KR20020022631A - 선택 메모리 셀을 정확하게 독출할 수 있는 비휘발성반도체 기억장치 및 그 독출 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 매트릭스 형태로 배열된 복수의 비휘발성 메모리셀, 각 비휘발성 메모리셀에 접속된 비트선 및 워드선을 갖는 동시에, 상기 워드선의 연장방향에 인접하는 상기 비휘발성 메모리셀이 하나의 비트선을 공유하고 있는 비휘발성 반도체 기억장치에 있어서:모든 비트선을 충전하는 전 비트 프리챠지 수단;선택된 비휘발성 메모리셀에 접속된 2개의 비트선중 어느 하나의 비트선을 포함하는 하나 이상의 인접하는 비트선을 선택적으로 방전하는 선택적 방전수단;상기 선택된 비휘발성 메모리셀에 접속된 2개의 비트선중 타방의 비트선에 인접하는 하나 이상의 비트선중 어느 하나에 선택적으로 프리챠지 전압을 인가하는 선택적 프리챠지 수단;모든 비트선을 충전하는 전 비트 프리챠지시에는 상기 전 비트 프리챠지 수단을 동작시키는 한편, 독출 동작시에는 상기 선택적 프리챠지 수단을 동작시키는 프리챠지 회로; 및상기 독출 동작시 상기 선택적 방전수단을 동작시키는 방전회로를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서,상기 선택적 프리챠지 수단에 의해 프리챠지 전압이 인가되는 비트선은, 상기 타방의 비트선을 포함하는 인접하는 복수의 비트선에 있어서의 중앙의 하나의 비트선인 비휘발성 반도체 기억장치.
- 제2항에 있어서,상기 선택적 방전수단이 선택적으로 방전하는 비트선의 개수는 3개이고,상기 선택적 프리챠지 수단에 의해 프리챠지 전압이 인가되는 비트선을 중앙으로 하는 상기 복수의 비트선의 개수는 5개인 비휘발성 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서,상기 전 비트 프리챠지 수단, 선택적 프리챠지 수단 및 선택적 방전수단 각각은, 각 비트선에 소스 또는 드레인이 접속된 복수의 트랜지스터로 구성되고,상기 프리챠지 회로는, 상기 전 비트 프리챠지 수단 및 선택적 프리챠지 수단을 구성하는 트랜지스터의 게이트에 제어신호를 공급하며,상기 방전회로는, 상기 선택적 방전수단을 구성하는 트랜지스터의 게이트에 제어신호를 공급하는 비휘발성 반도체 기억장치.
- 매트릭스 형태로 배열된 복수의 비휘발성 메모리셀, 및 각 비휘발성 메모리셀에 접속된 비트선 및 워드선을 갖는 동시에, 상기 워드선의 연장방향에 인접하는 상기 비휘발성 메모리셀이 1개의 비트선을 공유하고 있는 비휘발성 반도체 기억장치의 독출 방법에 있어서:모든 비트선을 프리챠지하는 단계;선택된 비휘발성 메모리셀에 접속된 워드선을 활성화하는 단계;상기 선택된 비휘발성 메모리셀에 접속된 2개의 비트선중 어느 하나의 비트선을 포함하는 1개 이상의 인접하는 비트선을 선택적으로 방전하는 단계;상기 선택된 비휘발성 메모리셀에 접속된 2개의 비트선중 타방의 비트선을 포함하는 인접하는 복수개의 비트선에 있어서의 중앙의 1개의 비트선에 선택적으로 프리챠지 전압을 인가하는 단계; 및상기 타방의 비트선으로부터 상기 선택된 비휘발성 메모리셀에 기억된 정보를 독출하는 단계를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치의 독출 방법.
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