KR100488949B1 - 박막트랜지스터를 이용한 디지털 엑스레이 검출기 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터를 이용한 디지털 엑스레이 검출기 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 패드영역과 TFT 영역 그리고 스토리지 커패시터 영역을 갖는 하부기판을 제공하는 단계와;제 1마스크를 이용하여 상기 기판의 상기 전영역에 복수개의 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 결과물 상부에 게이트 절연막, 비정질실리콘층 및 에치스토퍼층을 차례로 형성하는 단계와;제 2 마스크를 이용하여 상기 에치스토퍼층을 식각하여 TFT영역에 에치 스토퍼 패턴을 형성하는 단계와;그로부터 얻어지는 상기 결과물 상에 실리콘층을 형성하는 단계와,제 3 마스크를 이용하여 상기 실리콘층 및 비정질실리콘층을 식각하여 액티브층을 형성하는 단계와;제 4마스크를 이용하여 상기 게이트절연막을 식각하여 상기 스토리지 커패시터 영역의 게이트 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 콘택홀을 포함한 기판 전면에 소오스/드레인용 금속층을 형성하는 단계와;제 5마스크를 이용하여 상기 금속층을 식각하여 상기 TFT영역에 소오스/드레인 전극을 형성함과 동시에 스토리지 커패시터 영역 및 패드영역에 각각의 공통라인 및 금속막 패턴을 형성하는 단계와;상기 공통라인을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와;제 6마스크를 이용하여 상기 보호막을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계와;상기 비아홀을 포함한 기판 전면에 제 2투명금속막을 형성하는 단계와;및제 7마스크를 이용하여 상기 제 2투명금속막을 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 스토리지 커패시터 영역에 형성된 상기 게이트 전극, 게이트 절연막 및 상기 공통라인으로 제 1 스토리지 커패시터를 완성하고, 상기 공통라인, 상기 보호막 및 상기 화소전극으로 제 2 스토리지 커패시터를 완성하는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 보호막은 유전체막인 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 보호막은 SiNx, SiON, SiOx, 아크릴 레진 및 유기물 중 어느 하나 혹은 이들의 복합층인 것을 특징으로 TFT를 사용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 ITO, IZO 및 투명한 실리사이드층 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 TFT를 사용한 DXD 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나는 상기 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극이 연결되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 패드영역과 TFT 영역 그리고 스토리지 커패시터 영역을 갖는 하부기판을 제공하는 단계와;제 1마스크를 이용하여 상기 기판의 상기 전영역에 복수개의 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 결과물 상부에 게이트 절연막, 비정질실리콘층 및 에치스토퍼층을 차례로 형성하는 단계와;제 2 마스크를 이용하여 상기 에치스토퍼층을 식각하여 TFT영역에 에치 스토퍼 패턴을 형성하는 단계와;그로부터 얻어지는 상기 결과물 상에 실리콘층을 형성하는 단계와,제 3 마스크를 이용하여 상기 실리콘층 및 비정질실리콘층을 식각하여 액티브층을 형성하는 단계와;제 4마스크를 이용하여 상기 게이트절연막을 식각하여 상기 스토리지 커패시터 영역의 게이트 전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 콘택홀을 포함한 기판 전면에 소오스/드레인용 금속층을 형성하는 단계와;제 5마스크를 이용하여 상기 금속층을 식각하여 상기 TFT영역에 소오스/드레인 전극을 형성함과 동시에 스토리지 커패시터 영역에 공통라인을 형성하는 단계와;상기 결과물 상부에 제 1투명금속막을 형성하는 단계와;제 6마스크를 이용하여 상기 제 1투명금속막을 식각하여 상기 스토리지 커패시터영역에 제 1제 1투명금속막 패턴을 형성하는 단계와,상기 제 1투명금속막 패턴을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계와;제 7마스크를 이용하여 상기 보호막을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계와;상기 비아홀을 포함한 기판 전면에 제 2투명금속막을 형성하는 단계와;및제 8마스크를 이용하여 상기 제 2투명금속막을 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 스토리지 커패시터 영역의 게이트 전극과 게이트 절연막 및 공통라인으로 제 1 스토리지 커패시터를 완성하고, 상기 금속막패턴, 보호막 및 화소전극으로 제 2 스토리지 커패시터를 완성하는 것을 특징으로 하는 TFT를 이용한 DXD 제조방법.
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