JP4133692B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4133692B2 JP4133692B2 JP2003306491A JP2003306491A JP4133692B2 JP 4133692 B2 JP4133692 B2 JP 4133692B2 JP 2003306491 A JP2003306491 A JP 2003306491A JP 2003306491 A JP2003306491 A JP 2003306491A JP 4133692 B2 JP4133692 B2 JP 4133692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit line
- memory cell
- cell
- reference cell
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
- G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Description
まずメモリセルM00を読み出すと、データ1を保持するメモリセルM00には電流が流れることなく、ビット線BL0はセンスアンプ13の入力端DLが供給する電荷に応じた電位に充電される。センスアンプ13はデータ1を出力する。
次にメモリセルM32を読み出すと、データ1を保持するメモリセルM32には電流が流れることなく、ビット線BL2はセンスアンプ13の入力端DLが供給する電荷に応じた電位に充電される。センスアンプ13はデータ1を出力する。
更にメモリセルM11を読み出すと、データ1を保持するメモリセルM11には電流が流れることなく、ビット線BL1はセンスアンプ13の入力端DLが供給する電荷に応じた電位に充電されるべきである。このとき活性化したワード線WL1に接続される他のメモリセルM10及びM12がそれぞれデータ0を保持しているとする。メモリセルM10及びM12に接続されるビット線BL0及びBL2は、上記メモリセルM00及びM32の読み出し動作により充電された状態にあり、メモリセルM10及びM12を経由してアレイソースASに接続されることにより放電をする。従って、充電動作する読み出し対象のビット線BL1が、逆の電位変化である放電動作をするビット線に挟まれていることになる。その結果、ビット線間容量の存在によりビット線BL1の充電動作が影響を受け、センスアンプ13によるデータ判定が誤る可能性がある。
ローデコーダ23は、アドレス信号をデコードし、ワード線ドライバ24にワード選択を示すデコード信号を供給する。コラムデコーダ26は、アドレス信号をデコードし、ビット線選択ゲート27にビット線選択(コラム選択)を示すデコード信号を供給する。
22 アドレスバッファ
23 ローデコーダ
24 ワード線ドライバ
25 セルアレイ
26 コラムデコーダ
27 ビット線選択ゲート
28 センスアンプ
29 出力バッファ
30 リファレンスセルワード線ドライバ
Claims (12)
- 格納データに応じて実質的に導通/非導通状態が制御される第1のメモリセルと、
該第1のメモリセルに接続される第1のビット線と、
該第1のビット線に接続され該第1のメモリセルに該導通状態で流れる第1の電流より小さい第2の電流を流すリファレンスセルと、
第2のビット線と、
該第2のビット線に接続され該第1の電流を流す第2のメモリセルと、
該第1のビット線と該第2のビット線に電気的に接続されるセンスアンプ
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該第2の電流は該第1の電流の約半分であることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該リファレンスセルは該第1のメモリセルよりもゲート長が長いことを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該リファレンスセルは該第1のメモリセルのトランジスタと同一ディメンジョンのトランジスタを直列接続することにより構成されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該第1のメモリセル、該第2のメモリセル、及び該リファレンスセルは、単一のアレイ構造に含まれることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該リファレンスセルは、
該第1のビット線に接続される第1のリファレンスセルと、
該第1のビット線に接続される第2のリファレンスセル
を含み、該第1のメモリセルを選択するワードアドレスに応じて該第1のリファレンスセルと該第2のリファレンスセルの何れかが選択的に導通状態となることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 該第1のビット線と該第2のビット線とを該センスアンプが駆動していないときに所定の電位に接続するトランジスタを更に含むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該所定の電位は、該第1のメモリセル、該第2のメモリセル、及び該リファレンスセルのソース端が接続される電位であることを特徴とする請求項7記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 格納データに応じて実質的に導通/非導通状態が制御される第1のメモリセルと、
該第1のメモリセルに接続される第1のビット線と、
該第1のビット線と所定の電位のノードとに接続され、該第1のメモリセルに該導通状態で流れる第1の電流より小さい第2の電流を、該第1のビット線と該所定の電位のノードとの間に該導通状態において流す第1のリファレンスセルと、
第2のビット線と、
該第2のビット線と該所定の電位のノードとに接続され、該第1の電流を該第2のビット線と該所定の電位のノードとの間に導通状態において流す第2のメモリセルと、
該第2のビット線と該所定の電位のノードとに接続され、該第2の電流を該第2のビット線と該所定の電位のノードとの間に導通状態において流す第2のリファレンスセルと、
該第1のビット線と該第2のビット線に電気的に接続されるセンスアンプ
を含み、該第1のリファレンスセル、該第2のメモリセル、及び該第2のリファレンスセルへのデータ書き込みにより、該第1のリファレンスセルと該第2のメモリセルを導通状態に設定し該第2のリファレンスセルを非導通状態に設定するか、該第1のリファレンスセルと該第2のメモリセルを非導通状態に設定し該第2のリファレンスセルを導通状態に設定するかを切り替え可能であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該第1のリファレンスセルと該第2のメモリセルは導通状態に設定され該第2のリファレンスセルは非導通状態に設定されていることを特徴とする請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該第1のリファレンスセルと該第2のメモリセルは非導通状態に設定され該第2のリファレンスセルは導通状態に設定されていることを特徴とする請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置。
- メモリセルと、
該メモリセルが導通したときに流れる第1の電流より小さい第2の電流を流すリファレンスセルと、
該メモリセルと該リファレンスセルとの両方に接続される第1のビット線と、
該第1のビット線に流れる電流と該第1の電流を流す第2のメモリセルに接続される第2のビット線に流れる基準電流とを比較するセンスアンプ
を含み、該基準電流は該第1の電流に実質的に等しい量の電流であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003306491A JP4133692B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US10/843,840 US7184343B2 (en) | 2003-08-29 | 2004-05-11 | Nonvolatile semiconductor memory device providing stable data reading |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003306491A JP4133692B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005078698A JP2005078698A (ja) | 2005-03-24 |
JP4133692B2 true JP4133692B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=34214095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003306491A Expired - Fee Related JP4133692B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7184343B2 (ja) |
JP (1) | JP4133692B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4660163B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-03-30 | 東芝メモリシステムズ株式会社 | 半導体記憶装置 |
TWI297155B (en) * | 2005-11-11 | 2008-05-21 | Ind Tech Res Inst | Load-balnaced apparatus of memory |
KR100675299B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 데이터 라이트 및 리드방법 |
US7848160B2 (en) * | 2007-12-13 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor storage device and method for operating the same |
WO2011155120A1 (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | パナソニック株式会社 | リファレンスセルのための主ビット線のシールド方法 |
US8867279B2 (en) | 2012-06-21 | 2014-10-21 | Ememory Technology Inc. | Flash memory apparatus with reference word lines |
US9047980B2 (en) | 2012-08-01 | 2015-06-02 | International Business Machines Corporation | Sense amplifier for static random access memory with a pair of complementary data lines isolated from a corresponding pair of complementary bit lines |
JP2014059923A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Ememory Technology Inc | リファレンスワード線を備えたフラッシュメモリ装置 |
TWI514393B (zh) * | 2013-08-07 | 2015-12-21 | Winbond Electronics Corp | 非揮發性記憶體系統及偏壓非揮發性記憶體的方法 |
JP5760106B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2015-08-05 | ローム株式会社 | 半導体不揮発記憶回路及びその試験方法 |
US9991001B2 (en) * | 2014-05-22 | 2018-06-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods, circuits, devices and systems for sensing an NVM cell |
US9286969B2 (en) | 2014-06-27 | 2016-03-15 | Globalfoundries Inc. | Low power sense amplifier for static random access memory |
KR102189824B1 (ko) * | 2014-08-04 | 2020-12-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 단위 어레이, 이를 포함하는 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990016069A1 (en) * | 1989-06-12 | 1990-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP3210355B2 (ja) * | 1991-03-04 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH05250889A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5528543A (en) * | 1994-09-16 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Sense amplifier circuitry |
JP3108306B2 (ja) * | 1995-01-27 | 2000-11-13 | 三洋電機株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JPH08221996A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPH10326494A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-12-08 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
KR100306823B1 (ko) * | 1997-06-02 | 2001-11-30 | 윤종용 | 강유전체메모리셀들을구비한불휘발성메모리장치 |
JPH113599A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置及びデータ処理装置 |
US5982693A (en) * | 1997-12-10 | 1999-11-09 | Programmable Microelectronics Corporation | Sense amplifier with improved bit line initialization |
KR100346991B1 (ko) | 1999-07-13 | 2002-07-31 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 기억 장치 |
KR100322471B1 (ko) * | 1999-10-01 | 2002-02-07 | 윤종용 | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 감지 증폭기 회로 |
JP2001184881A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリの読み出し回路 |
US6327202B1 (en) * | 2000-08-25 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | Bit line pre-charge in a memory |
JP2002216488A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-08-02 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP3623756B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2005-02-23 | 松下電器産業株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
TW564426B (en) * | 2002-07-09 | 2003-12-01 | Macronix Int Co Ltd | Circuit and method of sensing amplifier with adjustable reference terminal bit line load |
JP4266297B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2009-05-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性記憶装置 |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003306491A patent/JP4133692B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-11 US US10/843,840 patent/US7184343B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7184343B2 (en) | 2007-02-27 |
US20050047234A1 (en) | 2005-03-03 |
JP2005078698A (ja) | 2005-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7099188B1 (en) | Bit line reference circuits for binary and multiple-bit-per-cell memories | |
EP0713164B1 (en) | A reference circuit | |
US6707700B2 (en) | Nonovolatile ferroelectric memory device and driving method thereof | |
US7535775B2 (en) | Page buffer and a method for driving the same in a nonvolatile memory device | |
JP4133692B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR20020071714A (ko) | 불휘발성 기억 장치의 기입 방법 | |
KR100781984B1 (ko) | 셀프 레퍼런스를 갖는 센스앰프 회로 및 그에 의한 센싱방법 | |
US7327614B2 (en) | Memory device with programmable parameter controller | |
CN101276638B (zh) | 具有铁电器件的半导体存储器器件及其更新方法 | |
US6404666B1 (en) | Read only memory having correction current supplying circuit | |
US6903989B2 (en) | Data sensing circuits and methods for magnetic memory devices | |
JP2954517B2 (ja) | メモリおよびメモリにおいて検出する方法 | |
US6295223B1 (en) | Ferroelectric random access memory with a memory with a stable sensing margin | |
US5301152A (en) | Semiconductor memory device equipped with sense amplifier circuit which eliminates a transient pulse at an output data terminal | |
CN110021327B (zh) | 由差动存储器胞组成的非易失性存储器 | |
JP3359615B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR101014968B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자와 그 페이지 버퍼 회로 | |
KR20070109419A (ko) | 플래시 메모리 장치의 페이지 버퍼 | |
JPH11126490A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
KR100576484B1 (ko) | 차동 데이터를 가지는 불휘발성 강유전체 메모리 장치 | |
JP2004253135A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR20080090841A (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그 독출 방법 | |
KR100236054B1 (ko) | 비트라인 어레이 구조 | |
JPH023188A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JPH08106792A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080507 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080602 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4133692 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |