KR20170101893A - 고체 촬상 장치, 적외선 흡수성 조성물 및 평탄화막 형성용 경화성 조성물 - Google Patents

고체 촬상 장치, 적외선 흡수성 조성물 및 평탄화막 형성용 경화성 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20170101893A
KR20170101893A KR1020177013395A KR20177013395A KR20170101893A KR 20170101893 A KR20170101893 A KR 20170101893A KR 1020177013395 A KR1020177013395 A KR 1020177013395A KR 20177013395 A KR20177013395 A KR 20177013395A KR 20170101893 A KR20170101893 A KR 20170101893A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
infrared
filter layer
compound
solid
imaging device
Prior art date
Application number
KR1020177013395A
Other languages
English (en)
Inventor
고우지 하타케야마
도모히로 다카미
미부코 시마다
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 제이에스알 가부시끼가이샤
Publication of KR20170101893A publication Critical patent/KR20170101893A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G02B5/223—Absorbing filters containing organic substances, e.g. dyes, inks or pigments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649—Infrared imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/33—Transforming infrared radiation
    • H04N5/369—
    • H04N9/07—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

제1 수광 소자의 수광면 위에, 가시광선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 컬러 필터층이 설치된 제1 화소와, 제2 수광 소자의 수광면 위에, 적외선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 적외선 통과 필터층이 설치된 제2 화소와, 컬러 필터층과 겹치는 위치에 설치된, 적외선 파장 영역의 광을 차단하고 가시광선 파장 영역의 광을 투과시키는 적외선 차단 필터층과, 적외선 차단 필터층에 접하여 설치된 경화막을 포함하는 고체 촬상 장치가 제공된다.

Description

고체 촬상 장치, 적외선 흡수성 조성물 및 평탄화막 형성용 경화성 조성물 {SOLID-STATE IMAGE-CAPTURING DEVICE, INFRARED-ABSORBING COMPOSITION, AND FLATTENED-FILM-FORMING CURABLE COMPOSITION}
본 발명은 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치에 사용할 수 있는 적외선 흡수성 조성물 및 평탄화막 형성용 경화성 조성물에 관한 것이다.
카메라 등의 촬상 기기에 사용되는 고체 촬상 장치는, 화소마다 가시광을 검출하는 수광 소자(가시광 검출용 센서)를 구비하고, 외계로부터 입사한 가시광을 따라 전기 신호를 발생하고, 그 전기 신호를 처리하여 촬상 화상을 형성하는 것이다. 고체 촬상 장치의 수광부의 구성은, 반도체 기판을 사용하여 형성된 CMOS 이미지 센서나 CCD 이미지 센서 등이 알려져 있다.
고체 촬상 장치는, 수광 소자에 입사하는 가시광의 강도를 정확하게 검출하기 위해, 노이즈 성분이 되는 가시광 이외의 광을 차폐하는 것도 행해지고 있다. 예를 들어, 입사광이 수광 소자에 도달하기 전에, 적외선 차단 필터를 사용하여 적외광 성분을 차폐하는 기술이 있다. 이 경우, 대략 가시광 영역의 광만이 수광 소자에 도달하기 때문에, 노이즈 성분이 비교적 적은 센싱 동작이 가능해진다.
한편, 근적외선을 이용한 모션 캡처나 거리 인식(공간 인식) 등의 센싱 기능을 고체 촬상 장치에 부여하는 요구가 높아지고 있다. 그것을 실현하기 위해, TOF(Time Of Flight) 방식을 채용한 거리 화상 센서를, 고체 촬상 장치에 내장하는 것이 시도되고 있다.
TOF 방식이란, 광원으로부터 출력된 조사광이 촬상 대상물에서 반사되고, 그 반사광이 수광부에서 검지될 때까지의 시간을 측정함으로써, 광원으로부터 촬상 대상물까지의 거리를 측정하는 기술이다. 거리 측정은 광의 위상차를 사용하고 있다. 즉, 촬상 대상물까지의 거리에 따라 반사광에 위상차가 발생하기 때문에, TOF 방식에서는 그 위상차를 시간차로 변환하고, 그 시간차와 광의 속도에 기초하여, 화소마다 촬상 대상물까지의 거리를 계측하고 있다.
이와 같은 TOF 방식을 사용한 고체 촬상 장치는 화소마다 가시광의 강도와 근적외선의 강도를 검출할 필요가 있으므로, 각 화소에 가시광 검출용의 수광 소자와 근적외선 검출용의 수광 소자를 구비할 필요가 있다. 예를 들어, 가시광 검출용의 수광 소자와 근적외선 검출용의 수광 소자를 각 화소에 설치한 예로서, 특허문헌 1에 기재된 기술이 알려져 있다.
특허문헌 1에는 2대역 통과 필터(pass filter)와 적외선 통과 필터를 포함하는 광학 필터 어레이와, RGB 화소 어레이와 TOF 화소 어레이를 포함하는 화소 어레이를 조합한 고체 촬상 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 2대역 통과 필터에 의해 가시광과 적외광을 선택적으로 통과시켜, TOF 화소 어레이 위에만 적외선 통과 필터를 설치하여 적외선을 통과시킨다. 이에 의해, RGB 화소 어레이에는 가시광 및 적외선이 입사되고, TOF 화소 어레이에는 적외선이 입사되기 때문에, 각각의 화소 어레이에서 필요한 광선을 검출할 수 있다.
TOF 방식을 사용한 고체 촬상 장치에서는 가시광을 검출하는 RGB 화소 어레이에 적외광을 검출하는 화소 어레이가 부가됨으로써, 적외선 차단 필터의 성능이나 제조 용이성이 중요해진다. 적외선 차단 필터의 예로서, 특허문헌 2에는 적외선 흡수제로서 금속 산화물 및 디임모늄 색소를 사용하여, 적외선 흡수성 액상 조성물을 스핀 도포하는 기술이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는 적외선 흡수성 조성물로서 금속 산화물과 색소를 함유하는 적외선 차단 필터가 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 4에는 파장 600 내지 850㎚의 범위 내에 극대 흡수 파장을 갖는 색소를 함유하고 도포법에 의해 형성 가능한 경화성 수지 조성물이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2014-103657호 공보 일본 특허 공개 제2013-137337호 공보 일본 특허 공개 제2013-151675호 공보 일본 특허 공개 제2014-130343호 공보
그런데, 스마트폰이나 태블릿 단말기 등의 휴대형 정보 기기에 촬상 기능이 부가되도록, 고체 촬상 장치는 많은 전자 기기에서 사용되고 있다. 그리고, 용도의 확대에 수반하여, 고체 촬상 장치는 박형화가 요구되고 있다.
그러나, 특허문헌 1에 개시되는 고체 촬상 장치는 RGB 화소 어레이 및 TOF 화소 어레이의 상면에 마이크로렌즈 어레이가 설치되고, 별도 2대역 통과 필터, 가시광 통과 필터 및 적외선 통과 필터 등이 추가되어 있다. 즉, 화소 어레이에 더하여, 광학 필터가 별도 부품으로 설치되어 있기 때문에 고체 촬상 장치의 박형화가 도모되어 있지 않다.
고체 촬상 장치의 소형화를 도모하기 위해서는, 화소 어레이의 상면에 광학 필터를 직접적으로 적층시키는 것이 생각된다. 그 경우, 특정한 광학 필터를 형성하는 층을, 다른 광학 필터를 형성하는 층과 직접, 또는 사이에 다른 중간층을 끼우고 적층할 필요가 있다. 또한, 고체 촬상 장치의 박형화를 도모하기 위해서는, 광학 필터를 박막화할 필요가 있다. 그러나, 특허문헌 2 내지 4에 개시되는 광학 필터를 형성하기 위한 조성물 및 광학 필터층은 적층 계면의 밀착성이나, 박막화에 대해서는 전혀 고려되어 있지 않다.
본 발명의 일 실시 형태는 상술한 문제를 감안하여 이루어진 것이고, 고체 촬상 장치의 소형화 또는 박형화를 도모하는 것을 목적의 하나로 한다.
본 발명의 일 실시 형태는 적외선 차단 필터의 박막화를 도모하는 것, 또한 그것을 가능하게 하는 조성물을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.
본 발명의 일 실시 형태는 적외선 차단 필터층과 경화막의 밀착성의 향상을 도모하는 것을 목적의 하나로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 제1 수광 소자의 수광면 위에 가시광선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 컬러 필터층이 설치된 제1 화소와, 제2 수광 소자의 수광면 위에 적외선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 적외선 통과 필터층이 설치된 제2 화소와, 컬러 필터층과 겹치는 위치에 설치된, 적외선 파장 영역의 광을 차단하고 가시광선 파장 영역의 광을 투과시키는 적외선 차단 필터층과, 적외선 차단 필터층에 접하여 설치된 경화막을 포함하는 고체 촬상 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 제1 수광 소자의 수광면 위에 가시광선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 컬러 필터층이 설치된 제1 화소와, 제2 수광 소자의 수광면 위에 적외선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 적외선 통과 필터층이 설치된 제2 화소와, 컬러 필터층의 하면에 접하여 설치된, 적외선 파장 영역의 광을 차단하고 가시광선 파장 영역의 광을 투과시키는 적외선 차단 필터층과, 적외선 차단 필터층의 하면에 접하여 설치된 유기막을 포함하는 고체 촬상 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 파장 600 내지 2000㎚의 범위 내에 극대 흡수 파장을 갖는 화합물과, 결합제 수지 및 중합성 화합물에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 고체 촬상 장치의 적외선 차단 필터층의 형성에 사용되는 적외선 흡수성 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 경화성 화합물 및 용매를 포함하는, 고체 촬상 장치의 평탄화막의 형성에 사용되는 평탄화막 형성용 경화성 조성물이 제공된다.
본 발명에 따르면, 적외선 차단 필터를 얇게 하고, 거기에 접하는 경화막과의 밀착성을 향상시킨 것에 의해, 고체 촬상 장치의 박형화를 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부의 구성을 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면 등을 참조하면서 설명한다. 단, 본 발명은 많은 다른 형태로 실시하는 것이 가능하며, 이하에 예시하는 실시 형태의 기재 내용으로 한정하여 해석되는 것은 아니다. 도면은 설명을 보다 명확히 하기 위해, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대해 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 명세서와 각 도면에 있어서, 기출의 도면에 관하여 전술한 것과 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재 또는 영역이 다른 부재 또는 영역의 「위에(또는 아래에)」 있다고 하는 경우, 특별한 한정이 없는 한 이것은 다른 부재 또는 영역의 바로 위(또는 바로 아래)에 있는 경우뿐만 아니라 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 있는 경우를 포함하고, 즉 다른 부재 또는 영역의 상방(또는 하방)에 있어서 그 사이에 별도의 구성 요소가 포함되어 있는 경우도 포함한다.
1. 제1 실시 형태
1-1. 고체 촬상 장치의 구조
도 1은 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치(100)의 일례를 나타내는 개략 구성도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 고체 촬상 장치(100)는 화소부(102), 수직 선택 회로(104), 수평 선택 회로(106), 샘플 홀드 회로(108), 증폭 회로(110), A/D 변환 회로(112), 타이밍 발생 회로(114) 등을 포함하여 구성된다. 화소부(102) 및 화소부(102)에 부수되어 설치되는 각종 기능 회로는 동일한 기판(반도체 칩)에 설치되어 있어도 된다. 화소부(102)는 CMOS형 이미지 센서 또는 CCD형 이미지 센서의 구성을 갖고 있어도 된다.
화소부(102)는 복수의 화소가 행 방향 및 열 방향으로 배열되고, 예를 들어 행 방향으로 어드레스선이, 열 방향으로 신호선이 배치된 구성을 갖고 있다. 수직 선택 회로(104)는 어드레스선에 신호를 부여하고, 화소를 행 단위로 순서대로 선택하고, 선택한 행의 각 화소로부터 검출 신호를 신호선에 출력하여 샘플 홀드 회로(108)로부터 판독한다. 수평 선택 회로(106)는, 샘플 홀드 회로(108)에 유지되어 있는 검출 신호를 순서대로 취출하여, 증폭 회로(110)에 출력한다. 증폭 회로(110)는 검출 신호를 적당한 게인으로 증폭하여, A/D 변환 회로(112)에 출력한다. A/D 변환 회로(112)는, 아날로그 신호인 검출 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력한다. 타이밍 발생 회로(114)는, 수직 선택 회로(104), 수평 선택 회로(106) 및 샘플 홀드 회로(108)의 동작 타이밍을 제어한다.
또한, 도 1에서는 화소부(102)에 대해 상단의 수평 선택 회로(106a) 및 샘플 홀드 회로(108a)가 수직 선택 회로(104a)와 동기되고, 하단의 수평 선택 회로(106b) 및 샘플 홀드 회로(108b)가 수직 선택 회로(104b)와 동기되는 구성을 나타낸다. 그러나, 이는 예시에 지나지 않고, 본 발명에 관한 고체 촬상 장치는 1조의 수직 선택 회로, 수평 선택 회로 및 샘플 홀드 회로에 의해 구동되는 구성을 갖고 있어도 된다. 또한, 화소부(102)를 구동하는 회로 구성은 다른 구성을 갖고 있어도 된다.
도 1에서 나타내는 확대부(116)는 화소부(102)의 일부를 확대하여 나타낸다. 화소부(102)에는, 상술한 바와 같이 화소(117)가 행 방향 및 열 방향으로 배열되어 있다. 도 2는 확대부(116)에 있어서 나타내는 화소부(102a)의 A-B선에 따른 단면 구조를 나타낸다.
도 2는 화소부(102a)에 가시광 검출용 화소(118)와 적외광 검출용 화소(120)가 포함되는 것을 나타내고 있다. 가시광 검출용 화소(118)는 제1 화소(122a 내지 122c)를 포함하고, 적외광 검출용 화소(120)는 제2 화소(124)를 포함하고 있다. 화소부(102a)는 기판(126)측으로부터, 반도체층(128), 배선층(130), 광학 필터층(132), 마이크로렌즈 어레이(134)가 적층된 구성을 갖고 있다.
기판(126)으로서는 반도체 기판이 사용된다. 반도체 기판으로서는, 예를 들어 실리콘 기판이나, 절연층 위에 실리콘층이 설치된 기판(SOI 기판) 등이 사용된다. 반도체층(128)은 이와 같은 기판(126)의 반도체 영역에 설치된다. 예를 들어, 기판(126)이 실리콘 기판인 경우, 당해 실리콘 기판의 상층부에 반도체층(128)이 포함된다. 반도체층(128)에는, 각 화소에 대응하여 포토다이오드(136a 내지 136d)가 설치된다.
본 명세서에서는 포토다이오드(136a 내지 136c)를 「제1 수광 소자」, 포토다이오드(136d)를 「제2 수광 소자」라고도 칭한다. 또한, 제1 수광 소자 및 제2 수광 소자는 포토다이오드로 한정되지 않고, 광 기전력 효과에 의해 전류나 전압을 발생시키는 기능을 갖는 소자라면, 다른 소자로 대용할 수도 있다. 또한, 반도체층(128)에는 포토다이오드(136a 내지 136d)의 각각으로부터 검출 신호를 취득하기 위한 회로가, 트랜지스터 등의 능동 소자를 사용하여 형성되어 있다.
배선층(130)은 어드레스선 및 신호선 등, 화소부(102a)에 설치되는 배선을 포함하는 층이다. 배선층(130)은, 복수의 배선이 층간 절연막에 의해 분리되어, 다층화되어 있어도 된다. 통상의 경우에 있어서, 어드레스선과 신호선은 행 방향과 열 방향으로 연장하여 교차하므로, 층간 절연막을 사이에 끼워 다른 층에 설치되어 있다.
광학 필터층(132)은, 광학적 특성이 다른 복수의 층을 포함하여 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는 배선층(130) 위에, 포토다이오드(136a 내지 136c)에 겹쳐서 가시광선 파장 영역의 투과 대역을 갖는 컬러 필터층(138a 내지 138c)이 설치되고, 포토다이오드(136d)에 겹쳐서 적외선 통과 필터층(140)이 설치되어 있다.
가시광선 파장 영역의 광을 투과하는 컬러 필터층(138a 내지 138c)이 설치되는 영역의 상면에는, 적외선 파장 영역의 광을 차단하고 가시광선 파장 영역의 광을 투과하는 적외선 차단 필터층(142)이 겹쳐서 배치되어 있다. 다르게 말하면, 적외선 차단 필터층(142)은 컬러 필터층(138a 내지 138c)이 설치되는 영역의 상면에 설치되고, 적외선 통과 필터층(140)이 설치되는 영역의 상면에는 설치되어 있지 않다. 즉, 적외선 차단 필터층(142)은 포토다이오드(136d)가 설치되는 영역 위에 개구부를 갖고 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 컬러 필터층(138a 내지 138c)과, 적외선 차단 필터층(142) 사이에는 제1 경화막(144a)이 설치되어 있다. 제1 경화막(144a)을 설치함으로써, 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 표면 요철을 완화하여, 평탄한 표면 위에 적외선 차단 필터층(142)을 설치할 수 있다. 그것에 의해, 적외선 차단 필터층(142)의 박막화를 도모하는 것이 가능해진다.
적외선 차단 필터층(142)의 상면에는 제2 경화막(144b)이 더 설치되어 있다. 적외선 차단 필터층(142)은 포토다이오드(136a 내지 136c)의 수광면 위에 설치되고, 포토다이오드(136d)의 수광면 위에는 설치되어 있지 않다. 그로 인해, 적외선 차단 필터층(142)에 의한 단차부가 생겨 버린다. 그러나, 제2 경화막(144b)을 설치함으로써, 이 단차부를 메워, 마이크로렌즈 어레이(134) 하지면을 평탄하게 할 수 있다.
마이크로렌즈 어레이(134)는 광학 필터층(132)의 상면에 설치되어 있다. 마이크로렌즈 어레이(134)는, 개개의 마이크로렌즈의 위치가 각 화소의 위치에 대응하고 있고, 각 마이크로렌즈에서 집광된 입사광이, 각각 대응하는 각 화소(구체적으로는, 각 포토다이오드)에 수광된다. 마이크로렌즈 어레이(134)는 수지 재료를 사용하여 형성할 수 있기 때문에, 온 칩으로 형성하는 것이 가능하다. 예를 들어, 제2 경화막(144b) 위에 도포한 수지 재료를 가공하여 마이크로렌즈 어레이(134)를 형성할 수 있다.
본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치(100)는, 기판(126) 위에 반도체층(128), 배선층(130), 광학 필터층(132) 및 마이크로렌즈 어레이(134)가 적층됨으로써, 촬상 가능한 구성을 구비하고 있다. 이하에 있어서, 광학 필터층(132)의 상세를 설명한다.
1-2. 컬러 필터층
컬러 필터층(138a 내지 138c)은, 각각 다른 파장 대역의 가시광선을 투과하는 통과 필터이다. 예를 들어, 컬러 필터층(138a)은 적색광(대략 파장 610 내지 780㎚)의 파장 대역의 광을 투과하고, 컬러 필터층(138b)은 녹색광(대략 파장 500 내지 570㎚)의 파장 대역의 광을 투과하고, 컬러 필터층(138c)은 청색광(대략 파장 430 내지 460㎚)의 파장 대역의 광을 투과할 수 있는 통과 필터에 의해, 각각을 구성할 수 있다. 포토다이오드(136a 내지 136c)에는, 각각 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 투과광이 입사된다. 따라서, 각각의 화소(제1 화소)는 적색광 검출용의 제1 화소(122a), 녹색광 검출용의 제1 화소(122b), 청색광 검출용의 제1 화소(122c)로 구별할 수도 있다.
컬러 필터층(138a 내지 138c)은, 결합제 수지 및 경화제 등의 수지 재료에, 특정한 파장 대역에 흡수를 갖는 색소(안료나 염료)를 가하여 형성할 수 있다. 수지 재료에 함유시키는 색소는 1종류 또는 복수 종류를 조합하여 사용할 수 있다.
포토다이오드(136a 내지 136c)가 실리콘 포토다이오드라면, 가시광선 파장 영역으로부터 적외선 파장 영역의 넓은 범위에 걸쳐 감도를 갖는다. 그로 인해, 포토다이오드(136a 내지 136c)에 대응하여 컬러 필터층(138a 내지 138c)을 설치함으로써, 각 색에 대응한 제1 화소(122a 내지 122c)를 화소부(102a)에 설치할 수 있다.
1-3. 적외선 통과 필터층
적외선 통과 필터층(140)은, 적어도 근적외선 파장 영역의 광을 투과하는 통과 필터이다. 적외선 통과 필터층(140)은, 결합제 수지나 중합성 화합물 등에, 가시광선 파장 영역의 파장에 흡수를 갖는 색소(안료나 염료)를 가하여 형성할 수 있다. 적외선 통과 필터층(140)은 개략 700㎚ 미만, 바람직하게는 750㎚ 미만, 보다 바람직하게는 800㎚ 미만의 광을 흡수(차단)하고, 파장 700㎚ 이상, 바람직하게는 750㎚ 이상, 보다 바람직하게는 800㎚ 이상의 광을 투과하는 분광 투과 특성을 갖고 있다.
적외선 통과 필터층(140)은 상기한 바와 같은 소정 파장 미만(예를 들어, 파장 750㎚ 미만)의 광을 차단하고, 소정 파장 영역(예를 들어, 750 내지 950㎚)의 근적외선을 투과함으로써, 포토다이오드(136d)에 근적외선이 입사되도록 할 수 있다. 이에 의해, 포토다이오드(136d)는 가시광에 기인하는 노이즈 등의 영향을 받지 않고, 고정밀도로 적외선을 검출할 수 있다. 이와 같이, 적외선 통과 필터층(140)을 설치함으로써, 제2 화소(124)를 적외광 검출용 화소(120)로서 사용할 수 있다. 적외선 통과 필터층(140)은, 예를 들어 일본 특허 공개 제2014-130332호 공보에 기재된 감광성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.
1-4. 적외선 차단 필터층
적외선 차단 필터층(142)은, 가시광선 파장 영역의 광을 투과하고, 적외선 파장 영역의 광을 차단하는 통과 필터이다. 적외선 차단 필터층(142)은, 파장 600 내지 2000㎚의 범위 내에 극대 흡수 파장을 갖는 화합물(이하, 「적외선 흡수제」라고도 칭함)을 포함하는 것이 바람직하고, 예를 들어 적외선 흡수제와, 결합제 수지 및 중합성 화합물에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.
1-4-1. 적외선 흡수제
적외선 흡수제로서는, 예를 들어 디이미늄계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물, 쿼터릴렌계 화합물, 아미늄계 화합물, 이미늄계 화합물, 아조계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 포르피린계 화합물, 피롤로피롤계 화합물, 옥소놀계 화합물, 크로코늄계 화합물, 헥사피린계 화합물, 금속 디티올계 화합물, 구리 화합물, 텅스텐 화합물, 금속 붕화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
적외선 흡수제로서 사용할 수 있는 화합물을 이하에 예시한다.
디이미늄(디임모늄)계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평1-113482호 공보, 일본 특허 공개 평10-180922호 공보, 국제 공개 제2003/5076호, 국제 공개 제2004/48480호, 국제 공개 제2005/44782호, 국제 공개 제2006/120888호, 일본 특허 공개 제2007-246464호 공보, 국제 공개 제2007/148595호, 일본 특허 공개 제2011-038007호 공보, 국제 공개 제2011/118171호의 단락 [0118] 등에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들어 EPOLIGHT1178 등의 EPOLIGHT 시리즈(Epolin사제), CIR-1085 등의 CIR-108X 시리즈 및 CIR-96X 시리즈(닛폰 칼리트사제), IRG022, IRG023, PDC-220(닛폰 가야쿠사제) 등을 들 수 있다.
스쿠아릴륨계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 제3094037호 명세서, 일본 특허 공개 소60-228448호 공보, 일본 특허 공개 평1-146846호 명세서, 일본 특허 공개 평1-228960호 공보, 일본 특허 공개 제2012-215806호 공보의 단락 [0178] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
시아닌계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2007-271745호 공보의 단락 [0041] 내지 [0042], 일본 특허 공개 제2007-334325호 공보의 단락 [0016] 내지 [0018], 일본 특허 공개 제2009-108267호 공보, 일본 특허 공개 제2009-185161호 공보, 일본 특허 공개 제2009-191213호 공보, 일본 특허 공개 제2012-215806호 공보의 단락 [0160], 일본 특허 공개 제2013-155353호 공보의 단락 [0047] 내지 [0049] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들어 Daito chmix 1371F(다이토케믹스사제), NK-3212, NK-5060 등의 NK 시리즈(하야시바라 생물 화학 연구소제) 등을 들 수 있다.
프탈로시아닌계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-224589호 공보, 일본 특허 공표 제2005-537319호 공보, 일본 특허 공개 평4-23868호 공보, 일본 특허 공개 평4-39361호 공보, 일본 특허 공개 평5-78364호 공보, 일본 특허 공개 평5-222047호 공보, 일본 특허 공개 평5-222301호 공보, 일본 특허 공개 평5-222302호 공보, 일본 특허 공개 평5-345861호 공보, 일본 특허 공개 평6-25548호 공보, 일본 특허 공개 평6-107663호 공보, 일본 특허 공개 평6-192584호 공보, 일본 특허 공개 평6-228533호 공보, 일본 특허 공개 평7-118551호 공보, 일본 특허 공개 평7-118552호 공보, 일본 특허 공개 평8-120186호 공보, 일본 특허 공개 평8-225751호 공보, 일본 특허 공개 평9-202860호 공보, 일본 특허 공개 평10-120927호 공보, 일본 특허 공개 평10-182995호 공보, 일본 특허 공개 평11-35838호 공보, 일본 특허 공개 제2000-26748호 공보, 일본 특허 공개 제2000-63691호 공보, 일본 특허 공개 제2001-106689호 공보, 일본 특허 공개 제2004-18561호 공보, 일본 특허 공개 제2005-220060호 공보, 일본 특허 공개 제2007-169343호 공보, 일본 특허 공개 제2013-195480호 공보의 단락 [0026] 내지 [0027] 등에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들어 FB-22, 24 등의 FB 시리즈(야마다 가가쿠 고교사제), Excolor 시리즈, Excolor TX-EX 720, Excolor TX-EX 708K(닛폰 쇼쿠바이제), Lumogen IR788(BASF제), ABS643, ABS654, ABS667, ABS670T, IRA693N, IRA735(Exciton제), SDA3598, SDA6075, SDA8030, SDA8303, SDA8470, SDA3039, SDA3040, SDA3922, SDA7257(H. W. SANDS제), TAP-15, IR-706(야마다 가가쿠 고교제) 등을 들 수 있다.
나프탈로시아닌계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평11-152413호 공보, 일본 특허 공개 평11-152414호 공보, 일본 특허 공개 평11-152415호 공보, 일본 특허 공개 제2009-215542호 공보의 단락 [0046] 내지 [0049] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
쿼터릴렌계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2008-009206호 공보의 단락 [0021] 등에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들어 Lumogen IR765(BASF사제) 등을 들 수 있다.
아미늄계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평08-027371호 공보의 단락 [0018], 일본 특허 공개 제2007-039343호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들어 IRG002, IRG003(닛폰 가야쿠사제) 등을 들 수 있다.
이미늄계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 국제 공개 제2011/118171호의 단락 [0116] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
아조계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2012-215806호 공보의 단락 [0114] 내지 [0117] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
안트라퀴논계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2012-215806호 공보의 단락 [0128] 및 [0129] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
포르피린계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 제3834479호 명세서의 식 (1)로 표현되는 화합물을 들 수 있다.
피롤로피롤계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2011-068731호 공보, 일본 특허 공개 제2014-130343호 공보의 단락 [0014] 내지 [0027] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
옥소놀계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2007-271745호 공보의 단락 [0046] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
크로코늄계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2007-271745호 공보의 단락 [0049], 일본 특허 공개 제2007-31644호 공보, 일본 특허 공개 제2007-169315호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
헥사피린계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 국제 공개 제2002/016144호 공보의 식 (1)로 표현되는 화합물을 들 수 있다.
금속 디티올계 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평1-114801호 공보, 일본 특허 공개 소64-74272호 공보, 일본 특허 공개 소62-39682호 공보, 일본 특허 공개 소61-80106호 공보, 일본 특허 공개 소61-42585호 공보, 일본 특허 공개 소61-32003호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
구리 화합물로서는 구리 착체가 바람직하고, 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2013-253224호 공보, 일본 특허 공개 제2014-032380호 공보, 일본 특허 공개 제2014-026070호 공보, 일본 특허 공개 제2014-026178호 공보, 일본 특허 공개 제2014-139616호 공보, 일본 특허 공개 제2014-139617호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.
텅스텐 화합물로서는 산화텅스텐 화합물이 바람직하고, 세슘산화텅스텐, 루비듐산화텅스텐이 보다 바람직하고, 세슘산화텅스텐이 더욱 바람직하다. 세슘산화텅스텐의 조성식으로서는 Cs0 . 33WO3 등을 들 수 있고, 또한 루비듐산화텅스텐의 조성식으로서는 Rb0 . 33WO3 등을 들 수 있다. 산화텅스텐계 화합물은, 예를 들어 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤제의 YMF-02A 등의 텅스텐 미립자의 분산물로서도, 입수 가능하다.
금속 붕화물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2012-068418호 공보의 단락 [0049] 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 붕화란탄이 바람직하다.
또한, 상기한 적외선 흡수제가, 이후에 게시될 유기 용매에 가용인 경우에는, 그것을 레이크화하여 유기 용매에 불용인 적외선 흡수제로서 사용할 수도 있다. 레이크화하는 방법은 공지의 방법을 채용하는 것이 가능하고, 예를 들어 일본 특허 공개 제2007-271745호 공보 등을 참조할 수 있다.
이와 같은 적외선 흡수제 중에서도, 디이미늄계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물, 쿼터릴렌계 화합물, 아미늄계 화합물, 이미늄계 화합물, 피롤로피롤계 화합물, 크로코늄계 화합물, 금속 디티올계 화합물, 구리 화합물 및 텅스텐 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 디이미늄계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물, 쿼터릴렌계 화합물, 아미늄계 화합물, 이미늄계 화합물, 피롤로피롤계 화합물, 크로코늄계 화합물, 금속 디티올계 화합물 및 구리 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과 텅스텐 화합물을 포함하거나, 디이미늄계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물, 쿼터릴렌계 화합물, 아미늄계 화합물, 이미늄계 화합물, 피롤로피롤계 화합물, 크로코늄계 화합물, 금속 디티올계 화합물 및 구리 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 형태에 의해, 수광 소자에 입사하는 적외선을 보다 효율적으로 차단할 수 있다.
그런데, 적외선 차단 필터층(142)은 적외선 흡수제의 종류 및 함유 비율이 일정하면, 막 두께를 증가시킬수록 적외선의 흡수 특성을 향상시킬 수 있다. 그것에 의해, 고체 촬상 장치는 보다 높은 S/N비를 얻을 수 있고, 고감도의 촬상을 행하는 것이 가능해진다. 그러나, 적외선 차단 필터층(142)의 막 두께를 증가시키면, 고체 촬상 장치(100)의 박막화를 도모할 수 없다는 문제가 있다. 고체 촬상 장치의 박형화를 도모하기 위해, 적외선 차단 필터층(142)을 박막화하면, 적외선 차단 능력이 저하되어 버려 가시광 검출용 화소가 적외선에 의한 노이즈의 영향을 받기 쉬워져 버린다는 문제가 있다.
한편, 적외선 흡수제의 함유 비율을 증가시키면, 예를 들어 적외선 차단 필터층을 형성하는 다른 성분의 하나인 중합성 화합물의 비율이 줄어 버리고, 적외선 차단 필터층(142)의 경도가 저하되어 버린다. 그렇게 하면 광학 필터층(132)이 취화되어 버려, 적외선 차단 필터층(142)과 접하는 층의 박리나, 크랙이 발생하는 원인이 된다. 예를 들어, 적외선 차단 필터층(142)과 접하는 제1 경화막(144a) 및 제2 경화막(144b)의 밀착성이 저하되어, 박리되기 쉬워지는 것이 문제가 된다.
상기에서 선택되는 적외선 흡수제의 비율은 적외선 차단 필터층(142) 중에 0.1 내지 80질량%의 비율인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 70질량%, 더욱 바람직하게는 3 내지 60질량%인 것이 바람직하다. 이와 같은 범위에서 화합물을 포함시킴으로써, 적외선 차단 필터층(142)의 막 두께를 얇게 해도, 충분히 적외선을 흡수할 수 있는 적외선 차단 필터층(142)을 제작할 수 있다.
또한, 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 적외선 차단 필터를 제작하는 경우의, 적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분 질량에 대한 적외선 흡수제의 바람직한 함유 비율은 적외선 차단 필터층(142) 중의 적외선 흡수제의 비율과 마찬가지이다. 이 경우의 고형분이란, 적외선 흡수성 조성물을 구성하는, 용매 이외의 성분이다.
이하, 본 발명에 관한 적외선 차단 필터층(142)의 제작에 적합하게 사용할 수 있는 적외선 흡수성 조성물을 구성하는, 다른 성분에 대해 설명한다.
1-4-2. 결합제 수지
적외선 흡수성 조성물은 결합제 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 결합제 수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리실록산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
먼저, 아크릴 수지에 대해 설명한다. 아크릴 수지 중에서도, 카르복실기, 페놀성 수산기 등의 산성 관능기를 갖는 아크릴 수지가 바람직하다. 산성 관능기를 갖는 아크릴 수지를 사용함으로써, 적외선 흡수성 조성물에서 얻어지는 적외선 차단 필터층을 소정의 패턴으로 형성하기 위해 노광을 행한 경우, 미노광부를 알칼리 현상액으로 보다 확실하게 제거할 수 있고, 알칼리 현상에 의해 보다 우수한 패턴을 형성할 수 있다. 산성 관능기를 갖는 아크릴 수지로서는, 카르복실기를 갖는 중합체(이하, 「카르복실기 함유 중합체」라고도 칭함)가 바람직하고, 예를 들어 1개 이상의 카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체(이하, 「불포화 단량체 (1)」라고도 칭함)와 다른 공중합 가능한 에틸렌성 불포화 단량체(이하, 「불포화 단량체 (2)」라고도 칭함)의 공중합체를 들 수 있다.
상기 불포화 단량체 (1)로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산, 숙신산모노〔2-(메트)아크릴로일옥시에틸〕, ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트, p-비닐벤조산 등을 들 수 있다. 이들 불포화 단량체 (1)은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 불포화 단량체 (2)로서는, 예를 들어 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드 등의 N-위치 치환 말레이미드, 스티렌, α-메틸스티렌, p-히드록시스티렌, p-히드록시-α-메틸스티렌, p-비닐벤질글리시딜에테르, 아세나프틸렌 등의 방향족 비닐 화합물; 메틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트; 비닐(메트)아크릴레이트, 알릴(메트)아크릴레이트 등의 불포화 알코올의 (메트)아크릴산에스테르; 페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 등의 아릴(메트)아크릴레이트; 폴리에틸렌글루콜(중합도 2 내지 10)메틸에테르(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글루콜(중합도 2 내지 10)메틸에테르(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(중합도 2 내지 10)모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(중합도 2 내지 10)모노(메트)아크릴레이트, 글리세롤모노(메트)아크릴레이트 등의 다가 알코올의 (메트)아크릴산에스테르; 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트 등의 지환식 탄화수소기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르; 4-히드록시페닐(메트)아크릴레이트, 파라쿠밀페놀의 에틸렌옥사이드 변성 (메트)아크릴레이트 등의 아릴알코올의 (메트)아크릴산에스테르; 시클로헥실비닐에테르, 이소보르닐비닐에테르, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일비닐에테르, 펜타시클로펜타데카닐비닐에테르, 3-(비닐옥시메틸)-3-에틸옥세탄 등의 비닐에테르; 폴리스티렌, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리-n-부틸(메트)아크릴레이트, 폴리실록산 등의 중합체 분자쇄의 말단에 모노(메트)아크릴로일기를 갖는 거대 단량체; 1,3-부타디엔 등의 공액 디엔 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 상기 불포화 단량체 (2)로서, 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수도 있다. 여기서, 「산소 함유 포화 복소환기」란, 헤테로환을 구성하는 헤테로 원자로서 산소 원자를 갖는 포화 복소환기를 의미하고, 환을 구성하는 원자수가 3 내지 7개인 환상 에테르기가 바람직하다. 환상 에테르기로서는, 옥시라닐기, 옥세타닐기, 테트라히드로푸라닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥시라닐기, 옥세타닐기가 바람직하고, 옥시라닐기가 보다 바람직하다.
산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등의 옥시라닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르; 3-〔(메트)아크릴로일옥시메틸〕옥세탄, 3-〔(메트)아크릴로일옥시메틸〕-3-에틸옥세탄 등의 옥세타닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르; 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트 등의 테트라히드로푸라닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다.
또한, 상기 불포화 단량체 (2)로서, 블록 이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수도 있다. 블록 이소시아네이트기는 가열에 의해 블록 기가 탈리되어, 반응성이 풍부한 활성의 이소시아네이트기로 변환된다. 이에 의해, 가교 구조를 형성할 수 있다. 블록 이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르의 구체예로서는, 일본 특허 공개 제2012-118279호 공보의 단락 [0024]에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있지만, 그 중에서도, 메타크릴산2-(3,5-디메틸피라졸릴카르보닐아미노)에틸, 메타크릴산2-(1-메틸프로필리덴아미노옥시카르보닐아미노)에틸이 바람직하다.
이들 불포화 단량체 (2)는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
불포화 단량체 (1)과 불포화 단량체 (2)의 공중합체에 있어서, 해당 공중합체 중의 불포화 단량체 (1)의 공중합 비율은 바람직하게는 5 내지 50질량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 40질량%이다. 이와 같은 범위에서 불포화 단량체 (1)을 공중합시킴으로써, 알칼리 현상성, 보존 안정성이 우수한 적외선 흡수성 조성물을 얻을 수 있다.
불포화 단량체 (1)과 불포화 단량체 (2)의 공중합체의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평7-140654호 공보, 일본 특허 공개 평8-259876호 공보, 일본 특허 공개 평10-31308호 공보, 일본 특허 공개 평10-300922호 공보, 일본 특허 공개 평11-174224호 공보, 일본 특허 공개 평11-258415호 공보, 일본 특허 공개 제2000-56118호 공보, 일본 특허 공개 제2004-101728호 공보 등에 개시되어 있는 공중합체를 들 수 있다.
또한, 예를 들어 일본 특허 공개 평5-19467호 공보, 일본 특허 공개 평6-230212호 공보, 일본 특허 공개 평7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평9-325494호 공보, 일본 특허 공개 평11-140144호 공보, 일본 특허 공개 제2008-181095호 공보 등에 개시되어 있는 바와 같이, 측쇄에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 카르복실기 함유 중합체를, 결합제 수지로서 사용할 수도 있다. 이에 의해, 경화막과의 밀착성이 우수한 적외선 차단 필터층(142)을 형성할 수 있다.
측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 카르복실기 함유 중합체로서는, 예를 들어 하기 (a) 내지 (d)의 중합체를 들 수 있다.
(a) 불포화 단량체 (1) 및 수산기를 갖는 중합성 불포화 화합물을 함유하는 단량체의 공중합체에, 불포화 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 중합체,
(b) 불포화 단량체 (1)을 함유하는 단량체의 (공)중합체에, 옥시라닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물을 반응시켜 얻어지는 (공)중합체,
(c) 옥시라닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물 및 불포화 단량체 (1)을 함유하는 단량체의 공중합체에, 불포화 단량체 (1)을 반응시켜 얻어지는 중합체,
(d) 옥시라닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물을 함유하는 단량체의 (공)중합체에, 불포화 단량체 (1)을 반응시키고, 또한 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 (공)중합체.
또한 본 명세서에 있어서 「(공)중합체」란, 중합체 및 공중합체를 포함하는 용어이다.
수산기를 갖는 중합성 불포화 화합물로서는, 상기 히드록시알킬(메트)아크릴레이트 등의, 분자 내에 수산기 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 불포화 이소시아네이트 화합물로서는, 2-(메트)아크릴로일옥시페닐이소시아네이트 외에, 일본 특허 공개 제2014-098140호 공보의 단락 [0049]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 옥시라닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물로서는, 상기 옥시라닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수 있다. 다염기산 무수물로서는, 후술하는 중합성 화합물의 부분에서 예시하는 이염기산의 무수물, 사염기산 이무수물 외에, 일본 특허 공개 제2014-142582호 공보의 단락 [0038]에 기재된 화합물을 들 수 있다.
아크릴 수지는 겔 투과 크로마토그래피(이하, 「GPC」라고 줄임)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이, 통상 1,000 내지 100,000, 바람직하게는 3,000 내지 50,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 30,000이다. 또한, Mw와 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)는, 통상 1.0 내지 5.0, 바람직하게는 1.0 내지 3.0이다. 이와 같은 형태로 함으로써, 경화성, 밀착성이 우수한 적외선 차단 필터를 형성할 수 있다. 또한, 여기서 말하는 Mw, Mn은 GPC(용출 용매: 테트라히드로푸란)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량, 수 평균 분자량을 말한다.
산성 관능기를 갖는 아크릴 수지의 산가는 경화막과의 밀착성의 관점에서, 바람직하게는 10 내지 300㎎KOH/g, 보다 바람직하게는 30 내지 250㎎KOH/g, 더욱 바람직하게는 50 내지 200㎎KOH/g이다. 이와 같은 형태에 의해, 접촉각이 낮고, 습윤성이 우수한 적외선 차단 필터층을 형성할 수 있으므로, 경화막과의 밀착성을 높일 수 있다. 여기서, 본 명세서에 있어서 「산가」란, 산성 관능기를 갖는 아크릴 수지 1g을 중화하는 데 필요한 KOH의 ㎎수이다.
아크릴 수지는 공지의 방법에 의해 제조할 수 있지만, 예를 들어 일본 특허 공개 제2003-222717호 공보, 일본 특허 공개 제2006-259680호 공보, 국제 공개 제2007/029871호 공보 등에 개시되어 있는 방법에 의해, 그의 구조나 Mw, Mw/Mn을 제어할 수도 있다.
아크릴 수지 중에서는 이하의 (1-I) 내지 (1-IV) 중 어느 것임이 바람직하다.
(1-I) 1개 이상의 카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체와 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르의 공중합체,
(1-II) 1개 이상의 카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체와 블록 이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르의 공중합체,
(1-III) 측쇄에 (메트)아크릴로일기를 갖는 카르복실기 함유 중합체,
(1-IV) 1개 이상의 카르복실기를 갖는 에틸렌성 불포화 단량체와 다른 공중합 가능한 에틸렌성 불포화 단량체의 공중합체이며, 산가가 10 내지 300㎎KOH/g인 공중합체.
이들 (1-I) 내지 (1-IV)에 있어서의 바람직한 형태는 각각 상기한 바와 같다.
이어서, 폴리아미드 수지 및 폴리이미드 수지에 대해 설명한다. 폴리아미드 수지로서는, 폴리아미드산(폴리아믹산)을 들 수 있다. 또한, 폴리이미드 수지로서는, 규소 함유 폴리이미드 수지, 폴리이미드실록산 수지, 폴리말레이미드 수지 등을 들 수 있고, 예를 들어 전구체로서의 상기 폴리아미드산을 가열 폐환 이미드화함으로써 형성된다. 폴리아미드 수지 및 폴리이미드계 수지의 구체예로서는, 일본 특허 공개 제2012-189632호 공보의 단락 [0118] 내지 [0120]에 기재된 화합물을 들 수 있다.
폴리우레탄 수지는 반복 단위로서 우레탄 결합을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않고, 디이소시아네이트 화합물과 디올 화합물의 반응에 의해 생성할 수 있다. 디이소시아네이트 화합물로서는, 일본 특허 공개 제2014-189746호 공보의 단락 [0043]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 디올 화합물로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2014-189746호 공보의 단락 [0022]에 기재된 화합물을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는, 비스페놀형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있고, 그 중에서도 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지가 바람직하다. 바람직한 에폭시 수지 중, 비스페놀형 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 노볼락형 에폭시 수지로서는, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있다.
이와 같은 에폭시 수지는 시판품으로서 입수할 수 있고, 예를 들어 일본 특허 5213944호 명세서의 단락 [0121]에 기재된 시판품을 들 수 있다.
폴리실록산은, 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 하기 식 (1)로 표현되는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물을 들 수 있다.
Figure pct00001
또한 식 (1)에 있어서, x는 0 내지 3의 정수를 나타내고, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 1가의 유기기를 나타낸다.
R1 및 R2에 있어서의 1가의 유기기로서는, 치환 혹은 비치환의 지방족 탄화수소기, 치환 혹은 비치환의 지환식 탄화수소기, 치환 혹은 비치환의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 또한 「지환식 탄화수소기」란, 환상 구조를 갖지 않는 탄화수소기를 가리킨다.
지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기에 있어서의 치환기로서는, 옥시라닐기, 옥세타닐기, 에피술피드기, 비닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기, 카르복실기, 히드록실기, 술파닐기, 이소시아네이트기, 아미노기, 우레이도기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥시라닐기, (메트)아크릴로일기 및 술파닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 치환기가 바람직하다.
이와 같은 가수분해성 실란 화합물의 구체예로서는, 일본 특허 공개 제2010-055066호 공보의 단락 [0047] 내지 [0051] 및 단락 [0060] 내지 [0069]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 또한, 상기 치환기를 갖는 가수분해성 실란 화합물로서는, 일본 특허 공개 제2008-242078호 공보의 단락 [0077] 내지 [0088]에 기재된 가수분해성 실란 화합물을 들 수 있다. 이 외에, 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,8-비스(트리에톡시실릴)옥탄 등의 6관능의 가수분해성 실란 화합물도 병용할 수 있다.
폴리실록산은 공지의 방법에 의해 합성할 수 있다. GPC에 의한 Mw는 통상 500 내지 20,000, 바람직하게는 1,000 내지 10,000, 보다 바람직하게는 1,500 내지 7,000, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 5,000이다. 또한, Mw/Mn은 바람직하게는 1.0 내지 4.0, 보다 바람직하게는 1.0 내지 3.0이다. 이와 같은 형태로 함으로써, 도포성이 우수함과 함께, 충분한 밀착성을 발현할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 결합제 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 경화막과의 밀착성이 우수한 적외선 차단 필터층을 형성하는 관점에서, 적외선 흡수성 조성물을 구성하는 결합제 수지로서는, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 에폭시 수지, 폴리실록산이 바람직하고, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 아크릴 수지가 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 결합제 수지의 함유량은 적외선 흡수제 100질량부에 대해, 통상 5 내지 1,000질량부, 바람직하게는 10 내지 500질량부, 보다 바람직하게는 20 내지 150질량부이다. 이와 같은 형태로 함으로써, 도포성 및 보존 안정성이 우수한 적외선 흡수성 조성물을 얻을 수 있고, 알칼리 현상성을 부여한 경우에는, 알칼리 현상성이 우수한 적외선 흡수성 조성물로 할 수 있다.
1-4-3. 중합성 화합물
적외선 흡수성 조성물은 중합성 화합물(단, 상기 결합제 수지를 제외함)을 함유하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서 중합성 화합물이란, 2개 이상의 중합 가능한 기를 갖는 화합물을 말한다. 중합성 화합물의 분자량은 4,000 이하, 나아가 2,500 이하, 나아가 1,500 이하인 것이 바람직하다. 중합 가능한 기로서는, 예를 들어 에틸렌성 불포화기, 옥시라닐기, 옥세타닐기, N-히드록시메틸아미노기, N-알콕시메틸아미노기 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서, 중합성 화합물로서는, 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 또는 2개 이상의 N-알콕시메틸아미노기를 갖는 화합물이 바람직하다.
중합성 화합물에 있어서의 바람직한 화합물 중, 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 지방족 폴리히드록시 화합물과 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트, 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트, 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트와 다관능 이소시아네이트를 반응시켜 얻어지는 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트, 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트와 산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
여기서, 지방족 폴리히드록시 화합물로서는, 예를 들어 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜과 같은 2가의 지방족 폴리히드록시 화합물; 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨과 같은 3가 이상의 지방족 폴리히드록시 화합물을 들 수 있다. 상기 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤디메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 다관능 이소시아네이트로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 디페닐메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 산 무수물로서는, 예를 들어 무수 숙신산, 무수 말레산, 무수 글루타르산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산과 같은 이염기산의 무수물, 무수 피로멜리트산, 비페닐테트라카르복실산 이무수물, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물과 같은 사염기산 이무수물을 들 수 있다.
또한, 카프로락톤 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평11-44955호 공보의 단락 [0015] 내지 [0018]에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다. 상기 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트로서는, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 이소시아누르산트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 2개 이상의 N-알콕시메틸아미노기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 멜라민 구조, 벤조구아나민 구조, 우레아 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 멜라민 구조, 벤조구아나민 구조란, 1 이상의 트리아진환 또는 페닐 치환 트리아진환을 기본 골격으로서 갖는 화학 구조를 말하고, 멜라민, 벤조구아나민 또는 그들의 축합물도 포함하는 개념이다. 2개 이상의 N-알콕시메틸아미노기를 갖는 화합물의 구체예로서는, N,N,N',N',N",N"-헥사(알콕시메틸)멜라민, N,N,N',N'-테트라(알콕시메틸)벤조구아나민, N,N,N',N'-테트라(알콕시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다.
상기 외에, 중합성 화합물로서, 에폭시기를 갖는 지방족 화합물, 에폭시기를 갖는 지환식 화합물을 사용할 수도 있다. 에폭시기를 갖는 지방족 화합물로서는 2 내지 4개의 에폭시기를 갖는 지방족 화합물이 바람직하고, 구체적으로는 일본 특허 공개 제2010-053330호 공보의 단락 [0042]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 에폭시기를 갖는 지환식 화합물로서는 2 내지 4개의 에폭시기를 갖는 지환식 화합물이 바람직하고, 구체적으로는 일본 특허 공개 제2010-053330호 공보의 단락 [0043]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 또한, 헥사메틸올멜라민 등의 2개 이상의 N-히드록시메틸아미노기를 갖는 화합물을 사용할 수도 있다.
이들 중합성 화합물 중, 2개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물, 2개 이상의 N-알콕시메틸아미노기를 갖는 화합물이 바람직하고, 3가 이상의 지방족 폴리히드록시 화합물과 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트, 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트, 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트, 카르복실기를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트, N,N,N',N',N",N"-헥사(알콕시메틸)멜라민, N,N,N',N'-테트라(알콕시메틸)벤조구아나민이 보다 바람직하고, 3가 이상의 지방족 폴리히드록시 화합물과 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트, 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트, 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트, 카르복실기를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트가 더욱 바람직하다. 3가 이상의 지방족 폴리히드록시 화합물과 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트 중에서는 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트가, 알킬렌옥사이드 변성된 다관능 (메트)아크릴레이트 중에서는, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드에서 선택되는 적어도 1종에 의해 변성된 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트가, 카르복실기를 갖는 다관능 (메트)아크릴레이트 중에서는, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트와 무수 숙신산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트와 무수 숙신산을 반응시켜 얻어지는 화합물이, 적외선 차단 필터의 강도, 표면 평활성이 우수하며, 또한 적외선 흡수성 조성물에 알칼리 현상성을 부여한 경우에는, 미노광부의 기판 위에 바탕 오염, 막 잔류 등을 발생시키기 어려운 점에서 특히 바람직하다. 본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 중합성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 중합성 화합물의 함유량은 적외선 흡수제 100질량부에 대해, 10 내지 1,000질량부가 바람직하고, 15 내지 500질량부가 보다 바람직하고, 20 내지 150질량부가 바람직하다. 이와 같은 형태로 함으로써, 경화성, 밀착성이 보다 높여진다.
1-4-4. 용매
적외선 흡수성 조성물은, 통상, 용매를 배합하여 액상 조성물로서 제조된다. 용매로서는, 적외선 흡수성 조성물을 구성하는 성분을 분산 또는 용해하며, 또한 이들 성분과 반응하지 않고, 적합한 휘발성을 갖는 것인 한, 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
이와 같은 용매로서는, 예를 들어
에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류;
락트산메틸, 락트산에틸 등의 락트산알킬에스테르류;
메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로판올, 이소부탄올, t-부탄올, 옥탄올, 2-에틸헥산올, 시클로헥산올 등의 (시클로)알킬알코올류;
디아세톤알코올 등의 케토알코올류;
에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;
디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등의 다른 에테르류;
메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤류;
프로필렌글리콜디아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트, 1,6-헥산디올디아세테이트 등의 디아세테이트류;
3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트 등의 알콕시카르복실산에스테르류;
아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산i-프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산i-부틸, 포름산n-아밀, 아세트산i-아밀, 프로피온산n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산i-프로필, 부티르산n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 다른 에스테르류;
톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류;
N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드 또는 락탐류;
등을 들 수 있다.
이들 용매 중, 용해성, 도포성 등의 관점에서, (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류, 락트산알킬에스테르류, (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 다른 에테르류, 케톤류, 디아세테이트류, 알콕시카르복실산에스테르류, 다른 에스테르류가 바람직하고, 특히 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트, 1,6-헥산디올디아세테이트, 락트산에틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산n-부틸, 아세트산i-부틸, 포름산n-아밀, 아세트산i-아밀, 프로피온산n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산i-프로필, 부티르산n-부틸, 피루브산에틸 등이 바람직하다.
본 발명의 일 실시 형태에 있어서, 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
용매의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 적외선 흡수성 조성물의 용매를 제외한 각 성분의 합계 농도가, 5 내지 50질량%가 되는 양이 바람직하고, 10 내지 30질량%가 되는 양이 보다 바람직하다. 이와 같은 형태로 함으로써, 도포성이 양호한 적외선 흡수성 조성물을 얻을 수 있다.
1-4-5. 감광제
본 발명의 적외선 흡수성 조성물에는 감광제를 함유할 수 있다. 여기서, 본 명세서에 있어서 「감광제」란, 광조사에 의해 적외선 흡수성 조성물의 용매에 대한 용해성을 변화시키는 성질을 갖는 화합물을 말한다. 이와 같은 화합물로서는, 예를 들어 광중합 개시제, 산 발생제 등을 들 수 있다. 감광제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
광중합 개시제로서는, 광에 의해 산 또는 라디칼을 발생할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 티오크산톤계 화합물, 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, O-아실옥심계 화합물, 오늄염계 화합물, 벤조인계 화합물, 벤조페논계 화합물, α-디케톤계 화합물, 다핵 퀴논계 화합물, 디아조계 화합물, 이미드술포네이트계 화합물 등을 들 수 있다. 광중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
그 중에서도, 광중합 개시제로서는, 비이미다졸계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 아세토페논계 화합물, 트리아진계 화합물, O-아실옥심계 화합물의 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다. 또한, 비이미다졸계 화합물을 사용하는 경우, 2-머캅토벤조티아졸 등의 수소 공여체를 병용해도 된다. 여기서 말하는 「수소 공여체」란, 노광에 의해 비이미다졸계 화합물에서 발생한 라디칼에 대해, 수소 원자를 공여할 수 있는 화합물을 의미한다. 또한, 비이미다졸계 화합물 이외의 광중합 개시제를 사용하는 경우에는, 4-디메틸아미노벤조산에틸 등의 증감제를 병용할 수도 있다.
산 발생제로서는, 열 또는 광에 의해 산을 발생하는 화합물이라면 특별히 한정되지 않지만, 술포늄염, 벤조티아졸륨염, 암모늄염, 포스포늄염 등의 오늄염, N-히드록시이미도술포네이트 화합물, 옥심술포네이트, o-니트로벤질술포네이트, 퀴논디아지드 화합물 등을 들 수 있다. 산 발생제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 술포늄염, 벤조티아졸륨염, 옥심술포네이트, 퀴논디아지드 화합물이 바람직하다. 술포늄염, 벤조티아졸륨염의 구체예로서는, 예를 들어 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 4-히드록시페닐ㆍ벤질ㆍ메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐ㆍ벤질ㆍ메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-히드록시페닐디벤질술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디벤질술포늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아졸륨헥사플루오로안티모네이트, 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있다. 옥심술포네이트의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2014-115438호 공보의 단락 [0122] 내지 [0131]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 퀴논디아지드 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2008-156393호 공보의 단락 [0040] 내지 [0048]에 기재된 화합물, 일본 특허 공개 제2014-174406호 공보의 단락 [0172] 내지 [0186]에 기재된 화합물을 들 수 있다.
감광제의 함유량은 적외선 흡수성 조성물의 고형분 중에, 바람직하게는 0.03 내지 10질량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 8질량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 6질량%이다. 이와 같은 형태로 함으로써, 경화성, 밀착성을 보다 한층 양호하게 할 수 있다.
1-4-6. 분산제
적외선 흡수성 조성물에는 분산제를 함유시킬 수 있다. 분산제로서는, 예를 들어 우레탄계 분산제, 폴리에틸렌이민계 분산제, 폴리옥시알킬렌알킬에테르계 분산제, 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르계 분산제, 폴리(알킬렌글리콜)디에스테르계 분산제, 소르비탄 지방산 에스테르계 분산제, 폴리에스테르계 분산제, (메트)아크릴계 분산제 등을 들 수 있고, 시판품으로서, 예를 들어 Disperbyk-2000, Disperbyk-2001, BYK-LPN6919, BYK-LPN21116, BYK-LPN22102(이상, 빅케미(BYK)사제) 등의 (메트)아크릴계 분산제, Disperbyk-161, Disperbyk-162, Disperbyk-165, Disperbyk-167, Disperbyk-170, Disperbyk-182(이상, 빅케미(BYK)사제), 솔스퍼스76500(루브리졸(주)사제) 등의 우레탄계 분산제, 솔스퍼스24000(루브리졸(주)사제) 등의 폴리에틸렌이민계 분산제, 아지스퍼PB821, 아지스퍼PB822, 아지스퍼PB880, 아지스퍼PB881(이상, 아지노모토 파인테크노(주)사제) 등의 폴리에스테르계 분산제 외에, BYK-LPN21324(빅케미(BYK)사제)를 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 적외선 흡수성 조성물에 알칼리 현상성을 부여한 경우에는, 현상 잔사가 적은 적외선 차단 필터층(142)을 형성하는 관점에서, 알킬렌옥사이드 구조를 갖는 반복 단위를 포함하는 분산제가 바람직하다.
분산제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 분산제의 함유량은 적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분 100질량부에 대해, 5 내지 200질량부가 바람직하고, 10 내지 100질량부가 보다 바람직하고, 20 내지 70질량부가 더욱 바람직하다.
1-4-7. 첨가제
적외선 흡수성 조성물에는 필요에 따라, 다양한 첨가제를 함유할 수도 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 유리, 알루미나 등의 충전제; 폴리비닐알코올, 폴리(플루오로알킬아크릴레이트)류 등의 고분자 화합물; 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등의 계면 활성제; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 밀착 촉진제; 2,2-티오비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,6-디-t-부틸페놀, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 3,9-비스[2-[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)-프로피오닐옥시]-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사-스피로[5ㆍ5]운데칸, 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] 등의 산화 방지제; 2-(3-t-부틸-5-메틸-2-히드록시페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 알콕시벤조페논류 등의 자외선 흡수제; 폴리아크릴산나트륨 등의 응집 방지제; 말론산, 아디프산, 이타콘산, 시트라콘산, 푸마르산, 메사콘산, 2-아미노에탄올, 3-아미노-1-프로판올, 5-아미노-1-펜탄올, 3-아미노-1,2-프로판디올, 2-아미노-1,3-프로판디올, 4-아미노-1,2-부탄디올 등의 잔사 개선제; 숙신산모노〔2-(메트)아크릴로일옥시에틸〕, 프탈산모노〔2-(메트)아크릴로일옥시에틸〕, ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등의 현상성 개선제; 블록 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.
평탄화막이나 유기막 등의 경화막과의 밀착성을 향상시키는 관점에서는 밀착 촉진제, 중합성 불포화기를 갖는 계면 활성제, 다관능 티올, 블록 이소시아네이트 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.
밀착 촉진제 중에서는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 옥시라닐기를 갖는 실란 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 실란 화합물이 바람직하다. 밀착 촉진제의 함유량으로서는, 결합제 수지 100질량부에 대해, 1 내지 30질량부가 바람직하다.
중합성 불포화기를 갖는 계면 활성제의 구체예로서는, 예를 들어 일본 특허4965083호 명세서의 단락 [0041] 내지 [0055]에 기재된 화합물을 들 수 있고, 시판품으로서는, 일본 특허 5626063호 명세서의 단락 [0032]에 기재된 화합물, 일본 특허 5552364호 명세서의 단락 [0057]에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. 중합성 불포화기를 갖는 계면 활성제의 함유량으로서는, 적외선 흡수제 100질량부에 대해, 1 내지 50질량부가 바람직하다.
다관능 티올은 2개 이상의 술파닐기를 갖는 화합물이고, 예를 들어 치환기로서 2개 이상의 술파닐기를 갖는 탄화수소류, 다가 알코올의 폴리(머캅토아세테이트)류, 다가 알코올의 폴리(3-머캅토프로피오네이트)류, 다가 알코올의 폴리(2-머캅토프로피오네이트)류, 다가 알코올의 폴리(3-머캅토부티레이트)류, 치환기로서 2개 이상의 술파닐기를 갖는 복소환류, 2개 이상의 술파닐기를 갖는 폴리실록산류 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 일본 특허 공개 제2013-083932호 공보의 단락 [0073] 내지 [0079]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 다관능 티올의 함유량으로서는, 결합제 수지 100질량부에 대해, 1 내지 50질량부가 바람직하다.
블록 이소시아네이트 화합물은, 이소시아네이트기를 활성 수소기 함유 화합물(블록제)과 반응시켜 상온에서 불활성으로 한 것이고, 이것을 가열하면 블록제가 해리되어 이소시아네이트기가 재생된다는 성질을 갖는 것이다. 시판품으로서는, 예를 들어 이소시아네이트기를 메틸에틸케톤의 옥심으로 블록한 것으로서, 듀라네이트 TPA-B80E, TPA-B80X, E402-B80T, MF-B60XN, MF-B60X, MF-B80M(이상, 아사히 가세이 고교사); 이소시아네이트기를 활성 메틸렌으로 블록한 것으로서, 듀라네이트 MF-K60X(아사히 가세이 고교사); (메트)아크릴로일기를 갖는 이소시아네이트 화합물의 블록체로서, 카렌즈MOI-BP, 카렌즈MOI-BM(이상, 쇼와 덴코사)을 들 수 있다. 블록 이소시아네이트 화합물의 함유량으로서는, 결합제 수지 100질량부에 대해, 5 내지 100질량부가 바람직하다.
1-4-8. 적외선 차단 필터층의 제조 방법
본 발명의 일 실시 형태에 관한 적외선 차단 필터층(142)은, 예를 들어 상기한 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성할 수 있고, 적외선 파장 영역에 있어서의 차광성(적외선 차폐성)이 높고, 경화막과의 밀착성도 우수하다.
적외선 흡수성 조성물을 사용하여 적외선 차단 필터층(142)을 형성하는 방법에 대해, 공정별로 설명한다. 본 발명의 실시 형태에 관한 적외선 차단 필터층(142)은, 이하의 공정 (1) 내지 (4)의 순서대로 행하거나, 공정 (1) 및 (4)를 포함하는 공정 후에 공정 (5)를 행하여 형성할 수 있다.
(1) 본 발명의 적외선 흡수성 조성물을 기판 위에 도포하여 도막을 형성하는 공정,
(2) 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 도막을 현상하는 공정(현상 공정),
(4) 도막을 가열하는 공정(가열 공정),
(5) 공정 (4)에서 얻어진 적외선 차단 필터층의 일부를 제거하는 공정.
1-4-8-1. 공정 (1)
먼저, 기판 위에, 적외선 흡수성 조성물을 도포하고, 바람직하게는 도포면을 가열(프리베이크)함으로써 용매를 제거하여, 도막을 형성한다. 여기서 말하는 기판이란, 컬러 필터층이나 경화막, 포토다이오드의 수광면 등을 포괄하는 개념이고, 실시 형태에 따라 적절히 변경될 수 있다.
적외선 흡수성 조성물의 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법(스핀 코트법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 특히, 스핀 코트법이 바람직하다.
필요에 따라 행해지는 프리베이크는 오븐, 핫 플레이트, IR 히터 등 공지의 가열 수단을 사용하는 것이 가능하고, 감압 건조와 가열 건조를 조합하여 행해도 된다. 가열 조건은 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서도 다르지만, 예를 들어 온도 60 내지 200℃에서 30초 내지 15분 정도로 할 수 있다.
1-4-8-2. 공정 (2)
공정 (2)는 공정 (1)에서 형성된 도막의 일부 또는 전부에 방사선을 조사하는 공정이다. 이 경우, 도막의 일부를 노광할 때에는, 예를 들어 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 노광한다. 전술한 바와 같이, 제1 실시 형태에 관한 적외선 차단 필터는, 포토다이오드(136d)가 설치되는 영역 위에 개구부를 갖고 있다. 적외선 차단 필터를, 알칼리 현상성을 부여한 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성하는 경우에는, 포토마스크의 패턴을 포토다이오드(136d)의 패턴에 대응하는 것으로 하면 된다.
노광에 사용되는 방사선으로서는, 전자선, KrF, ArF, g선, h선, i선 등의 자외선이나 가시광을 들 수 있고, 그 중에서도 KrF, g선, h선, i선이 바람직하다. 노광 방식으로서는, 스테퍼 노광이나 고압 수은등에 의한 노광 등을 들 수 있다. 노광량은 5 내지 3000mJ/㎠가 바람직하고, 10 내지 2000mJ/㎠가 보다 바람직하고, 50 내지 1000mJ/㎠가 더욱 바람직하다. 노광 장치로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 장치를 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들어 초고압 수은등 등의 UV 노광기를 들 수 있다.
1-4-8-3. 공정 (3)
공정 (3)은 공정 (2)에서 얻어진 도막을, 알칼리 현상액을 사용하여 현상함으로써, 불필요한 부분(포지티브형의 경우는 방사선의 조사 부분. 네거티브형의 경우는 방사선의 비조사 부분.)을 용해 제거하는 공정이다.
알칼리 현상액으로서는, 예를 들어 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄히드록시드, 콜린, 1,8-디아자비시클로- [5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로-[4.3.0]-5-노넨 등의 수용액이 바람직하다.
알칼리 현상액에는, 예를 들어 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제 등을 적량 첨가할 수도 있다. 또한, 알칼리 현상 후에는 통상, 수세한다.
현상 처리법으로서는, 샤워 현상법, 스프레이 현상법, 딥(침지) 현상법, 퍼들(액고임) 현상법 등을 적용할 수 있다. 현상 조건은 상온에서 5 내지 300초가 바람직하다.
1-4-8-4. 공정 (4)
공정 (4)에서는 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 공정 (1) 내지 (3)에 의해 얻어지는 패터닝된 도막, 또는 공정 (1) 및 필요에 따라 행해지는 공정 (2)에 의해 얻어지는 패터닝되어 있지 않은 도막을, 비교적 고온에서 가열함으로써, 본 발명의 적외선 차단 필터층을 형성한다. 이에 의해, 적외선 차단 필터층의 기계적 강도, 내균열성을 높일 수 있다.
본 공정에 있어서의 가열 온도는, 예를 들어 120℃ 내지 250℃이다. 가열 시간은 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들어 핫 플레이트 위에서 가열 공정을 행하는 경우에는 1분간 내지 30분간, 오븐 중에서 가열 공정을 행하는 경우에는 5분간 내지 90분간으로 할 수 있다. 또한, 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝 베이크법 등을 사용할 수도 있다.
1-4-8-5. 공정 (5)
공정 (5)는 공정 (4)에서 얻어진 적외선 차단 필터층의 일부를 제거하는 공정이다. 예를 들어, 공정 (1)에 있어서 알칼리 현상성을 갖지 않는 적외선 흡수성 조성물을 기판 전체면에 도포한 경우, 공정 (4) 후에는, 개구부를 갖지 않는 적외선 차단 필터층이 형성된다. 그래서 공정 (5)에 의해, 적외선 통과 필터층(140)에 대응하는 부분에 개구부를 형성할 수 있다. 구체적으로는, 공정 (1) 및 (4)를 포함하는 공정에서 얻어진 적외선 차단 필터층 위에 포토레지스트층을 형성하고, 이 포토레지스트층을 패턴상으로 제거하여 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 하여 건식 에칭에 의해 에칭하고, 에칭 후에 잔존하는 레지스트 패턴을 제거한다. 이에 의해, 적외선 차단 필터층의 일부를 제거할 수 있다. 보다 구체적인 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2008-241744호 공보를 참작할 수 있다.
이와 같이 하여 제작되는 적외선 차단 필터층(142)은 15㎛ 이하, 바람직하게는 0.1 내지 15㎛, 보다 바람직하게는 0.2 내지 3㎛, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 2㎛, 특히 바람직하게는 0.5 내지 1.5㎛의 두께로 설치된다. 적외선 차단 필터층(142)을 이와 같은 막 두께로 함으로써, 광학 필터층(132)의 두께를 얇게 할 수 있다. 또한, 적외선 차단 필터층(142)을 얇게 함으로써, 상층에 설치하는 제2 경화막(144b)의 막 두께도 얇게 할 수 있다. 즉, 제2 경화막(144b)을 평탄화막으로서 사용할 때, 적외선 차단 필터층(142)에 의한 단차의 높이가 낮아짐으로써, 그만큼 제2 경화막(144b)의 막 두께를 얇게 할 수 있다. 이와 같이, 적외선 차단 필터층(142)의 막 두께를 얇게 함으로써, 광학 필터층(132) 전체의 두께를 얇게 할 수 있고, 그 결과, 고체 촬상 장치의 박형화를 도모할 수 있다.
적외선 차단 필터층(142)은, 상기한 바와 같은 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성함으로써, 파장 600 내지 2000㎚, 바람직하게는 파장 700 내지 1000㎚의 범위 내에 흡수 극대를 갖고, 당해 파장 범위의 광을 차단하는 기능을 갖고 있다.
본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치는 이와 같은 광학적 특성을 갖는 적외선 차단 필터층(142)을 컬러 필터층(138a 내지 138c)에 겹쳐서 설치함으로써, 포토다이오드(136a 내지 136c)에는 적외선 파장 영역의 광이 차단되고, 각각의 컬러 필터층(138a 내지 138c)에 대응한 특정 파장 대역의 가시광선이 입사된다. 그로 인해, 제1 화소(122a 내지 122c)는 적외선에 의한 노이즈의 영향을 받지 않고, 고정밀도로 가시광선을 검출할 수 있다. 이 경우에 있어서, 적외선 차단 필터층(142)을 박막화함으로써, 고체 촬상 장치의 박형화를 도모할 수 있다.
1-5. 경화막
경화막(144)은 컬러 필터층(138a 내지 138c)과 마이크로렌즈 어레이(134) 사이에 설치된다. 경화막(144)은, 가시광선 파장 영역 및 적외선 파장 영역의 양쪽에 대해 투광성을 갖는 것이 바람직하다. 마이크로렌즈 어레이(134)를 통해 입사한 광은, 적외선 차단 필터층(142), 적외선 통과 필터층(140), 컬러 필터층(138)에 의해 특정한 파장 대역의 광이 포토다이오드(136a 내지 136d)에 입사되지만, 입사광의 광로에 있어서 전술한 각종 필터층 이외의 영역에서는 가능한 한 광이 감쇠하지 않도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 경화막(144)은, 예를 들어 배선층(130)과의 사이에서 기생 용량이 발생하지 않도록, 절연성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 경화막(144)은 광학 필터층(132)의 대략 전방면에 설치되기 때문에, 가령 경화막(144)에 도전성이 있으면, 배선층(130)과의 사이에서 의도하지 않은 기생 용량이 발생해 버린다. 기생 용량이 발생하면, 포토다이오드(136a 내지 136d)의 검출 동작에 지장을 초래하기 때문에, 경화막(144)은 절연성을 갖고 있는 것이 바람직하다.
또한, 경화막(144)은, 그것과 접하는 층과의 밀착성이 우수할 것이 요망된다. 예를 들어, 경화막(144)과 적외선 차단 필터층(142)의 밀착성이 나쁘면, 박리가 일어나, 광학 필터층(132)이 손상되어 버린다.
또한, 경화막(144)은, 적외선 차단 필터층(142), 적외선 통과 필터층(140), 컬러 필터층(138) 등을 매립하고, 그 위에 마이크로렌즈 어레이(134)를 설치하기 위해, 표면이 평탄화되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 경화막(144)은 평탄화막으로서도 사용되는 것이 바람직하다.
이와 같이 요구되는 특성에 대해, 경화막(144)으로서는, 유기막을 사용하는 것이, 투광성을 가지며, 또한 절연성을 갖는 경화막을 얻는 관점에서 바람직하다. 유기막은 또한, 평탄화막 형성용 경화성 조성물을 사용하여 얻어지는 평탄화막인 것이 바람직하다. 즉, 평탄화막 형성용 경화성 조성물을 도포한 후의 레벨링 작용에 의해, 하지면에 요철을 포함하고 있어도 평탄한 표면을 갖는 평탄화막(경화막)을 얻을 수 있다.
경화막(144)을 제작하기 위한 조성물로서는, 경화성 화합물 및 용매를 포함하는 경화성 조성물, 특히 경화성 화합물 및 용매를 포함하는 평탄화막 형성용 경화성 조성물이 바람직하다. 경화성 조성물에 있어서의 용매로서는, 적외선 흡수성 조성물에 있어서의 용매로서 기재한 것과 동일한 것을 사용할 수 있고, 바람직한 형태도 전술과 마찬가지이다.
이하, 경화성 조성물을 구성하는 경화성 화합물에 대해 설명한다.
1-5-1. 경화성 화합물
경화성 조성물을 구성하는 경화성 화합물로서는, 광 또는 열에 의해 경화할 수 있는 화합물이면 되고, 예를 들어 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 수지, 측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 수지, 폴리실록산, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 중합성 화합물 등을 들 수 있다.
산소 함유 포화 복소환기를 갖는 수지에 있어서의 산소 함유 포화 복소환기로서는, 전술과 동일한 것을 들 수 있고, 그 중에서도, 옥시라닐기, 옥세타닐기가 바람직하고, 옥시라닐기가 보다 바람직하다.
산소 함유 포화 복소환기를 갖는 수지로서는, 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 아크릴 수지가 바람직하고, 구체적으로는 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르의 (공)중합체를 들 수 있다. 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 전술과 동일한 것 외에, 일본 특허 공개 평6-157716호 공보의 단락 [0014]에 기재된 화합물, 일본 특허 공개 제2000-344866호 공보의 단락 [0014]에 기재된 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리시딜(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르의 (공)중합체는, 또 다른 공중합 가능한 에틸렌성 불포화 단량체와의 공중합체인 것이 바람직하다. 이와 같은 다른 공중합 가능한 에틸렌성 불포화 단량체로서는, 상기 불포화 단량체 (1), 상기 불포화 단량체 (2)(단, 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 제외함)를 들 수 있다. 불포화 단량체 (1) 중에서는 (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산이 바람직하다. 불포화 단량체 (2) 중에서는 방향족 비닐 화합물, 지환식 탄화수소기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르가 바람직하다.
산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르의 (공)중합체에 있어서의, 바람직한 공중합 비율은 다음과 같다. 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르의 공중합 비율은 10 내지 90질량%, 나아가 15 내지 80질량%, 나아가 20 내지 70질량%가 바람직하다. 불포화 단량체 (1)의 공중합 비율은 5 내지 40질량%, 나아가 10 내지 30질량%가 바람직하다. 불포화 단량체 (2)(단, 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 제외함)의 공중합 비율은 5 내지 85질량%, 나아가 10 내지 70질량%가 바람직하다.
산소 함유 포화 복소환기를 갖는 아크릴 수지의 구체예로서는, 일본 특허 공개 평6-157716호 공보, 일본 특허 공개 평6-192389호 공보, 일본 특허 공개 평9-100338호 공보, 일본 특허 공개 제2000-344866호 공보 등에 개시되어 있는 공중합체를 들 수 있다.
측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 수지에 있어서의 중합성 불포화기로서는, (메트)아크릴로일기, 비닐아릴기, 비닐옥시기, 알릴기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.
측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 수지의 구체예로서는, 측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 카르복실기 함유 중합체의 구체예로서 예시한 b) 외에, 하기 e) 내지 f)의 중합체를 들 수 있고, 구체적으로는 일본 특허 공개 평5-19467호 공보, 일본 특허 공개 평6-230212호 공보, 일본 특허 공개 평7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평9-325494호 공보, 일본 특허 공개 평11-140144호 공보, 일본 특허 공개 제2008-181095호 공보 등에 개시되어 있는 바와 같은 아크릴 수지를 사용할 수 있다.
e) 수산기를 갖는 중합성 불포화 화합물을 함유하는 단량체의 (공)중합체에, 불포화 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 (공)중합체,
f) 옥시라닐기를 갖는 중합성 불포화 화합물을 함유하는 단량체의 (공)중합체에, 불포화 단량체 (1)을 반응시켜 얻어지는 (공)중합체.
상기 외에, 측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 아크릴 수지로서, 일본 특허 5586828호 명세서의 식 (1) 또는 (2)로 표현되는 구조 단위를 갖는 아크릴 수지를 사용할 수도 있다.
또한, 측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 수지로서, 에폭시 수지에 불포화 단량체 (1)을 반응시켜 얻어지는 에폭시아크릴레이트 수지를 사용할 수도 있다. 에폭시아크릴레이트 수지는 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.
폴리실록산으로서는, 적외선 흡수성 조성물의 부분에서 설명한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥시라닐기, (메트)아크릴로일기 및 술파닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 치환기를 함유하는 폴리실록산이 바람직하고, 옥시라닐기, (메트)아크릴로일기 및 술파닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 치환기를 갖는 가수분해성 실란 화합물의 가수분해 축합물이 바람직하다. 이와 같은 가수분해성 실란 화합물로서는, 전술과 동일한 것을 들 수 있다.
폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 중합성 화합물로서는, 적외선 흡수 조성물의 부분에서 설명한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
이와 같은 경화성 조성물을 구성하는 중합성 화합물 중에서도, 적외선 차단 필터층과의 밀착성이 우수한 경화막을 형성하는 관점에서는, 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 수지, 측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 수지, 폴리실록산, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지가 바람직하고, 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 수지, 측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 수지, 폴리실록산이 보다 바람직하다.
1-5-2. 감광제
경화성 조성물에는 감광제를 더 함유할 수 있다. 감광제로서는 전술과 동일한 것을 들 수 있고, 구체적인 화합물 및 형태는 전술과 마찬가지이다.
1-5-3. 첨가제
경화성 조성물에는 첨가제를 더 함유할 수 있다. 첨가제로서는 전술과 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 밀착 촉진제, 블록 이소시아네이트 화합물이 바람직하다.
이상 설명한, 평탄화막 형성용 경화성 조성물 중에서도, 적외선 차단 필터층과의 밀착성이 우수한 경화막을 형성하는 관점에서는, 이하 중 어느 것임이 바람직하다.
(2-I) 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 수지 및 용매를 포함하는 경화성 조성물,
(2-II) 측쇄에 중합성 불포화기를 갖는 수지 및 용매를 포함하는 경화성 조성물,
(2-III) 폴리실록산 및 용매를 포함하는 경화성 조성물.
이들 (2-I) 내지 (2-III)에 있어서의 바람직한 형태는 각각 상기한 바와 같다.
1-5-4. 경화막의 제조 방법
본 발명의 고체 촬상 장치에 관한 경화막은, 예를 들어 상기한 경화성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.
본 발명의 경화막은 전술한 공정 (1)에 있어서 적외선 흡수성 조성물 대신에 경화성 조성물을 사용하는 것 이외는, 전술한 공정 (1) 및 (4)를 포함하는 공정에 의해 형성할 수 있다. 또한, 필요에 따라 공정 (2), (3)을 행해도 된다. 이들 공정의 상세 및 바람직한 형태는 전술한 공정 (1) 내지 (4)와 마찬가지이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 고체 촬상 장치에 관한 적외선 차단 필터층(142)은 충분히 적외선을 흡수할 수 있기 때문에, 적외선 차단 필터층(142)의 막 두께를 얇게 하는 것이 가능하다. 따라서, 예를 들어 제1 실시 형태에 있어서 제2 경화막(144b)을 형성할 때, 제1 경화막(144a)의 상면과 적외선 차단 필터층(142)의 상면의 단차부를 작게 할 수 있으므로, 제2 경화막의 형성이 용이해진다는 이점이 있다. 바꾸어 말하면, 제2 경화막인 평탄화막을 스핀 코트법으로 형성할 때, 단차부가 작을수록 도포가 용이해지기 때문에, 막 두께가 얇은 제2 경화막(144b)의 형성이 가능해지고, 나아가서는 고체 촬상 장치의 박형화를 도모할 수 있다.
또한, 적외선 차단 필터층(142)이나 경화막(144)이 각각 박막화되면, 그들의 적층 계면에서의 밀착성이 저하되어, 박리로 이어질 우려가 있다. 그러나 본 발명에 있어서의 적외선 흡수성 조성물이나 경화성 조성물을 상기와 같이 함으로써, 적외선 차단 필터층(142)이나 경화막(144)이 박막이라도, 적층 계면에서의 밀착성이 우수하고, 나아가서는 고체 촬상 장치의 박형화를 도모할 수 있다는 점에서, 본 발명의 고체 촬상 장치의 제작에 적합하다.
또한, 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치(100)는 상기의 구성에 더하여, 마이크로렌즈 어레이(134) 위에 2대역 통과 필터를 설치해도 된다. 즉, 적외선 차단 필터층(142) 및 적외선 통과 필터층(140)의 상면에, 파장 430 내지 580㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 75% 이상, 파장 720 내지 750㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 15% 이하, 파장 810 내지 820㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 60% 이상, 및 파장 900 내지 2000㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 15% 이하인 2대역 통과 필터를 설치해도 된다. 2대역 통과 필터를 부가함으로써, 가시광선 파장 영역과 적외선 파장 영역에 있어서의 필터링 능력을 더욱 높일 수 있다.
1-6. 고체 촬상 장치의 동작
도 2에 나타나는 고체 촬상 장치(100)는 마이크로렌즈 어레이(134)를 통해 입사한 광이, 가시광 검출용 화소(118)에 있어서는 적외선 차단 필터층(142)에 의해 적외선이 차단되고, 가시광이 컬러 필터층(138a 내지 138c)에 입사한다. 한편, 적외광 검출용 화소(120)에 있어서는, 적외선 통과 필터층(140)에 그대로 입사한다.
제1 화소(122a 내지 122c)에서는 컬러 필터층(138a 내지 138c)에 입사한 가시광선 파장 영역의 광이, 각각의 광학적 특성에 따라 투과한 가시광선이, 포토다이오드(136a 내지 136c)에 입사한다. 이에 의해, 적외선에 의한 노이즈의 영향을 받지 않고 고정밀도로 가시광선을 검출할 수 있다. 제2 화소(124)에서는 적외선 통과 필터층(140)에 의해, 가시광선 파장 영역의 광이 차단되고, 적외선 파장 영역(특히, 근적외선 파장 영역)의 광이 포토다이오드(136d)에 입사한다. 이에 의해, 가시광에 기인하는 노이즈 등의 영향을 받지 않고, 고정밀도로 적외선을 검출할 수 있다.
본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치는 가시광 검출용 화소와 적외광 검출용 화소를 일체로 설치함으로써, TOF 방식으로 거리 측정 가능한 고체 촬상 장치를 실현할 수 있다. 즉, 가시광 검출용 화소에서 피사체의 화상 데이터를 취득하고, 적외광 검출용 화소에서 피사체까지의 거리를 계측할 수 있다. 그것에 의해, 삼차원의 화상 데이터를 취득하는 것이 가능해진다. 이 경우에 있어서, 가시광 검출용 화소에 있어서는, 적외선 파장 영역의 광이 차단되어, 노이즈가 적은 고감도의 촬상을 할 수 있다. 적외선 검출용 화소에서는 가시광선 파장 영역의 광이 차단되고, 고정밀도의 거리 측정을 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치는 적외선 차단 필터층(142)이 박막화되고, 결과적으로 광학 필터층(132)이 박형화됨으로써, 고체 촬상 장치의 박형화를 도모하는 것이 가능해진다. 그것에 의해, 스마트폰이나 태블릿 단말기 등의 휴대형 정보 기기의 하우징의 박형화에 기여할 수 있다.
1-7. 변형예
도 3은 적외선 통과 필터층(140)의 두께를 변화시킨 고체 촬상 장치의 화소부(102b)의 일례를 나타낸다. 도 3에서 나타내는 화소부(102b)는 적외선 통과 필터층(140)의 상면의 높이가, 적외선 차단 필터층(142)의 상면의 높이와 대략 일치하고 있다. 보다 구체적으로는, 적외선 통과 필터층(140)의 상면과 적외선 차단 필터층(142)의 상면의 고저차가, 바람직하게는 0.3㎛ 이내, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이내, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 이내이다. 다르게 말하면, 적외선 통과 필터층(140)의 막 두께는 적외선 차단 필터층(142)의 막 두께와, 제1 경화막(144a)과, 그의 상면에 병치되는 컬러 필터층(138a), 컬러 필터층(138b) 또는 컬러 필터층(138c)의 막 두께의 합계값과 개략 동등한 값이 되어 있다.
이와 같이, 적외선 통과 필터층(140)의 두께를 증가시킴으로써 가시광선을 충분히 흡수하여, 포토다이오드(136d)에 가시광선이 입사하지 않도록 할 수 있다. 그것에 의해, 적외선 검출을 고정밀도 및 고감도로 행할 수 있다. 이 경우에 있어서, 제2 화소(124)에는 적외선 차단 필터층(142)이 설치되어 있지 않으므로, 적외선 통과 필터층(140)의 막 두께를 증가시켜도 광학 필터층(132)의 두께에 영향을 미치는 일은 없다.
또한, 적외선 통과 필터층(140)의 상면의 높이를, 적외선 차단 필터층(142)의 상면의 높이와 대략 일치시킴으로써, 제2 경화막(144b)의 하지면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 제2 경화막(144b)은 그 자체로 평탄화막으로서의 기능을 가질 수 있지만, 제2 경화막(144b)을, 상기 경화성 조성물을 도포하여 형성하는 경우에는, 하지면이 평탄에 가까울수록, 경화성 조성물의 도포 불균일이 적어지며, 또한 제2 경화막(144b)의 상부 표면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 제2 경화막(144b)의 상면에 형성하는 마이크로렌즈 어레이(134)를 고정밀도로 성형할 수 있고, 고체 촬상 장치는 변형이 적은 화상을 취득할 수 있다. 이 경우에 있어서의 경화성 조성물로서는, 상기 (2-I) 내지 (2-III)에서 선택된 조성물이 보다 바람직하다.
또한, 도 3에 나타내는 화소부(102b)는, 적외선 통과 필터층(140)의 막 두께를 변화시킨 것 이외는 도 2에 나타내는 화소부(102a)와 동일한 구성을 구비하고 있으므로, 고체 촬상 장치에 있어서는 동일한 작용 효과를 발휘한다.
2. 제2 실시 형태
도 4는 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부(102c)의 단면 구조를 나타낸다. 이 화소부(102c)는, 가시광 검출용 화소(118) 및 적외광 검출용 화소(120)를 포함하고, 층 구조에 있어서 반도체층(128), 배선층(130), 광학 필터층(132), 마이크로렌즈 어레이(134)를 포함하는 점에 있어서 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 그러나, 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부(102c)는, 배선층(130)이 포토다이오드(136a 내지 136d)의 하면측에 배치된 이면 조사형의 구성을 갖고 있다. 이면 조사형의 화소부는, 반도체 기판에 포토다이오드(136a 내지 136d)와 그 위에 배선층(130)을 형성한 후, 당해 반도체 기판의 이면을 연삭ㆍ연마하여 포토다이오드(136a 내지 136d)가 노출되도록 박편화되어 있다. 이 경우, 기판(126)은 지지 기재로서 반도체층(128)에 부착되어 있다.
이면 조사형의 화소부(102c)는 포토다이오드(136a 내지 136d)의 수광면 위에 배선층(130)이 없으므로, 넓은 개구율이 얻어지고, 입사광의 손실이 억제되어, 동일한 광량으로도 밝은 화상을 출력할 수 있다는 이점이 있다.
본 실시 형태에 있어서, 광학 필터층(132)과 마이크로렌즈 어레이(134)의 구성은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 포토다이오드(136a 내지 136d)와 컬러 필터층(138a 내지 138c) 및 적외선 통과 필터층(140) 사이에는 유기막(146)이 설치되어 있다. 유기막(146)은 포토다이오드(136a 내지 136d)의 상면을 덮고, 컬러 필터층(138a 내지 138c) 및 적외선 통과 필터층(140)의 하지면을 평탄화하고 있다. 또한, 포토다이오드(136a 내지 136d)의 보호막으로서의 기능을 겸하고 있다.
유기막(146)은 상기 경화막(144)을 제작하기 위한 조성물과 마찬가지로, 경화성 화합물 및 용매를 포함하는 경화성 조성물을 사용하여 제작된다. 이들 재료를 사용하면, 포토다이오드(136a 내지 136d)의 상면을 평탄화하고, 컬러 필터층(138a 내지 138c) 및 적외선 통과 필터층(140)과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그 중에서도, 상기 (2-I) 내지 (2-III)에서 선택된 조성물이 보다 바람직하다.
또한, 도 4에 있어서, 적외선 통과 필터층(140)의 상면의 높이를, 도 3에 나타내는 화소부(102b)와 마찬가지로, 적외선 차단 필터층(142)의 상면의 높이와 대략 일치하도록 해도 된다. 그것에 의해, 제2 경화막(144b)의 하지면의 평탄성을 향상시킬 수 있으므로, 제2 경화막(144b)의 상부 표면의 평탄성을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 제2 경화막(144b)의 상면에 형성하는 마이크로렌즈 어레이(134)를 고정밀도로 성형할 수 있고, 고체 촬상 장치는 변형이 적은 화상을 취득할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 상기의 구성에 더하여, 마이크로렌즈 어레이(134) 위에 2대역 통과 필터를 설치해도 된다.
본 실시 형태에 따르면, 화소부(102c)는 이면 조사형으로 함으로써, 광의 이용 효율을 높이고, 감도가 높은 고체 촬상 장치가 제공된다. 그것에 더하여, 광학 필터층(132)은 제1 실시 형태와 동일한 구성을 구비하고 있으므로, 광학 필터층이 박형화되어, 고체 촬상 장치의 박형화를 도모하는 것이 가능해진다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, 이면 조사형의 특징을 가지면서, 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 발휘하는 고체 촬상 장치를 제공할 수 있다.
3. 제3 실시 형태
도 5는 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부(102d)의 단면 구조를 나타낸다. 이 화소부(102d)는 가시광 검출용 화소(118) 및 적외광 검출용 화소(120)를 포함하고, 층 구조에 있어서 반도체층(128), 배선층(130), 광학 필터층(132), 마이크로렌즈 어레이(134)를 포함하는 점에 있어서 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 그러나, 광학 필터층(132)에 있어서, 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 하면측에 적외선 차단 필터층(142)이 설치되어 있는 점에서, 제1 실시 형태에 관한 화소부의 구성과 상위하다.
적외선 차단 필터층(142)은 제1 실시 형태에서 나타내는 것과 마찬가지이고, 0.1 내지 15㎛의 두께, 보다 바람직하게는 0.2 내지 3㎛, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 2㎛, 특히 바람직하게는 0.5 내지 1.5㎛의 두께로 설치되어 있다. 적외선 차단 필터층(142)과 컬러 필터층(138a 내지 138c) 사이에는 제1 경화막(144a)이 설치되어 있다. 제1 경화막(144a)은 적외선 차단 필터층(142)을 매설하고, 상면이 평탄화되어 있다. 즉, 적외선 차단 필터층(142)은 제1 화소(122a 내지 122c)에 설치되고, 제2 화소(124)에는 설치되지 않으므로, 그 바로 위에 컬러 필터층을 형성하려고 하면, 적외선 차단 필터층(142)에 의한 단차부가 문제가 된다. 이 단차부를 제1 경화막(144a)으로 매립하여 평탄화함으로써, 컬러 필터층(138)을 균질하게 형성할 수 있고, 광학적 특성에 영향을 미치지 않도록 할 수 있다.
이 경우에 있어서, 경화막으로서, 전술한 경화성 조성물과 동일한 것을 사용하여 형성된 것이 바람직하고, 그 중에서도, 상기 (2-I) 내지 (2-III)에서 선택된 조성물을 사용함으로써 적외선 차단 필터층(142)과의 밀착성을 높이며, 또한 제1 경화막(144a)의 상면을 평탄화할 수 있다.
또한, 적외선 차단 필터층(142)에 있어서, 제1 실시 형태에서 나타내는 적외선 흡수제 중에서도, 금속 디티올계 화합물, 구리 화합물, 텅스텐 화합물, 금속 붕화물을 사용하거나, 또는 레이크화한 적외선 흡수제를 사용함으로써 내열성을 높일 수 있다. 또한, 결합제 수지로서 폴리이미드 수지 및 폴리실록산의 군에서 선택되는 적어도 1종을 사용함으로써도, 내열성을 높일 수 있다. 그것에 의해, 적외선 차단 필터층(142)의 형성 후에 제작되는 경화막(144) 형성 시나 컬러 필터층(138) 형성 시의 가열 온도에 대해 내열성을 갖고, 적외선을 차단한다는 광학적 특성을 유지할 수 있다.
적외선 차단 필터층(142)은 0.1 내지 15㎛의 두께, 보다 바람직하게는 0.2 내지 3㎛, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 2㎛, 특히 바람직하게는 0.5 내지 1.5㎛의 두께로 설치되므로, 그 위에 설치하는 제1 경화막(144a)의 막 두께도 얇게 할 수 있다. 그것에 의해, 적외선 차단 필터층(142)과 컬러 필터층(138a 내지 138c)을 근접하여 설치할 수 있다. 그것에 의해, 인접 화소 사이에서 발생할 수 있는 혼색의 영향을 저감할 수 있다.
화소부(102d)에 있어서, 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 상면과 적외선 통과 필터층(140)의 상면은 높이가 대략 일치하도록 설치됨으로써, 제2 경화막(144b)의 하지면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 제2 경화막(144b)은 그 자체로 평탄화막으로서의 기능을 가질 수 있지만, 제2 경화막(144b)을, 상기 경화성 조성물을 도포하여 형성하는 경우에는, 하지면이 평탄에 가까울수록, 경화성 조성물의 도포 불균일이 적어지며, 또한 제2 경화막(144b)의 상부 표면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 제2 경화막(144b)의 상면에 형성하는 마이크로렌즈 어레이(134)를 고정밀도로 성형할 수 있고, 고체 촬상 장치는 변형이 적은 화상을 취득할 수 있다.
또한, 다른 형태로서, 적외선 통과 필터층(140)의 막 두께를 증가시키면서, 하층측에 있는 제1 경화막(144a)의 두께를 감소시켜도 되고, 적외선 통과 필터층(140)의 하층측에 있는 제1 경화막(144a)을 제거하고, 적외선 통과 필터층(140)의 하면의 높이와 적외선 차단 필터층(142)의 하면의 높이를 대략 일치시켜도 된다. 그것에 의해, 적외선 검출을 고정밀도 및 고감도로 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 상기의 구성에 더하여, 마이크로렌즈 어레이(134) 위에 2대역 통과 필터를 설치해도 된다.
본 실시 형태에 있어서의 화소부(102d)의 구성은 광학 필터층(132)에 있어서, 적외선 차단 필터층(142)과 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 배치를 교체한 것 이외는 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, 상기의 특징에 더하여, 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 발휘하는 고체 촬상 장치를 제공할 수 있다.
4. 제4 실시 형태
도 6은 이면 조사형의 고체 촬상 장치에 있어서의 화소부(102e)의 구성을 나타낸다. 화소부(102e)는, 배선층(130)이 포토다이오드(136a 내지 136d)의 하면측에 설치된 이면 조사형의 구성을 갖고 있는 점을 제외하고는, 제3 실시 형태와 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 광학 필터층(132)에 있어서, 적외선 차단 필터층(142)이 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 하면에 설치되어 있다.
적외선 차단 필터층(142)이 유기막(146)의 상면에 설치되어 있다. 이때, 적외선 차단 필터층(142)을, 제1 실시 형태에서 나타내는 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성함으로써, 유기막(146)과의 밀착성을 높일 수 있다. 그것에 의해, 광학 필터층(132)을 유기막(146)의 상부에 배치할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서도, 제3 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 적외선 통과 필터층(140)의 막 두께를 증가시키면서, 하층측에 있는 제1 경화막(144a)의 두께를 감소시켜도 되고, 적외선 통과 필터층(140)의 하층측에 있는 제1 경화막(144a)을 제거하여, 적외선 통과 필터층(140)의 하면의 높이와 적외선 차단 필터층(142)의 하면의 높이를 대략 일치시켜도 된다. 이와 같이, 적외선 통과 필터층(140)의 두께를 증가시킴으로써 가시광선을 충분히 흡수하여, 포토다이오드(136d)에 가시광선이 입사하지 않도록 할 수 있다. 그것에 의해, 적외선 검출을 고정밀도 및 고감도로 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 상기의 구성에 더하여, 마이크로렌즈 어레이(134) 위에 2대역 통과 필터를 설치해도 된다.
본 실시 형태에 따르면, 고감도의 촬상이 가능해진다는 이면 조사형의 특징에 더하여, 제3 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.
5. 제5 실시 형태
도 7은 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부(102f)의 단면 구조를 나타낸다. 이 화소부(102f)는, 가시광 검출용 화소(118) 및 적외광 검출용 화소(120)를 포함하고, 층 구조에 있어서 반도체층(128), 배선층(130), 광학 필터층(132), 마이크로렌즈 어레이(134)를 포함하는 점에 있어서 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 그러나, 광학 필터층(132)에 있어서, 적외선 차단 필터층(142)이 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 상면에 접하여 설치되어 있는 점에서, 제1 실시 형태에 관한 화소부의 구성과 상위하다.
적외선 차단 필터층(142)은 제1 실시 형태에서 나타내는 것과 마찬가지이고, 0.1 내지 15㎛의 두께로 설치되어 있다. 적외선 차단 필터층(142)과 컬러 필터층(138a 내지 138c) 사이에 경화막이 설치되어 있지 않고, 양자가 밀접하도록 설치되어 있다.
이와 같은 구조에 있어서, 적외선 차단 필터층(142)을, 제1 실시 형태에서 나타내는 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성함으로써, 그의 상면과 접하여 설치되는 경화막(144)과의 밀착성을 높일 수 있다.
또한, 적외선 차단 필터층(142)은 0.1 내지 15㎛의 두께, 보다 바람직하게는 0.2 내지 3㎛, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 2㎛, 특히 바람직하게는 0.5 내지 1.5㎛의 두께로 설치되므로, 그 위에 설치하는 경화막(144)의 막 두께도 얇게 할 수 있다. 그것에 의해, 적외선 차단 필터층(142)과 마이크로렌즈 어레이(134)를 근접하여 설치할 수 있다. 또한, 적외선 차단 필터층(142)과 컬러 필터층(138)을 접하여 설치함으로써, 인접 화소 사이에서 발생할 수 있는 혼색의 영향을 저감할 수 있다.
적외선 통과 필터층(140)을 두껍게 하여 상면의 높이가, 적외선 차단 필터층(142)의 상면의 높이와 대략 일치하도록 해도 된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 제2 경화막(144b)의 하지면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 제2 경화막(144b)은 그 자체로 평탄화막으로서의 기능을 가질 수 있지만, 하지면이 평탄에 가까울수록 제2 경화막(144b)의 상부 표면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 제2 경화막(144b)의 상면에 형성하는 마이크로렌즈 어레이(134)를 고정밀도로 성형할 수 있고, 고체 촬상 장치는 변형이 적은 화상을 취득할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 상기의 구성에 더하여, 마이크로렌즈 어레이(134) 위에 2대역 통과 필터를 설치해도 된다.
본 실시 형태에 따르면, 광학 필터층(132)에 있어서 적외선 차단 필터층(142)과 컬러 필터층(138a 내지 138c)을 접하여 설치함으로써, 상기의 특징에 더하여, 광학 필터층(132)의 층 구조가 생략되어, 고체 촬상 장치의 박형화를 도모할 수 있다. 그리고, 화소부(102f)의 구성은 광학 필터층(132)의 구성이 다른 것 외에는 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, 상기의 특징에 더하여, 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 발휘하는 고체 촬상 장치를 제공할 수 있다.
6. 제6 실시 형태
도 8은 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부(102g)의 단면 구조를 나타낸다. 이 화소부(102g)는, 배선층(130)이 포토다이오드(136a 내지 136d)의 하면에 설치된 이면 조사형의 구성인 점을 제외하고, 제5 실시 형태에서 나타내는 화소부(102f)와 마찬가지이다. 포토다이오드(136a 내지 136d)와 컬러 필터층(138a 내지 138c) 및 적외선 통과 필터층(140) 사이에는 유기막(146)이 설치되어 있다. 유기막(146)은 포토다이오드(136a 내지 136d)의 상면을 덮고, 컬러 필터층(138a 내지 138c) 및 적외선 통과 필터층(140)의 하지면을 평탄화하고 있다. 또한, 포토다이오드(136a 내지 136d)의 보호막으로서의 기능을 겸하고 있다. 또한, 유기막(146)은 제2 실시 형태에서 나타내는 것과 마찬가지이다.
또한, 본 실시 형태에 있어서도, 적외선 통과 필터층(140)의 상면의 높이를, 적외선 차단 필터층(142)의 높이와 대략 일치하도록 해도 된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 상기의 구성에 더하여, 마이크로렌즈 어레이(134) 위에 2대역 통과 필터를 설치해도 된다.
본 실시 형태에 따르면, 도 8에서 나타내는 화소부(102g)가 이면 조사형임으로써, 광의 이용 효율을 높이고, 감도가 높은 고체 촬상 장치가 제공된다. 다른 구성은 제5 실시 형태와 마찬가지이므로, 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치에 있어서도 동일한 작용 효과를 발휘한다.
7. 제7 실시 형태
도 9는 본 실시 형태에 관한 고체 촬상 장치의 화소부(102h)의 단면 구조를 나타낸다. 이 화소부(102h)는, 가시광 검출용 화소(118) 및 적외광 검출용 화소(120)를 포함하고, 층 구조에 있어서 반도체층(128), 배선층(130), 광학 필터층(132), 마이크로렌즈 어레이(134)를 포함하고, 배선층(130)이 포토다이오드(136a 내지 136d)의 하면에 설치된 이면 조사형의 구성인 점에 있어서 제6 실시 형태에서 나타내는 화소부(102g)와 마찬가지이다. 그러나, 광학 필터층(132)에 있어서, 적외선 차단 필터층(142)이 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 하면에 접하여 설치되어 있는 점에서, 제1 실시 형태에 관한 화소부의 구성과 상위하다. 화소부(102h)는 적외선 통과 필터층(140)의 상면의 높이가, 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 상면의 높이와 대략 일치하도록 설치되어 있다. 즉, 적외선 통과 필터층(140)의 상면의 높이는 적외선 차단 필터층(142)과 그의 상면에 적층된 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 상면의 높이와 대략 일치하도록 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 적외선 통과 필터층(140)의 상면과 컬러 필터층(138a 내지 138c)의 상면의 고저차가, 바람직하게는 0.3㎛ 이내, 보다 바람직하게는 0.2㎛ 이내, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 이내이다. 다르게 말하면, 적외선 통과 필터층(140)의 막 두께는 적외선 차단 필터층(142)의 막 두께와, 컬러 필터층(138a), 컬러 필터층(138b) 또는 컬러 필터층(138c)의 막 두께의 합계값과 개략 동등한 값이 되어 있다.
이와 같이, 적외선 통과 필터층(140)의 두께를 증가시킴으로써 가시광선을 충분히 흡수하여, 포토다이오드(136d)에 가시광선이 입사하지 않도록 할 수 있다. 그것에 의해, 적외선 검출을 고정밀도 및 고감도로 행할 수 있다.
적외선 통과 필터층(140)의 상면의 높이를, 적외선 차단 필터층(142)의 상면의 높이와 대략 일치시킴으로써, 제2 경화막(144b)의 하지면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 제2 경화막(144b)은 그 자체로 평탄화막으로서의 기능을 가질 수 있지만, 제2 경화막(144b)을, 상기 경화성 조성물을 도포하여 형성하는 경우에는, 하지면이 평탄에 가까울수록, 경화성 조성물의 도포 불균일이 적어지며, 또한 제2 경화막(144b)의 상부 표면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 제2 경화막(144b)의 상면에 형성하는 마이크로렌즈 어레이(134)를 고정밀도로 성형할 수 있고, 고체 촬상 장치는 변형이 적은 화상을 취득할 수 있다.
도 9에 나타내는 화소부(102h)는 적외선 차단 필터층(142)이 유기막(146)의 상면에 설치되어 있다. 이때, 적외선 차단 필터층(142)을, 제1 실시 형태에서 나타내는 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성함으로써, 유기막(146)과의 밀착성을 높일 수 있다. 그것에 의해, 광학 필터층(132)을 유기막(146)의 상부에 배치할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 상기의 구성에 더하여, 마이크로렌즈 어레이(134) 위에 2대역 통과 필터를 설치해도 된다.
본 실시 형태에 따르면, 고감도의 촬상이 가능해진다는 이면 조사형의 특징에 더하여, 제3 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 경화막(144)은 컬러 필터층(138a 내지 138c) 및 적외선 통과 필터층(140) 위에 설치되어 있을 뿐이므로, 광학 필터층(132)의 박형화를 도모할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어, 본 발명의 실시 형태를 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
적외선 차단 필터층(142), 경화막(144) 및 유기막(146)의 형성에는 이하의 각 조성물을 사용했다.
적외선 차단 필터층(142)의 형성에는 적외선 흡수제로서 YMF-02A(스미토모 긴조쿠사제)를 100질량부, 결합제 수지로서 아크릴 수지인 벤질메타크릴레이트/스티렌/N-페닐말레이미드/2-히드록시에틸메타크릴레이트/2-에틸헥실메타크릴레이트/메타크릴산=14/10/12/15/29/20(질량비)의 공중합체(산가 130㎎KOH/g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 33.9질량% 용액)를 11.73질량부, 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트를 3.98질량부, 중합 개시제로서 NCI-930(가부시키가이샤 ADEKA제)을 0.53질량부, 첨가제로서 불소계 계면 활성제인 프터젠트FTX-218(가부시키가이샤 네오스사제)을 0.02질량부 및 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 68.75질량부 포함하는 적외선 흡수성 조성물 (S-142-1)을 사용했다.
경화막(144)의 형성에는 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 아크릴 수지인 스티렌/메타크릴산/디시클로펜타닐메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트=22.5/44.5/56.25/90(질량비)의 공중합체를 25질량부 및 용매로서 디에틸렌글리콜디메틸에테르 75질량부를 포함하는 열경화성 수지 조성물 (S-144-1)을 사용했다.
유기막(146)의 형성에는 산소 함유 포화 복소환기를 갖는 아크릴 수지인 t-부틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트=37.5/62.5(질량비)의 공중합체를 10질량부, 첨가제로서 트리멜리트산 0.3질량부, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 0.5질량부, 그리고 상품명 「FC-4432」(스미토모 쓰리엠(주)제) 0.005질량부 및 용매로서 메틸-3-메톡시프로피오네이트 55.2질량부, 그리고 프로필렌글리콜모노메틸에테르 3.4질량부를 포함하는 조성물 (S-146-1)을 사용했다.
제4 실시 형태에 관한 광학 필터층(132)을 모식적으로 재현한 평가용 기판을 다음의 수순으로 제작했다.
먼저, 2매의 6인치 실리콘 웨이퍼 위에, 자동 도포 현상 장치(도쿄 일렉트론(주)제 클린트랙, 상품명 「MARK-Vz」)를 사용하여, 조성물 (S-146-1)을 스핀 코트법으로 각각 도포한 후, 250℃에서 2분간 베이크를 행하여, 막 두께 0.6㎛의 유기막(146)을 형성했다.
이 유기막(146) 위에 적외선 흡수성 조성물 (S-142-1)을 스핀 코트법으로 도포한 후, 100℃의 핫 플레이트에서 2분간 프리베이크를 행하여, 막 두께 1.0㎛의 도막을 형성했다. 그 후, 200℃의 핫 플레이트에서 5분간 포스트베이크를 행함으로써, 적외선 차단 필터층(142)을 갖는 실리콘 웨이퍼를 2매 제작했다.
1매의 실리콘 웨이퍼에 대해, 유기막(146) 위에 형성한 적외선 차단 필터층(142)의 밀착성을, JISK5400에 있어서의 격자 셀로판 테이프 박리 시험에 준거하여, 한 변 1㎜의 사각형, 총 100개의 격자에 있어서의 잔막률로 이하의 기준으로 밀착성을 평가했다.
잔막률이 100 내지 90%인 경우를 「○」
잔막률이 90 미만 내지 50%인 경우를 「△」
잔막률이 50 미만 내지 0%인 경우를 「×」
그 결과, 밀착성은 「○」였다. 따라서, 유기막(146)과 적외선 차단 필터층(142)의 밀착성이 양호하다고 판단되었다.
이어서, 다른 1매의 실리콘 웨이퍼에 대해, 열경화성 수지 조성물 (S-144-1)을, 도막의 건조 막 두께가 0.5㎛가 되도록 상기 실리콘 웨이퍼에 도포하고, 180℃의 핫 플레이트를 사용하여 30분간 가열 처리를 행하였다. 이와 같이 하여, 제1 경화막(144a)을 형성했다.
적외선 차단 필터층(142) 위에 형성한 제1 경화막(144a)의 밀착성을, JISK5400에 있어서의 격자 셀로판 테이프 박리 시험에 준거하여, 한 변 1㎜의 사각형, 총 100개의 격자에 있어서의 잔막률로 상기와 동일한 기준으로 밀착성을 평가했다.
그 결과, 밀착성은 「○」였다. 따라서, 적외선 차단 필터층(142)과 제1 경화막(144a)의 밀착성이 양호하다고 판단되었다.
실시예 2
적외선 흡수제로서 YMF-02A(스미토모 긴조쿠사제)를 100질량부, 결합제 수지로서 아크릴 수지인 벤질메타크릴레이트/스티렌/N-페닐말레이미드/2-히드록시에틸메타크릴레이트/2-에틸헥실메타크릴레이트/메타크릴산=14/10/12/15/29/20(질량비)의 공중합체(산가 130㎎KOH/g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 33.9질량% 용액)를 19.08질량부, 중합성 화합물로서 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르를 1.48질량부, 첨가제로서 불소계 계면 활성제인 프터젠트FTX-218(가부시키가이샤 네오스사제)을 0.02질량부 및 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 61.77질량부 포함하는 적외선 흡수성 조성물 (S-142-2)를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 유기막(146), 적외선 차단 필터층(142), 제1 경화막(144a)의 형성 및 평가를 행하였다. 그 결과, 유기막(146) 위에 형성한 적외선 차단 필터층(142)의 밀착성은 「○」이고, 적외선 차단 필터층(142) 위에 형성한 제1 경화막(144a)의 밀착성은 「○」였다.
실시예 3
무수 말레산 10.00g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 90.00g에 가열 용해시켜, 10%의 무수 말레산 용액을 제조했다. 계속해서, 10%의 제조한 무수 말레산 용액 1.80g과 물 43.95g을 혼합하여, 산 촉매 용액을 제조했다.
계속해서, 플라스크에 메틸트리메톡시실란을 33.26g, 페닐트리메톡시실란 112.98g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 108.00g 가하고, 냉각관 및 미리 제조한 산 촉매 용액을 넣은 적하 깔때기를 세트했다. 계속해서, 상기 플라스크를 오일 배스에서 50℃로 가열한 후, 상기 산 촉매 용액을 천천히 적하하고, 적하가 완료되고 나서 60℃에서 3시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 용액이 들어간 플라스크를 방냉했다.
이어서, 반응 용액을 다른 플라스크에 옮기고, 증발기에서 고형분량이 50%가 될 때까지 농축한 후, 고형분량이 30%가 될 때까지 PGME로 희석했다. 계속해서, 고형분량 50%가 될 때까지 다시 농축을 행한 후, 고형분 농도량 35질량%가 되도록 PGME로 희석하는 조작을 행하여, 잔존하고 있는 물이나 메탄올을 제거함으로써, 고형분 농도량 35질량%의 폴리실록산 용액(Mw=760, Mn=640, Mw/Mn=1.6)을 얻었다.
적외선 흡수제로서 YMF-02A(스미토모 긴조쿠사제)를 100질량부, 결합제 수지로서 상기 합성한 폴리실록산 용액을 22.73질량부, 촉매로서 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트를 0.27질량부, 첨가제로서 불소계 계면 활성제인 프터젠트FTX-218(가부시키가이샤 네오스사제)을 0.02질량부 및 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 60.67질량부 포함하는 적외선 흡수성 조성물 (S-142-3)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 유기막(146), 적외선 차단 필터층(142), 제1 경화막(144a)의 형성 및 평가를 행하였다. 그 결과, 유기막(146) 위에 형성한 적외선 차단 필터층(142)의 밀착성은 「○」이고, 적외선 차단 필터층(142) 위에 형성한 제1 경화막(144a)의 밀착성은 「○」였다.
100 : 고체 촬상 장치
102 : 화소부
104 : 수직 선택 회로
106 : 수평 선택 회로
108 : 샘플 홀드 회로
110 : 증폭 회로
112 : A/D 변환 회로
114 : 타이밍 발생 회로
116 : 확대부
117 : 화소
118 : 가시광 검출용 화소
120 : 적외광 검출용 화소
122 : 제1 화소
124 : 제2 화소
126 : 기판
128 : 반도체층
130 : 배선층
132 : 광학 필터층
134 : 마이크로렌즈 어레이
136 : 포토다이오드
138 : 컬러 필터층
140 : 적외선 통과 필터층
142 : 적외선 차단 필터층
144 : 경화막
146 : 유기막

Claims (29)

  1. 제1 수광 소자의 수광면 위에, 가시광선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 컬러 필터층이 설치된 제1 화소와,
    제2 수광 소자의 수광면 위에, 적외선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 적외선 통과 필터층이 설치된 제2 화소와,
    상기 컬러 필터층과 겹치는 위치에 설치된, 적외선 파장 영역의 광을 차단하고 가시광선 파장 영역의 광을 투과시키는 적외선 차단 필터층과,
    상기 적외선 차단 필터층에 접하여 설치된 경화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은 상기 컬러 필터층의 상면측에 설치되고,
    상기 경화막은 상기 적외선 차단 필터층의 하면에 접하여 설치되는, 고체 촬상 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층의 상면에 접하여, 추가로 제2 경화막이 설치되는, 고체 촬상 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은 상기 컬러 필터층의 상면과 접하여 설치되고,
    상기 경화막은 상기 적외선 차단 필터층의 상면과 접하여 설치되는, 고체 촬상 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은 상기 컬러 필터층의 하면측에 설치되고,
    상기 경화막은 상기 적외선 차단 필터층의 상면에 접하여 설치되는, 고체 촬상 장치.
  6. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적외선 통과 필터층의 상면은 상기 적외선 차단 필터층의 상면과 높이가 대략 일치하는, 고체 촬상 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 적외선 통과 필터층의 하면은 상기 적외선 차단 필터층의 하면과 높이가 대략 일치하는, 고체 촬상 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은, 파장 600 내지 2000㎚의 범위 내에 극대 흡수 파장을 갖는 적외선 흡수제를 포함하며, 또한 막 두께가 0.1 내지 15㎛인, 고체 촬상 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은, 상기 적외선 흡수제의 비율이 전체 고형분 질량에 대해 0.1 내지 80질량%인, 고체 촬상 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은, 적외선 흡수제와, 결합제 수지 및 중합성 화합물에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성된 것인, 고체 촬상 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 결합제 수지가, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 및 폴리실록산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 고체 촬상 장치.
  12. 제8항 또는 제10항에 있어서, 상기 적외선 흡수제가, 디이미늄계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물, 쿼터릴렌계 화합물, 아미늄계 화합물, 이미늄계 화합물, 아조계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 포르피린계 화합물, 피롤로피롤계 화합물, 옥소놀계 화합물, 크로코늄계 화합물, 헥사피린계 화합물, 금속 디티올계 화합물, 구리 화합물, 텅스텐 화합물, 금속 붕화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물인, 고체 촬상 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 경화막이 유기막인, 고체 촬상 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 유기막이 평탄화막 형성용 경화성 조성물을 사용하여 얻어지는 평탄화막인, 고체 촬상 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층 및 상기 적외선 통과 필터층의 상면에, 파장 430 내지 580㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 75% 이상, 파장 720 내지 750㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 15% 이하, 파장 810 내지 820㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 60% 이상, 및 파장 900 내지 2000㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 15% 이하인 광학 필터층을 더 갖는, 고체 촬상 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 컬러 필터층의 하면에 유기막이 설치되어 있는, 고체 촬상 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층의 하면에 유기막이 설치되어 있는, 고체 촬상 장치.
  18. 제1항에 있어서, 상기 컬러 필터층이, 적색의 파장 대역을 투과하는 컬러 필터층, 녹색의 파장 대역을 투과하는 컬러 필터층 및 청색의 파장 대역을 투과하는 컬러 필터층에서 선택된 하나인, 고체 촬상 장치.
  19. 제1 수광 소자의 수광면 위에, 가시광선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 컬러 필터층이 설치된 제1 화소와,
    제2 수광 소자의 수광면 위에, 적외선 파장 영역에 투과 대역을 갖는 적외선 통과 필터층이 설치된 제2 화소와,
    상기 컬러 필터층의 하면에 접하여 설치된, 적외선 파장 영역의 광을 차단하고 가시광선 파장 영역의 광을 투과시키는 적외선 차단 필터층과,
    상기 적외선 차단 필터층의 하면에 접하여 설치된 유기막을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 적외선 통과 필터층의 상면은 상기 컬러 필터층의 상면과 높이가 대략 일치하는, 고체 촬상 장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은, 파장 600 내지 2000㎚의 범위 내에 극대 흡수 파장을 갖는 적외선 흡수제를 포함하며, 또한 막 두께가 0.1 내지 15㎛인, 고체 촬상 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은, 상기 적외선 흡수제의 비율이 전체 고형분 질량에 대해 0.1 내지 80질량%인, 고체 촬상 장치.
  23. 제19항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층은, 적외선 흡수제와, 결합제 수지 및 중합성 화합물에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 적외선 흡수성 조성물을 사용하여 형성된 것인, 고체 촬상 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 결합제 수지가, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 및 폴리실록산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 고체 촬상 장치.
  25. 제21항 또는 제23항에 있어서, 상기 적외선 흡수제가, 디이미늄계 화합물, 스쿠아릴륨계 화합물, 시아닌계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 나프탈로시아닌계 화합물, 쿼터릴렌계 화합물, 아미늄계 화합물, 이미늄계 화합물, 아조계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 포르피린계 화합물, 피롤로피롤계 화합물, 옥소놀계 화합물, 크로코늄계 화합물, 헥사피린계 화합물, 금속 디티올계 화합물, 구리 화합물, 텅스텐 화합물, 금속 붕화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물인, 고체 촬상 장치.
  26. 제19항에 있어서, 상기 적외선 차단 필터층 및 상기 적외선 통과 필터층의 상면에, 파장 430 내지 580㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 75% 이상, 파장 720 내지 750㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 15% 이하, 파장 810 내지 820㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 60% 이상, 및 파장 900 내지 2000㎚의 범위에 있어서의 평균 투과율이 15% 이하인 광학 필터층을 더 갖는, 고체 촬상 장치.
  27. 제19항에 있어서, 상기 컬러 필터층이, 적색의 파장 대역을 투과하는 컬러 필터층, 녹색의 파장 대역을 투과하는 컬러 필터층 및 청색의 파장 대역을 투과하는 컬러 필터층에서 선택된 하나인, 고체 촬상 장치.
  28. 파장 600 내지 2000㎚의 범위 내에 극대 흡수 파장을 갖는 화합물과, 결합제 수지 및 중합성 화합물에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 적외선 차단 필터층의 형성에 사용되는 적외선 흡수성 조성물.
  29. 경화성 화합물 및 용매를 포함하는, 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항에 기재된 평탄화막의 형성에 사용되는 평탄화막 형성용 경화성 조성물.
KR1020177013395A 2015-01-21 2016-01-20 고체 촬상 장치, 적외선 흡수성 조성물 및 평탄화막 형성용 경화성 조성물 KR20170101893A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-009475 2015-01-21
JP2015009475 2015-01-21
PCT/JP2016/051560 WO2016117596A1 (ja) 2015-01-21 2016-01-20 固体撮像装置、赤外線吸収性組成物及び平坦化膜形成用硬化性組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170101893A true KR20170101893A (ko) 2017-09-06

Family

ID=56417137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177013395A KR20170101893A (ko) 2015-01-21 2016-01-20 고체 촬상 장치, 적외선 흡수성 조성물 및 평탄화막 형성용 경화성 조성물

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10854661B2 (ko)
JP (1) JP6780504B2 (ko)
KR (1) KR20170101893A (ko)
CN (1) CN107112332A (ko)
TW (1) TWI675907B (ko)
WO (1) WO2016117596A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11011583B2 (en) 2018-02-05 2021-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices
US12035548B2 (en) 2018-02-05 2024-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017047230A1 (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収組成物、近赤外線カットフィルタ、近赤外線カットフィルタの製造方法、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置
JP2017139286A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 ソニー株式会社 撮像素子、及び、カメラシステム
CN109661727B (zh) * 2016-09-02 2024-01-19 索尼半导体解决方案公司 固态成像装置及其制造方法和电子设备
US10622389B2 (en) * 2016-09-10 2020-04-14 Himax Technologies Limited Image sensor
US10714530B2 (en) * 2016-09-10 2020-07-14 Himax Technologies Limited Image sensor
US9917134B1 (en) * 2016-09-11 2018-03-13 Himax Technologies Limited Methods of fabricating an image sensor
CN106454053A (zh) * 2016-11-22 2017-02-22 宁波舜宇光电信息有限公司 一种用于虹膜识别的摄像头模组及其设备
CN110073493A (zh) * 2016-12-27 2019-07-30 凸版印刷株式会社 固体拍摄元件及其制造方法
WO2018163986A1 (ja) 2017-03-07 2018-09-13 富士フイルム株式会社 フィルタ、光センサ、固体撮像素子および画像表示装置
TWI756388B (zh) 2017-03-24 2022-03-01 日商富士軟片股份有限公司 結構體、近紅外線透射濾波層形成用組成物及光感測器
US20180315791A1 (en) * 2017-04-30 2018-11-01 Himax Technologies Limited Image sensor structure
US12009379B2 (en) * 2017-05-01 2024-06-11 Visera Technologies Company Limited Image sensor
US10670784B2 (en) 2017-05-17 2020-06-02 Visera Technologies Company Limited Light filter structure and image sensor
WO2019004319A1 (ja) * 2017-06-30 2019-01-03 Jsr株式会社 固体撮像装置
KR102323060B1 (ko) * 2017-07-04 2021-11-08 후지필름 가부시키가이샤 디바이스의 제조 방법
WO2019065143A1 (ja) * 2017-09-26 2019-04-04 富士フイルム株式会社 積層体、及び、固体撮像素子
WO2019065295A1 (ja) 2017-09-29 2019-04-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
US10468448B2 (en) * 2017-11-30 2019-11-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor image sensor and method for forming the same
US10295482B1 (en) * 2017-12-22 2019-05-21 Visera Technologies Company Limited Spectrum-inspection device and method for forming the same
CN108493204A (zh) * 2018-03-14 2018-09-04 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法、成像***
WO2019176975A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 富士フイルム株式会社 構造体、近赤外線カットフィルタ用組成物、ドライフィルム、構造体の製造方法、光センサおよび画像表示装置
US10770489B2 (en) * 2018-03-30 2020-09-08 Vishay Intertechnology, Inc. Optoelectronic device arranged as a multi-spectral light sensor having a photodiode array with aligned light blocking layers and N-well regions
JP2019180048A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
KR20200141444A (ko) * 2018-04-11 2020-12-18 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 소자 및 촬상 소자의 제조 방법
KR101862533B1 (ko) 2018-04-12 2018-05-29 주식회사 엘엠에스 카메라 모듈에 포함되는 근적외선 컷-오프 필터용 광학물품 및 이를 포함하는 카메라 모듈용 근적외선 컷-오프 필터
JP2020027884A (ja) * 2018-08-13 2020-02-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US10964744B1 (en) * 2019-09-13 2021-03-30 Omnivision Technologies, Inc. Light control for improved near infrared sensitivity and channel separation
JP2021097312A (ja) * 2019-12-17 2021-06-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び測距装置
JP7500967B2 (ja) * 2019-12-24 2024-06-18 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 赤外光カットフィルターの製造方法、固体撮像素子用フィルター、および、固体撮像素子
US11302741B2 (en) 2020-02-02 2022-04-12 Himax Imaging Limited Image sensor structure and method of forming the same
CN112492188A (zh) * 2020-12-15 2021-03-12 维沃移动通信有限公司 一种摄像模组以及电子设备

Family Cites Families (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8408259D0 (en) 1984-03-30 1984-05-10 Ici Plc Printing apparatus
JPS60228448A (ja) 1984-04-27 1985-11-13 Mitsubishi Chem Ind Ltd スクアリリウム化合物
US4767571A (en) 1984-06-27 1988-08-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Infrared absorbent
JPS6142585A (ja) 1984-08-04 1986-03-01 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JPS6132003A (ja) 1984-07-24 1986-02-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光学フイルタ−材
US4763966A (en) 1984-07-16 1988-08-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Infrared absorbent
JPS6180106A (ja) 1984-09-27 1986-04-23 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JPS6239682A (ja) 1985-08-13 1987-02-20 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JPS6474272A (en) 1987-09-14 1989-03-20 Fuji Photo Film Co Ltd Stabilization of organic base substance against light
JPH0796335B2 (ja) 1987-10-27 1995-10-18 キヤノン株式会社 光記録媒体
JPH01114801A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JPH07107030B2 (ja) 1987-12-04 1995-11-15 富士ゼロックス株式会社 新規なスクアリリウム化合物及びその製造方法
JPH01228960A (ja) 1988-03-09 1989-09-12 Konica Corp スクアリリウムの化合物
JPH0423868A (ja) 1990-05-17 1992-01-28 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料
JPH0439361A (ja) 1990-06-04 1992-02-10 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物，その製造方法及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料
DE69111595T2 (de) 1990-11-21 1996-01-18 Polaroid Corp Squarylium- und crokonyliumfarbstoffe.
US5405976A (en) 1990-11-21 1995-04-11 Polaroid Corporation Benzpyrylium squarylium and croconylium dyes, and processes for their preparation and use
JP3120476B2 (ja) 1991-02-26 2000-12-25 東レ株式会社 カラーフィルタ用着色ペースト
JP2907624B2 (ja) 1991-02-28 1999-06-21 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、およびそれらを含んでなる近赤外線吸収材料
DE69230121T2 (de) 1991-07-15 2000-04-20 Nippon Catalytic Chem Ind Neue Phthalocyaninverbindungen, deren Herstellungsverfahren und im nahen Infrarot absorbierende Materialien die sie enthalten
JP3278451B2 (ja) 1992-02-10 2002-04-30 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物およびその製造方法
JP3238183B2 (ja) 1992-02-10 2001-12-10 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物およびその製造方法
JPH05222047A (ja) 1992-02-14 1993-08-31 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物およびその製造方法
JP2812624B2 (ja) 1992-04-14 1998-10-22 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、およびそれを含んでなる近赤外線吸収材料
JP2746293B2 (ja) 1992-07-08 1998-05-06 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを含んでなる近赤外線吸収材料
US5399604A (en) 1992-07-24 1995-03-21 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Epoxy group-containing resin compositions
JP3321858B2 (ja) 1992-11-25 2002-09-09 ジェイエスアール株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JP3014221B2 (ja) 1992-09-30 2000-02-28 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、およびそれを含んでなる近赤外線吸収材料
JP3151975B2 (ja) 1992-11-25 2001-04-03 ジェイエスアール株式会社 耐熱性感放射線性樹脂組成物
US5453611A (en) 1993-01-01 1995-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip
JP3227249B2 (ja) * 1993-01-01 2001-11-12 キヤノン株式会社 イメージセンサ
JP3083013B2 (ja) * 1993-01-19 2000-09-04 キヤノン株式会社 イメージセンサ及び画像情報処理装置
JP3218256B2 (ja) 1993-01-29 2001-10-15 東洋インキ製造株式会社 アルカリ現像型感光性着色組成物
JP3576182B2 (ja) 1993-02-04 2004-10-13 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、それを含む近赤外線吸収材料およびそれらを含む光記録媒体
JPH06192584A (ja) 1993-09-01 1994-07-12 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを含んでなる近赤外線吸収材料
JP3455915B2 (ja) 1993-09-24 2003-10-14 Ｊｓｒ株式会社 カラーフィルタ用感放射線性組成物およびカラーフィルタ
EP0645678B1 (en) 1993-09-24 1998-03-04 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive composition
JPH07118552A (ja) 1993-10-22 1995-05-09 Nippon Shokubai Co Ltd 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、それを含む近赤外線吸収材料、およびそれらを含む光記録媒体
JPH07118551A (ja) 1993-10-22 1995-05-09 Nippon Shokubai Co Ltd 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、それを含む近赤外線吸収材料、およびそれらを含む光記録媒体
JP3281473B2 (ja) 1994-01-17 2002-05-13 日本化薬株式会社 フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物
JPH0827371A (ja) 1994-05-09 1996-01-30 Japan Carlit Co Ltd:The 紫外線及び赤外線吸収樹脂組成物
JPH08120186A (ja) 1994-10-26 1996-05-14 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物、その製法およびそれらを用いた光記録媒体
JPH08225751A (ja) 1994-10-26 1996-09-03 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒体
JPH08259876A (ja) 1995-03-24 1996-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd カラ−フィルタ−用有機顔料分散液
JP3579985B2 (ja) 1995-10-05 2004-10-20 Ｊｓｒ株式会社 保護膜形成用組成物および保護膜
JP3444734B2 (ja) 1995-11-20 2003-09-08 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒体
JP3841497B2 (ja) 1996-05-17 2006-11-01 凸版印刷株式会社 感光性着色組成物
JP3813244B2 (ja) 1996-06-07 2006-08-23 新日鐵化学株式会社 アルカリ現像性不飽和樹脂組成物及びこれを用いた高感度ネガ型パターン形成材料
JP3963509B2 (ja) 1996-10-14 2007-08-22 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれを用いた光記録媒体
JP3963524B2 (ja) 1997-05-20 2007-08-22 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒体
US5998609A (en) 1996-10-14 1999-12-07 Nippon Shokubai Co., Ltd. Phthalocyanine compounds, process for preparing the same, and optical recording medium made using the same
JPH10180922A (ja) 1996-12-25 1998-07-07 Nippon Kayaku Co Ltd 赤外線吸収体
JP3959143B2 (ja) 1996-12-26 2007-08-15 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物、その製造方法および近赤外吸収材料
JP3867177B2 (ja) 1997-04-30 2007-01-10 Ｊｓｒ株式会社 カラーフィルタ用感放射線性組成物
JPH1144955A (ja) 1997-05-28 1999-02-16 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性着色組成物
JPH11152414A (ja) 1997-09-18 1999-06-08 Mitsui Chem Inc ナフタロシアニン化合物及びその用途
JPH11152413A (ja) 1997-09-18 1999-06-08 Mitsui Chem Inc ニトロナフタロシアニン化合物及びその用途
JP4132176B2 (ja) 1997-09-18 2008-08-13 三井化学株式会社 ナフタロシアニン化合物及びその用途
JPH11140144A (ja) 1997-11-04 1999-05-25 Nippon Kayaku Co Ltd 樹脂組成物及びその硬化物
JP4282783B2 (ja) 1997-12-16 2009-06-24 Ｊｓｒ株式会社 カラーフィルタ用感放射線性組成物
EP0934985B1 (en) 1998-02-03 2003-07-09 Nippon Shokubai Co., Ltd. Phthalocyanine compound, method for production thereof and use thereof
JP3226504B2 (ja) 1998-02-03 2001-11-05 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびその用途
JP3661399B2 (ja) 1998-03-11 2005-06-15 Ｊｓｒ株式会社 カラーフィルタ用感放射線性組成物
JP3807108B2 (ja) 1998-08-03 2006-08-09 Ｊｓｒ株式会社 カラーフィルタ用感放射線性組成物
JP2000063691A (ja) 1998-08-19 2000-02-29 Nippon Shokubai Co Ltd フタロシアニン化合物およびこれを用いてなる近赤外吸収色素
US6375159B2 (en) * 1999-04-30 2002-04-23 International Business Machines Corporation High laser absorption copper fuse and method for making the same
JP2000344866A (ja) 1999-06-07 2000-12-12 Jsr Corp 平坦化膜用硬化性組成物および平坦化膜
US6323340B1 (en) 1999-07-30 2001-11-27 Nippon Shobukai Co., Ltd. Phthalocyanine compound, method for production thereof, and near infrared absorption dye using the compound
JP3721298B2 (ja) 1999-07-30 2005-11-30 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物およびその製造方法ならびにこれを用いてなる近赤外吸収色素
US6965191B2 (en) 2000-02-01 2005-11-15 Mitsui Chemicals, Inc. Display filter, display apparatus, and method for production of the same
JP3834479B2 (ja) 2000-02-01 2006-10-18 三井化学株式会社 プラズマディスプレイ用フィルタ、表示装置およびその製造方法
US20030118937A1 (en) 2000-08-23 2003-06-26 Ryousuke Nara Optical information recording medium
JP2003114323A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Bridgestone Corp 近赤外線吸収フィルム
JP3699464B2 (ja) 2001-07-04 2005-09-28 日本化薬株式会社 ジイモニウム塩化合物、それを用いる近赤外線吸収フィルター及び光情報記録媒体
JP2003222717A (ja) 2002-01-29 2003-08-08 Nippon Shokubai Co Ltd カラーフィルタ用感光性樹脂組成物およびカラーフィルタ
US7238801B2 (en) 2002-06-12 2007-07-03 Nippon Shokubai Co., Ltd. Phthalocyanine compound, method for production thereof, and near infrared absorbing dye and near infrared absorbing filter using same
JP4278923B2 (ja) 2002-06-12 2009-06-17 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物ならびにその製造方法および用途
GB0219938D0 (en) 2002-08-28 2002-10-02 Avecia Ltd Compound
JP4133137B2 (ja) 2002-09-06 2008-08-13 東洋インキ製造株式会社 感光性着色組成物
WO2004048480A1 (ja) 2002-11-22 2004-06-10 Japan Carlit Co., Ltd. 近赤外線吸収色素及び近赤外線遮断フィルター
EP1683784A4 (en) 2003-11-10 2007-08-22 Nippon Kayaku Kk DIIMONIUM SALT CONNECTION AND ITS USE
JP4648637B2 (ja) 2004-02-04 2011-03-09 株式会社日本触媒 カルボキシル基および／またはスルホン酸基を有するフタロシアニン化合物ならびにその製造方法
KR100649016B1 (ko) * 2004-12-30 2006-11-27 동부일렉트로닉스 주식회사 시모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
JP4923496B2 (ja) 2005-02-18 2012-04-25 Ｊｓｒ株式会社 カラーフィルタ用感放射線性樹脂組成物およびカラーフィルタ
JP4704792B2 (ja) * 2005-04-04 2011-06-22 シャープ株式会社 薄膜付きガラス基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
JP4965083B2 (ja) 2005-04-11 2012-07-04 株式会社ダイセル ウエットラミネート用水性接着剤組成物
WO2006120888A1 (ja) 2005-05-13 2006-11-16 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha ジイモニウム化合物及びその用途
JP4919629B2 (ja) 2005-07-29 2012-04-18 富士フイルム株式会社 クロコニウム色素
JP4895549B2 (ja) 2005-08-01 2012-03-14 日本化薬株式会社 アミニウム化合物及びその用途
JP5013102B2 (ja) 2005-09-08 2012-08-29 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物およびカラーフィルタ
JP4823619B2 (ja) * 2005-09-12 2011-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 光電変換素子、固定撮像デバイス、撮像装置、および画像読み取り装置
JP5140923B2 (ja) 2005-12-19 2013-02-13 コニカミノルタホールディングス株式会社 クロコニウム化合物
JP5046515B2 (ja) 2005-12-19 2012-10-10 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物並びにその製造方法及び用途
JP4901248B2 (ja) 2006-03-17 2012-03-21 日本化薬株式会社 ジイモニウム化合物及びその用途
JP4958461B2 (ja) 2006-03-30 2012-06-20 富士フイルム株式会社 近赤外吸収色素含有硬化性組成物
JP2007334325A (ja) 2006-05-18 2007-12-27 Fujifilm Corp 近赤外線吸収フィルター及びその製造方法
WO2007148595A1 (ja) 2006-06-20 2007-12-27 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha ジイモニウム化合物及びその用途
JP4695550B2 (ja) * 2006-06-22 2011-06-08 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
JP2008009206A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Fujifilm Corp 近赤外吸収フィルター
JP2008156393A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、垂直配向型液晶表示素子の突起、ならびにそれらの製造方法
JP4998735B2 (ja) 2006-12-28 2012-08-15 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性組成物、カラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび液晶表示素子
JP2008241744A (ja) 2007-03-23 2008-10-09 Fujifilm Corp カラーフィルタの製造方法
JP5109437B2 (ja) 2007-03-27 2012-12-26 Ｊｓｒ株式会社 着色層形成用感放射線性組成物、カラーフィルタおよびカラー液晶表示素子
JP2009108267A (ja) 2007-10-31 2009-05-21 Fujifilm Corp シアニン化合物およびそれを含んでなる近赤外線吸収組成物
JP5243056B2 (ja) 2008-02-05 2013-07-24 富士フイルム株式会社 少なくとも２種のシアニン化合物を含む近赤外吸収組成物
US8237121B2 (en) * 2008-02-07 2012-08-07 Omnivision Technologies, Inc. Alternating row infrared filter for an image sensor
JP2009215542A (ja) 2008-02-13 2009-09-24 Fujifilm Corp 赤外色素組成物及びそれを用いた赤外線吸収インク及び電子写真用トナー
JP2009191213A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Fujifilm Corp 環状アミド基を有するシアニン化合物及びそれを含む近赤外吸収組成物
TWI461848B (zh) * 2008-03-28 2014-11-21 Fujifilm Corp 正型感光性樹脂組成物及使用它的硬化膜形成方法
JP5581614B2 (ja) 2008-07-31 2014-09-03 Ｊｓｒ株式会社 着色層形成用感放射線性組成物、カラーフィルタおよびカラー液晶表示素子
JP2010053330A (ja) 2008-08-01 2010-03-11 Jsr Corp 硬化性組成物、液晶シール剤及び液晶表示素子
KR20100018851A (ko) * 2008-08-07 2010-02-18 삼성전자주식회사 적외선 차단 필터를 구비하는 시모스 이미지 센서 및 그제조방법
KR101534682B1 (ko) * 2009-03-13 2015-07-08 삼성전자주식회사 범프에 스틱을 구비하는 반도체 장치
KR20110003696A (ko) * 2009-07-06 2011-01-13 삼성전자주식회사 단일 칩 입체 영상 센서용 광학 필터 배열 및 그 필터 제조 방법
JP2011038007A (ja) 2009-08-12 2011-02-24 Fujifilm Corp ジインモニウム化合物および当該化合物を含む近赤外線吸収組成物
JP5490475B2 (ja) 2009-09-24 2014-05-14 富士フイルム株式会社 近赤外吸収性色素を含有する硬化性組成物、インク用組成物および近赤外線吸収フィルタの製造方法
JP5088419B2 (ja) * 2009-12-04 2012-12-05 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた積層体および固体撮像装置
WO2011118171A1 (ja) 2010-03-26 2011-09-29 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物及び受光装置
JP5552364B2 (ja) 2010-05-18 2014-07-16 日東電工株式会社 光学フィルム用水分散型粘着剤組成物、光学フィルム用粘着剤層、粘着型光学フィルムおよび画像表示装置
KR101736330B1 (ko) * 2010-09-03 2017-05-30 삼성전자주식회사 픽셀, 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치들
JP5674399B2 (ja) 2010-09-22 2015-02-25 富士フイルム株式会社 重合性組成物、感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法
JP5636918B2 (ja) 2010-11-30 2014-12-10 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法、及び表示素子
JP5213944B2 (ja) 2010-12-16 2013-06-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
US8617941B2 (en) * 2011-01-16 2013-12-31 International Business Machines Corporation High-speed graphene transistor and method of fabrication by patternable hard mask materials
US8749007B1 (en) * 2011-01-26 2014-06-10 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate and diffuser formed therein
JP5417364B2 (ja) 2011-03-08 2014-02-12 富士フイルム株式会社 固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法
JP5713816B2 (ja) * 2011-03-16 2015-05-07 株式会社東芝 固体撮像装置及びカメラモジュール
JP5377595B2 (ja) 2011-03-25 2013-12-25 富士フイルム株式会社 着色感放射線性組成物、カラーフィルタ、着色パターンの製造方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び液晶表示装置
JP5626063B2 (ja) 2011-03-28 2014-11-19 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 非水二次電池電極用バインダー樹脂組成物
JP2014207493A (ja) * 2011-08-24 2014-10-30 パナソニック株式会社 撮像装置
JP6064411B2 (ja) 2011-09-28 2017-01-25 Jsr株式会社 着色組成物、カラーフィルタ及び表示素子
US9651712B2 (en) 2011-10-18 2017-05-16 Covestro Deutschland Ag Polymer composition with heat-absorbing properties
JP5965639B2 (ja) 2011-12-27 2016-08-10 富士フイルム株式会社 赤外線カットフィルタの製造方法、該製造方法に用いられる赤外線吸収性液状組成物、及びカメラモジュールの製造方法
JP2013151675A (ja) 2011-12-27 2013-08-08 Fujifilm Corp 赤外線吸収性組成物、これを用いた赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP2013155353A (ja) 2012-01-31 2013-08-15 Fujifilm Corp 赤外線吸収性液状組成物、これを用いた赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP5988630B2 (ja) 2012-03-16 2016-09-07 富士フイルム株式会社 赤外線吸収性組成物および赤外線カットフィルタ
TW201344929A (zh) * 2012-04-27 2013-11-01 Nanmat Technology Co Ltd 低發熱量之聚光型太陽能電池模組
TW201344939A (zh) * 2012-04-27 2013-11-01 Nanmat Technology Co Ltd 具有紅外光阻隔元件之反射式聚光型太陽能電池模組
JP5829641B2 (ja) 2012-05-08 2015-12-09 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収性液状組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP5941424B2 (ja) 2012-07-09 2016-06-29 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP2014026070A (ja) 2012-07-26 2014-02-06 Fujifilm Corp 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP2014026178A (ja) 2012-07-27 2014-02-06 Fujifilm Corp 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
WO2014061188A1 (ja) * 2012-10-17 2014-04-24 ソニー株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP6183044B2 (ja) 2012-10-18 2017-08-23 Jsr株式会社 硬化性組成物、硬化膜及び表示素子
US9348019B2 (en) * 2012-11-20 2016-05-24 Visera Technologies Company Limited Hybrid image-sensing apparatus having filters permitting incident light in infrared region to be passed to time-of-flight pixel
TW201423272A (zh) 2012-11-27 2014-06-16 Jsr Corp 感光性組成物、著色劑分散液、濾光片及光感應器
EP2927716A4 (en) 2012-11-30 2015-12-30 Fujifilm Corp HARDENABLE RESIN COMPOSITION AND IMAGE SENSOR PREPARATION METHOD AND PICTOR SENSOR THEREWITH
KR101444263B1 (ko) * 2012-12-04 2014-09-30 (주)실리콘화일 분광특성이 강화된 적외선 픽셀을 구비한 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법
JP6064570B2 (ja) 2012-12-10 2017-01-25 Jsr株式会社 表示素子用感放射線性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、半導体素子および表示素子
JP6135314B2 (ja) 2012-12-26 2017-05-31 Jsr株式会社 着色組成物、カラーフィルタ及び表示素子
JP2014139616A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Fujifilm Corp リン酸ジエステル銅錯体、近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法
JP2014139617A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Fujifilm Corp 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法
JP6131062B2 (ja) * 2013-02-05 2017-05-17 株式会社日本触媒 硬化性樹脂組成物、その硬化物及び光学材料
WO2014126192A1 (ja) 2013-02-14 2014-08-21 富士フイルム株式会社 赤外線吸収組成物ないしは赤外線吸収組成物キット、これを用いた赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP6065665B2 (ja) 2013-03-11 2017-01-25 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、発光表示素子および発光層の形成方法
CN105190374A (zh) * 2013-03-14 2015-12-23 富士胶片株式会社 固体摄像元件及其制造方法、红外光截止滤波器形成用硬化性组合物、照相机模块
JP6164456B2 (ja) 2013-03-28 2017-07-19 Dic株式会社 ウレタン樹脂組成物、プライマー、積層体及び画像表示装置
JP2016014846A (ja) 2013-07-12 2016-01-28 富士フイルム株式会社 近赤外線カットフィルタの製造方法および固体撮像素子
CN103554844B (zh) * 2013-10-29 2016-02-17 广东生益科技股份有限公司 一种热固性树脂组合物及其用途
US9679933B2 (en) * 2014-10-06 2017-06-13 Visera Technologies Company Limited Image sensors and methods of forming the same
JP6536589B2 (ja) * 2014-12-04 2019-07-03 Jsr株式会社 固体撮像装置
US9711560B2 (en) 2014-12-05 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMOS image sensor structure with IR/NIR integration
JP6702197B2 (ja) * 2014-12-26 2020-05-27 Jsr株式会社 赤外線遮蔽性組成物、硬化膜及び固体撮像装置
US9917134B1 (en) 2016-09-11 2018-03-13 Himax Technologies Limited Methods of fabricating an image sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11011583B2 (en) 2018-02-05 2021-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices
US12035548B2 (en) 2018-02-05 2024-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
JP6780504B2 (ja) 2020-11-04
US10854661B2 (en) 2020-12-01
US20170317132A1 (en) 2017-11-02
TWI675907B (zh) 2019-11-01
WO2016117596A1 (ja) 2016-07-28
CN107112332A (zh) 2017-08-29
TW201627461A (zh) 2016-08-01
JPWO2016117596A1 (ja) 2017-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6780504B2 (ja) 固体撮像装置、赤外線吸収性組成物及び平坦化膜形成用硬化性組成物
KR20170101894A (ko) 고체 촬상 장치 및 적외선 흡수성 조성물
KR101852804B1 (ko) 적외선 센서, 근적외선 흡수 조성물, 감광성 수지 조성물, 화합물, 근적외선 흡수 필터 및 촬상 장치
JP5946389B2 (ja) 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
TWI701304B (zh) 紅外線遮蔽性組成物、硬化膜及固態攝影裝置
KR20160112991A (ko) 경화성 조성물, 경화막, 적외광 투과 필터 및 고체 촬상 장치
TWI759432B (zh) 組成物、紅外線吸收膜、紅外線截止濾波器、固體攝像元件、紅外線感測器、照相機模組以及新穎的化合物
KR20190032451A (ko) 경화성 조성물 및 그 제조 방법, 경화막 및 그 제조 방법, 컬러 필터, 고체 촬상 소자, 고체 촬상 장치와, 적외선 센서
JP6583275B2 (ja) 着色組成物、着色硬化膜及び固体撮像素子
JP2020042235A (ja) 撮像装置、および赤外吸収膜
CN112513692A (zh) 遮光膜、遮光膜的制造方法、光学元件、固体摄像元件、前照灯单元
WO2016181786A1 (ja) 光センサ装置、光センサ装置を含む電子機器及び赤外線吸収性組成物、並びに赤外線カットフィルタ層の作製方法
US20230384485A1 (en) Coloring composition, cured film, light shielding film, color filter, optical element, solid-state imaging element, infrared sensor, and headlight unit
KR20190008327A (ko) 조성물, 경화막, 적외선 투과 필터, 고체 촬상 소자 및 적외선 센서
KR20170007365A (ko) 근적외선 흡수성 조성물, 근적외선 차단 필터, 근적외선 차단 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자, 카메라 모듈
US11920041B2 (en) Composition, film, infrared transmitting filter, and solid-state imaging element
KR20230003126A (ko) 착색 조성물, 막, 컬러 필터, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치
TWI846952B (zh) 硬化性組成物、硬化膜、濾色器、固體攝像元件及圖像顯示裝置
JP2023049863A (ja) 組成物、遮光膜、固体撮像素子、画像表示装置、硬化膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application