚物乃對由聚酯型或聚醚型等之聚醇化合物與多價異氰酸酯化合物(諸如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲基4,4-二異氰酸酯等)反應而得之末端異氰酸酯胺甲酸乙酯預聚物，使含有羥基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(諸如2-丙烯酸羥乙酯、2-甲基丙烯酸羥乙酯、2-丙烯酸羥丙酯、2-甲基丙烯酸羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)與其反應而製得。

能量線硬化型樹脂中之丙烯酸系黏著劑與能量線聚合性化合物之調配比例為對丙烯酸系黏著劑100質量份添加能量線聚合性化合物50~200質量份，而以在50~150質量份之範圍內調配為佳。上述調配比例之範圍內，可在能量線照射後大幅降低能量線硬化型樹脂之黏著力。

進而，能量線硬化型樹脂亦可以丙烯酸系黏著劑本身 作為能量線聚合性丙烯酸酯共聚物，而非如上般對丙烯酸系黏著劑調配能量線聚合性化合物。

又，藉能量線使能量線硬化型樹脂聚合時，可併用光聚合起始劑，諸如安息香異丙醚、安息香異丁醚、二苯基酮、米其勒酮、氯噻噸酮、苄基甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥甲基苯丙烷等。於能量線硬化型樹脂中添加其等中至少1種，即可有效率地進行聚合反應。另，此之所謂能量線意指紫外線等光線或電子束等游離能量射線。

(聚酯樹脂)

用於形成鑄膜層7之聚酯樹脂並無特別之限制，舉例言之，使用硬化劑硬化型樹脂時，則以硬化劑硬化型之聚酯樹脂組成物與硬化劑為主成分而組成之。

硬化劑硬化型聚酯樹脂組成物乃含有包含可與硬化劑反應之官能基之聚酯樹脂之組成物，可適當使用含有羥基之聚酯多元醇。

又，硬化劑乃用於與硬化劑硬化型聚酯樹脂組成物中含有之官能基反應以調整黏著力及內聚力者。可適當使用於前述分子中含有2個以上之異氰酸基之異氰酸酯系化合物。

<黏著劑層>

黏著劑層5可藉對基材薄膜3塗刷黏著劑而形成。構成本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1之黏著劑層5具有在氣體蝕刻程序時不致與晶片發生剝離程度之保持性即 可。且，宜為釋氣較少者以避免加熱時汙染晶圓及裝置。

尤其，照射能量線等前之黏著劑層5之黏著力在25℃時宜為50~400kPa。上述之黏著力則可避免黏著物之半導體晶圓及晶片之間發生剝離。

本實施形態中，構成黏著劑層5之黏著劑之組成雖無特別之限制，但為提昇剝離性，宜具備能量線硬化性，並宜為硬化後可輕易與晶片21剝離之材料。具有能量線硬化性之黏著劑諸如可使用形成鑄膜層7時所使用之以丙烯酸系黏著劑與能量線聚合性化合物為主成分而組成者。使用能量線硬化性之黏著劑時，為提昇耐熱性，亦可在氣體蝕刻程序前施予能量線硬化。

(用途)

本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1可適用於對藉隱形切割程序而切片後之晶片藉氣體而進行之蝕刻處理程序。

(氣體蝕刻程序)

本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1應用於氣體蝕刻程序時之膠帶之使用方法則參照圖2加以說明。

圖2為顯示藉隱形切割程序而對半導體晶圓已切片而成之晶片11藉蝕刻氣體13而進行蝕刻之氣體蝕刻程序之截面圖。如圖2所示，環狀框架15上固定之半導體晶圓保護用黏著膠帶上固定有半導體晶圓已藉隱形切割程序而切片後之多數晶片11。且，晶片11已為夾盤17所保持。然後，照射蝕刻氣體13，並蝕刻晶片11之露出面。

藉氣體蝕刻程序，可去除晶片切分面上殘留之因雷射光而形成之改質領域。改質領域已易於破碎，故若改質領域殘留於晶片11上，晶片11將自改質領域開始破裂。去除晶片11表面之改質領域及凹凸部分，即可提高晶片11之抗彎強度。氣體蝕刻則例舉於已減壓至1kPa左右之處理室內，依0.3~2.0MPa之壓力吹送已加熱至200℃之三氟化氯(ClF₃ )氣體之方法。

此時，將藉照射已加熱之蝕刻氣體13，或於蝕刻氣體13與晶片11之間發生化學反應，而加熱半導體晶圓保護用黏著膠帶1。接觸夾盤17之部位雖藉朝夾盤17中循環冷卻水而冷卻，但未接觸夾盤17之部位及發熱大於冷卻能力時，半導體晶圓保護用黏著膠帶1亦可能被加熱至200℃左右。

(本實施形態之效果)

本實施形態中，接觸夾盤17之鑄膜層7即便加熱至200℃，黏著力依然在預定值以下，故本實施形態之半導體晶圓保護用黏著膠帶1可進行氣體蝕刻而不致熔附於夾盤17上。

又，本實施形態中，基材薄膜3設有鑄膜層7，故半導體晶圓保護用黏著膠帶之熱收縮率較小，而可於氣體蝕刻程序中，避免晶片位置偏移及晶片彼此接觸。

尤其，本實施形態中，僅以鑄膜層形成基材薄膜時，半導體晶圓保護用黏著膠帶之熱收縮率更小。

【實施例】

其次，為進而闡明本實施形態之效果，將就實施例及比較例加以詳細說明，但本發明不受限於該等實施例。

[半導體晶圓保護用黏著膠帶之製作]

(1)基材薄膜之製作

(鑄膜A與樹脂薄膜A之積層薄膜)

使用住友化學出品之乙烯甲基丙烯酸甲酯(EMMA)樹脂「ACRYFT WD201(商品名)」，並藉T字模法而成形厚100μ m之樹脂薄膜A。

將紫外線硬化型丙烯酸系共聚物A塗刷於剝離薄膜上並使其乾燥後之厚度為30μ m，再予以貼合樹脂薄膜A，並照射紫外線而使其硬化，即製得總厚度130μ m之樹脂薄膜A與鑄膜A之積層薄膜。

紫外線硬化型丙烯酸系共聚物組成物A之組成如下。

前述之丙烯酸酯共聚物及放射線聚合性化合物則如以下所述。

丙烯酸酯共聚物：共聚2-丙烯酸乙基己酯、甲基丙烯酸酯、2-丙烯酸羥乙 酯而得，重量平均分子量為10萬，玻璃轉化溫度為-10℃之共聚物。

放射線聚合性化合物：重量平均分子量為1100之環氧丙烯酸酯低聚物。

(鑄膜B)

將硬化劑硬化型聚酯樹脂組成物塗刷於剝離薄膜上並使其乾燥，再與其它剝離薄膜貼合後，予以熟化一周，並於硬化後自剝離薄膜加以剝除，而製得薄膜狀之鑄膜B。鑄膜B之乾燥後之厚度為70μ m。

硬化劑硬化型聚酯樹脂組成物之組成如下。

(樹脂薄膜B)

使用100μ m之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(Teijin DuPont Films公司出品，G2：商品名)作為樹脂薄膜B。

(2)黏著劑組成物A之製備

朝溶媒之甲苯400g中，在2小時內滴下2-丙烯酸乙基己酯446.5g、甲基丙烯酸甲酯45g、甲基丙烯酸3.4g、作為聚合反應起始劑之過氧化苯甲醯0.5g之混合液，同時在100℃之溫度下進行反應4小時而製得含有官能基之聚合物(2)之溶液。接著，對該聚合物(2)添加2-甲基丙烯酸羥乙酯5.1g及作為聚合抑制劑之氫醌0.1g以作為含有光聚合性碳-碳雙 鍵及官能基之化合物(1)，並於120℃之溫度下反應6小時後，以醋酸加以中和，而製得化合物(A)之溶液。相對於該化合物(A)溶液中之化合物(A)100質量份，將聚異氰酸酯(Nippon Polyurethane公司出品：CORONATEL)(B)1質量份、光聚合起始劑(Nihon Ciba-Geigy公司出品Irgacure 184)0.5質量份加入化合物(A)溶液中加以混合，即製備成丙烯酸系能量線硬化性黏著劑組成物A。

<第1實施例>

朝鑄膜A與樹脂薄膜A積層而成之薄膜之樹脂薄膜A側塗布已製備之黏著劑組成物A並予以乾燥，即製成半導體晶圓保護用黏著膠帶。

<第2實施例>

朝鑄膜B塗布黏著劑組成物A並予以乾燥，即製成半導體晶圓保護用黏著膠帶。

<第1比較例>

朝樹脂薄膜A塗布黏著劑組成物A並予以乾燥，而製成半導體晶圓保護用黏著膠帶。

<第2比較例>

朝樹脂薄膜B塗布黏著劑組成物A並予以乾燥，而製成半導體晶圓保護用黏著膠帶。

[半導體晶圓保護用黏著膠帶之物性與評價]

(1)黏著力之測定

使用RHESCA Corporation之黏性試驗機TAC-II進行測定。測定模式則採用加壓探針至設定之加壓值，並保持加 壓值至設定之時間經過為止，而持續進行控制之Constant Load。剝離隔片後，以未形成黏著劑層之側朝上而將基材薄膜置於載板上，並自上側以直徑3.0mm之SUS304製之探針接觸之。使探針接觸測定試樣時之速度為30mm/min，接觸載重為100gf，接觸時間為1秒。然後，以600mm/min之剝離速度朝上方剝除探針，並測定剝除所需之力，而以其峰值為黏著力。使黏著力對應所欲測定之溫度，而諸如將200℃時之黏著力之探針及板溫設為200℃。

(2)氣體蝕刻程序之評價

對直徑6吋而厚100μ m之鏡面晶圓貼合半導體晶圓保護用黏著膠帶，並自晶圓面依10mm見方而加以切割(對基材之切口深度20μ m)成6吋晶圓後，再於真空處理室內，將半導體晶圓保護用黏著膠帶吸附於夾盤上，並進行ClF₃ 之氣體蝕刻30秒。另，此時朝夾盤內流入70℃之溫水，而進行半導體晶圓保護用黏著膠帶及晶圓之冷卻。本程序後則進行是否可自夾盤輕易剝離黏著膠帶之評價。

表中之○、×意義如下。

「○」：氣體蝕刻程序後，可自夾盤輕易剝離黏著膠帶。

「×」：氣體蝕刻程序後，無法自夾盤輕易剝離黏著膠帶，或黏著膠帶已斷裂、熔融。

(3)晶片之位移評價

氣體蝕刻評價已評為可進行加工並自夾盤剝離膠帶者，藉光學顯微鏡各就5部位進行切割所致之晶片間隔是否 於氣體蝕刻程序中偏移之確認。舉例言之，相對於切割所致之切口寬度25μ m，氣體蝕刻程序後之晶片間之間隔為22μ m時，偏移為3μ m。所有部位之偏移均在±1μm以內者評為◎，且，所有部位之偏移均在±2.5μm以內者評為○，5部位中即便僅發生1部位之偏移為±2.5μm以上者亦將評為×。

(4)斷裂強度、斷裂延伸率

依1號啞鈴形狀(JIS K 6301)衝穿黏著膠帶而製成試驗片，再使用拉伸試驗裝置(JIS B 7721)加以測定。對試驗片劃記40mm之標線後，再使用拉伸試驗機測定標線間分割時之載重(拉伸強度)與伸長度。但，拉伸速度為300mm/min。

如表1所示，第1~2實施例之半導體晶圓保護用黏著膠帶中，未形成黏著劑層之側為鑄膜層A~B，最外層之黏著力即便在200℃時亦為100kPa以下，故氣體蝕刻程序中未發生黏著膠帶之基材薄膜對夾盤之熔附。

尤其，第2實施例之基材薄膜僅為鑄膜，故加熱亦較少收縮，氣體蝕刻程序中之晶片位移更少。

第1比較例則因基材薄膜之未形成黏著劑之側之最外層為樹脂薄膜A，故氣體蝕刻程序中，黏著膠帶之基材薄膜熔附於夾盤上。氣體蝕刻程序後，即難以自夾盤剝除基材薄膜。

第2比較例中，基材薄膜之未形成黏著劑之側之最外層之黏著力即便在200℃時亦為100kPa以下，但在蝕刻程序中之加熱之影響下，其則因薄膜成型時之殘餘應力而收縮，並導致黏著膠帶自夾盤懸浮，而未經夾盤進行冷卻，故已發現晶圓之變色及黏著劑之劣化。

以上，已參照附圖而說明本發明之較佳實施形態，但本發明不受限於該等例示。本技術範疇之從業人士自可在本案所揭露之技術思想範疇內構思各種變更例或修正例，其等亦當然應理解為從屬於本發明之技術範圍。

1、1a‧‧‧半導體晶圓保護用黏著膠帶

3‧‧‧基材薄膜

5‧‧‧黏著劑層

7‧‧‧鑄膜層

9‧‧‧樹脂薄膜層

Claims (6)

1. 一種半導體晶圓保護用黏著膠帶，其特徵在於包含基材薄膜及前述基材薄膜之單面上形成之黏著劑層，且前述基材薄膜於未形成有前述黏著劑層之側的最外層具有含已硬化之樹脂之鑄膜層，令在使直徑3.0mm之SUS304製之探針接觸測定試樣時之速度為30mm/min，接觸載重為980mN(100gf)，接觸時間為1秒之條件下，依600mm/min之剝離速度朝上方剝除探針時之藉探針試驗所測得之前述鑄膜層之黏著力的峰值在200℃時為100kPa以下。
2. 如請求項1之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其中前述基材薄膜僅由鑄膜層所構成。
3. 如請求項1之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其中前述鑄膜層含有已硬化之丙烯酸系共聚物或聚酯樹脂。
4. 如請求項1之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其中前述鑄膜層由已藉硬化劑或放射線而硬化之丙烯酸系共聚物所構成。
5. 如請求項1之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其中斷裂強度為0.5N/mm以上，斷裂延伸率為200%以上。
6. 如請求項1之半導體晶圓保護用黏著膠帶，其中令在使直徑3.0mm之SUS304製之探針接觸測定試樣時之速度為30mm/min，接觸載重為980mN(100gf)，接觸時間為1秒之條件下，依600mm/min之剝離速度朝上方剝除探針 時之藉探針試驗所測得之前述黏著劑層之黏著力的峰值在25℃時為50~400kPa。