JPH0258835A - ウェットエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造に使用されるウェットエツチ
ング装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体基板表面に付着・成長させた金属膜や絶縁
膜等を薬液でエツチングする場合は、薬液をみたした処
理槽に半導体基板を浸漬してエツチングしていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上述した従来の金属膜等のウェットエツ
チング装置によるエツチング方法では、半導体基板を薬
液に浸漬した時点で、半導体基板周辺や裏面に付着して
いた種々のごみ等の粒子か薬液中に混入して浮遊し、エ
ツチングそのものの阻害要因になるばかりか、エツチン
グ終了後、半導体基板を薬液から取り出す際、液中や液
面に存在するごみ等の粒子が基板表面に付着し、後工程
での処理に悪影響をおよぼすという欠点かあった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のウェットエツチング装置は、界面活性剤を含む
溶液を噴射するノズルを少くとも備えた洗浄槽と、前記
洗浄槽により洗浄された半導体基板の表面をエツチング
する薬液を満たす処理槽とを含んで構成される。

〔実施例〕

次に本発明について図面を用いて説明する。

第１図は本発明の第１の実施例における洗浄槽の断面図
である。

薬液を満たした処理槽の前槽として設けられた洗浄層２
Ａは、その上部に界面活性剤を含む溶液を半導体基板３
に向けて噴射する為のノズルＩＡが設けられている。尚
４は排液口である。

このように構成された第１の実施例においては、処理槽
においてエツチングする前に、洗浄槽２Ａにおいて、噴
射ノズルＩＡから噴射された界面活性剤を含む溶液によ
り、半導体基板３の表面及び裏面が洗浄される。従って
処理槽でエツチング処理される半導体基板３は清浄とさ
れているため、従来のようにごみの粒子等によりエツチ
ングが阻害されることはなくなる。

第２図は、本発明の第２の実施例における洗浄槽の断面
図である。

第２図に示す洗浄槽２Ｂには、半導体基板３に、界面活
性剤を含む溶液を噴射するノズルＩＢと、窒素等の気体
を噴射するノズル５が備えられている。

このように構成された第２の実施例では、界面活性剤を
含む溶液を噴射するだけでなく、気体噴射ノズル５によ
り気体を吹き付けることができる。

ため、半導体基板３の表裏面に散布された溶液を効率的
に下方へ除去することができる利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ウェットエツチング装置
を界面活性剤を含む溶液を噴射するノズルを少くとも備
えた洗浄槽と薬液を満す処理槽とから構成することによ
り、半導体基板に付着しなごみ等を洗い流しなのちエツ
チング処理を行うことができるなめ、ごみ等の付着によ
りエツチングが阻害されなり、後工程での処理゛に悪影
響をおよぼすことがなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の第１及び第２の実施例に
おける洗浄槽の断面図である。 ＩＡ、ＩＢ・・・噴射ノズル、２Ａ、２Ｂ・・・洗浄槽
、３・・・半導体基板、４Ａ、４Ｂ・・・排液口、５・
・・気体噴射ノズル。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 界面活性剤を含む溶液を噴射するノズルを少くとも備え
   た洗浄槽と、前記洗浄槽により洗浄された半導体基板の
   表面をエッチングする薬液を満たす処理槽とを含むこと
   を特徴とするウェットエッチング装置。