KR20060019022A - 커패시터 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 불순물이 도핑된 다결정 규소층;상기 다결정 규소층 상에 형성되는 제1 절연층;상기 제1 절연층 위에 형성되며, 제1 영역 및 제2 영역이 각각 분리되어 형성되는 제1 금속층;상기 제1 금속층 상에 형성되는 제2 절연층; 및상기 제2 절연층 상에 형성되며 상기 제1 금속층의 제2 영역과 전기적으로 연결되는 제2 금속층을 포함하는 커패시터.
- 제1항에 있어서,상기 제2 금속층은 상기 제1 금속층의 제1 영역의 적어도 일부와 중첩되게 형성되는 커패시터.
- 기판 상에 형성되는 커패시터에 있어서,기판 상에 일체로 형성되는 제1 도전층;상기 제1 도전층 상에 형성되는 제1 절연층;상기 제1 절연층 상에 형성되며 제1 영역 및 제2 영역으로 각각 분리되어 형성되는 제2 도전층;상기 제2 도전층 상에 형성되는 제2 절연층; 및상기 제2 절연층 상에 형성되며 적어도 상기 제2 도전층의 제1 영역과 중첩되며, 상기 제2 도전층의 제2 영역과 전기적으로 연결되는 제3 도전층을 포함하고,제1 기간 동안 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층이 동일한 전위가 인가되고, 제2 기간 동안 상기 제3 도전층은 제1 전위가 인가되고 상기 제1 도전층은 상기 제1 전위와는 다른 제2 전위가 인가되는 커패시터.
- 제3항에 있어서,상기 제1 도전층은 불순물이 도핑된 다결정 규소층인 커패시터.
- 제4항에 있어서,상기 제2 및 제3 도전층은 금속전극층인 커패시터.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 제1 도전층은 상기 제1 기간동안 턴온되는 스위칭 소자를 통하여 상기 제3 도전층과 전기적으로 연결되는 커패시터.
- 제6항에 있어서,상기 스위칭 소자는소스가 상기 제3 도전층에 전기적으로 연결되고, 드레인이 제1 도전층에 전기적으로 연결되는 트랜지스터인 커패시터.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 제1 도전층은 상기 제2 기간동안 턴온되는 스위칭 소자를 통하여 상기 제2 전위가 인가되는 커패시터.
- 제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 중첩되는 제2 전극을 구비한 제1 커패시터;상기 제1 전극과 일체로 형성되는 제3 전극 및 상기 제3 전극과 절연되어 중첩되는 제4 전극을 구비한 제2 커패시터;적어도 상기 제2 전극과 절연되어 중첩되게 형성되며 제4 전극에 전기적으로 연결되고 제1 전위가 인가되는 제5 전극과, 상기 제3 전극을 제1 기간동안 전기적으로 연결하는 제1 스위칭소자; 및제1 전위와 다른 제2 전위가 인가되는 제6 전극과 상기 제1 전극을 제2 기간동안 전기적으로 연결하는 제2 스위칭소자를 포함하는 커패시터 장치.
- 제9항에 있어서,일체로 형성된 상기 제1 전극 및 제3 전극은 불순물이 도핑된 다결정 규소층으로 이루어진 커패시터 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제1 스위칭소자는 소스가 상기 제5 전극에 전기적으로 연결되고 드레인이 상기 제3 전극에 전기적으로 연결되는 트랜지스터인 커패시터 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제2 스위칭소자는 소스가 상기 제6 전극에 전기적으로 연결되고 드레인이 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 트랜지스터인 커패시터 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제1 커패시터는,상기 제1 기간동안, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 형성하는 제3 커패시터와 상기 제2 전극과 상기 제5 전극이 형성하는 제4 커패시터가 병렬적으로 연결되어 동작되는 커패시터 장치.
- 제9항에 있어서,상기 제2 커패시터는,상기 제2 기간동안, 상기 제1 전위와 제2 전위의 차에 대응하는 전압이 충전되는 커패시터 장치.
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