KR100923304B1 - 그라펜 시트 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 그래파이트화 촉매를 막 형상으로 형성하는 단계;상기 막 형상을 갖는 그래파이트화 촉매의 존재하에 기상 탄소 공급원을 투입하면서 열처리하여 그라펜을 생성하는 단계; 및상기 열처리 결과물을 냉각하는 단계;를 포함하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 기상 탄소 공급원이 탄소수 1 내지 7개의 탄소 함유 화합물인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 기상 탄소 공급원이 일산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 열처리 온도가 300 내지 2000℃인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 막이 박막 또는 후막인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 박막의 두께가 1 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 후막의 두께가 0.01 내지 5mm인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 열처리 수행 시간을 조절하여 그라펜 생성 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 그래파이트화 촉매가 Ni, Co, Fe, Pt Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V 및 Zr로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 냉각 공정 이후, 산처리에 의해 상기 그래파이트화 촉매를 제거함으로써 생성된 그라펜 시트를 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 기상 탄소 공급원과 함께 수소를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 그라펜 시트의 제조방법.
- 삭제
- 복수개의 탄소원자들이 서로 공유결합하여 이루어진 폴리시클릭 방향족 분자로 이루어진 그라펜 시트로서,상기 그라펜 시트의 두께가 1층 내지 300층이고, 종방향 및 횡방향 길이가 1mm 내지 1,000mm인 그라펜 시트.
- 제13항에 있어서,상기 그라펜 시트의 라만스펙트럼 측정시 D밴드/G밴드의 피크비가 0.2 이하이고 0 초과인 것을 특징으로 하는 그라펜 시트.
- 제13항에 있어서,상기 그라펜 시트의 라만스펙트럼 측정시 D밴드가 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 그라펜 시트.
- 기판; 및상기 기판 상에 형성된 제13항에 따른 상기 그라펜 시트;를 포함하는 그라펜 기판.
- 제16항에 있어서,상기 기판 및 상기 그라펜 시트 사이에 개재된 그래파이트화 촉매층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 그라펜 기판.
- 제17항에 있어서상기 그래파이트화 촉매층이 박막 또는 후막 형상의 금속 촉매인 것을 특징으로 하는 그라펜 기판.
- 제17항에 있어서,상기 기판 및 상기 그래파이트화 촉매층 사이에 개재된 블록층을 더 구비한 것을 특징으로 하는 그라펜 기판.
- 제19항에 있어서,상기 블록층이 SiOx, TiN, Al2O3, TiO2 또는 Si3N인 것을 특징으로 하는 그라펜 기판.
- 제16항에 있어서,상기 기판이 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 그라펜 기판.
- 제1항에 있어서,상기 냉각이 분당 0.1 내지 10℃의 속도로 냉각하는 것인 그라펜 시트의 제조방법.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011156749A2 (en) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Applied Materials, Inc. | Graphene deposition |
KR101138141B1 (ko) | 2009-12-07 | 2012-04-23 | 주식회사 케이씨텍 | 그래핀 시트 제조방법 및 제조장치 |
WO2012064102A3 (ko) * | 2010-11-09 | 2012-07-26 | 주식회사 포스코 | 그래핀 피복 강판 및 이의 제조 방법 |
KR101236138B1 (ko) | 2011-10-26 | 2013-02-22 | 전자부품연구원 | 마이크로파 및 ipl조사를 이용한 그래핀 복합필름 제조방법 |
KR101279606B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2013-07-05 | 한국전자통신연구원 | 그래핀 박막의 증착방법 |
KR20160043797A (ko) | 2014-10-14 | 2016-04-22 | 한국화학연구원 | 그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체 |
KR101918299B1 (ko) | 2011-11-09 | 2018-11-13 | 주식회사 삼천리 | 표면에 그래핀이 형성된 금속선 또는 판재의 제조방법 |
US11447393B2 (en) | 2017-07-21 | 2022-09-20 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Graphene and method for preparing same |
Families Citing this family (235)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101443217B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2014-09-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 쉘 및 그의 제조방법 |
KR101622306B1 (ko) | 2009-10-29 | 2016-05-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트, 이를 포함하는 그라펜 기재 및 그의 제조방법 |
KR101344493B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
JP5470779B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2014-04-16 | 富士通株式会社 | 集積回路装置の製造方法 |
US9388048B1 (en) * | 2008-10-08 | 2016-07-12 | University Of Southern California | Synthesis of graphene by chemical vapor deposition |
US20100203340A1 (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Ruoff Rodney S | Protective carbon coatings |
US9776378B2 (en) | 2009-02-17 | 2017-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Graphene sheet comprising an intercalation compound and process of preparing the same |
KR101652788B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2016-09-09 | 삼성전자주식회사 | 층간 화합물 함유 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
US8309438B2 (en) * | 2009-03-03 | 2012-11-13 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation |
WO2010122928A1 (ja) * | 2009-04-25 | 2010-10-28 | 国立大学法人九州工業大学 | グラフェン膜の作製方法 |
KR101067085B1 (ko) | 2009-05-06 | 2011-09-22 | 경희대학교 산학협력단 | 무촉매 그래핀 성장 방법 |
CN101559944B (zh) * | 2009-05-27 | 2011-05-11 | 天津大学 | 导电石墨烯膜及其自组装制备方法 |
US9035281B2 (en) * | 2009-06-30 | 2015-05-19 | Nokia Technologies Oy | Graphene device and method of fabricating a graphene device |
JP2011018415A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Tdk Corp | 磁気センサ |
KR101423037B1 (ko) * | 2009-07-14 | 2014-08-13 | 그래핀스퀘어 주식회사 | 그래핀 시트의 제조 방법, 그래핀 적층체, 변형 수용성 그래핀 시트의 제조 방법, 변형 수용성 그래핀 시트, 및 이를 이용하는 소자 |
US9362364B2 (en) * | 2009-07-21 | 2016-06-07 | Cornell University | Transfer-free batch fabrication of single layer graphene devices |
KR101622304B1 (ko) | 2009-08-05 | 2016-05-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 기재 및 그의 제조방법 |
US8507797B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-08-13 | Guardian Industries Corp. | Large area deposition and doping of graphene, and products including the same |
US10167572B2 (en) * | 2009-08-07 | 2019-01-01 | Guardian Glass, LLC | Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same |
US10164135B2 (en) * | 2009-08-07 | 2018-12-25 | Guardian Glass, LLC | Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method or making the same |
US20120161098A1 (en) * | 2009-08-20 | 2012-06-28 | Nec Corporation | Substrate, manufacturing method of substrate, semiconductor element, and manufacturing method of semiconductor element |
KR101154347B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-06-13 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법 |
KR101119916B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전극과 유기물/무기물 복합소재를 사용한 전자 소자 및 그 제조 방법 |
WO2011025045A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 独立行政法人科学技術振興機構 | グラフェン薄膜とその製造方法 |
CN102020270B (zh) * | 2009-09-09 | 2013-08-21 | 中国科学院金属研究所 | 一种大尺寸石墨烯的宏量制备方法 |
KR101736462B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2017-05-16 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀의 제조 방법 |
KR101454463B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2014-10-23 | 삼성테크윈 주식회사 | 그래핀의 제조 방법 |
CN101658786B (zh) * | 2009-09-25 | 2011-11-23 | 上海大学 | 电子束辐照制备石墨烯基二氧化钛复合光催化剂的方法 |
CN102656016B (zh) * | 2009-10-16 | 2015-12-16 | 石墨烯广场株式会社 | 石墨烯卷对卷转印方法、由该方法制成的石墨烯卷及石墨烯卷对卷转印装置 |
US8470400B2 (en) * | 2009-10-21 | 2013-06-25 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Graphene synthesis by chemical vapor deposition |
US8492747B2 (en) | 2009-10-26 | 2013-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor and flat panel display including thin film transistor |
US8263843B2 (en) | 2009-11-06 | 2012-09-11 | The Boeing Company | Graphene nanoplatelet metal matrix |
KR101636442B1 (ko) | 2009-11-10 | 2016-07-21 | 삼성전자주식회사 | 촉매합금을 이용한 그라핀의 제조방법 |
KR101652787B1 (ko) | 2009-11-12 | 2016-09-01 | 삼성전자주식회사 | 대면적 그라핀의 제조방법 및 전사방법 |
KR20110061245A (ko) | 2009-12-01 | 2011-06-09 | 삼성전자주식회사 | 그라펜을 이용한 유기발광소자 |
US9306099B2 (en) | 2009-12-01 | 2016-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Material including graphene and an inorganic material and method of manufacturing the material |
US8808810B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-08-19 | Guardian Industries Corp. | Large area deposition of graphene on substrates, and products including the same |
KR101114948B1 (ko) * | 2010-01-13 | 2012-03-06 | 전남대학교산학협력단 | Pva-응고법을 이용한 순수 그라핀시트 제조방법 |
KR101405463B1 (ko) | 2010-01-15 | 2014-06-27 | 그래핀스퀘어 주식회사 | 기체 및 수분 차단용 그래핀 보호막, 이의 형성 방법 및 그의 용도 |
US9096437B2 (en) | 2010-03-08 | 2015-08-04 | William Marsh Rice University | Growth of graphene films from non-gaseous carbon sources |
US20130048339A1 (en) * | 2010-03-08 | 2013-02-28 | William Marsh Rice University | Transparent electrodes based on graphene and grid hybrid structures |
KR101251020B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2013-04-03 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 태양전지 및 염료감응 태양전지 |
WO2011116369A2 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Electrophoretic deposition and reduction of graphene oxide to make graphene film coatings and electrode structures |
US8871171B2 (en) | 2010-03-26 | 2014-10-28 | Virginia Commonwealth University | Production of graphene and nanoparticle catalysts supported on graphene using microwave radiation |
WO2011129708A1 (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Institutt For Energiteknikk | Thin film solar cell electrode with graphene electrode layer |
US8377408B2 (en) | 2010-04-20 | 2013-02-19 | High Temperature Physics, Llc | Process for the production of carbon nanoparticles and sequestration of carbon |
US8709881B2 (en) * | 2010-04-30 | 2014-04-29 | The Regents Of The University Of California | Direct chemical vapor deposition of graphene on dielectric surfaces |
KR101451138B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2014-10-15 | 삼성테크윈 주식회사 | 그래핀 시트 제조 방법 |
KR101220421B1 (ko) * | 2010-06-15 | 2013-01-09 | (재)한국나노기술원 | 임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
WO2012002666A2 (en) * | 2010-06-28 | 2012-01-05 | Samsung Techwin Co., Ltd. | Graphene manufacturing apparatus and method |
KR101828528B1 (ko) * | 2010-06-28 | 2018-02-12 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀의 제조 장치 및 제조 방법 |
KR101648563B1 (ko) * | 2010-06-29 | 2016-08-16 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 전사필름 제조방법 및 그래핀 전사필름 제조장치 |
US20120000521A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Egypt Nanotechnology Center | Graphene Solar Cell And Waveguide |
US20120000516A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Egypt Nanotechnology Center | Graphene Solar Cell |
KR101312454B1 (ko) * | 2010-07-15 | 2013-09-27 | 삼성테크윈 주식회사 | 그래핀의 저온 제조 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트 |
FR2962995B1 (fr) | 2010-07-21 | 2013-07-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une structure comprenant un feuillet de graphene muni de plots metalliques, structure ainsi obtenue et ses utilisations |
KR101451139B1 (ko) * | 2010-07-22 | 2014-10-15 | 삼성테크윈 주식회사 | 그래핀 제조 방법 |
KR101451140B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2014-10-15 | 삼성테크윈 주식회사 | 그래핀 합성 챔버 및 이를 이용한 그래핀 합성 방법 |
KR20120012271A (ko) * | 2010-07-30 | 2012-02-09 | 성균관대학교산학협력단 | 그래핀의 제조 방법, 그래핀 시트 및 이를 이용한 소자 |
CN102347476B (zh) * | 2010-08-02 | 2014-06-04 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种催化石墨化法制备的磷酸铁锂/碳复合正极材料及其制备方法 |
CN103237754A (zh) * | 2010-08-11 | 2013-08-07 | 宾夕法尼亚大学理事会 | 大规模石墨烯片:包含它的制品、组合物、方法以及器件 |
KR101767921B1 (ko) * | 2010-08-11 | 2017-08-14 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀의 후처리 방법 및 이를 이용한 그래핀 제조 방법 |
WO2012023464A1 (en) * | 2010-08-19 | 2012-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrical appliance |
US9029836B2 (en) | 2010-09-08 | 2015-05-12 | President And Fellows Of Harvard College | Controlled synthesis of monolithically-integrated graphene structure |
WO2012036537A2 (ko) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | 한국과학기술원 | 플래쉬 램프 또는 레이저 빔을 이용한 그래핀 제조장치, 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 그래핀 |
US8420042B2 (en) | 2010-09-21 | 2013-04-16 | High Temperature Physics, Llc | Process for the production of carbon graphenes and other nanomaterials |
CN103124691B (zh) * | 2010-09-28 | 2016-04-27 | 英派尔科技开发有限公司 | 定向重结晶的石墨烯生长衬底 |
WO2012060468A1 (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | 日本電気株式会社 | グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板 |
US20140150970A1 (en) | 2010-11-19 | 2014-06-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Structural adhesive compositions |
US8796361B2 (en) | 2010-11-19 | 2014-08-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Adhesive compositions containing graphenic carbon particles |
CN103314133B (zh) * | 2010-12-08 | 2017-08-01 | 3M创新有限公司 | 制品及其制备和使用方法 |
KR101462539B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2014-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 그라펜을 이용한 유기발광표시장치 |
JP2012144415A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-08-02 | Meijo Univ | グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材 |
JP5871213B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2016-03-01 | 日本電気株式会社 | グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板 |
EP2655246B1 (en) | 2010-12-23 | 2014-10-22 | Clean Energy Labs, LLC | Methods for making graphene windows |
CN102166866A (zh) * | 2011-01-05 | 2011-08-31 | 常州大学 | 应用石墨烯制备抗静电层压材料的方法 |
CN102120573B (zh) * | 2011-01-25 | 2013-02-06 | 中国科学院化学研究所 | 一种石墨烯纳米球及其制备方法 |
WO2012102574A2 (ko) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지 |
WO2012105777A2 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | Samsung Techwin Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing graphene |
KR101912798B1 (ko) | 2011-01-31 | 2018-10-30 | 한화에어로스페이스 주식회사 | 그래핀 합성장치 및 합성방법 |
WO2012124974A2 (ko) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 삼성테크윈 | 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법 |
KR101806916B1 (ko) * | 2011-03-17 | 2017-12-12 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법 |
US20120234240A1 (en) | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Nps Corporation | Graphene synthesis chamber and method of synthesizing graphene by using the same |
JP5887947B2 (ja) | 2011-03-28 | 2016-03-16 | ソニー株式会社 | 透明導電膜、ヒータ、タッチパネル、太陽電池、有機el装置、液晶装置および電子ペーパ |
KR101813614B1 (ko) | 2011-03-31 | 2018-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 2차원/3차원 무안경식 디스플레이 용 렌티큘러 장치 |
KR101842018B1 (ko) * | 2011-04-01 | 2018-03-26 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀을 포함하는 필름 제조 방법 |
WO2012137923A1 (ja) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | 日本写真印刷株式会社 | グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法、透明導電物 |
KR101813176B1 (ko) * | 2011-04-07 | 2017-12-29 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전자 소자 및 제조방법 |
US9260308B2 (en) | 2011-04-19 | 2016-02-16 | Graphene Technologies, Inc. | Nanomaterials and process for making the same |
KR101813172B1 (ko) * | 2011-04-22 | 2017-12-29 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 다중층의 제조방법 |
US20140120270A1 (en) * | 2011-04-25 | 2014-05-01 | James M. Tour | Direct growth of graphene films on non-catalyst surfaces |
KR101993382B1 (ko) * | 2011-05-06 | 2019-06-27 | 삼성전자주식회사 | 기판상의 그래핀 및 상기 기판상 그래핀의 제조방법 |
KR101188988B1 (ko) * | 2011-05-23 | 2012-10-08 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀 박막의 분리 방법 |
KR101271951B1 (ko) * | 2011-05-27 | 2013-06-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | 탄소 박막 제조 방법 |
CN103582968B (zh) | 2011-06-03 | 2016-05-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 电极的制造方法 |
US11296322B2 (en) | 2011-06-03 | 2022-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Single-layer and multilayer graphene, method of manufacturing the same, object including the same, and electric device including the same |
TWI582041B (zh) | 2011-06-03 | 2017-05-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 單層和多層石墨烯,彼之製法,含彼之物件,以及含彼之電器裝置 |
WO2012173145A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 学校法人 名城大学 | グラフェン素材の製造方法、グラフェン素材及びグラフェン配線構造 |
CN105174252B (zh) * | 2011-06-24 | 2018-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 多层石墨烯及蓄电装置 |
US9218916B2 (en) | 2011-06-24 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Graphene, power storage device, and electric device |
CN102849961B (zh) * | 2011-07-01 | 2016-08-03 | 中央研究院 | 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法 |
US9390828B2 (en) * | 2011-07-01 | 2016-07-12 | The University Of Kentucky Research Foundation | Crystallographically-oriented carbon nanotubes grown on few-layer graphene films |
US9388513B2 (en) * | 2011-07-01 | 2016-07-12 | The University Of Kentucky Research Foundation | Crystallographically-oriented carbon nanotubes grown on few-layer graphene films |
JP5862080B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2016-02-16 | ソニー株式会社 | グラフェンの製造方法及びグラフェン製造装置 |
WO2013015460A1 (ko) * | 2011-07-22 | 2013-01-31 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 그라펜 시트, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지 |
KR101275631B1 (ko) * | 2011-08-11 | 2013-06-17 | 전자부품연구원 | 스마트 윈도우용 그래핀 기반 vo2 적층체 및 제조방법 |
WO2013027561A1 (en) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing graphene-coated object, negative electrode of secondary battery including graphene-coated object, and secondary battery including the negative electrode |
JP6025284B2 (ja) | 2011-08-19 | 2016-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置用の電極及び蓄電装置 |
EP2562766A1 (de) | 2011-08-22 | 2013-02-27 | Bayer MaterialScience AG | Kohlenstoffnanoröhren und Graphenplättchen umfassende Dispersionen |
KR20130024769A (ko) | 2011-08-30 | 2013-03-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
US9249524B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of composite oxide and manufacturing method of power storage device |
JP6000017B2 (ja) | 2011-08-31 | 2016-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置及びその作製方法 |
KR101268477B1 (ko) * | 2011-08-31 | 2013-06-04 | 한국기계연구원 | 자장여과 아크 소스 장치를 이용한 그래핀의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 그래핀 |
JP6029898B2 (ja) | 2011-09-09 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | リチウム二次電池用正極の作製方法 |
EP2753577B1 (en) | 2011-09-09 | 2019-06-05 | Board Of Trustees Of Northern Illinois University | Method of making crystalline graphene |
US9401247B2 (en) | 2011-09-21 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Negative electrode for power storage device and power storage device |
US10763490B2 (en) * | 2011-09-30 | 2020-09-01 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Methods of coating an electrically conductive substrate and related electrodepositable compositions including graphenic carbon particles |
US9761903B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-09-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Lithium ion battery electrodes including graphenic carbon particles |
US8486363B2 (en) | 2011-09-30 | 2013-07-16 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Production of graphenic carbon particles utilizing hydrocarbon precursor materials |
JP6218349B2 (ja) | 2011-09-30 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置 |
US9832818B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-11-28 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Resistive heating coatings containing graphenic carbon particles |
US10240052B2 (en) | 2011-09-30 | 2019-03-26 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Supercapacitor electrodes including graphenic carbon particles |
KR20190139332A (ko) | 2011-09-30 | 2019-12-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 양극, 리튬 이차 전지, 전기 자동차, 하이브리드 자동차, 이동체, 시스템, 및 전기 기기 |
US9475946B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-10-25 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Graphenic carbon particle co-dispersions and methods of making same |
US9988551B2 (en) | 2011-09-30 | 2018-06-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Black pigments comprising graphenic carbon particles |
US10294375B2 (en) | 2011-09-30 | 2019-05-21 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Electrically conductive coatings containing graphenic carbon particles |
US9938416B2 (en) | 2011-09-30 | 2018-04-10 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Absorptive pigments comprising graphenic carbon particles |
US9574094B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-02-21 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Graphenic carbon particle dispersions and methods of making same |
CN103035922B (zh) | 2011-10-07 | 2019-02-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 蓄电装置 |
US8884310B2 (en) * | 2011-10-19 | 2014-11-11 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Direct formation of graphene on semiconductor substrates |
WO2013062264A1 (en) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | Src Corporation | Method of manufacturing graphene using metal catalyst |
CN103086358B (zh) * | 2011-11-01 | 2016-01-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种制备石墨烯的方法 |
RU2500616C2 (ru) * | 2011-11-03 | 2013-12-10 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (ИПТМ РАН) | Способ получения графеновой пленки |
CN102376787A (zh) * | 2011-11-04 | 2012-03-14 | 电子科技大学 | 一种石墨烯太阳能电池及其制备方法 |
FR2982281B1 (fr) | 2011-11-07 | 2014-03-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de synthese d'un feuillet de graphene sur un siliciure de platine, structures obtenues par ce procede et leurs utilisations |
US9487880B2 (en) | 2011-11-25 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible substrate processing apparatus |
KR101315966B1 (ko) * | 2011-11-28 | 2013-10-08 | (주)와이즈산전 | 그래핀을 이용한 적외선 검출 소자 |
JP6016597B2 (ja) | 2011-12-16 | 2016-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | リチウムイオン二次電池用正極の製造方法 |
US9202945B2 (en) * | 2011-12-23 | 2015-12-01 | Nokia Technologies Oy | Graphene-based MIM diode and associated methods |
KR101317459B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2013-10-18 | 한국과학기술원 | 그래핀 결정면의 광학적 시각화 방법 |
JP6009343B2 (ja) | 2011-12-26 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池用正極および二次電池用正極の作製方法 |
KR102037469B1 (ko) * | 2012-01-02 | 2019-10-28 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전자 소자 및 그 제조 방법 |
WO2013107840A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | Isos Technologies Sarl | Method of manufacturing microscopic graphene-containing grains and material obtainable thereby |
CN102583338B (zh) * | 2012-01-20 | 2013-10-30 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高质量石墨烯粉末及其制备方法 |
US9680272B2 (en) | 2012-02-17 | 2017-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming negative electrode and method for manufacturing lithium secondary battery |
JP5885198B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-03-15 | 国立大学法人九州大学 | グラフェン薄膜の製造方法及びグラフェン薄膜 |
JP5719859B2 (ja) | 2012-02-29 | 2015-05-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置 |
US20130248229A1 (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Tyco Electronics Corporation | Electrical conductors and methods of manufacturing electrical conductors |
US9090476B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-07-28 | Chun-Chieh Chang | Direct deposition of graphene on substrate material |
US9059466B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-16 | Chun-Chieh Chang | Direct synthesis of lithium ion battery electrode materials using graphene treated raw materials as the reactant |
JP2015511574A (ja) * | 2012-03-31 | 2015-04-20 | ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | グラフェン紙の製造方法 |
CN103359718B (zh) * | 2012-04-05 | 2015-07-01 | 清华大学 | 石墨烯纳米窄带的制备方法 |
CN103359717B (zh) * | 2012-04-05 | 2015-06-03 | 清华大学 | 石墨烯纳米窄带的制备方法 |
JP6077347B2 (ja) | 2012-04-10 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 非水系二次電池用正極の製造方法 |
WO2013160736A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Empire Technology Development Llc | Graphene compositions and methods of making the same |
CN103387223A (zh) * | 2012-05-07 | 2013-11-13 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种制备石墨烯的方法 |
US9225003B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing storage battery electrode, storage battery electrode, storage battery, and electronic device |
TWI457277B (zh) * | 2012-08-10 | 2014-10-21 | Nat Univ Tsing Hua | 石墨烯製備系統及方法 |
JP6207923B2 (ja) | 2012-08-27 | 2017-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池用正極の製造方法 |
JP5962332B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2016-08-03 | 富士通株式会社 | グラフェンの成長方法 |
TWI485106B (zh) * | 2012-10-16 | 2015-05-21 | Ritedia Corp | 石墨烯薄片製備方法及其所製備之石墨烯薄片 |
KR101427818B1 (ko) | 2012-10-29 | 2014-08-08 | 한국과학기술연구원 | 열 증착을 이용한 유기나노필름 기반 탄소재료 및 그 제조방법 |
JP6159228B2 (ja) | 2012-11-07 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 非水系二次電池用正極の製造方法 |
CN104995332B (zh) * | 2012-11-19 | 2017-08-08 | 加利福尼亚大学董事会 | 基于石墨烯的电极及应用 |
KR102059129B1 (ko) * | 2012-11-21 | 2019-12-24 | 삼성전자주식회사 | 그래핀의 제조 방법 및 이를 포함하는 그래핀 적용 소자 |
JP6037813B2 (ja) * | 2012-12-14 | 2016-12-07 | Jx金属株式会社 | 多層グラフェン製造用圧延銅箔、及び多層グラフェンの製造方法 |
KR101425376B1 (ko) | 2013-02-12 | 2014-08-01 | 한국과학기술연구원 | 고분자 기반의 대면적 탄소 나노그물 및 그 제조방법 |
US9673454B2 (en) | 2013-02-18 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sodium-ion secondary battery |
WO2014131043A1 (en) * | 2013-02-25 | 2014-08-28 | Solan, LLC | Methods for fabricating graphite-based structures and devices made therefrom |
JP2014172788A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Waseda Univ | グラフェンの製造方法 |
KR102093441B1 (ko) * | 2013-03-11 | 2020-03-25 | 삼성전자주식회사 | 그래핀의 제조 방법 |
US20140260545A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Infineon Technologies Ag | Sensor and sensing method |
US9593019B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-03-14 | Guardian Industries Corp. | Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices |
US11430979B2 (en) | 2013-03-15 | 2022-08-30 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Lithium ion battery anodes including graphenic carbon particles |
US10431354B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-01 | Guardian Glass, LLC | Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices |
US9490472B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing electrode for storage battery |
KR101517995B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2015-05-07 | 경희대학교 산학협력단 | 그래핀에 의하여 광증폭된 발광 소자 및 이의 제조방법 |
CN103176294B (zh) * | 2013-04-02 | 2015-08-12 | 浙江大学 | 一种基于石墨烯材料的全光纤电光调制器及其方法 |
CN103213976B (zh) * | 2013-04-22 | 2014-12-24 | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 | 一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法 |
RU2015151341A (ru) * | 2013-05-01 | 2017-06-02 | Конинклейке Филипс Н.В. | Способ изготовления частично свободной графеновой кристаллической пленки и устройство, содержащее такую пленку |
US9458020B2 (en) | 2013-05-06 | 2016-10-04 | Centre National De La Recherche Scientifique | Process and device for forming a graphene layer |
JP6002087B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの生成方法 |
WO2014200649A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Graftech International Holdings Inc. | Method of producing a graphene material |
KR101484770B1 (ko) | 2013-06-27 | 2015-01-21 | 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단 | 커버부재를 이용한 그래핀의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자의 제조방법 |
US20150044560A1 (en) | 2013-08-09 | 2015-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode for lithium-ion secondary battery and manufacturing method thereof, and lithium-ion secondary battery |
KR101778270B1 (ko) | 2013-09-17 | 2017-09-14 | 타타 스틸 리미티드 | 기재 상에 씨드락 유래의 환원된 그래핀 산화물을 합성하는 방법 |
JP6365547B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-08-01 | 日本ゼオン株式会社 | 炭素ナノ構造体の製造方法及びカーボンナノチューブ |
CN105940526A (zh) | 2013-10-25 | 2016-09-14 | 俄亥俄州立大学 | 包含石墨烯涂层电极的电化学电池 |
US20150140211A1 (en) * | 2013-11-19 | 2015-05-21 | Cvd Equipment Corporation | Scalable 2D-Film CVD Synthesis |
JP2016013958A (ja) | 2013-12-02 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 素子、膜の作製方法 |
US9347911B2 (en) | 2013-12-30 | 2016-05-24 | Infineon Technologies Ag | Fluid sensor chip and method for manufacturing the same |
US20150280207A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | NANO CAST TECH Co., Ltd. | Method of preparing graphene-graphene fused material and method of preparing graphene-substrate composite using the same |
US10072196B2 (en) | 2014-03-26 | 2018-09-11 | Amogreentech Co., Ltd. | Method of preparing graphene-graphene fused material and method of preparing graphene-substrate composite using the same |
US10253409B2 (en) | 2014-04-23 | 2019-04-09 | Src Corporation | Method of manufacturing graphene using metal catalyst |
KR101626776B1 (ko) * | 2014-05-09 | 2016-06-02 | 광주과학기술원 | 벤젠을 이용한 그래핀의 합성 방법 |
JP6745587B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電極の製造方法 |
US10787746B2 (en) | 2014-10-13 | 2020-09-29 | Haibo Xu | Graphene oxide prepared by electrochemically oxidizing and cutting end face of carbon-based three-dimensional material and method therefor |
US11492261B2 (en) * | 2014-12-05 | 2022-11-08 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Method of using chemical reaction transparency of graphene |
CN104532206A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-22 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法 |
JP6387878B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2018-09-12 | 日本ゼオン株式会社 | 炭素ナノ構造体の製造方法 |
US10243215B2 (en) * | 2015-03-27 | 2019-03-26 | Tdk Corporation | Positive electrode active material including lithium transition metal particles with graphene coating layer positive electrode and lithium ion secondary battery including the same |
JP2016222526A (ja) | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 膜の作製方法および素子 |
US10686207B2 (en) | 2015-07-03 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lithium-ion storage battery and electronic device |
JP6144300B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2017-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェン製造方法、グラフェン製造装置及びグラフェン製造システム |
CN108291298B (zh) * | 2015-08-14 | 2022-03-15 | 联邦科学及工业研究组织 | 石墨烯合成 |
US10145005B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-12-04 | Guardian Glass, LLC | Techniques for low temperature direct graphene growth on glass |
NZ740136A (en) * | 2015-08-26 | 2019-10-25 | Hazer Group Ltd | A process of controlling the morphology of graphite |
US10573517B2 (en) | 2015-10-01 | 2020-02-25 | Globalwafers Co., Ltd. | Epitaxial growth of defect-free, wafer-scale single-layer graphene on thin films of cobalt |
US10377928B2 (en) | 2015-12-10 | 2019-08-13 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Structural adhesive compositions |
US10351661B2 (en) | 2015-12-10 | 2019-07-16 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Method for producing an aminimide |
CN105523547B (zh) * | 2016-01-25 | 2017-09-29 | 浙江大学 | 一种超柔性高导热石墨烯膜及其制备方法 |
EP4131339A3 (en) | 2016-05-12 | 2023-02-15 | GlobalWafers Co., Ltd. | Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics |
CN106145276B (zh) * | 2016-08-01 | 2019-07-16 | 绍兴文理学院 | 一种用于废水处理的氧化物涂层电极的制备方法 |
RU2729486C1 (ru) * | 2016-09-08 | 2020-08-07 | Ппг Индастриз Огайо, Инк. | Способы нанесения покрытия на электропроводящие подложки и соответствующие электроосаждаемые композиции, включающие частицы графенового углерода |
CN106252465B (zh) * | 2016-09-14 | 2017-06-23 | 绍兴文理学院 | 一种石墨烯基超晶格金属氧化物薄膜材料的制备方法 |
JP6837808B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2021-03-03 | 株式会社カネカ | 積層体の製造方法 |
TWI608995B (zh) * | 2017-01-12 | 2017-12-21 | Large-area graphene and its manufacturing method | |
KR101990192B1 (ko) * | 2017-03-22 | 2019-06-17 | 고려대학교 산학협력단 | 그래핀 박막 제조방법 |
KR102310124B1 (ko) * | 2017-03-28 | 2021-10-08 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법 |
CN109524481A (zh) * | 2017-09-20 | 2019-03-26 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 一种低成本高导电太阳能电池电极及其制备方法 |
CN109694057A (zh) * | 2017-10-24 | 2019-04-30 | 中国海洋大学 | 一种柔性石墨烯发热膜的制备方法 |
US11180373B2 (en) | 2017-11-29 | 2021-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystalline graphene and method of forming nanocrystalline graphene |
WO2019170356A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Asml Netherlands B.V. | Graphene pellicle lithographic apparatus |
CN108660430B (zh) * | 2018-05-14 | 2020-07-03 | 北京工业大学 | 在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法 |
US11217531B2 (en) | 2018-07-24 | 2022-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Interconnect structure having nanocrystalline graphene cap layer and electronic device including the interconnect structure |
KR102532605B1 (ko) | 2018-07-24 | 2023-05-15 | 삼성전자주식회사 | 나노결정질 그래핀 캡층을 포함하는 인터커넥트 구조체 및 이 인터커넥트 구조체를 포함하는 전자 소자 |
KR20200011821A (ko) * | 2018-07-25 | 2020-02-04 | 삼성전자주식회사 | 탄소물 직접 성장방법 |
KR102601607B1 (ko) | 2018-10-01 | 2023-11-13 | 삼성전자주식회사 | 그래핀의 형성방법 |
CN109179388B (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 青岛科技大学 | 一种一氧化碳制备石墨烯的方法 |
KR20200126721A (ko) | 2019-04-30 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 구조체 및 그래핀 구조체의 형성방법 |
US11433353B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-09-06 | Savannah River Nuclear Solutions, Llc | Hydrogen isotope separation methods and systems |
TWI794527B (zh) | 2019-07-10 | 2023-03-01 | 國立成功大學 | 包含由微結構控制物理性質之裝置及其製造方法 |
CN110922068A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-03-27 | 武汉大学 | 石墨烯光纤及其制备方法 |
CN110759334B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-07-28 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种石墨烯沟道结构及其制作方法 |
EP4073846A1 (en) * | 2019-12-11 | 2022-10-19 | Jozef Stefan Institute | Method and apparatus for deposition of carbon nanostructures |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003081699A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Canon Inc | 炭素を主成分とするファイバーの製造方法および製造装置、並びに該ファイバーを用いた電子放出素子 |
US20050271574A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Jang Bor Z | Process for producing nano-scaled graphene plates |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5698341A (en) * | 1995-08-18 | 1997-12-16 | Petoca, Ltd. | Carbon material for lithium secondary battery and process for producing the same |
US6800584B2 (en) * | 2001-10-12 | 2004-10-05 | Catalytic Materials Llc | Gold catalysts supported on graphitic carbon nanostructures |
US6841003B2 (en) * | 2002-11-22 | 2005-01-11 | Cdream Display Corporation | Method for forming carbon nanotubes with intermediate purification steps |
US20050164211A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-07-28 | Hannah Eric C. | Carbon nanotube molecular labels |
US7713577B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-05-11 | Los Alamos National Security, Llc | Preparation of graphitic articles |
-
2008
- 2008-03-13 KR KR1020080023457A patent/KR100923304B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-08 US US12/169,114 patent/US7988941B2/en active Active
- 2008-09-04 CN CNA200810213761XA patent/CN101423209A/zh active Pending
- 2008-10-28 JP JP2008277065A patent/JP2009107921A/ja active Pending
- 2008-10-28 EP EP08167766.8A patent/EP2055673B1/en active Active
-
2009
- 2009-09-16 KR KR1020090087653A patent/KR101310880B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-06-20 US US13/164,664 patent/US20110244210A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003081699A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-19 | Canon Inc | 炭素を主成分とするファイバーの製造方法および製造装置、並びに該ファイバーを用いた電子放出素子 |
US20050271574A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Jang Bor Z | Process for producing nano-scaled graphene plates |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101138141B1 (ko) | 2009-12-07 | 2012-04-23 | 주식회사 케이씨텍 | 그래핀 시트 제조방법 및 제조장치 |
KR101279606B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2013-07-05 | 한국전자통신연구원 | 그래핀 박막의 증착방법 |
WO2011156749A2 (en) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Applied Materials, Inc. | Graphene deposition |
WO2011156749A3 (en) * | 2010-06-10 | 2012-04-05 | Applied Materials, Inc. | Graphene deposition |
WO2012064102A3 (ko) * | 2010-11-09 | 2012-07-26 | 주식회사 포스코 | 그래핀 피복 강판 및 이의 제조 방법 |
KR101403989B1 (ko) * | 2010-11-09 | 2014-06-10 | 포항공과대학교 산학협력단 | 그래핀 피복 강판 및 이의 제조 방법 |
KR101532170B1 (ko) * | 2010-11-09 | 2015-06-30 | 주식회사 포스코 | 그래핀 피복 강판 및 이의 제조 방법 |
KR101236138B1 (ko) | 2011-10-26 | 2013-02-22 | 전자부품연구원 | 마이크로파 및 ipl조사를 이용한 그래핀 복합필름 제조방법 |
WO2013062182A1 (ko) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | 전자부품연구원 | 마이크로파 및 ipl조사를 이용한 그래핀 복합필름 제조방법 |
KR101918299B1 (ko) | 2011-11-09 | 2018-11-13 | 주식회사 삼천리 | 표면에 그래핀이 형성된 금속선 또는 판재의 제조방법 |
KR20160043797A (ko) | 2014-10-14 | 2016-04-22 | 한국화학연구원 | 그래핀 적층 구조체의 제조방법 및 이로 제조된 그래핀 적층 구조체 |
US11447393B2 (en) | 2017-07-21 | 2022-09-20 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Graphene and method for preparing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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