KR102635455B1 - 고온용 울트라커패시터 - Google Patents

고온용 울트라커패시터 Download PDF

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숀 한센
앤드류 리터
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Abstract

온도가 약 80℃ 이상인 고온 분위기와 접촉하는 울트라커패시터가 제공된다. 제1 전극, 제2 전극, 분리막, 비수 전해질 및 하우징을 포함하는 울트라커패시터가 제공된다. 제1 전극은 제1 탄소질 코팅에 전기적으로 결합되는 제1 집전체를 포함하고, 제2 전극은 제2 탄소질 코팅에 전기적으로 결합되는 제2 집전체를 포함한다. 커패시터는 고온 분위기 내에서, 주파수가 120Hz이고 인가전압이 없을 때 결정되는 바로는, 약 6F/cm3 이상의 용량 값을 나타낸다.

Description

고온용 울트라커패시터{ULTRACAPACITOR FOR USE AT HIGH TEMPERATURES}
본 출원은 2016년 5월 20일에 출원된 미국 가출원 제62/339,173호의 우선권을 주장하며, 이는 본원에 참조로서 그 전체가 통합된다.
전기 에너지 저장 셀은 전자 디바이스, 전자기계 디바이스, 전기화학 디바이스 및 다른 유용한 디바이스들에 전력을 제공하기 위해 널리 사용된다. 예를 들어, 전기 2중층 울트라커패시터는 일반적으로, 액체 전해질이 함침된(impregnated) 탄소 입자(예를 들어, 활성 탄소)를 포함하는 한 쌍의 분극성 전극을 사용한다. 상기 입자들의 유효 표면적 및 상기 전극 간의 좁은 간극에 의해, 높은 용량 값을 획득할 수 있다. 하지만, 그럼에도 불구하고 여전히 몇몇 문제점이 존재한다. 예를 들어, 종래의 많은 울트라커패시터들은 고온에 민감하며, 이는 용량 저하 및 등가직렬저항("ESR")의 증가를 야기할 수 있다. 이와 같이, 현재, 고온에서 작동할 수 있으면서 여전히 안정적인 전기적 특성을 유지하는 개선된 울트라커패시터에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 온도가 약 80℃ 이상인 고온 분위기에 접촉하는 울트라커패시터가 개시된다. 울트라커패시터는, 제1 탄소질 코팅에 전기적으로 결합되는 제1 집전체를 포함하는 제1 전극과, 제2 탄소질 코팅에 전기적로 결합되는 제2 집전체를 포함하는 제2 전극을 포함한다. 제1 집전체와 제2 집전체의 각각은 도전성 금속을 포함하는 기판을 포함한다. 제1 전극과 제2 전극 사이에는 분리막이 위치되며, 비수 전해질이 제1 전극 및 제2 전극과 이온 접촉한다. 울트라커패시터는, 제1 전극, 제2 전극, 분리막 및 전해질을 그 안에 유지하는 하우징도 포함한다. 상기 커패시터는 고온 분위기에서, 주파수가 120Hz이고 인가전압 없을 때 결정되는 바로는, 입방 센티미터당 약 6패럿 이상의 용량 값을 나타낸다.
본 발명의 다른 특징 및 양태가 이하에서 더 자세하게 설명된다.
통상의 기술자에게 지시된, 본 발명의 최상의 모드를 포함한, 본 발명의 완전하고 실행 가능한 개시가, 첨부된 도면을 참조한 본 명세서의 나머지 부분에서 보다 구체적으로 설명된다.
도 1은 본 발명의 울트라커패시터에 사용될 수 있는 집전체의 일 실시예에 대한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 울트라커패시터에 사용될 수 있는 집전체/탄소질 고팅 구조의 일 실시예에 대한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 울트라커패시터에 사용될 수 있는 전극 조립체를 형성하는 일 실시예를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 울트라커패시터의 일 실시예의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 울트라커패시터의 또 다른 실시예의 개략도이다.
본 명세서 및 도면에서 반복 사용되는 도면부호는 본 발명의 동일한 또는 유사한 구성 또는 요소를 나타내기 위한 것이다.
본 기술 분야의 통상의 기술자라면, 본 설명은 단지 예시적인 실시예들의 설명으로, 본 발명의 넓은 양태를 제한하기 위한 것이 아니며, 더 넓은 양태들이 예시적인 구성으로 실시된다는 것을 이해할 것이다.
일반적으로, 본 발명은, 고온에서 양호한 특성을 나타낼 수 있는 울트라커패시터에 관한 것이다. 울트라커패시터는, 제1 집전체에 전기적으로 결합되는 제1 탄소질 코팅(예를 들어, 활성 탄소 입자들)을 포함하는 제1 전극과, 제2 집전체에 전기적으로 결합되는 제2 탄소질 코팅(예를 들어, 활성 탄소 입자들)을 포함하는 제2 전극을 포함한다. 또한, 제1 전극과 제2 전극 사이에는 분리막이 위치되며, 전해질은 제1 전극 및 제2 전극과 이온 접촉한다. 제1 전극, 제2 전극, 분리막 및 전해질은 하우징 내에 유지된다.
본 발명의 발명자들은, 집전체(들) 및 전극(들)을 형성하는 데 사용되는 재료의 특정 성질, 그리고 집전체 및 전극이 형성되는 방식을 선택적으로 제어함으로써, 다양한 유리한 특성을 획득할 수 있다는 것을 발견하였다. 즉, 완성된 울트라커패시터는 고온에 노출되었을 때에도 우수한 전기적 특성을 나타낼 수 있다. 예를 들어, 울트라커패시터는 온도가 약 80℃ 이상, 일부 실시예에서는 약 100℃ 내지 약 150℃, 그리고 일부 실시예에서는 약 105℃ 내지 약 130℃(예를 들어, 85℃ 또는 105℃)인 분위기에 접촉하도록 배치될 수 있다. 120Hz의 주파수에서 인가전압 없이 측정했을 때, 용량은 이러한 고온에서도 입방 센티미터당 약 6패럿("F/cm3") 이상, 일부 실시예에서는 약 8F/cm3 이상, 일부 실시예에서는 약 9 내지 약 100F/cm3, 그리고 일부 실시예에서는 약 10 내지 약 80F/cm3일 수 있다. 용량은 이러한 온도에서 충분히 긴 시간 동안, 예컨대 약 100시간 이상, 일부 실시예에서는 약 300시간 내기 약 5000시간, 그리고 일부 실시예에서는 약 600시간 내지 약 4500시간(예를 들어, 168시간, 336시간, 504시간, 672시간, 840시간, 1008시간, 1512시간, 2040시간, 3024시간, 또는 4032시간)동안 안정적으로 유지될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 고온 분위기(예를 들어, 85℃ 또는 105℃)에 처음으로 노출되는 울트라커패시터의 용량 값에 대한, 1008시간 동안 고온 분위기에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 용량 값의 비율은 약 0.75 이상, 일부 실시예에서는 약 0.8 내지 1.0, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.85 내지 1.0이다.
특히, 이러한 높은 용량 값은 다양한 극한의 조건에서, 예를 들어 전압이 인가되었을 때 및/또는 습한 분위기에서도 유지될 수 있다. 예를 들어, 전압이 인가되기 전에 고온 분위기(예를 들어, 85℃ 또는 105℃)에 노출되는 울트라커패시터의 초기 용량 값에 대한, 고온 분위기와 인가전압에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 용량 값의 비율은 약 0.60 이상, 일부 실시예에서는 약 0.65 내지 1.0, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.70 내지 1.0일 수 있다. 예를 들어, 전압은 약 1V 이상, 일부 실시예에서는 약 1.5V 이상, 그리고 일부 실시예에서는 약 2V 내지 약 10V(예를 들어, 2.1V)일 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 전술된 비율은 1008시간 이상의 시간 동안 유지될 수 있다. 울트라커패시터는 고습 수준에 노출되었을 때, 예를 들어 상대 습도가 약 40% 이상, 일부 실시예에서는 약 50% 이상, 그리고 일부 실시예에서는 약 70% 이상(예를 들어, 85% 내지 100%)인 분위기와 접촉하도록 배치되었을 때에도, 전술한 용량 값을 유지할 수 있다. 예를 들어, 상대 습도는 ASTM E337-02, 방법A(2007)에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 고습(예를 들어, 85%)에 노출되기 이전에 고온 분위기(예를 들어, 85℃ 또는 105℃)에 노출되었을 때의 울트라커패시터의 초기 용량 값에 대한, 고온 분위기와 고습에 노출된 이후의 울트라커패시터의 용량 값의 비율은 약 0.7 이상, 일부 실시예에서는 약 0.75 내지 1.0, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.8 내지 1.0일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 이러한 비율은 1008시간 이상으로 유지될 수 있다.
전술한 온도 범위 내의 고온 분위기에 노출되었을 때, 울트라커패시터는 낮은 등가 직렬 저항("ESR")도 가질 수 있으며, 주파수가 1kHz이고 인가전압이 없을 때 결정되는 ESR 값은 예컨대 150mΩ 이하, 일부 실시예에서는 125mΩ 이하, 일부 실시예에서는 약 0.01 내지 약 100mΩ, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.05 내지 약 70mΩ일 수 있다. 전술한 바와 같이, ESR도 상기 온도에서 충분히 긴 시간 동안 안정적으로 유지될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 고온 분위기(예를 들어, 85℃ 또는 105℃)에 처음 노출되었을 때의 울트라커패시터의 ESR에 대한, 1008시간 동안 고온 분위기에 노출된 이후의 울트라커패시터의 ESR의 비율은 약 1.5 이하, 일부 실시예에서는 약 1.2 이하, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.2 내지 약 1이다. 특히, 이러한 낮은 ESR 값들은 다양한 극한의 조건에서, 예를 들어 고압이 인가될 때 및/또는 전술한 것과 같은 습한 분위기에서도 유지될 수 있다. 예를 들어, 전압이 인가되기 전에 고온 분위기(예를 들어, 85℃ 또는 105℃)에 노출되었을 때의 울트라커패시터의 초기 ESR에 대한, 고온 분위기 및 인가전압에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 ESR의 비율은 약 1.8 이하, 일부 실시예에서는 약 1.7 이하, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.2 내지 약 1.6일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 전술한 비율이 1008시간 이상으로 유지될 수 있다. 울트라커패시터는 고습 수준에 노출되었을 때에도 전술한 ESR 값들을 유지할 수 있다. 예를 들어, 고습(예를 들어, 85%)에 노출되기 이전에 고온 분위기(예를 들어, 85℃ 또는 105℃)에 노출되었을 때의 울트라커패시터의 초기 용량 값에 대한, 고온 및 고습 분위기에 노출된 이후의 울트라커패시터의 ESR의 비율은 약 1.5 이하, 일부 실시예에서는 약 1.4 이하, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.2 내지 1.2일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 이 비율은 1008시간 이상으로 유지될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 다양한 실시예들이 더욱 자세하게 설명될 것이다.
I. 전극
전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 및 제2 전극은 제1 및 제2 집전체를 각각 포함한다. 희망하는 겨우, 특히 울트라커패시터가 다수의 에너지 저장 셀을 포함하는 경우에, 추가적인 집전체들이 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 집전체들은 동일하거나 서로 다른 재료로부터 형성될 수 있다. 이에 관계없이, 각각의 집전체는 통상적으로, 예컨대 알루미늄, 스테인리스 강, 니켈, 은, 파라듐 등뿐만 아니라 이들의 합금과 같은 도전성 금속을 포함하는 기판으로부터 형성된다. 본 발명에 사용하기에는 알루미늄 및 알루미늄 합금이 특히 적절하다. 기판은 호일, 시트, 플레이트, 메시 등의 형태일 수 있다. 또한, 기판은 두께가 비교적 얇은데, 기판의 두께는 예컨대 약 200㎛ 이하, 일부 실시예에서는 약 1 내지 약 100㎛, 일부 실시예에서는 약 5 내지 약 80㎛, 그리고 일부 실시예에서는 약 10 내지 약 50㎛일 수 있다. 필수적인 것은 아니지만, 기판의 표면은 경우에 따라서, 예컨대 세정, 에칭, 블라스팅 등에 의해 거칠게 처리(roughened)될 수 있다.
특정 실시예에서, 제1 및 제2 집전체들 중 적어도 하나는, 바람직하게는 두 집전체 모두는, 기판으로부터 외측으로 돌출하는 복수의 섬유형 위스커를 포함한다. 이들 위스커는 집전체의 표면적을 효과적으로 증가시키고, 대응하는 전극에 대한 집전체의 접착성도 향상시키는 것으로 여겨진다(이론에 제한하려는 의도는 아님). 이로 인해, 제1 전극 및/또는 제2 전극에 비교적 낮은 함량의 바인더를 사용하는 것이 가능하며, 이는 전하 이동도를 향상시키고, 계면 저항을 감소시켜, 결과적으로 매우 낮은 ESR 값들이 나오도록 한다. 통상적으로, 위스커들은 탄소 및/또는 탄소와 도전성 금속의 반응 생성물을 포함하는 재료로부터 형성된다. 예를 들어, 일 실시예에서, 이러한 재료는 예컨대 알루미늄 카바이드(Al4C3)와 같은 도전성 금속의 탄화물을 함유할 수 있다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 기판(1)으로부터 외측으로 돌출하는 복수의 위스커(21)를 포함하는 집전체의 일 실시예가 도시되어 있다. 희망한다면, 경우에 따라서는 위스커(21)가, 기판(1) 내에 내장되는 씨드 부분(seed portion)(3)으로부터 돌출할 수 있다. 위스커(21)와 유사하게, 씨드 부분(3)도 탄소 및/또는 예컨대 도전성 금속의 탄화물(예를 들어, 알루미늄 카바이드)과 같은 탄소와 도전성 금속의 반응 생성물을 함유하는 재료로부터 형성될 수 있다.
이러한 위스커가 기판에 형성되는 방식은 희망하는 대로 달라질 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 기판의 도전성 금속이 탄화수소 화합물과 반응한다. 예를 들어, 이러한 탄화수소 화합물의 예시로는, 파라핀 탄화수소 화합물(예컨대 메탄, 에탄, 프로판, n-부탄, 이소부탄, 펜탄 등), 올레핀 탄화수소 화합물(예컨대 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 부타디엔 등), 아세틸렌 탄화수소 화합물(예컨대 아세틸렌)뿐만 아니라, 이들 중 임의의 것의 유도체 또는 조합물이 포함된다. 일반적으로, 반응 중에 탄화수소 화합물은 기체 형태인 것이 바람직하다. 따라서, 가열되었을 때 기체 형태인, 예컨대 메탄, 에탄 및 프로판과 같은 탄화수소 화합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 반드시 필수적인 것은 아니지만, 탄화수소 화합물은 통상적으로, 기판의 100중량부를 기준으로, 약 0.1중량부 내지 약 50중량부, 일부 실시예에서는 약 0.5중량부 내지 약 30중량부 범위로 사용될 수 있다. 탄화수소와 도전성 금속의 반응을 개시하기 위해, 일반적으로 기판은 온도가 약 300℃ 이상, 일부 실시예에서는 약 400℃ 이상, 그리고 일부 실시예에서는 500℃ 내지 650℃인 분위기에서 가열된다. 가열 시간은 선택되는 정확한 온도에 따라 다르지만, 통상적으로는 약 1시간 내지 약 100시간이다. 기판의 표면에 유전체 막이 형성되는 것을 최소화하기 위해, 통상적으로 분위기는 비교적 낮은 양의 산소를 함유한다. 예를 들어, 분위기의 산소 함량은 부피로 약 1% 이하일 수 있다.
울트라커패시터는 또한, 제1 및 제2 집전체에 각각 전기적으로 결합되는 제1 및 제2 탄소질 코팅을 포함한다. 제1 및 제2 탄소질 코팅은 동일한 종류의 재료 또는 서로 다른 종류의 재료로 형성될 수 있고, 단일 층 또는 다중 층을 포함할 수 있지만, 각각의 탄소질 코팅이 활성화된 입자들을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 것이 일반적이다. 예를 들어, 특정 실시예에서는, 활성 탄소층이 집전체 위에 직접적으로 위치될 수 있고, 경우에 따라서는 이러한 활성 탄소층이 탄소질 코팅의 단 하나의 층일 수 있다. 예를 들어, 적절한 활성 탄소 입자들의 예시로는, 코코넛 껍질-기반 활성 탄소, 석유 코크스-기반 활성 탄소, 피치-기반 활성 탄소, 폴리염화비닐리덴-기반 활성 탄소, 페놀 수지-기반 활성 탄소, 폴리아크릴로니트릴-기반 활성 탄소, 및 예컨대 석탄, 숱, 또는 다른 천연 유기 자원과 같은 천연 원료로부터 획득한 활성 탄소가 포함될 수 있다.
특정 실시예에서는, 하나 이상의 충전-방전 사이클을 거친 후, 특정 종류의 전해질에 대한 이온 이동도의 향상을 돕기 위해, 예컨대 활성 탄소 입자들의 크기 분포, 표면적 및 기공 크기 분포와 같은 활성 탄소 입자들의 특정 양태를 선택적으로 제어하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 입자 부피 중 적어도 50%(D50 입도)는 크기가 약 0.01 내지 약 30㎛, 일부 실시예에서는 약 0.1 내지 약 20㎛, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.5 내지 약 10㎛이다. 유사하게, 입자 부피 중 적어도 90%(D90 입도)는 크기가 약 2 내지 약 40㎛, 일부 실시예에서는 약 5 내지 약 30㎛, 그리고 일부 실시예에서는 약 6 내지 약 15㎛이다. 또한, BET 표면적은 약 900m2/g 내지 약 3,000m2/g, 일부 실시예에서는 약 1,000m2/g 내지 약 2,500m2/g, 그리고 일부 실시예에서는 약 1,100m2/g 내지 약 1,800m2/g일 수 있다.
특정 크기 및 표면적을 갖는 것 이외에도, 활성 탄소 입자들은 특정한 크기 분포를 갖는 기공을 포함할 수 있다. 예를 들어, 크기가 약 2㎚보다 작은 기공(즉, 마이크로 기공)의 양은 총 기공 부피의 약 50vol% 이하, 일부 실시예에서는 약 30vol% 이하, 그리고 일부 실시예에서는 0.1vol% 내지 15vol%인 기공 부피르 제공할 수 있다. 또한, 약 2㎚ 내지 약 50㎚ 크기의 기공(즉, 메조 기공)의 양은 약 20vol% 내지 약 80vol%, 일부 실시예에서는 약 25vol% 내지 약 75vol%, 그리고 일부 실시예에서는 약 35vol% 내지 약 65vol%일 수 있다. 마지막으로, 크기가 약 50㎚보다 큰 기공(즉, 매크로 기공)의 양은 약 1vol% 내지 약 50vol%, 일부 실시예에서는 약 5vol% 내지 약 40vol%, 그리고 일부 실시예에서는 약 10vol% 내지 약 35vol%일 수 있다. 탄소 입자들의 총 기공 부피는 약 0.2cm3/g 내지 약 1.5cm3/g, 일부 실시예에서는 약 0.4cm3/g 내지 약 1.0cm3/g 범위 내에 있을 수 있고, 기공 폭의 중간 값은 약 8㎚ 이하, 일부 실시예에서는 약 1㎚ 내지 약 5㎚, 그리고 일부 실시예에서는 약 2㎚ 내지 약 4㎚일 수 있다. 업계에 공지되어 있는 바와 같이, 기공 크기와 총 기공 부피는 질소 흡착을 이용하여 측정되고, "BJH"(Barett-Joyner-Halenda)기술로 분석될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 하나의 특별한 양태는, 본 발명의 전극에는 종래에 울트라커패시터 전극에 사용되었던 상당한 양의 바인더가 함유될 필요가 없다는 것이다. 즉, 제1 및/또는 제2 탄소질 코팅에서, 탄소 100부에 대해, 바인더가 약 60부 이하, 일부 실시예에서는 40부 이하, 그리고 일부 실시예에서는 약 1부 내지 25부의 양만큼 존재할 수 있다. 예를 들어, 바인더는 탄소질 코팅의 총 중량의 약 15wt% 이하, 일부 실시예에서는 약 10wt% 이하, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.5wt% 내지 약 5wt%을 구성할 수 있다. 하지만, 전극에 바인더가 사용되는 경우에는, 다양한 종류의 적당한 바인더가 사용될 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예에서는, 수-불용성 유기 바인더가 사용될 수 있는데, 예컨대 스티렌-부타디엔 코폴리머, 폴리비닐 아세테이트 호모폴리머, 비닐-아세테이트 에틸렌 코폴리머, 비닐-아세테이트 아크릴릭 코폴리머, 에틸렌-비닐 클로라이드 코폴리머, 에틸렌-비닐 클로라이드-비닐 아세테이트 터폴리머, 아크릴릭 폴리비닐 클로라이드 폴리머, 아크릴릭 폴리머, 니트릴 폴리머, 플루오로폴리머(예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리올레핀 등)뿐만 아니라, 이들의 혼합물이 사용될 수 있다. 예컨대, 폴리사카라이드 및 그 유도체와 같은 수용성 유기 바인더가 사용될 수도 있다. 특정한 일 실시예에서, 폴리사카라이드는, 예컨대 알킬 셀룰로오스 에테르(예를 들어, 메틸 셀룰로오스 및 에틸 셀룰로오스); 히드록시알킬 셀룰로오스 에테르(예를 들어, 히드록시에틸 셀룰로오스, 히드록시프로필 셀룰로오스, 히드록시프로필 히드록시부틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 히드록시프로필 셀룰로오스, 히드록시에틸 히드록시부틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 히드록시프로필 히드록시부틸 셀룰로오스 등); 알킬 히드록시알킬 셀룰로오스 에테르(예를 들어, 메틸 히드록시에틸 셀룰로오스, 메틸 히드록시프로필 셀룰로오스, 에틸 히드록시에틸 셀룰로오스, 에틸 히드록시프로필 셀룰로오스, 메틸 에틸 히드록시에틸 셀룰로오스, 및 메틸 에틸 히드록시프로필 셀룰로오스); 카르복시알킬 셀룰로오스 에테르(예를 들어, 카르복시메틸 셀룰로오스); 등과 같은 비이온성 셀룰로오스 에테르뿐만 아니라, 예컨대 카르복시메틸 셀룰로오스 나트륨과 같이 전술한 것 중 임의의 것의 양성자화된 염(protonated salt)일 수 있다.
희망하는 경우, 제1 및/또는 제2 탄소질 코팅의 활성 탄소층 내에 및/또는 제1 및/또는 제2 탄소질 코팅의 다른 층 내에는 다른 재료가 사용될 수도 있다. 예를 들어, 특정 실시예에서, 전기 전도도를 더 높이기 위해 도전성 향상제(conductivity promoter)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 예시적인 도전성 향제로는, 카본 블랙, (천연 또는 인공적인) 흑연, 흑연, 탄소 나노튜브, 나노 와이어 또는 나노튜브, 금속 섬유, 그래핀 등뿐만 아니라, 이들의 혼합물이 포함될 수 있다. 카본 블랙이 특히 적절할 수 있다. 도전성 향상제가 사용되는 경우, 통상적으로 도전성 향상제는, 탄소질 코팅에서 활성 탄소 입자들 100부에 대해, 약 60부 이하, 일부 실시예에서는 약 40부 이하, 그리고 일부 실시예에서는 약 1부 내지 약 25부를 구성할 수 있다. 도전성 향상제는 예를 들어, 탄소질 코팅의 총 중량의 약 15wt% 이하, 일부 실시예에서는 약 10wt% 이하, 그리고 일부 실시예에서는 약 0.5wt% 내지 약 5wt%를 구성할 수 있다. 또한, 활성 탄소 입자들은 통상적으로, 탄소질 코팅의 85wt% 이상, 일부 실시예에서는 약 90wt% 이상, 그리고 일부 실시예에서는 약 95wt% 내지 약 99.5wt%를 구성한다.
통상의 기술자에게 잘 알려진 바와 같이, 탄소질 코팅이 집전체에 도포되는 구체적인 방법은, 예컨대 인쇄(예를 들어, 로토 그라비어), 분무, 슬롯-다이 코팅, 드롭-코팅, 딥-코팅 등과 같이 다양할 수 있다. 탄소질 코팅이 도포되는 방법에 관계없이, 코팅된(resulting) 전극은 통상적으로, 코팅으로부터 수분을 제거하기 위해, 약 100℃ 이상, 일부 실시예에서는 약 200℃ 이상, 그리고 일부 실시예에서는 약 300℃ 내지 약 500℃의 온도에서 건조된다. 또한, 울트라커패시터의 부피 효율을 최적화하기 위해 전극이 압축(예를 들어, 캘린더 가공)될 수 있다. 일반적으로, 경우에 따라서 압축한 후의 각 탄소질 코팅의 두께는 울트라커패시터의 희망하는 전기 특성 및 작동 범위에 따라 다를 것이다. 하지만, 통상적으로 코팅의 두께는 약 20 내지 약 200㎛, 30 내지 약 150㎛, 그리고 일부 실시예에서는 약 40 내지 약 100㎛이다. 코팅은 집전체의 일측 또는 양측에 존재할 수 있다. 이와는 관계없이, 전극의 전체 두께(결우에 따라 압축 이후의 집전체와 탄소질 코팅(들) 포함)는 통상적으로 약 20 내지 약 350㎛, 일부 실시예에서는 약 30 내지 약 300㎛, 그리고 일부 실시예에서는 약 50 내지 약 250㎛이다.
III. 비수 전해질
일반적으로, 울트라커패시터에 사용되는 전해질은 사실상 비수성이며, 따라서 적어도 하나의 비수 용매를 함유한다. 울트라커패시터의 작동 온도 범위의 확장을 돕기 위해, 통상적으로는 비수 용매는 끓는점이 비교적 높은 것이 바람직하며, 비수 용매의 끓는점은 예컨대 약 150℃ 이상, 일부 실시예에서는 약 200℃ 이상, 그리고 일부 실시예에서는 약 220℃ 내지 약 300℃이다. 예를 들어, 끓는점이 높은, 특히 적절한 용매는, 예컨대 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 부틸렌 카보네이트, 비닐렌 카보네이트 등과 같은 시클릭 카보네이트 용매를 포함할 수 있다. 프로필렌 카보네이트는 높은 전기 전도도와 분해전압, 그리고 넓은 온도 범위에서의 사용 가능성 때문에 특히 적절하다. 물론, 다른 비수 용매가 단독으로 또는 시클릭 카보네이트 용매와 함께 사용될 수도 있다. 이러한 용매의 예시로는, 예를 들어 열린-사슬 카보네이트(예를 들어, 디메틸 카보네이트, 에틸 메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트 등), 지방족 모노카르복실레이트(예를 들어, 메틸 아세테이트, 메틸 프로피오네이트 등), 락톤 용매(예를 들어, 부티로락톤 발레로락톤 등), 니트릴(예를 들어, 아세토니트릴, 글루타로니트릴, 아디포니트릴, 메톡시아세토니트릴, 3-메톡시프로피오니트릴, 등), 아마이드(예를 들어, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디에틸아세트아마이드, N-메틸피롤리디논), 알케인(예를 들어, 니트로메탄, 니트로에탄 등), 황 화합물(예를 들어, 술포란, 디메틸 술폭시드 등); 등이 포함될 수 있다.
전해질은 비수 용매에 용해되는 적어도 하나의 이온성 액체도 함유한다. 이온성 액체의 농도는 달라질 수 있다. 하지만, 통상적으로 이온성 액체는 비교적 높은 농도로 존재하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 이온성 액체는 전해질의 리터당 약 0.8몰(M) 이상, 일부 실시예에서는 약 1.0M 이상, 일부 실시예에서는 약 1.2M 이상, 그리고 일부 실시예에서는 약 1.3M 내지 약 1.8M의 양만큼 존재할 수 있다.
이온성 액체는 일반적으로, 녹는점이 비교적 낮은 염이며, 녹는 점은 예컨대 약 400℃ 이하, 일부 실시예에서는 약 350℃ 이하, 일부 실시예에서는 약 1℃ 내지 약 100℃, 그리고 일부 실시예에서는 약 5℃ 내지 약 50℃이다. 염은 양이온 종과 반대 이온을 함유한다. 양이온 종은, 적어도 하나의 헤테로원자(예를 들어, 질소 또는 인)를 "양이온 중심(cationic center)"으로서 구비하는 화합물을 함유한다. 예를 들어, 이러한 헤테로원자 화합물의 예시로는, 비치환된 또는 치환된 유기-제4급 암모늄 화합물이 포함되는데, 이는 예컨대, 암모늄(예를 들어, 트리메틸암모늄, 테트라에틸암모늄 등), 피리디늄, 피리다지늄, 피라미디늄, 피라지늄, 이미다졸륨, 피라졸륨, 옥사졸륨, 트리아졸륨, 티아졸륨, 퀴놀리늄, 피페리디늄, 피롤리디늄, 2개 이상의 고리가 스피로 원자(예컨대, 탄소, 헤테로원자 등)에 의해 함께 연결되는 제4급 암모늄 스피로 화합물, 제4급 암모늄 축합 고리 구조(예를 들어, 퀴놀리늄, 이소퀴놀리늄 등) 등이다. 예를 들어, 일 특정 실시예에서, 양이온 종은 N-스피로 이고리식 화합물로, 예컨대 고리(cyclic rings)를 구비하는 대칭 또는 비대칭 N-스피로 이고리식 화합물일 수 있다. 이러한 화합물의 일 예시는 다음의 구조를 갖는다.
이때, m 및 n은 독립적인 3 내지 7의 숫자이며, 일부 실시예(예를 들어, 피롤리디늄 또는 피페리디늄)에서는 4 내지 5의 숫자이다.
또한, 양이온 종에 대한 적절한 반대 이온은, 할로겐(예를 들어, 염화물, 브롬화물, 요오드화물 등); 황산염 또는 술폰산염(예를 들어, 메틸 설페이트, 에틸 설페이트, 부틸 설페이트, 헥실 설페이트, 옥틸 설페이트, 하이드로겐 설페이트, 메탄 설포네이트, 도데실벤젠 설포네이트, 도데실설페이트, 트리플루오로메탄 설포네이트, 헵타데카플루오로옥탄설포네이트, 소듐 도데실에톡시설페이트 등); 설포석시네이트; 아마이드(예를 들어, 디시안아미드); 이미드(예를 들어, 비스(펜타플루오로에틸술포닐)이미드, 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드, 비스(트리플루오로메틸)이미드 등); 붕산염(예를 들어, 테트라플루오로보레이트, 테트라시아노보레이트, 비스[옥살라토]보레이트, 비스[살리실라토]보레이트, 등); 포스페이트 또는 포스피네이트(예를 들어, 헥사플루오로포스페이트, 디에틸포스페이트, 비스(펜타플루오로에틸)포스피네이트, 트리스(펜타플루오로에틸)-트리플루오로포스페이트, 트리스(노나플루오로부틸)트리플루오로포스페이트 등); 안티몬산염(예를 들어, 헥사플루오로안티모네이트); 알루민산염(예를 들어, 테트라클로로알루미네이트); 지방산 카르복실레이트(예를 들어, 올레산염, 이소스테아레이트, 펜타데카플루오로옥타노에이트, 등); 시안산염; 아세트산염; 등등 및 전술한 것들의 임의의 조합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 적절한 이온성 액체의 몇몇 예시로는, 스피로-(1,1')-비피롤리디늄 테트라플루오로보레이트, 트리에틸메틸 암모늄 테트라플루오로보레이트, 테트라에틸 암모늄 테트라플루오로보레이트, 스피로-(1,1')-비피롤리디늄 아이오다이드, 트리에틸메틸 암모늄 아이오다이드, 테트라에틸 암모늄 아이오다이드, 메틸트리에틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 테트라에틸암모늄 헥사플루오로포스페이트 등을 포함할 수 있다.
III. 분리막
전술한 바와 같이, 본 발명의 울트라커패시터는 제1 및 제2 전극 사이에 위치되는 분리막도 포함한다. 희망하는 경우에는, 다른 분리막들도 본 발명의 울트라커패시터에 사용될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 분리막이 제1 전극이나 제2 전극, 또는 두 전극 모두의 위에 위치될 수 있다. 분리막은 하나의 전극을 다른 하나로부터 전기적으로 절연(isolation)시켜, 전기 쇼트를 방지하는 것을 도우면서, 두 전극 사이에 이온 이동을 가능하게 한다. 예를 들어, 특정 실시예에서는, 셀룰로오스 섬유상 재료(예를 들어, 에어레이드 페이퍼 웹, 습식-레이드 페이퍼 웹 등), 부직포 재료(예를 들어, 폴리올레핀 부직 웹), 직물, 필름(예를 들어, 폴리올레핀 필름) 등을 포함하는 분리막이 사용될 수 있다. 예컨대 천연 섬유, 합성 섬유 등을 함유하는 셀룰로오스 섬유상 재료가 울트라커패시터에 사용하기에 특히 적절하다. 예를 들어, 분리막에 사용하기에 적절한 셀룰로오스 섬유의 특정 예시로는, 활엽수 펄프 섬유, 침엽수 펄프 섬유, 레이온 섬유, 재생 셀룰로오스 섬유 등이 포함될 수 있다. 사용되는 특정 재료와는 관계없이, 분리막의 두께는 통상적으로 약 5 내기 약 150㎛, 일부 실시예에서는 약 10 내지 약 100㎛, 그리고 일부 실시예에서는 약 20 내지 약 80㎛이다.
IV. 하우징
본 발명의 울트라커패시터는, 전극들, 전해질 및 분리막이 그 안에 유지되고, 경우에 따라서는 기밀 밀봉(hermetic seal)되는 하우징을 사용한다. 하우징의 성질은 희망하는 것에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 특성 실시예에서, 하우징은 울트라커패시터의 구성요소들을 봉입하는 가요성 패키지의 형태일 수 있다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 전극 조립체(102)와 전해질(112)을 봉입하는 가용성 패키지(103)를 포함하는 울트라커패시터(101)의 일 실시예가 도시되어 있다. 전극 조립체(102)는, 서로 마주보는 구조로 중첩(stacked)되어 반대편 탭(104)들에 의해 함께 연결되는, 전극들(105, 106) 및 분리막(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 울트라커패시터(101)는 탭(104)들에 각각 전기적으로 연결되는 제1 단자(105)와 제2 단자(106)도 포함한다. 보다 구체적으로, 전극들(105, 106)의 각각은, 패키지(103) 내에 배치되는 제1 단부(107, 108) 및 패키지(103)의 외부에 배치되는 각각의 제2 단부(109, 110)를 구비한다. 중첩하는 것과는 별도로, 전극 조립체는 임의의 희망하는 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 전극들은 접어지거나, 젤리롤 구조로 함께 권취될 수 있다.
패키지(103)는 일반적으로, 두 단부(115, 116) 사이에서 연장하고 에지들(117, 118, 119, 120)을 구비하는 기판(114)을 포함한다. 단부들(115, 116)뿐만 아니라, 양면의 겹쳐지는 부분(119, 120)은 서로에 대해 접하여 고정되도록 (예를 들어, 가열 용접에 의해) 밀봉된다. 이렇게 함으로써, 전해질(112)이 패키지(103) 내에 유지될 수 있다. 기판(114)은 통상적으로, 두께가 약 20㎛ 내지 약 1,000㎛, 일부 실시예에서는 약 50㎛ 내지 약 800㎛, 그리고 일부 실시예에서는 약 100㎛ 내지 약 600㎛이다.
기판(114)은 희망하는 수준의 차단 특성을 획득하기 위해, 희망하는 만큼의 임의의 개수의 층, 예컨대 1개 이상, 일 실시예에서는 2개 이상, 그리고 일부 실시예에서는 2 내지 4개의 층을 함유할 수 있다. 통상적으로, 기판은, 예컨대 알루미늄, 니켈, 탄탈럼, 티타늄, 스테인리스 강 등과 같은 금속을 포함할 수 있는 장벽 층을 포함한다. 이러한 장벽 층은 일반적으로, 전해질을 통과시키지 않아(imperviouis) 전해질의 누출을 억제할 수 있고, 일반적으로는 물과 다른 오염물질도 통과시키지 않는다. 희망하는 경우, 기판은 패키지를 위한 보호 층으로서의 역할을 하는 외부 층도 포함할 수 있다. 이렇게 함으로써, 장벽 층이 외부 층과 전극 조립체 사이에 위치된다. 예를 들어, 외부 층은, 예컨대 폴리올레핀(예를 들어, 에틸렌 코폴리머, 프로필렌 포콜리머, 프로필렌 호모폴리머 등), 폴리에스테르 등으로부터 형성되는 필름과 같은, 폴리머 필름으로 형성될 수 있다. 폴리에스테르 예를 들어, 특히 적절한 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 등을 포함할 수 있다.
희망하는 경우, 기판은, 전극 조립체와 장벽 층 사이에 위치되는 내부 층도 포함할 수 있다. 특정 실시예에서, 내부 층은 열-접착성(heat-sealable) 중합체를 함유할 수 있다. 예를 들어, 적절한 열-접착성 중합체로는 비닐 클로라이드 폴리머, 비닐 크로리다인(chloridine) 폴리머, 이오노머 등)뿐만 아니라 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 이오노머가 특히 적절하다. 예를 들어, 일 실시예에서, 이오노머는 α-올레핀 및 (메트)아크릴산 반복 단위를 함유하는 공중합체일 수 있다. 특정한 α-올레핀은 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐; 3-메틸-1-부텐; 3,3-디메틸-1-부텐; 1-펜텐; 하나 이상의 메틸, 에틸 또는 프로필 치환기를 갖는 1-펜텐; 하나 이상의 메틸, 에틸 또는 프로필 치환기를 갖는 1-헥센; 하나 이상의 메틸, 에틸 또는 프로필 치환기를 갖는 1-헵텐; 하나 이상의 메틸, 에틸 또는 프로필 치환기를 갖는 1-옥텐; 하나 이상의 메틸, 에틸 또는 프로필 치환기를 갖는 1-노넨; 에틸, 메틸 또는 디메틸-치환된 1-데센; 도데센; 및 스티렌을 포함할 수 있다. 에틸렌이 특히 적절하다. 전술한 바와 같이, 코폴리머은 (메트)아크릴산 반복 단위도 포함할 수 있다. 본 명세서에서, "(메트)아크릴"이라는 용어는 아크릴 및 메타크릴 모노머뿐만 아니라 이들의 염 또는 에스테르, 예컨대 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 모노머를 포함한다. 이러한 (메트)아크릴 모노머의 예시로는, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, n-프로필 아크릴레이트, i-프로필 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, s-부틸 아크릴레이트, i-부틸 아크릴레이트, t-부틸 아크릴레이트, n-아밀 아크릴레이트, i-아밀 아크릴레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, n-헥실 아크릴레이트, 2-에틸부틸 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, n-옥틸 아크릴레이드, n-데실 아크릴레이트, 메틸시클로헥실 아크릴레이트, 사이클로펜틸 아크릴레이트, 사이클로헥실 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트, n-프로필 메타크릴레이트, n-부틸 메카트릴레이트, i-프로필 메카트릴레이드, i-부틸 메카트릴레이트, n-아밀 메카트릴레이드, n-헥실 메타크릴레이트, i-아밀 메타크릴레이트, s-부틸-메타크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트, 2-에틸부틸 메타크릴레이트, 메틸시클로헥실 메타크릴레이트, 신나밀 메타크릴레이트, 크로틸 메타아크릴레이트, 사이클로헥실 메타크릴레이트, 사이클로펜틸 메타크릴레이트, 2-에톡시에틸 메타크릴레이트, 이소보르닐 메타크릴레이트 등뿐만 아니라, 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 통상적으로, α-올레핀/(메트)아크릴산 코폴리머는 금속 이온으로 적어도 부분적으로 중화되어 이오노머를 형성한다. 예를 들어, 적절한 금속 이온은 알칼리 금속(예를 들어, 리튬, 나트륨, 칼륨 등), 알칼리 토금속(예를 들어, 칼슘, 마그네슘 등), 전이 금속(예를 들어, 망간, 아연 등) 등뿐만 아니라 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 금속 이온은, 예컨대 금속 포름산염, 아세트산염, 질산염, 탄산염, 탄산수소염, 산화물, 수산화물, 알콕시화물 등과 같은 이온 화합물에 의해 제공될 수 있다.
예컨대 전술한 것과 같은 가요성 패키지와는 별도로, 다른 하우징 구조가 사용될 수도 있다. 예를 들어, 하우징은, 예컨대 탄탈럼, 니오븀, 알루미늄, 니켈, 하프늄, 티타늄, 구리, 은, 강(예를 들어, 스테인리스 강), 이들의 합금, 이들의 조성물(예를 들어, 전기 전도성 산화물로 코팅된 금속) 등으로부터 형성되는 것과 같은, 금속 용기("캔")을 포함할 수 있다. 본 발명에 사용하기에는 알루미늄이 특히 적절하다. 금속 용기는 예컨대 원통형, D-형 등 여러 가지 다양한 형상일 수 있다. 원통 형상의 용기들이 특히 적절하다.
당 업계에 공지되어 있는 바와 같이, 이들 구성요소들이 하우징 내에 삽입되는 방법은 다양할 수 있다. 예를 들어, 먼저 전극들 및 분리막을 접거나 권취하거나, 또는 서로 접촉시켜, 전극 조립체를 형성할 수 있다. 경우에 따라서는, 전해질이 조립체의 전극들에 침지(immerse)될 수 있다. 하나의 특정 실시예에서, 전극들과 분리막, 그리고 경우에 따라서는 전해질도 함께 "젤리-롤" 구조를 갖는 전극 조립체로 권취될 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 제1 전극(1102), 제2 전극(1104), 그리고 전극들(1102, 1104) 사이에 위치되는 분리막(1106)을 포함하는, 이러한 젤리롤형 전극 조립체(1100)의 일 실시예가 도시되어 있다. 이 특정 실시예에서, 전극 조립체(1100)는 제2 전극(1104)의 위에 위치되는 또 다른 분리막(1108)도 포함한다. 이러한 방식으로, 전극들의 코팅된 두 표면이 각각 분리막에 의해 분리되어, 단위 부피당 표면적 및 용량을 최대화한다. 필수적인 것은 아니지만, 이 실시예에서는 전극들(1102, 1104)이 오프셋되어, 전극들의 각각의 접촉 에지가 제1 분리막(1106) 및 제2 분리막(1108)의 제1 및 제2 에지를 각각 넘어서 연장하도록 한다. 이는, 무엇보다도 전극들 사이에서의 전류의 흐름에 의한 "쇼트"를 방지하는 데에 도움을 줄 수 있다.
전극 조립체는 여러가지 다양한 기술을 사용하여 원통형 하우징 내에 밀봉될 수 있다. 도 4를 참조하면, 전술한 바와 같이 젤리롤 구조로 함께 권취된 층들(2106)을 포함하는 전극 조립체(2108)를 포함하는 울트라커패시터의 일 실시예가 도시되어 있다. 이 특정 실시예에서, 울트라커패시터는, 디스크-형 부분(2134), 돌출부(2136), 및 고정부(2138)(예를 들어, 스크류)를 포함하는 제1 집전체 디스크(2114)를 포함한다. 집전체 디스크(2114)가 전극 조립체의 중앙에 형성되는 중공 중심부(2160)의 제1 단부와 정렬되고, 돌출부(2136)가 중심부의 개구 내로 삽입되어, 디스크형 부분(2134)이 전극 조립체(2108)의 제1 접촉 에지(2110)에 있는 제1 단부에 안착한다. 제1 단자 기둥(2116)에 뚜껑(2118)이 용접되고(예를 들어, 레이저 용접됨), 예를 들어 나사형일 수 있는 소켓이 고정부(2138)에 결합된다. 울트라커패시터는, 디스크-형 부분(2142), 돌출부(2140) 및 제2 단자 기둥(2144)을 포함하는 제2 집전체 디스크(2120)도 포함한다. 제2 집전체 디스크(2120)는 중공 중심부(2160)의 제2 단부와 정렬되고, 그 다음 집전체의 디스크 부분(2142)이 전극 조립체(2108)의 제2 단부에 안착하도록, 돌출부(2140)가 중심부의 개구 내로 삽입된다.
그 다음, 금속 용기(2122)(예를 들어, 원통-형상의 캔)가 전극 조립체(2108)의 위에 슬라이드 되되, 제2 집전체 디스크(2120)가 먼저 용기(2122)에 진입하여, 제1 절연 와셔(2124)를 통과하고, 용기(2122)의 일 단부에 있는 축방향 홀을 통과한 다음, 제2 절연 와셔(2126)를 통과하도록 슬라이드 된다. 제2 집전체 디스크(2120)는 평 와셔(2128) 및 스프링 와셔(2130)도 통과한다. 잠금 너트(2132)가 스프링 와셔(2130) 위에 조여지며, 이는 스프링 와셔(2130)를 평 와셔(2128)에 대해 압축하고, 결과적으로 평 와셔를 제2 절연 와셔(2126)에 대해 압축한다. 제2 절연 와셔(2126)는 금속 용기(2122)의 축방향 홀의 외측 주변부에 대해 압축되고, 이러한 압축력에 의해 제2 집전체 디스크(2120)가 축방향 홀을 향해 끌어 당겨지면, 제1 절연 와셔(2124)가 제2 집전체 디스크(2120)와 용기(2122)의 축방향 홀의 내측 주변부 사이에서 압축된다. 제1 절연 와셔(2124)의 플랜지가 제2 집전체 디스크(2120)와 축방향 홀의 테두리(rim) 사이의 전기 접촉을 억제한다. 동시에, 뚜껑(2118)이 용기(2122)의 개구 안으로 끌어 당겨져서, 뚜껑(2118)의 테두리가 용기(2122)의 개구의 립(lip) 바로 안쪽에 안착한다. 그 다음, 뚜껑(2118)의 테두리가 용기(2122)의 개구의 립에 용접된다.
일단 잠금 너트(2132)가 스프링 와셔(2130)에 대해 조여지면, 축방향 홀, 제1 절연 와셔(2124), 제2 절연 와셔(2126), 그리고 제2 집전체 디스크(2120) 사이에 기밀 밀봉이 형성될 수 있다. 유사하게, 뚜껑(2118)을 용기(2122)의 립에 용접하고, 뚜껑(2118)을 제1 단자 기둥(2116)에 용접함으로써, 또 다른 기밀 밀봉이 형성될 수 있다. 뚜껑(2118)에 있는 홀(2146)은 전술한 전해질을 위한 충전 포트로서의 역할을 하도록, 개방된 채로 유지될 수 있다. 캔에 전해질이 채워지면(즉, 전술한 바와 같이, 진공 상태에서 캔 안으로 유도되고 나면), 부싱(2148)이 홀(2146) 내로 삽입되어, 홀(2146)의 내측 에지에 있는 플랜지(2150)에 접하도록 안착한다. 예를 들어, 부싱(2148)은 플러그(2152)를 수용하도록 제작되는 중공 원통 형상일 수 있다. 원통 형상인 플러그(2152)는 부싱(2148)의 중심부 안으로 가압되며, 이로 인해 부싱(2148)이 홀(2146)의 내측에 대해 압축되어, 홀(2146), 부싱(2148) 및 플러그(2152) 사이에 기밀 밀봉이 형성된다. 플러그(2152)와 부싱(2148)은 울트라커패시터 내 압력이 규정된 수준에 달하면 제거되도록 선택되어, 과압 안전 메커니즘을 형성할 수 있다.
전술한 실시예들은 일반적으로, 커패시터 내에 단일의 전기화학 셀을 사용하는 것을 나타낸다. 하지만, 본 발명의 커패시터는 2개 이상의 전기화학 셀을 포함할 수도 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 하나의 이러한 실시예에서, 커패시터는 서로 동일하거나 다를 수 있는 2개 이상의 전기화학 셀 스택(stack)을 포함할 수 있다.
본 발명은 다음의 예시를 참조하면 보다 잘 이해될 수 있다.
테스트 방법
등가 직렬 저항(ESR)
등가 직렬 저항은 Keithley 3330 Precision LCZ 미터를 사용하여, DC 바이어스 0.0V, 1.1V, 또는 2.1V(피크 투 피크 값이 0.5V인 사인파 신호)로 측정될 수 있다. 동작 주파수는 1kHz이다. 여러 온도 및 상대 습도 수준이 테스트될 수 있다. 예를 들어, 온도는 85℃ 또는 105℃일 수 있고, 상대 습도는 25% 또는 85%일 수 있다.
용량
용량은 Keithley 3330 Precision LCZ 미터를 사용하여 DC 바이어스 0.0V, 1.1V 또는 2.1V(피크 투 피크 값이 0.5V인 사인파 신호)로 측정될 수 있다. 동작 주파수는 120Hz이다. 여러 온도 및 상대 습도 수준이 테스트될 수 있다. 예를 들어, 온도는 85℃ 또는 105℃일 수 있고, 상대 습도는 25% 또는 85%일 수 있다.
예시
본 발명에 따른 전기화학 셀을 형성할 수 있다는 것이 입증되었다. 먼저, 알루미늄 카바이드 위스커를 포함하는 두 알루미늄 집전체(두께는 12 내지 50㎛임)의 각 측이, 10 내지 40wt%의 활성 탄소 입자, 2 내지 10wt%의 스티렌-부타디엔 공중합체, 그리고 5 내지 40wt%의 나트륨 카르복시메틸셀룰로오스의 혼합물로 코팅되었다. 활성 탄소 입자들은 D50 입도가 약 5 내지 20㎛이고, BET 표면적이 약 1300 내지 2200m2/g이었다. 활성 탄소 입자들은, 크기가 2㎚ 미만인 기공을 10vol% 미만의 양만큼, 크기가 2 내지 50㎚인 기공을 약 40 내지 70vol%의 양만큼, 그리고 크기가 50㎚보다 큰 기공을 약 20 내지 50vol%의 양만큼 함유하였다. 각각의 생성된 코팅의 두께는 약 12 내지 200㎛이었다. 이어서, 전극이 캘린더 가공되고, 진공상태에서 70℃ 내지 150℃의 온도로 건조되었다. 전극이 형성되고 나면, 두 전극이 전해질과 분리막(두께가 25㎛인 셀룰로오스 재료)과 함께 조립되었다. 전해질은 프로필렌 카보네이트에 1.05 내지 2.5M의 농도로, 5-아조니아스피로[4,4]-노난테트라플루오로보레이트를 함유한다. 생성된 스트립은 개별적인 전극으로 절단되고, 사이에 분리막을 두고 교대로 전극을 적층하여 조립된다. 전극 스택이 완성되면, 모든 전극 단자가 단일의 알루미늄 단자로 용접된다. 이어서, 이 조립체를 플라스틱/알루미늄/플라스틱 적층형 패키징 재료 내에 집어넣고, 에지들 중 하나만을 제외하고 모두 가열 밀봉하였다. 그 다음, 개방된 에지를 통해 패키지 내로 전해질이 주입되었다. 이어서, 전해질이 채워진 패키지는 진공상태에 놓여지고, 마지막 에지가 가열 밀봉되어, 마무리된 패키지를 완성하였다. 완성된 셀이 형성되었고, ESR, 용량 및 체적 효율에 대해 테스트되었다. 결과는 이하의 표 1 내지 표 6에 기재되어 있다.
0.0V 바이어스에서의 24개 샘플의 평균 ESR(mΩ)
시간(시간) 0 168 336 504 672 840 1008 1512 2040 3024 4032
85℃ 65 61 59 62 64 63 64 64 62 62 64
105℃ 62 54 52 57 60 60 60 58 58 57 58
0.0V 바이어스에서의 24개 샘플의 평균 용량
시간(시간) 0 168 336 504 672 840 1008 1512 2040 3024 4032
85℃ F 2.1 2.0 2.0 2.0 1.9 1.9 1.9 2.0 2.0 2.0 1.9
85℃ F/cm3 10.3 10.1 9.8 9.7 9.7 9.7 9.7 9.7 9.7 9.7 9.6
105℃ F 2.0 2.0 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 1.8
105℃ F/cm3 9.9 9.9 9.7 9.6 9.5 9.4 9.4 9.4 9.3 9.2 9.0
0.0V 바이어스에서의 16개 샘플의 평균 ESR(mΩ)
시간(시간) 0 168 336 504 672 840 1008
85℃, 상대습도 85% 121 133 144 152 166 177 187
0.0V 바이어스에서의 16개 샘플의 평균 용량
시간(시간) 0 168 336 504 672 840 1008
85℃, 상대 습도 85% F 1.5 1.2 1.1 1.2 1.1 1.1 1.1
85℃, 상대 습도 85% F/cm3 7.7 5.7 5.7 6.0 5.5 5.6 5.5
2.1V 바이어스에서의 10개 샘플의 평균 ESR(mΩ)
시간(시간) 0 168 336 504 672 840 1008
85℃ 146 163 167 169 171 173 175
2.1V 바이어스에서의 16개 샘플의 평균 용량
시간(시간) 0 504 1008
85℃, 상대습도 85% F 2.0 1.8 1.7
85℃, 상대습도 85% F/cm3 10.1 9.2 8.7
본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고, 볼 발명의 이들 또는 다른 수정 및 변형이 통상의 기술자에 의해 수행될 수 있다. 또한, 다양한 실시예의 양태들이 전체적으로 또는 부분적으로 상호 교환될 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 통상의 기술자는 전술한 설명이 단지 예시를 위한 것이고, 첨부되는 청구항에 추가적으로 기재되는 본 발명을 제한하고자 하는 것이 아님을 이해할 것이다.

Claims (28)

  1. 온도가 80℃ 이상인 고온 분위기와 접촉하는 울트라커패시터로,
    상기 울트라 커패시터는,
    제1 탄소질 코팅에 전기적으로 결합되는 제1 집전체를 포함하는 제1 전극과,제2 탄소질 코팅에 전기적으로 결합되는 제2 집전체를 포함하는 제2 전극으로, 제1 탄소질 코팅과 제2 탄소질 코팅은 활성 탄소 입자들 및 유기 바인더를 함유하며, 유기 바인더는 각각의 탄소질 코팅의 총 중량을 기준으로 15wt% 이하의 양으로 존재하고, 제1 집전체와 제2 집전체 각각은 도전성 금속 및 제1 집전체의 기판이나 제2 집전체의 기판, 또는 제1 집전체의 기판과 제2 집전체의 기판 모두로부터 외측으로 돌출하는 복수의 섬유형 위스커를 포함하는 기판을 포함하며, 복수의 섬유형 위스커는 도전성 금속의 탄화물을 함유하는, 제1 전극 및 제2 전극;
    제1 전극과 제2 전극 사이에 위치되는 분리막;
    제1 전극 및 제2 전극과 이온 접촉하는 비수 전해질로, 비수 전해질은 비수 용매에 용해되는 이온성 액체를 함유하는, 비수 전해질; 및
    제1 전극, 제2 전극, 분리막 및 전해질이 그 안에 유지되는 하우징;을 포함하며,
    상기 커패시터는 고온 분위기 내에서, 주파수가 120Hz이고 인가전압이 없는 상태에서 6F/cm3 이상의 용량 값을 나타내는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    고온 분위기에 처음 노출되었을 때의 울트라커패시터의 용량 값에 대한, 1008시간 동안 고온 분위기에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 용량 값의 비율은 0.75 이상인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    인가전압이 인가되기 전에 고온 분위기에 노출되었을 때의 울트라커패시터의 초기 용량 값에 대한, 고온 분위기와 1V 이상의 인가전압에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 용량 값의 비율은 0.60 이상인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  4. 제1항에 있어서,
    습도 수준에 노출되기 이전에 고온 분위기에 노출되었을 때의 울트라커패시터의 초기 용량 값에 대한, 고온 분위기와 40% 이상의 습도 수준에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 용량 값의 비율은 0.70 이상인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  5. 제1항에 있어서,
    울트라 커패시터는 주파수가 1kHz이고 인가전압이 없을 때, 150mΩ 이하의 ESR을 갖는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  6. 제1항에 있어서,
    고온 분위기에 처음 노출되었을 때의 울트라커패시터의 ESR에 대한, 1008시간 동안 고온 분위기에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 ESR의 비율은 1.5 이하인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  7. 제1항에 있어서,
    인가전압이 인가되기 전에 고온 분위기에 노출되었을 때의 울트라커패시터의 초기 ESR에 대한, 고온 분위기와 1V 이상의 인가전압에 노출되고 난 이후의 울트라 커패시터의 ESR의 비율은 1.8 이하인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  8. 제1항에 있어서,
    습도 수준에 노출되기 전에 고온 분위기에 노출되었을 때의 울트라커패시터의 초기 ESR에 대한, 고온 분위기와 40% 이상의 습도 수준에 노출되고 난 이후의 울트라커패시터의 ESR의 비율은 1.5 이하인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  9. 제1항에 있어서,
    도전성 금속은 알루미늄이나 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  10. 제1항에 있어서,
    위스커는 알루미늄의 탄화물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  11. 제1항에 있어서,
    활성 탄소 입자들의 부피의 적어도 50%는 크기가 0.01 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  12. 제1항에 있어서,
    활성 탄소 입자들은 복수의 기공을 함유하며, 크기가 2㎚ 이하인 기공의 양은 총 기공 부피의 50vol% 이하이고, 크기가 2㎚ 내지 50㎚인 기공의 양은 총 기공 부피의 20vol% 내지 80vol%이며, 크기가 50㎚ 이상인 기공의 양은 총 기공 부피의 1vol% 내지 50vol%인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  13. 제1항에 있어서,
    비수 용매는 프로필렌 카보네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  14. 제1항에 있어서,
    이온성 액체는 양이온 종(cationic species)과 반대 이온을 함유하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  15. 제14항에 있어서,
    양이온 종은 유기 제4급 암모늄 화합물(organoquaternary ammonium compound)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  16. 제15항에 있어서,
    유기 제4급 암모늄 화합물은 다음의 구조를 가지며,

    이때, m과 n은 독립적인, 3 내지 7의 숫자인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  17. 제1항에 있어서,
    이온성 액체는 1.0M 이상의 농도로 존재하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  18. 제1항에 있어서,
    분리막은 셀룰로오스 섬유상 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  19. 제1항에 있어서,
    하우징은 가요성 패키지를 포함하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  20. 제19항에 있어서,
    가요성 패키지는 금속을 포함하는 장벽 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  21. 제20항에 있어서,
    가요성 패키지는 외부 층을 추가적으로 포함하며, 장벽 층이 외부 층과 전극들 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  22. 제21항에 있어서,
    외부 층은, 폴리올레핀, 폴리에스테르 또는 이들의 조합물을 포함하는 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  23. 제21항에 있어서,
    가요성 패키지는 내부 층을 추가적으로 포함하고, 내부 층은 장벽 층과 전극들 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  24. 제23항에 있어서,
    내부 층은 이오노머(ionomer)를 함유하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  25. 제1항에 있어서,
    하우징은 금속 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  26. 제25항에 있어서,
    금속 용기는 원통 형상인 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  27. 제1항에 있어서,
    제1 전극, 제2 전극 및 분리막은 젤리롤(jellyroll) 구조를 갖는 전극 조립체로 권취되는 것을 특징으로 하는, 울트라커패시터.
  28. 삭제
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