JP2003142433A

JP2003142433A - ダイシング用粘着シートおよびダイシング方法

Info

Publication number: JP2003142433A
Application number: JP2002222626A
Authority: JP
Inventors: Masashi Yamamoto; 昌司山本
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2001-08-10
Filing date: 2002-07-31
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウエハ等の被切断体の歩留まりがよ
く、しかもダイシング時のチッピングの発生を防止する
ことができるダイシング用粘着シート、さらには当該ダ
イシング用粘着シートを用いたダイシング方法を提供す
ること。【解決手段】基材フィルム上に粘着剤層が設けられた
ダイシング用粘着シートにおいて、前記粘着剤層の厚み
が１〜１０μｍであり、かつダイシング用粘着シートを
シリコンミラーウエハに貼り付けた後、２３℃で１８０
°引き剥がし（引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）を行った
ときの粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以上になる貼付け温度
を有することを特徴とするダイシング用粘着シート。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイシング用粘着
シートおよび当該ダイシング用粘着シートを用いたダイ
シング方法に関する。本発明のダイシング用粘着シート
は、半導体ウエハなどを素子小片を切断分離（ダイシン
グ）する際に、当該半導体ウエハなどの被切断体を固定
するために用いる半導体ウエハダイシング用粘着シート
として特に有用である。例えば、本発明のダイシング用
粘着シートは、シリコン半導体ダイシング用粘着シー
ト、化合物半導体ウエハダイシング用粘着シート、半導
体パッケージダイシング用粘着シート、ガラスダイシン
グ用粘着シートなどとして使用できる。

【０００２】

【従来の技術】従来よりシリコン、ガリウム、砒素など
を材料とする半導体ウエハは、大径の状態で製造された
後、素子小片に切断分離（ダイシング）され、更にマウ
ント工程に移される。この際、半導体ウエハは粘着シー
トに貼付され保持された状態でダイシング工程、洗浄工
程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工
程の各工程が施される。前記粘着シートとしては、プラ
スチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等
により厚み１０〜３０μｍ程度の粘着剤層が塗布、形成
されてなり、たとえば、対シリコンミラーウエハの引き
剥がし粘着力（２３℃貼付け、２３℃引き剥がし）が
１．５〜６Ｎ／２５ｍｍ程度のものが一般的に用いられ
ている。

【０００３】前記ダイシング工程においては、回転しな
がら移動する丸刃によってウエハの切断が行なわれる
が、その際に半導体ウエハを保持するダイシング用粘着
シートの基材内部まで切込みを行なうフルカットと呼ば
れる切断方式が主流となってきている。

【０００４】しかし、フルカットで半導体ウエハを切断
する際に、ダイシング用粘着シートとして、従来の粘着
剤層の厚みが１０〜３０μｍ程度、引き剥がし粘着力が
１．５〜６Ｎ／２５ｍｍ程度の粘着シートを用いた場合
には、半導体素子（ウエハ）の裏側面にチッピングと呼
ばれる割れ（クラック）が発生する。近年、ＩＣカード
などの普及に伴って、半導体素子の薄型化が進んでお
り、半導体素子のチッピングは、半導体素子の重大な強
度低下を招き、その信頼性を著しく低下させるといった
問題があった。

【０００５】ダイシング時におけるチッピング発生のメ
カニズムは、概ね以下の通りであると推察されている。
すなわち、フルカットによる切断方式では図２に示すよ
うに、粘着シート１の基材フィルム１１の内部まで丸刃
３により切り込みが行なわれる結果、粘着剤層１２また
は基材フィルム１１が丸刃３によって圧されて回転方向
及び進行方向に変形し、その際に図２に示すように丸刃
３により切断された粘着剤層１２と半導体ウエハ２の界
面の微小部分ａで剥離が生じ、半導体ウエハ２の端部が
宙に浮く形となる結果、丸刃３の回転によって切断中の
半導体ウエハ２の切断部に不規則な振動が生じるように
なる。その被切断体の不規則な振動によって切断が正常
に行なわれず、チッピングを生じさせるものであると推
察される。

【０００６】このような問題を解決する手段として、例
えば、特開平５−３３５４１１号公報には、まず、素子
の形成された半導体ウエハにダイシングによって所定の
深さの溝を形成し、しかる後にダイシングされた溝の深
さまでバックグラインド（裏面研削）を行なうことによ
り、薄型化した半導体素子片を製造する方法（先ダイシ
ング法）が提案されている。しかし、この方法では、チ
ッピングの発生は抑えられるもの、予めダイシングによ
って半導体ウエハに数十から数百μｍの切れ込みを入れ
るため、バックグラインド工程に搬送する過程で、その
切れ込み部分で半導体ウエハが割れてしまいやすく、半
導体ウエハの歩留まりの低下を招くことになる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
従来技術の問題を解決しようとするものであり、半導体
ウエハ等の被切断体の歩留まりがよく、しかもダイシン
グ時のチッピングの発生を防止することができるダイシ
ング用粘着シートを提供することを目的とする。また本
発明は当該ダイシング用粘着シートを用いたダイシング
方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示すダイシング
方法およびダイシング用粘着シートにより、上記目的を
達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００９】すなわち本発明は、基材フィルム上に粘着
剤層が設けられたダイシング用粘着シートにおいて、前
記粘着剤層の厚みが１〜１０μｍであり、かつダイシン
グ用粘着シートをシリコンミラーウエハに貼り付けた
後、２３℃で１８０°引き剥がし（引張速度３００ｍｍ
／ｍｉｎ）を行ったときの粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以
上になる貼付け温度を有することを特徴とするダイシン
グ用粘着シート、に関する。

【００１０】上記本発明のダイシング用粘着シートは、
粘着剤層の厚みが薄く、且つダイシング時における対被
切断体の引き剥がし粘着力が強いものであり、これによ
り変形しやすい粘着剤層の変形とチップ−粘着剤層界面
の剥離を抑制または防止することで、チッピングの発生
を抑制または防止するものである。

【００１１】粘着剤層の厚みが薄くなると十分な粘着力
が確保出来なくなる傾向があることから、粘着剤層の厚
みは１μｍ以上必要である。かかる観点より粘着剤層の
厚みは３μｍ以上であるのが好ましい。一方、粘着剤層
が厚くなると、丸刃の回転による粘着剤層全体の変形量
が増加し、ブレードが切断する半導体ウエハ−粘着剤層
界面での剥離を促進することから、粘着剤層の厚みは１
０μｍ以下である。かかる観点より粘着剤層の厚みは、
さらには７μｍ以下であるのが好ましい。粘着剤層の厚
みは特に３〜７μｍであることが好ましい。

【００１２】また、ダイシング用粘着シートの引き剥が
し粘着力は、シリコンミラーウエハに貼付け、２３℃で
１８０°引き剥がし（引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）を
行ったときの粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以上である。前
記粘着力を、対シリコンミラーウエハについての粘着力
により規定しているのは、シリコンミラーウエハは表面
状態（粗さ）が安定しており客観的な被着体として適当
なこと、また材質がシリコンであり、ダイシングの対象
である被切断体と同質材料であることによる。また、通
常、ダイシングは、室温（２３℃）において行われるた
め、２３℃における粘着力を基準としている。ダイシン
グ用粘着シートの対シリコンミラーウエハの前記粘着力
は、１０Ｎ／２５ｍｍ以上、好ましくは１２Ｎ／２５ｍ
ｍ以上である。前記粘着力が低くなると、ダイシング時
に、粘着剤層が丸刃の回転によって変形した際に半導体
ウエハ−粘着剤層界面で剥離を生じやすくなる。

【００１３】前記ダイシング用粘着シートにおいて、ダ
イシング用粘着シートのシリコンミラーウエハへの貼付
け温度は、２０〜８０℃であることが好ましい。

【００１４】シリコンミラーウエハへのダイシング用粘
着シートの貼付け温度は、貼付け後に上記粘着力を示す
ものであれば特に制限されないが、ダイシング用粘着シ
ートは、通常、２０〜８０℃で被切断体に貼り付けられ
ることから、かかる温度範囲内で、シリコンミラーウエ
ハに貼り付けた後に上記粘着力を示すものが好ましい。
シリコンミラーウエハに対する上記粘着力は貼付け温度
を適宜に調整することにより、上昇させることができ
る。たとえば、常温では前記粘着力を満足できなくて
も、温度を上昇させることにより前記粘着力を満足させ
ることが可能である。

【００１５】前記ダイシング用粘着シートにおいて、ダ
イシング用粘着シートの粘着剤層は、放射線硬化型粘着
剤により形成されていることが好ましい。

【００１６】前記ダイシング用粘着シートは、引き剥が
し粘着力が高く設計されており、その後の工程でピック
アップを行ない難くなるので、放射性照射により硬化し
て粘着力を低下できる放射線硬化型粘着剤により粘着剤
層が形成されていることが好ましい。例えば、ダイシン
グ後に粘着剤層を硬化させることにより、粘着力を低下
させて、少ないストレスでチップを剥離（ピックアッ
プ）することができる放射線硬化型粘着剤は、被切断体
として薄型の半導体ウエハなどを用いる場合に特に好適
である。

【００１７】また本発明は、前記ダイシング用粘着シー
トを、被切断体に、シリコンミラーウエハに貼り付けた
後、２３℃で１８０°引き剥がし（引張速度３００ｍｍ
／ｍｉｎ）を行ったときの粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以
上になる貼り付け温度で貼り付けた後に、被切断体をダ
イシングすることを特徴とするダイシング方法、に関す
る。

【００１８】前記ダイシング用粘着シートは、被切断体
に前記粘着力以上となる貼付け温度で貼付けられ、引き
剥がし粘着力が強く被切断体を固定した状態でダイシン
グに供され、前記粘着シートによりチッピングの抑制、
防止の効果を奏する。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明のダイシング用粘着
シート１を、図１を参照しつつ詳細に説明する。図１に
示すように、本発明のダイシング用粘着シートは、基材
フィルム１１、粘着剤層１２が設けられている。また必
要に応じて粘着剤層１２上にはセパレータ１３を有す
る。図１では、基材フィルムの片面に粘着剤層を有する
が、基材フィルムの両面に粘着剤層を形成することもで
きる。ダイシング用粘着シートはシートを巻いてテープ
状とすることもできる。

【００２０】基材フィルム１１は、特に制限されるもの
ではないが、プラスチックフィルムを特に好適に用いる
ことができる。その代表的な材料として、例えば、低密
度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチ
レン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ラ
ンダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロ
ピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペ
ンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル
酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル
（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合
体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリ
エチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミ
ド、ポリエーテルケトン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、シリコーン樹
脂、セルロース系樹脂及びこれらの架橋体などのポリマ
ーがあげられる。なお、基材フィルムを構成する前記例
示にした材料は、必要に応じて官能基、機能性モノマー
や改質性モノマー等をグラフトして用いてもよい。

【００２１】基材フィルムの製膜方法は、従来より公知
の製膜方法により行なうことができる。例えば、カレン
ダー製膜、キャスティング製膜、インフレーション押出
し、Ｔダイ押出し等を好適に用いることができる。

【００２２】こうして得られる基材フィルムの厚みは、
通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程
度である。なお、基材フィルムは、単層フィルム又は多
層フィルムのいずれであってもよく、前記２種以上の樹
脂をドライブレンドしたブレンド基材であってもよい。
多層フィルムは、前記樹脂などを用いて、共押出し法、
ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製
造できる。また、基材フィルムは、無延伸で用いてもよ
く、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施してもよ
い。このようにして製膜された基材フィルムの表面に
は、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライ
マー処理、架橋処理などの慣用の物理的または化学的処
理を施すことができる。

【００２３】粘着剤層１２は、前述の通り厚み１〜１０
μｍであり、かつシリコンミラーウエハへの貼付け温度
を調整することにより、対シリコンミラーウエハの１８
０°引き剥がし（引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）粘着力
が１０Ｎ／２５ｍｍ以上になりうるものであれば特に限
定されない。このような粘着剤層の形成には公知乃至慣
用の粘着剤を適宜に選択して使用できる。粘着剤は何ら
制限されるものではないが、例えばゴム系、アクリル
系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の各種の粘
着剤が用いられる。なかでも、半導体ウエハヘの接着性
などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーと
するアクリル系粘着剤が好ましい。

【００２４】前記アクリル系ポリマーとしては、例え
ば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの重合体また
は必要に応じ凝集力、耐熱性などの改質を目的として
（メタ）アクリル酸アルキルエステルに共重合性モノマ
ーを共重合した共重合体が用いられる。なお、（メタ）
アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／ま
たはメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）と
は全て同様の意味である。（メタ）アクリル酸アルキル
エステルのアルキルエステルとしては、例えば、メチル
エステル、エチルエステル、ブチルエステル、２−エチ
ルヘキシルエステル、オクチルエステル、イソノニルエ
ステルなどがあげられる。中でも、引き剥がし粘着力の
点から、ホモポリマーでのガラス転移温度（以下、Ｔｇ
と称す）が−２５℃以上となるモノマーが主モノマーと
して好適である。かかる主モノマーを５０重量％以上含
有してしているものが好ましい。

【００２５】共重合性モノマーとしては、（メタ）アク
リル酸のヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロ
キシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒド
ロキシヘキシルエステル等）、（メタ）アクリル酸グリ
シジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無
水マレイン酸、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アク
リル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル
酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチル
アミノエチルメタクリレート、t −ブチルアミノエチル
メタクリレート等）、酢酸ビニル、スチレン、アクリロ
ニトリル等が挙げられる。これら共重合性モノマーは、
１種又は２種以上を使用できる。さらに、前記アクリル
系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなど
も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むこと
ができる。

【００２６】前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー
又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより
得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸
濁重合等の何れの方式で行うこともできる。粘着剤層は
半導体ウエハ等の汚染防止等の点から、低分子量物質の
含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系
ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さ
らに好ましくは６０万〜３００万程度である。

【００２７】前記粘着剤には、ベースポリマーであるア
クリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、架橋
剤を適宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリ
イソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化
合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミ
ン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。架
橋剤を使用する場合、その使用量は引き剥がし粘着力が
下がり過ぎないことを考慮し、一般的には、上記ベース
ポリマー１００重量部に対して、０．０１〜５重量部程
度配合するのが好ましい。また粘着層を形成する粘着剤
には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種
の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止剤、着色
剤等の慣用の添加剤を含有させることができる。

【００２８】チップからの剥離性を向上させるため、粘
着剤は、紫外線、電子線等により硬化する放射線硬化型
粘着剤とすることが好ましい。なお、粘着剤として放射
線硬化型粘着剤を用いる場合には、ダイシング工程の後
に粘着剤層に放射線が照射されるため、前記基材フィル
ムは十分な放射線透過性を有するものが好ましい。

【００２９】放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素
二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性
を示すものを特に制限なく使用することができる。放射
線硬化型粘着剤としては、例えば、前述のアクリル系ポ
リマーに、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成
分を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。

【００３０】配合する放射線硬化性のモノマー成分やオ
リゴマー成分としては、例えば、トリメチロールプロパ
ントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールト
リ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、1 ，6 −へキサンジオールジ
（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メ
タ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メ
タ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコ
ールとのエステル化物；エステルアクリレートオリゴマ
ー；2 −プロペニル−ジ−3 −ブテニルシアヌレート、
トリス（2 −メタクリロキシエチル）イソシアヌレート
等のイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物等が
あげられる。前述のモノマー成分又はオリゴマー成分の
粘度は、特に制限されるものではないが、対シリコンミ
ラーウエハの引き剥がし粘着力を高めるため、２５℃に
おける粘度（Ｂ型回転粘度計により測定）が５Ｐａ・ｓ
ｅｃ以上、特に１０Ｐａ・ｓｅｃ以上のものが好まし
い。

【００３１】放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー
成分の配合量は、特に制限されるものではないが、対シ
リコンミラーウエハの引き剥がし粘着力を高めることを
考慮すると、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等の
ベースポリマー１００重量部に対して、例えば３０〜１
５０重量部、好ましくは５０〜１２０重量部程度であ
る。

【００３２】また、放射線硬化型粘着剤としては、ベー
スポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖
または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いるこ
ともできる。このようなベースポリマーとしては、アク
リル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この
場合においては、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴ
マー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意であ
る。

【００３３】前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線線等
により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。
光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベ
ンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、
ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロへキシルフェニ
ルケトン等の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケター
ル等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン、
クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメ
チルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオ
キサントン類等が挙げられる。光重合開始剤の配合量
は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポ
リマー１００重量部に対して、例えば０．１〜１０重量
部、好ましくは０．５〜５重量部程度である。

【００３４】本発明のダイシング用粘着シートは、例え
ば、基材フィルム１１の表面に、粘着剤溶液を塗布し、
乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層１
２を形成し、必要に応じてこの粘着剤層１２の表面にセ
パレータ１３を貼り合わせることにより製造できる。ま
た、別途、剥離ライナー１３に粘着剤層１２を形成した
後、それらを基材フィルム１１に貼り合せる方法、等を
採用することができる。

【００３５】セパレータ１３は、ラベル加工のためまた
は粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設け
られる。セパレータの構成材料としては、紙、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等
の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータの表面
には粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じて
シリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥
離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、粘
着シートが環境紫外線によって反応してしまわぬよう
に、紫外線透過防止処理等が施されていてもよい。セパ
レータの厚みは、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２
５〜１００μｍ程度である。

【００３６】本発明のダイシング用粘着シートは、半導
体部品等の被切断体へ、前記粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ
以上となるような温度で貼り付けられている。ダイシン
グ用粘着シートが貼り付けた後に、常法に従ってダイシ
ングに供される。ダイシング温度は、１０〜３５℃程度
であるが、一般的には室温（２３℃）で行われる。ダイ
シング工程は、ブレードを高速回転させ、被切断体を所
定のサイズに切断する。ダイシングは、前記粘着シート
の基材内部まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切
断方式等を採用できる。なお、粘着剤層に放射線硬化型
粘着剤を用いた場合には、粘着剤の種類に応じて放射線
照射によりダイシング後に粘着剤層を硬化させ粘着性を
低下させる。ダイシング後の放射線照射により、粘着剤
層の粘着性が硬化により低下して剥離を容易化させるこ
とができる。放射線照射の手段は特に制限されないが、
たとえば、紫外線照射等により行われる。

【００３７】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。

【００３８】実施例１（基材フィルム）基材フィルムとして、厚み７０μｍの
直鎖上低密度ポリエチレンフィルムを使用した。このフ
ィルムの片面にはコロナ処理を施した。

【００３９】（粘着剤の調製）アクリル酸メチル（ホモ
ポリマーでのＴｇ＝８℃）６０重量部、アクリル酸ブチ
ル（ホモポリマーでのＴｇ＝−５４℃）３０重量部及び
アクリル酸（ホモポリマーでのＴｇ＝１０６℃）１０重
量部を酢酸エチル中で常法により共重合させて得られた
重量平均分子量８０万のアクリル系共重合体を含有する
溶液に、ペンタエリスリトールトリアクリレートとジイ
ソシアネートを反応させて得られた放射線硬化性オリゴ
マー（２５℃での粘度１０Ｐａ・ｓｅｃ）６０重量部、
光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・
スペシャルティーケミカルズ製）３重量部およびポリイ
ソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，日本ポ
リウレタン製）２重量部を加えて、アクリル系放射線硬
化型粘着剤溶液を得た。

【００４０】（ダイシング用粘着シートの作製）上記で
調整した粘着剤溶液を、基材フィルムのコロナ処理面に
塗布し、８０℃で１０分間加熱架橋して、厚さ７μｍの
放射線硬化型粘着剤層を形成した。ついで、該粘着剤層
面にセパレータを貼り合わせて紫外線硬化型ダイシング
用シートを作製した。

【００４１】実施例２（粘着剤の調製）アクリル酸エチル（ホモポリマーでの
Ｔｇ＝−２２℃）５０重量部、アクリル酸２−エチルヘ
キシル（ホモポリマーでのＴｇ＝−８５℃）２５重量
部、アクリロイルモルフォリン２０重量部およびアクリ
ル酸（ホモポリマーでのＴｇ＝１０６℃）５重量部を酢
酸エチル中で常法により共重合させて得られた重量平均
分子量７０万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、
ペンタアクリレートエステル（商品名「ＫＡＹＡＲＡＤ
ＳＲ−９０４１」、日本化薬製、２５℃での粘度１５
Ｐａ・ｓｅｃ）５０重量部、光重合開始剤（商品名「イ
ルガキュア６５１」，チバ・スペシャルティーケミカル
ズ製）３重量部およびポリイソシアネート化合物（商品
名「コロネートＬ」，日本ポリウレタン製）３重量部を
加えて、アクリル系放射線硬化型粘着剤溶液を得た。

【００４２】（ダイシング用粘着シートの作製）実施例
１において、粘着剤溶液として上記で得られたものを用
い、粘着剤層の厚さを５μｍとしたこと以外は実施例１
と同様にして紫外線硬化型ダイシング用粘着シートを作
製した。

【００４３】比較例１（粘着剤の調製）アクリル酸２−エチルヘキシル（ホモ
ポリマーでのＴｇ＝−８５℃）９５重量部およびアクリ
ル酸（ホモポリマーでのＴｇ＝１０６℃）５重量部を酢
酸エチル中で常法により共重合させて得られた重量平均
分子量７０万のアクリル系共重合体を含有する溶液に、
ペンエリスリトールトリアクリレート（２５℃での粘度
１Ｐａ・ｓｅｃ）６０重量部、光重合開始剤（商品名
「イルガキュア６５１」，チバ・スペシャルティーケミ
カルズ製）３重量部およびポリイソシアネート化合物
（商品名「コロネートＬ」，日本ポリウレタン製）５重
量部を加えて、アクリル系放射線硬化型粘着剤溶液を得
た。

【００４４】（ダイシング用粘着シートの作製）実施例
１において、粘着剤溶液として上記で得られたものを用
いたこと以外は実施例１と同様にして紫外線硬化型ダイ
シング用粘着シートを作製した。

【００４５】比較例２実施例２のダイシング用粘着シートの作製において、放
射線硬化型粘着剤層の厚みを２０μｍとした以外は、実
施例１と同様にして紫外線硬化型ダイシング用粘着シー
トを作製した。

【００４６】（対シリコンウエハの引き剥がし粘着力）
実施例及び比較例で得られたダイシング用粘着シート
を、２５ｍｍ幅で短冊状に切断し、２３℃（室温）及び
７０℃に設定したホットプレート上でシリコンミラーウ
エハ面（信越半導体株式会社製；ＣＺＮ＜１００＞２．
５−３．５（４インチ））に貼付けを行なった。室温雰
囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で１８０
°引き剥がし（引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）粘着力を
測定した。結果を表１に示す。

【００４７】（チッピング評価）実施例及び比較例で得
られたダイシング用粘着シートに、２３℃（室温）及び
７０℃の雰囲気で、裏面を研磨（＃２０００仕上げ）さ
れた厚さ１５０μｍの６インチウエハをマウントした
後、以下の条件で２３℃（室温）でダイシングした。ダ
イシング後、シート裏面から紫外線を照射（５００ｍＪ
／ｃｍ² ）し、次いで任意の半導体チップ５０個をピッ
クアップ（剥離）した後、半導体チップ側面のチッピン
グのチップ厚み方向の深さを光学顕微鏡（２００倍）で
観察し、その大きさ毎にチッピング数（個数）をカウン
トした。結果を表１に示す。

【００４８】（歩留まり）チッピング評価の任意の半導
体チップ５０個のチップについて、チッピングサイズ５
０μｍ〜以上でないものの割合を歩留まり（％）とし
た。

【００４９】＜ダイシング条件＞ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ−６５１ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、２７ＨＥＣＣブレード回転数：４００００ｒｐｍダイシング速度：１２０ｍｍ／ｓｅｃダイシング深さ：２５μｍカットモード：ダウンカットダイシングサイズ：２．５×２．５ｍｍ

【００５０】

【表１】表１から、実施例１のダイシング用粘着シートは粘着剤
層が薄いにも拘わらず、貼付け温度が、室温（２３℃）
および高温（７０℃）のいずれにおいても対シリコンウ
エハの引き剥がし粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以上である
ため、チッピングサイズ５０μｍ〜以上の発生がなく歩
留まりが良好である。また、実施例２では貼り付け温度
が室温（２３℃）では対シリコンウエハの引き剥がし粘
着力が１０Ｎ／２５ｍｍ未満であり、チッピングサイズ
５０μｍ〜以上の発生が少し認められるが、高温（７０
℃）においては、対シリコンウエハの引き剥がし粘着力
が１０Ｎ／２５ｍｍ以上と高くなっており、チッピング
サイズ５０μｍ〜以上の発生がなく歩留まりが良好であ
る。一方、比較例１では貼付け温度が室温（２３℃）お
よび高温（７０℃）のいずれにおいても対シリコンウエ
ハの引き剥がし粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ未満であり、
チッピングサイズ５０μｍ〜以上の発生があり歩留まり
が良くない。また、比較例２では貼り付け温度が室温
（２３℃）および高温（７０℃）のいずれにおいても対
シリコンウエハの引き剥がし粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ
以上であるが、粘着剤層の厚さが１０μｍを超えている
ためチッピングサイズ５０μｍ〜以上の発生があり歩留
まりが良くない。

【図面の簡単な説明】

【図１】ダイシング用粘着シートの断面図である。

【図２】チッピングの発生メカニズムの説明図である。

【符号の説明】

１ダイシング用粘着シート１１基材フィルム１２粘着剤層１３セパレータ２半導体ウエハ３丸刃（ダイシングブレード）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4J004 AA01 AA05 AA08 AA10 AA11 AA17 AB06 CA03 CA04 CA05 CA06 CC02 CC03 FA05 FA08 4J040 CA001 DD051 DF001 DF031 DF061 DF081 DF101 EF321 EK031 FA141 JA09 JB07 JB09 KA13 KA16 LA06 NA20 PA32 PA42 5F031 CA02 DA15 HA78 MA34 MA37

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材フィルム上に粘着剤層が設けられた
ダイシング用粘着シートにおいて、前記粘着剤層の厚み
が１〜１０μｍであり、かつダイシング用粘着シートを
シリコンミラーウエハに貼り付けた後、２３℃で１８０
°引き剥がし（引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）を行った
ときの粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以上になる貼付け温度
を有することを特徴とするダイシング用粘着シート。
【請求項２】ダイシング用粘着シートのシリコンミラ
ーウエハへの貼付け温度が２０〜８０℃であることを特
徴とする請求項１記載のダイシング用粘着シート。
【請求項３】ダイシング用粘着シートの粘着剤層が放
射線硬化型粘着剤により形成されていることを特徴とす
る請求項１または２記載のダイシング用粘着シート。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のダイシ
ング用粘着シートを、被切断体に、シリコンミラーウエ
ハに貼り付けた後、２３℃で１８０°引き剥がし（引張
速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）を行ったときの粘着力が１０
Ｎ／２５ｍｍ以上になる貼付け温度で貼り付けた後に、
被切断体をダイシングすることを特徴とするダイシング
方法。