KR100211074B1 - 웨이퍼 습식 처리장치 - Google Patents
웨이퍼 습식 처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100211074B1 KR100211074B1 KR1019960006618A KR19960006618A KR100211074B1 KR 100211074 B1 KR100211074 B1 KR 100211074B1 KR 1019960006618 A KR1019960006618 A KR 1019960006618A KR 19960006618 A KR19960006618 A KR 19960006618A KR 100211074 B1 KR100211074 B1 KR 100211074B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wall
- wafer
- wafer carrier
- tank
- processing apparatus
- Prior art date
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
- B08B11/02—Devices for holding articles during cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 웨이퍼 습식 처리장치에 관한 것으로, 처리액이 바닥으로 유입되어 벽으로 흘러넘치는 처리조와, 바닥과 상면이 개구되고 처리조에 삽입되어 적어도 벽 외면의 하단부가 처리조 벽과 접하여 처리액이 내부로 통과하는 웨이퍼 운반통을 포함하여 이루어진다. 여기서, 웨이퍼 운반통이 처리조에 삽입되어 벽 외면이 처리조 벽 내면과 접하는 것이나, 처리조는 벽의 내면 일부 또는 전부가 상기 웨이퍼 운반통 벽 외면과 소정각을 이루는 경사면이고 처리조의 경사면과 대응하는 웨이퍼 운반통 벽 부위는 상부가 바깥쪽으로 굴절되어 처리조 벽과 접하는 흐름 안내부를 포함하는 것이 특징이다.
Description
제1도는 종래의 웨이퍼 습식 처리장치를 도시한 도면.
제2도는 종래의 웨이퍼 습식 처리장치를 도시한 도면.
제3도는 본 발명에 따른 웨이퍼 습식 처리장치의 일실시예를 도시한 도면.
제4도는 본 발명에 따른 웨이퍼 습식 처리장치의 다른 실시예를 도시한 도면.
제5도는 본 발명에 따른 웨이퍼 습식 처리장치의 또 다른 실시예를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
30,40,50 : 웨이퍼 습식 처리장치 31,41,51 : 처리조
31-1,41-1,51-1 : 흐름조절판 31-2,41-2,51-2 : 주입구
31-3,41-3,51-3 : 배출도랑 31-4,41-4,51-4 : 배출구
31-5,41-5,51-5 : 처리조 벽 32,42,52 : 웨이퍼 운반통
32-1,42-1,52-1 : 웨이퍼 운반통 벽 51-6 : 홈부
32-2 : 파형 42-3,52-3 : 흐름조절부
52-4 : 돌출부 33,43,53 : 웨이퍼
본 발명은 웨이퍼 습식 처리장치에 관한 것으로, 반도체 디바이스 생산공정에 있어 웨이퍼의 세정 및 화학반응 등을 위해 사용되는 웨이퍼 습식 처리장치에 관한 것이다.
일반적인 웨이퍼 습식 처리장치는 바닥으로 처리액이 유입되어 흘러넘치는 처리조에 다수개의 웨이퍼가 담겨있는 웨이퍼 운반통을 삽입하는 방식으로써, 종래 장치의 기본적인 구조는 미국특허 No.5071776의 오버플로윙 방식(Over Flowing system)을 채택한 처리조와, 웨이퍼 운반통으로써는 미국특허 No.392315의 옆면이 'U'자형인 것과 그후 개발된 양면이 'H'자형이면서 다른 양면은 폐쇄형인 형태이다.
제1도의 (a)와 (b)는 종래의 기본적인 웨이퍼 습식 처리장치를 도시한 단면도로써, 도시한 바와 같이 종래의 장치는, 바닥이 흐름조절판(Baffle plate)(11-1)으로 되어 흐름조절판을 통하여 유입된 처리액이 흘러넘치는 처리조(11)와, 처리조에 삽입되는 웨이퍼 운반통(Wafer carrier)(12)으로 구성되는데, 웨이퍼 운반통(12)은 상면과 바닥이 개구되고 내부에 다수개의 웨이퍼(13)가 직립으로 정렬하여 담겨져 있으며 처리조 바닥의 둘레보다 몸통 둘레가 작아서 처리조 바닥 즉 흐름조절판(11-1)을 완전히 덮지 못한 상태로 삽입되어진다. 도면부호(11-2)는 처리액 주입구를 나타내고, 도면부호(11-3)는 처리액 배출 도랑을 나타내며, (11-4)는 배출구를 나타낸다.
따라서 종래의 웨이퍼 습식 처리장치(10)는 세정액 등과 같은 처리액이 처리조 바닥인 흐름조절판(11-1)을 통하여 처리조(11)로 유입되어 하부에서 상부로 흐르면서 웨이퍼 운반통(12) 내의 웨이퍼(13)를 습식처리한 후, 처리조 벽 위를 넘치게 된다. 배출도랑(11-3)으로 흘러넘친 처리액은 배출구(11-4)을 통하여 배출되어 폐기되거나, 재순환(Recirculation)되어 사용되어진다.
그런제 제1도에 도시한 종래의 장치는 웨이퍼 운반통(12)이 처리조(11)의 흐름조절판(11-1)을 완전히 덮지 못하는 관계로, 웨이퍼 운반통내의 웨이퍼(13)들 간의 간격보다 넓은 웨이퍼 운반통(12) 바깥쪽, 즉 흐름조절판(11-1) 가장자리 부위(도면에서 'A'로 표시)로 유입되는 처리액 흐름이 주 흐름(Main flow)이 되어 웨이퍼 운반통(12)으로 역류 등을 일으켜 웨이퍼 사이의 흐름을 방해하게 되므로써 웨이퍼 세정 및 화학작용이 효과적이지 못하였다.
제2도는 이러한 문제점을 해결하기 위해 최근에 발표된 웨이퍼 습식 처리장치를 도시한 단면도로써, 웨이퍼 운반통으로 덮히지 않는 처리조의 흐름조절판(11-1)의 가장자리 부위(도면에서 'B'로 표시)를 폐쇄한 구조이며, 'ULSI ULTRA CLEAN TECHNOLOGY 24th SYSMPOSIUM'의 94쪽에서 'Special Baffle plate'로 소개된 바 있다.
제2도에 도시된 종래의 장치는 웨이퍼 운반통(12) 밖의 불필요한 처리액 흐름(Flowing)을 줄여 줌으로써 다소 세정효과 및 화학반응의 상승효과를 증대시킬 수 있으나, 웨이퍼 운반통(12) 벽의 일부가 'U' 또는 'H'형으로써 그 면을 통과하여 웨이퍼 운반통 밖으로 흐르는 처리액 흐름이 여전히 잔존하여 비효율적이고, 처리조(11)내 웨이퍼 운반통(12) 밖의 불필요한 공간은 장치의 비대화를 초래하고 있다.
이에 본 발명은 불필요한 처리액의 흐름과 처리조내의 공간을 제거하여 웨이퍼 처리효고가 극대화되고 장치 사이즈의 최적화가 구현되는 웨이퍼 습식 처리장치를 제공하려는 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 습식 처리장치는, 처리액이 바닥으로 유입되어 벽 위에 흘러넘치는 처리조와 바닥과 상면이 개구되고 처리조에 삽입되어 적어도 벽 외면의 하단부가 처리조 벽과 접하여 처리액이 내부로 통과하는 웨이퍼 운반통을 포함하여 이루어진다.
여기서, 웨이퍼 운반통이 처리조에 삽입되어 벽 외면이 처리조 벽 내면과 접하는 것이나, 처리조는 벽의 내면 일부 또는 전부가 상기 웨이퍼 운반통 벽 외면과 소정각을 이루는 경사면이고 처리조의 경사면과 대응하는 웨이퍼 운반통 벽 부위는 상부가 바깥쪽으로 굴절되어 처리조 벽과 접하는 흐름 안재부를 포함하는 것이 특징이다.
이하, 첨부한 제3도, 제4도 및 제5도를 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 발명에 따른 일실시예의 웨이퍼 습식 처리장치를 도시한 도면으로써, (a)는 웨이퍼 습식 처리장치의 평면도이고, (b)는 웨이퍼 습식 처리장치의 단면도이며, (c)는 웨이퍼 운반통의 사시도이다.
제3도에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 일실시예의 웨이퍼 습식 처리장치(30)는 처리조의 벽(31-5) 내면과 웨이퍼 운반통(32-1)의 외면이 접하는 구조이다. 이 처리조(31)의 바닥은 균일한 홀이 뚫려있는 흐름조절판(31-1)으로 형성되고 벽(31-5) 외면에 배출도랑(31-3)이 형성되며, 또 도면부호(31-4)는 배출구를 나타낸다.
웨이퍼 운반통(32)은 상면과 바닥이 개구되고 다수개의 웨이퍼(33)가 일정한 간격으로 직립 정렬하여 담겨져 있다.
또한 처리조 벽(31-5)과 웨이퍼 운반통 벽(32-1)의 접촉면 즉, 처리조 벽 내면과 웨이퍼 운반통 벽 외면의 일부 또는 전부는 상호 대응하는 파형(corrugated)(32-2)으로 형성된다.
따라서 주입구(31-2)와 흐름조절판(31-1)을 통하여 유입된 세정액 등과 같은 처리액의 전량이 웨이퍼 운반통(32)내를 직진성 흐름을 형성하며 통과하여 웨이퍼 세정 또는 화학작용을 일으키고, 배출도랑(31-3)으로 넘쳐흐르게 된다. 배출도랑(31-3)으로 넘쳐흐른 처리액은 배출구(31-4)를 통하여 배출되어 폐기되거나 고성능의 필터로 정화되어 재순환(Recirculation) 된다.
제4도는 본 발명에 따른 다른 실시예의 웨이퍼 습식 처리장치를 도시한 도면으로써, (a)는 웨이퍼 습식 처리장치의 평면도이고, (b)는 웨이퍼 습식 처리장치의 단면도이며, (c)는 웨이퍼 운반통의 사시도이다.
제4도에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 다른 실시예(40)는 웨이퍼 운반통(42)을 처리조(41)에 삽탈시에 마찰에 의한 이물발생을 최소화하기 위해 처리조 벽(41-5) 내면을 웨이퍼 운반통 벽(42-1) 외면과 1° 내지 15°정도의 각을 이루는 경사면으로 형성한 것으로써, 처리조 벽(41-5)의 경사면과 대응하는 웨이퍼 운반통 벽 부위는 웨이퍼(43) 높이까지 직립으로 형성되고 상부가 바깥쪽으로 굴절되어 처리조 벽(41-5)과 접하는 흐름 안내부(42-3)를 포함하고 있다. 이때 처리조 벽(41-5)의 경사면과 대응하는 웨이퍼 운반통(42-1) 부위는 폐쇄면으로 형성하여 그 면으로 처리액이 유통되지 않도록 함으로써, 흐름조절판(41-1)을 통하여 유입된 처리액이 전량 웨이퍼 운반통(42) 내부를 통화하여 배출도랑(41-3)으로 배출되게 되며, 웨이퍼 운반통 상부의 흐름조절부(42-3)가 굴절되어 처리조(41-5) 벽과 접하므로써, 웨이퍼 운반통(42)을 통과한 처리액의 오버플로윙에 도움이 된다.
또한 경사지게 형성된 처리조 벽(41-5) 내면은 공정이 끝난 후 즉 웨이퍼 운반통(42)을 처리조(41)로 부터 꺼낸 후에 처리조내 처리액의 오버플로윙(Overflowing)의 효과를 증대시킴으로써 처리조 내에 잔존하는 레지듀(Residue)의 제거 효과를 극대화할 수 있다.
제4도의 미설명 도면부호(41-2)는 주입구를 (41-4)는 배출구를 각각 나타낸다.
제5도는 본 발명에 따른 또 다른 실시예의 웨이퍼 습식 처리장치(50)를 도시한 단면도로써, 제4도의 장치에서 흐름조절부(52-3)를 처리조 벽(51-5) 상단을 감싸게 형성하고, 웨이퍼 운반통(52) 하단에 돌출부(52-4)를 형성하고 돌출부(52-4)에 대응하는 홈부(51-6)를 처리조 바닥에 형성한 것이다.
이와 같이 흐름조절부(52-3)를 처리조 벽(51-5)의 상단을 감싸게 하므로써 처리조(51)에 웨이퍼 운반통(52)의 삽입시 정위치 삽입을 용이하게 하고, 웨이퍼 운반통(52) 내부를 통과한 처리액의 배출도랑(51-3)으로의 흐름을 안내하게 된다.
또한 웨이퍼 운반통 하단과 그에 대응하는 위치의 처리조 바닥에 돌출부(52-4)와 홈부(51-6)를 형성하므로써 웨이퍼 운반통의 정위치 삽입 및 공정진행시에 정위치 유지에 도움이 된다. 이때 돌출부(52-4)와 홈부(51-6)의 접촉부위는 내마모성, 밀착성, 내식성이 좋은 재질로 형성하면 바람직하다.
제5도의 미설명 도면부호(51-1)는 흐름조절판, (51-2)는 주입구, (51-4)는 배출구 및 (53)은 웨이퍼를 각각 나타낸다.
상술한 바와 같이 본 발명의 웨이퍼 습식 처리장치는 처리액의 흐름을 최적화함으로써 세정 및 화학반응 등의 웨이퍼 습식 처리의 효과를 극대화시킬 수 있고, 장치 사이즈 축소에도 효과적이다.
Claims (9)
- 웨이퍼 습식 처리장치에 있어서, 바닥과 상면이 개구되고, 상기 처리조에 삽입되어 적어도 벽 외면의 하단부가 상기 처리조 벽과 접하여 상기 처리액이 내부로 통과하는 웨이퍼 운반통과, 측벽이 상기 웨이퍼 운반통 벽 외면과 소정각을 이루는 처리조와, 상기 처리조 하부에 형성되어, 상기 처리액을 공급시키기 위한 처리액공급부와, 상기 처리조 상부에 형성되어, 상기 처리액의 흐름을 제어하기 위한 흐름조절부를 포함하여 이루어진 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 운반통이 상기 처리조에 삽입되어 벽 외면이 상기 처리조 벽 내면과 접하는 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리조는 벽의 내면 일부 또는 전부가 상기 웨이퍼 운반통 벽 외면과 소정각을 이루는 경사면인 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제3항에 있어서, 상기 처리조의 경사면과 대응하는 웨이퍼 운반통 벽 부위는 상부가 바깥쪽으로 굴절되어 상기 처지조 벽과 접하는 흐름 안내부를 포함하는 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제4항에 있어서, 상기 흐름안내부는 상기 처리조 벽 상단을 감싸게 형성된 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제4항에 있어서, 상기 처리조의 경사면과 대응하는 웨이퍼 운반통 벽 부위는 폐쇄면인 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제3항에 있어서, 상기 소정각은 1°내지 15°인 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리조 벽 내면과 상기 웨이퍼 운반통 외면의 접촉면은 상호 대응되는 파형(corrugated)면인 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 운반통 하단에 돌출부를 형성하고, 상기 돌출부에 대응하는 홈부를 상기 처리조 바닥에 형성된 것이 특징인 웨이퍼 습식 처리장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960006618A KR100211074B1 (ko) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 웨이퍼 습식 처리장치 |
US08/803,640 US5845663A (en) | 1996-03-13 | 1997-02-21 | Wafer wet processing device |
JP09039574A JP3143865B2 (ja) | 1996-03-13 | 1997-02-24 | ウェーハ湿式処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960006618A KR100211074B1 (ko) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 웨이퍼 습식 처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970067653A KR970067653A (ko) | 1997-10-13 |
KR100211074B1 true KR100211074B1 (ko) | 1999-07-15 |
Family
ID=19452950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960006618A KR100211074B1 (ko) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 웨이퍼 습식 처리장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5845663A (ko) |
JP (1) | JP3143865B2 (ko) |
KR (1) | KR100211074B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6004401A (en) | 1998-03-02 | 1999-12-21 | Micron Technology Inc | Method for cleaning a semiconductor structure |
US6325080B1 (en) * | 1999-02-10 | 2001-12-04 | Georg Held | Cleaning of medical devices avoiding recontamination |
US6732749B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-05-11 | Akrion, Llc | Particle barrier drain |
US20060060814A1 (en) * | 2002-12-17 | 2006-03-23 | Lucyna Pawlowska | Alkenylsuccinic anhydride surface-applied system and method for using the same |
TW200504265A (en) * | 2002-12-17 | 2005-02-01 | Bayer Chemicals Corp | Alkenylsuccinic anhydride surface-applied system and uses thereof |
US20090281212A1 (en) * | 2005-04-28 | 2009-11-12 | Lucyna Pawlowska | Alkenylsuccinic anhydride surface-applied system and uses thereof |
JP4835938B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2011-12-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 記録媒体供給装置、及び画像形成装置 |
JP2009141022A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP4999808B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5428601B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2014-02-26 | 凸版印刷株式会社 | ビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置 |
US9632426B2 (en) * | 2011-01-18 | 2017-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | In-situ immersion hood cleaning |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3923156A (en) * | 1974-04-29 | 1975-12-02 | Fluoroware Inc | Wafer basket |
US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
JPS61154130A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 減圧流水洗浄装置 |
JPS6457721A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Chukoh Chem Ind | Wafer cleaning equipment |
JPH06103678B2 (ja) * | 1987-11-28 | 1994-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体基板の加工方法 |
US4949848A (en) * | 1988-04-29 | 1990-08-21 | Fluoroware, Inc. | Wafer carrier |
JPH0244727A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハー洗浄装置 |
JPH0254528A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
JPH0258835A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | ウェットエッチング装置 |
JP2737192B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1998-04-08 | 大同特殊鋼株式会社 | アーク炉から発生する排ガスの処理装置 |
JPH0644098Y2 (ja) * | 1989-02-27 | 1994-11-14 | 黒谷 信子 | 半導体ウェハーの洗浄用バブラー |
JPH03191523A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-21 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
JPH03222420A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Nec Corp | ウェーハ処理装置 |
JPH0448629A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハの液処理装置 |
US5275184A (en) * | 1990-10-19 | 1994-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system |
JPH0562956A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の洗浄用治具及び洗浄方法 |
JPH0582496A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | レジスト除去方法及びその装置 |
JP2696017B2 (ja) * | 1991-10-09 | 1998-01-14 | 三菱電機株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
US5383484A (en) * | 1993-07-16 | 1995-01-24 | Cfmt, Inc. | Static megasonic cleaning system for cleaning objects |
-
1996
- 1996-03-13 KR KR1019960006618A patent/KR100211074B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-02-21 US US08/803,640 patent/US5845663A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-24 JP JP09039574A patent/JP3143865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09321017A (ja) | 1997-12-12 |
JP3143865B2 (ja) | 2001-03-07 |
US5845663A (en) | 1998-12-08 |
KR970067653A (ko) | 1997-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100211074B1 (ko) | 웨이퍼 습식 처리장치 | |
US5839456A (en) | Wafer wet treating apparatus | |
KR100195334B1 (ko) | 세정장치 | |
KR20070102475A (ko) | 기판 처리 장치 | |
US5976311A (en) | Semiconductor wafer wet processing device | |
KR100274128B1 (ko) | 기판처리장치 | |
CN109201608A (zh) | 一种晶圆高效清洗装置以及清洗方法 | |
KR920010779A (ko) | 세정(洗淨)장치 및 그방법 | |
KR100481309B1 (ko) | 반도체 기판의 건조장비 | |
US20070181160A1 (en) | Supporter and apparatus for cleaning substrates with the supporter, and method for cleaning substrates | |
KR100196998B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치 | |
KR20000029049A (ko) | 유기성배수의 혐기성처리장치 | |
KR101194697B1 (ko) | 습식세정장비의 버퍼존 세정장치 | |
JPS61166134A (ja) | 処理装置 | |
JP3118443B2 (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
JPH05166787A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄リンス槽 | |
KR19980066881U (ko) | 웨이퍼가이드(wafer guide) | |
KR0125681Y1 (ko) | 웨이퍼 세정조 | |
KR960007315Y1 (ko) | 웨이퍼 세정용 순수공급 노즐 | |
KR20050039060A (ko) | 오염방지유닛을 갖는 반도체 세정설비 | |
KR200163642Y1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
KR960000312Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정장치 | |
KR20180027911A (ko) | 기판 세정 장치 | |
KR100895965B1 (ko) | 습식세정장치 | |
KR100496855B1 (ko) | 반도체장치 제조용 습식식각설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120323 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |