KR100196998B1 - 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 습식 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 제조 공정에서 반도체 웨이퍼의 세정 등의 습식처리를 수행하는 반도체 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로, 처리액 공급라인과, 상기 처리액 공급라인이 하부에 연결되고, 측벽 내면 상호 간 및 측벽 내면과 바닥 내면이 접하는 부위가 곡면을 이루고, 상면이 개구되어, 상기 처리액 공급라인으로부터 유입된 처리액이 넘쳐흐르는 처리조와, 상기 처리조 측벽 둘레에 형성된 배출도랑과, 상기 배출도랑 하부에 연결되는 배출라인을 포함하며, 상기 처리액 공급라인의 내면은 상기 처리조 내면과 연결되는 연결부위가 곡면을 이루도록 한다.

Description

반도체 웨이퍼 습식 처리 장치
제1도는 종래의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치의 사시도.
제2도는 제1도의 A-A' 선에 따른 단면도.
제3도는 제1도의 B-B' 선에 따른 단면도.
제4도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치의 일실시예를 도시한 사시도.
제5도는 제4도의 C-C' 선에 따른 단면도.
제6도는 제4도의 D-D' 선에 따른 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10,40 : 반도체 웨이퍼 11,41 : 처리조
11-1,41-1 : 처리조 바닥 11-2,41-2 : 처리조 측벽
12,42 : 처리액 공급라인 13,43 : 배출라인
14,44 : 배출도랑 15,45 : 웨이퍼 운반통
16,46 : 펌프 17,47 : 필터
18,48 : 흐름조절판
본 발명은 반도체 장치(Device) 제조공정중 웨이퍼의 세정 등의 습식처리에 사용되는 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치(Device) 제조 공정에서 반도체 웨이퍼의 세정기술의 중요성이 커지고 있으며, 반도체 웨이퍼의 세정 등을 수행하는 종래의 일반적인 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치는, 하부로 세정수 등과 같은 처리액이 유입되어 넘쳐흐르는 처리조에 반도체 웨이퍼를 입조(入槽)시켜 세정 등의 습식처리를 하는 오버플로잉(Over-flowing) 방식을 채택하고 있다.
제1도 내지 제3도는 종래의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치를 설명하기 위해 도시한 도면으로써, 제1도는 종래의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치의 사시도이고, 제2도는 제1도의 A-A' 선에 따른 단면도이며, 제3도는 제1도의 B-B' 선에 따른 단면도이다.
제1도 내지 제3도에 도시한 바와 같이, 종래의 장치는 바닥(11-1)에 처리액 공급라인(12)이 연결되어 내부로 세척수 또는 세정액 등의 처리액이 공급되고, 공급된 처리액이 측벽(11-2) 위로 넘쳐흐르는 처리조(11)를 포함하고 있다. 이 처리조(11)에는 반도체 웨이퍼(10)가 입조(入槽)되는데 일반적으로 웨이퍼 운반통(Wafer Carrier)(15)에 다수개 담겨져서 입조되게 된다. 처리조의 측벽(11-2) 둘레에는 배출도랑(14)이 형성되고, 배출도랑의 하부에 배출라인(13)이 연결된다. 이 배출라인(13)은 펌프(16)와 필터(17)를 통하여 공급라인(12)과 연결되므로써 배출된 처리액이 필터(17)에 정화되어 재순환(Recirculation)되어 진다. 종래 장치 중 배출라인과 공급라인이 연결되지 않고 배출라인으로 배출되는 처리액을 폐기시키는 구조도 있는데, 처리조 내부를 통과한 처리액의 오염이 심한 경우 등이 해당한다.
도면부호(18)는 흐름조절판으로써, 균일하게 홀이 형성되어 처리조(11) 내부 각부분으로 처리액이 균일하게 흐르도록 한다.
따라서 종래의 장치의 처리조에 다수개의 웨이퍼(10)가 담겨진 웨이퍼 운반통(15)을 입조시키면, 처리조 공급라인(12)을 통하여 공급된 세척수 등과 같은 처리액이 처리조(11) 내를 흐르면서 줴이퍼를 세정 등과 같은 습식 처리를 하고 처리조 측벽(11-2) 위로 넘쳐 흘러 배출도랑으로 유입된다. 배출도랑(14)으로 유입된 처리액은 배출라인(13)을 통하여 배출되어 펌프(16)에 의해 필터(17)를 거쳐 재순환된다.
이러한 종래의 장치는 '24TH SYMPOSIUM ON ULSI ULTRA CLEAN TECHNOLOGY, JAPAN' 과 '미국 특허(U.S. PATENT) No. 5,370,142 1994, 11, 6'에 밝혀진 바 있다.
그런데 종래의 장치는 제1도 내지 제3도에서 알 수 있는 바와 같이, 처리조 측벽(11-2) 내면 간 및 측벽 내면과 바닥(11-1) 내면이 거의 직각을 이루고 있어서 그 부위에 틈을 형성하고, 그곳에 파티클(Particle) 및 세정 찌꺼기(Residue) 등의 오염물질이 끼어 잔존하여 오염원으로 작용하므로써 처리액 및 웨이퍼를 오염시키고 있다. 또한 종래의 장치는 제3도에서 나타낸 바와 같이 처리조(11)와 처리액 공급라인(12) 및 배출도랑(14)과 배출라인(13)과 같은 장치의 각 요소간의 연결부위의 내면에 모가 난 돌출부(19a, 19b)를 형성하므로써, 마모, 특히 흐르는 처리액에 의한 마모로 인하여 처리조 내 오염물질 발생을 가중시키고 있다. 이러한 처리조 내 오염물질의 증가는 처리액을 필터(17)로 정화하여 재순환하는 경우에는 필터(17)의 수명을 단축시키기도 한다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 반도체 웨이퍼의 습식처리 시 웨이퍼 오염을 줄일 수 있는 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치를 제공하려는 목적을 가지고 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼가 입조(入槽)되는 처리조를 포함하여 이루어진 반도체 웨이퍼 습식 처리장치는, 처리조의 측벽 내면 상호 간 및 측벽 내면과 바닥 내면이 접하는 부위가 곡면을 이루는 것이 특징으로써, 처리액 공급라인; 처리액 공급라인이 하부에 연결되고, 측벽 내면 상호 간 및 측벽 내면과 바닥 내면이 접하는 부위가 곡면을 이루고, 상면이 개구되어, 처리액 공급라인으로부터 유입된 처리액이 넘쳐흐르는 처리조; 처리조 측벽 둘레에 형성된 배출도랑과; 배출도랑 하부에 연결되는 배출라인을 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명의 일실시예를 도시한 제4도 내지 제6도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
제4도는 본 발명의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치의 일실시예를 도시한 사시도이고, 제5도는 제4도의 C-C' 선에 따른 단면도이며, 제6도는 제4도의 D-D' 선에 따른 단면도이다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치는, 제4도 내지 제6도에 도시한 바와 같이, 측벽(41-2) 내면 상호 간 및 측벽(41-2) 내면과 바닥(41-1) 내면이 접하는 부위가 곡면을 이루고, 상면이 개구된 처리조(41)를 포함하고 있다. 처리조 바닥(41-1)에는 세정수 또는 세정액 등과 같은 처리액을 공급하는 처리액 공급라인(42)이 연결되는데, 연결부위의 내면이 곡면을 이루며 형성된다. 이렇게 형성하기 위해서는 처리조와 연결되는 처리액 공급라인(42)의 부위를 내면이 곡면인 깔때기 모양으로 형성하든가, 처리조 바닥(41-1)의 연결부위에 내면이 곡면인 돌출 개구부를 형성하여 공급라인(42)을 삽입하는 형태로 형성될 수 있다. 이와같이 연결부위의 내면이 곡면으로 완만하게 형성되므로써 마모 억제가 이루어지고 특히 처리액의 흐름에 의한 마모가 방지된다.
처리조 측벽(41-2) 둘레에 배출도랑(44)이 형성되는데, 배출도랑(44) 역시 처리조(41)와 마찬가지로 내측면 상호간 및 내측면과 바닥 내면이 접하는 부위가 곡면을 이루도록 형성된다. 또한 배출도랑(44)의 하부에 배출라인(43)이 상술한 처리조(41)에 처리액 공급라인(42)이 연결되는 방식과 동일하게 연결된다.
도면부호(46)는 펌프이고, 도면부호(47)는 필터이며 배출된 처리액의 정화에 이용된다. 도면부호(48)는 균일한 분포로 홀이 형성된 흐름조절판으로써, 처리조내 각부분의 처리액 흐름이 균일하도록 하는 역할을 한다.
공급라인(42)과 배출라인(43)은 처리액의 흐름 방향이 변하거나 유속이 변하는 부위 즉, 제6도의 도면부호(42a, 43a)로 나타낸, 라인이 꺽어지는 부위의 내면을 곡면으로 형성하여 마모를 방지하면 바람직하다.
따라서 본 발명의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치는, 처리조(41)에 다수개의 웨이퍼(40)가 담겨진 웨이퍼 운반통(Wafer Carrier)(45)을 입조시키면, 처리조 공급 라인(42)으로부터 세척수 등과 같은 처리액이 공급되어 처리조(41) 내를 흐르면서 웨이퍼(40)의 세정 등과 같은 습식 처리를 하고 처리조 측벽(41-2) 위로 넘쳐 흘러 배출도랑(44)으로 유입된다. 배출도랑(44)으로 유입된 처리액은 배출라인(43)을 통하여 배출되어 펌프(46)로 보내지고, 필터(47)를 거쳐 재순환된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치는 처리조 측벽 내면 상호간 및 측벽 내면과 바닥 내면이 접하는 부위를 곡면으로 형성하여 종래의 장치에서 오염원이 되었던 틈을 없애므로써, 처리액 및 반도체 웨이퍼의 오염을 줄일 수 있으며 그에 따라 세정 등의 처리효과가 향상된다. 또한, 처리조와 처리액 공급라인 및 배출도랑과 배출라인 간의 연결부위와 공급라인 및 배출라인을 마모 발생기 적은 형태로 형성하여서 반도체 웨이퍼 습식 처리시 오염물질의 발생을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims (4)

  1. 반도체 웨이퍼를 입조(入槽)시켜서 처리하는 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치에 있어서, 처리액 공급라인과, 상기 처리액 공급라인이 하부에 연결되고, 측벽 내면 상호 간 및 측벽 내면과 바닥 내면이 섭하는 부위가 곡면을 이루고, 상면이 개구되어, 상기 처리액 공급라인으로부터 유입된 처리액이 넘쳐흐르는 처리조와, 상기 처리조 측벽 둘레에 형성된 배출도랑과, 상기 배출도랑 하부에 연결되는 배출라인을 포함하며, 상기 처리액 공급라인의 내면은 상기 처리조 내면과 연결되는 연뎔부위가 곡면을 이루는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 습식 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배출도랑은 적어도 바닥 내면이 바깥쪽으로 볼록한 곡면이거나, 내측면 상호간 및 내측면과 바닥 내면이 접하는 부위가 곡면을 이루는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 배출라인은 내면이 상기 배출도랑 내면과 연결되는 부위에 곡면을 이루는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공급라인과 배출라인은 처리액의 유속이 변하는 부위 및 흐름 방향이 변하는 부위의 내면은 곡면으로 형성된 것이 특징인 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358325B1 (en) 1997-08-22 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Polysilicon-silicon dioxide cleaning process performed in an integrated cleaner with scrubber
JP3075350B2 (ja) * 1997-12-03 2000-08-14 日本電気株式会社 薬液処理方法および薬液処理装置
US6004401A (en) 1998-03-02 1999-12-21 Micron Technology Inc Method for cleaning a semiconductor structure
TWI240763B (en) * 2001-05-16 2005-10-01 Ind Tech Res Inst Liquid phase deposition production method and device
US6551412B1 (en) * 2001-07-16 2003-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Non-tubular type recycle system of wet bench tank

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3937236A (en) * 1974-10-07 1976-02-10 Mdt Chemical Company Ultrasonic cleaning device
US3950184A (en) * 1974-11-18 1976-04-13 Texas Instruments Incorporated Multichannel drainage system
JPS5861632A (ja) * 1981-10-07 1983-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 洗浄槽
JPH084063B2 (ja) * 1986-12-17 1996-01-17 富士通株式会社 半導体基板の保存方法
US4955402A (en) * 1989-03-13 1990-09-11 P.C.T. Systems, Inc. Constant bath system with weir
JP3194209B2 (ja) * 1992-11-10 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置

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